メッキ基板のエッチング装置
【課題】第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されて、例えば回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良等が解消され、高密度，微細，精細な回路が形成されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れた、メッキ基板のエッチング装置を提案する。
【解決手段】このエッチング装置３は、回路基板の製造工程で使用され、水平搬送されるメッキされた基板材Ａに対し、エッチング液を噴射してエッチングする。そして、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が、エッチング装置３の上流側に付設されている。このエリア１３は、左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、スプレー管１４，１５に取付けられ、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇにエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。
【解決手段】このエッチング装置３は、回路基板の製造工程で使用され、水平搬送されるメッキされた基板材Ａに対し、エッチング液を噴射してエッチングする。そして、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が、エッチング装置３の上流側に付設されている。このエリア１３は、左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、スプレー管１４，１５に取付けられ、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇにエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ基板のエッチング装置に関する。すなわち、回路基板の製造工程において使用され、コンベヤにて水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする、エッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、その基幹をなすプリント配線基板等の回路基板も、高精度化，ファイン化，極薄化，多様化が進み、形成される回路の高密度化，微細化，精細化が著しい。
そして、このような回路基板の製造工程では、銅張り積層板たる基板材の外表面に、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けてから、→回路のネガフィルムを当てて、露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現象により溶解除去し、→回路形成部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥膜除去することにより、→基板材の外表面に、銅箔にて回路が形成され、→もって、回路基板が製造されている。
【０００３】
《従来技術》
図８は、この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
回路基板の製造工程で使用されるこの種のエッチング装置１では、コンベヤにて水平搬送される基板材Ａに対し、スプレー管２に取付けられたスプレーノズルからエッチング液Ｂを噴射して（図８では図示を省略）、エッチングが行われ、もって回路が形成される。
そして、このエッチング装置１に供給される基板材Ａは、図２の（４）図の正（側）断面図にも示したように、絶縁層（コア材）Ｃの外表面に銅箔Ｄが張り付けられた銅張り積層板よりなるが、更に、銅メッキＥされているものも多い。
そして、このようにメッキＥが施された基板材Ａについては、メッキＥの厚み誤差により、メッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、図４の（４）図，（５）図に示したように、その前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなる傾向がある。
すなわち、基板材Ａについて全体的に均一にメッキＥを施すことは、現状では困難視されており、メッキＥのバラツキ発生は不可避な状況にあり、メッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚の誤差は、５％〜１５％程度にも達している。
【０００４】
その対策として、従来のエッチング装置１では、前後の搬送方向Ｊに沿って配設された複数本のスプレー管２のうち、左右両側のスプレー管２に供給されるエッチング液Ｂの圧力を高く設定し、もって、そのスプレーノズルからエッチング液Ｂを、より高い噴射圧で噴射するようになっていた。
つまり、基板材Ａの銅箔Ｄの肉厚が薄い中央部Ｈに対して噴射されるエッチング液Ｂの噴射圧より、銅箔Ｄの肉厚が厚い左右端部Ｇに対して噴射されるエッチング液Ｂの噴射圧を、より高く設定し、もって、銅箔Ｄのエッチングの平均化が図られていた。
なお、図８の（１）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆるオシレーション方式よりなり、その各スプレー管２が、左右の幅方向Ｋに向け若干傾斜して配設されると共に、左右の幅方向Ｋに首振り揺動される。これに対し、図８の（２）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆる横移動方式よりなり、そのスプレー管２が、左右の幅方向Ｋに若干水平往復動される。
【０００５】
《先行技術文献情報》
このような従来例としては、例えば、次の特許文献１に示されたものが、挙げられる。
【特許文献１】特開２０００−２１２７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、このような従来例のエッチング装置１にあっては、次の問題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、基板材Ａの前後端部Ｆの銅箔Ｄの肉厚は、依然としてメッキＥにより厚いままであり、もって基板材Ａについて、エッチングが平均的に行われなくなり、高密度，微細，精細な回路が形成困難となる、という問題が指摘されていた。
すなわち、この種従来例のエッチング装置１では、前述したように、左右両側のスプレー管２のスプレーノズルのエッチング液Ｂの噴射圧を、より高く設定したことにより、基板材Ａの左右端部Ｇのエッチング量が増大し、もって左右端部Ｇと中央部Ｈ間では、銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングがほぼ均一化，平均化される。
しかしながら、前後端部Ｆの銅箔Ｄの肉厚は、依然として厚いままであり、これが原因となって、エッチングが平均化されず不均一となる。例えば、前後端部Ｆの銅箔Ｄの厚い箇所がエッチング不足となって、形成される回路幅が過大となり、これをカバーすべくエッチング量を増大させると、他の箇所がエッチング過多となって、形成される回路幅が過少となる。
そして、このように銅箔Ｄの平均的エッチングが阻害されるので、銅箔Dにて形成される回路について、回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良が発生し、回路の高密度化，微細化，精細化の障害となり、生産性・歩留まり・品質の低下が指摘されていた。
【０００７】
《第２の問題点》
第２に、そこでこの種従来例のエッチング装置１では、コンベヤの途中に方向転換機構を組み込み、もって途中で基板材Ａを９０度回転させることも、行われていた（前述した特許文献１を参照）。
そして、この種のエッチング装置１では、基板材Ａについて、回転前まで前後端部Fとして、銅箔Ｄの肉厚が厚いままであった箇所を、回転後は左右端部Ｇとして、高い噴射圧のエッチング液Ｂを噴射して、エッチング量を増大せしめる。もって基板材Ａについて、左右端部Ｇ，前後端部Ｆ，中央部Ｈを通し、全体的に銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングを均一化，平均化して、前述した第１の問題点を解消せんとすることも試みられていた。
しかしながら、この種のエッチング装置１については，途中に、回転可能かつ上下動可能なターンテーブル等を備えた方向転換機構を組み込むので、コストアップが著しいと共に、装置が長大化し設置スペースを取る、という問題が指摘されていた。
又、エッチング装置１自体も、高圧の左右端部Ｇ用のものを含め各スプレー管２を、首振り揺動させたり横移動させるオシレーション方式や横移動方式よりなり、この面からも、コスト面に問題が指摘されていた。
【０００８】
《本発明について》
本発明に係るメッキ基板のエッチング装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべく、発明者の鋭意研究努力の結果なされたものである。
そして本発明は、第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に、コスト面やスペース面にも優れて実現される、メッキ基板のエッチング装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず請求項１に
ついては、次のとおり。
請求項１のメッキ基板のエッチング装置は、回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする。そして、該基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されていること、を特徴とする。
請求項２については、次のとおり。請求項２のメッキ基板のエッチング装置では、請求項１において、供給された該基板材は、銅メッキされており、メッキの厚み誤差により外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部つまり外周部で厚く、中央部で薄くなっている。そして、該エリアでの集中的エッチングにより、該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり均一化されること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。請求項３のメッキ基板のエッチング装置では、請求項２において、該エリアは、該エッチング装置の上流側に追加付設されており、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、該スプレー管に取付けられ該基板材にエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。そして、該スプレー管そしてスプレーノズルは、該基板材の前後端部用のものと左右端部用のものとからなること、を特徴とする。
【００１０】
請求項４については、次のとおり。請求項４のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においてのみ、該前後端部に対し限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。請求項５のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においては、該前後端部に対しエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。請求項６のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管の左右位置のみに少数取付けられ、もって該基板材の左右端部に対向している。そして該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。請求項７のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして、該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向するものが、エッチング液をより高い噴射圧で噴射し、該基板材の中央部に対向するものが、エッチング液をより低い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とする。
【００１１】
請求項８については、次のとおり。請求項８のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送される。そして該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項９については、次のとおり。請求項９のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送される。そして該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項１０については、次のとおり。請求項１０のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度で該スプレー管に取付けられている。
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とする。
【００１２】
《作用等》
本発明のメッキ基板のエッチング装置は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）エッチング装置では、搬送される基板材にエッチング液が噴射される。
（２）そして、供給される基板材は銅メッキされており、メッキの厚み誤差により、外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部で厚く中央部で薄くなっている。
（３）そこで、このエッチング装置には、基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されており、同エリアは、前後端部用のものと左右端部用のものとからなり、それぞれ、左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、スプレー管に取付けられエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。
【００１３】
（４）まず、同エリアの前後端部用のスプレーノズルは、スプレー管に全体的に取付けられており、センサーにて検出された基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御される。そして、基板材の前後端部の通過時において、エッチング液を噴射するか、又はエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御される。 （５）次に、同エリアの左右端部用のスプレーノズルは、スプレー管の左右位置のみに取付けられ、もって基板材の左右端部にエッチング液を噴射するか、又は、スプレー管に全体的に取付けられ、基板材の左右端部に対向するものがエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御される。
