レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器
【課題】基板の内部に形成された改質層の形成状態を容易に検査することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１１の切断すべき位置に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、第１基板１１の内部に改質層Ｒを形成すべく、レーザ光４４を照射するレーザ照射工程と、第１基板１１に向けて超音波９９を送信して、第１基板１１の内部で反射した反射波Ｗ１，Ｗ２を受信する超音波送受信工程（図７（ａ））と、受信した反射波Ｗ１，Ｗ２の電気的特性に基づいて、改質層Ｒが形成されるべき領域に改質層Ｒが形成されていない欠陥部分Ｆがあるか否かを検査する検査工程（図７（ｂ））とを含む。
【解決手段】第１基板１１の切断すべき位置に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、第１基板１１の内部に改質層Ｒを形成すべく、レーザ光４４を照射するレーザ照射工程と、第１基板１１に向けて超音波９９を送信して、第１基板１１の内部で反射した反射波Ｗ１，Ｗ２を受信する超音波送受信工程（図７（ａ））と、受信した反射波Ｗ１，Ｗ２の電気的特性に基づいて、改質層Ｒが形成されるべき領域に改質層Ｒが形成されていない欠陥部分Ｆがあるか否かを検査する検査工程（図７（ｂ））とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を照射して基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。この方法では、基板の内部にレーザ光を集光させ、当該集光点の部分に改質層を形成した後、基板に外力を加えることにより、改質層を起点として基板を切断するというものである。改質層の形成方法としては、例えば、特許文献１に示すように、基板に設けられた切断予定ラインに対して基板の厚み方向に集光点の位置を変え、複数回レーザ光走査を行って、複数の改質層を重ねて形成する方法が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、当該改質層は基板の内部に形成されるため、外観から改質層の形成状態を確認することは困難であった。また、当該改質層が適正に形成されずに基板を切断すると、チッピング等の発生により基板に損傷を与える恐れがあった。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、基板の内部に形成された改質層の形成状態を容易に検査することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、基板の切断すべき位置に設けられた切断予定ラインに沿って、基板の内部に改質層を形成すべく、レーザ光を照射するレーザ照射工程と、基板に向けて超音波を送信して、基板の内部で反射した反射波を受信する超音波送受信工程と、受信した反射波の電気的特性に基づいて、改質層で反射した反射波と改質層以外の個所で反射した反射波とを識別して、切断予定ラインに沿った改質層が形成されるべき領域に、改質層が形成されていない欠陥部分があるか否かを検査する検査工程とを含むことを要旨とする。
【０００７】
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板に設けられた切断予定ラインに沿って、レーザ光を照射することにより改質層が形成される。そして、当該基板に向けて超音波が送信され、基板の内部で反射した反射波が受信される。当該反射波の電気特性に基づいて、改質層で反射した反射波と改質層以外の個所で反射した反射波とが識別される。従って、反射波を識別することにより、基板の内部に形成された改質層の形成状態を容易に検査することができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の超音波送受信工程では、切断予定ラインに沿って、超音波を送信するとともに、基板の内部で反射した反射波を受信してもよい。
【０００９】
これによれば、切断予定ラインに沿って超音波の送受信を行うので、切断予定ラインに沿って形成されるべき改質層の形成状態を効率良く検査することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法の超音波送受信工程では、基板の内部の一定の深さにおける仮想平面領域に超音波を発信するとともに、仮想平面領域で反射した反射波を受信してもよい。
【００１１】
これによれば、基板の一定の深さ位置に超音波の送受信を行うことにより、基板の深さ方向における改質層の形成状態を容易に検査することができる。
【００１２】
本発明のレーザスクライブ方法の検査工程において、基板の改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が無いと判断した後に、基板に外力を与え、基板を切断する基板切断工程を有してもよい。
【００１３】
これによれば、検査工程において、改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が無いと判断された基板に対して、外力を加えるので、基板は、改質層に倣って切断され、切断した際、チッピングの発生を抑えることができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ方法の検査工程において、基板の改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が有ると判断した後に、基板を保留または保留された基板の欠陥部分に対して、レーザ光を照射してもよい。
【００１５】
これによれば、検査工程において、改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が有ると判断された基板は、一旦保留されるので、良品基板と識別することができる。また、保留された基板の欠陥部分に対して、再度、レーザ光を照射することにより、当該欠陥部分に改質層を形成することができるので、容易に修復作業ができ、歩留りを向上させることができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって分割されたことを要旨とする。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置によれば、チッピングの発生を抑えた電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
【００１９】
本発明による電子機器によれば、品質の良い装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００２１】
[第１実施形態]
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の構成を示し、図１（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００２２】
図１（ａ），（ｂ）において、マザー基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の電気光学装置としての液晶表示パネル２０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、マザー基板１０の液晶表示パネル２０の区画形成領域であって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って切断して、マザー基板１０から分割される。
