プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法

【課題】プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板を高多層化、大型化させることなく、また、生産性を悪化させることなく、半導体素子等の電子部品をプリント配線板にフリップチップ実装できる、プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０の一面側に凹状に形成されたキャビティ４６に電子部品６０が収容された電子部品収容基板を製造する際、一面側に凸状のバンプ１７を複数形成し、この一面側に、絶縁性樹脂とシート状の補強材とを有する絶縁層２１を形成して補強材でバンプ上を絶縁性樹脂を介して覆い、バンプ上の絶縁性樹脂を残して補強材を除去し、さらにバンプ上の絶縁性樹脂にレーザ光を照射してこの絶縁性樹脂を除去してバンプを露出させ、バンプに対応する電極６２を有する電子部品をキャビティに収容すると共に電極とバンプとをそれぞれ接合する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法に係り、特に、半導体素子等の電子部品が収容されるキャビティを備えたプリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、パソコン等の電子機器には、半導体素子等の電子部品がキャビティに収容された半導体パッケージ等の電子部品収容基板が用いられている。
この電子部品収容基板に用いられる基板として、通常、セラミック基板や、樹脂基板であるプリント配線板があるが、プリント配線板は、一般的に、セラミック基板に対して、軽量化，配線パターンの微細化，及び生産性の点で有利であるため、特に最近では、このプリント配線板が電子部品収容基板に広く用いられている。
このような半導体パッケージ等の電子部品収容基板に用いられるプリント配線板の一例が特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開平６−３３４０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、プリント配線板と、そのキャビティに収容された電子部品である半導体素子とを電気的に接続する接続方法として、ワイヤーボンディング法やフリップチップ法がある。
しかしながら、ワイヤーボンディング法では、近年の半導体素子の高集積化に伴って、プリント配線板と半導体素子との接続端子数が増加する傾向にあり、このため、これら接続端子をプリント配線板の複数の配線層に設けなければならないので、プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板がそれぞれ高多層化、大型化してしまうといった不具合が生じる。
また、接続端子毎にワイヤーボンディングを行うので、接続端子数の増加に応じて一プリント配線板あたりのワイヤーボンディングに要する時間が長くなるため、生産性を悪化させる要因となる。
【０００４】
一方、フリップチップ法では、プリント配線板のキャビティに設けられた接続端子部にバンプを形成する場合、印刷法ではキャビティ内への印刷が困難であるため、キャビティ内にバンプを印刷によって形成することは難しい。
また、上記バンプをワイヤーボンディング法を用いて形成する方法があるが、この方法はワイヤーボンディング法を用いるため、上述した理由と同様の理由により、プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板がそれぞれ高多層化、大型化してしまうといった不具合が生じると共に、生産性を悪化させる要因となる。
【０００５】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板を高多層化、大型化させることなく、また、生産性を悪化させることなく、半導体素子等の電子部品をプリント配線板にフリップチップ実装できる、プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）基板（２０）と、前記基板の一面側に凹状に形成されたキャビティ（４６）と、前記キャビティの底面に凸状に形成された複数のバンプ（１７）と、前記各バンプの頂部及びその近傍が露出された状態で当該各バンプの間隙を埋める絶縁層（２１）と、を有する構成としたことを特徴とするプリント配線板（５０）である。
