プリント配線板
【課題】 接続信頼性の高い電子部品実装用の接続パッドを備えるプリント配線板を提案する。
【解決手段】 パッド６１が、回路５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。ＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図４（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。
【解決手段】 パッド６１が、回路５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。ＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図４（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を搭載するプリント配線板の製造方法に関し、電子部品の金スタッドバンプ等の電極とＡｕ−Ａｕ接続、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film)接続するためのパッドを備えるプリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップをプリント配線板に搭載する際に、ＩＣチップに設けた金スタッドバンプをプリント配線板側の金属被覆されたパッドへ接続させる接続方法が採用されることがある。金スタッドバンプを金属被覆されたパッドへ接続させる際には、両者に十分な圧力を加える必要がある。このため、ＩＣチップがプリント配線板のソルダーレジスト層と接触してしまい、必要とされる圧力を掛けることができず、接続信頼性が低下することがあった。
【０００３】
特許文献１には、Ｓｉ基板に設けた金スタッドバンプをプリント配線板側の金属被覆パッドへ接続させる半導体装置が開示されている。特許文献１では、導体配線がレジスト膜で被覆され、チップ接続用端子の表面にはＮｉ−Ｐ／Ａｕからなるメッキ膜が形成され、Ｓｉ基板側のＡｕバンプ（金スタッドバンプ）と接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１９７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のチップ接続用端子の表面のＮｉ−Ｐ／Ａｕメッキ膜は非常に薄い膜であり、導体配線を被覆するレジスト膜よりも厚みが薄い。このため、チップ接続用端子のＮｉ−Ｐ／Ａｕメッキ膜にＳｉ基板側のＡｕバンプを加圧して接続を図る際に、Ｓｉ基板がレジスト膜と接触することで十分な圧力を付加できず、接続不良が生じることが考えられる。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、接続信頼性の高い実装用パッドを備えるプリント配線板を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本願発明のプリント配線板は、
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁板と、前記絶縁板の第１面に形成されていて、金バンプを有する電子部品を実装するためのパッドと該パッドと繋がっている導体回路とからなる配線と、前記パッドに形成されている金被膜と、からなるプリント配線板において、前記パッドの厚みは前記導体回路の厚みより厚い。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明のプリント配線板では、パッドが導体回路よりも厚みが厚い。このため、ＩＣチップ等の電子部品を実装する際に、電子部品がソルダーレジスト層と接触することがない。したがって、加圧し易くなるので、電子部品とパッドとの接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の多層プリント配線板の断面図及び上面図である。
【図２】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図８】第１実施形態に係る多層プリント配線板の改変例を示す上面図及び断面図である。
【図９】第２実施形態に係る多層プリント配線板の改変例を示す上面図及び断面図である。
【図１０】本発明のプリント配線板の改変例を示す平面図である。
【図１１】第３実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１６】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１７】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１８】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１９】第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２０】第１実施形態に係る多層プリント配線板にＩＣチップを載置した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[実施形態]
[第１実施形態]
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）を参照して、本発明のプリント配線板の構成について説明する。
図１（Ａ）は、多層プリント配線板１０の断面図を示している。多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａ、３６ｄと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填剤３７が充填されている。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａ、３６ｄの上にフィルドビア６０及び導体回路５８の形成された樹脂絶縁層５０と、フィルドビア１６０及び導体回路１５８の形成された樹脂絶縁層１５０とが配設されている。上面側の導体回路１５８の所定位置にはパッド１６１が形成されている。樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面側の該ソルダーレジスト層７０の開口部７１を介して導体回路１５８の一部とパッド１６１が露出され、下面側の開口部７１にバンプ７８が形成されている。
【００１１】
図１（Ｂ）は、多層プリント配線板１０の一部を拡大して示した上面図を示し、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）に示したＡ−Ａ’断面を示している。パッド１６１の厚みは、導体回路１５８よりも厚く形成されており、２〜１０μｍ程度厚く形成されることが好ましい。パッド１６１は、配線板と半導体チップなどの電子部品とが電気的に接続されるために用いられ、必要に応じてパッド表面にAu等の金属膜７４を被覆する。
【００１２】
引き続き、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図２〜図４を参照して説明する。
（１）樹脂から成る絶縁層（図２（Ａ））５０上に、銅等の金属膜５２を形成する（図２（Ｂ））。金属膜は、無電解銅めっきで形成できる。ここで、めっき膜を形成する代わりに、金属箔を貼り付けることもできる。
【００１３】
（２）金属膜５２上に、パッド及び導体回路を形成するための第１のめっきレジスト５４ａを形成し（図２（Ｃ））、電解めっき液に浸漬し、金属膜５２を介して通電し、めっきレジスト非形成部に第１の電解銅めっき膜５６ａを形成する（図２（Ｄ））。
【００１４】
（３）導体回路となる第１の電解銅めっき膜５６ａ上にパッドを形成するための第２のめっきレジスト５５を形成し（図３（Ａ））、電解めっき液に浸漬し、第２のめっきレジスト５５の非形成部の第１の電解銅めっき膜５６ａ上に２〜１０μｍの厚みの第２の電解銅めっき膜５９を形成する（図３（Ｂ））。
【００１５】
