【課題】負バイアス発生回路中の容量に対する高速な充電手段を提供する。
【解決手段】負バイアス発生回路１中のダウンコンバータ１２内に容量が存在する。高速な充電を行うためにはこの容量を小さくし必要な電荷の量を最小限にする。一方、ダウンコンバータ１２内の容量とは別に外付け容量１７を直接電源電圧に接続して充電する。ダウンコンバータ１２内の容量の充電終了後に、並列に外付け容量１７とダウンコンバータ１２内の容量を接続する。これにより、充電高速化とリップルノイズへの耐性向上を両立することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】単調に減衰するだけの出力電圧特性に比べて、急峻に減衰した後に緩やかに減衰する出力電圧特性が得られる時定数回路等を提供する。
【解決手段】時定数回路１０は、抵抗素子１１１と容量素子１２１との並列回路１３１，…が第一の端子１４と第二の端子１５との間に複数直列に接続されて成る直並列回路１６と、第二の端子１５に接続された第三の端子１７と第四の端子１８との間に接続された分圧用抵抗素子１９と、を備えている。並列回路１３１は抵抗素子１１１と容量素子１２１とから成り、並列回路１３２は抵抗素子１１２と容量素子１２２とから成り、・・・、並列回路１３ｎは抵抗素子１１ｎと容量素子１２ｎとから成る。ｎは、並列回路１３１〜１３ｎの数であり、２以上の整数である。 （もっと読む）

【課題】短時間で出力電圧が昇圧規定電圧に達し、その後は小さいリップル幅を有するチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】チャージポンプ回路１００は、制御部１０と発振回路２０と昇圧部３０とを有する。発振回路２０は、予め定められた周期のパルス信号を出力する。昇圧部３０は、電圧を昇圧する複数個の昇圧回路を備え、制御部１０が出力する昇圧信号に応じて電荷量を出力する。制御部１０におけるコンパレータ回路１３は、昇圧部３０から出力される電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて昇圧信号Ｃｏｎｔ４〜Ｃｏｎｔ１を出力し、昇圧部３０からの供給電荷量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高速動作するコンパレータを必要とせず、所望の電圧値の電圧を精度良く出力することができるチャージポンプを提供する。
【解決手段】 チャージポンプ１は、出力用キャパシタＣ１、Ｃ２、フライングキャパシタＣ３、入力電源ＨＰＶＤＤ、ＳＰＶＤＤとの間に介在するスイッチ回路２０と、制御部１０とを具備する。制御部１０は、スイッチ回路２０を介して入力電源によるフライングキャパシタＣ３の充電とフライングキャパシタＣ３から出力用キャパシタＣ２への電圧の再分配を行わせる。制御部１０は、入力電源ＳＰＶＤＤにフライングキャパシタＣ３の充電を行わせる際、ＰチャネルトランジスタＰ５のコンダクタンスまたは出力電流値を漸次増加させ、フライングキャパシタＣ３の充電電圧ＣＰが予め与えられた基準電圧ＶＬＭＴを越えたのを検出して当該トランジスタをＯＦＦさせる充電制御手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＰＫＧの設計期間を遅延させることなくクロストーク耐性を向上させることが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】複数の信号配線を有するＣｈｉｐ２０において、一の信号配線と前記一の信号配線に隣接する一方の隣接信号配線と前記一の信号配線に隣接する他方の隣接信号配線との間で生じるクロストークの発生量を抑制するための補正係数３１と、前記一の信号配線に送出される一の信号、前記一方の隣接信号配線に送出される一方の隣接信号、および前記他方の隣接信号配線に送出される他方の隣接信号の組み合わせパターンと、に基づいて、前記一の信号のスルーレートの低減度合を示す補正量を演算する補正量演算部４２ａ〜４２ｃと、前記補正量に基づいて、前記一の信号のスルーレートを調整するドライバ４１ａ〜４１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】並列接続された複数の出力アンプ回路において所望の駆動能力を実現することができる駆動装置、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る駆動装置（ソースドライバ１）は、並列接続された複数の出力アンプ回路１０と、複数の出力アンプ回路１０に、バイアス電圧供給源２５からバイアス電圧を供給するバイアス配線（幹バイアス配線２２）と、複数の出力アンプ回路１０に、電源電圧供給源３５から電源電圧を供給する電源配線３１と、複数の出力アンプ回路１０に供給される電源電圧とバイアス電圧との差が所望となるように、バイアス電圧にオフセット電圧を重畳する補正手段（バッファ２６）とを備えた。 （もっと読む）

【課題】超音波診断システム等に用いられる送信ドライバにて、出力トランジスタの製造ばらつきに依存せず、一定の出力波形の傾きを得る半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】出力トランジスタのゲート幅を縮小し模造したレプリカを同一基板上に作成しかつ近接して配置することで両者が同じ製造ばらつきを持つ特徴を利用し、レプリカのオン抵抗が理想値と同じになるゲートソース電圧を、出力トランジスタのゲートソース間に与える電位差にする。 （もっと読む）