（６）そして、スプレー管には、それぞれ専用のポンプ又は電磁弁を介して、エッチング液が圧送される。もって、このポンプにより又はこの電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材の前後端部や左右端部の幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧が高低制御される。
（７）更に、同エリアのスプレーノズルは、左右に向けられ斜めに傾斜してスプレー管に取付けられている。又、搬送される基板材について、スプレーノズル等に対向する領域の前後には、規制ローラーが対をなして配設，圧接されている。
そこでエッチング液は、左右に傾斜した噴射角度で噴射されると共に、規制ローラーにて規制され、もって基板材を左右方向にのみ流れるので、この面からも平均化されたエッチングが実現される。
【００１４】
（８）さて、供給された基板材は、前述したように銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部で厚くなっている。そこで、上述したように付設されたエリアにおいて、この前後端部および左右端部が集中的にエッチングされて、銅箔の肉厚が均一に補正され、もって基板材のエッチングが平均化されるようになる。
（９）しかも、このようなエッチングの平均化は、エッチング装置に、スプレーノズル付のスプレー管が配設された同エリアを追加付設しただけで、簡単な構成により容易に実現される。
（１０）さてそこで、本発明のメッキ基板のエッチング装置は、次の第１，第２の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１５】
《第１の効果》
第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されて、高密度，微細，精細な回路が形成されるようになる。
すなわち、本発明のメッキ基板のエッチング装置では、基板材の前後端部，左右端部，中央部の銅箔の肉厚が均一化され、もって平均化されたエッチングが実現される。
そこで、前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチング不足やエッチング過多の箇所は発生せず、回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良が解消されて、高密化，微細化，精細化された回路を製造可能となる。もって、生産性・歩留まり・品質が向上する。
【００１６】
《第２の効果》
第２に、しかもこれは、簡単な構成により容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れている。
すなわち、本発明のメッキ基板のエッチング装置は、スプレーノズル付のスプレー管を備えたエリアを追加付設して、ポンプや電磁弁で制御する方式を採用してなり、簡単な構成により上述した第１の点が容易に実現される。
前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチングの平均化のため、途中に方向転換機構を組み込んだり、オシレーション方式や横移動方式等を採用する必要もない。もってコスト面に優れると共に、装置が長大化することもなくスペース面にも優れている。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
《図面について》
以下、本発明に係るメッキ基板のエッチング装置を、図面に示した、発明を実施するための最良の形態に基づいて、詳細に説明する。図１，図２，図３は、本発明を実施するための最良の形態の説明に供する。
そして、図１の（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
図２の（１）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図、（２）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図、（３）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。図２の（４）図は、集中エッチング前の基板材の正（側）断面図、（５）図は、同基板材の平面説明図であり、（６）図は、集中エッチング後の基板材の正（側）断面図、（７）図は、同基板材の平面説明図である。
図３の（１）図は、制御用のブロック図、（２）図は、メッキ装置の正面説明図、（３）図は、その要部拡大図である。
図４，図５，図６は、エッチング装置本体の正面説明図，平面説明図，側面説明図である。図７は、エッチング装置本体等の各要部を示し、（１）図は、正断面図、（２）図は、別の正断面図、（３）図は、側面図、（４）図は、平面図である。図９は、回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。
【００１８】
《回路基板Ｌについて》
本発明のエッチング装置３は、回路基板Ｌの製造工程で使用される。そこでまず、図９を参照して、回路基板Ｌの概略について説明しておく。
回路基板Ｌは、ＡＶ機器，パソコン，携帯電話，デジカメ，その他各種の電子機器，ＩＴ関連機器において、その基幹をなす電気的接続用に用いられており、半導体部品間を接続するための回路Ｍパターンを、絶縁層の外表面や内部に形成してなる。
そして回路基板Ｌは、片面基板と両面基板とに分けられる他、多層基板（含、最近のビルドアップ法のもの）、その他各種のものがあり、又、硬質のリジット系基板とフィルム状のフレキシブル系基板とにも、分けられる。フレキシブル系基板の絶縁層は、ポリイミド製フィルム、その他の樹脂製フィルムよりなる。
又、このような回路基板Ｌの一環として、ＩＣ，ＬＳＩ素子，受動部品，駆動部品，コンデンサー等々の半導体部品が、回路Ｍと一体的に組み込まれたモジュール基板（半導体一体型のパッケージ基板）や、ガラスベースに回路Ｍと共に半導体部品が埋め込まれたガラス基板、つまりプラズマディスプレイＰＤＰ用のガラス基板や液晶ＬＣＤ用のガラス基板、更にはＣＳＰ，ＰＢＧＡ等も出現している。本明細書において回路基板Ｌとは、従来よりのプリント配線基板の外、このようなものも広く包含する。
【００１９】
そして回路基板Ｌは、電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、高精度化，ファイン化，そして極薄化，柔軟化，フレキシブル化，更には多層化，多様化等が進み、外表面（表面や裏面の一方又は双方）に形成される回路Ｍ、更には内部に形成される回路Ｍの高密度化，微細化，精細化が著しい。
回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、製造に際しての１枚の縦横のカットサイズが、例えば５００ｍｍ×４００ｍｍ程度よりなる。肉厚は、絶縁層（コア材）Ｃ部分が、従来の１．６ｍｍから１．０ｍｍ〜６０μｍ程度、昨今では５０μｍから１０μｍ前後まで、極薄化されている。回路Ｍ部分（銅箔Ｄ部分）の肉厚も、７０μｍ〜３５μｍ、昨今では１２μｍ〜３μｍ前後まで、極薄化されている。
多層基板の場合でも、全体の肉厚が１．０ｍｍ〜０．４ｍｍ程度まで、極薄化されつつある。回路Ｍ幅や回路Ｍ間スペースも、３０μｍ〜１５μｍ程度、昨今では１０μｍ前後まで微細化傾向にある。
回路基板Ｌは、概略このようになっている。
【００２０】
《回路基板Ｌの製造方法の１例について》
次に、本発明のエッチング装置３が使用される、回路基板Ｌの製造方法について、図９，図２の（４）図，（６）図等を参照して説明する。まず、第１例の製造方法について述べる。この製造方法において、回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、次のステップを辿って製造される。
最初に、紙フェノール製，ガラスエポキシ製，ガラスクロス製，セラミックス製，又はポリイミド製，その他のフィルム状樹脂製の絶縁層（コア材）Ｃの外表面に、銅箔Ｄが熱プレス，圧延，電解等により張り付けられた、銅張り積層板たる基板材Ａが準備される。
そして、このように準備された基板材Ａについて、張り付けられた銅箔Ｄ表面を粗化する表面粗化処理（ソフトエッチング）が行われた後、短尺のワークサイズの各葉に切断される。表面粗化処理は、従来は、機械研磨によって行われていたが、最近は、表面粗化液の噴射によって行われることが多い。
そして多くの場合、スルホールＮ用の孔あけ加工が、レーザ等を使用して実施される。スルホールＮは、基板材Ａ（回路基板Ｌ）の外表面間の微細な貫通孔よりなり、１枚について、極小径のものが数百個以上形成され、その径は、０．５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度以下のものが多くなっている。そしてスルホールＮは、外表面の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間や多層基板の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間の導通接続用や、回路Ｍに実装される半導体部品の取り付け用として使用される。
なお最近は、孔あけ加工を要するスルホールＮに代えて、小突起状・略円錐台状の接点たるバンプを形成し、もって多層基板等について、このバンプにより、スルホールＮと同様の機能を実現する技術も開発されている。バンプは、回路Ｍに準じ、現像工程，エッチング工程，剥膜工程等の表面処理工程を辿って、製造される。
【００２１】
さてしかる後、基板材Ａの銅箔Ｄの外表面に、感光性のレジストが膜状に塗布又は張り付けられる。それから、回路Ｍのネガフィルムつまり予め回路Ｍ設計された回路Ｍ写真を当て、露光することにより、外表面のレジストは、露光されて硬化した回路Ｍ形成部分を残し、その他の不要部分が、アルカリ性の現像液の噴射により溶解除去される。
それから、このような基板材Ａの銅箔Ｄは、レジストが硬化して被覆された回路Ｍ形成部分（保護膜部分）を残し、現像によりレジストが溶解除去されて露出した不要部分が、エッチング液Ｂ（塩化第二銅系，塩化第二鉄系，アルカリ系，その他の腐食液）の噴射により、溶解除去・エッチングされる。それから、残っていた回路Ｍ形成部分のレジストが、アルカリ性の剥離液の噴射により剥膜除去され、もって、残った回路Ｍ形成部分の銅箔Ｄにて、基板材Ａの外表面に、所定導体パターンの回路Ｍが形成され、回路基板Ｌが製造される。
又、上述した現像工程，エッチング工程，剥膜工程には、それぞれ後処理用に又は剥膜工程の後にまとめて後処理用に、水洗液，中和剤液，その他の洗浄液を噴射する、洗浄工程が付設されている。この洗浄工程では、基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）に付着していた現像液，エッチング液Ｂ，剥離液等の処理液が、洗浄，除去される。
更に、洗浄工程の後には、乾燥工程が付設されている。すなわち、洗浄工程で洗浄された基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）には、水洗液その他の洗浄液や，それらの水分が付着しているので、酸化防止等のためこれらを除去すべく、事後直ちに乾燥工程において乾燥処理される。
第１例の製造方法は、このようなウェットプロセス法よりなる。第１例の製造方法は、このようになっている。
【００２２】
《回路基板Ｌの製造方法の他の例について》
次に、第２例の製造方法について述べる。回路基板Ｌ例えばプリント配線基板の製造方法としては、上述した第１例のウェットプロセス法が代表的であるが、第２例のセミアディティブ法も多用されつつある。
セミアディティブ法では、まず、予めスルホールＮが形成された基板材Ａの外表面に、無電解銅メッキが施される。→それから、この無電解銅メッキに、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けた後、→回路Ｍフィルムである回路Ｍ写真を当て、露光する。→そしてレジストは、露光されて硬化した部分を残し、他の部分つまり回路Ｍ形成部分が、現像液の噴射により溶解除去される。
しかる後、→回路Ｍ形成部分、つまり現像によりレジストが溶解除去されたメッキパターン部分、つまり無電解銅メッキが露出した部分に対し、電解銅メッキが施されて、→回路Ｍが形成される。→なお、残っていた硬化した回路Ｍ形成部分以外のレジストは、剥離液の噴射により剥膜除去され、→露出した無電解銅メッキが、エッチング液Ｂの噴射によりクイックエッチングされて、融解除去される。→なお、各工程の後処理用として、前述した所に準じ、洗浄工程や乾燥工程が付設される。
第２例のセミアディティブ法では、このようにして、電解銅メッキにて回路Ｍが形成され、もって回路基板Ｌが製造される。第２例の製造方法は、このようになっている。
ところで、プリント配線基板その他の回路基板Ｌの製造方法は、最近ますます多様化しつつあり、上述した第１例，第２例以外にも、各種方法が開発，使用されている。本発明は勿論、このような各種の製造方法にも適用される。
回路基板Ｌの製造方法は、このようになっている。
【００２３】
《エッチング装置３の本体４について》
次に、図４，図５，図６，図７等を参照して、本発明の前提となるエッチング装置３の本体４について、説明する。
エッチング装置３は、前述した回路基板Ｌの製造工程中のエッチング工程にて使用され、水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液Ｂを噴射してエッチング処理（薬液処理，表面処理）する。
そして、処理室であるチャンバー５内に、基板材Ａを搬送方向Ｊに水平姿勢で搬送するコンベヤ６と、搬送される基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル７とを、備えている。
【００２４】
まず、エッチング装置３のコンベヤ６について述べる。コンベヤ６は、基板材Ａを上下から圧接して挟んで送る搬送ローラー８を備えており（図４，図６を参照）、搬送ローラー８は、スプレーゾーンＰを除き、上下方向Ｐに上下対をなし接触回転すべく組み合わせて配設され、上下共に前後の搬送方向Ｊに向け多数列設されている。少なくとも下位の搬送ローラー８は、回転駆動される駆動ローラーよりなる。
又、図示例の搬送ローラー８はストレートローラーよりなり、上下共に３個置きに、その１個分に相当するスプレーゾーンＰが形成されており（１個分の搬送ローラー８が欠如せしめられており）、上側のスプレーゾーンＰと下側のスプレーゾーンＰとは、対向位置せずに搬送方向Ｊにずれて位置している。
そして、スプレーゾーンＰの前後の搬送ローラー８が、規制ローラー９としても兼用され機能している（図６，図７の（３）図，（４）図を参照）。
すなわち、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂが、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れて、乱流や液溜まりとなることを阻止し、もって左右の幅方向Ｋにのみ流れるように規制する規制ローラー９が、スプレーゾーンＰ（後述するスプレー管１０やスプレーノズル７に対向する領域）の前後に、対をなして配設され、搬送される基板材Ａに圧接している。
【００２５】
次に、エッチング装置３のスプレーノズル７について述べる。スプレーノズル７は、スプレーゾーンＰにおいて、搬送される基板材Ａの上下に対向配設されており、エッチング液Ｂを噴射する。
