半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置
【課題】リードフレームに対して十分な接着性を有しつつ、封止後に室温で容易に剥離できる半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなる樹脂層Ａが支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルムとする。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなる樹脂層Ａが支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルムとする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームの表面に半導体素子を接着し、封止後に前記接着フィルムを引き剥がして半導体装置を得る半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルムに関する。特に封止後にリードフレーム及び封止材から室温において簡便に引き剥がすことにより、半導体装置を高い作業性で製造するための半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置（以下、「半導体パッケージ」ともいう）は、ダイパッド面上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接続用のアウターリードを残して全体を封止する構造の半導体パッケージが用いられてきた。しかし近年、半導体パッケージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求に伴い、さまざまな構造のパッケージが開発されてきている。その中には、例えば、ＬＯＣ（ｌｅａｄ ｏｎ ｃｈｉｐ）やＣＯＬ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｌｅａｄ）構造等があるが、小面積化、薄型化の点では限界がある。
【０００３】
一方、これらの課題を解決するために、半導体パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面むき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体パッケージが開発されてきた（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。この構造の半導体パッケージはリードフレームが封止材から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる。この半導体パッケージ構造の半導体装置を製造する方法の一つとして、次に示す工程を含む製造方法がある。
（１）リードフレーム裏面に半導体用接着フィルムを接着する工程。
（２）リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着する工程。
（３）リードフレームのインナーリードと半導体素子を接続する工程。
（４）封止材で封止する工程。
（５）封止材を硬化する工程。
（６）半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がす工程。
【０００４】
この方法による半導体装置の製造において、封止材で封止する工程で、リードフレーム裏面に封止樹脂が回りこむ等の問題が起こり易かった。また、半導体用接着フィルムを封止材で封止した後のリードフレームや封止材から引き剥がす工程で、接着剤とリードフレームや封止材が強固に接着してしまい、室温で剥がすことができない問題や、接着剤が支持フィルムから剥離してリードフレームや封止材に付着する問題があった。また、室温で半導体用接着フィルムの引き剥がしが困難な場合、熱をかけて引き剥がすことがあり、作業性が低下する問題があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１２９４７３号公報
【特許文献２】特開平１０−１２７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情を鑑みなされたもので、半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルムであって、リードフレーム裏面に接着後、リードフレームに対して十分な接着性を有し、且つ封止材で封止した後のリードフレームや封止材から室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
（１）リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後に引き剥がす方法に使用される、支持フィルム及び樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、
前記樹脂層Ａは、一般式（Ｉ）
【０００８】
【化１】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなり、且つ前記支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、
前記半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の前記樹脂層Ａと前記リードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ前記半導体用接着フィルムを接着した前記リードフレームを前記封止材で封止した後の、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルム。
（２）前記イミドジカルボン酸が一般式（ＩＩ）
【０００９】
【化２】
（Ｘ３及びＸ４はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子と芳香環を１〜３個有する二価の有機基である。）で表される化合物である前記（１）に記載の半導体用接着フィルム。
（３）前記ジイソシアナートが分子内に芳香環を有する化合物である前記（１）又は（２）に記載の半導体用接着フィルム。
（４）前記樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）との比（Ａ／Ｃ）が、０．５以下である前記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（５）前記樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである前記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（６）前記支持フィルムの材質が、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるものである前記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（７）前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である前記（６）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（８）前記支持フィルムの材質が、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ばれるものである前記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（９）前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである前記（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１０）前記支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下である前記（１）〜（９）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１１）前記支持フィルムの２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下である前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１２）前記支持フィルムの片面に前記樹脂層Ａが形成されており、その反対面に樹脂層Ｂが形成され、前記樹脂層Ｂは２３０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であり、且つ接着性を有しない樹脂層である前記（１）〜（１１）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１３）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムが接着された半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
（１４）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが、リードフレームのダイパットの反対面に前記樹脂層Ａで接着された前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
（１５）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを有する半導体用接着フィルム付き半導体装置。
（１６）前記半導体装置は、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成される樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムと、ダイパット及びインナーリードを有し且つ前記半導体用接着フィルムが樹脂層Ａに前記ダイパットの反対面で接着されるリードフレームと、前記ダイパッドに接着された半導体素子と、前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、前記リードフレームの露出面及び半導体素子及びワイヤを封止する封止材とを備えている前記（１５）記載の半導体用接着フィルム付半導体装置。
（１７）前記（１５）又は（１６）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
（１８）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いて作製した半導体装置。
（１９）前記（１３）に記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームを用いて作製した半導体装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、リードフレームに接着後、リードフレームに対して十分な接着性を有し、封止材で封止した後のリードフレームや封止材からは室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明の実施の形態について詳しく説明する。
本発明の半導体用接着フィルムは、リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後に引き剥がす工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものであり、支持フィルムと樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、
前記樹脂層Ａは、下記一般式（Ｉ）
【００１２】
【化３】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなり、且つ前記支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、
前記半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後且つ封止前の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度（以下、「封止前の９０度ピール強度」ともいう）が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の、接着層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度（以下、「封止後の９０度ピール強度」ともいう）が１０００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、２５℃における９０度ピール強度は、例えば、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分３００ｍｍの速さで、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がす際のピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業株式会社製）で測定する。なお上記方法は、「封止前の９０度ピール強度」及び「封止後の９０度ピール強度」共通の測定方法である。
本発明において、「封止前の９０度ピール強度」及び「封止後の９０度ピール強度」は、本発明の半導体用接着フィルムを用いて半導体装置を製造する段階で得られる「半導体用接着フィルムがリードフレーム裏面に接着した、封止材で封止する前のサンプル」（以下、「封止前ピール強度サンプル」ともいう）及び「リードフレームのダイパット面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後のサンプル」（以下、「封止後ピール強度サンプル」ともいう）を測定用のサンプルとして用い、それぞれ測定した値とする。サンプルの作製について具体的に後述する。
【００１４】
本発明において、封止前の９０度ピール強度は、５Ｎ／ｍ以上とし、１０Ｎ／ｍ以上が好ましく、５０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましく、１５０Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。封止前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、半導体用接着フィルムがリードフレームから剥がれやすく、また、封止工程時に、リードフレームと樹脂層Ａとの間に封止用樹脂が入り込む等の問題がある。また、この封止前の９０度ピール強度の上限値は特に制限はないが、２０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、１５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、１０００Ｎ／ｍ以下であることがさらに好ましい。
【００１５】
一般的に９０度ピール強度は、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）、接着条件、被接着材の材質等に依存しているが、本発明の半導体用接着フィルムにおいて、封止前の９０度ピール強度を５Ｎ／ｍ以上にするには、例えば、樹脂層Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を１００〜３００℃とすることにより調整できる。また、支持フィルム上に形成する樹脂層Ａの厚みでも調整可能である。本発明の半導体用接着フィルムを用いて該フィルムが接着したリードフレーム又は半導体装置を製作する際は、リードフレームの材質により樹脂層Ａとリードフレームとの接着条件を適宜設定してピール強度を調整することが可能である。具体的には半導体装置の製造で後述する。
【００１６】
９０度ピール強度を測定するための封止前ピール強度サンプル及び封止後ピール強度サンプルは以下のように作製する。本発明の半導体用接着フィルムをリードフレームの片面、具体的には半導体素子を接着するダイパットの反対面に接着する。この接着条件は、ピール強度に影響するため、基本的には半導体装置を製造するときの接着条件で行うことが好ましい。しかし、本発明においては、封止前の９０度ピール強度を測定するための封止前ピール強度サンプルの作製において、半導体用接着フィルムとリードフレームとの接着条件は、具体的には以下のように条件設定する。リードフレームとして、銅リードフレームを用い、温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒とする。
封止後の９０度ピール強度を測定するための封止後ピール強度サンプルは、封止前ピール強度サンプルのダイパット面に半導体素子を接着し、ワイヤボンド工程の後、封止材として、エポキシ樹脂（日立化成工業株式会社製のＣＥＬ−９６００）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させて得る。
上記において、封止後のピール強度のサンプルは、ワイヤボンド工程を行うことで作製しているが、バンプを用いるワイヤレスボンド工程により作製される半導体装置にも本発明の半導体用接着フィルムは使用可能である。
【００１７】
本発明の半導体用接着フィルムは、封止後の９０度ピール強度が、樹脂層Ａとリードフレームとのピール強度、又は樹脂層Ａと封止材とのピール強度どちらも１０００Ｎ／ｍ以下である。８００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。前記封止後の９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレームや封止材に応力が加わり、破損する傾向がある。この封止後の９０度ピール強度は０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、５Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましい。
【００１８】
本発明において、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における「封止後の９０度ピール強度」を１０００Ｎ／ｍ以下にするには、樹脂層Ａが下記一般式（Ｉ）で示されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなることにより達成される。
本発明の半導体用接着フィルムは、支持フィルムと樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの少なくとも片面に、下記一般式（Ｉ）
【００１９】
【化４】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなる樹脂層Ａが形成されている。
前記イミドジカルボン酸としては、特に制限はないが、一般式（ＩＩ）
【００２０】
【化５】
（Ｘ３及びＸ４はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子と芳香環を１〜３個有する二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸であることが耐熱性の観点から好ましい。具体的には、下記に示す化合物が挙げられる。
【００２１】
【化６】
【００２２】
上記イミドジカルボン酸の合成方法としては、特に制限はないが、例えば、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンと無水トリメリット酸を、有機溶媒中８０℃以下で反応させ生成したアミド酸を脱水閉環することにより合成することができる。
【００２３】
【化７】
（式（ＩＩＩ）中のＸ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）
【００２４】
脱水閉環は、１２０〜２５０℃で熱処理する方法（熱イミド化）や脱水剤を用いて行う方法（化学イミド化）で行うことができる。１２０〜２５０℃で熱処理する方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を共沸除去してもよい。
【００２５】
脱水剤を用いて脱水閉環を行う方法は、脱水剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき、必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の脱水触媒を用いてもよい。脱水剤又は脱水触媒は、無水トリメリット酸１モルに対し、それぞれ１〜８モルの範囲で用いることが好ましい。
【００２６】
無水トリメリット酸は、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン１モルに対して、総量で１．９０〜２．１０モル使用するのが好ましく、１．９５〜２．０５モル使用するのがより好ましい。無水トリメリット酸の総量が、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン１モルに対して１．９０モルより少ない場合や２．１０モルより多い場合、合成したイミドジカルボン酸を精製せずにジイソシアナートと共重合させる際、得られる樹脂の分子量は低く、成膜性に劣り、均一な樹脂層を形成できない傾向にある。
【００２７】
前記一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンとしては、特に制限はないが、例えば、ジアミノメチルスルホン、ビス（２−アミノエチル）スルホン、ビス（３-アミノプロピル）スルホン、ビス（４-アミノブチル）スルホン、ビス（５-アミノペンチル）スルホン、ビス（６-アミノヘキシル）スルホン、ビス（７−アミノヘプチル）スルホン、ビス（８−アミノオクチル）スルホン、ビス（９-アミノノニル）スルホン、ビス（１０-アミノデシル）スルホン、ビス（１２−アミノドデシル）スルホン、ビス（３−（２−アミノエチル）アミノプロピル）スルホン、アミノメチル２−アミノエチルスルホン、２-アミノエチル３-アミノプロピルスルホン、ビス［２−（３-アミノプロポキシ）エチル］スルホン、４−（アミノメチルスルホニル）アニリン、４−（２-アミノエチルスルホニル）アニリン、４−（３−アミノプロピルスルホニル）アニリン等が挙げられ、入手の容易さやコスト、耐熱性の点から４、４’−ジアミノジフェニルスルホン、３、４’−ジアミノジフェニルスルホン、３、３’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホンであることが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。