（４）第１のめっきレジスト５４ａ及び第２のめっきレジスト５５を剥離し、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８と、第１の電解銅めっき膜５６ａ及び第１の電解銅めっき膜５６ａ上に形成された第２の電解銅めっき膜５９から成るパッド６１とを形成する（図３（Ｃ））。そして、第１のめっきレジスト５４ａ下の金属膜５２をエッチングにより除去する（図３（Ｄ））。これにより、厚みｈ１：１５μｍの導体回路５８と、厚みｈ２：１８〜２５μｍのパッド６１を形成する。
【００１６】
（５）絶縁層５０上に、パッド６１を露出する開口部７１を設け、厚みｈ３：２５〜３５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図４（Ａ））。なお、開口部７１は、パッドのみを露出してもよく、パッドの周辺部を開口させてもよい。
【００１７】
（６）開口部７１から露出するパッド６１に、ニッケル‐金からなる金属被膜７２を形成する（図４（Ｂ））。これにより、プリント配線板１０が完成する。
【００１８】
引き続き、プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載について説明する。
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図４（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載し、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との間にアンダーフィル材ＵＦを充填する。（図４（Ｄ））。別例として、ニッケル‐金からなる金属被膜７２は、図３（Ｂ）で示した電気銅めっき膜５９を形成した後に形成することも可能である。その場合、金属被膜は、パッドの上面にのみ形成されることになる。（図４（Ｅ））。
なお、パッド６１の厚みは、絶縁層７０よりも低くすることが好ましい。絶縁層７０よりも厚いパッド６１を形成することも可能であるが、電子部品の実装位置が高くなるため、軽薄化という点では、絶縁層よりも低くする方が良い。なお、金属被膜７２は、ニッケル、金以外に、パラジウム、白金、銀、鉛、亜鉛、錫から選ばれる金属を用いることができる。
【００１９】
第１実施形態の製造方法に係るプリント配線板では、パッド６１が、第１の電解銅めっき膜５６ａと２〜１０μｍの第２の電解銅めっき膜５９とから成り、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。このため、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、充分な圧力を加えることで金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。また、第１のめっき膜上に第２のめっき膜を形成して厚みを高めるので、エッチングレジストを被覆してエッチングを行い導体回路の厚みを薄くする製造方法と比較して、パッド及び導体回路にサイドエッチングが発生せず、パッド及び導体回路の信頼性を低下させることが無い。
【００２０】
第１実施形態の製造方法の係るプリント配線板では、パッド６１に金属被膜７２が形成され、金スタッドバンプ９１と接続される。パッドの厚みが厚いため、金スタッドバンプ９１がパッド６１へ押しつけられた際に高い圧力が加わるので、接続信頼性を高めることができる。
【００２１】
更に、第１実施形態の製造方法に係るプリント配線板では、金スタッドバンプ９１がパッド６１へ押しつけられた際に、ソルダーレジスト層７０とＩＣチップ９０とが当接しても、パッド６１の厚みが厚く金スタッドバンプ９１へ加わる圧力が高いので、接続信頼性を高めることができる。
【００２２】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図５〜図７を参照して説明する。
（１）樹脂から成る絶縁層（図５（Ａ））５０上に、銅等の金属膜５２を形成する（図５（Ｂ））。金属膜は、無電解銅めっきで形成できる。ここで、めっき膜を形成する代わりに、金属箔を貼り付けることもできる。
【００２３】
（２）金属膜５２上に、パッド及び導体回路を形成するためのめっきレジスト５４ｂを形成し（図５（Ｃ））、電解めっき液に浸漬し、金属膜５２を介して通電し、めっきレジスト非形成部に厚み１８〜２５μｍの電解銅めっき膜５６ｂを形成する（図５（Ｄ））。
【００２４】
（３）パッドとなる電解銅めっき膜５６ｂ上にパッドを形成するためのエッチングレジスト５７を形成し（図６（Ａ））、エッチング液に浸漬し、エッチングレジスト５７の非形成部である導体回路となる電解銅めっき膜５６ｂの表面を厚み２〜１０μｍエッチングする（図６（Ｂ））。
【００２５】
（４）めっきレジスト５４ｂ及びエッチングレジスト５７を剥離し、厚み２〜１０μｍエッチングされた電解銅めっき膜５６ｂから成る導体回路５８と、エッチングされない電解銅めっき膜５６ｂから成るパッド６１とを形成する（図６（Ｃ））。そして、めっきレジスト５４ｂ下の金属膜５２をエッチングにより除去する（図６（Ｄ））。これにより、厚みｈ１：１５μｍの導体回路５８と、厚みｈ２：１８〜２５μｍのパッド６１を形成する。
【００２６】
（５）絶縁層５０上に、パッド６１を露出する開口部７１を設け、厚みｈ３：２５〜３５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図７（Ａ））。
【００２７】
（６）開口７１から露出するパッド６１に、ニッケル‐金からなる金属被膜７２を形成する（図７（Ｂ））。これにより、プリント配線板１０が完成する。
【００２８】
引き続き、プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載について説明する。
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図７（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載し、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との間にアンダーフィル材ＵＦを充填する。（図７（Ｄ））。
【００２９】
第２実施形態の製造方法に係るプリント配線板１０では、パッド６１が、２〜１０μｍ程度エッチングが施される導体回路５８よりも厚みが厚い。このため、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、充分な圧力を加えることで金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。また、エッチングの際に、パッド６１の側面、及び、導体回路５８の側面にはめっきレジスト５４ａが残っているので、パッド６１及び導体回路５８にサイドエッチングが発生しない。このため、サイドエッチングが発生する、エッチングレジストを被覆してエッチングを行い配線の厚みを薄くする製造方法と比較して、パッド及び配線の信頼性を低下させることが無い。
【００３０】
上記第１実施形態及び第２実施形態において説明したプリント配線板に係るパッドは、配線幅とパッド幅が等しいものに限るものではなく、図１０（Ａ）に示すように、矩形形状の複数のパッド６１を、ソルダーレジスト層７０に設けた開口７１により露出させることもできる。また、図１０（Ｂ）のように、略円形形状のパッド６１を設けてもよく、図１０（Ｃ）のように、パッドのみを格子状に形成し、凸部のソルダーレジストから露出させてもよい。
【００３１】
さらに、第１実施形態の変更例として、次のような方法も可能である。図８（Ａ）は、プリント配線板１０上に第２のめっきレジスト５５が形成された上面図であり、図８（Ｂ）と図８（Ｃ）は、それぞれ、図８（Ａ）で示したＨ１−Ｈ１’とＷ１−Ｗ１’の断面図である。第２のめっきレジスト５５が、第１の電解銅めっき膜の幅よりも狭く形成されている。この場合、その後に形成されるパッド６１は、図８（Ｄ）に示すように、導体回路５８よりも縦方向、横方向ともに狭く形成されることになる。