スプレーノズル７としては、一般的なフルコーンノズルやスリットノズルが使用され、コンベヤ６の搬送ローラー８にて水平搬送される基板材Ａの真上や真下に、それぞれ上下間隔を存すると共に、前後の搬送方向Ｊと左右の幅方向Ｋにわたって、所定ピッチ間隔を置きつつ多数配列されている。
そしてエッチング液Ｂは、液槽１１からポンプや配管１２を介し、スプレー管１０を経由して、各スプレーノズル７に圧送され、もって基板材Ａに噴射される。そして、基板材Ａの外表面を流れつつ表面処理した後、基板材Ａの左右両サイドから流下されて、液槽１１に回収され、事後も循環使用される。
【００２６】
そして、図示例のスプレー管１０は配管１２から分岐された後、左右の幅方向Ｋに平行に沿うと共に、前後の搬送方向Ｊに向け一定ピッチで多数本配設されている（図５を参照）。そして、このような各スプレー管１０に、スプレーノズル７が、幅方向Ｋに一定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。
そこで、チャンバー５内全体において、スプレーノズル７は、前後，左右にそれぞれ一定ピッチ間隔を置きつつ、多数配設されていることになる。
又、スプレーノズル７は、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αでスプレー管１０に取付けられている（図４，図７の（１）図，（２）図を参照）。そこで、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂは、幅方向Ｋの左方向又は右方向に向け斜めに傾斜した噴射角度αで、基板材Ａに対して噴射され、もって基板材Ａの外表面を、左方向又は右方向に向け液溜まりや乱流のない規則的な流れを形成して、エッチングした後、左右両サイドから流下する。
そして、幅方向Ｋの左方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列と、幅方向Ｋの右方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列とが、前後の搬送方向Ｊに順次交互に配されている（図５を参照）。
エッチング装置３の本体４は、このようになっている。
【００２７】
《集中エッチング用のエリア１３について》
以下、図１，図２，図３等を参照して、本発明について説明する。このエッチング装置３には、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が，上下にそれぞれ付設されている。
この上下のエリア１３は、図示例ではエッチング装置３のチャンバー５内の上流側に、追加付設されている。そして、前後の搬送方向Ｊと９０度直交する左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、スプレー管１４，１５に取付けられ基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル１６，１７と、を備えている。
そして、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７は、基板材Ａの前後端部Ｆ用のものと、左右端部Ｇ用のものとからなっている。
【００２８】
このような集中エッチング用のエリア１３の概要について、更に詳述する。まず、このエッチング装置３そしてエリア１３に供給される基板材Ａは、銅メッキＥされている。
例えば、回路Ｍの形成前に、スルホールＮ内を層間接続用に導通処理しておく為、その他の理由により、銅張り積層板たる基板材Ａの外表面（例えば表面と裏面の両方）、つまり銅箔Ｄの外表面が、全体的に銅メッキＥされることが多い。
そして銅メッキＥは、例えば、メッキ槽１８に基板材Ａをハンガー１９で保持しつつ浸漬し、メッキ槽１８側を陽極、基板材Ａ側を陰極として通電することにより、実施される（図３の（２）図，（３）図を参照）。
その結果、基板材Ａは、通電度が高い外周部（前後端部Ｆと左右端部Ｇ）が厚くメッキＥされ、通電度が低くなる中央部Ｈが薄くメッキＥされてしまう。基板材Ａについて、全体的に均一にメッキＥを施すことは、現状では困難視されており、メッキＥ厚みのバラツキ発生は、不可避な状況にある。
【００２９】
そこで、回路基板Ｌの製造工程において、現像工程を経てエッチング工程のエッチング装置３に供給されたメッキ基板の基板材Ａは、このようなメッキＥの厚み誤差により、外表面（表面や裏面）のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
供給される基板材Ａについて、このようなメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚の誤差は、前後端部Ｆや左右端部Ｇと中央部Ｈとでは、５％〜１５％程度にも達している。
そこで、このエッチング装置３では、前述した本体４におけるエッチングに先立ち、エリア１３において、基板材Ａの外表面の前後端部Ｆや左右端部Ｇを、集中的にエッチングして、このような銅箔Ｄの肉厚を補正し、前後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり均一化してから（図２の（６）図，（７）図を参照）、本体４におけるエッチングを実施する。
なおエリア１３は、図示例ではエッチング装置３のチャンバー５内において、本体４の上流側に追加配設されているが、これによらず、下流側や途中の中間部に追加付設するようにしてもよい。
集中エッチング用のエリア１３は、概略このようになっている。
【００３０】
《前後端部Ｆ用のエリア１３について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図２の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照して、このようなエリア１３のうち、基板材Ａの前後端部Ｆの集中エッチング用のエリア１３部分について、説明する。
この前後端部用Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４のスプレーノズル１６は、上下のスプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして、センサー２０にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
もって、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においてのみ、上下から前後端部Ｆのみに対し限定的・スポット的に、エッチング液Ｂを噴射すべく制御されるか、又は、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においては、上下から前後端部Ｆに対しエッチング液Ｂを、より高い噴射圧で噴射すべく制御される。
【００３１】
このような前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、更に詳述する。
図示例では、基板材Ａの前端部と後端部つまり前後端部Ｆ用のスプレー管１４が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１６は、スプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４に取付けられている。更に図示例では、２本の内、１本のスプレー管１４に取付けられたスプレーノズル１６は、左方向に向けられ、他の１本に取付けられたスプレーノズル１６は、右方向に向けられている（図２の（１）図，（２）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。スプレーノズル１６の噴射角度αは、例えば１度〜３０度程度の間で可変であり、適宜選択設定される。
なお、このスプレー管１４やスプレーノズル１６について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７について前述した所に準じるので（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、本体４において前述した所に準じるので、その説明は省略する。
【００３２】
そしてセンサー２０は、位置センサーよりなり、基板材Ａの先端と後端の通過を検出して、検出された基板材Ａの位置情報やワークサイズ情報を、コントローラー２１に送出する。
コントローラー２１は、入力部２２を利用して予め入力されていた基板材Ａの前後端部Ｆの幅寸法情報（メッキＥ方式により種々変化するが、例えば前端部と後端部それぞれ２０ｍｍ）や、銅箔Ｄの肉厚寸法情報（メッキＥ方式により種々変化するが、例えば５μｍ）をも勘案し、予め読込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号を、図１の（１）図の例では電磁弁２４に対し、図１の（２）図の例ではインバーター２３を介しポンプ２５に送出する。
このような駆動制御信号に基づき、電磁弁２４やポンプ２５が駆動され、もって、基板材Ａの前後端部Ｆ（前端部と後端部）が通過する時間的タイミングで、スプレーノズル７がエッチング液Ｂを、選択された高い噴射圧（０．０２ＭＰａ〜０．３ＭＰａ、例えば
０．１５ＭＰａ）や流量（例えば１Ｌ／ｍｉｎ〜５Ｌ／ｍｉｎ）で噴射する。
なお、前後端部Ｆが通過する間のみエッチング液Ｂを高い噴射圧で噴射するタイプの制御が代表的であるが、これによらず、前後端部Ｆが通過する間は高い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射し、中央部Ｈが通過する間は低い噴射圧（例えば０．０１ＭＰａ）でエッチング液Ｂを噴射するタイプの制御も可能である。
又、このような制御は、タイミング制御の部分を除き、例えば噴射圧に関しては、アニアルで段階切換えする方式も可能である。又、２本のスプレー管１４のうち、２本共使用するか１本のみを選択使用するか等、使用本数の選択制御についても、同様である。
前後端部Ｆ用のエリア１３は、このようになっている。
【００３３】
《左右端部Ｇ用のエリア１３について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図２の（３）図，図３の（１）図等を参照して、エリア１３のうち、基板材Ａの左右端部Ｇの集中エッチング用のエリア１３部分について、説明する。
この左右端部Ｇ用のエリア１３のスプレー管１５のスプレーノズル１７は、図示例では、上下のスプレー管１５の左右位置のみに少数取付けられ、もって基板材Ａの左右端部Ｇに対向している。そして、基板材Ａの左右端部Ｇに対してのみ、上下から限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
又、このような図示例によらず、左右端部Ｇ用のスプレー管１５のスプレーノズル１７は、上下のスプレー管１５に部分的ではなく所定ピッチ間隔で全体的に多数取付け、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するものが、上下からエッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するものが、上下からエッチング液Ｂをより低い噴射圧で噴射すべく制御するようにしてもよい。
【００３４】
このような左右端部Ｇ用のエリア１３のスプレー管１５やスプレーノズル１７について、更に詳述する。まず図示例では、基板材Ａの左端部と右端部つまり左右端部Ｇ用のスプレー管１５が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１７は、図示例では、スプレー管１５の左右位置に２個ずつ取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１５に取付けられている（図２の（３）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。更に２本の内、１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、左方向に向けられ、他の１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、右方向に向けられている。
なお、このスプレー管１５やスプレーノズル１７について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７、更には前後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、前述した所に準じるので、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、同様である（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）。
【００３５】
そしてコントローラー２１には、基板材Ａの左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔Ｄの肉厚寸法情報が、入力部２２を利用して予め入力されており、予め読み込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号が電磁弁２４又はインバーター２３を介しポンプ２５に送出され、スプレーノズル１７が、選択された高い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射する。
この制御内容については、前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６やスプレー管１４について、前述したところに準じるので説明は省略するが、この左右端部Ｇ用のエリア１３の場合は、通常、タイミング制御は実施されず、エッチング液Ｂがスプレーノズル１７から連続的に噴射される。
又、この左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７については、図示例のタイプによらず、スプレー管１５の左右位置のみではなくスプレー管１５に全体的に取付け、基板材Ａの左右端部Ｇに対向位置するメインのスプレーノズル１７の噴射圧を高く、中央部Ｈに対向位置するサブのスプレーノズル１７の噴射圧を低く設定するタイプも可能である。
なお、図１の図示例では、このような左右端部Ｇ用のものが、前後端部Ｆ用のものより、エリア１３の上流側に配されているが、逆の順序で配することも可能である。
左右端部Ｇ用のエリア１３は、このようになっている。
【００３６】
《ポンプ２５や電磁弁２４について》
ここで、図１の（１）図，（２）図や図３の（１）図を参照して、使用されているポンプ２５や電磁弁２４について、説明しておく。
まず、図１の（２）図に示した例では、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２５は、インバーター２３を介することにより、その吐出力の程度や，駆動オンオフ等がコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
又、図１の（１）図に示した例では、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２４を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２４は、スプレー管１４，１５をバイパスさせる方式や、径を途中で変更する方式や、弁自体の開度を変更可能とする方式、等々によりコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