【００２８】
前記イミドジカルボン酸の合成において、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン以外に他のジアミンを併用してもよい。他のジアミンとしては、特に制限はないが、例えば、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、イソホロンジアミン、ジシクロヘキシルメタンジアミン、１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、１，４−ビス（３−アミノプロポキシ）ブタン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、ビス［２−（３−アミノプロポキシ）エチル］エーテル、フェニレンジアミン、トルイレンジアミン、キシリレンジアミン、ナフタレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジベンズアニリド、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトライソプロピル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（３−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン、ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]エーテル、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]ビフェニル、次一般式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミン等があり、これらは２種以上併用してもよい。
【００２９】
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は２価の有機基、Ｒ３及びＲ４は１価の有機基を示し、ｍは１〜１００の整数を示す。）
一般式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンとしては、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン、１，５−ビス（３-アミノプロピル）ヘキサメチルトリシロキサン、１，７−ビス（３-アミノプロピル）オクタメチルテトラシロキサン、１,３-ビス（３−アミノプロピル）ジメチルジフェニルジシロキサン等が挙げられる。
なお、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン以外の他の上記ジアミンを併用した場合、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン及び他のジアミンの合計１モルに対して、総量で ０〜０．６モル使用するのが好ましく、０〜０．４モル使用するのがより好ましい。無水トリメリット酸の総量が、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンとその他のジアミン１モルに対して１．９０モルより少ない場合や２．１０モルより多い場合、合成したイミドジカルボン酸を精製せずにジイソシアナートと共重合させる際、得られる樹脂の分子量が低く、成膜性に劣り、均一な樹脂層を形成できない傾向がある。
【００３０】
前記した他のジアミンを併用する場合、併用する割合は、用いるジアミンの総量に対して６０モル％未満であることが好ましく、４０モル％未満であることがより好ましい。他のジアミンを６０モル％以上用いたイミドジカルボン酸を用いて本発明の半導体用接着フィルムを作製した場合、封止後のリードフレーム及び封止材との接着性が高くなりすぎ、リードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを室温で引き剥がすのが困難になる傾向がある。
【００３１】
一般式（ＩＩＩ）で表されるジミン、必要によりその他のジアミン及び無水トリメリット酸からイミドジカルボン酸を合成する際に用いる有機溶媒としては、カルボン酸無水物とアミンからイミドカルボン酸を生成する反応に通常用いられる有機溶媒が使用可能であり特に制限はないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、スルホラン等が挙げられる。これらの極性溶媒以外に、ケトン類、エステル類、エーテル類、脂肪族化合物類、芳香族化合物類、及びそれらのハロゲン化物等を使用することもでき、例えば、アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
以上のようにして合成したイミドジカルボン酸は、反応終了後の溶液のまま用いてもよいし、イミドジカルボン酸に対する貧溶媒に反応溶液を投入し、イミドジカルボン酸を析出させ、精製して用いてもよい。
本発明の半導体用接着フィルムに用いる樹脂（ａ）は、上記のようにして合成したイミドジカルボン酸とジイソシアナートを有機溶媒中で共重合させることにより得られる。用いる有機溶媒としては、ジアミンと無水トリメリット酸からイミドジカルボン酸を合成する際に通常用いられる有機溶剤が挙げられる。合成工程の簡略化、コスト低減の観点から、イミドジカルボン酸の反応後の溶液をそのまま用いることが好ましい。用いるジイソシアナートとしては、特に制限はないが、入手の容易さやコストの点から、フェニレンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナートであることが好ましく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
上記ジイソシアナートは、イミドジカルボン酸１モルに対して、総量で０．８０〜１．２０モル使用するのが好ましく、０．９０〜１．１０モル使用するのがより好ましい。ジイソシアナートの総量が、イミドジカルボン酸１モルに対して０．８０モルより少ない場合や１．２０モルより多い場合、得られる共重合体の分子量は低く、成膜性に劣り、均一な樹脂層を形成できない傾向にある。
【００３４】
イミドジカルボン酸とジイソシアナートを共重合する条件としては、特に制限はなく、カルボン酸とイソシアナートが反応してアミドを生成する公知の条件であればよい。例えば、イミドジカルボン酸の溶液にジイソシアナートを８０℃以下で添加し、その後、１４０〜２００℃の温度で反応させることにより、本発明の半導体用接着フィルムに用いる樹脂（ａ）が得られる。樹脂（ａ）は精製して用いてもよいし、反応後の溶液のまま樹脂（ａ）の樹脂ワニスとして用いてもよい。
得られた樹脂（ａ）の重量平均分子量は５千〜１０万が好ましく、１万〜８万がより好ましい。平均分子量が５千より小さいと成膜性に劣り、１０万より高いとワニスの粘度が高くなり作業性が悪くなる。上記した重量平均分子量はゲル浸透クロマトグラフィー（溶離液は０．０５ｍｏｌ／Ｌリン酸ＮＭＰ溶液、液速度は１ｍｌ／分、検出はＵＶ検出器（２５０ｎｍ））により測定し、ポリスチレン換算を行うことにより測定できる。
樹脂（ａ）のガラス転移温度は１００〜３００℃が好ましく、１５０〜２８０℃がより好ましい。ガラス転移温度が１００℃より低いとワイヤボンド性に劣り、３００℃より高いとリードフレームへの接着温度が高くなり、リードフレームが劣化する傾向にある。ガラス転移温度は、樹脂（ａ）の単層フィルムを作製し、ＴＭＡ（引張り）分析よりフィルム伸びの変曲点を求めることにより得られる。
また、樹脂（ａ）の５質量％減少温度は２５０〜５００℃であることが好ましく、３００〜５００℃であることがより好ましい。５質量％減少温度が２５０℃よりも低い場合、パッケージ組立工程中にアウトガスが発生し、半導体素子を汚染する傾向がある。
【００３５】
本発明においては、樹脂（ａ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーを添加してもよい。上記フィラーは、樹脂層の凝集力を高め、高温での貯蔵弾性率を高めるのでワイヤボンド性向上の効果がある。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して１〜３０質量部が好ましく、５〜１５質量部がより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、フィラー添加の効果が発現しない傾向があり、３０質量部より多いと基材との密着性が低下する傾向がある。
【００３６】
また、樹脂（ａ）にカップリング剤を用いてもよい。カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。シランカップリング剤を添加することにより、樹脂層Ａの支持フィルムに対する密着性を向上させ、本発明の半導体用接着フィルムを引き剥がした際に、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じにくくなる。
カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して、１〜１５質量部が好ましく、２〜１０質量部がより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、効果が発現しない傾向があり、１５質量部より多いとワニスがゲル化する傾向がある。
【００３７】
支持フィルム上に樹脂層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂（ａ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の有機溶剤に溶解して作製した樹脂（ａ）の樹脂ワニス又はイミドジカルボン酸とジイソシアナートとの共重合反応後の溶液のままの樹脂（ａ）の樹脂ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗布した後、加熱処理して有機溶剤を除去することにより、二層構造又は三層構造の半導体用接着フィルムを得ることができる。樹脂ワニスを塗布した支持フィルムを加熱処理する温度は、有機溶剤が除去できる温度であればよい。
【００３８】
上記において、支持フィルムへの樹脂（ａ）の樹脂ワニスの塗布方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行うことができる。また、樹脂（ａ）の樹脂ワニス中に支持フィルムを通して塗布しても良い。
【００３９】
本発明においては、支持フィルムの材質は特に制限はないが、樹脂（ａ）の樹脂ワニスの塗布、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましい。具体的には、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるフィルムであることが好ましい。
また、支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。また、上記のガラス転移温度を有する耐熱性樹脂フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程等の熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けたあとのリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数は、３.０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることがさらにより好ましい。
また、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けたあとのリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムを２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率は、０.１５％以下であることが好ましく、０．１３％以下であることがより好ましく、０．１０％以下であることがさらにより好ましい。
【００４０】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、リードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルム界面で剥離が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすくなる。支持フィルムは、耐熱性を有し、且つ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いことが好ましい。これらを考慮すると、支持フィルムはポリイミドフィルムであることが好ましい。上記範囲のガラス転移温度、線熱膨張係数、範囲の加熱収縮率を満たすポリイミドフィルムとしては、カプトン（登録商標、東レ・デュポン株式会社製）、ユーピレックス（登録商標、宇部興産株式会社製）、アピカル（登録商標、株式会社カネカ製）等を用いることができる。
【００４１】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面処理方法は特に制限はないが、アルカリ処理及びシランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと支持フィルムの線熱膨張係数を近くし、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減できることから好ましい。
【００４２】
上記の支持フィルムの厚さには特に制限はないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、５〜１００μｍであることが好ましく、５〜５０μｍであることがより好ましい。支持フィルムの厚さが５μｍ未満である場合は、支持フィルムにシワが入り易く作業性に劣る傾向にあり、１００μｍを超える場合は、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りが大きくなる傾向がある。
【００４３】
本発明の半導体用接着フィルムにおいて、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）との比（Ａ／Ｃ）が０．５以下であることが好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下がさらに好ましい。ここでいう樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は、支持フィルムに形成された樹脂層Ａの片面のみの厚さであり、両面に樹脂層Ａを設けた場合は厚い方の樹脂層Ａの厚さである。前記比（Ａ／Ｃ）が０．５を超える場合、樹脂（ａ）の樹脂ワニスを支持フィルム上に塗布した後に有機溶剤除去する際、樹脂層Ａの体積減少により半導体用接着フィルムがカールしやすく、リードフレームに接着する際の作業性が低下しやすい傾向にある。支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けた場合には、両樹脂層Ａの厚みの比（リードフレームと接着する側に設けられた樹脂層の厚さ：反対側に設けられた樹脂層Ａの厚さ）を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。両樹脂層Ａの厚みの比を上記範囲とすることにより半導体用接着フィルムのカールを防ぐことができる。
なお、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は１〜２０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることがより好ましく、４〜１０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）が１μｍ未満である場合は、封止前の９０度ピール強度が小さくなり、接着性に劣り、封止時に封止材が漏れ易くなる傾向にある。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）が２０μｍ超である場合は、半導体用接着フィルムの層厚みが厚くなり経済性に劣る傾向にある。
【００４４】
有機溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けてもよいが、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しにくい別の樹脂層を設けることも好ましい。すなわち、前記支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、その反対面に２３０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好ましい。
【００４５】
本発明においては、接着性を有しない樹脂層Ｂの２３０℃での貯蔵弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上であることがより好ましく、１０００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程等の熱が加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに張り付きやすい傾向がある。この貯蔵弾性率は、２０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。
【００４６】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに貼り付かない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度（以下、「樹脂層Ｂの９０度ピール強度」ともいう）が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ未満であることがより好ましい。
本発明において、この樹脂層Ｂの９０度ピール強度の測定は、樹脂層Ｂを有する半導体用接着樹脂の樹脂層Ｂ面を真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着したものをサンプル（以下、「樹脂層Ｂのピール強度サンプル」ともいう）として用い、上述した封止前９０度ピール強度及び封止後９０度ピール強度と同様に測定する。
【００４７】
上記の２３０℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程等で軟化しにくく、金型やジグに貼りつきにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましく、２５０℃以上であることがさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【００４８】
上記の樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（以下、樹脂（ｂ）ともいう）は、組成に特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂の組成には、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）等が好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせて用いることもできる。熱可塑製樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００質量部とすることが好ましく、２０〜７０質量部とすることがより好ましい。組み合わせた場合に上記範囲の混合割合とすることで、成膜性と接着性低減の効果が得られる。
なお、樹脂層Ｂは、組立工程中の熱で分解しないために、５質量％減少温度は高い方が好ましい。分解するとアウトガスが発生し、半導体素子を汚染し、ワイヤボンド不良、半導体装置の信頼性低下につながる傾向がある。
【００４９】
さらには、上記の樹脂（ｂ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーを添加してもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００質量部に対して１〜３０質量部が好ましく、５〜１５質量部がより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、フィラー添加の効果が発現しない傾向があり、３０質量部より多いと基材との密着性が低下する傾向がある。
また、上記樹脂（ｂ）にカップリング剤を添加してもよい。カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００質量部に対して１〜２０質量部とすることが好ましく、２〜１５質量部とすることがより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、添加の効果が発現しない傾向があり、２０質量部より多いとワニスがゲル化する傾向がある。カップリング剤を添加することにより、基材との密着性を向上させることができる。
樹脂（ｂ）に用いられるカップリング剤としては、樹脂（ａ）に用いられるものと同じカップリング剤が使用可能であるが、シランカップリング剤が好ましい。
【００５０】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成する方法は、特に制限はないが、通常、樹脂（ｂ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の有機溶剤に溶解して作製した樹脂（ｂ）の樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗布した後、加熱処理して有機溶剤を除去することにより、形成することができる。又は、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス塗布後に加熱処理等によって樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ｂ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を有機溶剤に溶解した樹脂（ｂ）の前駆体ワニスを支持フィルム上に塗布した後、加熱処理することで、形成することもできる。この場合、塗布後の加熱処理により、有機溶剤を除去しつつ、前駆体を樹脂（ｂ）とする反応を行うこととなる（例えばイミド化）。塗布面の表面状態等の点から、樹脂（ｂ）の樹脂ワニスを用いることが好ましい。
