この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】液の使用量を低減することができるとともに、被処理体間での処理の程度のバラツキを抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続した液供給機構４０と、主配管に設けられた主開閉弁２２と、主配管から分岐した複数の分岐管２５と、各分岐管と接続した複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液を供給する第１液供給管４１ｂと、第２液を供給する第２液源４２ａと、を有し、第１液と第２液とを混合器内で混合してなる混合液を、主配管に一側から供給する。主開閉弁は、処理ユニット内で被処理体が処理されている際、主配管を液供給機構に対して他側から閉鎖する。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

キャリア上の基板をクリーニングする装置であって、キャリアは、その内部において、互いに平行に延び、開口によってキャリアの下側で外に接続する複数の縦方向の通路を有し、装置は、互いに平行に延び、パイプホルダに配置されて液体供給源に対して液体を導くように接続された複数の細長いパイプを有している。センタリングプレートが、パイプの周囲に設けられ、パイプホルダから離れたパイプの端部領域にある取付け位置と、取付け位置及びパイプホルダ間の作用位置との間でパイプの長手方向にパイプに対して移動可能である。センタリングプレートがキャリアに支持され、パイプが縦方向の通路に対して正確に配列される。
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【解決手段】本発明の実施形態は、ウエハ表面、特にパターン化ウエハ（又は基板）の表面を洗浄する改良された洗浄剤、装置及び方法を提供する。本明細書で説明する洗浄剤、装置及び方法は、微細なフィーチャを備えるパターン化基板を、フィーチャに実質的に損傷を与えることなく洗浄できるという効果がある。洗浄剤は、１つ以上の高分子化合物からなるポリマーを備える。洗浄剤は、広い粘度範囲と広いｐＨ範囲で、さまざまな種類の表面洗浄に用いることができる。洗浄剤は液相であり、デバイス・フィーチャの周囲で変形し、基板上の汚染物質を捕獲する。ポリマーは、基板表面に汚染物質が戻らないように、汚染物質を取り込む。洗浄装置は、広い範囲の粘度を有する洗浄剤を供給して、すすぐように設計される。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面をスピン洗浄するにあたり、基板上に残存する水滴を低減し、例えば露光後の加熱処理時における水滴あるいはウオータマークによる加熱むらを抑えること。
【解決手段】 洗浄液ノズル５の吐出口よりもウエハＷの回転方向における下流側に洗浄液を拘束する液押さえ面部を設ける。具体的には洗浄液ノズル５の底面７０は長方形状に成形され、底面７０にはスキャン方向前方に向けて開いている概ねＶ字状の凹部７１が形成されると共に凹部７１の天井面７２における根元側に吐出口７３が形成される。洗浄液ノズル５からの洗浄液の供給位置を基板の中央部から周縁に向かって移動させると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、液押さえ面部により拘束されて液の塊ができるので、低回転でも遠心力が大きくなってその液の塊が外に向かう作用が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を使用することなく、目視不可能な程度に薄い液膜や微小な液滴を含めて、濡れた基板表面から液体を残留させることなく迅速かつ完全に除去して、ウォーターマークの生成を最小限に抑えることができるようにする。
【解決手段】液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板表面に対向させて配置した気液吸引ノズル２８と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を該表面から剥離させつつ近傍の気体と共に気液吸引ノズル２８で吸引し、基板表面に対向させて配置した乾燥ガス供給ノズル４４と基板Ｗとを互いに平行に相対移動させながら、基板表面の液体４０を剥離させた領域に向けて乾燥ガス供給ノズル４４から乾燥ガスを吹き付ける。 （もっと読む）