ポンプ２５や電磁弁２４は、このようになっている。
【００３７】
《作用等について》
本発明のエッチング装置３は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）回路基板Ｌの製造工程中、エッチング工程のエッチング装置３では、コンベヤ６にて水平搬送される基板材Ａに対しエッチング液Ｂを噴射し、もって基板材Ａの銅箔Ｄをエッチングする（図４，図５，図６を参照）。
【００３８】
（２）ところで、このエッチング装置３に供給される基板材Ａは、銅メッキＥされており、メッキＥの厚み誤差により、外表面（表面や裏面）のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
【００３９】
（３）そこで、このエッチング装置３には、基板材Ａのこのような前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が、上下にそれぞれ付設されている（図１を参照）。
すなわち、このエリア１３は、エッチング装置３本体４の上流側に追加付設されており、左右の幅方向Ｋに配設された上下それぞれ複数本のスプレー管１４，１５と、各スプレー管１４，１５に取付けられて基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル１６，１７と、を備えている。そして、このスプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７は、基板材Ａの前後端部Ｆ専用のものと、左右端部Ｇ専用のものとからなる。
【００４０】
（４）まず、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６については、次のとおり（図１の（１）図，（２）図，図２の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照）。
すなわち、この前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６は、そのスプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、センサー２０にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
そして、２つのタイプが可能である。すなわち、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時（前端部の通過時と後端部の通過時）においてのみ、前後端部Ｆに対し限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御されるタイプと、これによらず、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においては、前後端部Ｆに対しエッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、中央部Ｈに対しより低い噴射圧で噴射すべく制御されるタイプとが、可能である。
【００４１】
（５）次に、上下の同エリア１３の左右端部Ｇ用のスプレー管１５やスプレーノズル１７については、次の２つのタイプが可能である（図１の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照）。
すなわち第１のタイプでは、左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７は、そのスプレー管１５の左右位置のみに少数取付けられて（図２の（３）図を参照）、基板材Ａの左右端部Ｇに対向している。そして、基板材Ａの左右端部Ｇに対してのみ、限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
第２のタイプでは、左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７は、そのスプレー管１５に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そしてその内、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するメインのスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するサブのスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより低い噴射圧で噴射すべく制御される。
【００４２】
（６）又、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のスプレー管１４，１５やスプレーノズル１６，１７のこのような制御は、ポンプ２５による方式か電磁弁２４を利用する方式にて、行われる。
まず、ポンプ２５による方式の場合は（図１の（２）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介してエッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２５により、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を高低調整すべく制御される。
又、電磁弁２４を利用する方式の場合は（図１の（１）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２４を介してエッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２４を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を高低調整すべく制御される。
【００４３】
（７）そして、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のこのようなスプレー管１４，１５のスプレーノズル１６，１７は、前後の搬送方向Ｊに直交する左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４，１５に取付けられている（図２の（１）図，（２）図，（３）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。
これと共に、搬送される基板材Ａについて、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７に対向する領域の前後には、規制ローラー９が、対をなして配設され圧接されている（図７の（３）図，（４）図も参照）。
そこでエッチング液Ｂは、スプレーノズル１６，１７から左右の幅方向Ｋに向け傾斜した噴射角度αで噴射され、もって基板材Ａに噴射された後は、規制ローラー９にて規制されて、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れることがなく、液溜まりが発生することもなく、左右の幅方向Ｋにのみ流れるようになる。もって、この面からも平均化されたエッチングが実現される。
【００４４】
（８）さて、供給された基板材Ａは、前述したようにメッキＥの厚み誤差により、外表面のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇで厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
そこで、前述したように、エッチング装置３本体４の上流側に上下のエリア１３が追加付設されており、このエリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のスプレー管１４，１５のスプレーノズル１６，１７から、エッチング液Ｂが噴射される。これにより、エッチング液Ｂがより多く噴射配分されて、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇでのエッチング量が増大し、もって基板材Ａの銅箔Ｄの肉厚が補正される。
基板材Ａは、同エリア１３での集中的エッチングにより、前後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり、銅箔Ｄの肉厚が均一化され、もって、エッチング装置３本体４でのエッチングが、平均化されるようになる。
【００４５】
（９）しかも、基板材Ａのこのような銅箔Ｄの肉厚の均一化、そしてエッチングの平均化は、エッチング装置３の上流側に、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを集中的にエッチングするエリア１３を、追加付設しただけで実現される。
そして、このエリア１３には、スプレーノズル１６，１７が取付けられたスプレー管１４，１５が、複数本配設され、ポンプ２５や電磁弁２４にて制御される方式よりなる。
このように、このエッチング装置３では、エッチングの平均化が、簡単な構成により容易に実現される。
【００４６】
（１０）なお、基板材Ａの左右端部Ｇのみについて観察した場合においても、前述した図８のこの種従来例のように、エッチング装置１全体においてその銅箔Ｄの肉厚を調整するよりも、本発明のように、本体４の上流側のエリア１３において、集中的に一括して銅箔Ｄの肉厚を調整した方が、より確実である。つまり、中央部Ｈと左右端部Ｇの銅箔Ｄの肉厚を、より確実に均一化できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係るメッキ基板のエッチング装置について、発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
【図２】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図、（２）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図、（３）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。（４）図は、集中エッチング前の基板材の正（側）断面図、（５）図は、同基板材の平面説明図であり、（６）図は、集中エッチング後の基板材の正（側）断面図、（７）図は、同基板材の平面説明図である。
【図３】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、制御用のブロック図、（２）図は、メッキ装置の正面説明図、（３）図は、その要部拡大図である。
【図４】エッチング装置本体の正面説明図である。
【図５】エッチング装置本体の平面説明図である。
【図６】エッチング装置本体の側面説明図である。
【図７】エッチング装置本体等の各要部を示し、（１）図は、正断面図、（２）図は、別の正断面図、（３）図は、側面図、（４）図は、平面図である。
【図８】この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
【図９】回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１ エッチング装置（従来例）
２ スプレー管（従来例）
３ エッチング装置（本発明）
４ 本体
５ チャンバー
６ コンベヤ
７ スプレーノズル
８ 搬送ローラー
９ 規制ローラー
１０ スプレー管
１１ 液槽
１２ 配管
１３ エリア
１４ スプレー管（本発明）
１５ スプレー管（本発明）
１６ スプレーノズル（本発明）
１７ スプレーノズル（本発明）
１８ メッキ槽
１９ ハンガー
２０ センサー
２１ コントローラー
２２ 入力部
２３ インバーター
２４ 電磁弁
２５ ポンプ
Ａ 基板材
Ｂ エッチング液
Ｃ 絶縁層
Ｄ 銅箔
Ｅ メッキ
Ｆ 前後端部
Ｇ 左右端部
Ｈ 中央部
Ｊ 搬送方向
Ｋ 幅方向
Ｌ 回路基板
Ｍ 回路
Ｎ スルホール
Ｐ スプレーゾーン
Ｑ 上下方向
α 噴射角度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ基板のエッチング装置に関する。すなわち、回路基板の製造工程において使用され、コンベヤにて水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする、エッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
《技術的背景》
電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、その基幹をなすプリント配線基板等の回路基板も、高精度化，ファイン化，極薄化，多様化が進み、形成される回路の高密度化，微細化，精細化が著しい。
そして、このような回路基板の製造工程では、銅張り積層板たる基板材の外表面に、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けてから、→回路のネガフィルムを当てて、露光した後、→回路形成部分以外のレジストを、現象により溶解除去し、→回路形成部分以外の銅箔を、エッチングにより溶解除去してから、→回路形成部分のレジストを、剥膜除去することにより、→基板材の外表面に、銅箔にて回路が形成され、→もって、回路基板が製造されている。
【０００３】
《従来技術》
図８は、この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
回路基板の製造工程で使用されるこの種のエッチング装置１では、コンベヤにて水平搬送される基板材Ａに対し、スプレー管２に取付けられたスプレーノズルからエッチング液Ｂを噴射して（図８では図示を省略）、エッチングが行われ、もって回路が形成される。
そして、このエッチング装置１に供給される基板材Ａは、図２の（４）図の正（側）断面図にも示したように、絶縁層（コア材）Ｃの外表面に銅箔Ｄが張り付けられた銅張り積層板よりなるが、更に、銅メッキＥされているものも多い。
そして、このようにメッキＥが施された基板材Ａについては、メッキＥの厚み誤差により、メッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、図４の（４）図，（５）図に示したように、その前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなる傾向がある。
すなわち、基板材Ａについて全体的に均一にメッキＥを施すことは、現状では困難視されており、メッキＥのバラツキ発生は不可避な状況にあり、メッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚の誤差は、５％〜１５％程度にも達している。
【０００４】
その対策として、従来のエッチング装置１では、前後の搬送方向Ｊに沿って配設された複数本のスプレー管２のうち、左右両側のスプレー管２に供給されるエッチング液Ｂの圧力を高く設定し、もって、そのスプレーノズルからエッチング液Ｂを、より高い噴射圧で噴射するようになっていた。
つまり、基板材Ａの銅箔Ｄの肉厚が薄い中央部Ｈに対して噴射されるエッチング液Ｂの噴射圧より、銅箔Ｄの肉厚が厚い左右端部Ｇに対して噴射されるエッチング液Ｂの噴射圧を、より高く設定し、もって、銅箔Ｄのエッチングの平均化が図られていた。
