【課題】耐硫化性に優れ、貴金属の持つ光沢を維持することができる貴金属物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銀又は銀合金からなる銀粘土焼結体２の表面の少なくとも一部に金銀合金被覆層３が形成された貴金属物品１であって、金銀合金層３は、最表面の組成が銀：２０重量％〜５０重量％、残：金および不可避不純物であり、最表面から深くなるにしたがって銀の比率が高くなっており、その製造方法は、銀粘土焼結体の表面に目付け０．２〜１．２ｍｇ／ｃｍ^２の金被覆を施す被覆工程と、被覆工程の後、金被覆を施した銀粘土焼結体を加熱保持して金銀合金被覆層を形成する加熱工程とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤から選ばれる１種又は２種以上の吸着防止剤、及び（Ｂ）塩化物イオンを必須成分とする水溶液であることを特徴とする電気めっき用前処理剤。
【効果】本発明によれば、下地銅とレジストとの密着性を阻害せず、また、下地銅と電気銅めっき皮膜との密着性を阻害しない電気めっき用前処理剤を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質金属箔に由来する優れた特性に加えて、両面間で特性差が低減された有用性の高い複合金属箔を連続生産にも適した高い生産性で安価に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質金属箔１０は、金属繊維１１で構成される二次元網目構造からなる。この多孔質金属箔１０は、光沢度が高めの第一面と、第一面と反対側に位置する光沢度が低めの第二面とを有する。ＪＩＳ Ｚ ８７４１（１９９７）に準拠して６０度の入射角および反射角で測定される、第一面の光沢度Ｇ_Ｓの第二面の光沢度Ｇ_Ｍに対する比Ｇ_Ｓ／Ｇ_Ｍは１〜１５である。 （もっと読む）

【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板２を保持する保持部１３とを備える。処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ迅速で安価に貫通穴内表面のみにめっき処理を施すことができる貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】絶縁層６を貫通した貫通穴７を有する基板中間体４と、前記貫通穴７に対応した位置に開口部を有する２枚の導電性マスク５とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴７に合わせて前記基板中間体４の表裏両面の全域を前記各導電性マスク５で覆い、前記基板中間体４の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク５を密着させて被めっき処理体２を形成し、該被めっき処理体２をめっき液３に浸漬し、前記貫通穴７の内面を含んだ前記被めっき処理体２の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体４から前記導電性マスク５を除去する。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。
【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第１元素と第２元素を交互に層状に充填した後に第１元素と第２元素を拡散熱処理する。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基材との良好な密着性と摺動相手への低い攻撃性を満足しながら、低摩擦性を満足するアルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法及びアルミニウム合金製シリンダブロックを提供することを目的とする。
【解決手段】 平均粒径４．５〜５．５μｍのＳｉＣを含むめっき液を用いてめっき膜を内径表面に形成してなるアルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法であって、前記内径表面付近でのめっき液の流速が１２０ｃｍ／秒以上、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２以下の条件で電気めっきを行う成膜前期工程と、前記成膜前期工程の後に、めっき液の流速が８０〜１２０ｃｍ／秒、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２以上の条件で電気めっきを行う成膜後期工程とを含む、アルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法を提供する。 （もっと読む）