２）プリント配線板の製造方法において、基板（２０）の一面側に、凸状のバンプ（１７）を複数形成するバンプ形成工程と、前記バンプ形成工程後に、前記一面側に、絶縁性樹脂とシート状の補強材とを有する絶縁層（２１）を形成して当該補強材で前記バンプ上を前記絶縁性樹脂を介して覆う絶縁層形成工程と、前記絶縁層形成工程後に、前記バンプが形成されている領域を含む領域において、前記バンプ上の前記絶縁性樹脂を残して前記補強材を除去する補強材除去工程と、前記補強材除去工程後に、前記残した絶縁性樹脂にレーザ光を照射して当該絶縁性樹脂を除去し、前記バンプを露出させる絶縁性樹脂除去工程と、を有するプリント配線板（５０）の製造方法である。
３）基板（２０）の一面側に凹状に形成されたキャビティ（４６）に電子部品（６０）が収容された電子部品収容基板において、前記基板は、前記キャビティの底面に凸状に形成された複数のバンプ（１７）と、該各バンプの頂部及びその近傍が露出された状態で当該各バンプの間隙を埋める絶縁層（２１）とを有し、前記電子部品は、前記バンプに対応する電極（６２）を有し、前記基板と前記電子部品とは、前記バンプと前記電極とがそれぞれ電気的に接続されてなることを特徴とする電子部品収容基板（１００）である。
４）基板（２０）の一面側に凹状に形成されたキャビティ（４６）に電子部品（６０）が収容された電子部品収容基板の製造方法において、前記一面側に凸状のバンプ（１７）を複数形成するバンプ形成工程と、前記バンプ形成工程後に、前記一面側に、絶縁性樹脂とシート状の補強材とを有する絶縁層（２１）を形成して当該補強材で前記バンプ上を前記絶縁性樹脂を介して覆う絶縁層形成工程と、前記絶縁層形成工程後に、前記バンプが形成されている領域を含む領域において、前記バンプ上の前記絶縁性樹脂を残して前記補強材を除去する補強材除去工程と、前記補強材除去工程後に、前記バンプ上の前記絶縁性樹脂にレーザ光を照射して当該絶縁性樹脂を除去し、前記バンプを露出させる絶縁性樹脂除去工程と、前記絶縁性樹脂除去工程後に、前記バンプに対応する電極（６２）を有する前記電子部品を前記キャビティに収容すると共に、前記電極と前記バンプとをそれぞれ接合する接合工程と、を有する電子部品収容基板（１００）の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係るプリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法によれば、プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板を高多層化、大型化させることなく、また、生産性を悪化させることなく、半導体素子等の電子部品をプリント配線板にフリップチップ実装できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図１６を用いて説明する。
図１〜図１３は、本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第１工程〜第１３工程をそれぞれ説明するための模式的断面図であり、図１４及び図１５は、本発明に係り、上記プリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法の実施例における第１４工程及び第１５工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
【０００９】
＜実施例＞
まず、半導体素子等の電子部品が収容されるキャビティを有するプリント配線板及びその製造方法について、図１〜図１３を用いて説明する。
【００１０】
［第１工程］（図１参照）
主としてコア材２とその両面に設けられた銅箔３ａ，３ｂとからなる両面銅張り板１において、周知の方法により、一方の銅箔３ａを部分的にエッチングして、コア材２が露出してなる開口部４を形成する。
コア材２は、ガラスクロス等のシート状補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させて硬化したものである。図１では、シート状補強材を破線で模式的に示している。
