【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に滞留した洗浄液を一定方向に流し去ることにより液切り効果を向上させることが可能となる洗浄基板の液切り装置を提供する。
【解決手段】基板３０上に滞留する洗浄液９０を排除する液切りローラー２０は、基板３０を搬送する搬送ローラー４０により洗浄工程を経て搬入されてきた基板３０を、接触して上下から挟み込んで配備され、且つ、基板３０上に滞留する洗浄液９０が一方向に流出するよう、基板３０の進行方向に対し直角を除く任意の角度で設置される。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光の発光効率を向上させ、処理能力の高いエキシマランプ装置を提供すること。
【解決手段】エキシマランプ２０と、ガス噴出口１２ａを有するガス供給管１２Ａと、搬送機構３８とを備え、被処理体Ｗに対してエキシマ光を照射するエキシマランプ装置１０において、前記ガス供給管１２Ａが互いに離間して複数設けられ、隣り合うガス供給管同士は、一方のガス供給管１２Ａに設けられたガス噴出口１２ａと、他方のガス供給管１２Ｂに設けられたガス噴出口１２ｂとが一対の関係となるガス噴出口を少なくとも一対備え、該一対のガス噴出口は、一方のガス噴出口１２ａの噴出方向と他方のガス噴出口１２ｂの噴出方向とが該隣り合うガス供給管に挟まれた空間Ａ内で対向、または交差するように形成され、前記エキシマランプ２０は、該隣り合うガス供給管に挟まれた空間Ａよりも鉛直下方に配置されていることを特徴とするエキシマランプ装置。 （もっと読む）

【課題】液体流路の形状を適切なものにすることによって、噴射口からの洗浄液の噴射速度を高め、洗浄性能を向上させる。
【解決手段】ほぼ円筒状のノズルケース１２内に、セラミック製のノズルチップ１３を嵌合固定して洗浄用ノズル１１を構成する。ノズルチップ１３の中心に軸方向に延びて、先端側のストレート部１４ａと、基端側の縮径部１４ｂとからなる液体流路１４を設ける。ノズルチップ１３の先端部にＶ溝１６を形成し、その中央部に洗浄液を噴射する噴射口１７を開口させる。ストレート部１４ａの直径寸法Ｄ１と、ストレート部１４ａの軸方向の長さ寸法Ｌ１との比（Ｌ１／Ｄ１）を、７．８以上、１５以下の範囲内とする。縮径部１４ｂの軸方向に沿う断面形状を、緩やかなＲ形状とする。Ｖ溝１６の切込み角度θを、４０°以上、６５°以下の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１に、被処理物Ｓを載置する載置部３と、ガスを供給するためのガス供給部２とを備えたプラズマ処理装置において、載置部３は、被処理物Ｓの外周側に配置されたマスクリング３３を有し、ガス供給部２は、被処理物Ｓの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部２２ａ、中間開口部２２ｂと、マスクリング３３の上部若しくは外側に位置し、マスクリング３３に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部２２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、噴霧ノズル（４８，４９）から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部（２１）より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部（２３）とを設けることにした。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、半導体基板のおもて面側へのエッチング液の巻き込みを抑制する手段を提供する。
【解決手段】 半導体基板を、噴出口から半導体基板の半径方向外側に向けて噴出させた噴出ガスにより非接触で保持する回転基台と、回転基台に設けられ、半導体基板の外周面に接触する複数の位置決めピンとを備えた半導体装置の製造装置において、位置決めピンの外周面に、噴出ガスの流れを半径方向外側に案内する案内溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄液を、第２処理槽内に滞留させることなく効率よく排出及び濾過することができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物Ａの浸漬洗浄処理が完了した際に、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを、そのフッ素系溶剤Ｃの自重を利用して第２処理槽２Ｂの底部に接続された排出路２ｆから下方へ排出して貯液槽７へ供給する。第２処理槽２Ｂと貯液槽７との間に重力に沿ったフッ素系溶剤Ｃの流れを作ることができるので、フッ素系溶剤Ｃの全体を、第２処理槽２Ｂ内の角隅部等に滞留させることなく貯液槽７へ供給することができる。これにより、フッ素系溶剤Ｃの全体を排出及び濾過する際に要する時間が短縮され、作業の能率アップ及びレベルの高い濾過が行える。 （もっと読む）