【００２３】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図２は、電気光学装置としての液晶材表示パネルの構成を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図を示す。
【００２４】
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された液晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の面には、パターンとしての端子部１１ａが形成されている。
【００２５】
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
【００２６】
第２基板１２は、厚みおよそ１．２〜１．１ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
【００２７】
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向膜２７，２８が形成されている。
【００２８】
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００２９】
（レーザ照射装置の構成）
次に、マザー基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域にあたる切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
【００３０】
図３は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３において、レーザ照射装置４０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えている。
【００３１】
レーザ照射装置４０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ６０を備えており、メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリの他に撮像装置５５が撮像した画像情報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
【００３２】
メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。また、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部７０が接続されている。
【００３３】
集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可能な位置センサ（図示せず）が内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
【００３４】
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。
【００３５】
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Working Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
【００３６】
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００３７】
（超音波走査装置の構成）
次に、マザー基板１０に向けて超音波を送信するとともに、マザー基板１０の内部で反射した反射波を受信することにより、マザー基板１０の内部に形成された改質層の形成状態を検査するための超音波走査装置の構成について説明する。
【００３８】
図４は、超音波走査措置の構成を示す模式図である。図４において、超音波走査装置８０は、超音波９９の送受信を行う超音波センサ８１を備えている。超音波センサ８１は、超音波の送受信を行うための圧電素子であり、当該圧電素子にパルス状の電圧を加えて振動させることにより超音波の送信を行い、超音波の振動により発生した歪を電圧として計測することにより受信を行うことができる。超音波センサ８１の超音波発信部には、音響レンズ（図示せず）が設置されており、送信される超音波９９を収束させることができるようになっている。
【００３９】
超音波走査装置８１には、マザー基板１０を載置するステージ８２と、ステージ８２を超音波センサ８１に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部８５およびＹ軸スライド部８３とを備えている。また、ステージ８２に載置されたマザー基板１０に対して超音波センサ８１のＺ軸方向の位置を変えて、超音波９９の焦点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構８７を備えている。
【００４０】
超音波走査装置８０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ９０を備えており、メインコンピュータ９０には、ＣＰＵや各種メモリの他に超音波センサ８１が受信した反射波を輝度変換処理する画像処理部９１を有している。
【００４１】
また、メインコンピュータ９０には、超音波や検査位置条件等のデータを入力する入力部９３と超音波の送受信時の各種情報を表示する表示部９２が接続されている。また、超音波センサ８１に対するパルス状の電圧や送受信波の増幅を制御する超音波制御部８８と、Ｚ軸スライド機構８７を駆動して超音波センサ８１のＺ軸方向の位置を制御するセンサ位置制御部９４とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部８５とＹ軸スライド部８３をそれぞれレール８４，８６に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部９５が接続されている。
【００４２】
また、超音波制御部８８には、オシロスコープ８９が接続されており、超音波センサ９９の送信波や受信波、その他超音波設定条件等を確認することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、ステージ８２は、Ｙ軸スライド部８３に支持されているが、Ｘ軸スライド部８５とＹ軸スライド部８３との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部８５に支持される形態としてもよい。また、ステージ８２をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部８３に支持することが好ましい。これによれば、マザー基板１０を超音波センサ８１の超音波９９の送受信面に対してより平行な状態とすることが可能である。
【００４４】
（レーザスクライブ方法）
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図５は、レーザスクライブ方法を示すフローチャート図である。また、図６はレーザ照射工程を示す概略図、図７は超音波送受信工程を示す概略図、図８は検査工程の画像処理表示例を示す概略図、図９は基板切断工程を示す概略図である。
【００４５】
