メダルセレクタ及び遊技機
【課題】メダルの飲み込みを改善すること。
【解決手段】メダルセレクタには、メダルガイドレール５１を動かしてメダル通路５０ｆを取込状態と返却状態に切り替えるための第１ブロッカーに加え、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させてメダルの進行を阻止するための第２ブロッカーが設けられている。第２ブロッカーに備わるソレノイドは、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合に励磁され、少なくともメダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間において突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させる。突起片５９の突出位置は、メダル通路５０ｆ上において、メダルガイドレール５１とセンサ用窓６２の間で、且つ、突起片５９を突出して停止させたメダル（図中点線）の重心がメダルガイドレール５１の区間Ｌ内に収まる位置に定められている。
【解決手段】メダルセレクタには、メダルガイドレール５１を動かしてメダル通路５０ｆを取込状態と返却状態に切り替えるための第１ブロッカーに加え、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させてメダルの進行を阻止するための第２ブロッカーが設けられている。第２ブロッカーに備わるソレノイドは、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合に励磁され、少なくともメダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間において突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させる。突起片５９の突出位置は、メダル通路５０ｆ上において、メダルガイドレール５１とセンサ用窓６２の間で、且つ、突起片５９を突出して停止させたメダル（図中点線）の重心がメダルガイドレール５１の区間Ｌ内に収まる位置に定められている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メダルセレクタ及び遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
メダルを投入することでゲームを行うことが可能になる遊技機（スロットマシンやビンゴゲーム機等）には、投入されたメダルの検出や選別を行うメダルセレクタが内蔵されている。メダルセレクタは、その内部に形成されたメダル通路を取込状態と返却状態に切り替えることができる。例えば、メダル通路が取込状態の場合、メダルセレクタは、メダル通路を通過するメダルの中から外形等により正規のメダルと非正規のメダルを選別し、正規のメダルのみメダル通路を最後まで通過させて遊技機内に取り込む。非正規のメダルはメダル通路の途中で通路外に排出され、返却口に戻される。一方、メダル通路が返却状態の場合、メダルセレクタは、正規／非正規に係らず、投入された総てのメダルをメダル通路の途中で通路外に排出して返却口に戻す。また、メダルセレクタには、遊技機内に取り込むメダルをカウントするため、メダルの通過を検出するメダルセンサがメダル通路の出口付近に設けられている。
【０００３】
なお、スロットマシンに備わるメダルセレクタでは、主に、クレジット数が最大貯留枚数に到達した場合と、入賞ラインが有効化された状態でスタートレバーが操作された場合に、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える。また、スロットマシンでは、不正行為を防ぐため、入賞ラインが有効化された状態でスタートレバーが操作されると、少なくともリールの回転が停止して新たなメダルの取り込みが許可されるまで、上記メダルセンサによるメダルの検出を無効化している。
【０００４】
例えば特許文献１には、可動ガイド板５１と突起部５３と突出端７２を備え、これらの部材をソレノイド４１によって駆動することでコイン通路１４をコイン受付可能状態とコイン受付不能状態に切り替えるコイン選別装置１０が開示されている。このコイン選別装置１０では、コイン通路１４をコイン受付可能状態にする場合にソレノイド４１を励磁し、可動ガイド板５１を移動させてコイン通路１４の上側の幅を適正なコインが通過できる最小の間隔まで狭めると共に、突起部５３及び突出端７２をコイン通路１４内から退避させる。この場合、適正コインであればその上端部が可動ガイド板５１によって支持されるため、コイン通路１４を最後まで通過することができる。また、このコイン選別装置１０では、コイン通路１４をコイン受付不能状態にする場合にソレノイド４１を非励磁にし、可動ガイド板５１を移動させてコイン通路１４の上側の幅を適正なコインの厚さの２倍以上に広げると共に、突起部５３及び突出端７２をコイン通路１４内に突出させる。この場合、投入された総てのコインは、その上端部が可動ガイド板５１によって支持されず、コイン通路１４の途中で突起部５３と突出端７２により通路外に排出される。
【特許文献１】特開平８−２４４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、メダルセレクタでは、停電や電源がオフの場合にメダルが投入されてもこれを返却できるようにするため、ソレノイドが非励磁の場合にメダル通路を返却状態にし、ソレノイドが励磁されている場合にメダル通路を取込状態にする。つまり、メダル通路を返却状態から取込状態に切り替える場合は、ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えることになる。逆に、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合は、ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることになる。このようにメダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合はソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることになるが、この場合、ソレノイド（電磁石）への電流供給を遮断しても磁力や磁場がすぐにはなくならないので残留磁力や残留磁場の影響を受ける。
【０００６】
また、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合はソレノイドを非励磁にし、復帰バネの付勢力によって可動ガイド板５１等の可動部材を移動させることになる。ここで、復帰バネの付勢力が強ければ、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える際の切替時間を短くすることができるが、この場合は、逆にメダル通路を返却状態から取込状態に切り替える場合に、復帰バネの付勢力に反して可動部材を移動させなければならないのでソレノイドの磁力を強くしなければならない。例えば、スロットマシンの場合、仮に開店時から閉店時まで全く遊技が行われなかったとすると、メダル通路は取込状態のままであるので、その間ずっとソレノイドを励磁し続けなければならない。したがって、１００％デューティサイクルのソレノイド（励磁時間を断続させずに連続励磁が可能なソレノイド）を使用しなければならないので、ソレノイドの磁力を強くすることは装置の大型化やコストアップ、発熱等を招くことから難しく、このため復帰バネの付勢力もそれほど強くすることができない。
【０００７】
以上のような理由から、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合は、メダル通路を返却状態から取込状態に切り替える場合に比べて切り替えに時間を要し、５０〜１００ミリ秒程度の切替時間が必要になる。このため本来であれば返却すべきメダルを誤って取り込んでしまう、所謂「メダルの飲み込み」と呼ばれる現象が生じてしまう。
【０００８】
例えばスロットマシンにおいて、メダルの連続投入中にクレジット数が最大貯留枚数（５０枚）に到達した場合、メダル通路の出口付近において５０枚目として通過を検出したメダルに後続する５１枚目のメダルが、メダル通路の切替動作が間に合わないため返却できず、しかもクレジット数が既に最大貯留枚数になっているため、クレジット数としてもカウントできずにスロットマシンの内部に取り込まれてしまうことがある。また、メダルの連続投入中にスタートレバーが操作された場合、例えばメダルを３枚投入したにも係らず２枚しかベット数としてカウントされず、残りの１枚のメダルが、メダル通路の切替動作が間に合わないため返却できず、しかもメダルセンサによるメダルの検出が既に無効化されているため、クレジット数としてもカウントできずにスロットマシンの内部に取り込まれてしまうことがある。このようにメダルの飲み込みが発生した場合、本来であれば返却すべきメダルがクレジット数としてもカウントされることなく遊技機内に取り込まれてしまうため、遊技者に不利益を及ぼす。
【０００９】
なお、特許文献１には、コイン通路１４をコイン受付不能状態にする場合にソレノイド４１を非励磁にし、可動ガイド板５１を移動させてコイン通路１４の上側の幅を適正なコインの厚さの２倍以上に広げると共に、突起部５３及び突出端７２をコイン通路１４内に突出させる構成が開示されている。しかしながら、可動ガイド板５１と突起部５３と突出端７２はいずれも同じソレノイド４１によって駆動されているので、突起部５３と突出端７２は可動ガイド板５１と同時に動かすことしかできない。また、コイン通路１４をコイン受付可能状態からコイン受付不能状態に切り替える場合、ソレノイド４１を励磁から非励磁に切り替えることになるので、突起部５３と突出端７２をコイン通路内に突出させるのに５０〜１００ミリ秒程度の所要時間が必要になる。このため特許文献１に記載された構成であっても、上述したメダルの飲み込みを防ぐことができない。
【００１０】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、メダルの飲み込みの不具合を改善したメダルセレクタ及びこれを用いた遊技機を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするため添付図面の参照符号等を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００１２】
上述した課題を解決するため、本発明に係るメダルセレクタ（５０）は、投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路（５０ｆ）と、前記メダル通路（５０ｆ）の一部の区間（Ｌ）において当該区間（Ｌ）を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間（Ｌ）を通過するメダルを支持するための支持位置（図８：５１）と、前記区間（Ｌ）においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置（図７：５１）とに移動可能な可動ガイド部材（５１）と、前記可動ガイド部材（５１）を駆動するための第１ソレノイド（５２）及び第１付勢部材（Ｓ）を有し、前記第１ソレノイド（５２）が励磁されることにより前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にしてメダルを前記区間（Ｌ）の下流に通過させ、前記第１ソレノイド（５２）が非励磁にされることにより前記第１付勢部材（Ｓ）の付勢力で前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にしてメダルを前記メダル通路（５０ｆ）から排出する第１ブロッカーと、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（Ｌ）より下流の第１位置（図１２：６２）を通過するメダルを検出する検出部（６３，６４）と、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（Ｌ）より下流で前記第１位置（図１２：６２）より上流の第２位置（図１２：５９）に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置（図１２：５９）で阻止する阻止部材（５９）と、前記阻止部材（５９）を駆動するための第２ソレノイド（５４）及び第２付勢部材（５５）を有し、前記第２ソレノイド（５４）が励磁されることにより前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内に突出させてメダルの進行を前記第２位置（図１２：５９）で阻止し、前記第２ソレノイド（５４）が非励磁にされることにより前記第２付勢部材（５５）の付勢力で前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内から退避させてメダルを前記第２位置（図１２：５９）の下流に通過させる第２ブロッカーとを備え、前記第２位置（図１２：５９）は、前記阻止部材（５９）により進行を阻止したメダルを、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に位置している場合に排出することが可能な位置に定められていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、メダルセレクタには、可動ガイド部材の位置を支持位置と排出位置に切り替えてメダル通路におけるメダルの通過と排出を制御する第１ブロッカーに加え、阻止部材をメダル通路内に突出させてメダルの進行を阻止する第２ブロッカーが設けられている。なお、可動ガイド部材が支持位置に位置する場合はメダル通路が取込状態となり、可動ガイド部材が排出位置に位置する場合はメダル通路が返却状態となる。また、第２位置（阻止部材の突出位置）は、メダル通路上において、可動ガイド部材がメダルを支持可能な区間と、メダルの通過を検出する第１位置の間で、且つ、阻止部材によって進行を阻止したメダルを、可動ガイド部材が排出位置に位置している場合に排出することが可能な位置に定められている。また、第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えて阻止部材をメダル通路内に突出させるのに必要な所要時間は、第１ソレノイドと比較して残留磁力や残留磁場の影響を受けにくいこと等から、第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えて可動ガイド部材を支持位置から排出位置まで移動させるのに必要な所要時間よりも大幅に短い。
したがって、例えば、可動ガイド部材の位置を支持位置にする場合に第１ソレノイドを励磁し、可動ガイド部材の位置を排出位置にする場合に第１ソレノイドを非励磁にする一方、第１ソレノイドが励磁から非励磁に切り替えられて可動ガイド部材が支持位置から排出位置に移動する場合に、可動ガイド部材が支持位置から移動し始めるよりも前の時点で、阻止部材がメダル通路内に突出しているように第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替え、可動ガイド部材が排出位置に移動し終えた後に第２ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えるよう、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御してやれば、可動ガイド部材が支持位置から排出位置まで移動している期間中は、阻止部材がメダル通路内に突出していることになるので、メダルの進行を第１位置の手前で阻止することができる。また、阻止部材により進行を阻止したメダルは、可動ガイド部材が排出位置に移動すると、メダル通路から排出される。よって、メダルの飲み込みの不具合を改善することができると共に、阻止部材により進行を阻止したメダルをメダル通路内に滞留させることなく排出することができる。
【００１４】
なお、上述したメダルセレクタ（５０）において、前記第２位置（図１２：５９）は、前記阻止部材（５９）により進行を阻止したメダルの重心が前記区間（Ｌ）内に収まるように定められていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係るメダルセレクタ（５０）は、投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路（５０ｆ）と、前記メダル通路（５０ｆ）の一部の区間（図２４：Ｌ’）において当該区間（図２４：Ｌ’）を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間（図２４：Ｌ’）を通過するメダルを支持するための支持位置（図８：５１）と、前記区間（図２４：Ｌ’）においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置（図７：５１）とに移動可能な可動ガイド部材（５１）と、前記可動ガイド部材（５１）を駆動するための第１ソレノイド（５２）及び第１付勢部材（Ｓ）を有し、前記第１ソレノイド（５２）が励磁されることにより前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にしてメダルを前記区間（図２４：Ｌ’）の下流に通過させ、前記第１ソレノイド（５２）が非励磁にされることにより前記第１付勢部材（Ｓ）の付勢力で前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にしてメダルを前記メダル通路（５０ｆ）から排出する第１ブロッカーと、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（図２４：Ｌ’）より下流の第１位置（図１２：６２）を通過するメダルを検出する検出部（６３，６４）と、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（図２４：Ｌ’）内の下流部分に定められた第２位置（図２４：５９）に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置（図２４：５９）で阻止する阻止部材（５９）と、前記阻止部材（５９）を駆動するための第２ソレノイド（５４）及び第２付勢部材（５５）を有し、前記第２ソレノイド（５４）が励磁されることにより前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内に突出させてメダルの進行を前記第２位置（図２４：５９）で阻止し、前記第２ソレノイド（５４）が非励磁にされることにより前記第２付勢部材（５５）の付勢力で前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内から退避させてメダルを前記第２位置（図２４：５９）の下流に通過させる第２ブロッカーと、を備えることを特徴とする。
【００１６】
この構成の場合も、例えば、可動ガイド部材の位置を支持位置にする場合に第１ソレノイドを励磁し、可動ガイド部材の位置を排出位置にする場合に第１ソレノイドを非励磁にする一方、第１ソレノイドが励磁から非励磁に切り替えられて可動ガイド部材が支持位置から排出位置に移動する場合に、可動ガイド部材が支持位置から移動し始めるよりも前の時点で、阻止部材がメダル通路内に突出しているように第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替え、可動ガイド部材が排出位置に移動し終えた後に第２ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えるよう、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御してやれば、可動ガイド部材が支持位置から排出位置まで移動している期間中は、阻止部材がメダル通路内に突出していることになるので、メダルの進行を第１位置の手前で阻止することができる。また、阻止部材により進行を阻止したメダルは、可動ガイド部材によって構成される区間内に位置するので、可動ガイド部材が排出位置に移動すると、メダル通路から排出される。よって、メダルの飲み込みの不具合を改善することができると共に、阻止部材により進行を阻止したメダルをメダル通路内に滞留させることなく排出することができる。
【００１７】
また、上述したいずれかのメダルセレクタ（５０）において、前記第１ソレノイド（５２）は、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に励磁され、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に非励磁にされ、前記第２ソレノイド（５４）は、前記第１ソレノイド（５２）が励磁から非励磁に切り替えられて前記可動ガイド部材（５１）が前記支持位置（図８：５１）から前記排出位置（図７：５１）に移動する場合に、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するよりも前の時点で、前記阻止部材（５９）が前記メダル通路（５０ｆ）内に突出しているように非励磁から励磁に切り替えられ、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動し終えた後（図１６：期間Ｐよりも後）に励磁から非励磁に切り替えられることが好ましい。
なお、この構成は、可動ガイド部材が支持位置から排出位置に向けて移動中であっても、可動ガイド部材が排出位置に移動し終える前までは、メダルが可動ガイド部材によって支持され下流に通過可能な場合である。すなわちメダルを排出可能な位置が「排出位置」である場合であり、「排出位置に移動するよりも前の時点」とは、可動ガイド部材が支持位置からまったく移動していない時点と、可動ガイド部材が支持位置から移動を始めた後、メダルを排出可能な位置（排出位置）まで移動していない時点とを含む。
【００１８】
逆に実質的にメダルが排出可能になる位置が可動ガイド部材の移動範囲である支持位置と排出位置の間に存在する場合であれば、上述したいずれかのメダルセレクタ（５０）において、前記第１ソレノイド（５２）は、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に励磁され、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に非励磁にされ、前記第２ソレノイド（５４）は、前記第１ソレノイド（５２）が励磁から非励磁に切り替えられて前記可動ガイド部材（５１）が前記支持位置（図８：５１）から前記排出位置（図７：５１）に移動する場合に、前記可動ガイド部材（５１）が前記支持位置（図８：５１）から移動し始めるよりも前の時点（図１６：期間Ｐよりも前の時点）で、前記阻止部材（５９）が前記メダル通路（５０ｆ）内に突出しているように非励磁から励磁に切り替えられ、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動し終えた後（図１６：期間Ｐよりも後）に励磁から非励磁に切り替えられる構成とすることが望ましい。
【００１９】
なお、第２ソレノイドを励磁する期間は、例えば、第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることが指示された時点から可動ガイド部材が排出位置に移動するまでの期間とすることができる。この場合、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドとして１００％デューティサイクルのものを使用せずに済む。したがって、より磁力の強いソレノイドを第２ソレノイドとして使用することができるから、その分、阻止部材を突出させるのに要する所要時間を短縮することができる。つまり、第２ソレノイドとしてより反応速度の速いソレノイドを採用することができる。また、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドによる消費電力や発熱の影響を抑えられる。
また、第２ソレノイドを励磁する期間は、例えば、第１ソレノイドを非励磁にすることが指示されている期間とすることができる。この場合、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁の関係が単に反転させただけになるので、第２ソレノイドに対する励磁と非励磁の制御が簡素化できる。
【００２０】
