【課題】温度安定化された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ３１０ａ、３１０ｂに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース３７０、３８０により供給されることができる。温度依存電圧ソース３７０、３８０は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ３１０ａ、３１０ｂ、３２０ａ、３２０ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】共振器型発振器のＱ値などの特性を高く維持させた設計をより容易に行えるようにする技術を提供する。
【解決手段】静電容量Ｃaの２ⁿ倍（ｎは０〜５までの整数）となっている計６個）のコンデンサ２１１ａ〜ｆが並列に接続され、それらコンデンサ２１１ａ〜ｆにはスイッチ２１２ａ〜ｆがそれぞれ直列に接続されている。コンデンサ２１１ａ〜ｆは、静電容量が大きいものほど、インダクタと接続させる配線４０２の長さが短い位置に配置されている。それにより、出力する信号の周波数が低くなるほど、配線４０２の抵抗がＱ値に及ぼす影響を低減させる。 （もっと読む）

【課題】残留位相雑音特性を劣化させずに発振周波数の広帯域化を実現する電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】制御電圧印加端子Ｖｃ１からの制御電圧に応じて所望の周波数で発振する能動回路を備えた電圧制御発振器であって、前記能動回路は、トランスＴＳの一次側コイルＬ５に印加される前記制御電圧によってインダクタンス値が変化する二次側コイルＬ３を発振維持用のチョークコイルとして用いる。コイルＬ３のインダクタンス値が変化することで、コイルＬ３とコンデンサＣ５との共振周波数を変化させられる。その結果、制御電圧により、共振回路のバリキャップダイオードＤ１によるリアクタンス特性の変化だけでなく、能動回路のリアクタンス特性を変化させられる。 （もっと読む）

電圧制御発振器（ＶＣＯ）バッファのための回路が説明される。回路は、ＶＣＯコアと接続されるＶＣＯバッファの入力と接続された第１のキャパシタを含む。回路は、また、ＶＣＯバッファの入力と、ｐ型金属酸化膜半導体電界効果（ＰＭＯＳ）トランジスタのゲートとに接続された第２のキャパシタを含む。回路は、さらに、第１のキャパシタと、ＰＭＯＳトランジスタのゲートとに接続された第１のスイッチを含む。回路は、また、ＶＣＯバッファの入力と接続された第３のキャパシタを含む。回路は、さらに、ＶＣＯバッファの入力と、ｎ型金属酸化膜半導体電界効果（ＮＭＯＳ）トランジスタのゲートとに接続された第４のキャパシタを含む。回路は、また、第３のキャパシタとＮＭＯＳトランジスタのゲートとに接続された第２のスイッチを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路をパッケージに実装した後に、インダクタンスを増加および減少させる調整が可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ＬＳＩの内部回路１０６が形成された同一の半導体基板に磁気検出素子１００が形成されており、ボンディングパッド１１４とＬＳＩの内部回路１０６の間に接続された第１インダクタ１０１のインダクタンスを磁気検出素子１００と磁気検出回路１０５の出力電圧でモニタし、第１インダクタ１０１の片方の端子と第２インダクタ１０２の一端と第３インダクタ１０３の一端が第１接続部１０７を介して接続される第１スイッチ１０８、第２インダクタ１０２の片方の端子が第２接続部１０９を介して接続される第２スイッチ１１０、および、第３インダクタ１０３の片方の端子が第３接続部１１１を介して接続される第３スイッチ１１２を接続または切断状態に切り替えることにより、第一のインダクタ１０１をトリミングする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタの高周波領域におけるトランスコンダクタンスの劣化を招くことなく、低消費電力化を図ることが可能な増幅器などの提供。
【解決手段】この発明は、ＭＯＳトランジスタＱ１などを含む増幅器である。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートには第１の入力信号が入力され、ＭＯＳトランジスタＱ１のバルクには第２の入力信号が入力され、ＭＯＳトランジスタＱ１のソースから出力信号が出力される。そして、第１の入力信号と第２の入力信号とは同相の信号である。 （もっと読む）

発振器は、共振器と、第１および第２のｐ型トランジスタと、第１および第２のｎ型トランジスタとを含む。共振器は、第１の端子と第２の端子とを持つ。第１のｐ型トランジスタは、第１の端子にスイッチ可能に接続されており、第２のｐ型トランジスタは、第２の端子にスイッチ可能に接続されている。第１のｎ型トランジスタの第１のドレインと第２のｎ型トランジスタの第２のドレインとは、それぞれ、第１の端子および第２の端子に電気的に接続される。発振器はＮＭＯＳのみモードおよびＣＭＯＳモードで作動可能である。 （もっと読む）