【００５１】
上記の樹脂層Ｂの形成において、ワニスを塗布した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂（ｂ）の樹脂ワニスを用いるか樹脂（ｂ）の前駆体ワニスを用いるかで異なる。樹脂ワニスの場合には有機溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ｂのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。支持フィルムに上記樹脂層Ｂを形成することは、有機溶剤除去時の樹脂層Ｂの体積減少、又はイミド化あるいは熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができることから好ましい。
【００５２】
上記において、支持フィルムへの樹脂（ｂ）の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの塗布方法は、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行うことができる。また、支持フィルムに樹脂層Ａを形成する前であれば樹脂ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗布しても良い。
【００５３】
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば、半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。本発明の半導体用接着フィルムを半導体装置の製造方法に使用する場合、下記の工程からなる方法により、半導体装置を製造することが好ましい。
即ち、（１）リードフレームの裏面に１５０〜４００℃で本発明の半導体用接着フィルムを接着する工程、
（２）リードフレームのダイパッドに銀ペースト等の接着剤を用いて半導体素子を接着し、１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱を行うことにより銀ペースト等の接着剤を硬化する工程、
（３）２００〜２７０℃で３分〜３０分加熱して、リードフレームのインナーリードと半導体素子とを金線等でワイヤボンドを行う工程、
（４）１５０〜２００℃で封止材を封止する工程、
（５）１５０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封止材樹脂を硬化する工程、
（６）０〜４０℃で半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がす工程である。
リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々１つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。
【００５４】
本発明の半導体用接着フィルムの一つの実施の形態を図１に、本発明の半導体用接着フィルム付きリードフレームの一つの実施の形態を図２に示す。図１に示すように上記半導体用接着フィルム３は、支持フィルム２上の樹脂層Ａ １が形成されたフィルムである。図２に示すように、該半導体用接着フィルム３をリードフレーム４の片面に接して接着することにより半導体用接着フィルム付きリードフレームを製造することができる。
【００５５】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着条件は、接着温度が１５０〜４００℃の間であることが好ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。温度が１５０℃より低い場合、リードフレームと樹脂層Ａの接着強度が低下する傾向がある。また４００℃を超えると、リードフレームが劣化する傾向がある。
【００５６】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着圧力は０．５〜３０ＭＰａの間が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａより小さい場合、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度が低下する傾向がある。また３０ＭＰａを超えると、リードフレームが破損しやすい傾向がある。
【００５７】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、１〜３０秒がより好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。
【００５８】
本発明において、リードフレームの材質に特に制限はないが、例えば、４２アロイ等の鉄系合金又は銅や銅系合金等を用いることができる。また、銅や銅系合金のリードフレームの表面には、パラジウム、金、銀等を被覆することもできる。
【００５９】
本発明においては、半導体用接着フィルムをリードフレームの裏面に接着した後、封止工程を行う前に、加熱を行うことにより、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させるためには、１００℃以上で加熱することが好ましい。また、リードフレームや半導体用接着フィルムの耐熱性の点から、３００℃以下であることが好ましい。好ましくは、上記加熱温度は１３０℃以上２７０℃以下であることがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。より好ましい加熱時間は１分以上２時間以内である。
【００６０】
樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を向上させるための上記加熱工程は、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行うことが好ましい。例えば、半導体素子のリードフレームダイパットへの接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。従って、上記加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。
【００６１】
本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置の構造は特に限定されないが、例えば半導体装置の片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体装置（Ｎｏｎ Ｌｅａｄ Ｔｙｐｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記半導体装置の具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
【００６２】
本発明においては、本発明の半導体用接着フィルムと、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａにダイパットの反対面で接着されるリードフレームと、ダイパッドに接着された半導体素子と、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤと、リードフレームの露出面及び半導体素子及びワイヤを封止する封止材とを備える構造を有する半導体用接着フィルム付き半導体装置を得ることも好ましい。さらに該半導体用接着フィルムが接着されたリードフレーム、また該半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置も本発明の範囲内である。
本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に組み込まれる。
【実施例】
【００６３】
次に実施例により、図１〜図６を参照しながら、本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
製造例１（実施例１、８、９、１０に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス１の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン９０．１ｇ（０．２０８モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」と略す）６０３．１ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８０．０ｇ（０．４１７モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート（以下、「ＭＤＩ」と略す）５２．１ｇ（０．２０８モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２８．８質量％であった。固形分の測定は次の方法により行った。即ち、樹脂溶液１ｇを金属皿に量りとり、１５０℃で１時間、次いで２５０℃で２時間加熱して溶剤を除去した後の固形分の質量を測定し、次式により算出した。
〔数１〕
固形分（質量％）＝（溶剤除去後の固形分の質量÷樹脂溶液の質量）×１００
以下、固形分の測定は上記の方法により行った。
この樹脂溶液１００ｇに、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランのシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８６４ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス１を得た。
【００６４】
製造例２（実施例２に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス２の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン４５．１ｇ（０．１０４モル）、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン４２．７ｇ（０．１０４モル）を入れ、ＮＭＰ５９４．８ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８０．０ｇ（０．４１７モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５２．１ｇ（０．２０８モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．６質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８２８ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス２を得た。
【００６５】
製造例３（実施例３、７に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス３の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン８８．３ｇ（０．２０４モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１２．７ｇ（０．０５１モル）を入れ、ＮＭＰ７１０．６ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸９８．０ｇ（０．５１０モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ６３．９ｇ（０．２５５モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液
を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．２質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８１６ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス３を得た。
【００６６】
製造例４（実施例４に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス４の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン６９．４ｇ（０．１６０モル）、１，４−ビス（３−アミノプロポキシ）ブタン１４．０ｇ（０．０６９モル）を入れ、ＮＭＰ６１８．５ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８８．０ｇ（０．４５８モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５７．４ｇ（０．２２９モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．６質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８２８ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス４を得た。
【００６７】
製造例５（実施例５に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス５の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン６９．４ｇ（０．１６０モル）、１，１２−ジアミノドデカン１３．８ｇ（０．０６９モル）を入れ、ＮＭＰ６１７．８ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８８．０ｇ（０．４５８モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５７．４ｇ（０．２２９モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２８．３質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８４９ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス５を得た。
【００６８】
製造例６（実施例６に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス６の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン７１．０ｇ（０．１６４モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１７．４ｇ（０．０７０モル）を入れ、ＮＭＰ６３２．５ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸９０．０ｇ（０．４６９モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５８．７ｇ（０．２３５モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２６．３質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．７８９ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス６を得た。
【００６９】
製造例７（実施例３〜６、８、比較例１〜３に樹脂（ｂ）として使用した樹脂（ｂ）の樹脂ワニス７の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、ＮＭＰ１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮＭＰ３６０ｇに溶解し、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス７を得た。
【００７０】
製造例８（実施例９に樹脂（ｂ）として使用した樹脂（ｂ）の樹脂ワニス８の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、ＮＭＰ１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉６０ｇ及びビス（４−マレイミドフェニル）メタン４０ｇをＮＭＰ３００ｇに溶解し、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス８を得た。
【００７１】
製造例９（比較例１に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス９の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８５．４ｇ（０．２０８モル）を入れ、ＮＭＰ５８６．５ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８０．０ｇ（０．４１７モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５２．１ｇ（０．２０８モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．２質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８１６ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス９を得た。
【００７２】
製造例１０（比較例２に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス１０の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン２０．３ｇ（０．０４７モル）、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン７６．９ｇ（０．１８８モル）を入れ、ＮＭＰ６６４．６ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸９０．０ｇ（０．４６９モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５８．７ｇ（０．２３４モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．９質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８３７ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス１０を得た。
【００７３】
製造例１１（比較例３に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス１１の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン６７．０ｇ（０．１５５モル）、シリコーンジアミン（信越化学工業株式会社製、商品名：Ｘ−２２−１６１Ｂ）５７．８ｇ（０．０６６モル）を入れ、ＮＭＰ７１７．０ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８５．０ｇ（０．４４３モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５５．４ｇ（０．２２１モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２８．１質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８４３ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス１１を得た。
【００７４】
（実施例１）
表面に化学処理を施した厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ（登録商標）、線熱膨張係数：１．２×１０−５/℃、加熱収縮率：０．０７％）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した樹脂ワニス１を１００μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、図１に示すような、支持フィルム２の片面に厚さ２０μｍの樹脂層Ａ １が形成された半導体用接着フィルム３を得た。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５質量％減少温度が４３０℃であった。
樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．４０であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）を測定したところ、封止前の９０度ピール強度は１２Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、２．２ｍｍであった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られた半導体装置は、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものである。半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材として、エポキシ樹脂であるＣＥＬ−９６００（日立化成工業株式会社製）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止材を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。
図４は、ダイパット６を有するリードフレーム４裏側に半導体用接着フィルム３が接着され、ダイパット６上の半導体素子７はワイヤ８でリードフレーム４に接続され、封止材９で封止された、実施例１で得られた半導体装置の一つの実施の形態を示す（銀ペーストは図示せず）。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、封止後の９０度ピール強度は８０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られた半導体装置は、図５に示すような半導体用接着フィルムを剥離することにより得られた半導体装置が複数繋がった構造のものである。