また、上述したいずれかのメダルセレクタ（５０）において、外部から供給される一の制御信号に基づいて、前記第１ソレノイド（５２）に供給する第１駆動信号と前記第２ソレノイド（５４）に供給する第２駆動信号を生成する生成回路（８０）をさらに備え、前記生成回路（８０）は、前記制御信号に基づいて、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にさせるように指示する前記第１駆動信号を生成し、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間のうち、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間を含む所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）において前記第２ソレノイド（５４）を励磁させるように指示し、前記所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）以外において前記第２ソレノイド（５４）を非励磁にさせるように指示する前記第２駆動信号を生成する構成であってもよい。
【００２１】
なお、「励磁させるように指示し」とは、駆動信号によってソレノイドに電流を供給し始めることを指し、ソレノイドが十分な磁力を発生させている状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を開始すると瞬間的に磁力を発生するが、電流の供給を開始してから十分な磁力を発生させるまでには、一秒に満たないものの若干の時間がかかる。したがって、電流を供給し始めたのと同時にソレノイドに十分な磁力が発生している訳ではない。
同様に「非励磁にさせるように指示する」とは、駆動信号によってソレノイドへの電流の供給を遮断し始めることを指し、ソレノイドの磁力がなくなった状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を遮断しても磁力が残留し、十分に磁力がなくなるまでには若干の時間がかかる。したがって、電流の供給を遮断し始めたのと同時にソレノイドの磁力がなくなる訳ではない。
【００２２】
この構成によれば、第１ソレノイドに供給する第１駆動信号と第２ソレノイドに供給する第２駆動信号をメダルセレクタ内の生成回路で生成することができる。したがって、遊技機や自動販売機等のメダルセレクタを搭載する機器側では、第１ブロッカーと連動させて第２ブロッカーを動作させるためのプログラムが不要となるため、その分だけメモリ容量の節約を図ることができる。これはスロットマシン等、メモリ容量に比較的余裕のない機器の場合に特に有益である。また、第１ソレノイドに供給する第１駆動信号と第２ソレノイドに供給する第２駆動信号を、外部から供給される一つの制御信号に基づいて生成することができるので、制御部から第１ソレノイド用の制御信号（第１駆動信号）のみを出力する従来の機器に対しても、制御部の出力系統や制御プログラムを変更することなく本発明のメダルセレクタを適用することが可能である。
【００２３】
また、この場合、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間であってもよい。
この場合、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドとして１００％デューティサイクルのものを使用せずに済む。したがって、より磁力の強いソレノイドを第２ソレノイドとして使用することができるから、その分、阻止部材を突出させるのに要する所要時間を短縮することができる。つまり、第２ソレノイドとしてより反応速度の速いソレノイドを採用することができる。また、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドによる消費電力や発熱の影響を抑えられる。
【００２４】
また、この場合、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間であってもよい。
この場合、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁の関係が単に反転させただけになるので、生成回路の構成を簡素化できる。
【００２５】
また、本発明に係る遊技機（１）は、メダルを投入するための投入口（１０）と、請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載されたメダルセレクタ（５０）と、前記区間（Ｌ，Ｌ’）において前記メダル通路（５０ｆ）から排出されたメダルを返却するための返却口（４０ａ）と、前記第１ソレノイド（５２）の励磁及び非励磁と前記第２ソレノイド（５４）の励磁及び非励磁を制御する制御部（７０，８０）と、を備える遊技機（１）であって、前記制御部（７０，８０）は、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にさせるように指示し、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることを指示している期間のうち、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間を含む所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）において前記第２ソレノイド（５４）を励磁させるように指示し、前記所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）以外において前記第２ソレノイド（５４）を非励磁にさせるように指示することを特徴とする。
【００２６】
なお、「励磁させるように指示し」とは、駆動信号によってソレノイドに電流を供給し始めることを指し、ソレノイドが十分な磁力を発生させている状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を開始すると瞬間的に磁力を発生するが、電流の供給を開始してから十分な磁力を発生させるまでには、一秒に満たないものの若干の時間がかかる。したがって、電流を供給し始めたのと同時にソレノイドに十分な磁力が発生している訳ではない。
同様に「非励磁にさせるように指示する」とは、駆動信号によってソレノイドへの電流の供給を遮断し始めることを指し、ソレノイドの磁力がなくなった状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を遮断しても磁力が残留し、十分に磁力がなくなるまでには若干の時間がかかる。したがって、電流の供給を遮断し始めたのと同時にソレノイドの磁力がなくなる訳ではない。
【００２７】
この構成によれば、制御部は、可動ガイド部材の位置を支持位置にする場合に第１ソレノイドを励磁し、可動ガイド部材の位置を排出位置にする場合に第１ソレノイドを非励磁にする一方、第１ソレノイドを非励磁にすることを指示している期間のうち、第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から可動ガイド部材が排出位置に移動するまでの期間を含む所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）において第２ソレノイドを励磁させるように指示し、所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）以外において第２ソレノイドを非励磁にさせるように指示する。したがって、このように第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御することで、可動ガイド部材が支持位置から排出位置まで移動している期間中は、阻止部材がメダル通路内に突出していることになるため、メダルの進行を第１位置の手前で阻止することができる。また、阻止部材により進行を阻止したメダルは、可動ガイド部材が排出位置に移動すると、メダル通路から排出されて返却口に戻される。よって、メダルの飲み込みの不具合を改善することができると共に、阻止部材により進行を阻止したメダルをメダル通路内に滞留させることなく返却することができる。
なお、制御部は、後述する実施形態や変形例１に記載しているように、変換基板８０等のハードウェアを用いて第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御する構成であってもよいし、変形例２や変形例３に記載しているように、ソフトウェア制御によって第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御する構成であってもよい。
【００２８】
また、上述した遊技機（１）において、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間であってもよい。
この場合、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドとして１００％デューティサイクルのものを使用せずに済む。したがって、より磁力の強いソレノイドを第２ソレノイドとして使用することができるから、その分、阻止部材を突出させるのに要する所要時間を短縮することができる。つまり、第２ソレノイドとしてより反応速度の速いソレノイドを採用することができる。また、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドによる消費電力や発熱の影響を抑えられる。
【００２９】
また、上述した遊技機（１）において、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることを指示している期間であってもよい。
この場合、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁の関係が単に反転させただけになるので、制御部の回路構成やソフトウェア制御を簡素化できる。
【００３０】
また、上述した遊技機（１）において、クレジットとして貯留されたメダルの枚数である貯留枚数を管理する貯留装置をさらに備え、前記制御部（７０，８０）は、前記貯留枚数が予め定められた上限値に到達した場合に、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイド（５４）を非励磁から励磁に切り替えることを指示する構成であってもよい。
この構成によれば、メダルの連続投入中に貯留枚数が上限値に到達した場合であっても、メダルの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルを返却口に戻すことができる。なお、クレジットとは、ゲームプレイの権利のことである。例えばスロットマシンでは、メダルを投入する代わりにクレジットを使用することによって、入賞ラインを有効化することができる。また、貯留装置は、例えば後述する実施形態において、メダルセンサ６３，６４によって検出された投入メダルの枚数と、ベット操作によって使用したメダルの枚数（ゲームで消費したメダルの枚数）と、入賞によって払い出されたメダルのうち貯留装置に貯留されるメダルの枚数とに基づいて、貯留枚数（クレジット数）の増減を管理する。
【００３１】
また、上述した遊技機（１）において、可変表示可能な複数の表示列（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）と、前記複数の表示列（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）の可変表示の開始を指示するための開始用操作子（１２）とをさらに備え、前記制御部（７０，８０）は、前記開始用操作子（１２）の操作の受付けが有効な場合に前記開始用操作子（１２）の操作を検知すると、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイド（５４）を非励磁から励磁に切り替えることを指示する構成であってもよい。
この構成によれば、メダルの連続投入中に開始用操作子が操作された場合であっても、メダルの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルを返却口に戻すことができる。なお、「開始用操作子の操作の受付けが有効な場合」とは、例えば後述する実施形態において、投入ベット操作や貯留ベット操作が行われた場合である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、メダルセレクタや遊技機においてメダルの飲み込みの不具合を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る実施の形態を説明する。
なお、以下の実施形態では本発明に係るメダルセレクタをスロットマシンに適用した場合について説明する。
【００３４】
＜１：スロットマシンの外観構成＞
図１は、スロットマシン１の外観を示す斜視図である。
スロットマシン１は、前面が開口した箱状の本体２と、本体２の前面に配置した前面扉３を備える。本体２と前面扉３は、片側で蝶番により固定され開閉できるようになっている。前面扉３は、遊技者によって操作されるボタン類が配置された操作部ＯＰと、リール可変表示装置ＲＬの図柄を視認させるためのリール窓２０やゲームに関する情報が表示される表示器類が配置されたパネル表示部ＤＰと、ゲームの進行状態等を示す画像を表示する液晶表示器類や電飾装置が配置された演出表示部ＴＰと、受皿部ＢＰを備える。
【００３５】
操作部ＯＰには、メダルが投入されるメダル投入口１０と、貯留ベット操作を行うための１枚ベットボタン１１ａ、２枚ベットボタン１１ｂ及び３枚ベットボタン１１ｃと、リールＲ１〜Ｒ３の回転を開始させるためのスタートレバー１２と、左リールＲ１の回転を停止させるための左ストップボタン１３ａと、中リールＲ２の回転を停止させるための中ストップボタン１３ｂと、右リールＲ３の回転を停止させるための右ストップボタン１３ｃが設けられている。
【００３６】
パネル表示部ＤＰには、リール窓２０と、入賞ライン表示器２１と、遊技ガイド表示器２２と、遊技価値情報表示部２３が設けられている。リール窓２０は、１つのリールにつき、３個の連続した図柄をのぞむ透明アクリル板からなり、遊技者は３つのリールで９個分の図柄をリール窓２０を通して目視することができる。このリール窓２０の左側には、入賞ラインＬ１〜Ｌ５（図２）の各々に対応した入賞ライン表示器２１が設けられており、メダルが１枚投入されると入賞ラインＬ１に対応した入賞ライン表示器２１が点灯し、メダルが２枚投入されると入賞ラインＬ１に加えて入賞ラインＬ２及びＬ３に対応した入賞ライン表示器２１が点灯し、メダルが３枚投入されると入賞ラインＬ１〜Ｌ３に加えて入賞ラインＬ４及びＬ５に対応した入賞ライン表示器２１が点灯する。また、遊技の結果、いずれかの入賞ライン上に所定の図柄の組み合わせが成立した場合には、成立した入賞ラインに対応した入賞ライン表示器２１が点滅する。また、リール窓２０の右側には、入賞した場合やゲーム状態に応じて点灯する遊技ガイド表示器２２が設けられている。さらにリール窓２０の下方に設けられた遊技価値情報表示部２３には、クレジット数を表示するクレジット数表示器２３ａと、所定ゲーム中に付与された配当数を累積して獲得枚数の表示を行う獲得枚数表示器２３ｂと、入賞した場合に付与された配当数を表示する配当数表示器２３ｃが設けられている。
また、受皿部ＢＰには、メダル払出口４０ａから排出されたメダルを貯めるメダル受皿４０が設けられている。
【００３７】
＜２：スロットマシンで行われるメダルに関する処理と遊技方法＞
（１）投入ベット処理
スロットマシン１では、メダル投入口１０にメダルを投入することでゲームを行うことが可能になる。１枚目のメダルの投入で入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚目のメダルの投入で入賞ラインをさらに２本（Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚目のメダルの投入で入賞ラインをさらに２本（Ｌ４、Ｌ５）選択して有効化する。このようにメダルを投入して入賞ラインを有効化することを投入ベット操作と言う。
（２）投入クレジット処理
投入ベット操作によって総ての入賞ラインＬ１〜Ｌ５を有効化した後、遊技者がさらにメダルを投入すると、クレジットとして５０枚分までメダルを貯留装置に貯留することができる。貯留したメダルの枚数が５０枚に到達した後、遊技者がさらにメダルを投入した場合、投入したメダルはメダル受皿４０に戻される。なお、貯留装置とは、ゲームを行うために投入されたメダルを電気的又は磁気的に記憶できる装置のことであり、投入されたメダル及び入賞により払い出されたメダルが貯留される。
【００３８】
（３）貯留ベット処理
投入ベット操作の他に、貯留装置に貯留されたクレジットを使用してゲームを開始することができる。この場合、遊技者はベットボタン１１ａ〜１１ｃを操作する。１枚ベットボタン１１ａが押下された場合は入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚ベットボタン１１ｂが押下された場合は入賞ラインを３本（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚ベットボタン１１ｃが押下された場合は入賞ラインを５本（Ｌ１〜Ｌ５）選択して有効化する。このようにベットボタン１１ａ〜１１ｃを操作して入賞ラインを有効化することを貯留ベット操作と言う。また、貯留ベット操作と投入ベット操作を合わせて単にベット操作と言う。
【００３９】
（４）配当クレジット処理
遊技者がスタートレバー１２を操作するとリールＲ１〜Ｒ３の回転が開始され、遊技者がストップボタン１３ａ〜１３ｃのそれぞれを押下すると、押下したストップボタンに対応するリールが停止される。全てのリールＲ１〜Ｒ３が停止したときに、あらかじめ定められた図柄の組み合わせが有効化された入賞ライン上に揃うと入賞となり、図柄の組み合わせ（役）ごとに定められた遊技価値が付与される。付与される遊技価値がメダルの配当である場合、メダルはまず貯留装置にクレジットとして貯留される。
（５）配当払出処理
配当を付与する過程で、貯留されたメダルの枚数が５０枚に到達した場合は、残りのメダルをメダル受皿４０に払い出す。
【００４０】
＜３：メダルセレクタの構成＞
図３は、メダルセレクタ５０の外観を示す斜視図である。
メダルセレクタ５０は前面扉３の裏面に取り付けられている。同図に示すようにメダルセレクタ５０の上面左端には、メダル投入口１０から投入されたメダルをメダルセレクタ５０内に受け入れるための入口５０ａが設けられている。また、メダルセレクタ５０の右側面下部には、スロットマシン１の内部に取り込むメダルを排出するための出口５０ｂが設けられている。メダルセレクタ５０は、大別すると、図中手前側のトップAssy５０ｃと、図中奥側のベースAssy５０ｄに区分され、トップAssy５０ｃには半透明の保護カバー５０ｅが取り付けられている。なお、Assyとは、複数の部品を組み合わせた集合部品（ユニット）のことである。
【００４１】
図４は、トップAssy５０ｃとベースAssy５０ｄを分離した状態を示す斜視図である。トップAssy５０ｃとベースAssy５０ｄとの境界面には、入口５０ａと出口５０ｂをつなぐ下り傾斜したメダル通路５０ｆが形成されている。投入されたメダルは、自重によって入口５０ａから出口５０ｂに向けてメダル通路５０ｆを通過する。メダル通路５０ｆの側面には、メダルとの摩擦を減らすため複数の溝が形成されており、また、メダル通路５０ｆの一部は可動自在なメダルガイドレール５１によって構成されている。なお、５１ａはメダルガイドレール５１の上端部である。
【００４２】
図５は、図４において保護カバー５０ｅを外した状態を示す斜視図である。トップAssy５０ｃには、ベースAssy５０ｄ側に設けられたメダルガイドレール５１を動かしてメダル通路５０ｆを取込状態と返却状態に切り替えるための第１ブロッカーが設けられている。この第１ブロッカー用の構成部品として、第１ソレノイド５２と、アマチュア５３（可動片）と、復帰バネ（図示省略）がトップAssy５０ｃに設けられている。なお、第１ソレノイド５２、アマチュア５３及び復帰バネ（図示省略）からなる組合せを「フラッパーソレノイド」と称することがあり、第１ブロッカー用の構成部品である復帰バネ（図示省略）の位置は、一般的な「フラッパーソレノイド」と同様に図５の符号Ｓの付近に位置する。また、取込状態とは、正規のメダルのみメダル通路５０ｆを最後まで通過させて出口５０ｂから排出し、これをスロットマシン１の内部に取り込む状態のことを指す。また、返却状態とは、正規／不正規に係らず、投入された総てのメダルをメダルガイドレール５１の部分でメダル通路５０ｆから排出し、これをメダル受皿４０に返却する状態のことを指す。
また、トップAssy５０ｃには、飲み込み防止用の突起片（図１１参照）をメダル通路５０ｆ内に突出させてメダルの進行を阻止するための第２ブロッカーが設けられている。この第２ブロッカー用の構成部品として、第２ソレノイド５４と復帰バネ５５がトップAssy５０ｃに設けられている。
【００４３】
図６は、メダルＭがメダル通路５０ｆを通過している状態を示す斜視図である。メダル通路５０ｆが取込状態に切り替えられ、且つ飲み込み防止用の突起片がメダル通路５０ｆ内から退避している場合、正規のメダルＭはメダル通路５０ｆを最後まで通過することができる。この場合、正規のメダルＭは出口５０ｂから排出され、スロットマシン１の内部に取り込まれる。
【００４４】
図７は、第１ソレノイド５２が非励磁の場合、すなわちメダル通路５０ｆが返却状態の場合におけるメダルセレクタ５０の要部断面図である。
第１ソレノイド５２が非励磁の場合、第１ソレノイド５２に取り付けられたアマチュア５３は、不図示の復帰バネからの付勢力によって同図に示す位置をとる。この場合、アマチュア５３の先端部５３ａは、これと対向するメダルガイドレール５１の上端部５１ａと非接触である。また、メダルガイドレール５１は、支点Ａを回転軸として回動自在に取り付けられている。このメダルガイドレール５１には、支点Ａを中心として図中時計方向にメダルガイドレール５１を回転させる付勢力が不図示のバネによって常時加えられている。なお、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂがセレクタベース５８の上端部によって係止されるため、第１ソレノイド５２が非励磁の場合、メダルガイドレール５１は同図に示す位置（排出位置）をとる。
【００４５】
この場合、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂは、図中点線で示すメダル通路５０ｆから離れている。このためメダル通路５０ｆの下端部分（下側の側面部分を含む）が形成されない状態となる。したがって、第１ソレノイド５２が非励磁の場合、正規／非正規に係らず投入された総てのメダルＭは、メダルガイドレール５１の部分まで到達すると、ガイドカバー５７とセレクタベース５８の間の空間に落下し、スロットマシン１の筺体内に設けられた不図示の返却通路を介してメダル受皿４０に返却される。
なお、テンショナー５６は、メダル通路５０ｆにおいてメダルガイドレール５１の部分を通過するメダルＭを検出するための部材である。テンショナー５６は、支点Ｂを回転軸として回動自在に取り付けられており、通過するメダルＭによって図中右方向に押し込まれる。
【００４６】
図８は、第１ソレノイド５２が励磁されている場合、すなわちメダル通路５０ｆが取込状態の場合におけるメダルセレクタ５０の要部断面図である。
第１ソレノイド５２が励磁されると、アマチュア５３は図７に示す位置から図８に示す位置に移動する。この場合、アマチュア５３の先端部５３ａがメダルガイドレール５１の上端部５１ａを図中左方向に押し込むことになるため、メダルガイドレール５１は支点Ａを中心にして図中反時計方向に回転する。したがって、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂによってメダル通路５０ｆの下端部分（下側の側面部分を含む）が形成される。このため第１ソレノイド５２が励磁されている場合、投入されたメダルＭが正規のメダルであれば、直立した状態にあるメダルＭの上端部と下端部の両方が支持されることになる。また、メダルＭによってテンショナー５６が図中右方向に押し込まれる。よって、正規のメダルＭは、メダルガイドレール５１の部分で落下することなく下流に導かれる。
なお、メダル通路５０ｆが取込状態の場合であっても、投入されたメダルＭが小径メダル（非正規のメダル）の場合は、図９に示すように、直立した状態にあるメダルＭの上端部が支持されないことに加え、メダルＭの中心よりも上側の部分にテンショナー５６から図中左方向への押力が加わる。このため図９に点線で示すようにメダルＭは傾き、メダル通路５０ｆから落下してメダル受皿４０に返却される。
【００４７】
このようにメダルセレクタ５０（第１ブロッカー）は、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替わると、メダルガイドレール５１を図８に示す位置（支持位置）に移動させ、正規のメダルＭのみをメダルガイドレール５１の下流に導く。また、メダルセレクタ５０（第１ブロッカー）は、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替わると、メダルガイドレール５１を図７に示す位置（排出位置）に退避させ、投入された総てのメダルＭをメダル通路５０ｆの途中で通路外に排出する。
【００４８】