図５のステップＳ１では、マザー基板１０の第１基板１１に向けてレーザ照射する。当該レーザ照射工程では、図６に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、第１基板１１のＴＦＴ素子２３等が形成された第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を照射する。レーザ光４４は、第１基板１１の第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２の近傍に集光点が設定され、第２の面Ｓ２に平行方向であって、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って照射しながら走査される。その後、集光点の位置を第１の面Ｓ１に近づくようにＺ軸方向に移動させ、レーザ光４４を照射させながら切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って走査する。そして、さらにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、複数回走査することにより、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿った領域に改質層Ｒが形成される。
【００４６】
図５のステップＳ２では、第１基板１１の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って超音波を送信するとともに、第１基板１１の内部で反射した反射波を受信する。当該超音波送受信工程では、図７（ａ）に示すように、超音波走査装置８０の超音波センサ８１から送信される超音波９９は、第１基板１１の第２の面Ｓ２の近傍に設定され、第２の面Ｓ２に平行方向であって、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って送信しながら走査される。その後、焦点の位置を第１の面Ｓ１に近づくようにＺ軸方向に移動させ、超音波９９を送信させながら切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って走査する。そして、焦点の位置が、第１基板１１の第２の面Ｓ２に達するまで複数回走査しながら超音波９９の送受信を行う。ここで、超音波センサ８１から送信される超音波周波数は、およそ２５〜１００ＭＨｚであり、第１基板１１の材質や厚みを顧慮して適宜設定することができる。
【００４７】
図７（ｂ）は、超音波９９の送受信波を示す波形である。超音波９９の送受信は、前述したように超音波センサ８１を介して電気的に行う。すなわち、超音波センサ８１に加わる電圧を測定することにより、送信した超音波及び第１基板１１の内部で反射した反射波を測定することができる。例えば、図７（ｂ）に示すように、第１基板１１に送信波Ｗ０、第１基板１１の内部で反射して戻ってきた反射波Ｗ１，Ｗ２を電圧値として測定することができる。さらに、反射波Ｗ１，Ｗ２は、改質層Ｒに反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２とを超音波の減衰によって識別することができる。すなわち、改質層Ｒに反射した超音波９９は、改質層Ｒに到達したときに、超音波９９が散乱するので、改質層Ｒ以外の領域で反射した反射波Ｗ２と比較して相対的に受信した電圧値が低くなる。
【００４８】
図５のステップＳ３では、超音波送受信工程において受信した反射波Ｗ１，Ｗ２の電気的特性に基づいて、改質層Ｒで反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２とを識別して、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿った改質層Ｒが形成されるべき領域に、改質層Ｒが形成されていない欠陥部分Ｆがあるか否かを検査する。具体的には、改質層Ｒで反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２とでは、受信した電圧値が異なる。当該異なる電圧値の特性を検査することにより、超音波センサ８１を走査した領域に欠陥部分Ｆがあるか否かを検査することができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、改質層Ｒで反射した反射波Ｗ１の電圧値と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２の電圧値をもとに、画像処理して検査している。具体的には、予め設けられた電圧しきい値を基準に、電圧値を輝度変換して画像処理を行い、画像処理された表示を確認することにより、超音波センサ８１を走査した領域のうち改質層Ｒが形成されるべき領域に欠陥部分Ｆが形成されているか否かを検査することができる。
【００５０】
図８（ａ），（ｂ）は、検査工程における画像処理表示例を示す概略図である。図８（ａ）における画像処理表示例では、一様な輝度を有する表示情報が得られており、改質層Ｒが適正に形成されていると判断される。一方、同図（ｂ）の画像処理表示例では、画像処理表示に異なる輝度情報が得られており、改質層Ｒの形成領域内に値欠陥部分Ｆがあると判断される。
【００５１】
図５のステップＳ４では、ステップＳ３でＮＯの場合、すなわち、改質層Ｒが形成されるべき領域に欠陥部分Ｆがないと判断された場合に、マザー基板１０を切断する。当該切断工程では、図９（ａ）に示すように、マザー基板１０に外力を与える。外力が与えられると、第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒに応力が生じ、改質層Ｒに倣って第１基板１１が切断され、同図（ｂ）に示すように、液晶表示パネル２０ごとに分割される。
【００５２】
図５のステップＳ５では、ステップＳ４のＹＥＳの場合、すなわち、改質層Ｒの形成領域内に欠陥部分Ｆがあると判断された場合に、マザー基板１０の加工を一旦保留し、欠陥部分Ｆがないと判断されたマザー基板１０と識別する。欠陥部分Ｆがあると判断されたマザー基板１０は、レーザ光４４が適正に照射されず、改質層Ｒが形成されるべき領域に改質層Ｒが形成されていない可能性が高いため、この状態でマザー基板１０を切断すると、チッピング等の不具合が生じるおそれがあるからである。なお、保留されたマザー基板１０は、その後、生産性、信頼性を考慮して、修復すべく、ステップＳ１のレーザ照射に移行することもできる。
【００５３】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図１０は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図１０において、プロジェクタ１１０を構成する光学系に液晶表示パネル２０が搭載されている。
【００５４】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５５】
（１）第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、レーザ光４４を照射して改質層Ｒを形成する。第１基板１１の改質層Ｒが形成された領域に向けて超音波９９を送信して、第１基板１１の内部で反射した反射波Ｗ１，Ｗ２を受信する。改質層Ｒに反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の部分に反射した反射波Ｗ２とでは、電圧値の特性が異なるので、受信した反射波Ｗ１，Ｗ２の電圧特性に基づいて、第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒの形成状態を容易に検査することができる。
【００５６】
（２）検査工程において改質層Ｒの形成領域内に欠陥部分Ｆがあるか否かを判断し、欠陥部分Ｆがないと判断されたマザー基板１０が切断されるので、チッピングの発生を抑えることができる。
【００５７】