実施例では、コア材２の厚さを０．１ｍｍ、銅箔３ａ，３ｂの厚さをそれぞれ１２μｍとし、開口部４の開口径を８０μｍとした。
【００１１】
［第２工程］（図２参照）
開口部４が形成された範囲におけるコア材２を、例えばレーザ加工により除去して、銅箔３ｂが露出してなる穴部５を形成する。穴部５の穴径は８０μｍである。
【００１２】
［第３工程］（図３参照）
穴部５を埋めるように銅箔３ａ，３ｂの各表面上に導電層６ａ，６ｂを形成する。
導電層６ａ，６ｂは、第２工程を経た両面銅張り板１に、例えば、無電解銅めっき及び電気銅めっきを順次行うことによって形成することができる。
ここで、導電層６ａ，６ｂで埋められた穴部５は、後述する第１の配線層１５と第２の配線層１６とを電気的に接続するためのビア７となる。ビア７の直径は８０μｍである。
実施例では、銅箔３ａ，３ｂの各表面上の導電層６ａ，６ｂの厚さをそれぞれ３０μｍとした。
【００１３】
［第４工程］（図４参照）
コア材２の各表面上の銅箔３ａ，３ｂ及び導電層６ａ，６ｂを、厚さ約３μｍを残してエッチングする。
このエッチングで残した導電薄膜８ａ，８ｂは、後述する第５工程における電気めっき用のめっき導通膜となる。
【００１４】
［第５工程］（図５参照）
フォトリソグラティ法により、一方の導電薄膜８ａ上に、この導電薄膜８ａが露出されてなる複数の開口部１１ａを有するめっきレジストパターン１０ａを形成し、他方の導電薄膜８ｂ上に、この導電薄膜８ｂが露出されてなる開口部１１ｂを有するめっきレジストパターン１０ｂを形成する。
実施例では、一方の導電薄膜８ａ側のめっきレジストの厚さを８０μｍとし、他方の導電薄膜８ｂ側のめっきレジストの厚さを５０μｍとした。
【００１５】
［第６工程］（図６参照）
導電薄膜８ａをめっき導通膜として、導電薄膜８ａ上の開口部１１ａが設けられた範囲に、例えば電気銅めっきを行って、配線パターン１８と柱状の複数の第１の導電部１７とからなる第１の配線層１５を形成し、導電薄膜８ｂをめっき導通膜として、導電薄膜８ｂ上の開口部１１ｂが設けられた範囲に、例えば、電気銅めっきを行って、第２の配線層１６を形成する。
第１の配線層１５及び第２の配線層１６は、一回の電気銅めっきにより、並行して形成することができる。
実施例では、第１の導電部１７が、直径が１１０μｍであり高さが６０μｍである略円柱状となるように、また、第２の配線層１６の厚さが２０μｍとなるように、電気銅めっきの条件を調整した。
【００１６】
［第７工程］（図７参照）
めっきレジストパターン１０ａ，１０ｂを除去し、さらにこの除去によって露出した導電薄膜８ａ，８ｂを除去することによって、第１の配線層１５と第２の配線層１６とがビア７を介して電気的に接続された両面配線板２０を得る。
また、
なお、導電薄膜８ａ，８ｂを除去する際、第１の導電部１７，配線パターン１８，及び第２の配線層１６における表面を含む表面近傍部もそれぞれ除去されて、それぞれの縁部は角が取れて丸みを帯びる。
【００１７】
［第８工程］（図８参照）
まず、第１の配線層１５を覆うように、コア材２上に、第１の絶縁層２１を、周知の方法、例えば真空熱プレス法により形成する。
第１の絶縁層２１は、ガラスクロス等のシート状補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸して硬化させたものであり、この第１の絶縁層２１の形成によって、第１の配線層１５は、絶縁性樹脂を介してシート状補強材で覆われる。
実施例では、第１の絶縁層２１における第１の配線層１５上の厚さを０．２ｍｍとした。
図８では、第１の絶縁層２１におけるシート状補強材を、コア材２におけるシート状補強材と同様に、破線で模式的に示している。
【００１８】
次に、第１の絶縁層２１の所定の範囲に、例えばレーザ加工を施して、配線パターン１８が露出してなる穴部２２を形成する。
その後、穴部２２を埋めるように第１の絶縁層２１上に導電層を形成し、さらに、穴部２２に埋められた導電層を残して、第１の絶縁層２１上の導電層を除去することにより、ビア２３を形成する。
そして、第１の絶縁層２１上に、例えば、上述した第５工程〜第７工程と同様の工程を行って、配線パターン２８と柱状の複数の第２の導電部２７とからなる第３の配線層２５を形成する。
上述した手順により、第１の配線層１５と第３の配線層２５とはビア２３を介して電気的に接続される。