図１０は、テンショナー５６とアクチュエータ型センサ６０について説明するための斜視図である。前述したようにテンショナー５６は支点Ｂを中心にして回動自在である。メダルＭが通過していない場合、テンショナー５６は図１０（Ａ）に示す位置をとる。一方、メダルＭが通過している場合、テンショナー５６は、図１０（Ｂ）に示すようにメダルＭによって図中手前側に押し込まれる。アクチュエータ型センサ６０は、メダルガイドレール５１の部分を通過するメダルＭをテンショナー５６の回動によって検出する。このアクチュエータ型センサ６０は、後述する図１４にも示すように、メダルＭがテンショナー５６の部分を通過中の期間においてＬｏｗレベルとなり、メダルＭがテンショナー５６の部分を非通過の期間においてＨｉレベルとなる検出信号１を出力する。なお、図１０に示すテンショナー５６とアクチュエータ型センサ６０は、いずれもトップAssy５０ｃの構成部品である。また、アクチュエータ型センサ６０は不図示のバネを備えており、メダルＭが通過していない場合には、そのバネの付勢力によって図７に示す位置にテンショナー５６を維持させている。
【００４９】
図１１は、第２ブロッカー（第２ソレノイド５４，復帰バネ５５）と突起片５９について説明するための斜視図である。第２ソレノイド５４が励磁されると、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出する。具体的には、メダルの厚み方向に沿って棒状の円柱体である突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出する。この場合、同図に示すようにメダル通路５０ｆを通過中のメダルＭは、突起片５９によって進行を阻止され停止する。一方、第２ソレノイド５４が非励磁になると、復帰バネ５５の付勢力によって突起片５９がメダル通路５０ｆの外に退避する。この場合、メダル通路５０ｆを通過中のメダルＭは、突起片５９によって進行を阻止されることなく下流の出口５０ｂに導かれる。なお、図１１に示す第２ブロッカー（第２ソレノイド５４，復帰バネ５５）、突起片５９、アマチュア５３、テンショナー５６、アクチュエータ型センサ６０は、いずれもトップAssy５０ｃの構成部品である。
【００５０】
図１２は、突起片５９の突出位置について説明するための断面図である。
メダル通路５０ｆの出口５０ｂ付近には、２個のセンサ用窓６１，６２がメダルＭの進行方向に沿って並んで設けられている。図１２には図示していないが、メダルセレクタ５０には、センサ用窓６１の部分を通過したメダルＭを検出するメダルセンサ６３（図１３）と、センサ用窓６２の部分を通過したメダルＭを検出するメダルセンサ６４（図１３）が設けられている。なお、このようにメダルセンサ６３，６４を２個設けているのは、糸吊りやクレマンゴト（メダルＭを投入せずに、不正な冶具によってクレジットを投入すること）等の不正行為を防ぐためである。メダルセンサ６３は、後述する図１４にも示すように、メダルＭがセンサ用窓６１の部分を通過中の期間においてＬｏｗレベルとなり、メダルＭがセンサ用窓６１の部分を非通過の期間においてＨｉレベルとなる検出信号２を出力する。同様に、メダルセンサ６４は、後述する図１４にも示すように、メダルＭがセンサ用窓６２の部分を通過中の期間においてＬｏｗレベルとなり、メダルＭがセンサ用窓６２の部分を非通過の期間においてＨｉレベルとなる検出信号３を出力する。また、詳細については後述するが、スロットマシン１のメイン制御基板では、メダルセンサ６３からの検出信号２とメダルセンサ６４からの検出信号３に基づいて、投入メダルの枚数をカウントする。
【００５１】
また、図１２においてセンサ用窓６２が、投入メダルの枚数をカウントするカウント位置（第１位置）になる。すなわち、図中Ｍ１として示す位置にメダルＭが到達し、検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わると、このメダルＭが投入メダルの枚数としてカウントされる。突起片５９の突出位置は、このカウント位置（センサ用窓６２）よりも上流で、メダルガイドレール５１よりも下流に設けられる。なお、メダルＭの連続投入中にクレジット数が最大貯留枚数（５０枚）に到達した場合、例えば同図において５０枚目としてカウントしたメダルＭ１に後続する５１枚目のメダルＭ２の進行を突起片５９によって阻止する必要がある。この際、カウント位置において５０枚目のメダルＭ１をカウントしてから、第２ソレノイド５４への励磁を開始して突起片５９を突出し終えるまでの遅延時間をΔｔとすると、この遅延時間Δｔの分だけ５１枚目のメダルＭ２が下流に移動することになるから、この移動距離を加味して突起片５９の突出位置が設定される。
【００５２】
また、突起片５９の突出位置は、突起片５９を突出することで図中点線で示す位置に停止させたメダルＭの重心（中心）がメダルガイドレール５１の区間Ｌ内に収まるように設定される。このため突起片５９により停止させたメダルＭは、メダルガイドレール５１が排出位置に移動すると、メダル通路５０ｆから落下してメダル受皿４０に返却される。このように突起片５９の突出位置は、メダルガイドレール５１とセンサ用窓６２の間で、且つ、突起片５９により停止させたメダルＭ（図中点線）の重心がメダルガイドレール５１の区間Ｌ内に収まる位置に定められる。また、突出片５９の断面形状は、図中に示すように円形である。
【００５３】
＜４：スロットマシンの電気的構成＞
図１３は、スロットマシン１の電気的構成を示す要部ブロック図である。
スロットマシン１は、ＣＰＵやＲＯＭ等を備えたメイン制御基板７０と、変換基板８０と、メダルセレクタ５０を備える。メイン制御基板７０は、３つのリールＲ１〜Ｒ３を用いて行われるゲームの全般を制御する。また、メイン制御基板７０は、メダルセンサ６３，６４からの検出信号２，３に基づいて、メダルＭがカウント位置（センサ用窓６２）を通過したことを検出する。図１４に正規のメダルＭがメダル通路５０ｆを最後まで通過した場合のアクチュエータ型センサ６０及びメダルセンサ６３，６４の信号波形を示す。メイン制御基板７０は、例えば、メダルセンサ６３からの検出信号２がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わると共に、メダルセンサ６４からの検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わると、検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わったタイミングＴａで、新たなメダルＭがカウント位置を通過したことを検出する。また、このようにしてメダルＭの通過を検出すると、メイン制御基板７０は投入ベット処理や投入クレジット処理を行う。
【００５４】
また、メイン制御基板７０は、変換基板８０を介して第１ソレノイド５２及び第２ソレノイド５４の励磁／非励磁を制御する。例えば、メイン制御基板７０は、投入ベット操作や貯留ベット操作によって１以上の入賞ラインが有効化された状態でスタートレバー１２の操作を検知した場合や、クレジット数が５０枚に到達した場合に、第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に、第２ソレノイド５４を非励磁から励磁に切り替えることを指示する。変換基板８０は、メダルセンサ６３，６４からの検出信号２，３をメイン制御基板７０に供給すると共に、メイン制御基板７０からの駆動制御信号に基づいて、第１ソレノイド５２を駆動するための駆動信号１と、第２ソレノイド５４を駆動するための駆動信号２を生成する。
【００５５】
例えば、メイン制御基板７０は、第１ソレノイド５２を励磁することを指示する期間においてＬｏｗレベルとなり、第１ソレノイド５２を非励磁にすることを指示する期間においてＨｉレベルとなる駆動制御信号を変換基板８０に出力しており、変換基板８０では、この駆動制御信号を適宜増幅して第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１を生成する。また、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２は、駆動制御信号をベースにパルス生成回路８１で生成される。パルス生成回路８１は、例えば図１５に示すように、駆動信号１の立下りエッジに同期して３００ミリ秒だけＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成する。このタイミングＴｃからタイミングＴｄまでの３００ミリ秒の期間が、第２ソレノイド５４を励磁することを指示する期間となる。
なお、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合、第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替えることを指示してから、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えるまでに５０〜１００ミリ秒程度の時間がかかるため、これにマージンを加えて駆動信号２がＬｏｗレベルとなる期間を３００ミリ秒に設定している。
【００５６】
図１６は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合の第１ブロッカーと第２ブロッカーの動作を示すタイミングチャートである。例えば、クレジット数が５０枚に到達した場合や、１以上の入賞ラインが有効化された状態でスタートレバー１２の操作を検知した場合等、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替えなければならないことを検知したタイミングをＴｃとしたとき、このタイミングＴｃの時点で第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替える指示を与えても、メダルガイドレール５１を排出位置に移動し終えるまでには５０〜１００ミリ秒程度の時間がかかる。また、同図に示すようにメダルガイドレール５１は、タイミングＴｃの時点から移動を開始するのではなく、タイミングＴｃから少し遅れたタイミングで支持位置から排出位置に移動し始める。これは、［発明が解決しようとする課題］にも記載しているように、第１ソレノイド５２は、残留磁力や残留磁場の影響を受けることに加え、１００％デューティサイクルのものを使用しなければならず、復帰バネの付勢力をそれほど強くすることができないためである。したがって、この５０〜１００ミリ秒程度の切替時間がメダルＭの飲み込みを発生させる要因となる。
【００５７】
しかしながら、本実施形態に係るメダルセレクタ５０には、メダル通路５０ｆ内に突起片５９を突出させてメダルＭの進行を阻止する第２ブロッカーが設けられている。また、この第２ブロッカーに備わる第２ソレノイド５４は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える際に、タイミングＴｃからタイミングＴｄまでの３００ミリ秒だけ励磁する旨の指示がなされ、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させる。つまり、第２ソレノイド５４は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える際に、非励磁から励磁に切り替わるため残留磁力や残留磁場の影響を受けない。また、第２ソレノイド５４は、３００ミリ秒しか励磁しなくてよいので１００％デューティサイクルのものを使用する必要がなく、その分だけ磁力の強いソレノイドを使用することができる。このため同図に示すように、第２ブロッカーは、タイミングＴｃの時点で第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる指示がなされると、４〜１０ミリ秒程度で突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させ、メダルＭの進行を阻止することができる。したがって、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出された状態になっている。
【００５８】
よって、従来であれば飲み込まれていたメダルＭを図１２に点線で示した位置で停止させることができる。また、このようにして突起片５９により停止させたメダルＭは、タイミングＴｃから５０〜１００ミリ秒が経過し、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えると、メダル通路５０ｆから排出されてメダル受皿４０に返却される。よって、メダルＭの飲み込みを防ぐことができると共に、突起片５９により停止させたメダルＭをメダル通路５０ｆ内に滞留させることなく返却することができる。
【００５９】
また、第２ソレノイド５４は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合に３００ミリ秒程度励磁されるだけであるので、例えばメダル通路５０ｆを返却状態にしている期間において絶えず第２ソレノイド５４を励磁している構成と比較した場合に、消費電力を低減できると共に第２ソレノイド５４による発熱の影響を抑えられる。
また、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１と第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２を変換基板８０で生成しているので、スロットマシン１（メイン制御基板７０）では、第１ブロッカーと連動させて第２ブロッカーを動作させるための制御プログラムが不要となり、その分だけＲＯＭ容量の節約を図ることができる。さらに、変換基板８０では、第１ソレノイド５２用の一つの駆動制御信号に基づいて、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１と第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２を生成することができるので、第１ソレノイド５２用の駆動制御信号のみをメイン制御基板から出力する従来のスロットマシンに対しても、メイン制御基板の出力系統や制御プログラムを変更することなく、本発明のメダルセレクタ５０を適用することが可能である。
【００６０】
＜５：スロットマシンの動作＞
メイン制御基板７０に備わるＣＰＵは、スロットマシン１の主電源が投入されると、初期化処理を行った後、図１７及び図１８に示す処理を実行する。なお、初期化処理では、クレジット数をゼロにセットすると共に、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＬｏｗレベルにする。したがって、図１７及び図１８に示す処理を開始する段階で、第１ソレノイド５２は励磁されており、メダル通路５０ｆは取込状態になっている。また、第２ソレノイド５４は非励磁であり、突起片５９はメダル通路５０ｆの外に退避した状態になっている。
【００６１】
ステップＳ１１：ＣＰＵは、検出信号２，３に基づいて新たなメダルＭがカウント位置（センサ用窓６２）を通過したか否かを判定し、通過していないと判定した場合はステップＳ１５に進む。
ステップＳ１２：ＣＰＵは、ベット数が最大枚数（３枚）に到達しているか否かを判定し、到達していると判定した場合はステップＳ２０に進む。
ステップＳ１３：ＣＰＵは投入ベット処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、１枚目のメダルＭであれば入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚目のメダルＭであれば入賞ラインをさらに２本（Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚目のメダルＭであれば入賞ラインをさらに２本（Ｌ４、Ｌ５）選択して有効化する。
ステップＳ１４：ＣＰＵは、ベットフラグの値を“１”にセットしてステップＳ２３に進む。
【００６２】
ステップＳ１５：ＣＰＵは、１枚ベットボタン１１ａと２枚ベットボタン１１ｂと３枚ベットボタン１１ｃのいずれかが操作されたか否かを判定し、いずれも操作されていないと判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ１６：ＣＰＵは、ベット数が最大枚数（３枚）に到達しているか否かを判定し、到達していると判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ１７：ＣＰＵは、操作されたベットボタンに対応するクレジット数が残っているか否かを判定し、残っていないと判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ１８：ＣＰＵは貯留ベット処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、１枚ベットボタン１１ａが押下された場合は入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚ベットボタン１１ｂが押下された場合は入賞ラインを３本（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚ベットボタン１１ｃが押下された場合は入賞ラインを５本（Ｌ１〜Ｌ５）選択して有効化する。また、ＣＰＵは、貯留ベット処理で使用した分だけクレジット数を減算する。
ステップＳ１９：ＣＰＵは、ベットフラグの値を“１”にセットしてステップＳ２３に進む。
【００６３】
ステップＳ２０：ＣＰＵはクレジット加算処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、ベット数が最大枚数（３枚）に到達している状態で新たなメダルＭがカウント位置（センサ用窓６２）を通過したことを検出すると、これをクレジット数に加算する。
ステップＳ２１：ＣＰＵは、クレジット数が５０枚に到達しているか否かを判定し、到達していないと判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ２２：ＣＰＵは、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えた後、ステップＳ２３に進む。このステップＳ２２に示す処理により、クレジット数が５０枚に到達した場合に、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際、図１６に示したように、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にクレジット数が５０枚に到達した場合であっても、５０枚目としてカウントしたメダルＭに後続する５１枚目以降のメダルＭを、飲み込みことなくメダル受皿４０に返却することができる。
【００６４】
ステップＳ２３：ＣＰＵは、スタートレバー１２が操作されたか否かを判定し、操作されていないと判定した場合はステップＳ１１に戻る。
ステップＳ２４：ＣＰＵは、ベットフラグの値が“１”であるか否かを判定し、“１”でないと判定した場合はステップＳ１１に戻る。但し、メダルセンサ６３とメダルセンサ６４の一方以上がメダルＭの通過を検出しているときに、スタートレバー１２に対する操作に応じて、突出片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させてしまうと、メダルＭに突出片５９が衝突してしまう場合がある。したがって、メダルセンサ６３とメダルセンサ６４の一方以上がメダルＭの通過を検出しているときは、例外的にスタートレバー１２の操作を受付けず、メダルセンサ６３とメダルセンサ６４の両方がメダルＭの通過を検出しなくなった時点（検出信号２，３がともにＨｉレベルになった時点）から、スタートレバー１２が操作されたか否かの判定を再開する。
【００６５】
ステップＳ２５：ＣＰＵは、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えた後、遊技処理を開始する。このステップＳ２５に示す処理により、１以上の入賞ラインが有効化された状態でスタートレバー１２の操作を検知した場合に、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際も、図１６に示したように、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にスタートレバー１２が操作された場合についても、メダルＭの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルＭをメダル受皿４０に戻すことができる。
【００６６】
ステップＳ２６：ＣＰＵは遊技処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、リールＲ１〜Ｒ３の回転を開始させ、遊技者がストップボタン１３ａ〜１３ｃのそれぞれを押下すると、押下したストップボタンに対応するリールを停止させる。なお、全てのリールＲ１〜Ｒ３が停止したときに、あらかじめ定められた図柄の組み合わせが有効化された入賞ライン上に揃うと入賞となり、図柄の組み合わせ（役）ごとに定められた遊技価値が付与される。
ステップＳ２７：ＣＰＵは配当付与処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、遊技の結果、有効化された入賞ライン上に役が成立して入賞していた場合は、役ごとに設定した遊技価値を付与する。付与される遊技価値がメダルＭの配当である場合、ＣＰＵは、まず、配当されるメダルＭを貯留装置に貯留し、クレジット数としてカウントする（配当クレジット処理）。また、配当を付与する過程でクレジット数が５０枚に到達した場合は、残りのメダルＭをメダル受皿４０に払い出す（配当払出処理）。
【００６７】
ステップＳ２８：ＣＰＵは、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替えた後、ステップＳ１１に戻る。このステップＳ２８に示す処理により、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替えられ、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられる。なお、第２ソレノイド５４は、ステップＳ２２やステップＳ２５で駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えてから３００ミリ秒後に、励磁から非励磁に切り替えられる指示が与えられている。このためステップＳ２８の時点では、既に突起片５９がメダル通路５０ｆ内から退避している。したがって、ステップＳ２８に示す処理により新たなメダルＭの取り込みが可能になる。
【００６８】
＜６：変形例＞
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下に述べる変形が可能である。
［変形例１］
上述した実施形態では、パルス生成回路８１において、駆動信号１の立下りエッジに同期して３００ミリ秒だけＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成する場合について説明したが（図１５）、パルス生成回路８１は、図１９に示すように、駆動信号１がＬｏｗレベルの場合にＨｉレベルとなり、駆動信号１がＨｉレベルの場合にＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成する構成であってもよい。この場合、第２ソレノイド５４として１００％デューティサイクルのものを使用しなければならないが、単に駆動信号１の信号波形を反転すればよいだけなのでパルス生成回路８１をインバータのみで構成することができる。よって、パルス生成回路８１の部品点数を減らし、パルス生成回路８１の回路構成を簡素化できる。なお、図１９においても駆動信号２がＬｏｗレベルとなる期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまでの期間）が、第２ソレノイド５４を励磁することを指示する期間となる。
また、要は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいて突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出できていればよいので、上述した実施形態において、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの所要時間以上であればよく、３００ミリ秒以下であってもよい。また、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は、駆動信号１の立下りエッジに同期していなくてもよい。
【００６９】
［変形例２］
図１７及び図１８に示したフローチャートにおいて、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに図２０に示す処理を行うと共に、ステップＳ２８の代わりに図２１に示す処理を行う構成としてもよい。この場合、変換基板８０を備えずともソフトウェア制御によって、図１５に示した駆動信号１と駆動信号２を生成することができる。
【００７０】