【００３２】
また、第２実施形態の変更例として、次のような方法も可能である。
図９（Ａ）は、第１の電解銅めっき膜上にエッチングレジスト５７が形成された上面図であり、図９（Ｂ）と図９（Ｃ）は、それぞれ、図９（Ａ）で示したＨ２−Ｈ２’とＷ２−Ｗ２’の断面図である。エッチングレジスト５７が、第１の電解銅めっき膜の幅よりも狭く形成されている。この場合、その後に形成されるパッド６１は、図９（Ｄ）に示すように、導体回路５８よりも縦方向、横方向ともに狭く形成されることになる。
【００３３】
[第３実施形態]
本発明の第３実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図１１を参照して説明する。
第１実施形態の（１）〜（４）工程、又は、第２実施形態の（１）〜（４）工程で、絶縁層５０上に回路５８と該回路よりも２〜１０μｍ厚みの厚いパッド６１とを形成する（図１１（Ａ））。そして、絶縁層５０上に、樹脂フィルム中に金属等の導電性粒子を含有する異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film)９８を載置し、プリント配線板１０を完成する（図１１（Ｂ））。
【００３４】
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０のバンプ９２を位置決めし（図１１（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、バンプ９２とパッド６１とをＡＣＦ９８を介して接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載する（図１１（Ｄ））。
【００３５】
第３実施形態のプリント配線板１０では、パッド６１が回路５８よりも厚みが厚いため、ＡＣＦ（異方導電性フィルム）９８を介して、回路５８を短絡させることなく、パッド６１のみバンプ９２へ接続を取ることができる。
【００３６】
[実施例]
[第１実施例]
先ず、本発明の第１実施例に係るビルドアップ多層プリント配線板１０の構成について、図１２〜図２０を参照して説明する。図１９は、該多層プリント配線板１０の断面図を、図２０は、図１９に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を取り付け、ドータボード９４へ載置した状態を示している。図１９に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａ、３６ｄと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填剤３７が充填されている。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａ、３６ｄの上にフィルドビア６０及び導体回路５８の形成された樹脂絶縁層５０と、フィルドビア１６０及び導体回路１５８の形成された樹脂絶縁層１５０とが配設されている。上面側の導体回路１５８の所定位置にはパッド１６１が形成されている。樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面側の該ソルダーレジスト層７０の開口部７１を介してパッド１６１が露出され、下面側の開口部７１にバンプ７８が形成されている。
【００３７】
図２０中に示すように、多層プリント配線板１０の上面側のパッド１６１は、ＩＣチップ９０のバンプ９２へ金スタッドバンプ９１を介して接続される。一方、下側のハンダバンプ７８は、ドータボード９４のランド９６へ接続されている。
【００３８】
引き続き、図２０を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１２〜図１９を参照して説明する。
（１）厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１２（Ａ））。まず、この銅張積層板をドリル削孔して通孔１６を穿設し（図１２（Ｂ））、無電解めっき処理および電解めっき処理（後述するめっき液と条件（工程（１３）、（１５））参照）を施し、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂを形成した（図１２（Ｃ））。通孔１６の開口径は、ドリルの選択により０．１〜０．２５ｍｍΦで形成し、そのピッチは０．１５〜０．５７５ｍｍとした。
【００３９】
（２）スルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂ及び表面に粗化面３６αを形成する（図１２（Ｄ））。
【００４０】
（３）次に、平均粒径１０μｍの銅粒子を含む充填剤３７（タツタ電線製の非導電性穴埋め銅ペースト、商品名：ＤＤペースト）を、スルーホール３６へスクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させる（図１３（Ａ））。これは、スルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上に、印刷法にて塗布することによりスルーホールに充填させ、充填後、乾燥、硬化させる。
【００４１】
引き続き、そして、スルーホール３６からはみ出した充填剤３７を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板３０の表面を平坦化する（図１３（Ｂ）参照）。このようにして、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂと樹脂充填剤３７とが粗化層３６αを介して強固に密着した基板３０を得る。
【００４２】
（４）前記（３）で平坦化した基板３０表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２３を形成する（図１３（Ｃ）参照）。
【００４３】
（５）ついで、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成し、導体回路３４となる部分の厚付け、およびスルーホール３６に充填された充填剤３７を覆う蓋めっき層（スルーホールランド）となる部分を形成する（図１３（Ｄ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 １８０ ｇ／ｌ
硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）
１ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ２
時間 ３０分
温度 室温
【００４４】
（６）導体回路および蓋めっき層となる部分を形成した基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、パターンを有するマスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト２５を形成する（図１３（Ｅ）参照）。
【００４５】
（７）そして、エッチングレジスト２５を形成してない部分のめっき膜２３，２４と銅箔３２を、塩化第２銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去し、さらに、エッチングレジスト２５を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した導体回路３４、および、充填剤３７を覆う蓋めっき層３６ａ、３６ｄを形成する（図１４（Ａ）参照）。所謂テンティング法である。
【００４６】
（８）次に、導体回路３４および充填剤２７を覆う蓋めっき層３６ａ、３６ｄの表面にメック社製のマイクロエッチング剤（ＣＺシリーズ）を使用して粗化層（凹凸層）３４βを形成した（図１４（Ｂ））。
【００４７】
