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Fターム[5F157BF22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄(有機) (1,513) | 成分 (1,057) | アルコール類 (287)

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【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ILDに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】(a)フッ化物イオンを提供する少なくとも1種のフッ化物化合物、(b)アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも1種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および(c)水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、(d)少なくとも1種の極性、水混和性有機溶媒、(e)pH7以上、好ましくはpH約9.5ないし約10.8の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも1種の金属イオン不含塩基、および、1種またはそれ以上の(f)多価アルコール、および(g)界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 (もっと読む)


【解決手段】基板の表面に、洗浄材料が塗布される。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を閉じ込めるための1つ又は2つ以上のポリマ材料を含む。洗浄材料及び洗浄材料の中に閉じ込められた汚染物質の基板の表面からの除去を達成するために、すすぎ流体が制御速度で基板の表面に塗布される。すすぎ流体の制御速度は、すすぎ流体による影響を受けたときの洗浄材料を弾性的に振る舞わせるように設定され、そうして、基板の表面からの汚染物質の除去を向上させる。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液/気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい1または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目(すなわちポリマ網目)を形成しうる。長いポリマ鎖および/またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 (もっと読む)


【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ILDに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】(a)アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である、少なくとも1種の「黄変」または「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、(b)少なくとも1種の遊離アミン、および、(c)少なくとも1種の有機溶媒または少なくとも1種の有機溶媒および水を含有する、フッ化物不含の有機溶媒をベースとする洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、(d)pH7以上、好ましくはpH約9.5ないし約10.8の最終生成物を産生するのに十分な量の、少なくとも1種の金属イオン不含塩基、および、(e)多価アルコール、(f)金属キレート化剤および(g)界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物がたとえ複雑形状を有する場合であっても、被洗浄物表面上の汚染物質を十分に除去できる洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水にオゾンを溶解させたオゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得るための紫外線照射処理槽6、紫外線照射処理槽6内で得られた洗浄液を供給する管路15および洗浄液を被洗浄物に接触させるための手段7を備え、オゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得た直後に、当該洗浄液を被洗浄物に接触させる。 (もっと読む)


【課題】Cu膜の露出表面から自然酸化膜を除去する基板処理を、低温で、かつ高いスループットで実行する。
【解決手段】基板処理方法は、Cu膜を担持した被処理基板を、所定温度を維持するように制御された基板保持台上に載置し、前記被処理基板の温度を昇温させる工程と、前記被処理基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Cu膜表面の酸化物を除去する工程と、前記被処理基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、を含み、前記処理ガスを供給する工程は、前記被処理基板の温度が昇温している間に開始されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式(A)又は(B)で表される化合物。
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【課題】可燃性有機溶剤を基板に供給して所定の表面処理を施す基板処理装置および方法において、X線照射を用いた除電を効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置が行う一連の処理のうち可燃性雰囲気が形成される処理はIPA液を用いた置換処理に限定されることから、X線照射を用いた除電処理を置換処理に限定して用いる。すなわち、X線照射の開始および停止をIPA液(可燃性有機溶剤)の供給タイミングに対応して設定している。したがって、X線照射が必要最小限に止められ、X線照射を用いた除電を効率的に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】金属(特にアルミニウムおよびモリブデン)の腐食を抑えつつ、優れた洗浄性を有するポリイミド用剥離剤を提供する。
【解決の手段】水、アルカリ剤[B]、多価アルコールを除く水溶性有機溶剤[C]、多価アルコール[D]、下記一般式(1)で表わされるシラン系化合物[A]を含有し、前記[C]成分の含有量が30〜95重量%であるポリイミド用剥離剤。
[(XN−(CH−)NH2−m−(CH−]Si(OR)4−n (1)
[但し、式中k、lは1〜4の整数、mは0〜2の整数、nは1〜3の整数を表す。Rは水素又は炭素数1〜4のアルキル基、Xは水素又は炭素1〜4のアルキル基である。] (もっと読む)


【課題】液体を密閉することなく液体からの気体の気散を抑制することが可能な被処理物の処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】第2図のように被処理物9を貯留部1内の液体8に浸漬した後、弁3a、弁5aを開とし、弁6a、弁4aを閉とする。これにより、液体供給配管3から貯留部1に供給された液体7は、貯留部1の開放部1aから溢出して副貯留部2内に貯留され、第3図のように液面が配管5の接続高さまで上昇する。その後、第4図の通り、弁3a、弁6a、弁4aを開とする。これにより、副貯留部2内の液体7は、液体排出配管6から排出され、該副貯留部2内の液位が徐々に下降し、該開放部1aの上方に存在していたボール7は、やがて該貯留部1内に挿入される。この過程において、貯留部1及び副貯留部2の液面にボール7が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 (もっと読む)