なお、図８の（１）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆるオシレーション方式よりなり、その各スプレー管２が、左右の幅方向Ｋに向け若干傾斜して配設されると共に、左右の幅方向Ｋに首振り揺動される。これに対し、図８の（２）図に示した従来例のエッチング装置１は、いわゆる横移動方式よりなり、そのスプレー管２が、左右の幅方向Ｋに若干水平往復動される。
【０００５】
《先行技術文献情報》
このような従来例としては、例えば、次の特許文献１に示されたものが、挙げられる。
【特許文献１】特開２０００−２１２７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、このような従来例のエッチング装置１にあっては、次の問題が指摘されていた。
《第１の問題点》
第１に、基板材Ａの前後端部Ｆの銅箔Ｄの肉厚は、依然としてメッキＥにより厚いままであり、もって基板材Ａについて、エッチングが平均的に行われなくなり、高密度，微細，精細な回路が形成困難となる、という問題が指摘されていた。
すなわち、この種従来例のエッチング装置１では、前述したように、左右両側のスプレー管２のスプレーノズルのエッチング液Ｂの噴射圧を、より高く設定したことにより、基板材Ａの左右端部Ｇのエッチング量が増大し、もって左右端部Ｇと中央部Ｈ間では、銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングがほぼ均一化，平均化される。
しかしながら、前後端部Ｆの銅箔Ｄの肉厚は、依然として厚いままであり、これが原因となって、エッチングが平均化されず不均一となる。例えば、前後端部Ｆの銅箔Ｄの厚い箇所がエッチング不足となって、形成される回路幅が過大となり、これをカバーすべくエッチング量を増大させると、他の箇所がエッチング過多となって、形成される回路幅が過少となる。
そして、このように銅箔Ｄの平均的エッチングが阻害されるので、銅箔Dにて形成される回路について、回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良が発生し、回路の高密度化，微細化，精細化の障害となり、生産性・歩留まり・品質の低下が指摘されていた。
【０００７】
《第２の問題点》
第２に、そこでこの種従来例のエッチング装置１では、コンベヤの途中に方向転換機構を組み込み、もって途中で基板材Ａを９０度回転させることも、行われていた（前述した特許文献１を参照）。
そして、この種のエッチング装置１では、基板材Ａについて、回転前まで前後端部Fとして、銅箔Ｄの肉厚が厚いままであった箇所を、回転後は左右端部Ｇとして、高い噴射圧のエッチング液Ｂを噴射して、エッチング量を増大せしめる。もって基板材Ａについて、左右端部Ｇ，前後端部Ｆ，中央部Ｈを通し、全体的に銅箔Ｄの肉厚そしてエッチングを均一化，平均化して、前述した第１の問題点を解消せんとすることも試みられていた。
しかしながら、この種のエッチング装置１については，途中に、回転可能かつ上下動可能なターンテーブル等を備えた方向転換機構を組み込むので、コストアップが著しいと共に、装置が長大化し設置スペースを取る、という問題が指摘されていた。
又、エッチング装置１自体も、高圧の左右端部Ｇ用のものを含め各スプレー管２を、首振り揺動させたり横移動させるオシレーション方式や横移動方式よりなり、この面からも、コスト面に問題が指摘されていた。
【０００８】
《本発明について》
本発明に係るメッキ基板のエッチング装置は、このような実情に鑑み、上記従来例の課題を解決すべく、発明者の鋭意研究努力の結果なされたものである。
そして本発明は、第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されると共に、第２に、しかもこれが簡単容易に、コスト面やスペース面にも優れて実現される、メッキ基板のエッチング装置を提案することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
《請求項について》
このような課題を解決する本発明の技術的手段は、次のとおりである。まず請求項１に
ついては、次のとおり。
請求項１のメッキ基板のエッチング装置は、回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングする。そして、該基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されていること、を特徴とする。
請求項２については、次のとおり。請求項２のメッキ基板のエッチング装置では、請求項１において、供給された該基板材は、銅メッキされており、メッキの厚み誤差により外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部つまり外周部で厚く、中央部で薄くなっている。そして、該エリアでの集中的エッチングにより、該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり均一化されること、を特徴とする。
請求項３については、次のとおり。請求項３のメッキ基板のエッチング装置では、請求項２において、該エリアは、該エッチング装置の上流側に追加付設されており、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、該スプレー管に取付けられ該基板材にエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。そして、該スプレー管そしてスプレーノズルは、該基板材の前後端部用のものと左右端部用のものとからなること、を特徴とする。
【００１０】
請求項４については、次のとおり。請求項４のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においてのみ、該前後端部に対し限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項５については、次のとおり。請求項５のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においては、該前後端部に対しエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項６については、次のとおり。請求項６のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管の左右位置のみに少数取付けられ、もって該基板材の左右端部に対向している。そして該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とする。
請求項７については、次のとおり。請求項７のメッキ基板のエッチング装置では、請求項３において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして、該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向するものが、エッチング液をより高い噴射圧で噴射し、該基板材の中央部に対向するものが、エッチング液をより低い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とする。
【００１１】
請求項８については、次のとおり。請求項８のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送される。そして該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項９については、次のとおり。請求項９のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送される。そして該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とする。
請求項１０については、次のとおり。請求項１０のメッキ基板のエッチング装置では、請求項４，５，６，又は７において、該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度で該スプレー管に取付けられている。
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とする。
【００１２】
《作用等》
本発明のメッキ基板のエッチング装置は、このような手段よりなるので、次のようになる。
（１）エッチング装置では、搬送される基板材にエッチング液が噴射される。
（２）そして、供給される基板材は銅メッキされており、メッキの厚み誤差により、外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部で厚く中央部で薄くなっている。
（３）そこで、このエッチング装置には、基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されており、同エリアは、前後端部用のものと左右端部用のものとからなり、それぞれ、左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、スプレー管に取付けられエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。
【００１３】
（４）まず、同エリアの前後端部用のスプレーノズルは、スプレー管に全体的に取付けられており、センサーにて検出された基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御される。そして、基板材の前後端部の通過時において、エッチング液を噴射するか、又はエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御される。 （５）次に、同エリアの左右端部用のスプレーノズルは、スプレー管の左右位置のみに取付けられ、もって基板材の左右端部にエッチング液を噴射するか、又は、スプレー管に全体的に取付けられ、基板材の左右端部に対向するものがエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御される。
（６）そして、スプレー管には、それぞれ専用のポンプ又は電磁弁を介して、エッチング液が圧送される。もって、このポンプにより又はこの電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材の前後端部や左右端部の幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧が高低制御される。
（７）更に、同エリアのスプレーノズルは、左右に向けられ斜めに傾斜してスプレー管に取付けられている。又、搬送される基板材について、スプレーノズル等に対向する領域の前後には、規制ローラーが対をなして配設，圧接されている。
そこでエッチング液は、左右に傾斜した噴射角度で噴射されると共に、規制ローラーにて規制され、もって基板材を左右方向にのみ流れるので、この面からも平均化されたエッチングが実現される。
【００１４】
（８）さて、供給された基板材は、前述したように銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部で厚くなっている。そこで、上述したように付設されたエリアにおいて、この前後端部および左右端部が集中的にエッチングされて、銅箔の肉厚が均一に補正され、もって基板材のエッチングが平均化されるようになる。
（９）しかも、このようなエッチングの平均化は、エッチング装置に、スプレーノズル付のスプレー管が配設された同エリアを追加付設しただけで、簡単な構成により容易に実現される。
（１０）さてそこで、本発明のメッキ基板のエッチング装置は、次の第１，第２の効果を発揮する。
【発明の効果】
【００１５】
《第１の効果》
第１に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されて、高密度，微細，精細な回路が形成されるようになる。
すなわち、本発明のメッキ基板のエッチング装置では、基板材の前後端部，左右端部，中央部の銅箔の肉厚が均一化され、もって平均化されたエッチングが実現される。
そこで、前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチング不足やエッチング過多の箇所は発生せず、回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良が解消されて、高密化，微細化，精細化された回路を製造可能となる。もって、生産性・歩留まり・品質が向上する。
【００１６】
《第２の効果》
第２に、しかもこれは、簡単な構成により容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れている。
すなわち、本発明のメッキ基板のエッチング装置は、スプレーノズル付のスプレー管を備えたエリアを追加付設して、ポンプや電磁弁で制御する方式を採用してなり、簡単な構成により上述した第１の点が容易に実現される。
前述したこの種従来例のエッチング装置のように、エッチングの平均化のため、途中に方向転換機構を組み込んだり、オシレーション方式や横移動方式等を採用する必要もない。もってコスト面に優れると共に、装置が長大化することもなくスペース面にも優れている。
このように、この種従来例に存した課題がすべて解決される等、本発明の発揮する効果は、顕著にして大なるものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
《図面について》
以下、本発明に係るメッキ基板のエッチング装置を、図面に示した、発明を実施するための最良の形態に基づいて、詳細に説明する。図１，図２，図３は、本発明を実施するための最良の形態の説明に供する。
そして、図１の（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
図２の（１）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図、（２）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図、（３）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。図２の（４）図は、集中エッチング前の基板材の正（側）断面図、（５）図は、同基板材の平面説明図であり、（６）図は、集中エッチング後の基板材の正（側）断面図、（７）図は、同基板材の平面説明図である。
図３の（１）図は、制御用のブロック図、（２）図は、メッキ装置の正面説明図、（３）図は、その要部拡大図である。
図４，図５，図６は、エッチング装置本体の正面説明図，平面説明図，側面説明図である。図７は、エッチング装置本体等の各要部を示し、（１）図は、正断面図、（２）図は、別の正断面図、（３）図は、側面図、（４）図は、平面図である。図９は、回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。
【００１８】
《回路基板Ｌについて》
本発明のエッチング装置３は、回路基板Ｌの製造工程で使用される。そこでまず、図９を参照して、回路基板Ｌの概略について説明しておく。
回路基板Ｌは、ＡＶ機器，パソコン，携帯電話，デジカメ，その他各種の電子機器，ＩＴ関連機器において、その基幹をなす電気的接続用に用いられており、半導体部品間を接続するための回路Ｍパターンを、絶縁層の外表面や内部に形成してなる。