【課題】通常動作時におけるスイッチングロスの低減と、過電流保護動作時における出力トランジスタの保護を両立することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】誘導性負荷Ｙ２に流す出力電流ＩＯＵＴをオン／オフする負荷駆動部Ｙ１０と、出力電流ＩＯＵＴが過電流状態であるか否かを検出する過電流保護回路Ｙ２０と、を有して成り、負荷駆動部Ｙ１０は、誘導性負荷Ｙ２の一端に接続される出力トランジスタＹ１１と、入力信号ＳＡに応じて出力トランジスタＹ１１の制御信号ＳＢを生成するプリドライバＹ１２と、を有して成り、プリドライバＹ１２は、通常動作時に出力トランジスタＹ１１をオン／オフする第１駆動部Ｙ１２１と、過電流保護動作時に第１駆動部Ｙ１２１よりも緩やかに出力トランジスタＹ１１をオフする第２駆動部Ｙ１２２と、を有して成る。 （もっと読む）

回路が、電力トランジスタ４８、駆動制御回路１６、可変クランプ回路２４、およびターンオフ制御回路１８を有する。電力トランジスタが、第１電源端子に接続される第１電流電極、回路の出力５０としての第２電流電極、および制御電極を有する。駆動制御回路が、電力トランジスタの制御電極に接続される出力を有して、回路のアクティブモードの間、電力トランジスタを制御する。可変クランプ回路は、回路の出力と第１電源端子との間に接続される。ターンオフ制御回路は、可変クランプ回路に接続され、回路をアクティブモードから非アクティブモードに移行する間、可変クランプ回路のクランプレベルを選択する。
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【課題】スイッチ素子の発熱を抑制して小型化を図りつつ、開閉タイミングを正確に制御して、調光制御等の高度な負荷制御を行うことができる負荷制御装置を提供する
【解決手段】操作部２８に入力された操作に応じて、制御部１３が交流電源の１／２周期のうちトランジスタ構造の主開閉部１１を導通させるために計数される主開閉部導通時間を設定し、電圧検出部１８が第３電源部１６に入力される電圧が所定の閾値に達したときから計数される第１所定時間と、主開閉部導通時間とが重複している時間だけ、主開閉部１１を導通させることにより調光制御する。 （もっと読む）

【課題】負荷への電力投入時における突入電流による素子の破壊又は劣化を防止しうる負荷制御装置を提供する。
【解決手段】操作スイッチ４から起動信号を受信したときに、制御部１３は、第１電源部１４への電力を供給する電源が第２電源部１５から第３電源部１６に切り替わる前に、主開閉部１１に対して主スイッチ素子１１ａを導通させるための初期駆動信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】サンプリングパルスの周波数を高めたりデューティ比を特別に絞り込むことなく実効的にデューティ比の小さいサンプリングパルスを得ることができ、従って、高域までの周波数特性に関する要求水準が緩和されたサンプリングミキサ回路を提供する。
【解決手段】サンプリングに適用する各キャパシタＣ１〜Ｃ４の充電経路となる各電流パス１１３−１，１１３−２，１１３−３，１１３−４を第１スイッチおよび第２スイッチの直列接続回路を含むように構成し、これら各電流パスが所定の各位相差で順次周期的に導通すると共に各電流パス毎の第１および第２スイッチが所定の位相差でオンになる多相のサンプリングパルスを各対応する第１スイッチおよび第２スイッチに供給することによって、各電流パスにおける導通状態の繰り返しに関するデューティ比が上記サンプリングパルスのデューティ比よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中央処理装置の低消費電力モード時に外部から供給されるアナログ信号の正確なＡＤ変換を行うことができる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】割込み信号のエッジ検出を行ってエッジ検出信号を生成するエッジ検出手段１１と、外部から供給されるアナログ信号をエッジ検出信号により保持し、中央処理装置１３からの制御により、保持しているアナログ信号をＡＤ変換して中央処理装置に供給するＡＤ変換手段１２とを有し、割込み信号又はエッジ検出信号によって中央処理装置が低消費電力モードからクロックを高速とする通常モードとなった後にＡＤ変換手段１２に保持しているアナログ信号をＡＤ変換したデジタルデータを中央処理装置１３に取り込む。 （もっと読む）

