【課題】安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタを複数用いて、パルス信号出力回路を構成する。また、パルス信号出力回路の動作に応じて、酸化物半導体を用いたトランジスタのしきい値電圧を変動させる。また、該パルス信号出力回路を含むシフトレジスタを構成する。これにより、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップダイオード（ＢＳＤ）を用いない新たな方式のブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】ブートストラップ部用電源供給部１０は、抵抗Ｒ１からなる回路である。抵抗Ｒ１の一方の端子は、Ｐ母線と接続している。抵抗Ｒ１の他方の端子は、コンデンサＣ１およびツェナーダイオードＤ１の並列回路の一端と接続している。コンデンサＣ１は、充電された電圧をスイッチング素子駆動用回路（ＨＶＩＣ４）に印加する。抵抗Ｒ１は、メイン電源母線に一方の端子が接続し、他方の端子がコンデンサＣ１と接続して、メイン電源母線の電圧をコンデンサＣ１に印加する。抵抗Ｒ１によって、メイン電源側からブートストラップ回路のコンデンサＣ１を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】光信号を送信するための発光素子の駆動に寄与しない無効電流を低減することが可能な駆動回路および宅側装置を提供する。
【解決手段】駆動回路５２は、光信号を送信するための発光素子ＬＤを含む発光回路７５における発光素子ＬＤにバイアス電流を供給するためのバイアス電流供給回路６８と、送信すべきデータの論理値に応じた大きさの変調電流を発光素子ＬＤに供給するための変調電流供給回路６３とを備える。変調電流供給回路６３は、データの論理値に応じて、発光素子ＬＤに電流を供給するか否かを切り替えるための差動駆動回路４１と、差動駆動回路４１の差動出力間に接続された終端抵抗とを含む。差動駆動回路４１および発光回路７５は直流結合されており、差動駆動回路４１が発光素子ＬＤに供給する上記電流の電源は発光回路７５から供給される。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を加熱および冷却を切替えて使用する。
【解決手段】一端が負荷と接続され、他端が負荷を駆動する駆動用電源と接続され、少なくとも、入力端子に入力される第１の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第１のスイッチング素子と、一端が負荷および第１のスイッチング素子の一端と接続され、他端が基準電位と接続され、第２の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第２のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子がオフ状態である場合に、第１のスイッチング素子の入力端子に電圧を供給する電圧供給部と、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のそれぞれに供給し、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子とを交互にオン・オフ動作させる制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁素子を介した信号伝達に誤動作を生じさせ得る異常を検出して制御対象に停止信号をすることが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、外部から供給される送信データＶＩＮに応じた送信信号を生成し出力する送信回路Ｔｘ１と、受信信号に基づいて送信データＶＩＮを再生する受信回路Ｒｘ１と、送信回路Ｔｘ１と受信回路Ｒｘ１とを絶縁するとともに、送信信号を受信信号として伝達する絶縁素子ＩＳＯ１と、絶縁素子ＩＳＯ１を介した信号伝達に誤動作を生じさせ得る異常を検出する異常検出部ＤＴ１と、異常検出部ＤＴ１により異常が検出された場合には、外部から送信回路Ｔｘ１に供給される送信データＶＩＮに関わらず停止信号を出力する制御部ＣＴ１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】飛び込みの影響を軽減できるブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】同一導電型の第１乃至第４ＴＲから構成され、第１ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は第２ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、他方のＳ／Ｄ領域には、２相のクロックのうち一方のクロックが印加され、ゲート電極は、第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、第２ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域は電圧供給線に接続され、第３ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域には入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加され、第１ＴＲのゲート電極と第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域とは、第３ＴＲがオフ状態になると浮遊状態となるノード部を構成し、第４ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は、反転回路の入力側に接続されると共に、該反転回路の出力側と第２ＴＲのゲート電極とが接続されており、他方のＳ／Ｄ領域は入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加される。 （もっと読む）

【課題】所定のスイッチング動作を実行しつつ、破壊耐性を向上することが可能なハイサイドスイッチ回路を提供する。
【解決手段】電源電圧をスイッチングして出力するハイサイドスイッチ回路１００は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子１に一端が接続された第１の出力ＭＯＳトランジスタＭ１、第１の出力ＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され電圧出力端子２に他端が接続された第２の出力ＭＯＳトランジスタＭ２、第１の出力ＭＯＳトランジスタに流れる電流の検出信号を出力する電流検出回路６、第１の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第１の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第１の制御電圧を印加する第１のゲートドライバ４、第２の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第２の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第２の制御電圧を印加する第２のゲートドライバ５を備える。 （もっと読む）

【課題】負荷電流検出手段により検出された負荷電流を用いてリーク故障を確実に検出する。
【解決手段】駆動回路３３ａ、３３ｂの出力端子Ｔａ２、Ｔｂ２から電源線６に至る還流経路内にシャント抵抗９ａ、９ｂを接続し、電源線５と給電分岐点Ｎｓとの間に共通のシャント抵抗２４を接続する。駆動制御回路３２は、ＭＯＳＦＥＴ７ａ、７ｂをＰＷＭ駆動し、負荷電流検出回路１２ａ、１２ｂから負荷電流Ｉａ、Ｉｂを入力し、総電流検出回路２３から総電流Ｉｓを入力する。検出負荷電流Ｉａ、Ｉｂに対しそれぞれ対応するＰＷＭ駆動信号のオフ駆動期間をマスク処理し、マスク処理した検出負荷電流Ｉａｍ、Ｉｂｍを加算した加算電流Ｉｃｍと検出総電流Ｉｓとを比較する。両者が等しい場合には正常状態と判定し、異なる場合にはショート故障またはリーク故障が生じたと判定する。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。 （もっと読む）

【課題】出力信号を高速に変化させかつオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できるようにする。
【解決手段】入力信号を反転して出力する主ドライバ１１に加えて、補助ドライバ１２を設け、入力信号の電圧変化に応じて出力信号が第１の電圧レベルから第２の電圧レベルへ変化するときに、変化開始から主ドライバの出力信号がある電圧レベルを超えるまでの期間では信号変化を補助するように制御部１５により補助ドライバの動作を制御し、主ドライバの出力信号がある電圧レベルを超えてから第２の電圧レベルになるまでの期間に信号変化を抑制するように制御部により補助ドライバの動作を制御するようにして、出力信号における信号変化の高速性を向上させ、かつオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電界効果トランジスタとＮ型電界効果トランジスタとが同時にオン状態になる期間内で発生する短絡電流に起因する消費電力の増大を抑制するともに、パワー素子を高速スイッチングさせることが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】このゲート駆動回路１１は、ＰｃｈＦＥＴ１２と、ＮｃｈＦＥＴ１３と、駆動信号が入力される入力側とＰｃｈＦＥＴ１２のゲート（Ｇ）およびＮｃｈＦＥＴ１３との間に設けられ、電源電位ＶＣＣに接続されているツェナーダイオード１４およびツェナーダイオード１５とを備え、ツェナーダイオード１４および１５は、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）に印加される電圧を、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）の閾値電圧側にシフトさせるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラの一次側に流れる電流を制限するため抵抗を回路基板上に実装することなく、フォトカプラの一次側に流れる電流を制限できるようにする。