実施例では、ビア２３の直径を８０μｍとし、第２の導電部２７を、直径が１１０μｍであり高さが６０μｍである略円柱状とした。
【００１９】
［第９工程］（図９参照）
上述の第８工程を経た両面配線板２０の第１の絶縁層２１（図９における上側）側に、周知の方法により、第２の絶縁層３１、第４の配線層３２、第３の絶縁層３３、第５の配線層３４、第４の絶縁層３５、及び第６の配線層３６を順次形成する。
第２の絶縁層３１は、ガラスクロス等のシート状補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸して硬化させたものであり、この第２の絶縁層３１の形成によって、第３の配線層２５は、絶縁性樹脂を介してシート状補強材で覆われる。
実施例では、第２の絶縁層３１における第３の配線層２５上の厚さを０．２ｍｍとした。
図９では、第２の絶縁層３１におけるシート状補強材を、コア材２並びに第１の絶縁層２１におけるシート状補強材と同様に、破線で模式的に示している。
【００２０】
また、第８工程を経た両面配線板２０のコア材２側（図９における下側）に、周知の方法により、第５の絶縁層３８、第７の配線層３９、第６の絶縁層４０、及び第８の配線層４１を順次形成する。
第１〜第８の配線層１５，１６，２５，３２，３４，３６，３９，４１は、図示しないビアやスルーホールによって電気的に接続されている。
【００２１】
実施例では、第３〜第６の絶縁層３３，３５，３８，４０を、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を硬化させたものとし、第３の絶縁層３３における第４の配線層３２上の厚さ、第４の絶縁層３５における第５の配線層３４上の厚さ、第５の絶縁層３８における第２の配線層１６上（図９における下側）の厚さ、及び第６の絶縁層４０における第７の配線層３９上（図９における下側）の厚さが、それぞれ７０μｍとなるように、ロールコート法を用いて形成した。
【００２２】
［第１０工程］（図１０参照）
第１の導電部１７及び第２の導電部２７が形成されている領域を含む領域における第４の絶縁層３５及び第３の絶縁層３３と第２の絶縁層３１の一部とを、例えばドリル加工等の機械加工により除去して、凹状の第１のザグリ部４５を形成する。
詳しくは、第１の導電部１７及び第２の導電部２７が形成されている領域を含む領域において、第４の絶縁層３５及び第３の絶縁層３３を除去すると共に、第２の導電部２７が露出しないように第２の導電部２７上の絶縁性樹脂を残して、第２の絶縁層３１におけるシート状補強材を含む領域を除去する。
ドリル加工を用いる場合、図示しないドリル加工機におけるドリルの加工深さを調整することにより、上述した第１のザグリ部４５を形成することができる。
【００２３】
［第１１工程］（図１１参照）
第２の導電部２７が形成されている領域を残して、第１の導電部１７が形成されている領域を含む領域における第１の絶縁層２１の一部を、例えばドリル加工等の機械加工により除去して、凹状の第２のザグリ部４６を形成する。
詳しくは、第２の導電部２７が形成されている領域を残して第１の導電部１７が形成されている領域を含む領域において、第１の導電部１７が露出しないように第１の導電部１７上の絶縁性樹脂を残して、第１の絶縁層２１におけるシート状補強材を含む領域を除去する。
ドリル加工を用いる場合、図示しないドリル加工機におけるドリルの加工深さを調整することにより、上述した第２のザグリ部４６を形成することができる。
【００２４】
［第１２工程］（図１２参照）
上述の第１１工程を経た両面配線板２０における第１のザグリ部４５及び第２のザグリ部４６が形成された範囲に、レーザ光を走査させながら照射してレーザ加工を行い、第１の絶縁層２１及び第２の絶縁層３１をそれぞれ部分的に除去することによって、第１の導電部１７及び第２の導電部２７における各頂部及びその近傍をそれぞれ露出させる。
実施例では、ピーク波長が９．１μｍ〜１０．６μｍの短パルス炭酸ガスレーザによるレーザ加工を行ったが、これに限定させるものではなく、短パルス炭酸ガスレーザに替えて、例えば、エキシマレーザやピーク波長が２６５〜５３３ｎｍのＹＡＧレーザ等を用いることもできる。
【００２５】
