【課題】スイッチングノイズの少ない電圧出力回路を提供する。
【解決手段】電圧出力回路１０では、出力トランジスタ１１は、入力電圧Ｖｉｎが印加される第１端子１６と負荷ＲＬが接続される第２端子１７の間に接続され、ゲート電極が第１ノードＮ１に接続される。第１プルアップ回路１２は、制御信号ＶｃがＬｏｗのときに、第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。プルダウン回路１３は、制御信号ＶｃがＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き下げる。ゲート電圧監視回路１４は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、差電圧ΔＶ＝Ｖｉｎ−Ｖｎ１が基準電圧Ｖｒｅｆより大きいときに導通して第２ノード電圧Ｖｎ２をＨｉｇｈにする。第２プルアップ回路１５は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、制御信号ＶｃがＬｏｗで且つ第２ノード電圧Ｖｎ２がＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの駆動電力の損失を防ぎ且つスイッチング時間の高速化を図る。
【解決手段】接合型トランジスタ２の駆動に必要な基準駆動能力レベル電圧からなる基準波形Ｓｇ′及び駆動能力のより高い高駆動能力レベル電圧からなる重畳パルスＳｐを生成し、重畳パルスＳｐのパルス幅を、接合型トランジスタ２のスイッチング時間に、若しくはドレイン電位ＶＤの遷移収束タイミングを表す閾値により設定する。基準波形Ｓｇ′と重畳パルスＳｐとを重畳しこれを、接合型トランジスタ２のゲート駆動信号Ｓｇとする。ゲート駆動信号Ｓｇは、接合型トランジスタ２の遷移終了とみなすことの可能なタイミングで基準駆動能力レベル電圧に切り換わることになるため、遷移終了後も高駆動能力レベル電圧で駆動されることにより、接合型トランジスタ２に形成されるダイオードに順方向電流が流れることに伴う電力損失の発生を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチの切替時間を短縮できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、負電圧発生回路に接続されるとともに、出力ノードが高周波スイッチ回路に接続され、高周波スイッチ回路に供給するローレベルの制御信号として負電位の信号を供給するレベルシフト回路を有し、出力ノードに蓄積されている電荷を、レベルシフト回路が動作する前に放電させる。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコストダウンを図ることができるスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチ素子駆動回路１０は、スイッチ素子１のゲート電極１ｇに二次巻線ｎ２が接続されたトランス１１と、トランス１１の一次巻線ｎ１に電流が流れるオン期間と一次巻線ｎ１に電流が流れないオフ期間を交互に設けて、スイッチ素子１をオン／オフさせる制御回路１２を備える。制御回路１２は、オン期間に一次巻線ｎ１に流れる電流に基づいて、スイッチ素子１に接続された負荷状態をモニタし、負荷状態に応じて二次側に供給する出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコストダウンを図ることができ、且つ、スイッチ素子のオン状態が不十分な状態となるのを抑制できるスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチ素子駆動回路１０は、スイッチ素子１のゲートが二次巻線ｎ２の両端間に接続されたトランス１１と、トランス１１の一次巻線ｎ１に電流が流れるオン期間と一次巻線ｎ１に電流が流れないオフ期間を交互に設けて、スイッチ素子１をオン／オフさせる第１制御回路１２と、スイッチ素子１に流れる電流が、二次巻線ｎ２の両端電圧に対応する設定値に等しくなるように、ゲートに印加する印加電圧を制御する第２制御回路１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目標電流値変更後のディザー制御目標電流値の開始位置を揃えることができる誘導負荷駆動制御装置及び誘導性負荷駆動制御方法を提供する。