【課題】アッシング及びクリーニング時における処理スピードと処理均一性を向上させるバレル型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器の内部に反応ガス導入管を１本以上取り付ける。そしてガス導入管のガス噴出口は１個以上設けそれぞれ中空型孔加工とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のメンテナンス作業などで用いる足場の下方空間を有効に利用できるようにする。
【解決手段】複数の処理室１１０を備えた基板処理装置１００を支持するために床面上に配置される支持フレーム１４０に，床面から所定の高さの部位に処理室の周囲から外側に張り出すように足場１６０を直接設けた。足場は，支持フレームの外側に取り付けられた複数の支持ブラケット１６２と，支持ブラケットに水平に支持された足場板１６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】この発明は回転テーブルを高速回転させて基板を処理するとき、基板が回転テーブルの係合ピンから外れないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理する処理装置であって、回転テーブル１１と、回転テーブルを回転駆動するモータ８と、回転テーブルの上面に設けられた基板の下面を支持する支持ピン１９及び基板の外面に係合する係合ピン２０と、回転テーブルの下面に径方向に沿って位置決め可能に設けられ回転テーブルの回転速度が増大するにつれて径方向の外方に位置決めされて係合ピンの遠心力によって生じる回転テーブルの周辺部を下方へ撓ませる力を打ち消す力を発生するバランスウエイト２４を具備する。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減でき、洗浄後のシリコンウェーハが汚染や変質を受けにくい、洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽と、該洗浄槽内に少なくとも２本のスクリューコンベアが回転自在に装着されており、被洗浄シリコンウェーハは、スクリューコンベアに形成された螺旋状の溝にスクリューコンベアの本数に相当する個所で接触し、垂直状態に保持された状態で連続的に一端部から他端部に向けてスクリューコンベアの回転にともなって搬送されるシリコンウェーハ洗浄装置。螺旋状の溝は、軸に対する垂直断面が２段Ｖ字型の形状を有し、螺旋状の溝の少なくとも表面は、樹脂を主成分とする材料からなる。この装置を用いる洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができ、処理時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、互いに硬さの異なる第１ブラシ１７および第２ブラシ１８を備えている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部に第１および第２ブラシ１７，１８を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。硬質の第１ブラシ１７は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を比較的短時間で良好に剥離させて除去することができる。また、軟質の第２ブラシ１８は、弾性変形することによりウエハＷの周縁部に密着され、第１ブラシ１７によって除去できない細かな汚染物質を良好に除去することできる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャックと、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１８と、このブラシ１８を回転させるブラシ自転機構とを備えている。ブラシ１８は、ブラシ自転機構により回転させられながらウエハＷの周縁部に当接される。ウエハＷは、回転中のブラシ１８が当接された状態で、その回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、ウエハＷの周縁部に付着している汚染物質に互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】混合されることで発熱反応を呈する複数種の処理液を十分に混合し、その結果得られた高温の混合処理液を基板に供給すること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０４は、横断面が円状の円筒状内壁面２９を有する混合室２１と、混合室２１に硫酸を導入する硫酸導入経路１２２と、混合室２１に過酸化水素水を導入する過酸化水素水導入経路１２３と、混合室２１で生成されたＳＰＭを吐出する吐出口２４とを備えている。硫酸導入経路１２２および過酸化水素水導入経路１２３は、それぞれ、円筒状内壁面２９の周方向に沿って当該円筒状内壁面２９に接続されている。混合室２１の内部に導入された硫酸および過酸化水素水は、円筒状内壁面２９に沿って流れ、円筒状内壁面２９の周方向に回転する渦流となって流下していく。 （もっと読む）

【課題】ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。
【解決手段】ジクロロエチレンを収容する容器部１０と、ジクロロエチレンと酸素とを反応させて又はジクロロエチレンを熱分解させてクリーニングガスを調製するジクロロエチレン反応部２０と、該容器部１０中のキャリアガスのバブリングが生ずるように連結されたキャリアガス導入路３０と、該容器部１０から混合ガスを該ジクロロエチレン反応部２０に供給するための混合ガス供給路４０と、該ジクロロエチレン反応部２０に酸素を供給するための酸素供給路５０と、該ジクロロエチレン反応部２０から処理管にクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給路６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を開示する。
【解決手段】本発明による枚葉式基板洗浄設備は、工程チャンバ内に基板の裏面を洗浄するための基板反転装置が設けられることを特徴とする。従って、基板の裏面を洗浄するための設備を簡素化して費用を節減し、工程ステップを簡素化することができ、パーティクルによる基板の汚染を最小化できる枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の粒径の微粒子を所望の速度にて基板に向けて噴射する。
【解決手段】基板処理装置では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂから衝突位置Ｐ１に向けて純水の１次微粒子を噴射することにより、１次微粒子よりも粒径が小さい２次微粒子がカバー部４２の内部空間４２１内に生成され、気体送出部４３から衝突位置Ｐ１に向けて窒素ガスが送出されることにより、２次微粒子が基板９に噴射される。ノズルユニット４では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂに供給される純水および窒素ガスの流量を調整することにより、各ノズル部から所望の粒径の１次微粒子が噴射されるとともに、各ノズル部からの１次微粒子の衝突により所望の粒径の２次微粒子が生成される。そして、気体送出部４３から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の２次微粒子を所望の速度にて基板９上の所望の範囲に向けて噴射することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属膜の破損を効果的に抑制することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板１００の表面に、非導電性液体である洗浄液５０を供給して洗浄する際に、基板１００の裏面を帯電させて基板１００の両面が略等電位となるようにする。 （もっと読む）