【課題】塗布膜に対する洗浄液の浸透を抑制し、それにより有効領域における塗布膜の隆起や傾斜を抑制することができる洗浄液供給装置、端縁洗浄装置、端縁洗浄液、および端縁洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の端縁からレジスト膜を除去するための洗浄液として、有機溶剤と純水との混合液を使用する。これにより、有機溶剤を単独で使用した場合と比べてレジスト膜に対する洗浄液の浸透が抑制される。したがって、基板の端縁に向けて吐出された洗浄液が有効領域のレジスト膜中に浸透することが抑制され、その結果、有効領域におけるレジスト膜の隆起や傾斜が抑制される。洗浄液中の純水の比率は、1.0重量%以上かつ5.0重量%未満とすればよく、3.0重量%以上かつ4.0重量%未満とすればより望ましい。 (もっと読む)


レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および/または金属酸化物を基板から除去するための組成物であって、組成物は金属イオンを含まないフッ化物化合物および水を含む組成物が提供される。レジスト、エッチング残留物、平滑化残留物、金属フッ化物および/または金属酸化物は、金属ハードマスクが使用される1つまたは複数のパターニングプロセス中に発生する。
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【課題】純水の除去率を向上させることにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】制御部97は、基板Wを純水で洗浄する純水洗浄処理を行わせ、IPAを注入して純水をIPAで置換する置換処理を行わせる。その後、油水分離フィルタ51によって処理液中の純水を除去する分離除去処理を行わせ、ミキシングバルブ33から供給配管11にHFEを注入して置換促進処理を行わせ、ミキシングバルブ33から供給配管11に少量のIPAを注入して仕上げ処理を行わせた後、リフタ7を上方位置に移動させる。仕上げ処理では、基板Wの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のIPAで引き出すことができるので、基板Wの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。その結果、基板Wに形成されている微細パターンの倒壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第1、第2鍔辺部8A、8Bと該第1、第2鍔辺部の一端を連結する奥壁部8Cと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第1、第2供給口13A、14Aと減圧吸引手段に連結された吸引口11Aとを備え、第1供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第2供給口は第1、第2鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口9A近傍に設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速30〜1000m/secの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハWを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハWの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド7とを備えており、処理ヘッド7は、一対の第1、第2鍔辺部8A、8Bと第1、第2鍔辺部8A、8Bの一端を連結する連結部8Cとからなり、第1、第2鍔辺部8A、8Bと連結部8Cとで囲まれた部分が溝(S)を形成し、第1、第2鍔辺部8A、8Bの他端間がウェーハWの周縁部の一部が挿入される開口9Aを形成し、さらに、供給口10A及び吸引口11Aを設けて、溝内にウェーハWの周縁部を挿入して処理する基板処理装置1において、処理ヘッド7は、処理液供給装置15Aに連結した供給口10AをウェーハWの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置15Bに連結した吸引口11AをウェーハWの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が0.01〜20重量%の範囲、アルカリ土類金属塩が0.001〜5重量%の範囲、ポリアクリル酸類が0.001〜5重量%の範囲、水が50〜99.99重量%の範囲、水溶性有機溶媒が50重量%以下の範囲であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部72は、処理ユニット4〜7の薬液バルブ33の開時間を取得し、その薬液バルブ33に関する累積開時間を算出するとともに、4つの処理ユニット4〜7の4つの薬液バルブ33の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ33の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット3は予め定める量の第1成分、第2成分および第3成分を、それぞれ、薬液タンク40に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】被処理物を液から抜き出すときに、処理装置の外側の雰囲気に気体が気散することを抑制することが可能な被処理物の浸漬型処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】送風機5から送風されたエアは、第1,第2のガス吹出ノズル4a,5aに送風される。第1のガス吹出ノズル4aから開放部1aに吹き出したエアは、第1のガス吸込ノズル4bから吸入され、第2のガス吹出ノズル5aから吹き出したエアは、第2のガス吸込ノズル5bで吸入され、開放部1aに2組のエアカーテンが形成される。被処理物32を開放部1aから槽体1外に抜き出すときに、第2のガス吹出ノズル5a及び第1のガス吹出ノズル4aから吹き下ろされるエアによって、被処理物32の表面の全面に残留する液31が十分に吹き飛ばされる。 (もっと読む)


【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層が浸食されることなく、窒化チタン被膜が剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】過酸化水素、フッ酸、水溶性有機溶剤、及び防食剤を含有し、前記防食剤が環内に窒素原子を2個有する含窒素5員環化合物である、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、環内に窒素原子を2個有する含窒素化合物を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 (もっと読む)


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