（９）基板の両面に、基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）５０γを基板上に載置し、圧力０．４５ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより樹脂絶縁層５０を形成した（図１４（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で４０分間熱硬化させた。
【００４８】
（１０）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅３〜３０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０〜５．０ｍｍ、１〜３ショットの条件で樹脂絶縁層５０にバイアホール用開口５１を形成した（図１４（Ｄ））。ここで、樹脂絶縁層５０には、バイアホールの底の直径がφ６０μｍになるように、上記レーザ条件を調整した。この結果、蓋めっき層３６ａ，３６ｄ上に形成されたバイアホールの底径はΦ６０μｍとなった。
【００４９】
（１１）フィルドビア用開口５１を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、フィルドビア用開口５１の内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成した（図１５（Ａ））。
【００５０】
（１２）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、樹脂絶縁層の表面およびフィルドビア用開口の内壁面に触媒核を付着させた。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【００５１】
（１３）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し、バイアホール用開口５１の内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された基板を得た（図１５（Ｂ））。
〔無電解めっき条件〕
３４度の液温度で４５分
【００５２】
（１４）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設けた（図１５（Ｃ））。
【００５３】
（１５）ついで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し電解めっき膜５６を形成した（図１６（Ａ））。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
レベリング剤 ５０ ｍｇ／ｌ
光沢剤 ５０ ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ７０ 分
温度 ２２±２ ℃
【００５４】
（１６）さらに、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及びフィルドビア６０とした（図１６（Ｂ））。
【００５５】
（１７）ついで、上記（４）と同様の処理を行い、導体回路５８及びフィルドビア６０の表面に粗化面５８αを形成した。上層の導体回路５８の厚みは１５μｍの厚みであった（図１６（Ｃ））。ただし、上層の導体回路の厚みは、５〜２５μｍの間で形成してもよい。
【００５６】
（１８）上記（９）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の樹脂絶縁層１５０上に、めっきレジスト１５４の非形成部に、無電解めっき膜１５２及び電解めっき膜１５６から成る導体回路１５８及びフィルドビア１６０を形成する（図１６（Ｄ））。
【００５７】
（１９）回路パタンとなる銅めっき膜１５６上にパッドを形成するための第２のめっきレジスト１５５を形成する（図１７（Ａ））。
【００５８】
（２０）電解めっき液に浸漬し、第２のめっきレジスト１５５に非形成部の銅めっき膜１５６上に２〜１０μｍの厚みの電解銅めっき膜１５９を形成する（図１７（Ｂ））。
【００５９】
（２１）めっきレジスト１５４及び第２のめっきレジスト１５５を剥離し、銅めっき膜１５６から成る回路１５８に形成された銅めっき膜１５９から成るパッド１６１を形成する。そして、めっきレジスト１５４下の金属膜１５２をエッチングにより剥離した後、粗化層１６０αを形成する（図１７（Ｃ））。
【００６０】
（２２）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物７０を２５〜３５μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図１８（Ａ））。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０〜３０μｍのソルダーレジストパターン層を形成した。
【００６１】
（２３）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ０．５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した（図１８（Ｂ））。ニッケル−金層以外にも、スズ、貴金属層（金、銀、パラジウム、白金など）の単層を形成してもよい。
【００６２】
（２４）この後、下面側のソルダーレジスト層の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）を形成し、はんだバンプ７８を有する多層プリント配線板を製造した（図１９）。
【００６３】
引き続き、多層プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載及びドータボードへの取り付けについて説明する。
多層プリント配線板１０のパッド１６１に対向させるように、多層プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド１６１との接続を取り、ＩＣチップ９０を多層プリント配線板１０に搭載する。そして、半田バンプ７８を介して多層プリント配線板１０をドータボード９４へ取り付ける（図２０）。
【符号の説明】
【００６４】
１０ プリント配線板、多層プリント配線板
３０ 基板
３６ スルーホール
５０ 樹脂絶縁層
５２ めっき膜
５４ めっきレジスト
５６ 電解めっき膜
５８ 導体回路
６０ フィルドビア
６１ パッド
７０ ソルダーレジスト層
７１ 開口
７８ 半田バンプ
１５２ めっき膜
１５４ めっきレジスト
１５６ めっき膜
１５８ 導体回路
１６０ フィルドビア
１６１ パッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップなどの電子部品を搭載するプリント配線板の製造方法に関し、電子部品の金スタッドバンプ等の電極とＡｕ−Ａｕ接続、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film)接続するためのパッドを備えるプリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップをプリント配線板に搭載する際に、ＩＣチップに設けた金スタッドバンプをプリント配線板側の金属被覆されたパッドへ接続させる接続方法が採用されることがある。金スタッドバンプを金属被覆されたパッドへ接続させる際には、両者に十分な圧力を加える必要がある。このため、ＩＣチップがプリント配線板のソルダーレジスト層と接触してしまい、必要とされる圧力を掛けることができず、接続信頼性が低下することがあった。
【０００３】
