【課題】リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する高分子化合物（Ａ１）を含むレジスト組成物。式（ａ５−１）中、Ｘは単結合又は２価の連結基であり、Ｗは任意の位置に酸素原子を含んでよい環状のアルキレン基を表す。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、下記一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｘは単結合又は２価の連結基であり、Ｗは任意の位置に酸素原子を含んでいてもよい環状のアルキレン基であり；Ｒ^ａ及びＲ^ｂはそれぞれ独立に水素原子、又は任意の位置に酸素原子を含んでいてもよいアルキル基であり、Ｒ^ａとＲ^ｂとが相互に結合して式中の窒素原子と共に環を形成していてもよく；ｐは１〜３の整数を表す。］
【請求項２】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位（ａ０）、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位（ａ２）からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有する請求項２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１２−１３７７３５（Ｐ２０１２−１３７７３５Ａ）
【公開日】平成２４年７月１９日（２０１２．７．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２０１０２（Ｐ２０１１−２２０１０２）
【出願日】平成２３年１０月４日（２０１１．１０．４）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】