【課題】増幅器の出力を複雑なアナログ信号処理を行うことなく取得できるようにする。
【解決手段】 増幅装置１は、増幅器３と、増幅器３によって増幅されるべき信号を出力するデジタル信号処理部２と、増幅器３の出力側に設けられたアナログフィルタ４と、を備えている。デジタル信号処理部２は、増幅器３の出力に基づいて、増幅器３の歪補償を行う歪補償部１５と、増幅器３によって増幅されるべき信号に対してΔΣ変調を行って量子化信号を出力するΔΣ変調部２５と、を備えている。増幅器３は、量子化信号を増幅し、前記アナログフィルタ４は、量子化信号からアナログ信号を生成する。デジタル信号処理部２は、歪補償部１５による歪補償のために、増幅器３から出力された量子化信号を取得する。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧が低く、特性を向上させた増幅装置を提供する。
【解決手段】 増幅装置は、一対の受光素子からそれぞれ入力された第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）を、第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）にそれぞれ変換して出力する第１及び第２のトランスインピーダンスアンプ２０と、第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）の各電流を分流する分流回路２４と、第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）の平均電圧値を示す平均信号を生成して出力する平均値検出回路と、平均信号Ｖａｖ、及び第１及び第２の電圧信号Ｖｏ（−），Ｖｏ（＋）のオフセット電圧値に基づいて、分流回路２４に分流される第１及び第２の電流信号Ｉｎ（＋），Ｉｎ（−）の各電流値を制御する制御回路２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】低負荷の素子を駆動可能にすることで出力インピーダンスを低く抑えることが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】入力信号を増幅するｎ段構成の増幅回路と、ｎ段目の前記増幅回路と（ｎ＋１）段目の前記増幅回路との間に設けられる（ｎ−１）個のインピーダンス変換器と、を備え、前記（ｎ−１）個のインピーダンス変換器は、前記増幅回路間の電力反射を抑制できるインピーダンス変換を行うことを特徴とする、増幅回路が提供される。かかる構成により、増幅回路は、低負荷の素子を駆動可能にすることで出力インピーダンスを低く抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】オン時における電流の迅速な立ち上がりを実現し、複雑な工程を経ることなく、ｎ型ＨＥＭＴとモノリシックにインバータを構成可能な半導体装置を得る。
【解決手段】第１の極性の電荷（ホール）供給層２２ａと、電荷供給層２２ａの上方に形成されており、凹部２２ｂａを有する第２の極性の電荷（ホール）走行層２２ｂと、電荷走行層２２ｂの上方で凹部２２ｂａに形成されたゲート電極２９とを含むｐ型ＧａＮトランジスタを備える。 （もっと読む）

【課題】歪補償の精度を向上させる。
【解決手段】歪補償装置１０は、増幅器で生じる信号の歪みを補償する。記憶部１１は、歪補償に用いられる複数の補償係数を記憶する。選択部１２は、信号の電力レベルを示す指標値に対応する補償係数を複数の補償係数の中から選択する。選択部１２は、電力レベルが閾値を超えるか否か判定し、判定結果に応じて、対数演算を用いずに算出される第１の指標値または対数演算を用いて算出される第２の指標値を使用する。 （もっと読む）

【課題】入出力間オフセット電圧を削減しつつ消費電流を削減する。
【解決手段】第１導電型の第１差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第１導電型の第２差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第３差動回路は、第１入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。第２導電型の第４差動回路は、第２入力信号と出力信号とを差動入力信号とする。出力段回路は、第１乃至第４差動回路の出力に基づいて出力信号を出力する。差動増幅器は、上記第１乃至第４差動回路、出力段回路を具備し、制御信号に基づいて、第１乃至第４差動回路を形成するトランジスタのチャネル長とチャネル幅との比を変更する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴは、ＳｉＣ基板１上に、化合物半導体層２と、開口６ｂを有し、化合物半導体層２上を覆う、窒化珪素（ＳｉＮ）の保護膜６と、開口６ｂを埋め込むように化合物半導体層２上に形成されたゲート電極７とを有しており、保護膜６は、その下層部分６ａが開口６ｂの側面から張り出した張出部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】入力電圧に正確に対応した値の出力電流を得ることができる電圧電流変換回路およびその電圧電流変換回路で生成した電流を用いて高精度な発振周波数を得ることができるようにした電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】３容量Ｃｓと、容量Ｃ_Bと、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４と、オペアンプＯＰ１と、トランジスタＭ１，Ｍ２とを備え、スイッチＳＷ１，ＳＷ２がオン／オフするときスイッチＳＷ３，ＳＷ４がオフ／オンするようにスイッチＳＷ１〜ＳＷ４を制御し、電圧入力端子１に入力した入力電圧Ｖinに比例した電流Ｉ_REFをトランジスタＭ１のドレインから出力する。 （もっと読む）