【００７５】
さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７６】
（実施例２）
樹脂ワニスとして製造例２で作製した樹脂ワニス２を用いた以外は、実施例１と同様にして、支持フィルムの片面に厚さ２０μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２８℃、５質量％減少温度が４２５℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．４０であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ１５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、２．０ｍｍであった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がし封止後の９０度ピール強度を測定したところ１００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７７】
（実施例３）
表面に化学処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ（登録商標））を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例３で製造した樹脂ワニス３を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２１６℃、５質量％減少温度は４２３℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、支持フィルムの樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例７で作製した樹脂ワニス７を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ９μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ６５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がして封止後の９０度ピール強度を測定したところ１６０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示すような各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７８】
（実施例４）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例４で製造した樹脂ワニス４を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２０１℃、５質量％減少温度は４２０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ２４０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示す半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。
なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は５００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７９】
（実施例５）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例５で製造した樹脂ワニス５を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２０４℃、５質量％減少温度は４１５℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ６０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかいと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行って、図４に示す半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。
なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は２００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示すような各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８０】
（実施例６）
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ（登録商標）、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．５×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率：０．０２％）を用い、樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例６で製造した樹脂ワニス６を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２４℃、５質量％減少温度は４２５℃であった。
樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ、１５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は１８０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８１】
（実施例７）
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（カネカ株式会社製、商品名：アピカルＮＰＩ（登録商標）、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．６×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率：０．０７％）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例３で製造した樹脂ワニス３を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２１６℃、５質量％減少温度は４２３℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．１８であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ、６０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、１．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は１６０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８２】
（実施例８）
支持フィルムとして、厚さ１８μｍの銅箔（日本電解株式会社製、商品名：ＨＬＢ、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．７×１０−５/℃）を用いた。この銅箔の片面に、製造例１で製造した樹脂ワニス１を３０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、２００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ５μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２０℃、５質量％減少温度は４３０℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．２８であった。次に、支持フィルムの樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例７で作製した樹脂ワニス７を３０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ５μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ、１５Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍ未満であった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は８０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８３】
（実施例９）
表面に化学処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ（登録商標）、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．２×１０−５/℃、加熱収縮率：０．０７％）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した樹脂ワニス１を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２０℃、５質量％減少温度は４３０℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、支持フィルムの樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例８で作製した樹脂ワニス８を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂの２３０℃における貯蔵弾性率は８００ＭＰａであった。これにより図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ１５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は８５Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８４】
（実施例１０）
実施例１で作製した半導体用接着フィルムを温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒で４２アロイリードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ１５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、３．５ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は３００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８５】
（比較例１）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例９で製造した樹脂ワニス９を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２３４℃、５質量％減少温度は４３２℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ２０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がした場合も（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
【００８６】
（比較例２）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例１０で製造した樹脂ワニス１０を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２８℃、５質量％減少温度は４３０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前９０度ピール強度を測定したところ、２５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がした場合も（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
【００８７】
（比較例３）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例１１で製造した樹脂ワニス１１を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は１８５℃、５質量％減少温度は４１１℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができないと予想された。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。
【００８８】
実施例１〜実施例１０の結果より、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、リードフレーム及び封止材より室温（２５℃）において容易に剥離可能な半導体用接着フィルムを製造することができ、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することができることが示された。本発明の半導体用接着フィルムは、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、室温（２５℃）においてリードフレーム及び封止材から容易に引き剥がせるため、半導体装置を高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。
これに対して、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における封止後の９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える比較例１及び比較例２の半導体用接着フィルムは、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して引き剥がすことができなかった。半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における封止前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である比較例３の半導体用接着フィルムは、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができなかった。
【００８９】
本発明の半導体用接着フィルムは、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、室温においてリードフレーム及び封止材から容易に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【図２】本発明の一態様の半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した半導体用接着フィルム付きリードフレームの断面図である。
【図３】半導体用接着フィルムを接着したリードフレームの反りの測定方法を示す側面図である。
【図４】本発明の一態様の半導体用接着フィルムを備えた半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明半導体用接着フィルムを用いて作製された半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１ 樹脂層Ａ
２ 支持フィルム
３ 半導体用接着フィルム
４ リードフレーム
５ インナーリード
６ ダイパッド
７ 半導体素子
８ ワイヤ
９ 封止材
１０ 樹脂層Ｂ
１１ 台
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームの表面に半導体素子を接着し、封止後に前記接着フィルムを引き剥がして半導体装置を得る半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルムに関する。特に封止後にリードフレーム及び封止材から室温において簡便に引き剥がすことにより、半導体装置を高い作業性で製造するための半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれらを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置（以下、「半導体パッケージ」ともいう）は、ダイパッド面上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子を接着し、これとリードフレームをワイヤで接合した後に、外部接続用のアウターリードを残して全体を封止する構造の半導体パッケージが用いられてきた。しかし近年、半導体パッケージの高密度化、小面積化、薄型化等の要求に伴い、さまざまな構造のパッケージが開発されてきている。その中には、例えば、ＬＯＣ（ｌｅａｄ ｏｎ ｃｈｉｐ）やＣＯＬ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｌｅａｄ）構造等があるが、小面積化、薄型化の点では限界がある。
【０００３】
一方、これらの課題を解決するために、半導体パッケージの片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面むき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体パッケージが開発されてきた（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。この構造の半導体パッケージはリードフレームが封止材から突出していないので、小面積化及び薄型化が図れる。この半導体パッケージ構造の半導体装置を製造する方法の一つとして、次に示す工程を含む製造方法がある。
（１）リードフレーム裏面に半導体用接着フィルムを接着する工程。
（２）リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着する工程。
（３）リードフレームのインナーリードと半導体素子を接続する工程。
（４）封止材で封止する工程。
（５）封止材を硬化する工程。
（６）半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がす工程。
【０００４】
この方法による半導体装置の製造において、封止材で封止する工程で、リードフレーム裏面に封止樹脂が回りこむ等の問題が起こり易かった。また、半導体用接着フィルムを封止材で封止した後のリードフレームや封止材から引き剥がす工程で、接着剤とリードフレームや封止材が強固に接着してしまい、室温で剥がすことができない問題や、接着剤が支持フィルムから剥離してリードフレームや封止材に付着する問題があった。また、室温で半導体用接着フィルムの引き剥がしが困難な場合、熱をかけて引き剥がすことがあり、作業性が低下する問題があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１２９４７３号公報
【特許文献２】特開平１０−１２７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情を鑑みなされたもので、半導体装置の製造方法に使用される半導体用接着フィルムであって、リードフレーム裏面に接着後、リードフレームに対して十分な接着性を有し、且つ封止材で封止した後のリードフレームや封止材から室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
（１）リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後に引き剥がす方法に使用される、支持フィルム及び樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、
前記樹脂層Ａは、一般式（Ｉ）
【０００８】
【化１】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなり、且つ前記支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、
前記半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の前記樹脂層Ａと前記リードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ前記半導体用接着フィルムを接着した前記リードフレームを前記封止材で封止した後の、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルム。
（２）前記イミドジカルボン酸が一般式（ＩＩ）
【０００９】
【化２】
（Ｘ３及びＸ４はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子と芳香環を１〜３個有する二価の有機基である。）で表される化合物である前記（１）に記載の半導体用接着フィルム。
（３）前記ジイソシアナートが分子内に芳香環を有する化合物である前記（１）又は（２）に記載の半導体用接着フィルム。