【課題】 電源雑音を除去し、低周波雑音の特性を良好にできる低雑音電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】 駆動用トランジスタＱ1 のベースとＧＮＤの間にコンデンサＣ11を設けることで、そのベースに入力される低周波ノイズを除去でき、駆動用トランジスタＱ1 をｈＦＥの低いトランジスタとすることで、電源から入力される低周波ノイズを除去することができ、発振用トランジスタＱ2 のエミッタ側に、コイルＬ3 を設けることで、周波数特性を広域化して位相雑音の周波数特性を良好にでき、発振用トランジスタＱ2 のエミッタ側に、コンデンサＣ7 とコイルＬ3 で構成される共振回路における共振周波数をＶＣＯの発振周波数帯域の中心辺りに設定することで、ノイズの影響を受けにくい発振周波数にすることができる低雑音電圧制御発振回路である。 （もっと読む）

【課題】安定した動作を行うことができる半導体回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソースが第１の電位ノードに接続される第１のｐチャネルトランジスタ（２０１）と、ソースが第２の電位ノードに接続される第１のｎチャネルトランジスタ（２０２）と、ゲートが第１のｎチャネルトランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１のｎチャネルトランジスタのゲートに接続される第２のｐチャネルトランジスタ（２０３）と、ゲートが第１のｐチャネルトランジスタのドレインに接続され、ドレインが第１のｐチャネルトランジスタのゲートに接続される第２のｎチャネルトランジスタ（２０４）と、第１のｐチャネルトランジスタ及び第１のｎチャネルトランジスタのドレイン間に接続される第１の抵抗（３０１，３０２）と、第２のｐチャネルトランジスタ及び第２のｎチャネルトランジスタのドレイン間に接続される第２の抵抗（３０３，３０４）とを有する。 （もっと読む）

キャパシタンススイッチング素子（２００）が、トランジスタ（２０５、２１０）によって直列に接続された、第１のキャパシタ（２４０）と第２のキャパシタ（２４５）とを含む。トランジスタのゲートは、一組の抵抗器（２２０、２３０）を介して第１の信号（ｂ０／）によってバイアスをかけられ、ソースおよびドレインは、第２の組の抵抗器（２１５、２２５、２３５）を介して第２の信号（ｂ０）によってバイアスをかけられる。信号はレベルシフトされており、相補的であってよい。素子をオンにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤに設定することができ、第２の信号（ｂ０）をゼロに設定することができる。素子をオフにするためには、第１の信号（ｂ０／）をＶＤＤ／２の倍数に設定することができ、第２の信号（ｂ０）をＶＤＤ／２の倍数プラス１（the multiple plus one）に設定することができる。素子が発振器同調回路で使用されるとき、トランジスタの圧力ストレスが低減され、トランジスタを薄酸化物で製作することができる。発振器は、セルラアクセス端末のトランシーバにおいて使用されてもよい。
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【課題】電源電圧に重畳されたノイズにより発生する発振器の位相雑音を低減することができ、しかも簡単な回路構成で実現でき、発振器の小型化を図ることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】この電圧制御発振器１は、直流電源端子１６にコレクタが接続された発振用トランジスタ１１と、発振用トランジスタ１１のエミッタ・接地間に接続された第１の抵抗２１と、発振用トランジスタ１１のベース・接地間に接続された共振回路２７と、発振用トランジスタ１１のエミッタと第１の抵抗２１との接続点と直流電源端子１６とを接続する結合ラインＬ１上に設けられた第１のキャパシタ２２とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電源ラインなどから入力する外来ノイズの影響を低減できる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】
発振トランジスタ１１のベース・エミッタ間に第１の帰還コンデンサ１２を接続し、発振トランジスタ１１のエミッタ・コレクタ間に第２の帰還コンデンサ１３を接続し、発振トランジスタ１１のベース・コレクタ間にインダクタ１４を接続してコルピッツ発振回路を構成する。発振トランジスタ１１のコレクタと直流電源端子１８との間にコレクタバイアス抵抗３０を接続し、コンデンサ１９を介してコレクタバイアス抵抗３０の一端を接地する。発振トランジス１１のコレクタとベースとの間にチョークインダクタ３１とコンデンサ３２とが直列に接続されたフィルタ回路を接続する。 （もっと読む）

広帯域周波数発生器は、フリップチップパッケージ内の同一のダイに配置された異なる周波数帯域のための２つ以上の発振器を有する。２つの発振器の誘導子間の結合は、一方の誘導子がダイに配置され、他方の誘導子がパッケージに配置され、これら誘導子がハンダバンプの直径によって離されることで、減少させられる。弱結合されたこれら誘導子では、一方の発振器の帯域を増加させるために他方の発振器のＬＣタンク回路の操作をしたり、その逆を行ったりできる。一方の発振器の振動の好ましくないモードを防ぐことは、他方の発振器の粗同調バンクの全容量といった大容量を他方の発振器のＬＣタンク回路に与えることによって達成され得る。好ましくないモードを防ぐことは、他方の発振器のＬＣタンクのＱファクタを減少させ、タンク回路内の損失を増加させることによっても達成され得る。 （もっと読む）

