【課題】基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体の製造方法は、不活性ガス雰囲気下において、アルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、アルミニウム−ガリウム合金、アルミニウム−インジウム合金、アルミニウム−スカンジウム合金、ガリウム−インジウム合金、ガリウム−スカンジウム合金、インジウム−スカンジウム合金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属と窒素とを反応させることによって、窒化半導体を製造する反応スパッタリング法において、窒素と共に酸素を供給し、不活性ガス、窒素および酸素の全モル数に対する酸素のモル％が、０．８％以上、３．２％以下である。 （もっと読む）

薄膜電解質のための代替のスパッタ標的の組成または構成が提案され、この場合、スパッタ標的材料システムは、スパッタ堆積のための（パルス）ＤＣ標的電力の使用を可能にする十分な電気伝導性を所有する。電解質膜材料は、電気伝導性スパッタ標的材料システムから反応性スパッタ堆積後、必要とされる電気絶縁性およびリチウムイオン伝導性特性を採用する。リチウムイオン薄膜電解質を作製する方法は、伝導性スパッタ標的を提供することと、真空蒸着チャンバを提供することと、伝導性スパッタ標的をスパッタリングすることと、反応性スパッタ気体雰囲気においてリチウムイオン薄膜電解質を堆積させることとを包含する。
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ガスタービンエンジンのホットセクション部品のために、ＣＭＡＳ浸透耐性を向上させる方法。例示的な方法は、ボンドコート被覆基材上に、イットリア安定化ジルコニアのような遮熱材料からなる内部遮熱層を設けることによって、基材を遮熱コーティング系で被覆することを含む。希土類アルミン酸塩を含む最上層は、内側層の少なくとも一部分を覆うように堆積される。堆積プロセス及び被覆厚さは、被覆すべき部品の種類に応じて調整できる。 （もっと読む）

【課題】重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、ＴｉＣ_ＸＮ_１−Ｘを満足する（原子比で、０．２≦Ｘ≦０．５）硬質被覆層を蒸着形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、その表面研磨面の法線に対して、｛１００｝面の法線がなす傾斜角を測定して作成した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の傾斜角区分に最高ピークが存在し、その度数合計が全体の６０％以上であり、かつ、Σ３〜Σ１３の各分布割合の合計が、ΣＮ＋１全体の分布割合の合計の７０％以上を占める構成原子共有格子点分布グラフを示す。 （もっと読む）

【課題】新規なマイクロセラミックスコイル及びその簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロサイズの主としてセラミックスからなるコイル。例えば、コイルの幅は０．１μｍ〜１００μｍ、厚さは１ｎｍ〜１０μｍである。このコイルは、パターニングされたレジスト上に主としてセラミックスからなる薄膜を形成し、前記レジストを剥離液で溶解させて作製できる。 （もっと読む）

【課題】摺動摩擦によるキズがつきにくく、かつ平坦な透過率分光特性が再現性良く得られ、しかも量産性に優れた吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供する。
【解決手段】基板１と、金属膜と誘電体膜が交互に積層された、透過光量を減衰させる光学多層膜層１０と、該光学多層膜層の上に形成された保護膜層２０とからなる吸収型多層膜ＮＤフィルターにおいて、光学多層膜層の金属膜が、ニッケルを主成分とし、好ましくは、チタン、アルミニウム、バナジウム、タングステン、タンタル、シリコンから選択された１種類以上の元素を添加したニッケル系合金材料からなる金属膜であり、光学多層膜層の誘電体膜が酸化シリコン若しくは酸化アルミニウムからなる誘電体膜であるとともに、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる保護膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】鋼およびステンレス鋼の機械加工性能を高めた被膜付き工具を提供する。
【解決手段】超硬合金基材と被膜とを有し、特に鋼またはステンレス鋼を湿式または乾式で機械加工するのに有用な切削工具インサートにおいて、
上記被膜が、
総厚さ０．５〜５μｍ、望ましくは１〜４μｍで、柱状粒のＴｉ_１−ｘＡｌ_ｘＮの層であって、０．２５≦ｘ≦０．７、望ましくはｘ＞０．４である第１層すなわち最内層と、
厚さ１〜５μｍ、望ましくは１．５〜４．５μｍ、最も望ましくは２〜４μｍで、柱状粒の（Ａｌ_１−ｙＣｒ_ｙ）_２Ｏ_３層であって、０．１≦ｙ≦０．６、望ましくはｙ＝０．５である層と
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を有する金属と銅配線部を無電解めっきの触媒作用をする金属との合金からなるスパッタリングターゲットを窒素ガス雰囲気でスパッタ成膜することにより、成膜中のバリア性材料、触媒性材料及び窒素含有量を調整して銅シード層を形成する工程からなり、無電解銅めっき性、銅拡散防止バリア性及びめっき膜の耐酸化性を備えた、銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を形成した半導体ウェハーの提供。
【解決手段】タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。
【採用図面】なし （もっと読む）

【課題】電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 （もっと読む）