そして回路基板Ｌは、片面基板と両面基板とに分けられる他、多層基板（含、最近のビルドアップ法のもの）、その他各種のものがあり、又、硬質のリジット系基板とフィルム状のフレキシブル系基板とにも、分けられる。フレキシブル系基板の絶縁層は、ポリイミド製フィルム、その他の樹脂製フィルムよりなる。
又、このような回路基板Ｌの一環として、ＩＣ，ＬＳＩ素子，受動部品，駆動部品，コンデンサー等々の半導体部品が、回路Ｍと一体的に組み込まれたモジュール基板（半導体一体型のパッケージ基板）や、ガラスベースに回路Ｍと共に半導体部品が埋め込まれたガラス基板、つまりプラズマディスプレイＰＤＰ用のガラス基板や液晶ＬＣＤ用のガラス基板、更にはＣＳＰ，ＰＢＧＡ等も出現している。本明細書において回路基板Ｌとは、従来よりのプリント配線基板の外、このようなものも広く包含する。
【００１９】
そして回路基板Ｌは、電子機器，ＩＴ関連機器の高性能化，高機能化，小型軽量化に伴い、高精度化，ファイン化，そして極薄化，柔軟化，フレキシブル化，更には多層化，多様化等が進み、外表面（表面や裏面の一方又は双方）に形成される回路Ｍ、更には内部に形成される回路Ｍの高密度化，微細化，精細化が著しい。
回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、製造に際しての１枚の縦横のカットサイズが、例えば５００ｍｍ×４００ｍｍ程度よりなる。肉厚は、絶縁層（コア材）Ｃ部分が、従来の１．６ｍｍから１．０ｍｍ〜６０μｍ程度、昨今では５０μｍから１０μｍ前後まで、極薄化されている。回路Ｍ部分（銅箔Ｄ部分）の肉厚も、７０μｍ〜３５μｍ、昨今では１２μｍ〜３μｍ前後まで、極薄化されている。
多層基板の場合でも、全体の肉厚が１．０ｍｍ〜０．４ｍｍ程度まで、極薄化されつつある。回路Ｍ幅や回路Ｍ間スペースも、３０μｍ〜１５μｍ程度、昨今では１０μｍ前後まで微細化傾向にある。
回路基板Ｌは、概略このようになっている。
【００２０】
《回路基板Ｌの製造方法の１例について》
次に、本発明のエッチング装置３が使用される、回路基板Ｌの製造方法について、図９，図２の（４）図，（６）図等を参照して説明する。まず、第１例の製造方法について述べる。この製造方法において、回路基板Ｌ例えばプリント配線基板は、次のステップを辿って製造される。
最初に、紙フェノール製，ガラスエポキシ製，ガラスクロス製，セラミックス製，又はポリイミド製，その他のフィルム状樹脂製の絶縁層（コア材）Ｃの外表面に、銅箔Ｄが熱プレス，圧延，電解等により張り付けられた、銅張り積層板たる基板材Ａが準備される。
そして、このように準備された基板材Ａについて、張り付けられた銅箔Ｄ表面を粗化する表面粗化処理（ソフトエッチング）が行われた後、短尺のワークサイズの各葉に切断される。表面粗化処理は、従来は、機械研磨によって行われていたが、最近は、表面粗化液の噴射によって行われることが多い。
そして多くの場合、スルホールＮ用の孔あけ加工が、レーザ等を使用して実施される。スルホールＮは、基板材Ａ（回路基板Ｌ）の外表面間の微細な貫通孔よりなり、１枚について、極小径のものが数百個以上形成され、その径は、０．５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度以下のものが多くなっている。そしてスルホールＮは、外表面の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間や多層基板の回路Ｍ（銅箔Ｄ）間の導通接続用や、回路Ｍに実装される半導体部品の取り付け用として使用される。
なお最近は、孔あけ加工を要するスルホールＮに代えて、小突起状・略円錐台状の接点たるバンプを形成し、もって多層基板等について、このバンプにより、スルホールＮと同様の機能を実現する技術も開発されている。バンプは、回路Ｍに準じ、現像工程，エッチング工程，剥膜工程等の表面処理工程を辿って、製造される。
【００２１】
さてしかる後、基板材Ａの銅箔Ｄの外表面に、感光性のレジストが膜状に塗布又は張り付けられる。それから、回路Ｍのネガフィルムつまり予め回路Ｍ設計された回路Ｍ写真を当て、露光することにより、外表面のレジストは、露光されて硬化した回路Ｍ形成部分を残し、その他の不要部分が、アルカリ性の現像液の噴射により溶解除去される。
それから、このような基板材Ａの銅箔Ｄは、レジストが硬化して被覆された回路Ｍ形成部分（保護膜部分）を残し、現像によりレジストが溶解除去されて露出した不要部分が、エッチング液Ｂ（塩化第二銅系，塩化第二鉄系，アルカリ系，その他の腐食液）の噴射により、溶解除去・エッチングされる。それから、残っていた回路Ｍ形成部分のレジストが、アルカリ性の剥離液の噴射により剥膜除去され、もって、残った回路Ｍ形成部分の銅箔Ｄにて、基板材Ａの外表面に、所定導体パターンの回路Ｍが形成され、回路基板Ｌが製造される。
又、上述した現像工程，エッチング工程，剥膜工程には、それぞれ後処理用に又は剥膜工程の後にまとめて後処理用に、水洗液，中和剤液，その他の洗浄液を噴射する、洗浄工程が付設されている。この洗浄工程では、基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）に付着していた現像液，エッチング液Ｂ，剥離液等の処理液が、洗浄，除去される。
更に、洗浄工程の後には、乾燥工程が付設されている。すなわち、洗浄工程で洗浄された基板材Ａの外表面（含むスルホールＮ内等）には、水洗液その他の洗浄液や，それらの水分が付着しているので、酸化防止等のためこれらを除去すべく、事後直ちに乾燥工程において乾燥処理される。
第１例の製造方法は、このようなウェットプロセス法よりなる。第１例の製造方法は、このようになっている。
【００２２】
《回路基板Ｌの製造方法の他の例について》
次に、第２例の製造方法について述べる。回路基板Ｌ例えばプリント配線基板の製造方法としては、上述した第１例のウェットプロセス法が代表的であるが、第２例のセミアディティブ法も多用されつつある。
セミアディティブ法では、まず、予めスルホールＮが形成された基板材Ａの外表面に、無電解銅メッキが施される。→それから、この無電解銅メッキに、感光性のレジストを膜状に塗布又は張り付けた後、→回路Ｍフィルムである回路Ｍ写真を当て、露光する。→そしてレジストは、露光されて硬化した部分を残し、他の部分つまり回路Ｍ形成部分が、現像液の噴射により溶解除去される。
しかる後、→回路Ｍ形成部分、つまり現像によりレジストが溶解除去されたメッキパターン部分、つまり無電解銅メッキが露出した部分に対し、電解銅メッキが施されて、→回路Ｍが形成される。→なお、残っていた硬化した回路Ｍ形成部分以外のレジストは、剥離液の噴射により剥膜除去され、→露出した無電解銅メッキが、エッチング液Ｂの噴射によりクイックエッチングされて、融解除去される。→なお、各工程の後処理用として、前述した所に準じ、洗浄工程や乾燥工程が付設される。
第２例のセミアディティブ法では、このようにして、電解銅メッキにて回路Ｍが形成され、もって回路基板Ｌが製造される。第２例の製造方法は、このようになっている。
ところで、プリント配線基板その他の回路基板Ｌの製造方法は、最近ますます多様化しつつあり、上述した第１例，第２例以外にも、各種方法が開発，使用されている。本発明は勿論、このような各種の製造方法にも適用される。
回路基板Ｌの製造方法は、このようになっている。
【００２３】
《エッチング装置３の本体４について》
次に、図４，図５，図６，図７等を参照して、本発明の前提となるエッチング装置３の本体４について、説明する。
エッチング装置３は、前述した回路基板Ｌの製造工程中のエッチング工程にて使用され、水平搬送される基板材Ａに対し、エッチング液Ｂを噴射してエッチング処理（薬液処理，表面処理）する。
そして、処理室であるチャンバー５内に、基板材Ａを搬送方向Ｊに水平姿勢で搬送するコンベヤ６と、搬送される基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル７とを、備えている。
【００２４】
まず、エッチング装置３のコンベヤ６について述べる。コンベヤ６は、基板材Ａを上下から圧接して挟んで送る搬送ローラー８を備えており（図４，図６を参照）、搬送ローラー８は、スプレーゾーンＰを除き、上下方向Ｐに上下対をなし接触回転すべく組み合わせて配設され、上下共に前後の搬送方向Ｊに向け多数列設されている。少なくとも下位の搬送ローラー８は、回転駆動される駆動ローラーよりなる。
又、図示例の搬送ローラー８はストレートローラーよりなり、上下共に３個置きに、その１個分に相当するスプレーゾーンＰが形成されており（１個分の搬送ローラー８が欠如せしめられており）、上側のスプレーゾーンＰと下側のスプレーゾーンＰとは、対向位置せずに搬送方向Ｊにずれて位置している。
そして、スプレーゾーンＰの前後の搬送ローラー８が、規制ローラー９としても兼用され機能している（図６，図７の（３）図，（４）図を参照）。
すなわち、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂが、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れて、乱流や液溜まりとなることを阻止し、もって左右の幅方向Ｋにのみ流れるように規制する規制ローラー９が、スプレーゾーンＰ（後述するスプレー管１０やスプレーノズル７に対向する領域）の前後に、対をなして配設され、搬送される基板材Ａに圧接している。
【００２５】
次に、エッチング装置３のスプレーノズル７について述べる。スプレーノズル７は、スプレーゾーンＰにおいて、搬送される基板材Ａの上下に対向配設されており、エッチング液Ｂを噴射する。
スプレーノズル７としては、一般的なフルコーンノズルやスリットノズルが使用され、コンベヤ６の搬送ローラー８にて水平搬送される基板材Ａの真上や真下に、それぞれ上下間隔を存すると共に、前後の搬送方向Ｊと左右の幅方向Ｋにわたって、所定ピッチ間隔を置きつつ多数配列されている。
そしてエッチング液Ｂは、液槽１１からポンプや配管１２を介し、スプレー管１０を経由して、各スプレーノズル７に圧送され、もって基板材Ａに噴射される。そして、基板材Ａの外表面を流れつつ表面処理した後、基板材Ａの左右両サイドから流下されて、液槽１１に回収され、事後も循環使用される。
【００２６】
そして、図示例のスプレー管１０は配管１２から分岐された後、左右の幅方向Ｋに平行に沿うと共に、前後の搬送方向Ｊに向け一定ピッチで多数本配設されている（図５を参照）。そして、このような各スプレー管１０に、スプレーノズル７が、幅方向Ｋに一定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。
そこで、チャンバー５内全体において、スプレーノズル７は、前後，左右にそれぞれ一定ピッチ間隔を置きつつ、多数配設されていることになる。
又、スプレーノズル７は、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αでスプレー管１０に取付けられている（図４，図７の（１）図，（２）図を参照）。そこで、スプレーノズル７から噴射されたエッチング液Ｂは、幅方向Ｋの左方向又は右方向に向け斜めに傾斜した噴射角度αで、基板材Ａに対して噴射され、もって基板材Ａの外表面を、左方向又は右方向に向け液溜まりや乱流のない規則的な流れを形成して、エッチングした後、左右両サイドから流下する。
そして、幅方向Ｋの左方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列と、幅方向Ｋの右方向に向けてスプレー管１０に取付けられたスプレーノズル７の列とが、前後の搬送方向Ｊに順次交互に配されている（図５を参照）。
エッチング装置３の本体４は、このようになっている。
【００２７】
《集中エッチング用のエリア１３について》
以下、図１，図２，図３等を参照して、本発明について説明する。このエッチング装置３には、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が，上下にそれぞれ付設されている。
この上下のエリア１３は、図示例ではエッチング装置３のチャンバー５内の上流側に、追加付設されている。そして、前後の搬送方向Ｊと９０度直交する左右の幅方向Ｋに配設された複数本のスプレー管１４，１５と、スプレー管１４，１５に取付けられ基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル１６，１７と、を備えている。
そして、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７は、基板材Ａの前後端部Ｆ用のものと、左右端部Ｇ用のものとからなっている。
【００２８】
このような集中エッチング用のエリア１３の概要について、更に詳述する。まず、このエッチング装置３そしてエリア１３に供給される基板材Ａは、銅メッキＥされている。
例えば、回路Ｍの形成前に、スルホールＮ内を層間接続用に導通処理しておく為、その他の理由により、銅張り積層板たる基板材Ａの外表面（例えば表面と裏面の両方）、つまり銅箔Ｄの外表面が、全体的に銅メッキＥされることが多い。
そして銅メッキＥは、例えば、メッキ槽１８に基板材Ａをハンガー１９で保持しつつ浸漬し、メッキ槽１８側を陽極、基板材Ａ側を陰極として通電することにより、実施される（図３の（２）図，（３）図を参照）。
その結果、基板材Ａは、通電度が高い外周部（前後端部Ｆと左右端部Ｇ）が厚くメッキＥされ、通電度が低くなる中央部Ｈが薄くメッキＥされてしまう。基板材Ａについて、全体的に均一にメッキＥを施すことは、現状では困難視されており、メッキＥ厚みのバラツキ発生は、不可避な状況にある。
【００２９】
そこで、回路基板Ｌの製造工程において、現像工程を経てエッチング工程のエッチング装置３に供給されたメッキ基板の基板材Ａは、このようなメッキＥの厚み誤差により、外表面（表面や裏面）のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
供給される基板材Ａについて、このようなメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚の誤差は、前後端部Ｆや左右端部Ｇと中央部Ｈとでは、５％〜１５％程度にも達している。
そこで、このエッチング装置３では、前述した本体４におけるエッチングに先立ち、エリア１３において、基板材Ａの外表面の前後端部Ｆや左右端部Ｇを、集中的にエッチングして、このような銅箔Ｄの肉厚を補正し、前後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり均一化してから（図２の（６）図，（７）図を参照）、本体４におけるエッチングを実施する。
なおエリア１３は、図示例ではエッチング装置３のチャンバー５内において、本体４の上流側に追加配設されているが、これによらず、下流側や途中の中間部に追加付設するようにしてもよい。
集中エッチング用のエリア１３は、概略このようになっている。
【００３０】
《前後端部Ｆ用のエリア１３について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図２の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照して、このようなエリア１３のうち、基板材Ａの前後端部Ｆの集中エッチング用のエリア１３部分について、説明する。