【解決手段】誘導性負荷１５に流れる電流が目標電流値に近づくようＰＷＭ制御により前記誘導性負荷の駆動制御を行う駆動制御手段１２と、設定電流値に、前記ＰＷＭ制御の周期よりも大きくな周期を有する所定振幅の電流制御量を付加して前記目標電流値を生成する目標値制御手段１１と、前記設定電流値の変化時に前記電流制御量の付加を前記電流制御量の特定の位相状態から開始させる電流制御量付加制御手段３７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】供給電圧に対して負荷電流が直線的に変化しない特性の負荷を駆動する駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）と負荷ＲＬとの接続点と、グランドとの間に電圧重畳回路１４を設ける。そして、電圧Ｖ１が増加してツェナーダイオードＺＤ１の両端電圧がツェナー電圧を超えると、電圧重畳回路１４に電流が流れて抵抗Ｒ１に電圧降下が発生する。そして、この電圧降下分が重畳電圧ＶｇとなってＦＥＴ（Ｔ１）の両端電圧に加算され、加算後の電圧と判定電圧ＶＭとの比較により、過電流が検出される。従って、ＨＩＤランプ等の特殊負荷を駆動する負荷駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】イネーブル信号をＨＩＧＨにしてから急速にスイッチングトランジスタをオンし、かつ突入電流を防止することが可能なスイッチングトランジスタの制御回路を提供すること。
【解決手段】イネーブル信号によりトランジスタＭ２はオフする。トランジスタＭ８はオフし、ノードＣ_Tの電位はグラウンドと等電位になり、反転器の出力ＡＣＴはＨＩＧＨとなり、トランジスタＭ９はオンする。イネーブル信号の反転信号によりトランジスタＭ５はオフし、トランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６のゲート電位はＭ４とＩ_BIASで決まる電位Ｖ_BIASと等電位となってトランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６はオンとなり、並列接続されたトランジスタＭ３、Ｍ６の能力に応じたＩ_GD（大）が流れる。トランジスタＭ１、Ｍ７は、電流Ｉ_GD（大）によって急速にゲート容量へ電荷が蓄えられて急速にオンになり、電流Ｉ_OUT、Ｉ_DETが流れる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】共振を利用し、容量性負荷の両端に逆位相の電圧パルスを印加可能として消費電力を低減する。
【解決手段】外部容量５３と、コイルＬ１〜Ｌ３と、負荷容量５２と外部容量５３とコイルＬ１とを接続して第３電極から外部容量５３に電荷を放電し、外部容量５３への放電完了後に負荷容量５１と負荷容量５２とコイルＬ３とを接続して端子１−Ａから端子２−Ａに電荷を放電し、端子２−Ａへの放電完了後に負荷容量５１と外部容量５３とコイルＬ１とを接続して外部容量５３から端子１−Ｂに電荷を放電することにより、逆位相のパルス電圧を印加するＳＷ駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電圧の低下量が大きくなった場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとドレインとの間にコンデンサＣ１を設けることにより、点Ｐ１の電圧Ｖ１が減少した場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電流がコンデンサＣ１側にバイパスしてＦＥＴ（Ｔ１）に流れ、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに供給される電荷量が低減する。このため、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流の増加を抑制でき、電圧Ｖ１の急激な変動を防止できる。その結果、比較器ＣＭＰ１が作動不能となる程度まで電圧Ｖ１が低下することを防止でき、比較器ＣＭＰ１が誤動作することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策用のコンデンサＣ１を設置した場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】プラス端子Ｐ１１とマイナス端子Ｐ１２より電力が供給されて駆動する制御回路１０により、ＦＥＴ（Ｔ１）のオン、オフを切り替えて、負荷ＲＬの駆動、停止を制御する場合に、マイナス端子Ｐ１２とグランドとを接続するアース線に、抵抗Ｒ５とダイオードＤ１の並列接続回路を設ける。従って、入力スイッチＳＷ１の投入時にプラス端子１１とマイナス端子１２の間に配置されたコンデンサＣ１の放電電流Ｉ２が流れる場合であっても、抵抗Ｒ５の電圧降下ＶＲ５によりマイナス端子Ｐ１２の電圧をグランドレベルよりも相対的に低くすることができ、コンデンサＣ１の両端電圧ＶＣ１を拡大させて、放電電流Ｉ２を抑制し、電圧Ｖ１の低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ対策用のコンデンサＣ１を設置した場合であっても過電流を検出するための回路を正常に作動させることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートとドレインとの間に第２のコンデンサＣ２を設けることにより、点Ｐ１の電圧Ｖ１が減少した場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電流がコンデンサＣ２側にバイパスしてＦＥＴ（Ｔ１）に流れ、ＦＥＴ（Ｔ１）のゲートに供給される電荷量が低減する。このため、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流の増加を抑制でき、電圧Ｖ１の急激な変動を防止できる。その結果、比較器ＣＭＰ１が作動不能となる程度まで電圧Ｖ１が低下することを防止でき、比較器ＣＭＰ１が誤動作することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とする。