【課題】多段増幅段を含むＲＦ電力増幅回路の低パワーおよび中間パワー時における電力付加効率(ＰＡＥ)の低下を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅回路313は、前段増幅器310、後段増幅器311、制御部312を具備する。前段増幅器310はＲＦ送信入力信号Ｐinに応答して、前段増幅器310の出力の増幅信号に後段増幅器311が応答する。制御部312は、出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310と前記後段増幅器311のアイドリング電流を制御して前段増幅器310と前記後段増幅器311の利得を制御する。出力電力制御電圧Ｖapcに応答して、前段増幅器310のアイドリング電流と利得とは第１の連続関数2ndAmpに従って連続的に変化して、後段増幅器311のアイドリング電流と利得とは第２の連続関数3rdAmpに従って連続的に変化する。第２の連続関数3rdAmpは、第１の連続関数2ndAmpよりも１次以上高次の関数である。 （もっと読む）

【課題】反転入力容量Ｃｓｉｎが異なる場合、帰還容量Ｃｆが小容量の固定値であっても、周波数特性の肩特性の劣化やピークがほとんど生じない増幅回路および帰還回路を提供する。
【解決手段】個別に負帰還をかけるとともに直列に接続された複数の増幅器と、前記複数の増幅器に含まれる出力側の増幅器の出力側と入力側の増幅器の入力側に接続された帰還手段（帰還回路）とを備え、前記複数の増幅器は奇数個の反転増幅器を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】正の単一電源で作動（動作）するオペアンプを用いて負の信号レベルの信号を含む受信信号を増幅することのできる受信回路を提供する。
【解決手段】受信回路１００は、基準端子１１と基準端子１１の電圧を基準とする受信信号を出力する信号端子１２とを有する信号部１０と、正の入力端子２１と負の入力端子２２と出力端子２３とを有し、正の単一電源Ｅ２から電圧が印加されて作動するオペアンプ２０と、出力端子２３と負の入力端子２２との間に接続される第１負荷部３０と、信号端子１２と負の入力端子２２との間に接続される第２負荷部４０と、カソード側が接地され、アノード側が基準端子１１と正の入力端子２１とに接続されるダイオード５２を含む基準電圧部５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＸＣＩＴＥＲユニットの簡素化、コスト削減の実現を可能にする。
【解決手段】送信装置は、電力増幅部１３と、送出部１５と、冷却部２７と、温度検出手段１８１と、出力電力検出手段１８２と、冷却制御手段１８３とを備えている。電力増幅部１３は、伝送信号を電力増幅する。送出部１５は、電力増幅部１３の出力を伝送路へ送出する。冷却部１７は、電力増幅部１３を冷却する。温度検出手段１８１は、電力増幅部１３の温度を検出する。出力電力検出手段１８２は、電力増幅部１３の出力電力を検出する。冷却制御手段１８３は、温度検出手段１８１の検出結果及び出力電力検出手段１８２の検出結果に基づいて、冷却部１７の冷却処理を制御する。 （もっと読む）

