【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の形状が平板形状でありながらも、所望の方向に振動を伝播させることができる圧電振動子及びその製造方法を提供し、さらに該圧電振動子を使用することにより、装置設計が圧電振動子に制限されず且つ洗浄性能がより向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持手段１１と、圧電振動子１５の振動を洗浄液１４に伝播させて基板Ｗを超音波洗浄する洗浄手段１２と、圧電振動子１５に高周波電圧を印加する超音波発振器１３を有する超音波洗浄装置１０において、圧電振動子１５は、振動電極１６ａ、１６ｂの形成された平板形状の圧電振動子であり、該平板形状の圧電振動子１５は、その分極軸Ｐが厚み方向Ｔに対して所望の角度に傾斜したものであることを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウェーハ表面、特に、パターンウェーハの表面を洗浄するための方法および装置を提供する。洗浄装置は、支配的なパターンを有するパターンウェーハに対向する表面にチャネルを備えた洗浄ヘッドを含む。チャネルを流動する洗浄材料は、洗浄ヘッドに対して特定の方向に配されたパターンウェーハの表面に剪断力を及ぼす。剪断力と、パターンウェーハおよび洗浄ヘッド間の特定の向きとにより、表面の汚染物の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】装置は、ウエハに対して実行されるメニスカスプロセスを監視する。プロセッサによって受信される現在の処理の監視データは、ウエハおよび処理ヘッドの間のギャップの特徴を示す。プロセッサは、姿勢監視信号の形態であるデータと現行レシピとに応答するよう構成される。プロセッサは、さらなるメニスカス処理においてメニスカスを安定に保つことを可能にするためのメニスカス監視信号を生成する。監視は、現在のギャップが、（ｉ）現行レシピの所望のギャップ以外のギャップであり、かつ、（ｉｉ）安定したメニスカスに対応するか否かを判定するために現在のメニスカス処理に対して行われる。その場合、較正レシピが、現在の、ギャップを指定するものとして特定される。この較正レシピは、現在のギャップによるウエハ面のメニスカス処理のためのパラメータを指定する。ウエハ面のメニスカス処理は、特定された較正レシピによって指定されたパラメータを用いて継続される。 （もっと読む）

【課題】従来のエアクリーナ装置において、付着微細ダストの剥離効率と飛散微細ダストの捕集効率に限界がある上にチャタリング（異常振動）を発生して、生産ライン工程の稼動率の低下等の問題があった。
【解決手段】上段及び下段のエアクリーナヘッド２０、２１に水平面に対して３０〜８０度の傾斜した傾斜噴出口２２を設、吸込口（１）１３と吸込口（２）１４での吸込風量のバランスを調整する風量調整弁２４を設け、吸込風量を調整し、噴出流が途中で曲がる事なくストレートに平面板１９上の付着微細ダスト１７の下側に当たり剥離し易くなり、捕集効率が向上し、又、平面板１９の走行方向を傾斜噴出口２２からの噴出流の方向に合わせる事で押す作用も手伝いスムーズに走行出来る為に、チャタリング（異常振動）が無く生産ラインが一時停止する事も無く安定した生産が出来る。 （もっと読む）

【課題】隣接する処理室への処理液（ミスト）の侵入をより確実に防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。各処理部１，２のチャンバ１０，２０は開口部１１ａを介して連通しており、この開口部１１ａは、前処理部１側に設けられるシャッタ装置１４と、ウエット処理部２側に設けられるシャッタ本体２５とにより開閉可能に設けられている。また、前処理部１のチャンバ１０内には、開口部１１ａの開放中、ウエット処理部２側に向かって開口部１１ａにエアを吐出するエアノズル１９ａ，１９ｂが配備されている。 （もっと読む）

【課題】
回転霧化式洗浄ノズルの着脱を容易にし、交換時の調芯作業を必要としない回転霧化式洗浄ノズルを提供すること。
【解決手段】
ノズル本体部２は、ノズル本体部２と接合される中間マニホールド３と、中間マニホールド３と接合される取付けマニホールド４とによりノズル取付け部２６へ転霧化式洗浄ノズル１を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】内面の断面形状が略楕円形に形成された処理液供給ノズルを、簡単かつ安価に製造することができる処理液供給ノズルの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱ステップでは、チューブ２０の端部２１が加熱され（図Ａ参照。）、チューブ２０の端部２１が軟化する。挿入ステップでは、軟化したチューブ２０の端部２１の内部に、整形用治具２２が挿入される（図Ｂ参照。）。整形用治具２２の挿入により、チューブ２０の端部２１が、整形用治具２２の挿入により、チューブ２０のうち整形部２７の両側の側辺側辺２７Ａ，２７Ｂと当接する部分は拡げられ、それ以外の部分がチューブ２０の弾性力により狭められる。冷却ステップでは、チューブ２０の端部２１にスプレー状の冷却剤が吹き付けられて（図Ｃ参照。）、チューブ２０の端部２１が急冷される。 （もっと読む）

【課題】基板を支持する基板支持部材上の汚染物質を除去する枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。また、高温の薬液による基板支持部材の熱変形を最小化できる枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材２００に上向離隔された状態で支持された基板Ｗの下面に薬液を噴射して基板Ｗを処理し、基板支持部材２００の上面に洗浄液を噴射して基板支持部材２００上に残留する薬液を除去する。基板支持部材２００の熱変形は、一連の反復的な基板処理工程後、常温状態の洗浄液を用いて基板支持部材２００を洗浄することで最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の不要物を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】バキュームチャック１１の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板１２が配置されている。遮断板１２の下面１２１には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃが形成されている。エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハＷの回転半径外方に向かうにつれてウエハＷに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハＷの表面のエッチング液供給位置Ｐｅ、純水供給位置Ｐｄおよび窒素ガス供給位置Ｐｎに供給される。 （もっと読む）

【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を防止し、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を抑えつつ、基板全体に均一な処理をより効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｓを水平姿勢で搬送すると共に、エッチング処理中、所定の処理位置において基板Ｓを往復移動させる搬送ローラ１４と、往復移動に伴う基板端部の移動範囲Ｅを少なくとも含み、かつ当該移動範囲Ｅの上流側の位置に延設される液案内板１８と、この液案内板１８における前記移動範囲Ｅの外側の部分に、上流側から下流側に向かって斜め方向にエッチング液を吐出するノズル１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
ディスク洗浄のためのブラシの洗浄をブラシクリーナ円板により洗浄することでブラシによるディスクの洗浄効率を向上させることができるディスク洗浄機構およびディスク洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、回転ブラシユニットから洗浄液を排出するための洗浄液の流路が回転ブラシユニットに形成されている。この洗浄液の流路は、回転軸の中空部に供給された洗浄液が芯ローラの外周に設けられた軸方向に沿った横溝を経てブラシクリーナ円板の開口へと流れる通路として形成される。洗浄ノズルからディスクに供給された洗浄液は、ディスクを洗浄したときの汚れを含んで前記の洗浄液の流路に引き込まれて汚れが回転ブラシユニットから排出される。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】基板表面を好適に洗浄可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、洗浄の際に洗浄液と前記基板との界面に作用するせん断応力が、液浸露光の際に液浸液と前記基板との界面に作用するせん断応力よりも大きくなるような制御の下、前記基板の表面を洗浄し、前記レジスト膜を前記液浸露光により露光して、前記レジスト膜に潜像を形成し、前記レジスト膜を現像して、前記基板上にレジスト膜パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 大型基板(少なくとも０.２５ｍ^２)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン（Ｏ_３）を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、２-４個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約３００ｐｐｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部がレーザユニット７から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給される。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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