図２０は、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ３１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。
ステップＳ３２：ＣＰＵは、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。
このステップＳ３１及びＳ３２に示す処理により、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際、図１６に示したように、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にクレジット数が５０枚に到達した場合や、メダルＭの連続投入中にスタートレバー１２が操作された場合であっても、メダルＭの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルＭをメダル受皿４０に戻すことができる。
【００７１】
ステップＳ３３：ＣＰＵは、タイマカウンタを用いて時間計測を開始する。
ステップＳ３４：ＣＰＵは、計測時間が３００ミリ秒に到達したか否かを判定し、到達していない場合は計測時間が３００ミリ秒に到達するまで待機する。
ステップＳ３５：ＣＰＵは、計測時間が３００ミリ秒に到達すると、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。このステップＳ３５に示す処理により、第２ソレノイド５４が励磁から非励磁に切り替えられ、突起片５９がメダル通路５０ｆの外に退避する。
【００７２】
図２１は、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。このステップＳ４１に示す処理により、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替えられる。よって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられ、新たなメダルＭの取り込みが可能になる。
【００７３】
［変形例３］
図１７及び図１８に示したフローチャートにおいて、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに図２２に示す処理を行うと共に、ステップＳ２８の代わりに図２３に示す処理を行う構成としてもよい。この場合、変換基板８０を備えずともソフトウェア制御によって、図１９に示した駆動信号１と駆動信号２を生成することができる。
【００７４】
図２２は、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ５１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。
ステップＳ５２：ＣＰＵは、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。
このステップＳ５１及びＳ５２に示す処理により、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にクレジット数が５０枚に到達した場合や、メダルＭの連続投入中にスタートレバー１２が操作された場合であっても、メダルＭの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルＭをメダル受皿４０に戻すことができる。
【００７５】
図２３は、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ６１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。
ステップＳ６２：ＣＰＵは、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。
このステップＳ６１及びＳ６２に示す処理により、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が励磁から非励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが返却状態から取込状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆの外に退避し、新たなメダルＭの取り込みが可能になる。
【００７６】
［変形例４］
上述した実施形態では、図１４に示すように、メダルセンサ６４からの検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わったタイミングＴａで、新たなメダルＭをカウントする構成を例示したが、例えば、クレジット数が５０枚目のメダルＭをカウントする際には、図１４にＴｂとして示すタイミングでカウントを行い、さらにこのタイミングＴｂで駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えるようにしてもよい。この場合、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替えるタイミングと、突起片５９を突出させるタイミングをタイミングＴａからタイミングＴｂに前倒しすることができる。
【００７７】
［変形例５］
上述した実施形態では、可動ガイド部材として、直立した状態にあるメダルＭの下端部分を支持するメダルガイドレール５１を例示したが、可動ガイド部材は、特許文献１に記載された可動ガイド板５１のように、コイン通路１４の上側の幅を調整し、直立した状態にあるコインの上端部分を支持するものであってもよい。また、メダルを直立させた状態ではなく、やや斜めに傾かせた状態で下流に通過させるメダル通路の場合は、メダルが下流に通過できるようメダルの側面部分を支持する可動ガイド部材を設けてもよい。
【００７８】
［変形例６］
上述した実施形態では、糸吊りやクレマンゴト等の不正行為を防ぐためメダルセンサを２個備えた構成を例示したが、メダルセンサの個数は１個であってもよいし、３個以上であってもよい。また、本発明はスロットマシンに限定されず、メダルを投入することでゲームを行うことが可能になる各種の遊技機に適用可能である。また、本発明に係るメダルセレクタは遊技機以外にも自動販売機等に適用可能である。
【００７９】
［変形例７］
上述した実施形態では、変換基板８０をメイン制御基板７０とは別に設けた構成を例示したが、変換基板８０とメイン制御基板７０を分けずにメイン制御基板７０内に変換基板８０の回路を含む構成としてもよい。
また、変換基板８０をメダルセレクタ５０内に備える構成としてもよい。例えば、変換基板８０をトップAssy５０ｃ（保護カバー５０ｅの内側）に組み込むことが可能である。この場合、変換基板８０はメダルセレクタ５０の構成要素になるため、メイン制御基板７０から供給される駆動制御信号に基づいて、メダルセレクタ５０内で、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１と第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２が生成されることになる。この場合もスロットマシン１では、第１ブロッカーと連動させて第２ブロッカーを動作させるための制御プログラムが不要となるので、その分だけＲＯＭ容量の節約を図ることができる。また、第１ソレノイド５２用の駆動制御信号のみをメイン制御基板から出力する従来のスロットマシンに対し、メイン制御基板の出力系統や制御プログラムを変更することなく、変換基板８０を内蔵したメダルセレクタ５０を適用することができる。
なお、このように変換基板８０をメダルセレクタ５０内に備える構成とした場合についても、変形例１に記載したように、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの所要時間以上であればよく３００ミリ秒以下であってもよいし、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は駆動信号１の立下りエッジに同期していなくてもよい。また、変換基板８０では、図１９に示したように、駆動信号１がＬｏｗレベルの場合にＨｉレベルとなり、駆動信号１がＨｉレベルの場合にＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成することもできる。
【００８０】
［変形例８］
上述した実施形態では、図１５に示したように、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示と、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を同じタイミングＴｃで行う場合について説明した。しかしながら、要は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいて突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出できていればよいので、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示と、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を必ずしも同じタイミングで行う必要はない。
例えば、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を行い、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させた後に、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示を行う構成としてもよい。また、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させるのに要する所要時間は４〜１０ミリ秒程度と極めて短いので、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示を行った後に、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を行う構成とすることもできる。
【００８１】
［変形例９］
上述した実施形態や変形例１，８では、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいて突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出しているようにした。これは、メダルガイドレール５１の移動範囲である支持位置と排出位置の間に、実質的にメダルＭが排出可能になる位置が存在する場合を想定したためである。しかしながら、メダルＭが排出可能になる位置が「排出位置」である場合、すなわち、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に向けて移動中であっても、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終える前までは、メダルＭがメダルガイドレール５１によって支持され下流に通過可能な構成も考えられる。このような構成の場合は、第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替えることでメダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動する場合に、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えるよりも前の時点で、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出しているように第２ソレノイド５４を非励磁から励磁に切り替え、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えた後に第２ソレノイド５４を励磁から非励磁に切り替えてやればよい。
【００８２】
［変形例１０］
上述した実施形態において、突起片５９の突出位置は、カウント位置（センサ用窓６２）より上流で、メダルガイドレール５１より下流に設けられるものとした（図１２参照）。しかしながら、例えば図２４に示すように、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂを下流側に距離Ｅだけ延長した場合のように、突起片５９の突出位置は、カウント位置（センサ用窓６２）より上流にあるものの、メダルガイドレール５１より下流ではなく、メダルガイドレール５１の区間Ｌ’内の下流部分に設けられる構成であってもよい。このような構成であっても、突起片５９を突出して停止させたメダルＭ（図中点線）は、メダルガイドレール５１の区間Ｌ’内に位置するから、メダルガイドレール５１が排出位置に移動すると、メダル通路５０ｆから排出されてメダル受皿４０に返却される。よって、上述した実施形態の場合と同様に、メダルＭの飲み込みを防ぐことができると共に、突起片５９により停止させたメダルＭをメダル通路５０ｆ内に滞留させることなく返却することができる。なお、このように突起片５９の突出位置を、カウント位置（センサ用窓６２）より上流で、メダルガイドレール５１の区間Ｌ’内の下流部分に設けた場合についても、変形例１〜９に記載した変形が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】スロットマシン１の外観を示す斜視図である。
【図２】入賞ラインＬ１〜Ｌ５を説明するための図である。
【図３】メダルセレクタ５０の外観を示す斜視図である。
【図４】トップAssy５０ｃとベースAssy５０ｄを分離した状態を示す斜視図である。
【図５】図４において保護カバー５０ｅを外した状態を示す斜視図である。
【図６】メダルＭがメダル通路５０ｆを通過している状態を示す斜視図である。
【図７】メダルセレクタ５０の要部断面図（第１ソレノイド５２が非励磁の場合）である。
【図８】メダルセレクタ５０の要部断面図（第１ソレノイド５２が励磁されている場合／正規メダル）である。
【図９】メダルセレクタ５０の要部断面図（第１ソレノイド５２が励磁されている場合／小径メダル）である。
【図１０】テンショナー５６とアクチュエータ型センサ６０について説明するための斜視図である。
【図１１】第２ブロッカー（第２ソレノイド５４，復帰バネ５５）と突起片５９について説明するための斜視図である。
【図１２】突起片５９の突出位置について説明するための断面図である。
【図１３】スロットマシン１の電気的構成を示す要部ブロック図である。
【図１４】正規のメダルＭがメダル通路５０ｆを最後まで通過した場合のアクチュエータ型センサ６０及びメダルセンサ６３，６４の信号波形を示すタイミングチャートである。
【図１５】第１ソレノイド５２の駆動信号１と第２ソレノイド５４の駆動信号２を示すタイミングチャートである。
【図１６】メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合の第１ブロッカーと第２ブロッカーの動作を示すタイミングチャートである。
【図１７】スロットマシン１の動作を示すフローチャート（その１）である。
【図１８】スロットマシン１の動作を示すフローチャート（その２）である。
【図１９】変形例１に係り、第１ソレノイド５２の駆動信号１と第２ソレノイド５４の駆動信号２を示すタイミングチャートである。
【図２０】変形例２に係り、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２１】変形例２に係り、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２２】変形例３に係り、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２３】変形例３に係り、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２４】変形例１０に係り、突起片５９の突出位置について説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１ スロットマシン
１０ メダル投入口
１２ スタートレバー
４０ メダル受皿
４０ａ メダル払出口
５０ メダルセレクタ
５０ａ 入口
５０ｂ 出口
５０ｃ トップAssy
５０ｄ ベースAssy
５０ｆ メダル通路
５１ メダルガイドレール
５２ 第１ソレノイド
５３ アマチュア（可動片）
５４ 第２ソレノイド
５５ 復帰バネ
５９ 突起片
６０ アクチュエータ型センサ
６１ センサ用窓
６２ センサ用窓
６３ メダルセンサ
６４ メダルセンサ
７０ メイン制御基板
８０ 変換基板
８１ パルス生成回路
Ｍ メダル
Ｌ 区間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メダルセレクタ及び遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
メダルを投入することでゲームを行うことが可能になる遊技機（スロットマシンやビンゴゲーム機等）には、投入されたメダルの検出や選別を行うメダルセレクタが内蔵されている。メダルセレクタは、その内部に形成されたメダル通路を取込状態と返却状態に切り替えることができる。例えば、メダル通路が取込状態の場合、メダルセレクタは、メダル通路を通過するメダルの中から外形等により正規のメダルと非正規のメダルを選別し、正規のメダルのみメダル通路を最後まで通過させて遊技機内に取り込む。非正規のメダルはメダル通路の途中で通路外に排出され、返却口に戻される。一方、メダル通路が返却状態の場合、メダルセレクタは、正規／非正規に係らず、投入された総てのメダルをメダル通路の途中で通路外に排出して返却口に戻す。また、メダルセレクタには、遊技機内に取り込むメダルをカウントするため、メダルの通過を検出するメダルセンサがメダル通路の出口付近に設けられている。
【０００３】
なお、スロットマシンに備わるメダルセレクタでは、主に、クレジット数が最大貯留枚数に到達した場合と、入賞ラインが有効化された状態でスタートレバーが操作された場合に、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える。また、スロットマシンでは、不正行為を防ぐため、入賞ラインが有効化された状態でスタートレバーが操作されると、少なくともリールの回転が停止して新たなメダルの取り込みが許可されるまで、上記メダルセンサによるメダルの検出を無効化している。
【０００４】
例えば特許文献１には、可動ガイド板５１と突起部５３と突出端７２を備え、これらの部材をソレノイド４１によって駆動することでコイン通路１４をコイン受付可能状態とコイン受付不能状態に切り替えるコイン選別装置１０が開示されている。このコイン選別装置１０では、コイン通路１４をコイン受付可能状態にする場合にソレノイド４１を励磁し、可動ガイド板５１を移動させてコイン通路１４の上側の幅を適正なコインが通過できる最小の間隔まで狭めると共に、突起部５３及び突出端７２をコイン通路１４内から退避させる。この場合、適正コインであればその上端部が可動ガイド板５１によって支持されるため、コイン通路１４を最後まで通過することができる。また、このコイン選別装置１０では、コイン通路１４をコイン受付不能状態にする場合にソレノイド４１を非励磁にし、可動ガイド板５１を移動させてコイン通路１４の上側の幅を適正なコインの厚さの２倍以上に広げると共に、突起部５３及び突出端７２をコイン通路１４内に突出させる。この場合、投入された総てのコインは、その上端部が可動ガイド板５１によって支持されず、コイン通路１４の途中で突起部５３と突出端７２により通路外に排出される。
【特許文献１】特開平８−２４４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、メダルセレクタでは、停電や電源がオフの場合にメダルが投入されてもこれを返却できるようにするため、ソレノイドが非励磁の場合にメダル通路を返却状態にし、ソレノイドが励磁されている場合にメダル通路を取込状態にする。つまり、メダル通路を返却状態から取込状態に切り替える場合は、ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えることになる。逆に、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合は、ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることになる。このようにメダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合はソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることになるが、この場合、ソレノイド（電磁石）への電流供給を遮断しても磁力や磁場がすぐにはなくならないので残留磁力や残留磁場の影響を受ける。
【０００６】
また、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合はソレノイドを非励磁にし、復帰バネの付勢力によって可動ガイド板５１等の可動部材を移動させることになる。ここで、復帰バネの付勢力が強ければ、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える際の切替時間を短くすることができるが、この場合は、逆にメダル通路を返却状態から取込状態に切り替える場合に、復帰バネの付勢力に反して可動部材を移動させなければならないのでソレノイドの磁力を強くしなければならない。例えば、スロットマシンの場合、仮に開店時から閉店時まで全く遊技が行われなかったとすると、メダル通路は取込状態のままであるので、その間ずっとソレノイドを励磁し続けなければならない。したがって、１００％デューティサイクルのソレノイド（励磁時間を断続させずに連続励磁が可能なソレノイド）を使用しなければならないので、ソレノイドの磁力を強くすることは装置の大型化やコストアップ、発熱等を招くことから難しく、このため復帰バネの付勢力もそれほど強くすることができない。
【０００７】
以上のような理由から、メダル通路を取込状態から返却状態に切り替える場合は、メダル通路を返却状態から取込状態に切り替える場合に比べて切り替えに時間を要し、５０〜１００ミリ秒程度の切替時間が必要になる。このため本来であれば返却すべきメダルを誤って取り込んでしまう、所謂「メダルの飲み込み」と呼ばれる現象が生じてしまう。
【０００８】
例えばスロットマシンにおいて、メダルの連続投入中にクレジット数が最大貯留枚数（５０枚）に到達した場合、メダル通路の出口付近において５０枚目として通過を検出したメダルに後続する５１枚目のメダルが、メダル通路の切替動作が間に合わないため返却できず、しかもクレジット数が既に最大貯留枚数になっているため、クレジット数としてもカウントできずにスロットマシンの内部に取り込まれてしまうことがある。また、メダルの連続投入中にスタートレバーが操作された場合、例えばメダルを３枚投入したにも係らず２枚しかベット数としてカウントされず、残りの１枚のメダルが、メダル通路の切替動作が間に合わないため返却できず、しかもメダルセンサによるメダルの検出が既に無効化されているため、クレジット数としてもカウントできずにスロットマシンの内部に取り込まれてしまうことがある。このようにメダルの飲み込みが発生した場合、本来であれば返却すべきメダルがクレジット数としてもカウントされることなく遊技機内に取り込まれてしまうため、遊技者に不利益を及ぼす。
【０００９】
なお、特許文献１には、コイン通路１４をコイン受付不能状態にする場合にソレノイド４１を非励磁にし、可動ガイド板５１を移動させてコイン通路１４の上側の幅を適正なコインの厚さの２倍以上に広げると共に、突起部５３及び突出端７２をコイン通路１４内に突出させる構成が開示されている。しかしながら、可動ガイド板５１と突起部５３と突出端７２はいずれも同じソレノイド４１によって駆動されているので、突起部５３と突出端７２は可動ガイド板５１と同時に動かすことしかできない。また、コイン通路１４をコイン受付可能状態からコイン受付不能状態に切り替える場合、ソレノイド４１を励磁から非励磁に切り替えることになるので、突起部５３と突出端７２をコイン通路内に突出させるのに５０〜１００ミリ秒程度の所要時間が必要になる。このため特許文献１に記載された構成であっても、上述したメダルの飲み込みを防ぐことができない。
【００１０】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、メダルの飲み込みの不具合を改善したメダルセレクタ及びこれを用いた遊技機を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするため添付図面の参照符号等を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【００１２】
