【課題】発振周波数が安定するまでに要する時間の短い発振回路及び電子機器を提供する。
【解決手段】周波数補正回路を有する共振回路と、前記共振回路の両端の間に接続された増幅回路とを備えた発振回路が提供される。前記周波数補正回路は、第１のコンデンサと、両端の電位が変動可能に前記第１のコンデンサと直列的に接続された第１のトランジスタと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計段階で所望の微小な差周波を得られるようにすることと、２つの弾性表面波素子の共振周波数を同程度に近づけることとの両立を図る。
【解決手段】第１、第２ＳＡＷ共振子２、４の両者における櫛歯電極１２、１３および反射器１４、１５を構成する各電極のピッチｐ１、ｐ２を同一としつつ、両者における各電極の交差指幅Ｌ１、Ｌ２を異ならせる。第１、第２ＳＡＷ共振子２、４をこのような構造とすることで、第１ＳＡＷ共振子２を有する第１発振回路の発振周波数と、第２ＳＡＷ共振子４を有する第２発振回路の発振周波数とを異ならせることができ、両方の発振周波数の差である差周波を微小な周波数に設定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路１００は、インバータ１及び２、タンク回路３を有する。タンク回路３は、出力ノードＯＵＴＴと出力ノードＯＵＴＢとの間に並列に接続される。インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。ｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３及びＭ４のゲート端子は、それぞれ出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと直接的に接続される。ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣタンクＶＣＯは、第１および第２のスパイラルインダクタＬ１，Ｌ２と、第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２とを備える。第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第１のスパイラルインダクタＬ１と第２のスパイラルインダクタＬ２の間の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】低供給電圧の性能でのマイクロ波帯域における電圧制御発振器の効率を向上させるための二重正帰還電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】２つのコルピッツ回路２０、２１は第１正帰還ループを提供し、第１負抵抗と等価である。ＮＭＯＳ交差結合ペア回路３０は、第２正帰還ループを提供し第２負抵抗と等価である。２つのコルピッツ回路２０、２１及びＮＭＯＳ交差結合ペア回路３０によって生成される２つの各負抵抗は、ＬＣタンクの寄生抵抗に対して並列に接続されている。この為２つの各負抵抗は、ＬＣタンクの寄生抵抗をオフセットする。２つの各負抵抗が生成されるので、低電圧の稼動時において、及び、直流電流の共有において、高い負抵抗が二重正帰還電圧制御発振器１０によって生成される。この為、二重正帰還電圧制御発振器１０は、より低い電力下で発振可能である。 （もっと読む）

【課題】後段にフィルタを挿入しなくても、低歪みの発振波形を得ることが可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振器１００は、ＭＯＳＦＥＴである第１トランジスタＭ１および第２トランジスタＭ２を有するクロスカップルドインバータ１０を備える。この発振器１００は、発振動作中に、第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２それぞれのゲートソース間電圧Ｖｇｓ１、Ｖｇｓ２、ドレインソース間電圧Ｖｄｓ１、Ｖｄｓ２、ゲートソース間しきい値電圧Ｖｔｈ１、Ｖｔｈ２の間に、
Ｖｄｓ１≧Ｖｇｓ１−Ｖｔｈ１
Ｖｄｓ２≧Ｖｇｓ２−Ｖｔｈ２
なる関係が成り立つよう構成される。 （もっと読む）