【解決手段】負電圧レベルシフト回路４ａは、第３のレベルシフタ１３ａと、第４のレベルシフタ１４ａとを具備すると共に、レベルシフト基準電圧回路３からの切替信号に応じて第４のレベルシフタ１４ａを短絡、開放するレベルシフト切替スイッチ８ａとを具備してなり、負電圧ＶＳＳの大きさに応じて、レベルシフト切替スイッチ８ａのオン、オフを選択することで、負電圧ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドの拡張が可能に構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】時分割統合された信号系列に対して、時分割で兼用する場合であっても、各系統間で信号の混ざりを回避するダイレクトサンプリング回路を提供する。
【解決手段】スイッチトキャパシタフィルタ１６０の前段に系統毎にヒストリキャパシタ１５３，１５５を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ１６０の後段に系統毎にバッファキャパシタ１７３，１７５を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ１６０のローテーションキャパシタと接続するヒストリキャパシタ及びバッファキャパシタを入力している時分割系統毎に切り替える。 （もっと読む）

【課題】一導電型のＴＦＴによって構成し、かつ出力信号振幅を正常に得られる回路を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１、１０３は、ＣＫ１にＨレベルが入力されてＯＮし、信号出力部Ｏｕｔの電位がＬレベルに確定される。次に、信号入力部Ｉｎにパルスが入力されてＨレベルとなり、ＴＦＴ１０２のゲート電位は(ＶＤＤ−ＶｔｈＮ)まで上昇し、浮遊状態となる。これによりＴＦＴ１０２がＯＮする。次にＣＫ１がＬレベルとなり、ＴＦＴ１０１、１０３がＯＦＦする。同時にＣＫ３がＨレベルとなって信号出力部の電位は上昇し、同時に容量１０４の働きによってＴＦＴ１０２のゲートの電位が(ＶＤＤ＋ＶｔｈＮ)以上に上昇することによって信号出力部Ｏｕｔに現れるＨレベルはＶＤＤに等しくなる。ＳＰがＬｏ、ＣＫ３がＬｏ、ＣＫ１がＨレベルになると、信号出力部Ｏｕｔの電位は再びＬレベルとなる。 （もっと読む）

【課題】 パワーダウンモードを含む複数の動作モードを有する半導体集積回路において、モード切り換えを行うモードコントロール回路の消費電力を少なくする。
【解決手段】 制御電圧ＶＣに基づきパワーダウンを設定するか解除するかの判定を行う回路としてオフセット付き電圧比較器３０Ａを設けた。制御電圧ＶＣがオフセット電圧Ｖ０よりも低く、オフセット付き電圧比較器３０Ａがパワーダウン解除信号ＭＤ０を非アクティブレベルとしている間は、基準電圧発生回路１０Ａを動作させず、制御電圧ＶＣとの比較に用いる基準電圧Ｖ１〜Ｖ３を出力させない。制御電圧ＶＣがオフセット電圧Ｖ０を越えて上昇し、パワーダウン解除信号ＭＤ０がアクティブレベルになったとき、基準電圧発生回路１０Ａを動作させ、基準電圧Ｖ１〜Ｖ３と制御電圧ＶＣとの比較によるモード切り換えを行わせる。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑え、ひずみ特性の良好な高周波スイッチ回路およびその設計方法を提供する。
【解決手段】共通端子と個別端子との間に高周波スイッチ部を備え、高周波スイッチ部は、スタック段数ｎ段の直列スイッチ素子群と、スタック段数ｎ＋１段以上の直列スイッチ素子群で構成されている。スタック段数の異なる直列スイッチ素子群は、レイアウト面積と高調波特性に関連するコスト係数のトレードオフ関係を微調整し、最適なひずみ特性を実現しつつ、チップ面積の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＦＥＴ１の劣化ないし破壊を防止するための保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】
主スイッチ２をＯＮすると＋電源３および−電源４に電圧が供給されコンデンサＣ３およびＣ４により＋電源と−電源は徐々に立ち上がる。この時電子スイッチ２１はＯＦＦに設定されている。−電源４が規定値まで立ち上がると電子スイッチ２１はＯＮとなりＦＥＴ１のドレインに＋電源３が印加される。主スイッチ２をＯＦＦとすると＋電源３と−電源４はコンデンサＣ３およびＣ４により徐々に電圧は下がり始める。−電源が下がり始めると電子スイッチ２１はＯＦＦとなりＦＥＴ１のドレイン電圧７はＯＦＦとなる。
（もっと読む）