（４）前記樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）との比（Ａ／Ｃ）が、０．５以下である前記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（５）前記樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである前記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（６）前記支持フィルムの材質が、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるものである前記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（７）前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である前記（６）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（８）前記支持フィルムの材質が、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ばれるものである前記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（９）前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである前記（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１０）前記支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下である前記（１）〜（９）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１１）前記支持フィルムの２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下である前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１２）前記支持フィルムの片面に前記樹脂層Ａが形成されており、その反対面に樹脂層Ｂが形成され、前記樹脂層Ｂは２３０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であり、且つ接着性を有しない樹脂層である前記（１）〜（１１）のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
（１３）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムが接着された半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
（１４）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが、リードフレームのダイパットの反対面に前記樹脂層Ａで接着された前記（１３）記載の半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
（１５）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを有する半導体用接着フィルム付き半導体装置。
（１６）前記半導体装置は、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成される樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムと、ダイパット及びインナーリードを有し且つ前記半導体用接着フィルムが樹脂層Ａに前記ダイパットの反対面で接着されるリードフレームと、前記ダイパッドに接着された半導体素子と、前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、前記リードフレームの露出面及び半導体素子及びワイヤを封止する封止材とを備えている前記（１５）記載の半導体用接着フィルム付半導体装置。
（１７）前記（１５）又は（１６）記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
（１８）前記（１）〜（１２）のいずれかに記載の半導体用接着フィルムを用いて作製した半導体装置。
（１９）前記（１３）に記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームを用いて作製した半導体装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、リードフレームに接着後、リードフレームに対して十分な接着性を有し、封止材で封止した後のリードフレームや封止材からは室温で容易に剥離でき、半導体装置を高い作業性で製造することができる半導体用接着フィルム、これを用いたリードフレーム及び半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明の実施の形態について詳しく説明する。
本発明の半導体用接着フィルムは、リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後に引き剥がす工程を含む半導体装置の製造方法に使用されるものであり、支持フィルムと樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、
前記樹脂層Ａは、下記一般式（Ｉ）
【００１２】
【化３】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなり、且つ前記支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、
前記半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後且つ封止前の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における９０度ピール強度（以下、「封止前の９０度ピール強度」ともいう）が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の、接着層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度（以下、「封止後の９０度ピール強度」ともいう）が１０００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、２５℃における９０度ピール強度は、例えば、ＪＩＳ Ｚ ０２３７の９０度引き剥がし法に準じて、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がして測定する。具体的には、２５℃において、毎分３００ｍｍの速さで、リードフレームに対して半導体用接着フィルムを９０度方向に引き剥がす際のピール強度を、９０度剥離試験機（テスタ産業株式会社製）で測定する。なお上記方法は、「封止前の９０度ピール強度」及び「封止後の９０度ピール強度」共通の測定方法である。
本発明において、「封止前の９０度ピール強度」及び「封止後の９０度ピール強度」は、本発明の半導体用接着フィルムを用いて半導体装置を製造する段階で得られる「半導体用接着フィルムがリードフレーム裏面に接着した、封止材で封止する前のサンプル」（以下、「封止前ピール強度サンプル」ともいう）及び「リードフレームのダイパット面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後のサンプル」（以下、「封止後ピール強度サンプル」ともいう）を測定用のサンプルとして用い、それぞれ測定した値とする。サンプルの作製について具体的に後述する。
【００１４】
本発明において、封止前の９０度ピール強度は、５Ｎ／ｍ以上とし、１０Ｎ／ｍ以上が好ましく、５０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、１００Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましく、１５０Ｎ／ｍ以上であることが特に好ましい。封止前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満の場合、半導体用接着フィルムがリードフレームから剥がれやすく、また、封止工程時に、リードフレームと樹脂層Ａとの間に封止用樹脂が入り込む等の問題がある。また、この封止前の９０度ピール強度の上限値は特に制限はないが、２０００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、１５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、１０００Ｎ／ｍ以下であることがさらに好ましい。
【００１５】
一般的に９０度ピール強度は、接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）、接着条件、被接着材の材質等に依存しているが、本発明の半導体用接着フィルムにおいて、封止前の９０度ピール強度を５Ｎ／ｍ以上にするには、例えば、樹脂層Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を１００〜３００℃とすることにより調整できる。また、支持フィルム上に形成する樹脂層Ａの厚みでも調整可能である。本発明の半導体用接着フィルムを用いて該フィルムが接着したリードフレーム又は半導体装置を製作する際は、リードフレームの材質により樹脂層Ａとリードフレームとの接着条件を適宜設定してピール強度を調整することが可能である。具体的には半導体装置の製造で後述する。
【００１６】
９０度ピール強度を測定するための封止前ピール強度サンプル及び封止後ピール強度サンプルは以下のように作製する。本発明の半導体用接着フィルムをリードフレームの片面、具体的には半導体素子を接着するダイパットの反対面に接着する。この接着条件は、ピール強度に影響するため、基本的には半導体装置を製造するときの接着条件で行うことが好ましい。しかし、本発明においては、封止前の９０度ピール強度を測定するための封止前ピール強度サンプルの作製において、半導体用接着フィルムとリードフレームとの接着条件は、具体的には以下のように条件設定する。リードフレームとして、銅リードフレームを用い、温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒とする。
封止後の９０度ピール強度を測定するための封止後ピール強度サンプルは、封止前ピール強度サンプルのダイパット面に半導体素子を接着し、ワイヤボンド工程の後、封止材として、エポキシ樹脂（日立化成工業株式会社製のＣＥＬ−９６００）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分の条件で封止を行い、次いで１８０℃で５時間加熱して封止材を硬化させて得る。
上記において、封止後のピール強度のサンプルは、ワイヤボンド工程を行うことで作製しているが、バンプを用いるワイヤレスボンド工程により作製される半導体装置にも本発明の半導体用接着フィルムは使用可能である。
【００１７】
本発明の半導体用接着フィルムは、封止後の９０度ピール強度が、樹脂層Ａとリードフレームとのピール強度、又は樹脂層Ａと封止材とのピール強度どちらも１０００Ｎ／ｍ以下である。８００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５００Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。前記封止後の９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える場合、リードフレームや封止材に応力が加わり、破損する傾向がある。この封止後の９０度ピール強度は０Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、３Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、５Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましい。
【００１８】
本発明において、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における「封止後の９０度ピール強度」を１０００Ｎ／ｍ以下にするには、樹脂層Ａが下記一般式（Ｉ）で示されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなることにより達成される。
本発明の半導体用接着フィルムは、支持フィルムと樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの少なくとも片面に、下記一般式（Ｉ）
【００１９】
【化４】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなる樹脂層Ａが形成されている。
前記イミドジカルボン酸としては、特に制限はないが、一般式（ＩＩ）
【００２０】
【化５】
（Ｘ３及びＸ４はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子と芳香環を１〜３個有する二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸であることが耐熱性の観点から好ましい。具体的には、下記に示す化合物が挙げられる。
【００２１】
【化６】
【００２２】
上記イミドジカルボン酸の合成方法としては、特に制限はないが、例えば、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンと無水トリメリット酸を、有機溶媒中８０℃以下で反応させ生成したアミド酸を脱水閉環することにより合成することができる。
【００２３】
【化７】
（式（ＩＩＩ）中のＸ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）
【００２４】
脱水閉環は、１２０〜２５０℃で熱処理する方法（熱イミド化）や脱水剤を用いて行う方法（化学イミド化）で行うことができる。１２０〜２５０℃で熱処理する方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を共沸除去してもよい。
【００２５】
脱水剤を用いて脱水閉環を行う方法は、脱水剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき、必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の脱水触媒を用いてもよい。脱水剤又は脱水触媒は、無水トリメリット酸１モルに対し、それぞれ１〜８モルの範囲で用いることが好ましい。
【００２６】
無水トリメリット酸は、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン１モルに対して、総量で１．９０〜２．１０モル使用するのが好ましく、１．９５〜２．０５モル使用するのがより好ましい。無水トリメリット酸の総量が、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン１モルに対して１．９０モルより少ない場合や２．１０モルより多い場合、合成したイミドジカルボン酸を精製せずにジイソシアナートと共重合させる際、得られる樹脂の分子量は低く、成膜性に劣り、均一な樹脂層を形成できない傾向にある。
【００２７】
前記一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンとしては、特に制限はないが、例えば、ジアミノメチルスルホン、ビス（２−アミノエチル）スルホン、ビス（３-アミノプロピル）スルホン、ビス（４-アミノブチル）スルホン、ビス（５-アミノペンチル）スルホン、ビス（６-アミノヘキシル）スルホン、ビス（７−アミノヘプチル）スルホン、ビス（８−アミノオクチル）スルホン、ビス（９-アミノノニル）スルホン、ビス（１０-アミノデシル）スルホン、ビス（１２−アミノドデシル）スルホン、ビス（３−（２−アミノエチル）アミノプロピル）スルホン、アミノメチル２−アミノエチルスルホン、２-アミノエチル３-アミノプロピルスルホン、ビス［２−（３-アミノプロポキシ）エチル］スルホン、４−（アミノメチルスルホニル）アニリン、４−（２-アミノエチルスルホニル）アニリン、４−（３−アミノプロピルスルホニル）アニリン等が挙げられ、入手の容易さやコスト、耐熱性の点から４、４’−ジアミノジフェニルスルホン、３、４’−ジアミノジフェニルスルホン、３、３’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホンであることが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。
【００２８】
前記イミドジカルボン酸の合成において、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン以外に他のジアミンを併用してもよい。他のジアミンとしては、特に制限はないが、例えば、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，２−ジアミノ−２−メチルプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、イソホロンジアミン、ジシクロヘキシルメタンジアミン、１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、１，４−ビス（３−アミノプロポキシ）ブタン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、ビス［２−（３−アミノプロポキシ）エチル］エーテル、フェニレンジアミン、トルイレンジアミン、キシリレンジアミン、ナフタレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジベンズアニリド、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトライソプロピル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノクミル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（３−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン、ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]エーテル、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]ビフェニル、次一般式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミン等があり、これらは２種以上併用してもよい。
【００２９】
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は２価の有機基、Ｒ３及びＲ４は１価の有機基を示し、ｍは１〜１００の整数を示す。）
一般式（ＩＶ）で表されるシロキサンジアミンとしては、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン、１，５−ビス（３-アミノプロピル）ヘキサメチルトリシロキサン、１，７−ビス（３-アミノプロピル）オクタメチルテトラシロキサン、１,３-ビス（３−アミノプロピル）ジメチルジフェニルジシロキサン等が挙げられる。
なお、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン以外の他の上記ジアミンを併用した場合、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミン及び他のジアミンの合計１モルに対して、総量で ０〜０．６モル使用するのが好ましく、０〜０．４モル使用するのがより好ましい。無水トリメリット酸の総量が、一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンとその他のジアミン１モルに対して１．９０モルより少ない場合や２．１０モルより多い場合、合成したイミドジカルボン酸を精製せずにジイソシアナートと共重合させる際、得られる樹脂の分子量が低く、成膜性に劣り、均一な樹脂層を形成できない傾向がある。
【００３０】
前記した他のジアミンを併用する場合、併用する割合は、用いるジアミンの総量に対して６０モル％未満であることが好ましく、４０モル％未満であることがより好ましい。他のジアミンを６０モル％以上用いたイミドジカルボン酸を用いて本発明の半導体用接着フィルムを作製した場合、封止後のリードフレーム及び封止材との接着性が高くなりすぎ、リードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを室温で引き剥がすのが困難になる傾向がある。
【００３１】
一般式（ＩＩＩ）で表されるジミン、必要によりその他のジアミン及び無水トリメリット酸からイミドジカルボン酸を合成する際に用いる有機溶媒としては、カルボン酸無水物とアミンからイミドカルボン酸を生成する反応に通常用いられる有機溶媒が使用可能であり特に制限はないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、スルホラン等が挙げられる。これらの極性溶媒以外に、ケトン類、エステル類、エーテル類、脂肪族化合物類、芳香族化合物類、及びそれらのハロゲン化物等を使用することもでき、例えば、アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
以上のようにして合成したイミドジカルボン酸は、反応終了後の溶液のまま用いてもよいし、イミドジカルボン酸に対する貧溶媒に反応溶液を投入し、イミドジカルボン酸を析出させ、精製して用いてもよい。
本発明の半導体用接着フィルムに用いる樹脂（ａ）は、上記のようにして合成したイミドジカルボン酸とジイソシアナートを有機溶媒中で共重合させることにより得られる。用いる有機溶媒としては、ジアミンと無水トリメリット酸からイミドジカルボン酸を合成する際に通常用いられる有機溶剤が挙げられる。合成工程の簡略化、コスト低減の観点から、イミドジカルボン酸の反応後の溶液をそのまま用いることが好ましい。用いるジイソシアナートとしては、特に制限はないが、入手の容易さやコストの点から、フェニレンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナートであることが好ましく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
上記ジイソシアナートは、イミドジカルボン酸１モルに対して、総量で０．８０〜１．２０モル使用するのが好ましく、０．９０〜１．１０モル使用するのがより好ましい。ジイソシアナートの総量が、イミドジカルボン酸１モルに対して０．８０モルより少ない場合や１．２０モルより多い場合、得られる共重合体の分子量は低く、成膜性に劣り、均一な樹脂層を形成できない傾向にある。