【解決手段】制御ＩＣ１１ａ〜１１ｃには、フォトカプラ２１ａ〜２１ｃの一次側に流れる電流を制限する抵抗１７ａ〜１７ｃをそれぞれ内蔵し、トランジスタ１６ａ〜１６ｃがそれぞれ導通した時に流れる電流を抵抗１７ａ〜１７ｃをそれぞれ介して発光素子２２ａ〜２２ｃに導くことにより、フォトカプラ２１ａ〜２１ｃの一次側に流れる電流を制限する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力駆動回路及びトランジスタ出力回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチ１１３のオン動作によって駆動され、出力トランジスタのゲートに高電圧電源を供給する第１のトランジスタ１１１を含む第１の駆動回路部１１０と、第１のスイッチ１１３と相補的に動作する第２のスイッチ１３３のオン動作によって生成されたワンショットパルスによって駆動され、出力トランジスタのゲート−ソースのキャパシタンスを放電させる第２のトランジスタ１３１を含む第２の駆動回路部１３０と、第１の駆動回路部１１０と並列されるように高電圧電源端と出力トランジスタのゲートとの間に配置され、第２のスイッチ１３３のオン動作によって放電した出力トランジスタのゲート電位を保持させる出力駆動電圧クランピング部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧レベルの遷移の方向に応じて、電源線や接地線を通らず寄生インダクタンス成分の影響を受けない電流を加算して信号の電圧レベルの遷移をアシストすることにより、ＳＳＯノイズを抑制することが可能な電子回路および実装基板の制御方法を提供すること。
【解決手段】出力回路１は、出力バッファ４と、出力バッファ４から出力される出力信号が伝搬する出力線と、出力バッファ４に電源を供給する電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬの少なくとも何れか一方と、出力線と電源線ＶｄｅＬあるいは接地線ＶｇＬとにより囲まれる磁心５０と、磁心５０に巻回される制御コイル５１と、出力信号の遷移を前もって検出し検出結果に応じて制御コイル５１への電流供給を制御するコイル電流制御回路３とを備え、出力信号の遷移方向に応じて、制御コイル５１からの電磁誘導により出力線の信号遷移をアシストするアシスト電流を流す。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とし、回路動作の確実性、安定性の向上を図った正負電圧論理出力回路を提供する。
【解決手段】論理入力と負電圧との間に、ゲートに論理入力するエンハンスメント型Ｐ型電界効果トランジスタＥＰＦＥＴ１とブレークダウン保護用素子１３，１４とが直列に接続され、ブレークダウン保護用素子１４に並列に短絡する切替スイッチ８ａが接続される。切替スイッチ８ａをオン、オフ制御することで、ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる動作ウィンドウの拡張を可能とする。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 （もっと読む）

【課題】低振幅の入力信号を高速に高振幅信号に変換するレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２の出力端子の一方を第１電圧レベルに設定する第１のレベルシフト回路１０と、第２の電圧端子と、前記第１及び第２の出力端子との間に接続され、前記第１及び第２の出力端子の他方を第２電圧レベルに設定する第２のレベルシフト回路２０と、第１の制御信号に基づき、第１及び第２の入力信号が第１及び第２の入力端子に入力される時点で前記第２電圧レベルとされる一つの出力端子について、前記一つの出力端子と第２の給電端子間の電流経路を、前記第１及び第２の入力信号が前記第１及び第２の入力端子に入力される時点を含む所定期間、切断し、前記所定期間の後、前記一つの出力端子と前記第２の給電端子間の電流経路の切断を解除する制御を行う手段を備え、前記第１及び第２の出力端子の出力振幅は、前記第１及び第２の入力信号の振幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの誤動作を防ぐ。
【解決手段】直列に接続された２つのパワーデバイスのうち高電位側のパワーデバイスを駆動制御する半導体装置であって、高電位側のパワーデバイスの導通を示す第１状態及び高電位側のパワーデバイスの非導通を示す第２状態を有する入力信号の第１，第２状態へのレベル遷移に対応して、それぞれ第１，第２のパルス信号を発生させるパルス発生回路と、第１，第２のパルス信号を高電位側へレベルシフトして、それぞれ第１，第２のレベルシフト済みパルス信号を得るレベルシフト回路と、第１，第２のレベルシフト済みパルス信号を少なくとも第１，第２のパルス信号のパルス幅分遅延させて、それぞれ第１，第２の遅延済みパルス信号を得る遅延回路と、第１の遅延済みパルス信号をセット入力から入力し、第２の遅延済みパルス信号をリセット入力から入力するＳＲ型フリップフロップとを備える。 （もっと読む）