この前後端部用Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４のスプレーノズル１６は、上下のスプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そして、センサー２０にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
もって、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においてのみ、上下から前後端部Ｆのみに対し限定的・スポット的に、エッチング液Ｂを噴射すべく制御されるか、又は、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においては、上下から前後端部Ｆに対しエッチング液Ｂを、より高い噴射圧で噴射すべく制御される。
【００３１】
このような前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、更に詳述する。
図示例では、基板材Ａの前端部と後端部つまり前後端部Ｆ用のスプレー管１４が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１６は、スプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４に取付けられている。更に図示例では、２本の内、１本のスプレー管１４に取付けられたスプレーノズル１６は、左方向に向けられ、他の１本に取付けられたスプレーノズル１６は、右方向に向けられている（図２の（１）図，（２）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。スプレーノズル１６の噴射角度αは、例えば１度〜３０度程度の間で可変であり、適宜選択設定される。
なお、このスプレー管１４やスプレーノズル１６について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７について前述した所に準じるので（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、本体４において前述した所に準じるので、その説明は省略する。
【００３２】
そしてセンサー２０は、位置センサーよりなり、基板材Ａの先端と後端の通過を検出して、検出された基板材Ａの位置情報やワークサイズ情報を、コントローラー２１に送出する。
コントローラー２１は、入力部２２を利用して予め入力されていた基板材Ａの前後端部Ｆの幅寸法情報（メッキＥ方式により種々変化するが、例えば前端部と後端部それぞれ２０ｍｍ）や、銅箔Ｄの肉厚寸法情報（メッキＥ方式により種々変化するが、例えば５μｍ）をも勘案し、予め読込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号を、図１の（１）図の例では電磁弁２４に対し、図１の（２）図の例ではインバーター２３を介しポンプ２５に送出する。
このような駆動制御信号に基づき、電磁弁２４やポンプ２５が駆動され、もって、基板材Ａの前後端部Ｆ（前端部と後端部）が通過する時間的タイミングで、スプレーノズル７がエッチング液Ｂを、選択された高い噴射圧（０．０２ＭＰａ〜０．３ＭＰａ、例えば
０．１５ＭＰａ）や流量（例えば１Ｌ／ｍｉｎ〜５Ｌ／ｍｉｎ）で噴射する。
なお、前後端部Ｆが通過する間のみエッチング液Ｂを高い噴射圧で噴射するタイプの制御が代表的であるが、これによらず、前後端部Ｆが通過する間は高い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射し、中央部Ｈが通過する間は低い噴射圧（例えば０．０１ＭＰａ）でエッチング液Ｂを噴射するタイプの制御も可能である。
又、このような制御は、タイミング制御の部分を除き、例えば噴射圧に関しては、アニアルで段階切換えする方式も可能である。又、２本のスプレー管１４のうち、２本共使用するか１本のみを選択使用するか等、使用本数の選択制御についても、同様である。
前後端部Ｆ用のエリア１３は、このようになっている。
【００３３】
《左右端部Ｇ用のエリア１３について》
次に、図１の（１）図，（２）図，図２の（３）図，図３の（１）図等を参照して、エリア１３のうち、基板材Ａの左右端部Ｇの集中エッチング用のエリア１３部分について、説明する。
この左右端部Ｇ用のエリア１３のスプレー管１５のスプレーノズル１７は、図示例では、上下のスプレー管１５の左右位置のみに少数取付けられ、もって基板材Ａの左右端部Ｇに対向している。そして、基板材Ａの左右端部Ｇに対してのみ、上下から限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
又、このような図示例によらず、左右端部Ｇ用のスプレー管１５のスプレーノズル１７は、上下のスプレー管１５に部分的ではなく所定ピッチ間隔で全体的に多数取付け、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するものが、上下からエッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するものが、上下からエッチング液Ｂをより低い噴射圧で噴射すべく制御するようにしてもよい。
【００３４】
このような左右端部Ｇ用のエリア１３のスプレー管１５やスプレーノズル１７について、更に詳述する。まず図示例では、基板材Ａの左端部と右端部つまり左右端部Ｇ用のスプレー管１５が、左右の幅方向Ｋに２本平行に配設されている。図示例によらず、１本又は３本以上配設することも可能である。
そしてスプレーノズル１７は、図示例では、スプレー管１５の左右位置に２個ずつ取付けられており、左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１５に取付けられている（図２の（３）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。更に２本の内、１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、左方向に向けられ、他の１本のスプレー管１５に取付けられたスプレーノズル１７は、右方向に向けられている。
なお、このスプレー管１５やスプレーノズル１７について、その他の構成や機能等は、エッチング装置３の本体４のスプレー管１０やスプレーノズル７、更には前後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６について、前述した所に準じるので、その説明は省略する。又、このエリア１３におけるエッチング液Ｂ，コンベヤ６，搬送ローラー８，規制ローラー９，スプレーゾーンＰ等についても、同様である（例えば、図４，図５，図６，図７等を参照）。
【００３５】
そしてコントローラー２１には、基板材Ａの左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔Ｄの肉厚寸法情報が、入力部２２を利用して予め入力されており、予め読み込まれていたプログラムに基づき、駆動制御信号が電磁弁２４又はインバーター２３を介しポンプ２５に送出され、スプレーノズル１７が、選択された高い噴射圧でエッチング液Ｂを噴射する。
この制御内容については、前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６やスプレー管１４について、前述したところに準じるので説明は省略するが、この左右端部Ｇ用のエリア１３の場合は、通常、タイミング制御は実施されず、エッチング液Ｂがスプレーノズル１７から連続的に噴射される。
又、この左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７については、図示例のタイプによらず、スプレー管１５の左右位置のみではなくスプレー管１５に全体的に取付け、基板材Ａの左右端部Ｇに対向位置するメインのスプレーノズル１７の噴射圧を高く、中央部Ｈに対向位置するサブのスプレーノズル１７の噴射圧を低く設定するタイプも可能である。
なお、図１の図示例では、このような左右端部Ｇ用のものが、前後端部Ｆ用のものより、エリア１３の上流側に配されているが、逆の順序で配することも可能である。
左右端部Ｇ用のエリア１３は、このようになっている。
【００３６】
《ポンプ２５や電磁弁２４について》
ここで、図１の（１）図，（２）図や図３の（１）図を参照して、使用されているポンプ２５や電磁弁２４について、説明しておく。
まず、図１の（２）図に示した例では、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２５は、インバーター２３を介することにより、その吐出力の程度や，駆動オンオフ等がコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
又、図１の（１）図に示した例では、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２４を介して、エッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２４は、スプレー管１４，１５をバイパスさせる方式や、径を途中で変更する方式や、弁自体の開度を変更可能とする方式、等々によりコントロールされ、もってスプレーノズル１６，１７からのエッチング液Ｂの噴射のタイミングや噴射圧等が制御される。
ポンプ２５や電磁弁２４は、このようになっている。
【００３７】
《作用等について》
本発明のエッチング装置３は、以上説明したように構成されている。そこで、以下のようになる。
（１）回路基板Ｌの製造工程中、エッチング工程のエッチング装置３では、コンベヤ６にて水平搬送される基板材Ａに対しエッチング液Ｂを噴射し、もって基板材Ａの銅箔Ｄをエッチングする（図４，図５，図６を参照）。
【００３８】
（２）ところで、このエッチング装置３に供給される基板材Ａは、銅メッキＥされており、メッキＥの厚み誤差により、外表面（表面や裏面）のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇつまり外周部で厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
【００３９】
（３）そこで、このエッチング装置３には、基板材Ａのこのような前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が、上下にそれぞれ付設されている（図１を参照）。
すなわち、このエリア１３は、エッチング装置３本体４の上流側に追加付設されており、左右の幅方向Ｋに配設された上下それぞれ複数本のスプレー管１４，１５と、各スプレー管１４，１５に取付けられて基板材Ａにエッチング液Ｂを噴射するスプレーノズル１６，１７と、を備えている。そして、このスプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７は、基板材Ａの前後端部Ｆ専用のものと、左右端部Ｇ専用のものとからなる。
【００４０】
（４）まず、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用のスプレー管１４やスプレーノズル１６については、次のとおり（図１の（１）図，（２）図，図２の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照）。
すなわち、この前後端部Ｆ用のエリア１３のスプレーノズル１６は、そのスプレー管１４に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、センサー２０にて検出された基板材Ａの位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射がタイミング制御される。
そして、２つのタイプが可能である。すなわち、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時（前端部の通過時と後端部の通過時）においてのみ、前後端部Ｆに対し限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御されるタイプと、これによらず、基板材Ａの前後端部Ｆの通過時においては、前後端部Ｆに対しエッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、中央部Ｈに対しより低い噴射圧で噴射すべく制御されるタイプとが、可能である。
【００４１】
（５）次に、上下の同エリア１３の左右端部Ｇ用のスプレー管１５やスプレーノズル１７については、次の２つのタイプが可能である（図１の（１）図，（２）図，図３の（１）図等を参照）。
すなわち第１のタイプでは、左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７は、そのスプレー管１５の左右位置のみに少数取付けられて（図２の（３）図を参照）、基板材Ａの左右端部Ｇに対向している。そして、基板材Ａの左右端部Ｇに対してのみ、限定的・スポット的にエッチング液Ｂを噴射すべく制御される。
第２のタイプでは、左右端部Ｇ用のスプレーノズル１７は、そのスプレー管１５に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられている。そしてその内、基板材Ａの左右端部Ｇに対向するメインのスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより高い噴射圧で噴射し、基板材Ａの中央部Ｈに対向するサブのスプレーノズル１７が、エッチング液Ｂをより低い噴射圧で噴射すべく制御される。
【００４２】
（６）又、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のスプレー管１４，１５やスプレーノズル１６，１７のこのような制御は、ポンプ２５による方式か電磁弁２４を利用する方式にて、行われる。
まず、ポンプ２５による方式の場合は（図１の（２）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用のポンプ２５を介してエッチング液Ｂが圧送される。そしてポンプ２５により、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を高低調整すべく制御される。
又、電磁弁２４を利用する方式の場合は（図１の（１）図を参照）、スプレー管１４，１５には、それぞれ専用の電磁弁２４を介してエッチング液Ｂが圧送される。そして電磁弁２４を利用して、上記制御が行われると共に、更に、基板材Ａの前後端部Ｆや左右端部Ｇの幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液Ｂの噴射圧を高低調整すべく制御される。
【００４３】
（７）そして、上下の同エリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のこのようなスプレー管１４，１５のスプレーノズル１６，１７は、前後の搬送方向Ｊに直交する左右の幅方向Ｋに向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度αで、スプレー管１４，１５に取付けられている（図２の（１）図，（２）図，（３）図を参照、図７の（１）図，（２）図も参照）。