上述した課題を解決するため、本発明に係るメダルセレクタ（５０）は、投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路（５０ｆ）と、前記メダル通路（５０ｆ）の一部の区間（Ｌ）において当該区間（Ｌ）を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間（Ｌ）を通過するメダルを支持するための支持位置（図８：５１）と、前記区間（Ｌ）においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置（図７：５１）とに移動可能な可動ガイド部材（５１）と、前記可動ガイド部材（５１）を駆動するための第１ソレノイド（５２）及び第１付勢部材（Ｓ）を有し、前記第１ソレノイド（５２）が励磁されることにより前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にしてメダルを前記区間（Ｌ）の下流に通過させ、前記第１ソレノイド（５２）が非励磁にされることにより前記第１付勢部材（Ｓ）の付勢力で前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にしてメダルを前記メダル通路（５０ｆ）から排出する第１ブロッカーと、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（Ｌ）より下流の第１位置（図１２：６２）を通過するメダルを検出する検出部（６３，６４）と、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（Ｌ）より下流で前記第１位置（図１２：６２）より上流の第２位置（図１２：５９）に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置（図１２：５９）で阻止する阻止部材（５９）と、前記阻止部材（５９）を駆動するための第２ソレノイド（５４）及び第２付勢部材（５５）を有し、前記第２ソレノイド（５４）が励磁されることにより前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内に突出させてメダルの進行を前記第２位置（図１２：５９）で阻止し、前記第２ソレノイド（５４）が非励磁にされることにより前記第２付勢部材（５５）の付勢力で前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内から退避させてメダルを前記第２位置（図１２：５９）の下流に通過させる第２ブロッカーとを備え、前記第２位置（図１２：５９）は、前記阻止部材（５９）により進行を阻止したメダルを、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に位置している場合に排出することが可能な位置に定められていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、メダルセレクタには、可動ガイド部材の位置を支持位置と排出位置に切り替えてメダル通路におけるメダルの通過と排出を制御する第１ブロッカーに加え、阻止部材をメダル通路内に突出させてメダルの進行を阻止する第２ブロッカーが設けられている。なお、可動ガイド部材が支持位置に位置する場合はメダル通路が取込状態となり、可動ガイド部材が排出位置に位置する場合はメダル通路が返却状態となる。また、第２位置（阻止部材の突出位置）は、メダル通路上において、可動ガイド部材がメダルを支持可能な区間と、メダルの通過を検出する第１位置の間で、且つ、阻止部材によって進行を阻止したメダルを、可動ガイド部材が排出位置に位置している場合に排出することが可能な位置に定められている。また、第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えて阻止部材をメダル通路内に突出させるのに必要な所要時間は、第１ソレノイドと比較して残留磁力や残留磁場の影響を受けにくいこと等から、第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えて可動ガイド部材を支持位置から排出位置まで移動させるのに必要な所要時間よりも大幅に短い。
したがって、例えば、可動ガイド部材の位置を支持位置にする場合に第１ソレノイドを励磁し、可動ガイド部材の位置を排出位置にする場合に第１ソレノイドを非励磁にする一方、第１ソレノイドが励磁から非励磁に切り替えられて可動ガイド部材が支持位置から排出位置に移動する場合に、可動ガイド部材が支持位置から移動し始めるよりも前の時点で、阻止部材がメダル通路内に突出しているように第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替え、可動ガイド部材が排出位置に移動し終えた後に第２ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えるよう、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御してやれば、可動ガイド部材が支持位置から排出位置まで移動している期間中は、阻止部材がメダル通路内に突出していることになるので、メダルの進行を第１位置の手前で阻止することができる。また、阻止部材により進行を阻止したメダルは、可動ガイド部材が排出位置に移動すると、メダル通路から排出される。よって、メダルの飲み込みの不具合を改善することができると共に、阻止部材により進行を阻止したメダルをメダル通路内に滞留させることなく排出することができる。
【００１４】
なお、上述したメダルセレクタ（５０）において、前記第２位置（図１２：５９）は、前記阻止部材（５９）により進行を阻止したメダルの重心が前記区間（Ｌ）内に収まるように定められていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係るメダルセレクタ（５０）は、投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路（５０ｆ）と、前記メダル通路（５０ｆ）の一部の区間（図２４：Ｌ’）において当該区間（図２４：Ｌ’）を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間（図２４：Ｌ’）を通過するメダルを支持するための支持位置（図８：５１）と、前記区間（図２４：Ｌ’）においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置（図７：５１）とに移動可能な可動ガイド部材（５１）と、前記可動ガイド部材（５１）を駆動するための第１ソレノイド（５２）及び第１付勢部材（Ｓ）を有し、前記第１ソレノイド（５２）が励磁されることにより前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にしてメダルを前記区間（図２４：Ｌ’）の下流に通過させ、前記第１ソレノイド（５２）が非励磁にされることにより前記第１付勢部材（Ｓ）の付勢力で前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にしてメダルを前記メダル通路（５０ｆ）から排出する第１ブロッカーと、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（図２４：Ｌ’）より下流の第１位置（図１２：６２）を通過するメダルを検出する検出部（６３，６４）と、前記メダル通路（５０ｆ）において前記区間（図２４：Ｌ’）内の下流部分に定められた第２位置（図２４：５９）に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置（図２４：５９）で阻止する阻止部材（５９）と、前記阻止部材（５９）を駆動するための第２ソレノイド（５４）及び第２付勢部材（５５）を有し、前記第２ソレノイド（５４）が励磁されることにより前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内に突出させてメダルの進行を前記第２位置（図２４：５９）で阻止し、前記第２ソレノイド（５４）が非励磁にされることにより前記第２付勢部材（５５）の付勢力で前記阻止部材（５９）を前記メダル通路（５０ｆ）内から退避させてメダルを前記第２位置（図２４：５９）の下流に通過させる第２ブロッカーと、を備えることを特徴とする。
【００１６】
この構成の場合も、例えば、可動ガイド部材の位置を支持位置にする場合に第１ソレノイドを励磁し、可動ガイド部材の位置を排出位置にする場合に第１ソレノイドを非励磁にする一方、第１ソレノイドが励磁から非励磁に切り替えられて可動ガイド部材が支持位置から排出位置に移動する場合に、可動ガイド部材が支持位置から移動し始めるよりも前の時点で、阻止部材がメダル通路内に突出しているように第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替え、可動ガイド部材が排出位置に移動し終えた後に第２ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えるよう、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御してやれば、可動ガイド部材が支持位置から排出位置まで移動している期間中は、阻止部材がメダル通路内に突出していることになるので、メダルの進行を第１位置の手前で阻止することができる。また、阻止部材により進行を阻止したメダルは、可動ガイド部材によって構成される区間内に位置するので、可動ガイド部材が排出位置に移動すると、メダル通路から排出される。よって、メダルの飲み込みの不具合を改善することができると共に、阻止部材により進行を阻止したメダルをメダル通路内に滞留させることなく排出することができる。
【００１７】
また、上述したいずれかのメダルセレクタ（５０）において、前記第１ソレノイド（５２）は、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に励磁され、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に非励磁にされ、前記第２ソレノイド（５４）は、前記第１ソレノイド（５２）が励磁から非励磁に切り替えられて前記可動ガイド部材（５１）が前記支持位置（図８：５１）から前記排出位置（図７：５１）に移動する場合に、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するよりも前の時点で、前記阻止部材（５９）が前記メダル通路（５０ｆ）内に突出しているように非励磁から励磁に切り替えられ、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動し終えた後（図１６：期間Ｐよりも後）に励磁から非励磁に切り替えられることが好ましい。
なお、この構成は、可動ガイド部材が支持位置から排出位置に向けて移動中であっても、可動ガイド部材が排出位置に移動し終える前までは、メダルが可動ガイド部材によって支持され下流に通過可能な場合である。すなわちメダルを排出可能な位置が「排出位置」である場合であり、「排出位置に移動するよりも前の時点」とは、可動ガイド部材が支持位置からまったく移動していない時点と、可動ガイド部材が支持位置から移動を始めた後、メダルを排出可能な位置（排出位置）まで移動していない時点とを含む。
【００１８】
逆に実質的にメダルが排出可能になる位置が可動ガイド部材の移動範囲である支持位置と排出位置の間に存在する場合であれば、上述したいずれかのメダルセレクタ（５０）において、前記第１ソレノイド（５２）は、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に励磁され、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に非励磁にされ、前記第２ソレノイド（５４）は、前記第１ソレノイド（５２）が励磁から非励磁に切り替えられて前記可動ガイド部材（５１）が前記支持位置（図８：５１）から前記排出位置（図７：５１）に移動する場合に、前記可動ガイド部材（５１）が前記支持位置（図８：５１）から移動し始めるよりも前の時点（図１６：期間Ｐよりも前の時点）で、前記阻止部材（５９）が前記メダル通路（５０ｆ）内に突出しているように非励磁から励磁に切り替えられ、前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動し終えた後（図１６：期間Ｐよりも後）に励磁から非励磁に切り替えられる構成とすることが望ましい。
【００１９】
なお、第２ソレノイドを励磁する期間は、例えば、第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることが指示された時点から可動ガイド部材が排出位置に移動するまでの期間とすることができる。この場合、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドとして１００％デューティサイクルのものを使用せずに済む。したがって、より磁力の強いソレノイドを第２ソレノイドとして使用することができるから、その分、阻止部材を突出させるのに要する所要時間を短縮することができる。つまり、第２ソレノイドとしてより反応速度の速いソレノイドを採用することができる。また、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドによる消費電力や発熱の影響を抑えられる。
また、第２ソレノイドを励磁する期間は、例えば、第１ソレノイドを非励磁にすることが指示されている期間とすることができる。この場合、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁の関係が単に反転させただけになるので、第２ソレノイドに対する励磁と非励磁の制御が簡素化できる。
【００２０】
また、上述したいずれかのメダルセレクタ（５０）において、外部から供給される一の制御信号に基づいて、前記第１ソレノイド（５２）に供給する第１駆動信号と前記第２ソレノイド（５４）に供給する第２駆動信号を生成する生成回路（８０）をさらに備え、前記生成回路（８０）は、前記制御信号に基づいて、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にさせるように指示する前記第１駆動信号を生成し、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間のうち、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間を含む所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）において前記第２ソレノイド（５４）を励磁させるように指示し、前記所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）以外において前記第２ソレノイド（５４）を非励磁にさせるように指示する前記第２駆動信号を生成する構成であってもよい。
【００２１】
なお、「励磁させるように指示し」とは、駆動信号によってソレノイドに電流を供給し始めることを指し、ソレノイドが十分な磁力を発生させている状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を開始すると瞬間的に磁力を発生するが、電流の供給を開始してから十分な磁力を発生させるまでには、一秒に満たないものの若干の時間がかかる。したがって、電流を供給し始めたのと同時にソレノイドに十分な磁力が発生している訳ではない。
同様に「非励磁にさせるように指示する」とは、駆動信号によってソレノイドへの電流の供給を遮断し始めることを指し、ソレノイドの磁力がなくなった状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を遮断しても磁力が残留し、十分に磁力がなくなるまでには若干の時間がかかる。したがって、電流の供給を遮断し始めたのと同時にソレノイドの磁力がなくなる訳ではない。
【００２２】
この構成によれば、第１ソレノイドに供給する第１駆動信号と第２ソレノイドに供給する第２駆動信号をメダルセレクタ内の生成回路で生成することができる。したがって、遊技機や自動販売機等のメダルセレクタを搭載する機器側では、第１ブロッカーと連動させて第２ブロッカーを動作させるためのプログラムが不要となるため、その分だけメモリ容量の節約を図ることができる。これはスロットマシン等、メモリ容量に比較的余裕のない機器の場合に特に有益である。また、第１ソレノイドに供給する第１駆動信号と第２ソレノイドに供給する第２駆動信号を、外部から供給される一つの制御信号に基づいて生成することができるので、制御部から第１ソレノイド用の制御信号（第１駆動信号）のみを出力する従来の機器に対しても、制御部の出力系統や制御プログラムを変更することなく本発明のメダルセレクタを適用することが可能である。
【００２３】
また、この場合、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間であってもよい。
この場合、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドとして１００％デューティサイクルのものを使用せずに済む。したがって、より磁力の強いソレノイドを第２ソレノイドとして使用することができるから、その分、阻止部材を突出させるのに要する所要時間を短縮することができる。つまり、第２ソレノイドとしてより反応速度の速いソレノイドを採用することができる。また、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドによる消費電力や発熱の影響を抑えられる。
【００２４】
また、この場合、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間であってもよい。
この場合、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁の関係が単に反転させただけになるので、生成回路の構成を簡素化できる。
【００２５】
また、本発明に係る遊技機（１）は、メダルを投入するための投入口（１０）と、請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載されたメダルセレクタ（５０）と、前記区間（Ｌ，Ｌ’）において前記メダル通路（５０ｆ）から排出されたメダルを返却するための返却口（４０ａ）と、前記第１ソレノイド（５２）の励磁及び非励磁と前記第２ソレノイド（５４）の励磁及び非励磁を制御する制御部（７０，８０）と、を備える遊技機（１）であって、前記制御部（７０，８０）は、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記支持位置（図８：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材（５１）の位置を前記排出位置（図７：５１）にする場合に前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にさせるように指示し、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることを指示している期間のうち、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間を含む所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）において前記第２ソレノイド（５４）を励磁させるように指示し、前記所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）以外において前記第２ソレノイド（５４）を非励磁にさせるように指示することを特徴とする。
【００２６】
なお、「励磁させるように指示し」とは、駆動信号によってソレノイドに電流を供給し始めることを指し、ソレノイドが十分な磁力を発生させている状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を開始すると瞬間的に磁力を発生するが、電流の供給を開始してから十分な磁力を発生させるまでには、一秒に満たないものの若干の時間がかかる。したがって、電流を供給し始めたのと同時にソレノイドに十分な磁力が発生している訳ではない。
同様に「非励磁にさせるように指示する」とは、駆動信号によってソレノイドへの電流の供給を遮断し始めることを指し、ソレノイドの磁力がなくなった状態を指すものではない。一般的に、ソレノイドは、電流の供給を遮断しても磁力が残留し、十分に磁力がなくなるまでには若干の時間がかかる。したがって、電流の供給を遮断し始めたのと同時にソレノイドの磁力がなくなる訳ではない。
【００２７】
この構成によれば、制御部は、可動ガイド部材の位置を支持位置にする場合に第１ソレノイドを励磁し、可動ガイド部材の位置を排出位置にする場合に第１ソレノイドを非励磁にする一方、第１ソレノイドを非励磁にすることを指示している期間のうち、第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から可動ガイド部材が排出位置に移動するまでの期間を含む所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）において第２ソレノイドを励磁させるように指示し、所定期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまで）以外において第２ソレノイドを非励磁にさせるように指示する。したがって、このように第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御することで、可動ガイド部材が支持位置から排出位置まで移動している期間中は、阻止部材がメダル通路内に突出していることになるため、メダルの進行を第１位置の手前で阻止することができる。また、阻止部材により進行を阻止したメダルは、可動ガイド部材が排出位置に移動すると、メダル通路から排出されて返却口に戻される。よって、メダルの飲み込みの不具合を改善することができると共に、阻止部材により進行を阻止したメダルをメダル通路内に滞留させることなく返却することができる。
なお、制御部は、後述する実施形態や変形例１に記載しているように、変換基板８０等のハードウェアを用いて第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御する構成であってもよいし、変形例２や変形例３に記載しているように、ソフトウェア制御によって第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁を制御する構成であってもよい。
【００２８】
また、上述した遊技機（１）において、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材（５１）が前記排出位置（図７：５１）に移動するまでの期間であってもよい。
この場合、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドとして１００％デューティサイクルのものを使用せずに済む。したがって、より磁力の強いソレノイドを第２ソレノイドとして使用することができるから、その分、阻止部材を突出させるのに要する所要時間を短縮することができる。つまり、第２ソレノイドとしてより反応速度の速いソレノイドを採用することができる。また、第２ソレノイドを長時間励磁せずに済むので、第２ソレノイドによる消費電力や発熱の影響を抑えられる。
【００２９】
また、上述した遊技機（１）において、前記所定期間は、前記第１ソレノイド（５２）を非励磁にすることを指示している期間であってもよい。
この場合、第１ソレノイドと第２ソレノイドの励磁／非励磁の関係が単に反転させただけになるので、制御部の回路構成やソフトウェア制御を簡素化できる。
【００３０】
また、上述した遊技機（１）において、クレジットとして貯留されたメダルの枚数である貯留枚数を管理する貯留装置をさらに備え、前記制御部（７０，８０）は、前記貯留枚数が予め定められた上限値に到達した場合に、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイド（５４）を非励磁から励磁に切り替えることを指示する構成であってもよい。
この構成によれば、メダルの連続投入中に貯留枚数が上限値に到達した場合であっても、メダルの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルを返却口に戻すことができる。なお、クレジットとは、ゲームプレイの権利のことである。例えばスロットマシンでは、メダルを投入する代わりにクレジットを使用することによって、入賞ラインを有効化することができる。また、貯留装置は、例えば後述する実施形態において、メダルセンサ６３，６４によって検出された投入メダルの枚数と、ベット操作によって使用したメダルの枚数（ゲームで消費したメダルの枚数）と、入賞によって払い出されたメダルのうち貯留装置に貯留されるメダルの枚数とに基づいて、貯留枚数（クレジット数）の増減を管理する。