【課題】実装面積やコストを抑え、起動時間を短縮し、周波数精度の高いクロックも出力できるＭＥＭＳデバイス等を提供する。
【解決手段】 第１のクロック信号４００と第２のクロック信号４０２の少なくとも一方を出力するＭＥＭＳデバイス１００であって、同一の基板上に設けられた第１のＭＥＭＳ共振子３０２を有する第１のＭＥＭＳ発振器３００と第２のＭＥＭＳ共振子３２２を有する第２のＭＥＭＳ発振器３２０とを含み、第１のＭＥＭＳ発振器の共振周波数である第１の共振周波数と、第２のＭＥＭＳ発振器の共振周波数である第２の共振周波数とは略一致し、第１のＭＥＭＳ共振子のＱ値と第２のＭＥＭＳ共振子のＱ値とは異なり、第１のＭＥＭＳ発振器は、第１の共振周波数を周波数とする第１のクロック信号を出力し、第２のＭＥＭＳ発振器は、第２の共振周波数を周波数とする第２のクロック信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】周波数制御により生じるノイズを低減すると共に、制御線を減少させて消費電力および面積を削減することが可能なデジタル制御発振器を提供する。
【解決手段】発振器制御ワードに応じた発振周波数の発振信号を出力するデジタル制御発振器であって、Ｎビットの前記発振器制御ワードを、上位Ｎ−Ａ（但し、Ａ≧１で、Ｎ＞Ａ）ビットと下位Ａビットに分割し、前記上位Ｎ−ＡビットをＮ−ＡビットのＢｙｎａｒｙ制御を行う第１のコードＯＴＷｂに、前記下位Ａビットを２＾（Ａ＋１）−２ビットのＵｎａｒｙ制御を行う第２のコードＯＴＷｕに変換して出力する制御手段と、前記制御手段から出力される前記第１および前記第２のコードに応じた発振周波数の発振信号を出力する発振器２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】情報通信の安定化を図りうる通信装置を提供する。
【解決手段】通信装置は、送信機１と受信機２を含む。送信機１は、送信すべき情報ＩＮを変調して出力する変調回路３と、この変調回路３からの送信出力信号を放射する送信アンテナ電極４と、を有する。受信機２は 送信アンテナ電極４と対をなし、送信アンテナ電極４から放射された送信出力を受信する受信アンテナ電極５と、この受信アンテナ電極５と送信アンテナ電極４との間に存在する準静電界の静電容量Ｃを回路要素として発振動作を行う発振回路６と、この発振回路６からの出力信号を復調する復調回路７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
発振周波数を切り替えたときの発振停止を抑制した発振回路を提供する。
【解決手段】
発振回路は，第１の基準電圧側に設けられた第１，第２のインダクタL,Lxと，第２の基準電圧と第１，第２のインダクタとの間にそれぞれ設けられゲートとドレインが交差接続された第１，第２のトランジスタP1,Px1と，第１，第２のインダクタンスそれぞれに接続され複数の周波数制御用キャパシタC₀〜C_n,C_x0〜C_xnを並列に有する第１，第２のキャパシタ群と，第１，第２のキャパシタ群の対応する周波数制御用キャパシタ間に設けられ発振周波数制御信号に基づいて導通または非導通に制御される複数の第１のスイッチSW₀〜SW_nと，第１のスイッチの両端子と所定電圧との間にそれぞれ設けられた複数の第２のスイッチSWp,SWxpとを有し，発振周波数制御信号の切り替わり時に，導通から非導通に切り替えられる第１のスイッチの両端子に設けられた第２のスイッチが一時的に導通する。 （もっと読む）

【課題】第２の発振回路の起動を待つことなく第１の発振回路の出力により高精度なクロック信号を得る。
【解決手段】クロックシステム１は、ＣＲ発振回路１１、水晶発振回路１２、及びトリミング回路１５を含む。ＣＲ発振回路１１は、内部回路１７に供給されるクロックＣＬＫ１を生成する。水晶発振回路１２は、ＣＲ発振回路１１の発振周波数の調整に使用される。トリミング回路１５は、ＣＲ発振回路１１と水晶発振回路１２の間の発振周波数差の検出結果に基づいて、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧に対する周波数の変化量を自由に調整できる電圧制御発振回路及びＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】制御電圧に応じて容量成分が制御される可変容量素子Ｃｖ１、Ｃｖ２と、可変容量素子に直列に接続された直列容量素子Ｃｓ１、Ｃｓ２と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子Ｃｐ１，Ｃｐ２と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分を構成する誘導素子Ｌとを有する電圧制御発振回路１００において、直列容量素子及び並列容量素子は、各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、直列容量素子の容量成分及び並列容量素子の容量成分を切り換えることにより、制御電圧に対する発振周波数の変化量が調整されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の周波数逓倍器による悪い高調波抑圧比を改善し、又、周波数逓倍器からの発振周波数は、他の高調波に妨害されにくいため、周波数逓倍器装置及びその操作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の周波数逓倍器装置は、高調波発生器、高調波抑制器及び特定高調波応用装置を含んでいる。前記高調波発生器は、基本周波数を有する入力信号を受信して、第一高調波信号成分及び第二高調波信号成分を含む高調波信号を発生させる。前記高調波抑制器は、前記高調波信号を受信して、前記第一高調波信号成分を抑制し、前記第二高調波信号成分を高める。前記周波数逓倍器装置は、高められた前記第二高調波信号成分を受信する。 （もっと読む）