（３）第１基板１１の内部の改質層Ｒの形成状態は、超音波によって非破壊検査されるので、液晶表示パネル２０の品質特性に影響を与えることなく、容易に検査することができる。
【００５８】
（４）超音波送受信工程では、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って超音波９９の送受信が行われるので、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに対する改質層Ｒの形成領域ごとに改質層Ｒの形成状態を検査することできる。
【００５９】
（５）検査工程では、第１基板１１の内部から反射された反射波Ｗ１，Ｗ２に基づいて画像処理された画像を検査するので、容易に欠陥部分Ｆの有無を検査することができる。
【００６０】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００６１】
（変形例１）本実施形態では、一つの超音波センサ８１を用いて超音波９９の送受信を行ったが、これに限定されない。例えば、送受信を別々に独立させた超音波センサを用いてもよい。このようにしても、第１基板１１の内部の改質層Ｒの形成状態を検査することができる。
【００６２】
（変形例２）本実施形態では、画像処理された画像を基に改質層Ｒの形成状態を検査したが、これに限定されず、例えば、オシロスコープ８９を用いて検査してもよい。このようにしても、反射波Ｗ１，Ｗ２による電圧値の特性に基づいて検査することができるとともに、画像処理負担を軽減することができる。
【００６３】
（変形例３）本実施形態では、レーザ照射工程の後に、超音波送受信工程を行ったが、これに限定されず、レーザ照射工程と超音波送受信工程とを同時期に行ってもよい。このようにすれば、レーザスクライブの作業効率を向上させることができる。
【００６４】
（変形例４）本実施形態では、超音波送受信工程において第１基板１１の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、改質層形成予定領域を総て走査し、検査工程では改質層形成予定領域の全領域について検査したが、これに限定されない。例えば、任意の個所のみについて、超音波を走査するとともに当該個所のみを検査してもよい。このようにすれば、超音波送受信工程および検査工程における作業効率を向上させることができる。
【００６５】
（変形例５）本実施形態では、第１基板１１の面と垂直方向に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って超音波９９を走査したが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、第１基板１１の内部の一定深さにおける仮想平面領域ＦＳに、超音波９９を送信するとともに、仮想平面領域ＦＳで反射した反射波Ｗ１，Ｗ２を受信するようにしてもよい。このようにすれば、第１基板１１に積み上げられて形成された改質層Ｒ毎の形成状態を検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】マザー基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図２】電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す模式図。
【図４】超音波走査装置の構成を示す模式図。
【図５】レーザスクラブ方法を示すフローチャート図。
【図６】レーザ照射工程を示す概略図。
【図７】超音波送受信工程を示す概略図。
【図８】検査工程の画像処理表示例を示す概略図。
【図９】基板切断工程を示す概略図。
【図１０】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。
【図１１】変形例における超音波送受信工程を示す概略図。
【符号の説明】
【００６７】
１０…マザー基板、１１…第１基板、１２…第２基板、２０…電気光学装置としての液晶表示パネル、４０…レーザ照射装置、４３…集光レンズ、４４…レーザ光、８０…超音波走査装置、８１…超音波センサ、８８…超音波制御部、８９…オシロスコープ、９０…メインコンピュータ、９１…画像処理部、９２…表示部、９３…入力部、９９…超音波、１１０…電子機器としてのプロジェクタ、Ｄｘ，Ｄｙ…切断予定ライン、Ｒ…改質層、Ｆ…欠陥部分、Ｗ０…送信波、Ｗ１，Ｗ２…反射波、Ｓ１…第１の面、Ｓ２…第２の面、ＦＳ…仮想平面領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を照射して基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。この方法では、基板の内部にレーザ光を集光させ、当該集光点の部分に改質層を形成した後、基板に外力を加えることにより、改質層を起点として基板を切断するというものである。改質層の形成方法としては、例えば、特許文献１に示すように、基板に設けられた切断予定ラインに対して基板の厚み方向に集光点の位置を変え、複数回レーザ光走査を行って、複数の改質層を重ねて形成する方法が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、当該改質層は基板の内部に形成されるため、外観から改質層の形成状態を確認することは困難であった。また、当該改質層が適正に形成されずに基板を切断すると、チッピング等の発生により基板に損傷を与える恐れがあった。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、基板の内部に形成された改質層の形成状態を容易に検査することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、基板の切断すべき位置に設けられた切断予定ラインに沿って、基板の内部に改質層を形成すべく、レーザ光を照射するレーザ照射工程と、基板に向けて超音波を送信して、基板の内部で反射した反射波を受信する超音波送受信工程と、受信した反射波の電気的特性に基づいて、改質層で反射した反射波と改質層以外の個所で反射した反射波とを識別して、切断予定ラインに沿った改質層が形成されるべき領域に、改質層が形成されていない欠陥部分があるか否かを検査する検査工程とを含むことを要旨とする。
【０００７】
本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板に設けられた切断予定ラインに沿って、レーザ光を照射することにより改質層が形成される。そして、当該基板に向けて超音波が送信され、基板の内部で反射した反射波が受信される。当該反射波の電気特性に基づいて、改質層で反射した反射波と改質層以外の個所で反射した反射波とが識別される。従って、反射波を識別することにより、基板の内部に形成された改質層の形成状態を容易に検査することができる。
【０００８】
本発明のレーザスクライブ方法の超音波送受信工程では、切断予定ラインに沿って、超音波を送信するとともに、基板の内部で反射した反射波を受信してもよい。
【０００９】
これによれば、切断予定ラインに沿って超音波の送受信を行うので、切断予定ラインに沿って形成されるべき改質層の形成状態を効率良く検査することができる。
【００１０】
本発明のレーザスクライブ方法の超音波送受信工程では、基板の内部の一定の深さにおける仮想平面領域に超音波を発信するとともに、仮想平面領域で反射した反射波を受信してもよい。
【００１１】
これによれば、基板の一定の深さ位置に超音波の送受信を行うことにより、基板の深さ方向における改質層の形成状態を容易に検査することができる。
【００１２】