ガラスクロス等のシート状補強材は、絶縁性樹脂に比べてレーザ加工性が悪いため、上述した第１１工程及び第１２工程のように、まず、シート状補強材を含む領域をドリル加工等の機械加工により除去し、その後、シート状補強材が除去されて絶縁性樹脂のみとなった領域をレーザ加工により除去することによって、第１の導電部１７及び第２の導電部２７をそれぞれ精度良く露出させることができる。
【００２６】
［第１３工程］（図１３参照）
まず、第１２工程におけるレーザ加工後の残渣を、例えば、過マンガン酸カリウム溶液を用いた酸化処理や、プラズマ処理、ブラスト処理等により除去する。
次に、上述の工程を経た両面配線板２０に、無電解金めっきを行って、第１の導電部１７，第２の導電部２７，第６の配線層３６，及び第８の配線層４１の露出している表面に、金めっき層４８をそれぞれ形成する。
【００２７】
上述した第１工程〜第１３工程により、第１〜第８の配線層１５，１６，２５，３２，３４，３６，３９，４１からなる８層の配線層を有するプリント配線板５０を得る。
プリント配線板５０において、第１のザグリ部４５及び第２のザグリ部４６は、後述する半導体素子６０，７０等の電子部品が収容されるキャビティとなり、金めっき層４８が表面に形成された第１の導電部１７及び第２の導電部２７は、上記電子部品とプリント配線板５０とを電気的に接続するための第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２となる。
【００２８】
また、第１のバンプ５１同士は、第１の絶縁層２１によって互いに絶縁されており、第２のバンプ５２同士は、第２の絶縁層３１によって互いに絶縁されている。即ち、第１の絶縁層２１及び第２の絶縁層３１は、プリント配線板５０に半導体素子６０，７０等の電子部品をフリップチップ実装した際に、アンダーフィルとして機能する。
【００２９】
次に、上述したプリント配線板５０に、後述する半導体素子６０，７０等の電子部品が収容されてなる電子部品収容基板及びその製造方法について、図１４及び図１５を用いて説明する。
【００３０】
［第１４工程］（図１４参照）
まず、半導体基板部６１の一面側に複数の電極６２が形成された電子部品である半導体素子６０を、電極６２と第１のバンプ５１とがそれぞれ互いに対向するように位置合わせした後、プリント配線板５０にフリップチップ実装する。
実施例では、超音波を併用した熱圧着によって、複数の電極６２と複数の第１のバンプ５１とを一度に接合した。
このフリップチップ実装により、半導体素子６０とプリント配線板５０とは、電極６２及び第１のバンプ５１を介して電気的に接続される。
【００３１】
次に、半導体基板部７１の一面側に複数の電極７２が形成された電子部品である半導体素子７０を、電極７２と第２のバンプ５２とがそれぞれ互いに対向するように位置合わせして後、プリント配線板５０にフリップチップ実装する。
実施例では、超音波を併用した熱圧着によって、複数の電極７２と複数の第２のバンプ５２とを一度に接合した。
このフリップチップ実装により、半導体素子７０と多層プリント配線板５０とは、電極７２及び第２のバンプ５２を介して電気的に接続される。
【００３２】
［第１５工程］（図１５参照）
上述の第１４工程を経たプリント配線板５０において、第１のザグリ部４５及び第２のザグリ部４６からなるキャビティに、絶縁性樹脂８０を充填する。
実施例では、液状で未硬化状態の絶縁性樹脂８０を、ディスペンス法を用いて上記キャビティ内に塗布した後、この絶縁性樹脂８０を硬化することによって、上記キャビティに絶縁性樹脂８０を充填した。
【００３３】
上述した第１工程〜第１５工程により、プリント配線板５０のキャビティに２つの半導体素子６０，７０が収容されると共に、フリップチップ実装により、これら半導体素子６０，７０とプリント配線板５０とがそれぞれ電気的に接続されてなる電子部品収容基板１００を得る。
【００３４】
上述した、プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法によれば、プリント配線板のキャビィティ内に複数のバンプを一度に形成することができるので、プリント配線板及びこれを用いた電子部品収容基板を高多層化、大型化させることなく、また、生産性を悪化させることなく、半導体素子等の電子部品をプリント配線板にフリップチップ実装することが可能になる。
【００３５】