【課題】多様な構造を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体層２と、が設けられている。化合物半導体層２には、第１の不純物の活性化により発生した第１導電型のキャリアを含む第１の領域２ａと、第１の不純物と同一種類の第２の不純物の活性化により発生したキャリアを、第１の領域２ａよりも低濃度で含有する第２の領域２ｂと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】線形性の改善されたノイズ指数および低ノイズ増幅器を提供する。
【解決手段】受信信号強度インジケータ２０１の出力に基づく可変ネガティブフィードバック２０３を含む増幅器Ｍ１が開示されている。フィードバックは、高受信信号レベルについて増加され、低受信信号レベルについて減少されるとしてもよい。実施形態において、可変フィードバック２０３は、複数の離散的なインピーダンス設定を含むとしてもよい。振幅および／または時間ヒステリシスは、組み込まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】定電圧発生回路の回路面積及び消費電流を削減しながら、負荷の直流的及び過渡的な変化に対する出力電圧の変化を小さくする。
【解決手段】ＦＥＴ４は、電圧源端子に接続されたドレインと出力端子に接続されたソースとを備える。ＦＥＴ２は、ＦＥＴ４のソースに接続されたゲートと、ＦＥＴ４のゲートに接続されたドレインとを有する。ＦＥＴ１は、ＦＥＴ２のソースと接地端子との間に設けられ、ダイオード接続されている。ＦＥＴ３は、電圧源端子とＦＥＴ２のドレインとの間に接続され、そのドレインとソースとの間に所定の電位差を有し、第１の定電流源として機能する。ＦＥＴ５は、出力端子と接地端子との間に接続される。ＦＥＴ１及びＦＥＴ５によりカレントミラー回路を構成することにより、ＦＥＴ５は第２の定電流源として機能する。 （もっと読む）

【課題】
発光装置のための低出力電圧駆動回路が、本発明の例示としての実施形態に従って提供される。
【解決手段】
また、オフセット電圧キャンセル及び／又はレベルシフタが、駆動電流の精度を高くするように駆動回路に組み込まれる。更に、エラー検出回路及び方法は、本発明の駆動回路の最小の出力電圧を検出して対応できるように、用いられる。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。各差動プッシュプル増幅器は、差動信号入力端子にぞれぞれ接続される増幅器対で構成され、差動プッシュプル増幅器の出力にはキャパシタ（Ｃ１−Ｃｎ）とインダクタ（Ｌ１１−Ｌ１ｎ）の並列共振回路を接続し、共振周波数を変更して整合周波数を調整する。 （もっと読む）

【課題】コンプリメンタリＳＥＰＰ回路において、出力抵抗を高くすることなくバイアス電流の安定したバイアス回路を提供する。
【解決手段】バイアス電流を検出する差動増幅器と、所定の電圧値と差動増幅器の出力電圧値との差分を増幅する演算増幅器と、演算増幅器の出力信号を絶縁伝達する絶縁伝達器と、絶縁伝達器の出力に応じたバイアス電圧を出力するバイアス電圧源とを備えたコンプリメンタリＳＥＰＰ回路のバイアス回路。差動増幅器、演算増幅器、絶縁伝達器の動作により、バイアス電圧源は、バイアス電流が増加すると出力するバイアス電圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】初期動作を安定させるスタートアップ回路を備え、消費電力を低減すると共に、回路規模の増加を抑制した全差動増幅器を提供する。
【解決手段】図１に示す全差動増幅器は、入力信号を受け付ける差動対を含み、差動信号を出力する差動増幅器と、差動信号を増幅し、差動出力信号から出力コモンモード電圧を生成する出力コモンモード電圧生成回路と、出力コモンモード電圧と所定の基準電圧を比較することでコモンモードフィードバック信号を生成し、コモンモードフィードバック信号を差動増幅器にフィードバックすることで、出力コモンモード電圧と基準電圧を実質的に一致させるコモンモードフィードバック回路と、入力信号に基づいて、差動信号を略電源電圧にプルアップ又は略接地電圧にプルダウンするスタートアップ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及び小さな静電容量を用いた回路により、検出素子の出力信号を直流成分を除いて増幅する小型な信号処理装置を得る。
【解決手段】 入力信号が第１のインピーダンスを介して反転入力端子に入力される第１のオペアンプと、第１のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第２のインピーダンスと、基準電圧が非反転入力端子に入力され、出力端子が第１のオペアンプの非反転入力端子に接続された第２のオペアンプと、第２のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第１の静電容量と第１のスイッチと、第２のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と前記第２のオペアンプの反転端子とに接続された第３の抵抗と、第３のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と第２のオペアンプの反転端子とに接続された第４の抵抗とを備えた。 （もっと読む）