半導体基板表面から汚染物質を除去するシステム、方法および装置は、洗浄剤の適用を含む。洗浄剤は、洗浄液と、洗浄液に分散したマイクロメートル単位の大きさの複数の乾燥ポリビニル粒子を含む。洗浄液は、長いポリマー鎖から生成される単相ポリマー化合物であり、独特な粘弾性を示す。マイクロメートル単位の大きさの複数の乾燥ポリビニルアルコール粒子は、洗浄液の液体を吸収し、洗浄剤中に均一に懸濁されるようになる。懸濁されたポリビニルアルコール粒子は、半導体基板表面の少なくとも一部の汚染物質と相互作用し、基板表面から汚染物質を遊離させて除去する。遊離した汚染物質は、洗浄剤中に取り込まれ、洗浄剤と共に除去され、基板表面を実質的に洗浄された状態にする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】 従来の超音波エッジ洗浄装置では、円錐形状に形成したホーン３の先端に二股部３ａ、３ｂを形成しているため、その二股部３ａ、３ｂが非常に短いので、被洗浄物１の端部の僅かな部分しか洗浄できないという問題がある。
【解決手段】 背面部６に洗浄液の供給部７及び排出部８装着し、背面部６の上端及び下端から傾斜壁９，１０が対向するように形成され、傾斜壁９，１０の間に挿入部１１を形成し、傾斜壁９，１０の間に側壁１２，１３を形成することにより、筐体１４が形成され、挿入部１１が側壁１２，１３に延長して切り欠き部１５が形成されるように構成し、傾斜壁９，１０にそれぞれ超音波振動子１４，１５が装着され、さらに、超音波振動子１４，１５に発振器（図示せず）から発振出力が印加されており、超音波振動子１４，１５を覆うように外壁１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハ上に供給された液体媒質を物理的に閉じ込めるための装置、方法、および、システムは、半導体ウエハの上側表面および下側表面の少なくとも一部を覆うように配置された第１および第２の化学剤ヘッドを備える。第１および第２の化学剤ヘッドの各々は、液体化学剤をメニスカスポケット内に単相で供給するために、それぞれの化学剤ヘッドの前縁部に傾斜流入導管を備える。メニスカスポケットは、化学剤ヘッドによって覆われた半導体ウエハの上側表面および下側表面の部分の上に規定され、半導体ウエハの表面に供給された液体化学剤を受け入れてメニスカスとして閉じ込めるよう構成される。段構造が、メニスカスポケットの外周に沿って第１および第２の化学剤ヘッドの前縁部に形成されており、液体化学剤のメニスカスをメニスカスポケット内に実質的に閉じ込める。段構造は、メニスカスポケットの少なくとも一部を覆い、段構造の高さは、メニスカスの閉じ込め特性を維持するのに十分な高さである。内側回収導管が、メニスカスポケットの内側で、それぞれの化学剤ヘッドの後縁部に規定されており、洗浄処理後に液体化学剤を半導体ウエハの表面から単相で除去するために用いられる。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態例では、ウェットシステムは、プロキシミティヘッドと、基板（例えば半導体ウエハ）のためのホルダとを含む。プロキシミティヘッドは、メニスカスとしての水性流体の流れをプロキシミティヘッドの表面にわたって生じさせるように構成される。プロキシミティヘッドの表面は、流れを通じて基板の表面に作用する。ヘッドの表面は、流れを閉じ込める、維持する、及び／又は促進する表面形状変更を伴った非反応性材料（例えば熱可塑性プラスチック）で構成される。表面形状変更は、（例えばダイヤモンド又はＳｉＣの先端を伴った）円錐状のスクライブによって表面に彫り込まれてよい、又はテンプレートを使用して表面上にメルトプリントされてよい。これらの変更は、準ウィッキング又は超疎水性を生じさせえる。ホルダは、基板の表面を流れに曝す。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部および基板裏面を短時間で、しかも良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。このベベル洗浄中に裏面処理ノズル２から第２処理液が基板裏面Ｗｂに供給されて裏面洗浄が実行される。また、遮断部材５の下面周縁部に段差部ＳＴが形成されており、環状部５０ｂに付着した処理液などが基板対向面側に移動しようとしても、当該移動は段差部ＳＴにより阻止される。その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 （もっと読む）

洗浄方法は、液体を介して基板を露光する際に用いられかつ前記液体と接する部材を洗浄する。前記部材をアルカリ溶液で洗浄し、次いで、前記部材を過酸化水素を含む溶液で洗浄する。
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【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）