特許文献１には、Ｓｉ基板に設けた金スタッドバンプをプリント配線板側の金属被覆パッドへ接続させる半導体装置が開示されている。特許文献１では、導体配線がレジスト膜で被覆され、チップ接続用端子の表面にはＮｉ−Ｐ／Ａｕからなるメッキ膜が形成され、Ｓｉ基板側のＡｕバンプ（金スタッドバンプ）と接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１９７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のチップ接続用端子の表面のＮｉ−Ｐ／Ａｕメッキ膜は非常に薄い膜であり、導体配線を被覆するレジスト膜よりも厚みが薄い。このため、チップ接続用端子のＮｉ−Ｐ／Ａｕメッキ膜にＳｉ基板側のＡｕバンプを加圧して接続を図る際に、Ｓｉ基板がレジスト膜と接触することで十分な圧力を付加できず、接続不良が生じることが考えられる。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、接続信頼性の高い実装用パッドを備えるプリント配線板を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本願発明のプリント配線板は、
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁板と、前記絶縁板の第１面に形成されていて、金バンプを有する電子部品を実装するためのパッドと該パッドと繋がっている導体回路とからなる配線と、前記パッドに形成されている金被膜と、からなるプリント配線板において、前記パッドの厚みは前記導体回路の厚みより厚い。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明のプリント配線板では、パッドが導体回路よりも厚みが厚い。このため、ＩＣチップ等の電子部品を実装する際に、電子部品がソルダーレジスト層と接触することがない。したがって、加圧し易くなるので、電子部品とパッドとの接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の多層プリント配線板の断面図及び上面図である。
【図２】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図８】第１実施形態に係る多層プリント配線板の改変例を示す上面図及び断面図である。
【図９】第２実施形態に係る多層プリント配線板の改変例を示す上面図及び断面図である。
【図１０】本発明のプリント配線板の改変例を示す平面図である。
【図１１】第３実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１６】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１７】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１８】本発明の第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１９】第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２０】第１実施形態に係る多層プリント配線板にＩＣチップを載置した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[実施形態]
[第１実施形態]
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）を参照して、本発明のプリント配線板の構成について説明する。
図１（Ａ）は、多層プリント配線板１０の断面図を示している。多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａ、３６ｄと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填剤３７が充填されている。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａ、３６ｄの上にフィルドビア６０及び導体回路５８の形成された樹脂絶縁層５０と、フィルドビア１６０及び導体回路１５８の形成された樹脂絶縁層１５０とが配設されている。上面側の導体回路１５８の所定位置にはパッド１６１が形成されている。樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面側の該ソルダーレジスト層７０の開口部７１を介して導体回路１５８の一部とパッド１６１が露出され、下面側の開口部７１にバンプ７８が形成されている。
【００１１】
図１（Ｂ）は、多層プリント配線板１０の一部を拡大して示した上面図を示し、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）に示したＡ−Ａ’断面を示している。パッド１６１の厚みは、導体回路１５８よりも厚く形成されており、２〜１０μｍ程度厚く形成されることが好ましい。パッド１６１は、配線板と半導体チップなどの電子部品とが電気的に接続されるために用いられ、必要に応じてパッド表面にAu等の金属膜７４を被覆する。
【００１２】
引き続き、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図２〜図４を参照して説明する。
（１）樹脂から成る絶縁層（図２（Ａ））５０上に、銅等の金属膜５２を形成する（図２（Ｂ））。金属膜は、無電解銅めっきで形成できる。ここで、めっき膜を形成する代わりに、金属箔を貼り付けることもできる。
【００１３】
（２）金属膜５２上に、パッド及び導体回路を形成するための第１のめっきレジスト５４ａを形成し（図２（Ｃ））、電解めっき液に浸漬し、金属膜５２を介して通電し、めっきレジスト非形成部に第１の電解銅めっき膜５６ａを形成する（図２（Ｄ））。
【００１４】
（３）導体回路となる第１の電解銅めっき膜５６ａ上にパッドを形成するための第２のめっきレジスト５５を形成し（図３（Ａ））、電解めっき液に浸漬し、第２のめっきレジスト５５の非形成部の第１の電解銅めっき膜５６ａ上に２〜１０μｍの厚みの第２の電解銅めっき膜５９を形成する（図３（Ｂ））。
【００１５】
（４）第１のめっきレジスト５４ａ及び第２のめっきレジスト５５を剥離し、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８と、第１の電解銅めっき膜５６ａ及び第１の電解銅めっき膜５６ａ上に形成された第２の電解銅めっき膜５９から成るパッド６１とを形成する（図３（Ｃ））。そして、第１のめっきレジスト５４ａ下の金属膜５２をエッチングにより除去する（図３（Ｄ））。これにより、厚みｈ１：１５μｍの導体回路５８と、厚みｈ２：１８〜２５μｍのパッド６１を形成する。
【００１６】
（５）絶縁層５０上に、パッド６１を露出する開口部７１を設け、厚みｈ３：２５〜３５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図４（Ａ））。なお、開口部７１は、パッドのみを露出してもよく、パッドの周辺部を開口させてもよい。
【００１７】
（６）開口部７１から露出するパッド６１に、ニッケル‐金からなる金属被膜７２を形成する（図４（Ｂ））。これにより、プリント配線板１０が完成する。
【００１８】
引き続き、プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載について説明する。
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図４（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載し、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との間にアンダーフィル材ＵＦを充填する。（図４（Ｄ））。別例として、ニッケル‐金からなる金属被膜７２は、図３（Ｂ）で示した電気銅めっき膜５９を形成した後に形成することも可能である。その場合、金属被膜は、パッドの上面にのみ形成されることになる。（図４（Ｅ））。
なお、パッド６１の厚みは、絶縁層７０よりも低くすることが好ましい。絶縁層７０よりも厚いパッド６１を形成することも可能であるが、電子部品の実装位置が高くなるため、軽薄化という点では、絶縁層よりも低くする方が良い。なお、金属被膜７２は、ニッケル、金以外に、パラジウム、白金、銀、鉛、亜鉛、錫から選ばれる金属を用いることができる。