また、上述した、プリント配線板及びその製造方法、並びに、このプリント配線板を用いた電子部品収容基板及びその製造方法によれば、プリント配線板におけるバンプ同士が絶縁層によって互いに絶縁されているので、フリップチップ実装に用いられるアンダーフィルを別途設ける必要がない。
【００３６】
＜変形例＞
ここで、上述した実施例の変形例について、図１６を用いて説明する。
図１６は、上述した実施例の変形例について説明するための模式的断面図である。なお、実施例と同じ構成部については、それぞれ同じ符号を付す。
【００３７】
まず、上述した実施例の第１工程〜第１２工程と同様の工程を行う。
次に、第６の配線層３６をめっきレジストで覆った状態で、上述した実施例の第１３工程と同様の工程を行って、第１の導電部１７及び第２の導電部２７の露出している表面に、金めっき層４８をそれぞれ形成する。
金めっき層４８が表面に形成された第１の導電部１７及び第２の導電部２７は、実施例と同様に、電子部品である半導体素子６０，７０とプリント配線板５０とを電気的に接続するための第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２となる。
【００３８】
その後、上述した実施例の第１４工程及び第１５工程と同様の工程を行う。
【００３９】
そして、周知の方法により、第４の絶縁層３５上及び絶縁性樹脂８０上に、第６の配線層３６を覆うように第７の絶縁層９１を形成し、さらにこの第７の絶縁層９１上に第９の配線層９３を形成する。
また、周知の方法により、第６の絶縁層４０上（図１６における下側）に、第８の配線層４１を覆うように第８の絶縁層９２を形成し、さらに、この第８の絶縁層９２上（図１６における下側）に第１０の配線層９４を形成する。
その後、第９の配線層９３及び第１０の配線層９４の各表面に金めっき層９６を形成する。
【００４０】
上述した工程により、変形例の電子部品収容基板１１０を得る。
この電子部品収容基板１１０及びその製造方法によれば、半導体素子６０，７０が収容されたキャビティ上にも配線パターンを形成することができる。
【００４１】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００４２】
例えば、実施例及び変形例では、２つの半導体素子６０，７０をプリント配線板５０のキャビティ内にフリップチップ実装した後、このキャビティ内を絶縁性樹脂８０で埋めたが、これに限定されるものではなく、一方の半導体素子６０をフリップチップ実装した後に第１のザグリ部４５を絶縁性樹脂で埋め、その後、他方の半導体素子７０をフリップチップ実装した後に第２のザグリ部４６を絶縁性樹脂で埋めるようにしてもよい。
この場合、第１のザグリ部４５を埋める絶縁性樹脂と、第２のザグリ部４６を埋める絶縁性樹脂とは、同じものであってもよいし、組成や粘度が異なるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第１工程を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第２工程を説明するための模式的断面図である。
【図３】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第３工程を説明するための模式的断面図である。
【図４】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第４工程を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第５工程を説明するための模式的断面図である。
【図６】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第６工程を説明するための模式的断面図である。
【図７】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第７工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第８工程を説明するための模式的断面図である。
【図９】本発明に係る多層プリント配線板及びその製造方法の実施例における第９工程を説明するための模式的断面図である。