【００３４】
イミドジカルボン酸とジイソシアナートを共重合する条件としては、特に制限はなく、カルボン酸とイソシアナートが反応してアミドを生成する公知の条件であればよい。例えば、イミドジカルボン酸の溶液にジイソシアナートを８０℃以下で添加し、その後、１４０〜２００℃の温度で反応させることにより、本発明の半導体用接着フィルムに用いる樹脂（ａ）が得られる。樹脂（ａ）は精製して用いてもよいし、反応後の溶液のまま樹脂（ａ）の樹脂ワニスとして用いてもよい。
得られた樹脂（ａ）の重量平均分子量は５千〜１０万が好ましく、１万〜８万がより好ましい。平均分子量が５千より小さいと成膜性に劣り、１０万より高いとワニスの粘度が高くなり作業性が悪くなる。上記した重量平均分子量はゲル浸透クロマトグラフィー（溶離液は０．０５ｍｏｌ／Ｌリン酸ＮＭＰ溶液、液速度は１ｍｌ／分、検出はＵＶ検出器（２５０ｎｍ））により測定し、ポリスチレン換算を行うことにより測定できる。
樹脂（ａ）のガラス転移温度は１００〜３００℃が好ましく、１５０〜２８０℃がより好ましい。ガラス転移温度が１００℃より低いとワイヤボンド性に劣り、３００℃より高いとリードフレームへの接着温度が高くなり、リードフレームが劣化する傾向にある。ガラス転移温度は、樹脂（ａ）の単層フィルムを作製し、ＴＭＡ（引張り）分析よりフィルム伸びの変曲点を求めることにより得られる。
また、樹脂（ａ）の５質量％減少温度は２５０〜５００℃であることが好ましく、３００〜５００℃であることがより好ましい。５質量％減少温度が２５０℃よりも低い場合、パッケージ組立工程中にアウトガスが発生し、半導体素子を汚染する傾向がある。
【００３５】
本発明においては、樹脂（ａ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーを添加してもよい。上記フィラーは、樹脂層の凝集力を高め、高温での貯蔵弾性率を高めるのでワイヤボンド性向上の効果がある。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して１〜３０質量部が好ましく、５〜１５質量部がより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、フィラー添加の効果が発現しない傾向があり、３０質量部より多いと基材との密着性が低下する傾向がある。
【００３６】
また、樹脂（ａ）にカップリング剤を用いてもよい。カップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、チタネート、アルミキレート、ジルコアルミネート等のカップリング剤が使用できるが、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらの内、エポキシ基を有するエポキシシランカップリング剤が好ましく用いられる。シランカップリング剤を添加することにより、樹脂層Ａの支持フィルムに対する密着性を向上させ、本発明の半導体用接着フィルムを引き剥がした際に、樹脂層Ａと支持フィルムの界面で剥離が生じにくくなる。
カップリング剤の添加量は、樹脂（ａ）１００質量部に対して、１〜１５質量部が好ましく、２〜１０質量部がより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、効果が発現しない傾向があり、１５質量部より多いとワニスがゲル化する傾向がある。
【００３７】
支持フィルム上に樹脂層Ａを形成する方法は、特に制限はないが、樹脂（ａ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の有機溶剤に溶解して作製した樹脂（ａ）の樹脂ワニス又はイミドジカルボン酸とジイソシアナートとの共重合反応後の溶液のままの樹脂（ａ）の樹脂ワニスを、支持フィルムの片面又は両面上に塗布した後、加熱処理して有機溶剤を除去することにより、二層構造又は三層構造の半導体用接着フィルムを得ることができる。樹脂ワニスを塗布した支持フィルムを加熱処理する温度は、有機溶剤が除去できる温度であればよい。
【００３８】
上記において、支持フィルムへの樹脂（ａ）の樹脂ワニスの塗布方法には、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行うことができる。また、樹脂（ａ）の樹脂ワニス中に支持フィルムを通して塗布しても良い。
【００３９】
本発明においては、支持フィルムの材質は特に制限はないが、樹脂（ａ）の樹脂ワニスの塗布、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましい。具体的には、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるフィルムであることが好ましい。
また、支持フィルムのガラス転移温度は、耐熱性を向上させるために２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。また、上記のガラス転移温度を有する耐熱性樹脂フィルムを用いることにより、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程等の熱の加わる工程において、支持フィルムが軟化せず、効率よく作業を行うことができる。
半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けたあとのリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数は、３.０×１０−５／℃以下であることが好ましく、２．５×１０−５／℃以下であることがより好ましく、２．０×１０−５／℃以下であることがさらにより好ましい。
また、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けたあとのリードフレームの反りを低減するために、支持フィルムを２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率は、０.１５％以下であることが好ましく、０．１３％以下であることがより好ましく、０．１０％以下であることがさらにより好ましい。
【００４０】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対して密着性が十分高いことが好ましい。密着性が低いと、リードフレーム及び封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がした際、樹脂層Ａと支持フィルム界面で剥離が生じやすく、リードフレーム及び封止材に樹脂が残留しやすくなる。支持フィルムは、耐熱性を有し、且つ樹脂層Ａに対する密着性が十分高いことが好ましい。これらを考慮すると、支持フィルムはポリイミドフィルムであることが好ましい。上記範囲のガラス転移温度、線熱膨張係数、範囲の加熱収縮率を満たすポリイミドフィルムとしては、カプトン（登録商標、東レ・デュポン株式会社製）、ユーピレックス（登録商標、宇部興産株式会社製）、アピカル（登録商標、株式会社カネカ製）等を用いることができる。
【００４１】
上記の支持フィルムは、樹脂層Ａに対する密着性を十分高めるために、表面を処理することが好ましい。支持フィルムの表面処理方法は特に制限はないが、アルカリ処理及びシランカップリング処理等の化学処理、サンドマット処理等の物理的処理、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
支持フィルムの材質を、上記した樹脂以外の、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ぶこともできる。支持フィルムを上記の金属とすることにより、リードフレームと支持フィルムの線熱膨張係数を近くし、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減できることから好ましい。
【００４２】
上記の支持フィルムの厚さには特に制限はないが、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りを低減するために、５〜１００μｍであることが好ましく、５〜５０μｍであることがより好ましい。支持フィルムの厚さが５μｍ未満である場合は、支持フィルムにシワが入り易く作業性に劣る傾向にあり、１００μｍを超える場合は、半導体用接着フィルムをリードフレームに貼り付けた後のリードフレームの反りが大きくなる傾向がある。
【００４３】
本発明の半導体用接着フィルムにおいて、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）との比（Ａ／Ｃ）が０．５以下であることが好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下がさらに好ましい。ここでいう樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は、支持フィルムに形成された樹脂層Ａの片面のみの厚さであり、両面に樹脂層Ａを設けた場合は厚い方の樹脂層Ａの厚さである。前記比（Ａ／Ｃ）が０．５を超える場合、樹脂（ａ）の樹脂ワニスを支持フィルム上に塗布した後に有機溶剤除去する際、樹脂層Ａの体積減少により半導体用接着フィルムがカールしやすく、リードフレームに接着する際の作業性が低下しやすい傾向にある。支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けた場合には、両樹脂層Ａの厚みの比（リードフレームと接着する側に設けられた樹脂層の厚さ：反対側に設けられた樹脂層Ａの厚さ）を０．８：１〜１．２：１とすることが好ましく、０．９：１〜１．１：１とすることがより好ましく、１：１とすることが特に好ましい。両樹脂層Ａの厚みの比を上記範囲とすることにより半導体用接着フィルムのカールを防ぐことができる。
なお、樹脂層Ａの厚さ（Ａ）は１〜２０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍであることがより好ましく、４〜１０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）が１μｍ未満である場合は、封止前の９０度ピール強度が小さくなり、接着性に劣り、封止時に封止材が漏れ易くなる傾向にある。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）が２０μｍ超である場合は、半導体用接着フィルムの層厚みが厚くなり経済性に劣る傾向にある。
【００４４】
有機溶剤除去時の樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺するために、支持フィルムの両面に樹脂層Ａを設けてもよいが、支持フィルムの片面に樹脂層Ａを設け、反対面に高温で軟化しにくい別の樹脂層を設けることも好ましい。すなわち、前記支持フィルムの片面に接着性を有する樹脂層Ａを形成し、その反対面に２３０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成することが好ましい。
【００４５】
本発明においては、接着性を有しない樹脂層Ｂの２３０℃での貯蔵弾性率は１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上であることがより好ましく、１０００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。樹脂層Ｂの２３０℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ未満の場合、ワイヤボンド工程等の熱が加わる工程で軟化しやすく、金型やジグに張り付きやすい傾向がある。この貯蔵弾性率は、２０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以下であることがより好ましい。
【００４６】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂの金型やジグに対する接着力は、工程上、金型やジグに貼り付かない程度に低ければ特に制限はないが、２５℃における樹脂層Ｂと金型やジグとの９０度ピール強度（以下、「樹脂層Ｂの９０度ピール強度」ともいう）が５Ｎ／ｍ未満であることが好ましく、１Ｎ／ｍ未満であることがより好ましい。
本発明において、この樹脂層Ｂの９０度ピール強度の測定は、樹脂層Ｂを有する半導体用接着樹脂の樹脂層Ｂ面を真鍮製の金型に温度２５０℃、圧力８ＭＰａで１０秒間圧着したものをサンプル（以下、「樹脂層Ｂのピール強度サンプル」ともいう）として用い、上述した封止前９０度ピール強度及び封止後９０度ピール強度と同様に測定する。
【００４７】
上記の２３０℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である樹脂層Ｂのガラス転移温度は、接着工程、ワイヤボンド工程、封止工程等で軟化しにくく、金型やジグに貼りつきにくくするため、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましく、２５０℃以上であることがさらに好ましい。なお、このガラス転移温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３００℃以下であることがより好ましい。
【００４８】
上記の樹脂層Ｂの形成に用いられる樹脂（以下、樹脂（ｂ）ともいう）は、組成に特に制限はなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂のいずれも用いることができる。熱可塑性樹脂の組成は、特に制限はないが、アミド基、エステル基、イミド基、エーテル基又はスルホン基を有する熱可塑性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂の組成には、特に制限はないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンをモノマーとするビスマレイミド樹脂）等が好ましい。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせて用いることもできる。熱可塑製樹脂と熱硬化性樹脂を組み合わせる場合、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、熱硬化性樹脂５〜１００質量部とすることが好ましく、２０〜７０質量部とすることがより好ましい。組み合わせた場合に上記範囲の混合割合とすることで、成膜性と接着性低減の効果が得られる。
なお、樹脂層Ｂは、組立工程中の熱で分解しないために、５質量％減少温度は高い方が好ましい。分解するとアウトガスが発生し、半導体素子を汚染し、ワイヤボンド不良、半導体装置の信頼性低下につながる傾向がある。
【００４９】
さらには、上記の樹脂（ｂ）にセラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉、樹脂粒子、ゴム粒子等のフィラーを添加してもよい。フィラーを添加する場合、その添加量は、樹脂（ｂ）１００質量部に対して１〜３０質量部が好ましく、５〜１５質量部がより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、フィラー添加の効果が発現しない傾向があり、３０質量部より多いと基材との密着性が低下する傾向がある。
また、上記樹脂（ｂ）にカップリング剤を添加してもよい。カップリング剤の添加量は、樹脂（ｂ）１００質量部に対して１〜２０質量部とすることが好ましく、２〜１５質量部とすることがより好ましい。添加量が１質量部より少ないと、添加の効果が発現しない傾向があり、２０質量部より多いとワニスがゲル化する傾向がある。カップリング剤を添加することにより、基材との密着性を向上させることができる。
樹脂（ｂ）に用いられるカップリング剤としては、樹脂（ａ）に用いられるものと同じカップリング剤が使用可能であるが、シランカップリング剤が好ましい。
【００５０】
上記の接着性を有しない樹脂層Ｂを形成する方法は、特に制限はないが、通常、樹脂（ｂ）をＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド等の有機溶剤に溶解して作製した樹脂（ｂ）の樹脂ワニスを、支持フィルム上に塗布した後、加熱処理して有機溶剤を除去することにより、形成することができる。又は、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス塗布後に加熱処理等によって樹脂（ｂ）（例えばポリイミド樹脂）となる樹脂（ｂ）の前駆体（例えばポリアミド酸）を有機溶剤に溶解した樹脂（ｂ）の前駆体ワニスを支持フィルム上に塗布した後、加熱処理することで、形成することもできる。この場合、塗布後の加熱処理により、有機溶剤を除去しつつ、前駆体を樹脂（ｂ）とする反応を行うこととなる（例えばイミド化）。塗布面の表面状態等の点から、樹脂（ｂ）の樹脂ワニスを用いることが好ましい。
【００５１】
上記の樹脂層Ｂの形成において、ワニスを塗布した支持フィルムを溶剤の除去やイミド化等のために加熱処理する場合の処理温度は、樹脂（ｂ）の樹脂ワニスを用いるか樹脂（ｂ）の前駆体ワニスを用いるかで異なる。樹脂ワニスの場合には有機溶剤が除去できる温度であればよく、前駆体ワニスの場合には、イミド化させるために樹脂層Ｂのガラス転移温度以上の処理温度が好ましい。支持フィルムに上記樹脂層Ｂを形成することは、有機溶剤除去時の樹脂層Ｂの体積減少、又はイミド化あるいは熱硬化性樹脂の硬化の際の収縮により、樹脂層Ａの体積減少に起因する半導体用接着フィルムのカールを相殺することができることから好ましい。
【００５２】
上記において、支持フィルムへの樹脂（ｂ）の樹脂ワニス又は前駆体ワニスの塗布方法は、特に制限はないが、例えば、ロールコート、リバースロールコート、グラビアコート、バーコート、コンマコート等を用いて行うことができる。また、支持フィルムに樹脂層Ａを形成する前であれば樹脂ワニス又は前駆体ワニス中に支持フィルムを通して塗布しても良い。
【００５３】
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば、半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。本発明の半導体用接着フィルムを半導体装置の製造方法に使用する場合、下記の工程からなる方法により、半導体装置を製造することが好ましい。
即ち、（１）リードフレームの裏面に１５０〜４００℃で本発明の半導体用接着フィルムを接着する工程、
（２）リードフレームのダイパッドに銀ペースト等の接着剤を用いて半導体素子を接着し、１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱を行うことにより銀ペースト等の接着剤を硬化する工程、
（３）２００〜２７０℃で３分〜３０分加熱して、リードフレームのインナーリードと半導体素子とを金線等でワイヤボンドを行う工程、
（４）１５０〜２００℃で封止材を封止する工程、
（５）１５０〜２００℃で４〜６時間の加熱を行うことにより、封止材樹脂を硬化する工程、
（６）０〜４０℃で半導体用接着フィルムをリードフレーム及び封止材から引き剥がす工程である。
リードフレームが各々ダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンからなるものである場合には、必要に応じ、各々１つの半導体素子を有する複数の半導体装置に分割される。
【００５４】
本発明の半導体用接着フィルムの一つの実施の形態を図１に、本発明の半導体用接着フィルム付きリードフレームの一つの実施の形態を図２に示す。図１に示すように上記半導体用接着フィルム３は、支持フィルム２上の樹脂層Ａ １が形成されたフィルムである。図２に示すように、該半導体用接着フィルム３をリードフレーム４の片面に接して接着することにより半導体用接着フィルム付きリードフレームを製造することができる。
【００５５】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着条件は、接着温度が１５０〜４００℃の間であることが好ましく、１８０〜３５０℃がより好ましく、２００〜３００℃がさらに好ましい。温度が１５０℃より低い場合、リードフレームと樹脂層Ａの接着強度が低下する傾向がある。また４００℃を超えると、リードフレームが劣化する傾向がある。
【００５６】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着圧力は０．５〜３０ＭＰａの間が好ましく、１〜２０ＭＰａがより好ましく、３〜１５ＭＰａがさらに好ましい。接着圧力が０．５ＭＰａより小さい場合、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度が低下する傾向がある。また３０ＭＰａを超えると、リードフレームが破損しやすい傾向がある。
【００５７】
本発明において、リードフレームへの半導体用接着フィルムの接着時間は０．１〜６０秒の間が好ましく、１〜３０秒がより好ましく、３〜２０秒がさらに好ましい。接着時間が０．１秒未満の場合、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度が低下しやすい傾向がある。また６０秒を超えると、作業性と生産性が低下しやすい傾向がある。また、圧力を加える前に５〜６０秒程度の予備加熱を行うことが好ましい。
【００５８】
本発明において、リードフレームの材質に特に制限はないが、例えば、４２アロイ等の鉄系合金又は銅や銅系合金等を用いることができる。また、銅や銅系合金のリードフレームの表面には、パラジウム、金、銀等を被覆することもできる。
【００５９】
本発明においては、半導体用接着フィルムをリードフレームの裏面に接着した後、封止工程を行う前に、加熱を行うことにより、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させることもできる。この加熱温度は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を向上させるためには、１００℃以上で加熱することが好ましい。また、リードフレームや半導体用接着フィルムの耐熱性の点から、３００℃以下であることが好ましい。好ましくは、上記加熱温度は１３０℃以上２７０℃以下であることがより好ましい。また、加熱時間は特に限定されないが、樹脂層Ａとリードフレームとの接着強度を十分に向上させるために１０秒以上が好ましい。より好ましい加熱時間は１分以上２時間以内である。