本発明のレーザスクライブ方法の検査工程において、基板の改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が無いと判断した後に、基板に外力を与え、基板を切断する基板切断工程を有してもよい。
【００１３】
これによれば、検査工程において、改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が無いと判断された基板に対して、外力を加えるので、基板は、改質層に倣って切断され、切断した際、チッピングの発生を抑えることができる。
【００１４】
本発明のレーザスクライブ方法の検査工程において、基板の改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が有ると判断した後に、基板を保留または保留された基板の欠陥部分に対して、レーザ光を照射してもよい。
【００１５】
これによれば、検査工程において、改質層が形成されるべき領域に欠陥部分が有ると判断された基板は、一旦保留されるので、良品基板と識別することができる。また、保留された基板の欠陥部分に対して、再度、レーザ光を照射することにより、当該欠陥部分に改質層を形成することができるので、容易に修復作業ができ、歩留りを向上させることができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって分割されたことを要旨とする。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置によれば、チッピングの発生を抑えた電気光学装置を提供することができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを要旨とする。
【００１９】
本発明による電子機器によれば、品質の良い装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００２１】
[第１実施形態]
（マザー基板の構成）
まず、マザー基板の構成について説明する。図１は、マザー基板の構成を示し、図１（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図を示す。
【００２２】
図１（ａ），（ｂ）において、マザー基板１０は、ウエハ形状であり、第１基板１１と第２基板１２とが接着され、複数の電気光学装置としての液晶表示パネル２０で構成されている。１つの液晶表示パネル２０は、マザー基板１０の液晶表示パネル２０の区画形成領域であって、第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って切断して、マザー基板１０から分割される。
【００２３】
（電気光学装置の構成）
次に、電気光学装置の構成について説明する。図２は、電気光学装置としての液晶材表示パネルの構成を示し、図２（ａ）は平面図を示し、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図を示す。
【００２４】
図２において、液晶表示パネル２０は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２３を有する第１基板１１と、対向電極２６を有する第２基板１２と、シール材２４によって接着された両基板１１，１２の隙間に充填された液晶材２５とを備えている。第１基板１１は第２基板１２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっており、当該張り出した第１基板１１の面には、パターンとしての端子部１１ａが形成されている。
【００２５】
第１基板１１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子２３が形成されている。ＴＦＴ素子２３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１１ａに形成されたデータ線駆動回路部２９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部３３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３の入力側配線は、端子部１１ａに沿って配列した実装端子３１にそれぞれ接続されている。端子部１１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部３３を繋ぐ配線３２が設けられている。
【００２６】
第２基板１２は、厚みおよそ１．２〜１．１ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極２６が設けられている。対向電極２６は、第２基板１２の四隅に設けられた上下導通部３４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部１１ａに設けられた実装端子３１に接続されている。
【００２７】
液晶材２５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向膜２７，２８が形成されている。
【００２８】
液晶表示パネル２０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子３１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２９および走査線駆動回路部３３に入力されることにより、ＴＦＴ素子２３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極２６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００２９】
（レーザ照射装置の構成）
次に、マザー基板１０に形成された液晶表示パネル２０の区画形成領域にあたる切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿ってレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
【００３０】
図３は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図３において、レーザ照射装置４０は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源４１と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー４２と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ４３とを備えている。また、基板１０を載置するステージ４７と、ステージ４７を集光レンズ４３に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部４８およびＹ軸スライド部５１とを備えている。また、ステージ４７に載置された基板１０に対して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構５４を備えている。さらに、ダイクロイックミラー４２を挟んで集光レンズ４３と反対側に位置する撮像装置５５を備えている。
【００３１】
レーザ照射装置４０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ６０を備えており、メインコンピュータ６０には、ＣＰＵや各種メモリの他に撮像装置５５が撮像した画像情報を処理する画像処理部６１を有している。撮像装置５５は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ４３を透過して焦点を結ぶ。
【００３２】
メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部６３とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６４が接続されている。また、レーザ光源４１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６６と、Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６７とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１をそれぞれレール６８，６９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部７０が接続されている。
【００３３】
集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可能な位置センサ（図示せず）が内蔵されており、レンズ制御部６７は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ４３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置５５の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板１０の表面と合うように集光レンズ４３をＺ軸方向に移動させれば、基板１０の厚みを計測することが可能である。
【００３４】
レーザ光源４１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。
【００３５】
集光レンズ４３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Working Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ４３はＺ軸スライド機構５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されている。
【００３６】
なお、本実施形態では、ステージ４７は、Ｙ軸スライド部５１に支持されているが、Ｘ軸スライド部４８とＹ軸スライド部５１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部４８に支持される形態としてもよい。また、ステージ４７をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部５１に支持することが好ましい。これによれば、基板１０を光軸４１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００３７】
（超音波走査装置の構成）
次に、マザー基板１０に向けて超音波を送信するとともに、マザー基板１０の内部で反射した反射波を受信することにより、マザー基板１０の内部に形成された改質層の形成状態を検査するための超音波走査装置の構成について説明する。
【００３８】
図４は、超音波走査措置の構成を示す模式図である。図４において、超音波走査装置８０は、超音波９９の送受信を行う超音波センサ８１を備えている。超音波センサ８１は、超音波の送受信を行うための圧電素子であり、当該圧電素子にパルス状の電圧を加えて振動させることにより超音波の送信を行い、超音波の振動により発生した歪を電圧として計測することにより受信を行うことができる。超音波センサ８１の超音波発信部には、音響レンズ（図示せず）が設置されており、送信される超音波９９を収束させることができるようになっている。
【００３９】
超音波走査装置８１には、マザー基板１０を載置するステージ８２と、ステージ８２を超音波センサ８１に対してＸ，Ｙ軸方向に移動させる移動手段としてのＸ軸スライド部８５およびＹ軸スライド部８３とを備えている。また、ステージ８２に載置されたマザー基板１０に対して超音波センサ８１のＺ軸方向の位置を変えて、超音波９９の焦点の位置を調整する調整手段としてのＺ軸スライド機構８７を備えている。
【００４０】
超音波走査装置８０は、上記各構成を制御するメインコンピュータ９０を備えており、メインコンピュータ９０には、ＣＰＵや各種メモリの他に超音波センサ８１が受信した反射波を輝度変換処理する画像処理部９１を有している。
【００４１】
また、メインコンピュータ９０には、超音波や検査位置条件等のデータを入力する入力部９３と超音波の送受信時の各種情報を表示する表示部９２が接続されている。また、超音波センサ８１に対するパルス状の電圧や送受信波の増幅を制御する超音波制御部８８と、Ｚ軸スライド機構８７を駆動して超音波センサ８１のＺ軸方向の位置を制御するセンサ位置制御部９４とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部８５とＹ軸スライド部８３をそれぞれレール８４，８６に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部９５が接続されている。
【００４２】
また、超音波制御部８８には、オシロスコープ８９が接続されており、超音波センサ９９の送信波や受信波、その他超音波設定条件等を確認することができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、ステージ８２は、Ｙ軸スライド部８３に支持されているが、Ｘ軸スライド部８５とＹ軸スライド部８３との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部８５に支持される形態としてもよい。また、ステージ８２をθテーブル（図示せず）を介してＹ軸スライド部８３に支持することが好ましい。これによれば、マザー基板１０を超音波センサ８１の超音波９９の送受信面に対してより平行な状態とすることが可能である。
【００４４】
（レーザスクライブ方法）
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図５は、レーザスクライブ方法を示すフローチャート図である。また、図６はレーザ照射工程を示す概略図、図７は超音波送受信工程を示す概略図、図８は検査工程の画像処理表示例を示す概略図、図９は基板切断工程を示す概略図である。
【００４５】
図５のステップＳ１では、マザー基板１０の第１基板１１に向けてレーザ照射する。当該レーザ照射工程では、図６に示すように、レーザ照射装置４０を用いて、第１基板１１のＴＦＴ素子２３等が形成された第１の面Ｓ１に向けてレーザ光４４を照射する。レーザ光４４は、第１基板１１の第１の面Ｓ１の反対面となる第２の面Ｓ２の近傍に集光点が設定され、第２の面Ｓ２に平行方向であって、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って照射しながら走査される。その後、集光点の位置を第１の面Ｓ１に近づくようにＺ軸方向に移動させ、レーザ光４４を照射させながら切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って走査する。そして、さらにＺ軸方向に集光点の位置を移動させ、複数回走査することにより、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿った領域に改質層Ｒが形成される。
【００４６】