【００１９】
第１実施形態の製造方法に係るプリント配線板では、パッド６１が、第１の電解銅めっき膜５６ａと２〜１０μｍの第２の電解銅めっき膜５９とから成り、第１の電解銅めっき膜５６ａから成る導体回路５８よりも厚みが２〜１０μｍの厚い。このため、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、充分な圧力を加えることで金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。また、第１のめっき膜上に第２のめっき膜を形成して厚みを高めるので、エッチングレジストを被覆してエッチングを行い導体回路の厚みを薄くする製造方法と比較して、パッド及び導体回路にサイドエッチングが発生せず、パッド及び導体回路の信頼性を低下させることが無い。
【００２０】
第１実施形態の製造方法の係るプリント配線板では、パッド６１に金属被膜７２が形成され、金スタッドバンプ９１と接続される。パッドの厚みが厚いため、金スタッドバンプ９１がパッド６１へ押しつけられた際に高い圧力が加わるので、接続信頼性を高めることができる。
【００２１】
更に、第１実施形態の製造方法に係るプリント配線板では、金スタッドバンプ９１がパッド６１へ押しつけられた際に、ソルダーレジスト層７０とＩＣチップ９０とが当接しても、パッド６１の厚みが厚く金スタッドバンプ９１へ加わる圧力が高いので、接続信頼性を高めることができる。
【００２２】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図５〜図７を参照して説明する。
（１）樹脂から成る絶縁層（図５（Ａ））５０上に、銅等の金属膜５２を形成する（図５（Ｂ））。金属膜は、無電解銅めっきで形成できる。ここで、めっき膜を形成する代わりに、金属箔を貼り付けることもできる。
【００２３】
（２）金属膜５２上に、パッド及び導体回路を形成するためのめっきレジスト５４ｂを形成し（図５（Ｃ））、電解めっき液に浸漬し、金属膜５２を介して通電し、めっきレジスト非形成部に厚み１８〜２５μｍの電解銅めっき膜５６ｂを形成する（図５（Ｄ））。
【００２４】
（３）パッドとなる電解銅めっき膜５６ｂ上にパッドを形成するためのエッチングレジスト５７を形成し（図６（Ａ））、エッチング液に浸漬し、エッチングレジスト５７の非形成部である導体回路となる電解銅めっき膜５６ｂの表面を厚み２〜１０μｍエッチングする（図６（Ｂ））。
【００２５】
（４）めっきレジスト５４ｂ及びエッチングレジスト５７を剥離し、厚み２〜１０μｍエッチングされた電解銅めっき膜５６ｂから成る導体回路５８と、エッチングされない電解銅めっき膜５６ｂから成るパッド６１とを形成する（図６（Ｃ））。そして、めっきレジスト５４ｂ下の金属膜５２をエッチングにより除去する（図６（Ｄ））。これにより、厚みｈ１：１５μｍの導体回路５８と、厚みｈ２：１８〜２５μｍのパッド６１を形成する。
【００２６】
（５）絶縁層５０上に、パッド６１を露出する開口部７１を設け、厚みｈ３：２５〜３５μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図７（Ａ））。
【００２７】
（６）開口７１から露出するパッド６１に、ニッケル‐金からなる金属被膜７２を形成する（図７（Ｂ））。これにより、プリント配線板１０が完成する。
【００２８】
引き続き、プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載について説明する。
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし（図７（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載し、ＩＣチップ９０とプリント配線板１０との間にアンダーフィル材ＵＦを充填する。（図７（Ｄ））。
【００２９】
第２実施形態の製造方法に係るプリント配線板１０では、パッド６１が、２〜１０μｍ程度エッチングが施される導体回路５８よりも厚みが厚い。このため、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続を取る際に、ＩＣチップ９０がソルダーレジスト層７０へ接触せず、充分な圧力を加えることで金スタッドバンプ９１とパッド６１との接続信頼性を高めることができる。また、エッチングの際に、パッド６１の側面、及び、導体回路５８の側面にはめっきレジスト５４ａが残っているので、パッド６１及び導体回路５８にサイドエッチングが発生しない。このため、サイドエッチングが発生する、エッチングレジストを被覆してエッチングを行い配線の厚みを薄くする製造方法と比較して、パッド及び配線の信頼性を低下させることが無い。
【００３０】
上記第１実施形態及び第２実施形態において説明したプリント配線板に係るパッドは、配線幅とパッド幅が等しいものに限るものではなく、図１０（Ａ）に示すように、矩形形状の複数のパッド６１を、ソルダーレジスト層７０に設けた開口７１により露出させることもできる。また、図１０（Ｂ）のように、略円形形状のパッド６１を設けてもよく、図１０（Ｃ）のように、パッドのみを格子状に形成し、凸部のソルダーレジストから露出させてもよい。
【００３１】
さらに、第１実施形態の変更例として、次のような方法も可能である。図８（Ａ）は、プリント配線板１０上に第２のめっきレジスト５５が形成された上面図であり、図８（Ｂ）と図８（Ｃ）は、それぞれ、図８（Ａ）で示したＨ１−Ｈ１’とＷ１−Ｗ１’の断面図である。第２のめっきレジスト５５が、第１の電解銅めっき膜の幅よりも狭く形成されている。この場合、その後に形成されるパッド６１は、図８（Ｄ）に示すように、導体回路５８よりも縦方向、横方向ともに狭く形成されることになる。
【００３２】
また、第２実施形態の変更例として、次のような方法も可能である。
図９（Ａ）は、第１の電解銅めっき膜上にエッチングレジスト５７が形成された上面図であり、図９（Ｂ）と図９（Ｃ）は、それぞれ、図９（Ａ）で示したＨ２−Ｈ２’とＷ２−Ｗ２’の断面図である。エッチングレジスト５７が、第１の電解銅めっき膜の幅よりも狭く形成されている。この場合、その後に形成されるパッド６１は、図９（Ｄ）に示すように、導体回路５８よりも縦方向、横方向ともに狭く形成されることになる。
【００３３】
[第３実施形態]
本発明の第３実施形態に係るプリント配線板１０の製造方法について図１１を参照して説明する。
第１実施形態の（１）〜（４）工程、又は、第２実施形態の（１）〜（４）工程で、絶縁層５０上に回路５８と該回路よりも２〜１０μｍ厚みの厚いパッド６１とを形成する（図１１（Ａ））。そして、絶縁層５０上に、樹脂フィルム中に金属等の導電性粒子を含有する異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film)９８を載置し、プリント配線板１０を完成する（図１１（Ｂ））。
【００３４】
プリント配線板１０のパッド６１に対向させるように、プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０のバンプ９２を位置決めし（図１１（Ｃ））、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、バンプ９２とパッド６１とをＡＣＦ９８を介して接続を取り、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０に搭載する（図１１（Ｄ））。
【００３５】
第３実施形態のプリント配線板１０では、パッド６１が回路５８よりも厚みが厚いため、ＡＣＦ（異方導電性フィルム）９８を介して、回路５８を短絡させることなく、パッド６１のみバンプ９２へ接続を取ることができる。
【００３６】
[実施例]
[第１実施例]