【００６０】
樹脂層Ａとリードフレームとの９０度ピール強度を向上させるための上記加熱工程は、生産性の点から、封止工程に移る前の諸工程（例えば、銀ペースト等の接着剤の硬化工程、ワイヤボンド工程等）における加熱によって行うことが好ましい。例えば、半導体素子のリードフレームダイパットへの接着工程では通常、接着に用いる接着剤を硬化させるために１４０〜２００℃で３０分〜２時間の加熱が行われる。従って、上記加熱工程をこれらの諸工程における加熱により行うことができる。
【００６１】
本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置の構造は特に限定されないが、例えば半導体装置の片面（半導体素子側）のみを封止し、裏面のむき出しのリードフレームを外部接続用に用いる構造の半導体装置（Ｎｏｎ Ｌｅａｄ Ｔｙｐｅ Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。上記半導体装置の具体例としては、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）等が挙げられる。
【００６２】
本発明においては、本発明の半導体用接着フィルムと、半導体用接着フィルムの樹脂層Ａにダイパットの反対面で接着されるリードフレームと、ダイパッドに接着された半導体素子と、半導体素子とリードフレームのインナーリードとを接続するワイヤと、リードフレームの露出面及び半導体素子及びワイヤを封止する封止材とを備える構造を有する半導体用接着フィルム付き半導体装置を得ることも好ましい。さらに該半導体用接着フィルムが接着されたリードフレーム、また該半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置も本発明の範囲内である。
本発明の半導体用接着フィルムを用いて製造される半導体装置は、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば携帯電話等の情報機器に組み込まれる。
【実施例】
【００６３】
次に実施例により、図１〜図６を参照しながら、本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
製造例１（実施例１、８、９、１０に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス１の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン９０．１ｇ（０．２０８モル）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」と略す）６０３．１ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８０．０ｇ（０．４１７モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート（以下、「ＭＤＩ」と略す）５２．１ｇ（０．２０８モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２８．８質量％であった。固形分の測定は次の方法により行った。即ち、樹脂溶液１ｇを金属皿に量りとり、１５０℃で１時間、次いで２５０℃で２時間加熱して溶剤を除去した後の固形分の質量を測定し、次式により算出した。
〔数１〕
固形分（質量％）＝（溶剤除去後の固形分の質量÷樹脂溶液の質量）×１００
以下、固形分の測定は上記の方法により行った。
この樹脂溶液１００ｇに、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランのシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８６４ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス１を得た。
【００６４】
製造例２（実施例２に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス２の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン４５．１ｇ（０．１０４モル）、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン４２．７ｇ（０．１０４モル）を入れ、ＮＭＰ５９４．８ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８０．０ｇ（０．４１７モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５２．１ｇ（０．２０８モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．６質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８２８ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス２を得た。
【００６５】
製造例３（実施例３、７に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス３の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン８８．３ｇ（０．２０４モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１２．７ｇ（０．０５１モル）を入れ、ＮＭＰ７１０．６ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸９８．０ｇ（０．５１０モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ６３．９ｇ（０．２５５モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液
を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．２質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８１６ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス３を得た。
【００６６】
製造例４（実施例４に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス４の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン６９．４ｇ（０．１６０モル）、１，４−ビス（３−アミノプロポキシ）ブタン１４．０ｇ（０．０６９モル）を入れ、ＮＭＰ６１８．５ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８８．０ｇ（０．４５８モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５７．４ｇ（０．２２９モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．６質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８２８ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス４を得た。
【００６７】
製造例５（実施例５に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス５の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン６９．４ｇ（０．１６０モル）、１，１２−ジアミノドデカン１３．８ｇ（０．０６９モル）を入れ、ＮＭＰ６１７．８ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８８．０ｇ（０．４５８モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５７．４ｇ（０．２２９モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２８．３質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８４９ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス５を得た。
【００６８】
製造例６（実施例６に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス６の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン７１．０ｇ（０．１６４モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン１７．４ｇ（０．０７０モル）を入れ、ＮＭＰ６３２．５ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸９０．０ｇ（０．４６９モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５８．７ｇ（０．２３５モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２６．３質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．７８９ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス６を得た。
【００６９】
製造例７（実施例３〜６、８、比較例１〜３に樹脂（ｂ）として使用した樹脂（ｂ）の樹脂ワニス７の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１７２．４ｇ（０．４２モル）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）１５３．７ｇ（０．４２モル）を入れ、ＮＭＰ１５５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１７４．７ｇ（０．８３モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１３０ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリエーテルアミドイミド粉末を得た。得られたポリアミドイミド粉末１２０ｇ及びシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）６ｇをＮＭＰ３６０ｇに溶解し、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス７を得た。
【００７０】
製造例８（実施例９に樹脂（ｂ）として使用した樹脂（ｂ）の樹脂ワニス８の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた５リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２７０．９ｇ（０．６６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−テトラメチルジシロキサン８．７ｇ（０．０３５モル）を入れ、ＮＭＰ１９５０ｇに溶解した。さらにこの溶液を０℃に冷却し、この温度で無水トリメリット酸クロライド１４９．５ｇ（０．７１モル）を添加した。無水トリメリット酸クロライドが溶解した後、トリエチルアミン１００ｇを添加した。室温（２５℃）で２時間撹拌を続けた後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させた。得られた反応液を水中に投入して重合体を単離させた。これを乾燥した後、ＮＭＰに溶解し水中に投入して再度重合体を単離した。その後、減圧乾燥して精製されたポリアミドイミド粉末を得た。得られたポリエーテルアミドイミド粉６０ｇ及びビス（４−マレイミドフェニル）メタン４０ｇをＮＭＰ３００ｇに溶解し、樹脂（ｂ）の樹脂ワニス８を得た。
【００７１】
製造例９（比較例１に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス９の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン８５．４ｇ（０．２０８モル）を入れ、ＮＭＰ５８６．５ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８０．０ｇ（０．４１７モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５２．１ｇ（０．２０８モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．２質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８１６ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス９を得た。
【００７２】
製造例１０（比較例２に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス１０の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン２０．３ｇ（０．０４７モル）、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン７６．９ｇ（０．１８８モル）を入れ、ＮＭＰ６６４．６ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸９０．０ｇ（０．４６９モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５８．７ｇ（０．２３４モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２７．９質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８３７ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス１０を得た。
【００７３】
製造例１１（比較例３に樹脂（ａ）として使用した樹脂（ａ）の樹脂ワニス１１の製造）
温度計、撹拌機、窒素導入管及び分留塔を取り付けた１リットルの４つ口フラスコに窒素雰囲気下、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン６７．０ｇ（０．１５５モル）、シリコーンジアミン（信越化学工業株式会社製、商品名：Ｘ−２２−１６１Ｂ）５７．８ｇ（０．０６６モル）を入れ、ＮＭＰ７１７．０ｇに溶解し、５０℃に昇温した。さらにこの溶液に無水トリメリット酸８５．０ｇ（０．４４３モル）を添加して３０分間攪拌した後、１８０℃に昇温して５時間反応させてイミド化を完結させて、イミドジカルボン酸の溶液を得た。この溶液を５０℃まで冷却した後、ＭＤＩ５５．４ｇ（０．２２１モル）を添加し、１６０℃に昇温して３時間反応させ、本発明に用いる樹脂（ａ）の樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分を測定したところ、２８．１質量％であった。この樹脂溶液１００ｇにシランカップリング剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製、商品名：ＳＨ６０４０）０．８４３ｇを添加し、攪拌して樹脂（ａ）の樹脂ワニス１１を得た。
【００７４】
（実施例１）
表面に化学処理を施した厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ（登録商標）、線熱膨張係数：１．２×１０−５/℃、加熱収縮率：０．０７％）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した樹脂ワニス１を１００μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、図１に示すような、支持フィルム２の片面に厚さ２０μｍの樹脂層Ａ １が形成された半導体用接着フィルム３を得た。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２０℃、５質量％減少温度が４３０℃であった。
樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．４０であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）を測定したところ、封止前の９０度ピール強度は１２Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、２．２ｍｍであった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行った。得られた半導体装置は、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものである。半導体素子の接着には銀ペーストを用い、１５０℃で６０分加熱して銀ペーストを硬化させた。ワイヤボンドは、ワイヤとして金線を用い、２６０℃で５分加熱して行った。封止工程には封止材として、エポキシ樹脂であるＣＥＬ−９６００（日立化成工業株式会社製）を用い、温度１８０℃、圧力７ＭＰａ、時間３分で行い、その後、１８０℃で５時間の加熱を行い、封止材を硬化させた。いずれの工程でも問題は生じなかった。
図４は、ダイパット６を有するリードフレーム４裏側に半導体用接着フィルム３が接着され、ダイパット６上の半導体素子７はワイヤ８でリードフレーム４に接続され、封止材９で封止された、実施例１で得られた半導体装置の一つの実施の形態を示す（銀ペーストは図示せず）。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、封止後の９０度ピール強度は８０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。得られた半導体装置は、図５に示すような半導体用接着フィルムを剥離することにより得られた半導体装置が複数繋がった構造のものである。
【００７５】
さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７６】
（実施例２）
樹脂ワニスとして製造例２で作製した樹脂ワニス２を用いた以外は、実施例１と同様にして、支持フィルムの片面に厚さ２０μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを作製した。樹脂層Ａは、ガラス転移温度が２２８℃、５質量％減少温度が４２５℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．４０であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ１５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、２．０ｍｍであった。さらに、この半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がし封止後の９０度ピール強度を測定したところ１００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７７】
（実施例３）
表面に化学処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ（登録商標））を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例３で製造した樹脂ワニス３を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２１６℃、５質量％減少温度は４２３℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、支持フィルムの樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例７で作製した樹脂ワニス７を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、厚さ９μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ６５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がして封止後の９０度ピール強度を測定したところ１６０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示すような各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７８】
（実施例４）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例４で製造した樹脂ワニス４を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２０１℃、５質量％減少温度は４２０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２３０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒で銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ２４０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示す半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。
なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は５００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００７９】
