【課題】複数のスイッチング素子を含む電力変換器において、動作モードに応じてスイッチング速度を制御することによって、サージ電圧抑制およびスイッチング損失低減の両立を図る。
【解決手段】電力変換器５０は、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４を独立にオンオフ制御して、直流電源１０，２０および負荷３０の間で電力変換を実行する第１の動作モードと、スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４のうちの２個ずつを共通にオンオフ制御して、直流電源１０または２０と負荷３０の間で電力変換を実行する第２の動作モードとを有する。スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ４の各々のターンオンおよびターンオフ時におけるスイッチング速度は、動作モードに応じて制御される。具体的には、第２の動作モードにおけるスイッチング速度は、第１の動作モードにおけるスイッチング速度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置における負荷電流のゼロ交差検出を提供する。
【解決手段】 ゲート電極と、エミッタとコレクタ電極との間の負荷電流経路と、を有する逆導通トランジスタを含む回路装置が開示される。トランジスタは、負荷電流経路を介し順方向と逆方向に負荷電流を導通できるようにするとともにゲート電極においてそれぞれの信号により活性化または非活性化されるように構成される。回路装置はさらにゲート制御手段と監視手段を含む。ゲート制御手段はゲート電極に接続されるとともに、トランジスタが逆導通状態である場合にゲート電極を介しトランジスタを非活性化するまたはトランジスタの活性化を防止するように構成される。監視手段は、トランジスタが非活性化されるまたは非活性化がゲート制御手段により防止されている間に負荷電流がゼロを交差するときに発生する逆導通トランジスタのコレクタ−エミッタ電圧の突然の上昇を検出するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源Ｅ１と、正極が接地された負電源Ｅ２と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路１１と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタＱ１とトランジスタＱ２との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びＱ１とＱ２との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子ＧａＮＦＥＴと、制御信号のオフ時にＱ１を所定時間だけオンさせＱ１を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路１３と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタＱ３とトランジスタＱ４との直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと，両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって，前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第１のゲートドライバと，前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第２のゲートドライバとを有し，前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第１の状態から，前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第２の状態に遷移する遷移期間で，前記第１のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第１の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を抑制した過電圧抑制ゲート制御を確実、容易にし、さらにスイッチング素子を複数直列接続した半導体スイッチ回路における発振防止と分担電圧のバランス制御を確実、容易にする。
【解決手段】ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。
ゲート抵抗Ａの抵抗値に対してゲート抵抗Ｂの抵抗値を小さくする。電圧補償ゲート電流を注入した後にこのゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分をＩＧＢＴ１からゲート電流として引き抜く。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】 ゲートドライブ回路のゲート指令部とゲート電源部内の高圧側と低圧側の絶縁を可能とし、さらにゲートドライブ回路の小型化を図ることができる鉄道車両用ゲートドライブ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の鉄道車両用ゲートドライブ回路は、架線と接続されるトランス１０３と、トランス１０３の架線側に接続され、鉄道車両の電力変換器のスイッチング素子を駆動する２つのスイッチ１０２ａ、１０２ｂと、トランスの架線とは反対側で接続する整流回路１０４を介してゲート電源を供給し、トランスの架線とは反対側で接続する信号検出回路１０６を介してゲート指令を出力する鉄道車両用ゲートドライブ回路を有している。 （もっと読む）

【課題】スイッチング過渡時のスイッチング損失と偏りを低減でき、オン・オフ定常時の電圧アンバランス抑制を容易にし、電圧バランス制御の応答性に優れ、多数のスイッチング素子の直列接続回路に対応できる。
【解決手段】抵抗分圧回路ＲＤ１、ＲＤ２は、各スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２のエミッタ−コレクタ間に、それぞれ同等抵抗値で同等分圧比の分圧抵抗を並列接続し、スイッチング素子の直列接続点を中点Ｎとしてスイッチング素子のエミッタ−コレクタ間電圧に比例した電圧を負担電圧としてそれぞれ検出する。電圧バランス制御回路（ＶＤ１，ＶＤ２，ＤＡＭＰ，ＶＡＣ）は、各検出電圧の電圧偏差がゼロ（零）になるよう、スレーブ側のスイッチング素子Ｓ１のゲート電流を補正して各スイッチング素子の負担電圧をバランスさせる。 （もっと読む）