【図１０】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第１０工程を説明するための模式的断面図である。
【図１１】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第１１工程を説明するための模式的断面図である。
【図１２】本発明に係る多層プリント配線板及びその製造方法の実施例における第１２工程を説明するための模式的断面図である。
【図１３】本発明に係るプリント配線板及びその製造方法の実施例における第１３工程を説明するための模式的断面図である。
【図１４】本発明に係る電子部品収容基板及びその製造方法の実施例における第１４工程を説明するための模式的断面図である。
【図１５】本発明に係る電子部品収容基板及びその製造方法の実施例における第１５工程を説明するための模式的断面図である。
【図１６】実施例の変形例を説明するための模式的断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１両面銅張り板、２コア材、３ａ，３ｂ銅箔、４，１１ａ，１１ｂ開口部、５穴部、６ａ，６ｂ導電層、７，２３ビア、８ａ，８ｂ導電薄膜、１０ａ，１０ｂめっきレジストパターン、１５，１６，２５，３２，３４，３６，３９，４１配線層、１７，２７導電部、１８，２８配線パターン、２０両面配線板、２１，３１，３３，３５，３８，４０絶縁層、２２穴部、４５，４６ザグリ部、４８金めっき層、５０多層プリント配線板、５１，５２バンプ、６０，７０半導体素子(電子部品)、６１，７１半導体基板部、６２，７２電極、８０絶縁性樹脂、１００電子部品収容基板

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面側に凹状に形成されたキャビティと、
前記キャビティの底面に凸状に形成された複数のバンプと、
前記各バンプの頂部及びその近傍が露出された状態で当該各バンプの間隙を埋める絶縁層と、
を有する構成としたことを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
プリント配線板の製造方法において、
基板の一面側に、凸状のバンプを複数形成するバンプ形成工程と、
前記バンプ形成工程後に、前記一面側に、絶縁性樹脂とシート状の補強材とを有する絶縁層を形成して当該補強材で前記バンプ上を前記絶縁性樹脂を介して覆う絶縁層形成工程と、
前記絶縁層形成工程後に、前記バンプが形成されている領域を含む領域において、前記バンプ上の前記絶縁性樹脂を残して前記補強材を除去する補強材除去工程と、
前記補強材除去工程後に、前記残した絶縁性樹脂にレーザ光を照射して当該絶縁性樹脂を除去し、前記バンプを露出させる絶縁性樹脂除去工程と、
を有するプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
基板の一面側に凹状に形成されたキャビティに電子部品が収容された電子部品収容基板において、
前記基板は、前記キャビティの底面に凸状に形成された複数のバンプと、該各バンプの頂部及びその近傍が露出された状態で当該各バンプの間隙を埋める絶縁層とを有し、
前記電子部品は、前記バンプに対応する電極を有し、
前記基板と前記電子部品とは、前記バンプと前記電極とがそれぞれ電気的に接続されてなることを特徴とする電子部品収容基板。
【請求項４】
基板の一面側に凹状に形成されたキャビティに電子部品が収容された電子部品収容基板の製造方法において、
前記一面側に凸状のバンプを複数形成するバンプ形成工程と、
前記バンプ形成工程後に、前記一面側に、絶縁性樹脂とシート状の補強材とを有する絶縁層を形成して当該補強材で前記バンプ上を前記絶縁性樹脂を介して覆う絶縁層形成工程と、
前記絶縁層形成工程後に、前記バンプが形成されている領域を含む領域において、前記バンプ上の前記絶縁性樹脂を残して前記補強材を除去する補強材除去工程と、
前記補強材除去工程後に、前記バンプ上の前記絶縁性樹脂にレーザ光を照射して当該絶縁性樹脂を除去し、前記バンプを露出させる絶縁性樹脂除去工程と、
前記絶縁性樹脂除去工程後に、前記バンプに対応する電極を有する前記電子部品を前記キャビティに収容すると共に、前記電極と前記バンプとをそれぞれ接合する接合工程と、
を有する電子部品収容基板の製造方法。

【図１】