図５のステップＳ２では、第１基板１１の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って超音波を送信するとともに、第１基板１１の内部で反射した反射波を受信する。当該超音波送受信工程では、図７（ａ）に示すように、超音波走査装置８０の超音波センサ８１から送信される超音波９９は、第１基板１１の第２の面Ｓ２の近傍に設定され、第２の面Ｓ２に平行方向であって、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って送信しながら走査される。その後、焦点の位置を第１の面Ｓ１に近づくようにＺ軸方向に移動させ、超音波９９を送信させながら切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って走査する。そして、焦点の位置が、第１基板１１の第２の面Ｓ２に達するまで複数回走査しながら超音波９９の送受信を行う。ここで、超音波センサ８１から送信される超音波周波数は、およそ２５〜１００ＭＨｚであり、第１基板１１の材質や厚みを顧慮して適宜設定することができる。
【００４７】
図７（ｂ）は、超音波９９の送受信波を示す波形である。超音波９９の送受信は、前述したように超音波センサ８１を介して電気的に行う。すなわち、超音波センサ８１に加わる電圧を測定することにより、送信した超音波及び第１基板１１の内部で反射した反射波を測定することができる。例えば、図７（ｂ）に示すように、第１基板１１に送信波Ｗ０、第１基板１１の内部で反射して戻ってきた反射波Ｗ１，Ｗ２を電圧値として測定することができる。さらに、反射波Ｗ１，Ｗ２は、改質層Ｒに反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２とを超音波の減衰によって識別することができる。すなわち、改質層Ｒに反射した超音波９９は、改質層Ｒに到達したときに、超音波９９が散乱するので、改質層Ｒ以外の領域で反射した反射波Ｗ２と比較して相対的に受信した電圧値が低くなる。
【００４８】
図５のステップＳ３では、超音波送受信工程において受信した反射波Ｗ１，Ｗ２の電気的特性に基づいて、改質層Ｒで反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２とを識別して、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿った改質層Ｒが形成されるべき領域に、改質層Ｒが形成されていない欠陥部分Ｆがあるか否かを検査する。具体的には、改質層Ｒで反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２とでは、受信した電圧値が異なる。当該異なる電圧値の特性を検査することにより、超音波センサ８１を走査した領域に欠陥部分Ｆがあるか否かを検査することができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、改質層Ｒで反射した反射波Ｗ１の電圧値と改質層Ｒ以外の個所で反射した反射波Ｗ２の電圧値をもとに、画像処理して検査している。具体的には、予め設けられた電圧しきい値を基準に、電圧値を輝度変換して画像処理を行い、画像処理された表示を確認することにより、超音波センサ８１を走査した領域のうち改質層Ｒが形成されるべき領域に欠陥部分Ｆが形成されているか否かを検査することができる。
【００５０】
図８（ａ），（ｂ）は、検査工程における画像処理表示例を示す概略図である。図８（ａ）における画像処理表示例では、一様な輝度を有する表示情報が得られており、改質層Ｒが適正に形成されていると判断される。一方、同図（ｂ）の画像処理表示例では、画像処理表示に異なる輝度情報が得られており、改質層Ｒの形成領域内に値欠陥部分Ｆがあると判断される。
【００５１】
図５のステップＳ４では、ステップＳ３でＮＯの場合、すなわち、改質層Ｒが形成されるべき領域に欠陥部分Ｆがないと判断された場合に、マザー基板１０を切断する。当該切断工程では、図９（ａ）に示すように、マザー基板１０に外力を与える。外力が与えられると、第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒに応力が生じ、改質層Ｒに倣って第１基板１１が切断され、同図（ｂ）に示すように、液晶表示パネル２０ごとに分割される。
【００５２】
図５のステップＳ５では、ステップＳ４のＹＥＳの場合、すなわち、改質層Ｒの形成領域内に欠陥部分Ｆがあると判断された場合に、マザー基板１０の加工を一旦保留し、欠陥部分Ｆがないと判断されたマザー基板１０と識別する。欠陥部分Ｆがあると判断されたマザー基板１０は、レーザ光４４が適正に照射されず、改質層Ｒが形成されるべき領域に改質層Ｒが形成されていない可能性が高いため、この状態でマザー基板１０を切断すると、チッピング等の不具合が生じるおそれがあるからである。なお、保留されたマザー基板１０は、その後、生産性、信頼性を考慮して、修復すべく、ステップＳ１のレーザ照射に移行することもできる。
【００５３】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図１０は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図１０において、プロジェクタ１１０を構成する光学系に液晶表示パネル２０が搭載されている。
【００５４】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００５５】
（１）第１基板１１に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、レーザ光４４を照射して改質層Ｒを形成する。第１基板１１の改質層Ｒが形成された領域に向けて超音波９９を送信して、第１基板１１の内部で反射した反射波Ｗ１，Ｗ２を受信する。改質層Ｒに反射した反射波Ｗ１と改質層Ｒ以外の部分に反射した反射波Ｗ２とでは、電圧値の特性が異なるので、受信した反射波Ｗ１，Ｗ２の電圧特性に基づいて、第１基板１１の内部に形成された改質層Ｒの形成状態を容易に検査することができる。
【００５６】
（２）検査工程において改質層Ｒの形成領域内に欠陥部分Ｆがあるか否かを判断し、欠陥部分Ｆがないと判断されたマザー基板１０が切断されるので、チッピングの発生を抑えることができる。
【００５７】
（３）第１基板１１の内部の改質層Ｒの形成状態は、超音波によって非破壊検査されるので、液晶表示パネル２０の品質特性に影響を与えることなく、容易に検査することができる。
【００５８】
（４）超音波送受信工程では、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って超音波９９の送受信が行われるので、切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに対する改質層Ｒの形成領域ごとに改質層Ｒの形成状態を検査することできる。
【００５９】
（５）検査工程では、第１基板１１の内部から反射された反射波Ｗ１，Ｗ２に基づいて画像処理された画像を検査するので、容易に欠陥部分Ｆの有無を検査することができる。
【００６０】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００６１】
（変形例１）本実施形態では、一つの超音波センサ８１を用いて超音波９９の送受信を行ったが、これに限定されない。例えば、送受信を別々に独立させた超音波センサを用いてもよい。このようにしても、第１基板１１の内部の改質層Ｒの形成状態を検査することができる。
【００６２】
（変形例２）本実施形態では、画像処理された画像を基に改質層Ｒの形成状態を検査したが、これに限定されず、例えば、オシロスコープ８９を用いて検査してもよい。このようにしても、反射波Ｗ１，Ｗ２による電圧値の特性に基づいて検査することができるとともに、画像処理負担を軽減することができる。
【００６３】