先ず、本発明の第１実施例に係るビルドアップ多層プリント配線板１０の構成について、図１２〜図２０を参照して説明する。図１９は、該多層プリント配線板１０の断面図を、図２０は、図１９に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を取り付け、ドータボード９４へ載置した状態を示している。図１９に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面に導体回路３４が形成されている。コア基板３０の表面と裏面とはスルーホール３６を介して接続されている。スルーホール３６は、スルーホールランドを構成する蓋めっき層３６ａ、３６ｄと、側壁導体層３６ｂとから成り、側壁導体層３６ｂの内部には樹脂充填剤３７が充填されている。蓋めっき層（スルーホールランド）３６ａ、３６ｄの上にフィルドビア６０及び導体回路５８の形成された樹脂絶縁層５０と、フィルドビア１６０及び導体回路１５８の形成された樹脂絶縁層１５０とが配設されている。上面側の導体回路１５８の所定位置にはパッド１６１が形成されている。樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面側の該ソルダーレジスト層７０の開口部７１を介してパッド１６１が露出され、下面側の開口部７１にバンプ７８が形成されている。
【００３７】
図２０中に示すように、多層プリント配線板１０の上面側のパッド１６１は、ＩＣチップ９０のバンプ９２へ金スタッドバンプ９１を介して接続される。一方、下側のハンダバンプ７８は、ドータボード９４のランド９６へ接続されている。
【００３８】
引き続き、図２０を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１２〜図１９を参照して説明する。
（１）厚さ０．２〜０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に５〜２５０μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図１２（Ａ））。まず、この銅張積層板をドリル削孔して通孔１６を穿設し（図１２（Ｂ））、無電解めっき処理および電解めっき処理（後述するめっき液と条件（工程（１３）、（１５））参照）を施し、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂを形成した（図１２（Ｃ））。通孔１６の開口径は、ドリルの選択により０．１〜０．２５ｍｍΦで形成し、そのピッチは０．１５〜０．５７５ｍｍとした。
【００３９】
（２）スルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂ及び表面に粗化面３６αを形成する（図１２（Ｄ））。
【００４０】
（３）次に、平均粒径１０μｍの銅粒子を含む充填剤３７（タツタ電線製の非導電性穴埋め銅ペースト、商品名：ＤＤペースト）を、スルーホール３６へスクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させる（図１３（Ａ））。これは、スルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上に、印刷法にて塗布することによりスルーホールに充填させ、充填後、乾燥、硬化させる。
【００４１】
引き続き、そして、スルーホール３６からはみ出した充填剤３７を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板３０の表面を平坦化する（図１３（Ｂ）参照）。このようにして、スルーホール３６の側壁導体層３６ｂと樹脂充填剤３７とが粗化層３６αを介して強固に密着した基板３０を得る。
【００４２】
（４）前記（３）で平坦化した基板３０表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２３を形成する（図１３（Ｃ）参照）。
【００４３】
（５）ついで、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成し、導体回路３４となる部分の厚付け、およびスルーホール３６に充填された充填剤３７を覆う蓋めっき層（スルーホールランド）となる部分を形成する（図１３（Ｄ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 １８０ ｇ／ｌ
硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）
１ ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／ｄｍ２
時間 ３０分
温度 室温
【００４４】
（６）導体回路および蓋めっき層となる部分を形成した基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、パターンを有するマスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト２５を形成する（図１３（Ｅ）参照）。
【００４５】
（７）そして、エッチングレジスト２５を形成してない部分のめっき膜２３，２４と銅箔３２を、塩化第２銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去し、さらに、エッチングレジスト２５を５％ＫＯＨで剥離除去して、独立した導体回路３４、および、充填剤３７を覆う蓋めっき層３６ａ、３６ｄを形成する（図１４（Ａ）参照）。所謂テンティング法である。
【００４６】
（８）次に、導体回路３４および充填剤２７を覆う蓋めっき層３６ａ、３６ｄの表面にメック社製のマイクロエッチング剤（ＣＺシリーズ）を使用して粗化層（凹凸層）３４βを形成した（図１４（Ｂ））。
【００４７】
（９）基板の両面に、基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）５０γを基板上に載置し、圧力０．４５ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより樹脂絶縁層５０を形成した（図１４（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で４０分間熱硬化させた。
【００４８】
（１０）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅３〜３０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０〜５．０ｍｍ、１〜３ショットの条件で樹脂絶縁層５０にバイアホール用開口５１を形成した（図１４（Ｄ））。ここで、樹脂絶縁層５０には、バイアホールの底の直径がφ６０μｍになるように、上記レーザ条件を調整した。この結果、蓋めっき層３６ａ，３６ｄ上に形成されたバイアホールの底径はΦ６０μｍとなった。
【００４９】
（１１）フィルドビア用開口５１を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、フィルドビア用開口５１の内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成した（図１５（Ａ））。
【００５０】
（１２）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、樹脂絶縁層の表面およびフィルドビア用開口の内壁面に触媒核を付着させた。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【００５１】
（１３）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し、バイアホール用開口５１の内壁を含む樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された基板を得た（図１５（Ｂ））。
〔無電解めっき条件〕
３４度の液温度で４５分
【００５２】
（１４）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設けた（図１５（Ｃ））。
【００５３】
