【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。続いて、溶剤吐出ノズル７６５を基板中心から周縁に向けて方向Ｄnに移動させながらＩＰＡを供給することで、基板上のＤＩＷ液膜にＩＰＡを添加し表面張力を低下させる（溶剤供給処理）。溶剤吐出ノズル７６５が基板周縁に達し溶剤供給処理が終了した後に、中央に溶剤供給路９７を有する遮断部材９を基板に近接配置し、溶剤供給口９７ａからＩＰＡを供給しながら基板の回転速度を増大させて、ＩＰＡによる置換領域ＳＲを基板全体に広げる（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式（Ｉ）ＮＨ_２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ_２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ_２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）で表される化合物、−式（ＩＩ）ＮＨ_２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)_２式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じで表される化合物、−モルホリン、−Ｎ−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程で高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより硬化したレジスト膜を容易に剥離することのできる高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜に形成された硬化層を常温真空圧下で発生させたプラズマを緩やかに照射してポッピングしないように剥離するプラズマ処理工程と、前記硬化層が除去され非硬化層が残っている状態で常圧下において薬液で洗浄した後に純水で前記薬液を洗い流す薬液処理工程とからなり、前記非硬化層の残留不純物が基板に固着するのを防止することを特徴とする高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される（パドル形成処理）。その後、所定量のＩＰＡを基板Ｗ上の液膜に供給してから（溶剤供給処理）、ＩＰＡを供給せずに基板を回転させることで液膜を攪拌する（攪拌処理）。これにより、基板上に残留していたＤＩＷがＩＰＡ内に溶け込む。さらにその後、ＩＰＡ供給を再開して基板の回転速度を高めることにより、基板Ｗ上のＤＩＷを完全にＩＰＡに置換する（置換処理）。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】溶剤を含有する溶剤含有ガスから溶剤を効率よく回収する。
【解決手段】溶剤含有ガスを、冷却器５に冷媒が供給されていない側の第一熱交換器１に供給した後、冷却器６に−１０〜−２０℃に調整した冷媒が供給されている側の第二熱交換器２に供給することを交互に繰返すようにして、第二熱交換器２内では、ガス中に含まれる溶剤を凝縮させて回収する一方、第一熱交換器１内では、前回凍結した水分を供給される溶剤含有ガスで昇温させて解凍し、取り込んでいる溶剤と共に回収すると共に、該供給された溶剤含有ガスを予備冷却されることになる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の処理液をＩＰＡなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間が経過してパドル状の液膜の膜厚Ｔ1がほぼ均一になるのを待ってから、基板Ｗの回転速度が４０ｒｐｍに加速される。これによって、基板上のＤＩＷ液膜の厚さが膜厚Ｔ2に減少する。こうして基板上のＤＩＷ量が減少した状態で、ＤＩＷを置換するためのＩＰＡの供給を開始することにより、置換に必要なＩＰＡの量を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する。防食剤としては、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物が用いられる。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】基板から排出された処理液が蒸気となることを抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック３、処理液ノズルおよびカップ５を備えている。スピンチャック３によりウエハＷが回転された状態で、当該ウエハＷの上面に処理液ノズルから処理液が供給される。ウエハＷに供給された処理液は、遠心力によりウエハＷから排出され、カップ５により受け止められる。このとき、処理液ノズルからの処理液の吐出と並行して、洗浄液ノズル３８から洗浄液が吐出されており、カップ５により受け止められた処理液は、速やかに洗い流されて排液口３２から排液される。 （もっと読む）

【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス洗浄用組成物であって、ａ）当該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；ｂ）当該組成物の約０．５重量％〜約１９重量％の水と；ｃ）当該組成物の約０．５重量％〜約１０重量％のテトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分とからなり、ｄ）任意で、少なくとも１つの多価アルコールを含む、組成物は、Ｓｉ系反射防止コーティングと低ｋ誘電体の両方を有するマイクロエレクトロニクス基板またはデバイスからエッチング／アッシング残渣を洗浄する際に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
（Ｉ）分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩ）エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩＩ）上記（Ｉ）、（ＩＩ）を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
（ＩＶ）糖類
（Ｖ）変性されていてもよいポリビニルアルコール （もっと読む）

【課題】エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、全体の処理時間を短縮できるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。
【解決手段】処理ヘッド１０からＨＦを含むガスを吹出し、ＳｉＮｘを含む被処理物２の表面に上記ＨＦを含むガスを大気圧近傍下で接触させてエッチング処理する。処理ヘッド１０に隣接させて洗浄部２０を配置する。搬送手段６によって、被処理物２を処理ヘッド１０と対向させた直後に洗浄部２０と対向させる。洗浄部２０から水等の溶媒を吹出し、エッチング処理により生じたケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムを溶媒に溶解して除去する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）フッ化物イオンを提供する少なくとも１種のフッ化物化合物、（ｂ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも１種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および（ｃ）水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）少なくとも１種の極性、水混和性有機溶媒、（ｅ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、１種またはそれ以上の（ｆ）多価アルコール、および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に、洗浄材料が塗布される。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を閉じ込めるための１つ又は２つ以上のポリマ材料を含む。洗浄材料及び洗浄材料の中に閉じ込められた汚染物質の基板の表面からの除去を達成するために、すすぎ流体が制御速度で基板の表面に塗布される。すすぎ流体の制御速度は、すすぎ流体による影響を受けたときの洗浄材料を弾性的に振る舞わせるように設定され、そうして、基板の表面からの汚染物質の除去を向上させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）