【課題】本発明は素子のスイッチング特性を改善したゲート駆動回路に係り、素子のスイッチング特性を任意に決定でき、十分な短絡耐量と、定常損失の抑制ができるゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】パワースイッチング素子のゲートのオン動作を行うオン動作回路を備える。該オン動作回路は、該ゲートへの入力を第一所定値以下に保つ上限リミット部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いてハーフブリッジ回路を構成し、ドライバ回路もしくはインバータ回路として使用する場合のアーム短絡を防止し、安全な回路を提供する。
【解決手段】
入出力端子対の一端が高圧側の第１の電源電圧Ｖ１に接続する第１のスイッチング素子１４と第２のスイッチング素子１５とが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、第２のスイッチング素子１５と低圧側の第２の電源電圧Ｖ２の間にノーマリーオフ型の第３のスイッチング素子１６を挿入したドライバ回路であり、第３のスイッチング素子１６は、制御回路用電源１３ａ，１３ｂにより供給される動作電圧ＶＨ又はＶＬが制御回路１１の動作に不十分な場合にオフされる。 （もっと読む）

【課題】一方の駆動回路から他方の駆動回路に駆動用信号が回り込むのを防止して、通常時および放電時の双方で確実にスイッチング素子の駆動制御を行える電力変換装置を提供することである。
【解決手段】電力変換装置において、コンデンサＣａと、スイッチング素子Ｑａと、通常時駆動回路１と、通常時駆動用電源４とを備え、コンデンサＣａに蓄積された電荷を放電する際にスイッチング素子Ｑａを駆動する放電時駆動回路２と、放電時駆動回路２を作動させる放電時駆動用電源５と、通常時駆動用電源４とスイッチング素子Ｑａとの間および放電時駆動用電源５とスイッチング素子Ｑａとの間の双方に介在され通常時駆動回路１および放電時駆動回路２のうち一方の駆動回路から他方の駆動回路に向かって回り込もうとする駆動用信号を阻止する回り込み防止手段３とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を小型化でき、スイッチング素子の配置や作動への影響を抑制できる電力変換装置を提供することである。
【解決手段】コンデンサと、複数のスイッチング素子と、複数の通常時駆動回路と、通常時駆動用電源とを備える電力変換装置において、コンデンサに蓄積された電荷を放電する際にスイッチング素子を駆動する一以上の放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂと、放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂの作動に必要な電力を出力する放電時駆動用電源５０と、スイッチング素子に接続するための複数の接続部Ｊ２，Ｊ５を配置する基板１００とを有し、一以上の放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂが複数の接続部の中から選択される接続部Ｊ２，Ｊ５を含む特定領域に配置され、特定領域の近傍に放電時駆動用電源５０が配置される。放電時駆動回路Ｍ２ｂ，Ｍ５ｂと放電時駆動用電源５０の接続に必要な配線距離が短くなるので小型化できる。 （もっと読む）

【課題】ＢＪＴ型ＳｉＣ半導体デバイスを駆動させるベース電流制御型駆動回路において、スイッチング速度を高め、エネルギー損失の少ない電流制御型駆動回路を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ−ＢＪＴ２００を２０ｋＨｚ以上の周波数でスイッチング動作させるにあたり、ＳｉＣ−ＢＪＴの起動時にベース電流を供給するための第１駆動電圧２１を印加させる第１制御回路２０と、ＳｉＣ−ＢＪＴを駆動し続けるために必要なベース電流を保持するための第２駆動電圧３１を印加させる第２制御回路３０と、ＳｉＣ−ＢＪＴの停止時にベース電流を取り除くための第３駆動電圧４１を印加させる第３制御回路４０とを備える電流制御型駆動回路１００であって、第３駆動電圧は前記第１駆動電圧に対して逆極性であり、第１駆動電圧の値は第２駆動電圧の値より大きく設定されるとともに、第１駆動電圧の印加時間は１μ秒以内に設定される。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体素子を不必要にターンオフさせないようにし、損失を増加させないようにする。
【解決手段】IGBT４等のゲート駆動回路で、コレクタ・ゲート間にツェナーダイオード17を接続したものにおいて、IGBT４のチップ温度Tjをダイオード８を介して検出し、温度検出値Tjが設定値以下の時のみスイッチ素子９をオンしてツェナーダイオード17を動作させ、サージ電圧を低減させるためのクランプ動作を行なうが、温度検出値Tjが設定値以上の時はスイッチ素子９をオフとして、クランプ動作をさせないようにする。 （もっと読む）