（変形例３）本実施形態では、レーザ照射工程の後に、超音波送受信工程を行ったが、これに限定されず、レーザ照射工程と超音波送受信工程とを同時期に行ってもよい。このようにすれば、レーザスクライブの作業効率を向上させることができる。
【００６４】
（変形例４）本実施形態では、超音波送受信工程において第１基板１１の切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って、改質層形成予定領域を総て走査し、検査工程では改質層形成予定領域の全領域について検査したが、これに限定されない。例えば、任意の個所のみについて、超音波を走査するとともに当該個所のみを検査してもよい。このようにすれば、超音波送受信工程および検査工程における作業効率を向上させることができる。
【００６５】
（変形例５）本実施形態では、第１基板１１の面と垂直方向に設けられた切断予定ラインＤｘ，Ｄｙに沿って超音波９９を走査したが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、第１基板１１の内部の一定深さにおける仮想平面領域ＦＳに、超音波９９を送信するとともに、仮想平面領域ＦＳで反射した反射波Ｗ１，Ｗ２を受信するようにしてもよい。このようにすれば、第１基板１１に積み上げられて形成された改質層Ｒ毎の形成状態を検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】マザー基板の構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図２】電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す模式図。
【図４】超音波走査装置の構成を示す模式図。
【図５】レーザスクラブ方法を示すフローチャート図。
【図６】レーザ照射工程を示す概略図。
【図７】超音波送受信工程を示す概略図。
【図８】検査工程の画像処理表示例を示す概略図。
【図９】基板切断工程を示す概略図。
【図１０】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。
【図１１】変形例における超音波送受信工程を示す概略図。
【符号の説明】
【００６７】
１０…マザー基板、１１…第１基板、１２…第２基板、２０…電気光学装置としての液晶表示パネル、４０…レーザ照射装置、４３…集光レンズ、４４…レーザ光、８０…超音波走査装置、８１…超音波センサ、８８…超音波制御部、８９…オシロスコープ、９０…メインコンピュータ、９１…画像処理部、９２…表示部、９３…入力部、９９…超音波、１１０…電子機器としてのプロジェクタ、Ｄｘ，Ｄｙ…切断予定ライン、Ｒ…改質層、Ｆ…欠陥部分、Ｗ０…送信波、Ｗ１，Ｗ２…反射波、Ｓ１…第１の面、Ｓ２…第２の面、ＦＳ…仮想平面領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の切断すべき位置に設けられた切断予定ラインに沿って、前記基板の内部に改質層を形成すべく、レーザ光を照射するレーザ照射工程と、
前記基板に向けて超音波を送信して、前記基板の内部で反射した反射波を受信する超音波送受信工程と、
受信した前記反射波の電気的特性に基づいて、前記改質層で反射した反射波と前記改質層以外の個所で反射した反射波とを識別して、前記切断予定ラインに沿った前記改質層が形成されるべき領域に、前記改質層が形成されていない欠陥部分があるか否かを検査する検査工程と、を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記超音波送受信工程では、前記切断予定ラインに沿って、前記超音波を送信するとともに、前記基板の内部で反射した前記反射波を受信することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記超音波送受信工程では、前記基板の内部の一定の深さにおける仮想平面領域に、前記超音波を発信するとともに、前記仮想平面領域で反射した前記反射波を受信することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程において、前記基板の前記改質層が形成されるべき領域に前記欠陥部分が無いと判断した後に、
前記基板に外力を与え、前記基板を切断する基板切断工程を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程において、前記基板の前記改質層が形成されるべき領域に前記欠陥部分が有ると判断した後に、
前記基板を保留または保留された前記基板の欠陥部分に対して、前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって分割されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板の切断すべき位置に設けられた切断予定ラインに沿って、前記基板の内部に改質層を形成すべく、レーザ光を照射するレーザ照射工程と、
前記基板に向けて超音波を送信して、前記基板の内部で反射した反射波を受信する超音波送受信工程と、
受信した前記反射波の電気的特性に基づいて、前記改質層で反射した反射波と前記改質層以外の個所で反射した反射波とを識別して、前記切断予定ラインに沿った前記改質層が形成されるべき領域に、前記改質層が形成されていない欠陥部分があるか否かを検査する検査工程と、を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記超音波送受信工程では、前記切断予定ラインに沿って、前記超音波を送信するとともに、前記基板の内部で反射した前記反射波を受信することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザスクライブ方法において、
前記超音波送受信工程では、前記基板の内部の一定の深さにおける仮想平面領域に、前記超音波を発信するとともに、前記仮想平面領域で反射した前記反射波を受信することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程において、前記基板の前記改質層が形成されるべき領域に前記欠陥部分が無いと判断した後に、
前記基板に外力を与え、前記基板を切断する基板切断工程を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程において、前記基板の前記改質層が形成されるべき領域に前記欠陥部分が有ると判断した後に、
前記基板を保留または保留された前記基板の欠陥部分に対して、前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって分割されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１０】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１０】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２８３３９２（Ｐ２００７−２８３３９２Ａ）
【公開日】平成１９年１１月１日（２００７．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１１６４８８（Ｐ２００６−１１６４８８）
【出願日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月１日（２００７．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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