【００３１】
また、上述した遊技機（１）において、可変表示可能な複数の表示列（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）と、前記複数の表示列（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）の可変表示の開始を指示するための開始用操作子（１２）とをさらに備え、前記制御部（７０，８０）は、前記開始用操作子（１２）の操作の受付けが有効な場合に前記開始用操作子（１２）の操作を検知すると、前記第１ソレノイド（５２）を励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイド（５４）を非励磁から励磁に切り替えることを指示する構成であってもよい。
この構成によれば、メダルの連続投入中に開始用操作子が操作された場合であっても、メダルの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルを返却口に戻すことができる。なお、「開始用操作子の操作の受付けが有効な場合」とは、例えば後述する実施形態において、投入ベット操作や貯留ベット操作が行われた場合である。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、メダルセレクタや遊技機においてメダルの飲み込みの不具合を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る実施の形態を説明する。
なお、以下の実施形態では本発明に係るメダルセレクタをスロットマシンに適用した場合について説明する。
【００３４】
＜１：スロットマシンの外観構成＞
図１は、スロットマシン１の外観を示す斜視図である。
スロットマシン１は、前面が開口した箱状の本体２と、本体２の前面に配置した前面扉３を備える。本体２と前面扉３は、片側で蝶番により固定され開閉できるようになっている。前面扉３は、遊技者によって操作されるボタン類が配置された操作部ＯＰと、リール可変表示装置ＲＬの図柄を視認させるためのリール窓２０やゲームに関する情報が表示される表示器類が配置されたパネル表示部ＤＰと、ゲームの進行状態等を示す画像を表示する液晶表示器類や電飾装置が配置された演出表示部ＴＰと、受皿部ＢＰを備える。
【００３５】
操作部ＯＰには、メダルが投入されるメダル投入口１０と、貯留ベット操作を行うための１枚ベットボタン１１ａ、２枚ベットボタン１１ｂ及び３枚ベットボタン１１ｃと、リールＲ１〜Ｒ３の回転を開始させるためのスタートレバー１２と、左リールＲ１の回転を停止させるための左ストップボタン１３ａと、中リールＲ２の回転を停止させるための中ストップボタン１３ｂと、右リールＲ３の回転を停止させるための右ストップボタン１３ｃが設けられている。
【００３６】
パネル表示部ＤＰには、リール窓２０と、入賞ライン表示器２１と、遊技ガイド表示器２２と、遊技価値情報表示部２３が設けられている。リール窓２０は、１つのリールにつき、３個の連続した図柄をのぞむ透明アクリル板からなり、遊技者は３つのリールで９個分の図柄をリール窓２０を通して目視することができる。このリール窓２０の左側には、入賞ラインＬ１〜Ｌ５（図２）の各々に対応した入賞ライン表示器２１が設けられており、メダルが１枚投入されると入賞ラインＬ１に対応した入賞ライン表示器２１が点灯し、メダルが２枚投入されると入賞ラインＬ１に加えて入賞ラインＬ２及びＬ３に対応した入賞ライン表示器２１が点灯し、メダルが３枚投入されると入賞ラインＬ１〜Ｌ３に加えて入賞ラインＬ４及びＬ５に対応した入賞ライン表示器２１が点灯する。また、遊技の結果、いずれかの入賞ライン上に所定の図柄の組み合わせが成立した場合には、成立した入賞ラインに対応した入賞ライン表示器２１が点滅する。また、リール窓２０の右側には、入賞した場合やゲーム状態に応じて点灯する遊技ガイド表示器２２が設けられている。さらにリール窓２０の下方に設けられた遊技価値情報表示部２３には、クレジット数を表示するクレジット数表示器２３ａと、所定ゲーム中に付与された配当数を累積して獲得枚数の表示を行う獲得枚数表示器２３ｂと、入賞した場合に付与された配当数を表示する配当数表示器２３ｃが設けられている。
また、受皿部ＢＰには、メダル払出口４０ａから排出されたメダルを貯めるメダル受皿４０が設けられている。
【００３７】
＜２：スロットマシンで行われるメダルに関する処理と遊技方法＞
（１）投入ベット処理
スロットマシン１では、メダル投入口１０にメダルを投入することでゲームを行うことが可能になる。１枚目のメダルの投入で入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚目のメダルの投入で入賞ラインをさらに２本（Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚目のメダルの投入で入賞ラインをさらに２本（Ｌ４、Ｌ５）選択して有効化する。このようにメダルを投入して入賞ラインを有効化することを投入ベット操作と言う。
（２）投入クレジット処理
投入ベット操作によって総ての入賞ラインＬ１〜Ｌ５を有効化した後、遊技者がさらにメダルを投入すると、クレジットとして５０枚分までメダルを貯留装置に貯留することができる。貯留したメダルの枚数が５０枚に到達した後、遊技者がさらにメダルを投入した場合、投入したメダルはメダル受皿４０に戻される。なお、貯留装置とは、ゲームを行うために投入されたメダルを電気的又は磁気的に記憶できる装置のことであり、投入されたメダル及び入賞により払い出されたメダルが貯留される。
【００３８】
（３）貯留ベット処理
投入ベット操作の他に、貯留装置に貯留されたクレジットを使用してゲームを開始することができる。この場合、遊技者はベットボタン１１ａ〜１１ｃを操作する。１枚ベットボタン１１ａが押下された場合は入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚ベットボタン１１ｂが押下された場合は入賞ラインを３本（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚ベットボタン１１ｃが押下された場合は入賞ラインを５本（Ｌ１〜Ｌ５）選択して有効化する。このようにベットボタン１１ａ〜１１ｃを操作して入賞ラインを有効化することを貯留ベット操作と言う。また、貯留ベット操作と投入ベット操作を合わせて単にベット操作と言う。
【００３９】
（４）配当クレジット処理
遊技者がスタートレバー１２を操作するとリールＲ１〜Ｒ３の回転が開始され、遊技者がストップボタン１３ａ〜１３ｃのそれぞれを押下すると、押下したストップボタンに対応するリールが停止される。全てのリールＲ１〜Ｒ３が停止したときに、あらかじめ定められた図柄の組み合わせが有効化された入賞ライン上に揃うと入賞となり、図柄の組み合わせ（役）ごとに定められた遊技価値が付与される。付与される遊技価値がメダルの配当である場合、メダルはまず貯留装置にクレジットとして貯留される。
（５）配当払出処理
配当を付与する過程で、貯留されたメダルの枚数が５０枚に到達した場合は、残りのメダルをメダル受皿４０に払い出す。
【００４０】
＜３：メダルセレクタの構成＞
図３は、メダルセレクタ５０の外観を示す斜視図である。
メダルセレクタ５０は前面扉３の裏面に取り付けられている。同図に示すようにメダルセレクタ５０の上面左端には、メダル投入口１０から投入されたメダルをメダルセレクタ５０内に受け入れるための入口５０ａが設けられている。また、メダルセレクタ５０の右側面下部には、スロットマシン１の内部に取り込むメダルを排出するための出口５０ｂが設けられている。メダルセレクタ５０は、大別すると、図中手前側のトップAssy５０ｃと、図中奥側のベースAssy５０ｄに区分され、トップAssy５０ｃには半透明の保護カバー５０ｅが取り付けられている。なお、Assyとは、複数の部品を組み合わせた集合部品（ユニット）のことである。
【００４１】
図４は、トップAssy５０ｃとベースAssy５０ｄを分離した状態を示す斜視図である。トップAssy５０ｃとベースAssy５０ｄとの境界面には、入口５０ａと出口５０ｂをつなぐ下り傾斜したメダル通路５０ｆが形成されている。投入されたメダルは、自重によって入口５０ａから出口５０ｂに向けてメダル通路５０ｆを通過する。メダル通路５０ｆの側面には、メダルとの摩擦を減らすため複数の溝が形成されており、また、メダル通路５０ｆの一部は可動自在なメダルガイドレール５１によって構成されている。なお、５１ａはメダルガイドレール５１の上端部である。
【００４２】
図５は、図４において保護カバー５０ｅを外した状態を示す斜視図である。トップAssy５０ｃには、ベースAssy５０ｄ側に設けられたメダルガイドレール５１を動かしてメダル通路５０ｆを取込状態と返却状態に切り替えるための第１ブロッカーが設けられている。この第１ブロッカー用の構成部品として、第１ソレノイド５２と、アマチュア５３（可動片）と、復帰バネ（図示省略）がトップAssy５０ｃに設けられている。なお、第１ソレノイド５２、アマチュア５３及び復帰バネ（図示省略）からなる組合せを「フラッパーソレノイド」と称することがあり、第１ブロッカー用の構成部品である復帰バネ（図示省略）の位置は、一般的な「フラッパーソレノイド」と同様に図５の符号Ｓの付近に位置する。また、取込状態とは、正規のメダルのみメダル通路５０ｆを最後まで通過させて出口５０ｂから排出し、これをスロットマシン１の内部に取り込む状態のことを指す。また、返却状態とは、正規／不正規に係らず、投入された総てのメダルをメダルガイドレール５１の部分でメダル通路５０ｆから排出し、これをメダル受皿４０に返却する状態のことを指す。
また、トップAssy５０ｃには、飲み込み防止用の突起片（図１１参照）をメダル通路５０ｆ内に突出させてメダルの進行を阻止するための第２ブロッカーが設けられている。この第２ブロッカー用の構成部品として、第２ソレノイド５４と復帰バネ５５がトップAssy５０ｃに設けられている。
【００４３】
図６は、メダルＭがメダル通路５０ｆを通過している状態を示す斜視図である。メダル通路５０ｆが取込状態に切り替えられ、且つ飲み込み防止用の突起片がメダル通路５０ｆ内から退避している場合、正規のメダルＭはメダル通路５０ｆを最後まで通過することができる。この場合、正規のメダルＭは出口５０ｂから排出され、スロットマシン１の内部に取り込まれる。
【００４４】
図７は、第１ソレノイド５２が非励磁の場合、すなわちメダル通路５０ｆが返却状態の場合におけるメダルセレクタ５０の要部断面図である。
第１ソレノイド５２が非励磁の場合、第１ソレノイド５２に取り付けられたアマチュア５３は、不図示の復帰バネからの付勢力によって同図に示す位置をとる。この場合、アマチュア５３の先端部５３ａは、これと対向するメダルガイドレール５１の上端部５１ａと非接触である。また、メダルガイドレール５１は、支点Ａを回転軸として回動自在に取り付けられている。このメダルガイドレール５１には、支点Ａを中心として図中時計方向にメダルガイドレール５１を回転させる付勢力が不図示のバネによって常時加えられている。なお、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂがセレクタベース５８の上端部によって係止されるため、第１ソレノイド５２が非励磁の場合、メダルガイドレール５１は同図に示す位置（排出位置）をとる。
【００４５】
この場合、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂは、図中点線で示すメダル通路５０ｆから離れている。このためメダル通路５０ｆの下端部分（下側の側面部分を含む）が形成されない状態となる。したがって、第１ソレノイド５２が非励磁の場合、正規／非正規に係らず投入された総てのメダルＭは、メダルガイドレール５１の部分まで到達すると、ガイドカバー５７とセレクタベース５８の間の空間に落下し、スロットマシン１の筺体内に設けられた不図示の返却通路を介してメダル受皿４０に返却される。
なお、テンショナー５６は、メダル通路５０ｆにおいてメダルガイドレール５１の部分を通過するメダルＭを検出するための部材である。テンショナー５６は、支点Ｂを回転軸として回動自在に取り付けられており、通過するメダルＭによって図中右方向に押し込まれる。
【００４６】
図８は、第１ソレノイド５２が励磁されている場合、すなわちメダル通路５０ｆが取込状態の場合におけるメダルセレクタ５０の要部断面図である。
第１ソレノイド５２が励磁されると、アマチュア５３は図７に示す位置から図８に示す位置に移動する。この場合、アマチュア５３の先端部５３ａがメダルガイドレール５１の上端部５１ａを図中左方向に押し込むことになるため、メダルガイドレール５１は支点Ａを中心にして図中反時計方向に回転する。したがって、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂによってメダル通路５０ｆの下端部分（下側の側面部分を含む）が形成される。このため第１ソレノイド５２が励磁されている場合、投入されたメダルＭが正規のメダルであれば、直立した状態にあるメダルＭの上端部と下端部の両方が支持されることになる。また、メダルＭによってテンショナー５６が図中右方向に押し込まれる。よって、正規のメダルＭは、メダルガイドレール５１の部分で落下することなく下流に導かれる。
なお、メダル通路５０ｆが取込状態の場合であっても、投入されたメダルＭが小径メダル（非正規のメダル）の場合は、図９に示すように、直立した状態にあるメダルＭの上端部が支持されないことに加え、メダルＭの中心よりも上側の部分にテンショナー５６から図中左方向への押力が加わる。このため図９に点線で示すようにメダルＭは傾き、メダル通路５０ｆから落下してメダル受皿４０に返却される。
【００４７】
このようにメダルセレクタ５０（第１ブロッカー）は、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替わると、メダルガイドレール５１を図８に示す位置（支持位置）に移動させ、正規のメダルＭのみをメダルガイドレール５１の下流に導く。また、メダルセレクタ５０（第１ブロッカー）は、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替わると、メダルガイドレール５１を図７に示す位置（排出位置）に退避させ、投入された総てのメダルＭをメダル通路５０ｆの途中で通路外に排出する。
【００４８】
図１０は、テンショナー５６とアクチュエータ型センサ６０について説明するための斜視図である。前述したようにテンショナー５６は支点Ｂを中心にして回動自在である。メダルＭが通過していない場合、テンショナー５６は図１０（Ａ）に示す位置をとる。一方、メダルＭが通過している場合、テンショナー５６は、図１０（Ｂ）に示すようにメダルＭによって図中手前側に押し込まれる。アクチュエータ型センサ６０は、メダルガイドレール５１の部分を通過するメダルＭをテンショナー５６の回動によって検出する。このアクチュエータ型センサ６０は、後述する図１４にも示すように、メダルＭがテンショナー５６の部分を通過中の期間においてＬｏｗレベルとなり、メダルＭがテンショナー５６の部分を非通過の期間においてＨｉレベルとなる検出信号１を出力する。なお、図１０に示すテンショナー５６とアクチュエータ型センサ６０は、いずれもトップAssy５０ｃの構成部品である。また、アクチュエータ型センサ６０は不図示のバネを備えており、メダルＭが通過していない場合には、そのバネの付勢力によって図７に示す位置にテンショナー５６を維持させている。
【００４９】
図１１は、第２ブロッカー（第２ソレノイド５４，復帰バネ５５）と突起片５９について説明するための斜視図である。第２ソレノイド５４が励磁されると、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出する。具体的には、メダルの厚み方向に沿って棒状の円柱体である突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出する。この場合、同図に示すようにメダル通路５０ｆを通過中のメダルＭは、突起片５９によって進行を阻止され停止する。一方、第２ソレノイド５４が非励磁になると、復帰バネ５５の付勢力によって突起片５９がメダル通路５０ｆの外に退避する。この場合、メダル通路５０ｆを通過中のメダルＭは、突起片５９によって進行を阻止されることなく下流の出口５０ｂに導かれる。なお、図１１に示す第２ブロッカー（第２ソレノイド５４，復帰バネ５５）、突起片５９、アマチュア５３、テンショナー５６、アクチュエータ型センサ６０は、いずれもトップAssy５０ｃの構成部品である。
【００５０】
図１２は、突起片５９の突出位置について説明するための断面図である。
メダル通路５０ｆの出口５０ｂ付近には、２個のセンサ用窓６１，６２がメダルＭの進行方向に沿って並んで設けられている。図１２には図示していないが、メダルセレクタ５０には、センサ用窓６１の部分を通過したメダルＭを検出するメダルセンサ６３（図１３）と、センサ用窓６２の部分を通過したメダルＭを検出するメダルセンサ６４（図１３）が設けられている。なお、このようにメダルセンサ６３，６４を２個設けているのは、糸吊りやクレマンゴト（メダルＭを投入せずに、不正な冶具によってクレジットを投入すること）等の不正行為を防ぐためである。メダルセンサ６３は、後述する図１４にも示すように、メダルＭがセンサ用窓６１の部分を通過中の期間においてＬｏｗレベルとなり、メダルＭがセンサ用窓６１の部分を非通過の期間においてＨｉレベルとなる検出信号２を出力する。同様に、メダルセンサ６４は、後述する図１４にも示すように、メダルＭがセンサ用窓６２の部分を通過中の期間においてＬｏｗレベルとなり、メダルＭがセンサ用窓６２の部分を非通過の期間においてＨｉレベルとなる検出信号３を出力する。また、詳細については後述するが、スロットマシン１のメイン制御基板では、メダルセンサ６３からの検出信号２とメダルセンサ６４からの検出信号３に基づいて、投入メダルの枚数をカウントする。
【００５１】
また、図１２においてセンサ用窓６２が、投入メダルの枚数をカウントするカウント位置（第１位置）になる。すなわち、図中Ｍ１として示す位置にメダルＭが到達し、検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わると、このメダルＭが投入メダルの枚数としてカウントされる。突起片５９の突出位置は、このカウント位置（センサ用窓６２）よりも上流で、メダルガイドレール５１よりも下流に設けられる。なお、メダルＭの連続投入中にクレジット数が最大貯留枚数（５０枚）に到達した場合、例えば同図において５０枚目としてカウントしたメダルＭ１に後続する５１枚目のメダルＭ２の進行を突起片５９によって阻止する必要がある。この際、カウント位置において５０枚目のメダルＭ１をカウントしてから、第２ソレノイド５４への励磁を開始して突起片５９を突出し終えるまでの遅延時間をΔｔとすると、この遅延時間Δｔの分だけ５１枚目のメダルＭ２が下流に移動することになるから、この移動距離を加味して突起片５９の突出位置が設定される。
【００５２】
また、突起片５９の突出位置は、突起片５９を突出することで図中点線で示す位置に停止させたメダルＭの重心（中心）がメダルガイドレール５１の区間Ｌ内に収まるように設定される。このため突起片５９により停止させたメダルＭは、メダルガイドレール５１が排出位置に移動すると、メダル通路５０ｆから落下してメダル受皿４０に返却される。このように突起片５９の突出位置は、メダルガイドレール５１とセンサ用窓６２の間で、且つ、突起片５９により停止させたメダルＭ（図中点線）の重心がメダルガイドレール５１の区間Ｌ内に収まる位置に定められる。また、突出片５９の断面形状は、図中に示すように円形である。
【００５３】
＜４：スロットマシンの電気的構成＞
図１３は、スロットマシン１の電気的構成を示す要部ブロック図である。
スロットマシン１は、ＣＰＵやＲＯＭ等を備えたメイン制御基板７０と、変換基板８０と、メダルセレクタ５０を備える。メイン制御基板７０は、３つのリールＲ１〜Ｒ３を用いて行われるゲームの全般を制御する。また、メイン制御基板７０は、メダルセンサ６３，６４からの検出信号２，３に基づいて、メダルＭがカウント位置（センサ用窓６２）を通過したことを検出する。図１４に正規のメダルＭがメダル通路５０ｆを最後まで通過した場合のアクチュエータ型センサ６０及びメダルセンサ６３，６４の信号波形を示す。メイン制御基板７０は、例えば、メダルセンサ６３からの検出信号２がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わると共に、メダルセンサ６４からの検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わると、検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わったタイミングＴａで、新たなメダルＭがカウント位置を通過したことを検出する。また、このようにしてメダルＭの通過を検出すると、メイン制御基板７０は投入ベット処理や投入クレジット処理を行う。
【００５４】
また、メイン制御基板７０は、変換基板８０を介して第１ソレノイド５２及び第２ソレノイド５４の励磁／非励磁を制御する。例えば、メイン制御基板７０は、投入ベット操作や貯留ベット操作によって１以上の入賞ラインが有効化された状態でスタートレバー１２の操作を検知した場合や、クレジット数が５０枚に到達した場合に、第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に、第２ソレノイド５４を非励磁から励磁に切り替えることを指示する。変換基板８０は、メダルセンサ６３，６４からの検出信号２，３をメイン制御基板７０に供給すると共に、メイン制御基板７０からの駆動制御信号に基づいて、第１ソレノイド５２を駆動するための駆動信号１と、第２ソレノイド５４を駆動するための駆動信号２を生成する。
【００５５】
例えば、メイン制御基板７０は、第１ソレノイド５２を励磁することを指示する期間においてＬｏｗレベルとなり、第１ソレノイド５２を非励磁にすることを指示する期間においてＨｉレベルとなる駆動制御信号を変換基板８０に出力しており、変換基板８０では、この駆動制御信号を適宜増幅して第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１を生成する。また、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２は、駆動制御信号をベースにパルス生成回路８１で生成される。パルス生成回路８１は、例えば図１５に示すように、駆動信号１の立下りエッジに同期して３００ミリ秒だけＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成する。このタイミングＴｃからタイミングＴｄまでの３００ミリ秒の期間が、第２ソレノイド５４を励磁することを指示する期間となる。
なお、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合、第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替えることを指示してから、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えるまでに５０〜１００ミリ秒程度の時間がかかるため、これにマージンを加えて駆動信号２がＬｏｗレベルとなる期間を３００ミリ秒に設定している。
【００５６】
図１６は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合の第１ブロッカーと第２ブロッカーの動作を示すタイミングチャートである。例えば、クレジット数が５０枚に到達した場合や、１以上の入賞ラインが有効化された状態でスタートレバー１２の操作を検知した場合等、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替えなければならないことを検知したタイミングをＴｃとしたとき、このタイミングＴｃの時点で第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替える指示を与えても、メダルガイドレール５１を排出位置に移動し終えるまでには５０〜１００ミリ秒程度の時間がかかる。また、同図に示すようにメダルガイドレール５１は、タイミングＴｃの時点から移動を開始するのではなく、タイミングＴｃから少し遅れたタイミングで支持位置から排出位置に移動し始める。これは、［発明が解決しようとする課題］にも記載しているように、第１ソレノイド５２は、残留磁力や残留磁場の影響を受けることに加え、１００％デューティサイクルのものを使用しなければならず、復帰バネの付勢力をそれほど強くすることができないためである。したがって、この５０〜１００ミリ秒程度の切替時間がメダルＭの飲み込みを発生させる要因となる。
【００５７】