【課題】動作条件によって腐食および絶縁低下が発生し、消費電流が増加するＬＣＤモジュールを用いた場合、第１および第２設定スイッチに割り当てられている既存のポートを利用して、消費電流の増加異常を診断する電気機器の提供を目的とする。
【解決手段】液晶表示手段１２０と内部データを設定する複数の設定手段５０、６０とを備えた電気機器１００において、液晶表示手段１２０の消費電流の増加を検出し、この検出信号に基づいて複数の設定手段５０、６０の出力信号を変化させる電流検出手段１１０と、電流検出手段１１０によって変化した出力信号に基づいて消費電流の異常を診断する診断手段１３２と、を備えたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力する高圧用のドライブ回路において、待機時の消費電力を削減することができるようにする。
【解決手段】低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１及びａ２〜ｄ２により高圧部２のトランジスタＭＮ１〜ＭＮ８を駆動し、操作対象３に駆動信号を出力する。その際、低圧部１からの制御信号ａ１〜ｄ１をそれぞれ論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の一方の入力端子を介して高圧部２のトランジスタＭＮ１，ＭＮ３，ＭＮ５，ＭＮ７のゲートに入力し、論理積ゲートＱ１〜Ｑ４の他方の入力端子には高圧部２のオン／オフ信号を入力する。 （もっと読む）

ＮチャネルＭＯＳＦＥＴＭＢ）及びＰチャネルＭＯＳＦＥ（ＭＡ）を含む少なくとも１つのスイッチであって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴＭＢ）及びＰチャネルＭＯＳＦＥ（ＭＡ）の各々は、スイッチのオン／オフ状態を変化させるための駆動信号を受けるように構成されたゲートを有する、少なくとも１つのスイッチと、スイッチのオン／オフ状態を変化させるための１対の駆動信号を選択的に加えるように構成され配置された駆動回路（５ＤＣ）であって、（ａ）スイッチのオン／オフ状態を変化させるのに十分な１対のＤＣ信号成分と、（ｂ）１対の時間変動信号成分（Ｖｏｎｎ、Ｖｏｎｐ）との関数として、上記駆動信号を発生させるように構成され配置された駆動回路とを備え、前記１対の時間変動信号成分は、各ＭＯＳＦＥＴのソース端子上に存在する信号の少なくとも部分的な複製としての１対の時間変動信号成分であり、ＤＣ信号とともにｎチャネルＭＯＳＦＥＴ及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートにそれぞれ加えられたときに、上記駆動信号は、スイッチのオン／オフ状態を保持し、各ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース電圧をＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース絶縁破壊限界内に維持するように、適切なレベルになる、時間変動入力信号をスイッチするためのスイッチング回路。
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【課題】誤検出を防止しながら、大電流を流し続けることによる素子の劣化および破損を防止できるスイッチング駆動回路用の短絡保護回路を提供する。
【解決手段】スイッチング駆動回路４の出力側に、短絡状態を検出する短絡検出回路１が接続され、ブランキング回路２により短絡状態がブランキング期間を経過した場合に短絡状態の信号が出力され、その信号に基づいてスイッチング駆動回路４の動作の停止および復帰を制御回路３により制御する。この制御回路３が、停止信号発生回路３１および復帰信号発生回路３２の他に、第１のブランキング期間より短い時間の第２のブランキング期間を設定するブランキング期間の変更回路３３を有しており、さらに、停止および復帰の回数が所定回数（ｎ回）連続して繰り返した場合に、スイッチング駆動回路４の動作を完全に停止させて自動復帰させない非復帰信号発生回路を有している。 （もっと読む）

本発明は、十分に大きい電圧レベルを検出するため、また、十分な出力を供給するためのトリガ回路に関する。更に本発明は、従来の解決手段に比べて、同じ出力電圧で効果的により多くの出力を供給する整流器に関する。トリガ回路及び整流回路は、特に圧電式のマイクロジェネレータを有するエネルギ自立型のマイクロシステムにおいて使用することができる。
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電圧調整器のチャージポンプ回路の各スイッチング素子は、並列に接続される比較的大型のＭＯＳトランジスタと関連付けられた、比較的小型のＭＯＳトランジスタを備える。第１の動作モードにおいて、小型のトランジスタのみがスイッチングされ、一方、第２の動作モードにおいて、大型のトランジスタがスイッチングされる。このようにして、第１の動作モードにおけるスイッチング損失を減少させることができる。
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【課題】マルチバンド又はマルチモードに適した半導体装置、高周波回路を提供する。
【解決手段】半導体基板３０１上に電界効果型トランジスタを形成してなる半導体装置であって、電界効果型トランジスタのソース電極およびドレイン電極としてのオーミック電極５０１ａ、５０１ｂと、前記オーミック電極５０１ａ、５０１ｂに挟まれた位置に設けられた、前記電界効果型トランジスタのゲート電極としてのショットキー電極６０１ａ、６０１ｃと、ショットキー電極６０１ａ、６０１ｃに挟まれた位置に設けられたショットキー電極６０１ｂとを備え、ショットキー電極６０１ｂが接地されている。 （もっと読む）