（１５）ついで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し電解めっき膜５６を形成した（図１６（Ａ））。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ
レベリング剤 ５０ ｍｇ／ｌ
光沢剤 ５０ ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ2
時間 ７０ 分
温度 ２２±２ ℃
【００５４】
（１６）さらに、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及びフィルドビア６０とした（図１６（Ｂ））。
【００５５】
（１７）ついで、上記（４）と同様の処理を行い、導体回路５８及びフィルドビア６０の表面に粗化面５８αを形成した。上層の導体回路５８の厚みは１５μｍの厚みであった（図１６（Ｃ））。ただし、上層の導体回路の厚みは、５〜２５μｍの間で形成してもよい。
【００５６】
（１８）上記（９）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の樹脂絶縁層１５０上に、めっきレジスト１５４の非形成部に、無電解めっき膜１５２及び電解めっき膜１５６から成る導体回路１５８及びフィルドビア１６０を形成する（図１６（Ｄ））。
【００５７】
（１９）回路パタンとなる銅めっき膜１５６上にパッドを形成するための第２のめっきレジスト１５５を形成する（図１７（Ａ））。
【００５８】
（２０）電解めっき液に浸漬し、第２のめっきレジスト１５５に非形成部の銅めっき膜１５６上に２〜１０μｍの厚みの電解銅めっき膜１５９を形成する（図１７（Ｂ））。
【００５９】
（２１）めっきレジスト１５４及び第２のめっきレジスト１５５を剥離し、銅めっき膜１５６から成る回路１５８に形成された銅めっき膜１５９から成るパッド１６１を形成する。そして、めっきレジスト１５４下の金属膜１５２をエッチングにより剥離した後、粗化層１６０αを形成する（図１７（Ｃ））。
【００６０】
（２２）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物７０を２５〜３５μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図１８（Ａ））。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０〜３０μｍのソルダーレジストパターン層を形成した。
【００６１】
（２３）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ０．５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した（図１８（Ｂ））。ニッケル−金層以外にも、スズ、貴金属層（金、銀、パラジウム、白金など）の単層を形成してもよい。
【００６２】
（２４）この後、下面側のソルダーレジスト層の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）を形成し、はんだバンプ７８を有する多層プリント配線板を製造した（図１９）。
【００６３】
引き続き、多層プリント配線板１０へのＩＣチップの搭載及びドータボードへの取り付けについて説明する。
多層プリント配線板１０のパッド１６１に対向させるように、多層プリント配線板に搭載するＩＣチップ９０の金スタッドバンプ９１を位置決めし、ＩＣチップ９０をプリント配線板１０側に押し当て、金スタッドバンプ９１とパッド１６１との接続を取り、ＩＣチップ９０を多層プリント配線板１０に搭載する。そして、半田バンプ７８を介して多層プリント配線板１０をドータボード９４へ取り付ける（図２０）。
【符号の説明】
【００６４】
１０ プリント配線板、多層プリント配線板
３０ 基板
３６ スルーホール
５０ 樹脂絶縁層
５２ めっき膜
５４ めっきレジスト
５６ 電解めっき膜
５８ 導体回路
６０ フィルドビア
６１ パッド
７０ ソルダーレジスト層
７１ 開口
７８ 半田バンプ
１５２ めっき膜
１５４ めっきレジスト
１５６ めっき膜
１５８ 導体回路
１６０ フィルドビア
１６１ パッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁板と、
前記絶縁板の第１面に形成されていて、金バンプを有する電子部品を実装するためのパッドと該パッドと繋がっている導体回路とからなる配線と、
前記パッドに形成されている金属被膜と、からなるプリント配線板において、
前記パッドの厚みは前記導体回路の厚みより厚い。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記パッドの幅は、前記導体回路の幅は略同一である。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記パッドの厚みは、前記導体回路の厚みより２〜１０μｍ厚い。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板において、さらに、前記絶縁板の第１面と前記配線上に形成されているソルダーレジスト層を有し、前記パッドの厚みは、前記ソルダーレジスト層より薄く、前記導体回路より厚い。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記金属被膜は前記パッド及び前記パッドと繋がっている導体回路の一部に形成されている。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記金属被膜は、Au，Ni，Pd，Pt，Pb，Ag，Sn，Znから選ばれる少なくとも1種からなる。
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有する絶縁板と、
前記絶縁板の第１面に形成されていて、金バンプを有する電子部品を実装するためのパッドと該パッドと繋がっている導体回路とからなる配線と、
前記パッドに形成されている金属被膜と、からなるプリント配線板において、
前記パッドの厚みは前記導体回路の厚みより厚い。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記パッドの幅は、前記導体回路の幅は略同一である。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記パッドの厚みは、前記導体回路の厚みより２〜１０μｍ厚い。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板において、さらに、前記絶縁板の第１面と前記配線上に形成されているソルダーレジスト層を有し、前記パッドの厚みは、前記ソルダーレジスト層より薄く、前記導体回路より厚い。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記金属被膜は前記パッド及び前記パッドと繋がっている導体回路の一部に形成されている。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板において、前記金属被膜は、Au，Ni，Pd，Pt，Pb，Ag，Sn，Znから選ばれる少なくとも1種からなる。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１０−２０６１７０（Ｐ２０１０−２０６１７０Ａ）
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９０２６５（Ｐ２００９−２９０２６５）
【出願日】平成２１年１２月２２日（２００９．１２．２２）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２２日（２００９．１２．２２）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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