しかしながら、本実施形態に係るメダルセレクタ５０には、メダル通路５０ｆ内に突起片５９を突出させてメダルＭの進行を阻止する第２ブロッカーが設けられている。また、この第２ブロッカーに備わる第２ソレノイド５４は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える際に、タイミングＴｃからタイミングＴｄまでの３００ミリ秒だけ励磁する旨の指示がなされ、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させる。つまり、第２ソレノイド５４は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える際に、非励磁から励磁に切り替わるため残留磁力や残留磁場の影響を受けない。また、第２ソレノイド５４は、３００ミリ秒しか励磁しなくてよいので１００％デューティサイクルのものを使用する必要がなく、その分だけ磁力の強いソレノイドを使用することができる。このため同図に示すように、第２ブロッカーは、タイミングＴｃの時点で第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる指示がなされると、４〜１０ミリ秒程度で突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させ、メダルＭの進行を阻止することができる。したがって、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出された状態になっている。
【００５８】
よって、従来であれば飲み込まれていたメダルＭを図１２に点線で示した位置で停止させることができる。また、このようにして突起片５９により停止させたメダルＭは、タイミングＴｃから５０〜１００ミリ秒が経過し、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えると、メダル通路５０ｆから排出されてメダル受皿４０に返却される。よって、メダルＭの飲み込みを防ぐことができると共に、突起片５９により停止させたメダルＭをメダル通路５０ｆ内に滞留させることなく返却することができる。
【００５９】
また、第２ソレノイド５４は、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合に３００ミリ秒程度励磁されるだけであるので、例えばメダル通路５０ｆを返却状態にしている期間において絶えず第２ソレノイド５４を励磁している構成と比較した場合に、消費電力を低減できると共に第２ソレノイド５４による発熱の影響を抑えられる。
また、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１と第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２を変換基板８０で生成しているので、スロットマシン１（メイン制御基板７０）では、第１ブロッカーと連動させて第２ブロッカーを動作させるための制御プログラムが不要となり、その分だけＲＯＭ容量の節約を図ることができる。さらに、変換基板８０では、第１ソレノイド５２用の一つの駆動制御信号に基づいて、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１と第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２を生成することができるので、第１ソレノイド５２用の駆動制御信号のみをメイン制御基板から出力する従来のスロットマシンに対しても、メイン制御基板の出力系統や制御プログラムを変更することなく、本発明のメダルセレクタ５０を適用することが可能である。
【００６０】
＜５：スロットマシンの動作＞
メイン制御基板７０に備わるＣＰＵは、スロットマシン１の主電源が投入されると、初期化処理を行った後、図１７及び図１８に示す処理を実行する。なお、初期化処理では、クレジット数をゼロにセットすると共に、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＬｏｗレベルにする。したがって、図１７及び図１８に示す処理を開始する段階で、第１ソレノイド５２は励磁されており、メダル通路５０ｆは取込状態になっている。また、第２ソレノイド５４は非励磁であり、突起片５９はメダル通路５０ｆの外に退避した状態になっている。
【００６１】
ステップＳ１１：ＣＰＵは、検出信号２，３に基づいて新たなメダルＭがカウント位置（センサ用窓６２）を通過したか否かを判定し、通過していないと判定した場合はステップＳ１５に進む。
ステップＳ１２：ＣＰＵは、ベット数が最大枚数（３枚）に到達しているか否かを判定し、到達していると判定した場合はステップＳ２０に進む。
ステップＳ１３：ＣＰＵは投入ベット処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、１枚目のメダルＭであれば入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚目のメダルＭであれば入賞ラインをさらに２本（Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚目のメダルＭであれば入賞ラインをさらに２本（Ｌ４、Ｌ５）選択して有効化する。
ステップＳ１４：ＣＰＵは、ベットフラグの値を“１”にセットしてステップＳ２３に進む。
【００６２】
ステップＳ１５：ＣＰＵは、１枚ベットボタン１１ａと２枚ベットボタン１１ｂと３枚ベットボタン１１ｃのいずれかが操作されたか否かを判定し、いずれも操作されていないと判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ１６：ＣＰＵは、ベット数が最大枚数（３枚）に到達しているか否かを判定し、到達していると判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ１７：ＣＰＵは、操作されたベットボタンに対応するクレジット数が残っているか否かを判定し、残っていないと判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ１８：ＣＰＵは貯留ベット処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、１枚ベットボタン１１ａが押下された場合は入賞ラインを１本（Ｌ１）選択して有効化し、２枚ベットボタン１１ｂが押下された場合は入賞ラインを３本（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）選択して有効化し、３枚ベットボタン１１ｃが押下された場合は入賞ラインを５本（Ｌ１〜Ｌ５）選択して有効化する。また、ＣＰＵは、貯留ベット処理で使用した分だけクレジット数を減算する。
ステップＳ１９：ＣＰＵは、ベットフラグの値を“１”にセットしてステップＳ２３に進む。
【００６３】
ステップＳ２０：ＣＰＵはクレジット加算処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、ベット数が最大枚数（３枚）に到達している状態で新たなメダルＭがカウント位置（センサ用窓６２）を通過したことを検出すると、これをクレジット数に加算する。
ステップＳ２１：ＣＰＵは、クレジット数が５０枚に到達しているか否かを判定し、到達していないと判定した場合はステップＳ２３に進む。
ステップＳ２２：ＣＰＵは、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えた後、ステップＳ２３に進む。このステップＳ２２に示す処理により、クレジット数が５０枚に到達した場合に、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際、図１６に示したように、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にクレジット数が５０枚に到達した場合であっても、５０枚目としてカウントしたメダルＭに後続する５１枚目以降のメダルＭを、飲み込みことなくメダル受皿４０に返却することができる。
【００６４】
ステップＳ２３：ＣＰＵは、スタートレバー１２が操作されたか否かを判定し、操作されていないと判定した場合はステップＳ１１に戻る。
ステップＳ２４：ＣＰＵは、ベットフラグの値が“１”であるか否かを判定し、“１”でないと判定した場合はステップＳ１１に戻る。但し、メダルセンサ６３とメダルセンサ６４の一方以上がメダルＭの通過を検出しているときに、スタートレバー１２に対する操作に応じて、突出片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させてしまうと、メダルＭに突出片５９が衝突してしまう場合がある。したがって、メダルセンサ６３とメダルセンサ６４の一方以上がメダルＭの通過を検出しているときは、例外的にスタートレバー１２の操作を受付けず、メダルセンサ６３とメダルセンサ６４の両方がメダルＭの通過を検出しなくなった時点（検出信号２，３がともにＨｉレベルになった時点）から、スタートレバー１２が操作されたか否かの判定を再開する。
【００６５】
ステップＳ２５：ＣＰＵは、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えた後、遊技処理を開始する。このステップＳ２５に示す処理により、１以上の入賞ラインが有効化された状態でスタートレバー１２の操作を検知した場合に、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際も、図１６に示したように、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にスタートレバー１２が操作された場合についても、メダルＭの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルＭをメダル受皿４０に戻すことができる。
【００６６】
ステップＳ２６：ＣＰＵは遊技処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、リールＲ１〜Ｒ３の回転を開始させ、遊技者がストップボタン１３ａ〜１３ｃのそれぞれを押下すると、押下したストップボタンに対応するリールを停止させる。なお、全てのリールＲ１〜Ｒ３が停止したときに、あらかじめ定められた図柄の組み合わせが有効化された入賞ライン上に揃うと入賞となり、図柄の組み合わせ（役）ごとに定められた遊技価値が付与される。
ステップＳ２７：ＣＰＵは配当付与処理を行う。すなわち、ＣＰＵは、遊技の結果、有効化された入賞ライン上に役が成立して入賞していた場合は、役ごとに設定した遊技価値を付与する。付与される遊技価値がメダルＭの配当である場合、ＣＰＵは、まず、配当されるメダルＭを貯留装置に貯留し、クレジット数としてカウントする（配当クレジット処理）。また、配当を付与する過程でクレジット数が５０枚に到達した場合は、残りのメダルＭをメダル受皿４０に払い出す（配当払出処理）。
【００６７】
ステップＳ２８：ＣＰＵは、変換基板８０に供給する駆動制御信号をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替えた後、ステップＳ１１に戻る。このステップＳ２８に示す処理により、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替えられ、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられる。なお、第２ソレノイド５４は、ステップＳ２２やステップＳ２５で駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えてから３００ミリ秒後に、励磁から非励磁に切り替えられる指示が与えられている。このためステップＳ２８の時点では、既に突起片５９がメダル通路５０ｆ内から退避している。したがって、ステップＳ２８に示す処理により新たなメダルＭの取り込みが可能になる。
【００６８】
＜６：変形例＞
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば以下に述べる変形が可能である。
［変形例１］
上述した実施形態では、パルス生成回路８１において、駆動信号１の立下りエッジに同期して３００ミリ秒だけＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成する場合について説明したが（図１５）、パルス生成回路８１は、図１９に示すように、駆動信号１がＬｏｗレベルの場合にＨｉレベルとなり、駆動信号１がＨｉレベルの場合にＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成する構成であってもよい。この場合、第２ソレノイド５４として１００％デューティサイクルのものを使用しなければならないが、単に駆動信号１の信号波形を反転すればよいだけなのでパルス生成回路８１をインバータのみで構成することができる。よって、パルス生成回路８１の部品点数を減らし、パルス生成回路８１の回路構成を簡素化できる。なお、図１９においても駆動信号２がＬｏｗレベルとなる期間（タイミングＴｃからタイミングＴｄまでの期間）が、第２ソレノイド５４を励磁することを指示する期間となる。
また、要は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいて突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出できていればよいので、上述した実施形態において、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの所要時間以上であればよく、３００ミリ秒以下であってもよい。また、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は、駆動信号１の立下りエッジに同期していなくてもよい。
【００６９】
［変形例２］
図１７及び図１８に示したフローチャートにおいて、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに図２０に示す処理を行うと共に、ステップＳ２８の代わりに図２１に示す処理を行う構成としてもよい。この場合、変換基板８０を備えずともソフトウェア制御によって、図１５に示した駆動信号１と駆動信号２を生成することができる。
【００７０】
図２０は、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ３１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。
ステップＳ３２：ＣＰＵは、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。
このステップＳ３１及びＳ３２に示す処理により、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際、図１６に示したように、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にクレジット数が５０枚に到達した場合や、メダルＭの連続投入中にスタートレバー１２が操作された場合であっても、メダルＭの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルＭをメダル受皿４０に戻すことができる。
【００７１】
ステップＳ３３：ＣＰＵは、タイマカウンタを用いて時間計測を開始する。
ステップＳ３４：ＣＰＵは、計測時間が３００ミリ秒に到達したか否かを判定し、到達していない場合は計測時間が３００ミリ秒に到達するまで待機する。
ステップＳ３５：ＣＰＵは、計測時間が３００ミリ秒に到達すると、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。このステップＳ３５に示す処理により、第２ソレノイド５４が励磁から非励磁に切り替えられ、突起片５９がメダル通路５０ｆの外に退避する。
【００７２】
図２１は、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ４１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。このステップＳ４１に示す処理により、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替えられる。よって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられ、新たなメダルＭの取り込みが可能になる。
【００７３】
［変形例３］
図１７及び図１８に示したフローチャートにおいて、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに図２２に示す処理を行うと共に、ステップＳ２８の代わりに図２３に示す処理を行う構成としてもよい。この場合、変換基板８０を備えずともソフトウェア制御によって、図１９に示した駆動信号１と駆動信号２を生成することができる。
【００７４】
図２２は、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ５１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。
ステップＳ５２：ＣＰＵは、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。
このステップＳ５１及びＳ５２に示す処理により、第１ソレノイド５２が励磁から非励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が非励磁から励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが取込状態から返却状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出される。この際、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいては、突起片５９が突出された状態になっている。よって、メダルＭの連続投入中にクレジット数が５０枚に到達した場合や、メダルＭの連続投入中にスタートレバー１２が操作された場合であっても、メダルＭの飲み込みを発生させることなく、返却すべきメダルＭをメダル受皿４０に戻すことができる。
【００７５】
図２３は、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
ステップＳ６１：ＣＰＵは、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１をＨｉレベルからＬｏｗレベルに切り替える。
ステップＳ６２：ＣＰＵは、第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替える。
このステップＳ６１及びＳ６２に示す処理により、第１ソレノイド５２が非励磁から励磁に切り替えられると共に、第２ソレノイド５４が励磁から非励磁に切り替えられる。したがって、メダル通路５０ｆが返却状態から取込状態に切り替えられると共に、突起片５９がメダル通路５０ｆの外に退避し、新たなメダルＭの取り込みが可能になる。
【００７６】
［変形例４］
上述した実施形態では、図１４に示すように、メダルセンサ６４からの検出信号３がＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替わったタイミングＴａで、新たなメダルＭをカウントする構成を例示したが、例えば、クレジット数が５０枚目のメダルＭをカウントする際には、図１４にＴｂとして示すタイミングでカウントを行い、さらにこのタイミングＴｂで駆動制御信号をＬｏｗレベルからＨｉレベルに切り替えるようにしてもよい。この場合、メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替えるタイミングと、突起片５９を突出させるタイミングをタイミングＴａからタイミングＴｂに前倒しすることができる。
【００７７】
［変形例５］
上述した実施形態では、可動ガイド部材として、直立した状態にあるメダルＭの下端部分を支持するメダルガイドレール５１を例示したが、可動ガイド部材は、特許文献１に記載された可動ガイド板５１のように、コイン通路１４の上側の幅を調整し、直立した状態にあるコインの上端部分を支持するものであってもよい。また、メダルを直立させた状態ではなく、やや斜めに傾かせた状態で下流に通過させるメダル通路の場合は、メダルが下流に通過できるようメダルの側面部分を支持する可動ガイド部材を設けてもよい。
【００７８】
［変形例６］
上述した実施形態では、糸吊りやクレマンゴト等の不正行為を防ぐためメダルセンサを２個備えた構成を例示したが、メダルセンサの個数は１個であってもよいし、３個以上であってもよい。また、本発明はスロットマシンに限定されず、メダルを投入することでゲームを行うことが可能になる各種の遊技機に適用可能である。また、本発明に係るメダルセレクタは遊技機以外にも自動販売機等に適用可能である。
【００７９】
［変形例７］
上述した実施形態では、変換基板８０をメイン制御基板７０とは別に設けた構成を例示したが、変換基板８０とメイン制御基板７０を分けずにメイン制御基板７０内に変換基板８０の回路を含む構成としてもよい。
また、変換基板８０をメダルセレクタ５０内に備える構成としてもよい。例えば、変換基板８０をトップAssy５０ｃ（保護カバー５０ｅの内側）に組み込むことが可能である。この場合、変換基板８０はメダルセレクタ５０の構成要素になるため、メイン制御基板７０から供給される駆動制御信号に基づいて、メダルセレクタ５０内で、第１ソレノイド５２に供給する駆動信号１と第２ソレノイド５４に供給する駆動信号２が生成されることになる。この場合もスロットマシン１では、第１ブロッカーと連動させて第２ブロッカーを動作させるための制御プログラムが不要となるので、その分だけＲＯＭ容量の節約を図ることができる。また、第１ソレノイド５２用の駆動制御信号のみをメイン制御基板から出力する従来のスロットマシンに対し、メイン制御基板の出力系統や制御プログラムを変更することなく、変換基板８０を内蔵したメダルセレクタ５０を適用することができる。
なお、このように変換基板８０をメダルセレクタ５０内に備える構成とした場合についても、変形例１に記載したように、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの所要時間以上であればよく３００ミリ秒以下であってもよいし、駆動信号２をＬｏｗレベルにする期間は駆動信号１の立下りエッジに同期していなくてもよい。また、変換基板８０では、図１９に示したように、駆動信号１がＬｏｗレベルの場合にＨｉレベルとなり、駆動信号１がＨｉレベルの場合にＬｏｗレベルとなる駆動信号２を生成することもできる。
【００８０】
［変形例８］
上述した実施形態では、図１５に示したように、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示と、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を同じタイミングＴｃで行う場合について説明した。しかしながら、要は、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいて突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出できていればよいので、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示と、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を必ずしも同じタイミングで行う必要はない。
例えば、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を行い、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させた後に、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示を行う構成としてもよい。また、突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出させるのに要する所要時間は４〜１０ミリ秒程度と極めて短いので、駆動信号１による第１ソレノイド５２の励磁から非励磁への切り替えの指示を行った後に、駆動信号２による第２ソレノイド５４の非励磁から励磁への切り替えの指示を行う構成とすることもできる。
【００８１】
［変形例９］