これと共に、搬送される基板材Ａについて、スプレー管１４，１５そしてスプレーノズル１６，１７に対向する領域の前後には、規制ローラー９が、対をなして配設され圧接されている（図７の（３）図，（４）図も参照）。
そこでエッチング液Ｂは、スプレーノズル１６，１７から左右の幅方向Ｋに向け傾斜した噴射角度αで噴射され、もって基板材Ａに噴射された後は、規制ローラー９にて規制されて、基板材Ａを前後の搬送方向Ｊに流れることがなく、液溜まりが発生することもなく、左右の幅方向Ｋにのみ流れるようになる。もって、この面からも平均化されたエッチングが実現される。
【００４４】
（８）さて、供給された基板材Ａは、前述したようにメッキＥの厚み誤差により、外表面のメッキＥを含む銅箔Ｄの肉厚が、前後端部Ｆおよび左右端部Ｇで厚く、中央部Ｈで薄くなっている（図２の（４）図，（５）図を参照）。
そこで、前述したように、エッチング装置３本体４の上流側に上下のエリア１３が追加付設されており、このエリア１３の前後端部Ｆ用や左右端部Ｇ用のスプレー管１４，１５のスプレーノズル１６，１７から、エッチング液Ｂが噴射される。これにより、エッチング液Ｂがより多く噴射配分されて、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇでのエッチング量が増大し、もって基板材Ａの銅箔Ｄの肉厚が補正される。
基板材Ａは、同エリア１３での集中的エッチングにより、前後端部Ｆ，左右端部Ｇ，中央部Ｈにわたり、銅箔Ｄの肉厚が均一化され、もって、エッチング装置３本体４でのエッチングが、平均化されるようになる。
【００４５】
（９）しかも、基板材Ａのこのような銅箔Ｄの肉厚の均一化、そしてエッチングの平均化は、エッチング装置３の上流側に、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを集中的にエッチングするエリア１３を、追加付設しただけで実現される。
そして、このエリア１３には、スプレーノズル１６，１７が取付けられたスプレー管１４，１５が、複数本配設され、ポンプ２５や電磁弁２４にて制御される方式よりなる。
このように、このエッチング装置３では、エッチングの平均化が、簡単な構成により容易に実現される。
【００４６】
（１０）なお、基板材Ａの左右端部Ｇのみについて観察した場合においても、前述した図８のこの種従来例のように、エッチング装置１全体においてその銅箔Ｄの肉厚を調整するよりも、本発明のように、本体４の上流側のエリア１３において、集中的に一括して銅箔Ｄの肉厚を調整した方が、より確実である。つまり、中央部Ｈと左右端部Ｇの銅箔Ｄの肉厚を、より確実に均一化できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係るメッキ基板のエッチング装置について、発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
【図２】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図、（２）図は、前後端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の他の例の正面図、（３）図は、左右端部用のスプレー管（上側に配設されたもの）の１例の正面図である。（４）図は、集中エッチング前の基板材の正（側）断面図、（５）図は、同基板材の平面説明図であり、（６）図は、集中エッチング後の基板材の正（側）断面図、（７）図は、同基板材の平面説明図である。
【図３】同発明を実施するための最良の形態の説明に供し、（１）図は、制御用のブロック図、（２）図は、メッキ装置の正面説明図、（３）図は、その要部拡大図である。
【図４】エッチング装置本体の正面説明図である。
【図５】エッチング装置本体の平面説明図である。
【図６】エッチング装置本体の側面説明図である。
【図７】エッチング装置本体等の各要部を示し、（１）図は、正断面図、（２）図は、別の正断面図、（３）図は、側面図、（４）図は、平面図である。
【図８】この種従来例のエッチング装置を示し、（１）図は、その１例の平面説明図、（２）図は、他の例の平面説明図である。
【図９】回路基板（基板材）の模式化した平面説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１ エッチング装置（従来例）
２ スプレー管（従来例）
３ エッチング装置（本発明）
４ 本体
５ チャンバー
６ コンベヤ
７ スプレーノズル
８ 搬送ローラー
９ 規制ローラー
１０ スプレー管
１１ 液槽
１２ 配管
１３ エリア
１４ スプレー管（本発明）
１５ スプレー管（本発明）
１６ スプレーノズル（本発明）
１７ スプレーノズル（本発明）
１８ メッキ槽
１９ ハンガー
２０ センサー
２１ コントローラー
２２ 入力部
２３ インバーター
２４ 電磁弁
２５ ポンプ
Ａ 基板材
Ｂ エッチング液
Ｃ 絶縁層
Ｄ 銅箔
Ｅ メッキ
Ｆ 前後端部
Ｇ 左右端部
Ｈ 中央部
Ｊ 搬送方向
Ｋ 幅方向
Ｌ 回路基板
Ｍ 回路
Ｎ スルホール
Ｐ スプレーゾーン
Ｑ 上下方向
α 噴射角度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングするエッチング装置において、
該基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されていること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載したメッキ基板のエッチング装置において、供給された該基板材は銅メッキされており、メッキの厚み誤差により、外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部つまり外周部で厚く、中央部で薄くなっており、
該エリアでの集中的エッチングにより、該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり均一化されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項３】
請求項２に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該エリアは、該エッチング装置の上流側に追加付設されており、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、該スプレー管に取付けられ該基板材にエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えており、
該スプレー管そしてスプレーノズルは、該基板材の前後端部用のものと左右端部用のものとからなること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項４】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、 該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においてのみ、該前後端部に対し限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項５】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、
該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においては、該前後端部に対しエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項６】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管の左右位置のみに少数取付けられ、もって該基板材の左右端部に対向しており、
該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項７】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、 該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向するものが、エッチング液をより高い噴射圧で噴射し、該基板材の中央部に対向するものが、エッチング液をより低い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項８】
請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送され、
該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項９】
請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送され、
該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項１０】
請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度で該スプレー管に取付けられており、
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項１】
回路基板の製造工程にて使用され、コンベヤにより水平搬送されるメッキされた基板材に対し、エッチング液を噴射してエッチングするエッチング装置において、
該基板材の前後端部および左右端部を、集中的にエッチングするエリアが付設されていること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載したメッキ基板のエッチング装置において、供給された該基板材は銅メッキされており、メッキの厚み誤差により、外表面のメッキを含む銅箔の肉厚が、前後端部および左右端部つまり外周部で厚く、中央部で薄くなっており、
該エリアでの集中的エッチングにより、該銅箔の肉厚が補正され、前後端部，左右端部，中央部にわたり均一化されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項３】
請求項２に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該エリアは、該エッチング装置の上流側に追加付設されており、前後の搬送方向と直交する左右の幅方向に配設された複数本のスプレー管と、該スプレー管に取付けられ該基板材にエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えており、
該スプレー管そしてスプレーノズルは、該基板材の前後端部用のものと左右端部用のものとからなること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項４】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、 該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においてのみ、該前後端部に対し限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項５】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、前後端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、
該スプレーノズルは、センサーにて検出された該基板材の位置情報やサイズ情報に基づき、エッチング液の噴射がタイミング制御され、もって該基板材の前後端部の通過時においては、該前後端部に対しエッチング液をより高い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項６】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管の左右位置のみに少数取付けられ、もって該基板材の左右端部に対向しており、
該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対してのみ、限定的にエッチング液を噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項７】
請求項３に記載したメッキ基板のエッチング装置において、左右端部用の該スプレー管のスプレーノズルは、該スプレー管に所定ピッチ間隔で全体的に多数取付けられており、 該スプレーノズルは、該基板材の左右端部に対向するものが、エッチング液をより高い噴射圧で噴射し、該基板材の中央部に対向するものが、エッチング液をより低い噴射圧で噴射すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項８】
請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレー管には、それぞれ専用のポンプを介してエッチング液が圧送され、
該ポンプは、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項９】
請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレー管には、それぞれ専用の電磁弁を介してエッチング液が圧送され、
該電磁弁を利用して、上記制御が行われると共に、更に、該基板材の前後端部や左右端部についての幅寸法情報や銅箔肉厚寸法情報に基づき、エッチング液の噴射圧を高低調整すべく制御されること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【請求項１０】
請求項４，５，６，又は７に記載したメッキ基板のエッチング装置において、該スプレーノズルは、左右の幅方向に向けられると共に、斜めに傾斜した噴射角度で該スプレー管に取付けられており、
かつ、該スプレーノズルから噴射されたエッチング液が、該基板材を前後の搬送方向に流れることを阻止して、左右の幅方向にのみ流れるように規制する規制ローラーが、該スプレー管そしてスプレーノズルに対向する領域の前後に、対をなして配設され、もって搬送される該基板材に圧接していること、を特徴とするメッキ基板のエッチング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
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【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−３３２３００（Ｐ２００６−３３２３００Ａ）
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１５３２８０（Ｐ２００５−１５３２８０）
【出願日】平成１７年５月２６日（２００５．５．２６）
【出願人】（０００２２０２４０）東京化工機株式会社 (22)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月７日（２００６．１２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月２６日（２００５．５．２６）
【出願人】（０００２２０２４０）東京化工機株式会社 (22)
【Ｆターム（参考）】
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