【課題】ＬＣ型ＶＣＯの出力する発振信号の周波数帯域が比較的狭くても、連続した周波数の発振信号（分周信号）の出力が可能な広帯域発振回路の実現。
【解決手段】発振信号を出力する発振器11と、発振器の出力する発振信号を受け、フィルタリングして注入同期信号NINJを出力するフィルタ14と、自己発振動作を行い、注入同期信号により発振動作が規制されて発振信号の分周信号を出力し、制御信号VbDに応じて分周比が変化する注入同期型周波数分周器12と、を備え、フィルタ14は、分周信号に同期したフィルタ制御信号に応じて、発振信号を通過させる通過特性を時間的に制御して注入同期信号NINJを発生する。 （もっと読む）

【課題】発振器の発振周波数の較正作業を短縮することができる半導体集積回路装置および発振周波数較正方法を提供する。
【解決手段】ＤＣＯ５０と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源２０から得られる電位に応じたＤＣＯ５０に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部４２と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相雑音の劣化原因によらず位相雑音を低減できる高周波二倍波発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタのベース側に接続された第一電気信号線路と、該第一電気信号線路に接続され他の端は接地された第一シャントキャパシタと、該トランジスタのコレクタ側に接続された第二電気信号線路と、該第二電気信号線路に接続され他の端は接地された第二シャントキャパシタと、該第一電気信号線路と該第二電気信号線路を接続する大容量キャパシタとを備える。該第一電気信号線路の線路長は、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さから基本波信号の波長の１／１６の長さを減算した長さと、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さに基本波信号の波長の１／１６の長さを加算した長さとの間の値である。 （もっと読む）

【課題】同相信号除去比を高めた発振信号を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられた第１の電極４と、前記第１の電極上に第２の絶縁膜を介して設けられ前記第１の電極との間に第１のキャパシタを形成する第２の電極６と、前記第１の電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられ前記第１の電極との間に第２のキャパシタを形成する第３の電極７と、前記半導体基板に設けられ、前記第２の電極と前記第３の電極との間に接続されたインダクタ１９と、前記半導体基板に設けられ、前記第２の電極と前記第３の電極との間に接続された増幅回路２０と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】発振器の不安定動作を回避し低消費電力化を実現する発振器複合装置と方法の提供。
【解決手段】インダクタ（１１１）と容量（１１２）を含む共振回路（１１０）を備えた発振器（１００）と、前記発振器の発振出力信号を入力し、且つ、電源側からの電流パスを構成し前記電流パスの前記第１の電源と反対側の一端が前記発振器の前記インダクタ（１１１）の中点に接続された差動対を含む分周器（２００）とを、グランドと電源間に縦積みに配置し、分周器（２００）の直流供給電流端子（２３０）からグランド側に流れる直流電源電流を、発振器（１００）の電源電流として再利用する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の変動を防止することができる発振装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電圧に応じて入力端子の信号を出力端子から出力するトランスファゲートＰＭ５，ＮＭ５と、トランスファゲートの出力端子の信号を入力し、入力した信号の論理反転信号を出力する第１のインバータＩＶ１と、第１のインバータの出力端子の信号を入力し、入力した信号の論理反転信号を出力する第２のインバータＰＭ６，ＮＭ６と、第１のインバータの出力信号の論理反転信号を入力し、入力した信号の論理反転信号をトランスファゲートの入力端子に出力する第３のインバータＰＭ４，ＮＭ４と、トランスファゲートの出力端子及び第２のインバータの出力端子間に接続される第１の容量Ｃ１と、トランスファゲートの出力端子及び基準電位ノード間に接続される第２の容量Ｃ２とを有する発振装置。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振回路の回路規模の増大を抑制する。
【解決手段】電圧制御発振回路は、発振信号を増幅する発振アンプ部３２と、発振信号の発振周波数を制御するＬＣ共振部３３と、負性抵抗成分を有する負性抵抗部３４と、を備える。ＬＣ共振部３３は、ループ状に接続されたｇｍセル２５，２６と、ループ上のノードに一端が接続された容量２８〜３１と、を有し、ｇｍセル２５，２６と容量２８，２９とに基づくインダクタンス値と、容量３０，３１の容量値と、に基づいて発振周波数を制御する。 （もっと読む）