上述した実施形態や変形例１，８では、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動するまでの期間Ｐにおいて突起片５９をメダル通路５０ｆ内に突出しているようにした。これは、メダルガイドレール５１の移動範囲である支持位置と排出位置の間に、実質的にメダルＭが排出可能になる位置が存在する場合を想定したためである。しかしながら、メダルＭが排出可能になる位置が「排出位置」である場合、すなわち、メダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に向けて移動中であっても、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終える前までは、メダルＭがメダルガイドレール５１によって支持され下流に通過可能な構成も考えられる。このような構成の場合は、第１ソレノイド５２を励磁から非励磁に切り替えることでメダルガイドレール５１が支持位置から排出位置に移動する場合に、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えるよりも前の時点で、突起片５９がメダル通路５０ｆ内に突出しているように第２ソレノイド５４を非励磁から励磁に切り替え、メダルガイドレール５１が排出位置に移動し終えた後に第２ソレノイド５４を励磁から非励磁に切り替えてやればよい。
【００８２】
［変形例１０］
上述した実施形態において、突起片５９の突出位置は、カウント位置（センサ用窓６２）より上流で、メダルガイドレール５１より下流に設けられるものとした（図１２参照）。しかしながら、例えば図２４に示すように、メダルガイドレール５１の下端部５１ｂを下流側に距離Ｅだけ延長した場合のように、突起片５９の突出位置は、カウント位置（センサ用窓６２）より上流にあるものの、メダルガイドレール５１より下流ではなく、メダルガイドレール５１の区間Ｌ’内の下流部分に設けられる構成であってもよい。このような構成であっても、突起片５９を突出して停止させたメダルＭ（図中点線）は、メダルガイドレール５１の区間Ｌ’内に位置するから、メダルガイドレール５１が排出位置に移動すると、メダル通路５０ｆから排出されてメダル受皿４０に返却される。よって、上述した実施形態の場合と同様に、メダルＭの飲み込みを防ぐことができると共に、突起片５９により停止させたメダルＭをメダル通路５０ｆ内に滞留させることなく返却することができる。なお、このように突起片５９の突出位置を、カウント位置（センサ用窓６２）より上流で、メダルガイドレール５１の区間Ｌ’内の下流部分に設けた場合についても、変形例１〜９に記載した変形が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】スロットマシン１の外観を示す斜視図である。
【図２】入賞ラインＬ１〜Ｌ５を説明するための図である。
【図３】メダルセレクタ５０の外観を示す斜視図である。
【図４】トップAssy５０ｃとベースAssy５０ｄを分離した状態を示す斜視図である。
【図５】図４において保護カバー５０ｅを外した状態を示す斜視図である。
【図６】メダルＭがメダル通路５０ｆを通過している状態を示す斜視図である。
【図７】メダルセレクタ５０の要部断面図（第１ソレノイド５２が非励磁の場合）である。
【図８】メダルセレクタ５０の要部断面図（第１ソレノイド５２が励磁されている場合／正規メダル）である。
【図９】メダルセレクタ５０の要部断面図（第１ソレノイド５２が励磁されている場合／小径メダル）である。
【図１０】テンショナー５６とアクチュエータ型センサ６０について説明するための斜視図である。
【図１１】第２ブロッカー（第２ソレノイド５４，復帰バネ５５）と突起片５９について説明するための斜視図である。
【図１２】突起片５９の突出位置について説明するための断面図である。
【図１３】スロットマシン１の電気的構成を示す要部ブロック図である。
【図１４】正規のメダルＭがメダル通路５０ｆを最後まで通過した場合のアクチュエータ型センサ６０及びメダルセンサ６３，６４の信号波形を示すタイミングチャートである。
【図１５】第１ソレノイド５２の駆動信号１と第２ソレノイド５４の駆動信号２を示すタイミングチャートである。
【図１６】メダル通路５０ｆを取込状態から返却状態に切り替える場合の第１ブロッカーと第２ブロッカーの動作を示すタイミングチャートである。
【図１７】スロットマシン１の動作を示すフローチャート（その１）である。
【図１８】スロットマシン１の動作を示すフローチャート（その２）である。
【図１９】変形例１に係り、第１ソレノイド５２の駆動信号１と第２ソレノイド５４の駆動信号２を示すタイミングチャートである。
【図２０】変形例２に係り、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２１】変形例２に係り、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２２】変形例３に係り、ステップＳ２２とステップＳ２５の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２３】変形例３に係り、ステップＳ２８の代わりに実行される処理を示すフローチャートである。
【図２４】変形例１０に係り、突起片５９の突出位置について説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１ スロットマシン
１０ メダル投入口
１２ スタートレバー
４０ メダル受皿
４０ａ メダル払出口
５０ メダルセレクタ
５０ａ 入口
５０ｂ 出口
５０ｃ トップAssy
５０ｄ ベースAssy
５０ｆ メダル通路
５１ メダルガイドレール
５２ 第１ソレノイド
５３ アマチュア（可動片）
５４ 第２ソレノイド
５５ 復帰バネ
５９ 突起片
６０ アクチュエータ型センサ
６１ センサ用窓
６２ センサ用窓
６３ メダルセンサ
６４ メダルセンサ
７０ メイン制御基板
８０ 変換基板
８１ パルス生成回路
Ｍ メダル
Ｌ 区間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路と、
前記メダル通路の一部の区間において当該区間を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間を通過するメダルを支持するための支持位置と、前記区間においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置とに移動可能な可動ガイド部材と、
前記可動ガイド部材を駆動するための第１ソレノイド及び第１付勢部材を有し、前記第１ソレノイドが励磁されることにより前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にしてメダルを前記区間の下流に通過させ、前記第１ソレノイドが非励磁にされることにより前記第１付勢部材の付勢力で前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にしてメダルを前記メダル通路から排出する第１ブロッカーと、
前記メダル通路において前記区間より下流の第１位置を通過するメダルを検出する検出部と、
前記メダル通路において前記区間より下流で前記第１位置より上流の第２位置に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置で阻止する阻止部材と、
前記阻止部材を駆動するための第２ソレノイド及び第２付勢部材を有し、前記第２ソレノイドが励磁されることにより前記阻止部材を前記メダル通路内に突出させてメダルの進行を前記第２位置で阻止し、前記第２ソレノイドが非励磁にされることにより前記第２付勢部材の付勢力で前記阻止部材を前記メダル通路内から退避させてメダルを前記第２位置の下流に通過させる第２ブロッカーとを備え、
前記第２位置は、前記阻止部材により進行を阻止したメダルを、前記可動ガイド部材が前記排出位置に位置している場合に排出することが可能な位置に定められている
ことを特徴とするメダルセレクタ。
【請求項２】
前記第２位置は、前記阻止部材により進行を阻止したメダルの重心が前記区間内に収まるように定められている
ことを特徴とする請求項１に記載のメダルセレクタ。
【請求項３】
投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路と、
前記メダル通路の一部の区間において当該区間を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間を通過するメダルを支持するための支持位置と、前記区間においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置とに移動可能な可動ガイド部材と、
前記可動ガイド部材を駆動するための第１ソレノイド及び第１付勢部材を有し、前記第１ソレノイドが励磁されることにより前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にしてメダルを前記区間の下流に通過させ、前記第１ソレノイドが非励磁にされることにより前記第１付勢部材の付勢力で前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にしてメダルを前記メダル通路から排出する第１ブロッカーと、
前記メダル通路において前記区間より下流の第１位置を通過するメダルを検出する検出部と、
前記メダル通路において前記区間内の下流部分に定められた第２位置に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置で阻止する阻止部材と、
前記阻止部材を駆動するための第２ソレノイド及び第２付勢部材を有し、前記第２ソレノイドが励磁されることにより前記阻止部材を前記メダル通路内に突出させてメダルの進行を前記第２位置で阻止し、前記第２ソレノイドが非励磁にされることにより前記第２付勢部材の付勢力で前記阻止部材を前記メダル通路内から退避させてメダルを前記第２位置の下流に通過させる第２ブロッカーと、
を備えることを特徴とするメダルセレクタ。
【請求項４】
前記第１ソレノイドは、前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にする場合に励磁され、前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にする場合に非励磁にされ、
前記第２ソレノイドは、前記第１ソレノイドが励磁から非励磁に切り替えられて前記可動ガイド部材が前記支持位置から前記排出位置に移動する場合に、前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するよりも前の時点で、前記阻止部材が前記メダル通路内に突出しているように非励磁から励磁に切り替えられ、前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動し終えた後に励磁から非励磁に切り替えられる
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のメダルセレクタ。
【請求項５】
外部から供給される一の制御信号に基づいて、前記第１ソレノイドに供給する第１駆動信号と前記第２ソレノイドに供給する第２駆動信号を生成する生成回路をさらに備え、
前記生成回路は、
前記制御信号に基づいて、前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にする場合に前記第１ソレノイドを励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にする場合に前記第１ソレノイドを非励磁にさせるように指示する前記第１駆動信号を生成し、
前記第１ソレノイドを非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間のうち、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間を含む所定期間において前記第２ソレノイドを励磁させるように指示し、前記所定期間以外において前記第２ソレノイドを非励磁にさせるように指示する前記第２駆動信号を生成する
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のメダルセレクタ。
【請求項６】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間である
ことを特徴とする請求項５に記載のメダルセレクタ。
【請求項７】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間である
ことを特徴とする請求項５に記載のメダルセレクタ。
【請求項８】
メダルを投入するための投入口と、
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載されたメダルセレクタと、
前記区間において前記メダル通路から排出されたメダルを返却するための返却口と、
前記第１ソレノイドの励磁及び非励磁と前記第２ソレノイドの励磁及び非励磁を制御する制御部と、
を備える遊技機であって、
前記制御部は、
前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にする場合に前記第１ソレノイドを励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にする場合に前記第１ソレノイドを非励磁にさせるように指示し、
前記第１ソレノイドを非励磁にすることを指示している期間のうち、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間を含む所定期間において前記第２ソレノイドを励磁させるように指示し、前記所定期間以外において前記第２ソレノイドを非励磁にさせるように指示する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項９】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間である
ことを特徴とする請求項８に記載の遊技機。
【請求項１０】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを非励磁にすることを指示している期間である
ことを特徴とする請求項８に記載の遊技機。
【請求項１１】
クレジットとして貯留されたメダルの枚数である貯留枚数を管理する貯留装置をさらに備え、
前記制御部は、前記貯留枚数が予め定められた上限値に到達した場合に、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えることを指示する
ことを特徴とする請求項８乃至１０のうちいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項１２】
可変表示可能な複数の表示列と、
前記複数の表示列の可変表示の開始を指示するための開始用操作子とをさらに備え、
前記制御部は、前記開始用操作子の操作の受付けが有効な場合に前記開始用操作子の操作を検知すると、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えることを指示する
ことを特徴とする請求項８乃至１０のうちいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項１】
投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路と、
前記メダル通路の一部の区間において当該区間を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間を通過するメダルを支持するための支持位置と、前記区間においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置とに移動可能な可動ガイド部材と、
前記可動ガイド部材を駆動するための第１ソレノイド及び第１付勢部材を有し、前記第１ソレノイドが励磁されることにより前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にしてメダルを前記区間の下流に通過させ、前記第１ソレノイドが非励磁にされることにより前記第１付勢部材の付勢力で前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にしてメダルを前記メダル通路から排出する第１ブロッカーと、
前記メダル通路において前記区間より下流の第１位置を通過するメダルを検出する検出部と、
前記メダル通路において前記区間より下流で前記第１位置より上流の第２位置に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置で阻止する阻止部材と、
前記阻止部材を駆動するための第２ソレノイド及び第２付勢部材を有し、前記第２ソレノイドが励磁されることにより前記阻止部材を前記メダル通路内に突出させてメダルの進行を前記第２位置で阻止し、前記第２ソレノイドが非励磁にされることにより前記第２付勢部材の付勢力で前記阻止部材を前記メダル通路内から退避させてメダルを前記第２位置の下流に通過させる第２ブロッカーとを備え、
前記第２位置は、前記阻止部材により進行を阻止したメダルを、前記可動ガイド部材が前記排出位置に位置している場合に排出することが可能な位置に定められている
ことを特徴とするメダルセレクタ。
【請求項２】
前記第２位置は、前記阻止部材により進行を阻止したメダルの重心が前記区間内に収まるように定められている
ことを特徴とする請求項１に記載のメダルセレクタ。
【請求項３】
投入されたメダルが下流に向けて通過するメダル通路と、
前記メダル通路の一部の区間において当該区間を通過することができるようにメダルを支持可能であり、前記区間を通過するメダルを支持するための支持位置と、前記区間においてメダルを前記メダル通路から排出するための排出位置とに移動可能な可動ガイド部材と、
前記可動ガイド部材を駆動するための第１ソレノイド及び第１付勢部材を有し、前記第１ソレノイドが励磁されることにより前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にしてメダルを前記区間の下流に通過させ、前記第１ソレノイドが非励磁にされることにより前記第１付勢部材の付勢力で前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にしてメダルを前記メダル通路から排出する第１ブロッカーと、
前記メダル通路において前記区間より下流の第１位置を通過するメダルを検出する検出部と、
前記メダル通路において前記区間内の下流部分に定められた第２位置に突出可能であり、突出された場合にメダルの進行を前記第２位置で阻止する阻止部材と、
前記阻止部材を駆動するための第２ソレノイド及び第２付勢部材を有し、前記第２ソレノイドが励磁されることにより前記阻止部材を前記メダル通路内に突出させてメダルの進行を前記第２位置で阻止し、前記第２ソレノイドが非励磁にされることにより前記第２付勢部材の付勢力で前記阻止部材を前記メダル通路内から退避させてメダルを前記第２位置の下流に通過させる第２ブロッカーと、
を備えることを特徴とするメダルセレクタ。
【請求項４】
前記第１ソレノイドは、前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にする場合に励磁され、前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にする場合に非励磁にされ、
前記第２ソレノイドは、前記第１ソレノイドが励磁から非励磁に切り替えられて前記可動ガイド部材が前記支持位置から前記排出位置に移動する場合に、前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するよりも前の時点で、前記阻止部材が前記メダル通路内に突出しているように非励磁から励磁に切り替えられ、前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動し終えた後に励磁から非励磁に切り替えられる
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のメダルセレクタ。
【請求項５】
外部から供給される一の制御信号に基づいて、前記第１ソレノイドに供給する第１駆動信号と前記第２ソレノイドに供給する第２駆動信号を生成する生成回路をさらに備え、
前記生成回路は、
前記制御信号に基づいて、前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にする場合に前記第１ソレノイドを励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にする場合に前記第１ソレノイドを非励磁にさせるように指示する前記第１駆動信号を生成し、
前記第１ソレノイドを非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間のうち、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間を含む所定期間において前記第２ソレノイドを励磁させるように指示し、前記所定期間以外において前記第２ソレノイドを非励磁にさせるように指示する前記第２駆動信号を生成する
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のメダルセレクタ。
【請求項６】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることが前記第１駆動信号によって指示された時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間である
ことを特徴とする請求項５に記載のメダルセレクタ。
【請求項７】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを非励磁にすることが前記第１駆動信号によって指示されている期間である
ことを特徴とする請求項５に記載のメダルセレクタ。
【請求項８】
メダルを投入するための投入口と、
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載されたメダルセレクタと、
前記区間において前記メダル通路から排出されたメダルを返却するための返却口と、
前記第１ソレノイドの励磁及び非励磁と前記第２ソレノイドの励磁及び非励磁を制御する制御部と、
を備える遊技機であって、
前記制御部は、
前記可動ガイド部材の位置を前記支持位置にする場合に前記第１ソレノイドを励磁させるように指示し、前記可動ガイド部材の位置を前記排出位置にする場合に前記第１ソレノイドを非励磁にさせるように指示し、
前記第１ソレノイドを非励磁にすることを指示している期間のうち、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間を含む所定期間において前記第２ソレノイドを励磁させるように指示し、前記所定期間以外において前記第２ソレノイドを非励磁にさせるように指示する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項９】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示した時点から前記可動ガイド部材が前記排出位置に移動するまでの期間である
ことを特徴とする請求項８に記載の遊技機。
【請求項１０】
前記所定期間は、前記第１ソレノイドを非励磁にすることを指示している期間である
ことを特徴とする請求項８に記載の遊技機。
【請求項１１】
クレジットとして貯留されたメダルの枚数である貯留枚数を管理する貯留装置をさらに備え、
前記制御部は、前記貯留枚数が予め定められた上限値に到達した場合に、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えることを指示する
ことを特徴とする請求項８乃至１０のうちいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項１２】
可変表示可能な複数の表示列と、
前記複数の表示列の可変表示の開始を指示するための開始用操作子とをさらに備え、
前記制御部は、前記開始用操作子の操作の受付けが有効な場合に前記開始用操作子の操作を検知すると、前記第１ソレノイドを励磁から非励磁に切り替えることを指示すると共に前記第２ソレノイドを非励磁から励磁に切り替えることを指示する
ことを特徴とする請求項８乃至１０のうちいずれか一項に記載の遊技機。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１０−１４８７４９（Ｐ２０１０−１４８７４９Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３３１５７６（Ｐ２００８−３３１５７６）
【出願日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【出願人】（５０１０１６８４７）ＫＰＥ株式会社 (145)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【出願人】（５０１０１６８４７）ＫＰＥ株式会社 (145)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]