【課題】コンデンサへの充放電及び差動対を使用した発振回路において、回路規模や消費電力の増大を抑制しつつ安定した発振を可能とする。
【解決手段】トランジスタＭ１０は、トランジスタＭ１，Ｍ２からなる差動対に定電流ｉ１を供給する。Ｍ１には直列に抵抗Ｒ１が接続され、Ｍ１とＲ１との接続点の電位ＶＢがＭ２のゲートに印加される。一方、Ｍ１のゲートには、定電流ｉ２を生じるトランジスタＭ４と抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の並列接続体との接続点の電位ＶＡが印加される。Ｍ４は、Ｍ２のオフ期間に定電流ｉ２を供給し、オン期間に定電流の供給を停止する。抵抗Ｒ２，Ｒ１それぞれの抵抗値をｒ２，ｒ１として、（ｒ１・ｉ１）＝（ｒ２・ｉ２）を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】変調感度が高すぎず、かつ、制御周波数範囲の広い電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】構造、容量変化特性が異なる複数種類の可変容量素子が並列に接続され、制御電圧により、複数種類の可変容量素子の容量値を同時に制御するようにした共振部と、共振部による発振を維持するための増幅部とを備える。可変容量素子として、バラクタダイオードとＭＯＳバラクタを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】周波数が、中心周波数近辺の同調範囲内の周波数で制御される発振信号を形成するＬＣ電圧制御発振器の提供。
【解決手段】位相補間電圧制御発振器は、複数のｎ個の位相シフトセルＡ及びｎ−１レベルの加算セルＳを内含する。位相シフトセルＡは、共通の入力信号を受理し、各々は、その他の位相シフトセルＡとは異なる量だけ入力信号を位相シフトさせる。第１レベルの加算セルＳは、少なくとも２つの位相シフトセルＡの出力を受信し加算し、残りの加算セルレベルの各々は、加算セルＳの先行レベルの出力を受理する。最後のレベルは、位相シフトセルＡの共通の入力信号としてフィードバックされる出力信号を生成する単一の加算セルＳを含む。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧の条件下にあっても、安定した発振の起動及び持続を保証しつつ低位相雑音化を達成することができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】制御入力電圧に応じてインピーダンスが変化するＬＣ並列共振回路と、該ＬＣ並列共振回路に負性抵抗を導入する負性抵抗回路と、を含む電圧制御発振器において、該負性抵抗回路が、該ＬＣ並列共振回路に並列に設けられ、キャパシタを介してクロスカップリングされた第一のトランジスタ対を有し、該第一のトランジスタ対の各トランジスタのゲートが第一のバイアス電圧にバイアスされて、Ｃ級増幅動作をする第一の増幅回路と、同様の回路構成を有し、各トランジスタのゲートが該第一のバイアス電圧と異なる第二のバイアス電圧にバイアスされて、Ｃ級増幅動作をする第二の増幅回路と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数を補正するためのメモリなどが不要な温特補正機能付き発振回路およびその製造方法を実現する。
【解決手段】 温特補正機能付き発振回路１０は、第１の発振回路２１と、第２の発振回路２２と、第１の発振回路２１が発生する発振周波数を理想の発振周波数に近い発振周波数に補正するための補正回路５０とを備える。補正回路５０は、第１の発振回路２１の発振周波数ｆ１と、第２の発振回路２２の発振周波数ｆ２との差分（ｆ１−ｆ２）を検出し、その検出した差分に補正係数αを乗じ（α・（ｆ１−ｆ２））、その補正された差分を第１の発振回路２１の発振周波数に加算し（ｆ１＋α・（ｆ１−ｆ２））、それを出力する動作を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の電源電圧や温度の変動がある場合においても、発振波形の周波数変動を低減させる。
【解決手段】リミッタＬｍ１は、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の電圧と、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値とを比較し、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の電圧が、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値を超えた場合、出力端子Ｔ１の発振信号Ｖｏ１の振幅を、基準電圧Ｖｃｏｎｓｔに電圧降下Ｖｔｈ分を加算した値に制限する。 （もっと読む）

【課題】小型でＩＣ化が可能な位相同期発振器を実現すること。
【解決手段】 位相同期した複数の発振信号を得る位相同期発振器アレイにおいて、位相が１８０度異なる２つの信号を入力する第１入力端子と第２入力端子とを有したｎ個の第１差動増幅器から第ｎ差動増幅器と、１≦ｋ＜ｎの全ての自然数ｋに対して、第ｋ差動増幅器の第２入力端子と第ｋ＋１差動増幅器の第１入力端子との間の全て、及び、第ｎ差動増幅器の第２入力端子と第１差動増幅器の第１入力端子との間を、それぞれ、逆相で結合するｎ個のフィルタＦと、を設けたことを特徴とする位相同期発振器アレイ。フィルタＦは、一方の差動増幅器１の第２入力端子Ｂ１２と接地間に配設された第２インダクタＬ１２と、他方の差動増幅器２の第１入力端子Ｂ２１と接地間に配設された第１インダクタとＬ２１、一方の差動増幅器１の第２入力端子と他方の差動増幅器２の第１入力端子との間を接続する第３容量Ｃ１５と第３インダクタＬ２３との直列接続回路とを有する。 （もっと読む）