【課題】電力変換器の始動時または電力変換器の故障時にノーマリオン型トランジスタを使用する整流器が変換器の入力およびバスキャパシタを短絡させることができない。
【解決手段】直列に接続される２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）が設けられる少なくとも１つのスイッチレッグを備える整流器を備えた電力変換器に関する。トランジスタは、ノーマリオン電界効果型、例えばＪＦＥＴであり、それぞれがゲート制御装置（ＣＴ１，ＣＴ２）によって制御される。各ゲート制御装置は、特に、制御トランジスタのゲートＧに接続される出力と、制御装置の出力と変換器の入力ｉｎ１との間に接続される電圧整流素子と、トランジスタのソースＳと、制御装置の出力と電圧整流素子との間に位置する点との間に接続されるキャパシタＣ１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電圧の逆バイアス電源を持たず、ゲート電流を増幅するバッファトランジスタを持ち、およびターンオン・ターンオフ時のゲート抵抗を切り替える電圧駆動型のゲート端子を持つスイッチ素子のゲート駆動装置において、スイッチングに伴う電圧変化による誤点呼を防止できるようにする。
【解決手段】 ゲート駆動装置において、ゲート電流を増幅するＮＰＮおよびＰＮＰトランジスタと、各々のベース−エミッタ間の保護ダイオードおよび各々のベース抵抗とスイッチ素子のターンオン用ゲート抵抗、およびターンオフ用ゲート抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路を構成する半導体素子の電圧、電流の利用率を向上させ、装置の小型、低価格化を図る。
【解決手段】電力変換回路を構成する半導体素子１ａをオン・オフ制御するとともに、これに過電圧が印加されたときは定電圧ダイオード４ａを用いて過電圧保護を行なうゲート駆動回路において、定電圧ダイオード４ａの定電圧レベルを電力変換回路を構成する直流コンデンサの直流電圧よりも低く設定するとともに、この定電圧ダイオード４ａと直列に定電圧ダイオード４ｂと電流制限コンデンサ１３との並列回路を接続し、半導体素子１ａの過電圧保護を可能にする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、スイッチング素子の駆動回路及び電力変換装置の発熱抑制及びスイッチング時の信頼性の両立を実現することである。
【解決手段】
電圧駆動型のスイッチング素子用駆動装置であって、前記スイッチング素子のゲート電極に電気的に接続され、かつ該ゲート電極にゲート電圧を印加するための駆動回路部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧を検出する電圧検出部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧の変化率を検出する電圧変化率検出部と、前記電圧検出部の検出結果及び前記電圧変化率検出部による検出結果に基づいて、前記駆動回路部を制御し、前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を変化させるように前記駆動回路部を制御する制御回路部と、を備えるスイッチング素子用駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴモジュールを並列接続する場合、特性や構造的なばらつきにより、ＩＧＢＴチップに温度ばらつきが生じ、絶対最高温度に抑えると装置が大型で、コストアップとなる。
【解決手段】温度検出用センサーを埋め込んだモジュール各々に温度検出器を設け、これらの温度差の大小をコンパレータ１９で求めて、温度の高いモジュールのターンオンタイミングを抵抗２５ａとコンデンサ２２ａの積分回路で遅延させることにより、温度を下げる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の入力容量を高速に充放電させ、スイッチング速度の増加、スイッチング損失の低減を可能にしたゲート駆動回路の制御方法を提供する。
【解決手段】直流電源１１，１２に接続された複数のスイッチ４〜６を備え、これらのスイッチ４〜６のオン・オフによりＮ（Ｎは３以上の整数）個のレベルの電圧を出力して半導体スイッチング素子１のゲートに供給するゲート駆動回路の制御方法において、スイッチング素子１をオンさせる時に、出力電圧のレベルを第１の電圧レベルからそれより高い第２の電圧レベルに変化させ、その後、出力電圧のレベルを第１のレベルと第２の電圧レベルとの間の第３の電圧レベルに変化させるように前記スイッチ４〜６をオン・オフさせる。 （もっと読む）