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国際特許分類[G03F7/16]の内容

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【課題】薬液に含まれる気泡や塵等の異物を除去しつつ、一定量の薬液を吐出ノズルから高精度で吐出し得るようにする。
【解決手段】薬液供給装置は弾性変形自在のベローズ14により膨張収縮するポンプ室15が設けられたポンプ12を有し、薬液容器10内の薬液はポンプ室15に吸入流路21を介して案内される。ポンプ室15内の薬液は吐出流路22を介して吐出ノズル11に吐出される。ポンプ12にはポンプ室15から供給された薬液をポンプ室15に戻すとともに膨張収縮部を有する循環流路23がループ状に接続されている。循環流路23にはポンプ室に戻される薬液を濾過するフィルタ30が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングにおける2回目のレジスト液の供給量を少量に抑えつつ、基板上に所定のレジストパターンを形成する
【解決手段】被処理膜Fが形成されたウェハW上にレジスト液を塗布して第1のレジスト膜R1を形成する(図7(b))。その後、第1のレジスト膜R1を選択的に露光し、現像して第1のレジストパターンP1を形成する(図7(c))。その後、第1のレジストパターンP1の表面P1aにエーテル類の表面改質剤を塗布し、当該表面P1aを改質する(図7(d))。その後、第1のレジストパターンP1が形成されたウェハW上にレジスト液を塗布して第2のレジスト膜R2を形成する(図7(e))。その後、第2のレジスト膜R2を選択的に露光し、現像して、第1のレジストパターンP1と同じ層に第2のレジストパターンP2を形成する(図7(f))。 (もっと読む)


【課題】一連の基板に塗布処理を行う際のタクトタイムを短縮する。
【解決手段】ステージ3に支持された基板90について、スリットノズル41で走査を行いつつ、レジスト液の塗布を行う。基板塗布装置1には、このような塗布のための走査を、第1走査方向(+X)と第2走査方向(−X)とのいずれについても実行可能に構成された制御手段が設けられている。スリットノズル41のリップ部は、2つの走査方向に関して鏡面対称な形状とされ、リップ部の下端高さも2つの走査方向の側で同一とされることにより、2つの方向のいずれの走査においても塗布性能が同等となる。往復走査によって一連の基板を順次に処理可能であるため、1回の走査が完了する都度、ひとつの待機位置にスリットノズル41を戻すための空走期間がなく、往復用に個別のノズルを備える装置のような構成の複雑さを回避しつつタクトタイムを短縮できる。 (もっと読む)


フィルムを半導体ウェーハに付加するための、および、半導体ウェーハを処理するための実施および技術が、一般的に開示される。ある実施形態は、ドライ・フィルム・レジストおよびドライ・フィルム・レジストに隣接して提供されてもよいキャリア・フィルムを含んでもよい積層フィルムを提供することを含む。半導体ウェーハに合わせられた寸法および形状を有する少なくとも1つの断片が、積層フィルムから切り取られてもよい。この断片が、半導体ウェーハに付加されてもよい。フィルムを付加するためのシステムは、切り取り装置、真空チャック、および、プレス・ツールを含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】基板上に塗布液を塗布する際に、塗布液の供給量を少量に抑えつつ、基板面内で均一に塗布液を塗布する。
【解決手段】回転中のウェハ上に溶剤を供給し、ウェハの表面をプリウェットする(工程S1)。ウェハを第5の回転数で回転させる(工程S2)。ウェハの回転を第1の回転数まで加速させ、第1の回転数でウェハを回転させる(工程S3)。ウェハの回転を第2の回転数である1500rpmまで減速させ、ウェハWを第2の回転数で0.5秒回転させる(工程S4)。ウェハの回転を第3の回転数までさらに減速させ、第3の回転数でウェハを回転させる(工程S5)。ウェハの回転を第4の回転数まで加速させ、第4の回転数でウェハを回転させる(工程S6)。工程S2の途中から工程S5の途中まで、ウェハの中心にレジスト液を連続的に供給する。 (もっと読む)


本発明は、水性アルカリ性溶液中で現像することによってパターンを形成することができる光像形成性反射防止コーティング組成物であって、(i)コーティング溶剤中に可溶性であって、発色団、架橋性部分、任意に及び、水性アルカリ性溶液中へのポリマーの可溶性を助ける官能基を酸または熱条件下に生成する解裂性基を含むポリマーA、及び; (ii)少なくとも一種の光酸発生剤; (iii)架橋剤; (iv)任意に、熱酸発生剤; (v)現像の前に水性アルカリ性溶液中に可溶性であり、かつポリマーAと不混和性で、コーティング溶剤中に可溶性のポリマーB; (vi)コーティング溶剤組成物、及び(vii)任意に、クエンチャを含む前記光像形成性反射防止コーティング組成物に関する。本発明はまた、該反射防止コーティングに像を形成する方法にも関する (もっと読む)


【課題】基板上に供給されるレジスト液中の異物を低減し、レジストパターンの欠陥を低減する。
【解決手段】レジスト液供給装置200は、レジスト液を貯留するレジスト液供給源201を有している。レジスト液供給源201は、供給管202を介して塗布ノズル142に接続されている。レジスト液供給源201の下流側には、供給管202内のレジスト液を加熱するヒータ205が設けられている。ヒータ205は、レジスト液を23℃〜50℃に加熱することができる。ヒータ205の下流側には、レジスト液中の異物を除去するフィルタ207が設けられている。フィルタ207の下流側には、供給管202内のレジスト液を冷却する温調配管211が設けられている。温調配管211は、レジスト液を23℃に冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア(実パターン形成領域)が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性(100Å以下)を得るマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】四角形状の基板2上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液13を滴下し、前記基板2を回転させ、滴下されたレジスト液13を前記基板2上に広げるとともに、前記基板2上のレジスト液13を乾燥させて、前記基板2上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。ここで、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板2が回転している間、前記基板2の上面に沿って基板2の中央側から外周方向に気流19を発生させるように排気手段18による排気を行い、基板2の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液13の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制する。 (もっと読む)


【課題】基板上に塗布される液状体の状態を改善することが可能な塗布装置を提供すること。
【解決手段】所定の塗布位置において基板を立てた状態で回転させつつ前記基板の表面及び裏面にそれぞれ液状体を吐出するノズルを有する塗布機構と、前記基板を基板搬入位置、前記塗布位置及び基板搬出位置の間で搬送する搬送機構と、前記基板搬入位置、前記塗布位置及び前記基板搬出位置とは異なる位置であって前記搬送装置が接続可能な保持位置でダミー基板を保持するダミー基板保持機構とを備える。 (もっと読む)


【課題】塗布液の選択性を向上させ、多種多様な物性値を有する塗布液を用いても高精度の塗布処理を行うことができる回転塗布装置を提供する。
【解決手段】円形又は多角平面を塗布対象面とした被塗布物2に塗布液を塗布し、この被塗布物2を高速回転させることにより塗布液を拡散させて塗布膜を形成する回転塗布装置1において、被塗布物2を平行支持する平円板状の支持台3と、支持台3と離間を有するようにして平行に対向配置され、支持台3との離間に開放空間Sを形成する平円板状の平行平板4とを具備してなり、支持台3及び平行平板4がそれぞれ回転軸60及び回転軸70周りに独立して回転駆動される。 (もっと読む)


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