（実施例５）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例５で製造した樹脂ワニス５を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２０４℃、５質量％減少温度は４１５℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ６０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかいと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行って、図４に示す半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。
なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は２００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示すような各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８０】
（実施例６）
支持フィルムとして、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名：カプトンＥＮ（登録商標）、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．５×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率：０．０２％）を用い、樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例６で製造した樹脂ワニス６を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２４℃、５質量％減少温度は４２５℃であった。
樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ、１５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は１８０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８１】
（実施例７）
厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（カネカ株式会社製、商品名：アピカルＮＰＩ（登録商標）、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．６×１０−５／℃、２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率：０．０７％）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例３で製造した樹脂ワニス３を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２１６℃、５質量％減少温度は４２３℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．１８であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ、６０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、１．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は１６０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８２】
（実施例８）
支持フィルムとして、厚さ１８μｍの銅箔（日本電解株式会社製、商品名：ＨＬＢ、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．７×１０−５/℃）を用いた。この銅箔の片面に、製造例１で製造した樹脂ワニス１を３０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、２００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ５μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２０℃、５質量％減少温度は４３０℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．２８であった。次に、支持フィルムの樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例７で作製した樹脂ワニス７を３０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ５μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。これにより図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ、１５Ｎ／ｍであり、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍ未満であった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は８０Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層がリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８３】
（実施例９）
表面に化学処理を施した厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製 ユーピレックスＳＧＡ（登録商標）、２０〜２００℃における線熱膨張係数：１．２×１０−５/℃、加熱収縮率：０．０７％）を支持フィルムとして用いた。このポリイミドフィルムの片面に、製造例１で製造した樹脂ワニス１を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ａが形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２０℃、５質量％減少温度は４３０℃であった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。次に、支持フィルムの樹脂層Ａを形成したフィルムの反対面に、製造例８で作製した樹脂ワニス８を５０μｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分、３００℃で１０分乾燥して、支持フィルムの片面に厚さ９μｍの樹脂層Ｂを形成した。この樹脂層Ｂの２３０℃における貯蔵弾性率は８００ＭＰａであった。これにより図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ１５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は８５Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８４】
（実施例１０）
実施例１で作製した半導体用接着フィルムを温度３５０℃、圧力３ＭＰａ、時間３秒で４２アロイリードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはやや大きかったが、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ１５０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、３．５ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、封止後の９０度ピール強度は３００Ｎ／ｍであった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がしたところ（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、樹脂層Ａがリードフレーム及び封止材に付着残留することなく簡単に引き剥がせた。さらに、この半導体装置を分割して、図５に示した各々１つの半導体素子を有する半導体装置を作製したが、工程中、問題はなかった。
【００８５】
（比較例１）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例９で製造した樹脂ワニス９を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２３４℃、５質量％減少温度は４３２℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ２０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．１ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がした場合も（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
【００８６】
（比較例２）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例１０で製造した樹脂ワニス１０を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは９μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は２２８℃、５質量％減少温度は４３０℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを作製し、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前９０度ピール強度を測定したところ、２５Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれる不具合は生じないと思われる。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じないと思われる。
次に図３のように、半導体用接着フィルムを接着後のリードフレームの長手方向の反り（Ｘ）を測定したところ、０．２ｍｍであった。さらに、この接着フィルムを接着したリードフレームを用いて、実施例１と同様にして、半導体素子の接着、ワイヤボンド工程及び封止工程を行い、図４に示すような半導体装置が複数繋がった構造のものを作製したが、いずれの工程においても問題は生じなかった。なお、封止後ピール強度サンプルを作製し、室温（２５℃）でリードフレームと封止材から半導体用接着フィルムを引き剥がしたところ、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
封止後の、半導体用フィルムが接着した半導体装置から半導体用フィルムを引き剥がした場合も（引き剥がし速度：毎分３００ｍｍ）、リードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して、引き剥がすことができなかった。
【００８７】
（比較例３）
樹脂層Ａの形成に用いる樹脂ワニスとして、製造例１１で製造した樹脂ワニス１１を用いた以外は実施例３と同様の操作で、図６に示すような、支持フィルム２に樹脂層Ａ １と樹脂層Ｂ １０が片面ずつ形成された半導体用接着フィルムを得た。樹脂層Ａの厚さは９μｍ、樹脂層Ｂの厚さは８μｍであった。樹脂層Ａのガラス転移温度は１８５℃、５質量％減少温度は４１１℃であった。樹脂層Ｂのガラス転移温度は２５３℃、５質量％減少温度は４１６℃、２３０℃における貯蔵弾性率は１５００ＭＰａであった。樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と、支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）は０．３６であった。
次に、得られた半導体用接着フィルムを温度２５０℃、圧力６ＭＰａ、時間１０秒でパラジウムを被覆した銅リードフレーム（５０ｍｍ×２００ｍｍ）に接着した。半導体用接着フィルムのカールはほとんどなく、接着時の作業性は良好であった。なお、封止前ピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ａとリードフレームとの封止前の９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができないと予想された。また、得られた半導体用接着フィルムの樹脂層Ｂ側面を２５０℃、圧力８ＭＰａ、時間１０秒で真鍮製の金属板に接着して樹脂層Ｂのピール強度サンプルを得、２５℃における樹脂層Ｂと真鍮製の金属板との樹脂層Ｂの９０度ピール強度を測定したところ０Ｎ／ｍで、工程中金型やジグに張り付く不具合は生じなかった。
【００８８】
実施例１〜実施例１０の結果より、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、リードフレーム及び封止材より室温（２５℃）において容易に剥離可能な半導体用接着フィルムを製造することができ、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することができることが示された。本発明の半導体用接着フィルムは、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、室温（２５℃）においてリードフレーム及び封止材から容易に引き剥がせるため、半導体装置を高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。
これに対して、半導体用接着フィルムを接着したリードフレームを封止材で封止した後の樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における封止後の９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍを超える比較例１及び比較例２の半導体用接着フィルムは、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との接着強度が強すぎるために、フィルムが破断して引き剥がすことができなかった。半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の樹脂層Ａとリードフレームとの２５℃における封止前の９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ未満である比較例３の半導体用接着フィルムは、搬送時に剥がれてしまい、後の工程を行うことができなかった。
【００８９】
本発明の半導体用接着フィルムは、２５℃でリードフレームとの密着性が高く、なおかつ樹脂封止後、室温においてリードフレーム及び封止材から容易に引き剥がせるため、半導体パッケージを高い作業性と生産性で製造することを可能とするものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【図２】本発明の一態様の半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した半導体用接着フィルム付きリードフレームの断面図である。
【図３】半導体用接着フィルムを接着したリードフレームの反りの測定方法を示す側面図である。
【図４】本発明の一態様の半導体用接着フィルムを備えた半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明半導体用接着フィルムを用いて作製された半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の一態様の半導体用接着フィルムの断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１ 樹脂層Ａ
２ 支持フィルム
３ 半導体用接着フィルム
４ リードフレーム
５ インナーリード
６ ダイパッド
７ 半導体素子
８ ワイヤ
９ 封止材
１０ 樹脂層Ｂ
１１ 台
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後に引き剥がす半導体装置の製造方法に使用される、支持フィルムと樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、
前記樹脂層Ａは、一般式（Ｉ）
【化１】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなり、且つ前記支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、
前記半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の前記樹脂層Ａと前記リードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ前記半導体用接着フィルムを接着した前記リードフレームを前記封止材で封止した後の、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルム。
【請求項２】
前記イミドジカルボン酸が一般式（ＩＩ）
【化２】
（Ｘ３及びＸ４はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子と芳香環を１〜３個有する二価の有機基である。）で表される化合物である請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
前記ジイソシアナートが分子内に芳香環を有する化合物である請求項１又は２に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
前記樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）が、０．５以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
前記樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項６】
前記支持フィルムの材質が、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項７】
前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である請求項６に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項８】
前記支持フィルムの材質が、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ばれるものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項９】
前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１０】
前記支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下である請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１１】
前記支持フィルムの２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１２】
前記支持フィルムの片面に前記樹脂層Ａが形成されており、その反対面に樹脂層Ｂが形成され、該樹脂層Ｂは２３０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であり、且つ接着性を有しない樹脂層である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムが接着された半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが、リードフレームのダイパットの反対面に前記樹脂層Ａ面で接着された半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを有する半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体装置は、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成される樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムと、ダイパット及びインナーリードを有し且つ前記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが前記ダイパットの反対面で接着されるリードフレームと、前記ダイパッドに接着された半導体素子と、前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、前記リードフレームの露出面及び半導体素子及びワイヤを封止する封止材とを備えている請求項１５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【請求項１８】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを用いて作製した半導体装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームを用いて作製した半導体装置。
【請求項１】
リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、その後リードフレームのダイパッド面に半導体素子を接着し、封止材で封止した後に引き剥がす半導体装置の製造方法に使用される、支持フィルムと樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムであって、
前記樹脂層Ａは、一般式（Ｉ）
【化１】
（Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子及び０〜５の窒素原子を含むＣ３〜Ｃ２０の二価の有機基である。）で表されるイミドジカルボン酸とジイソシアナートとを共重合させた樹脂（ａ）からなり、且つ前記支持フィルムの少なくとも片面に形成されており、
前記半導体用接着フィルムをリードフレームに接着した後の前記樹脂層Ａと前記リードフレームとの２５℃における９０度ピール強度が５Ｎ／ｍ以上であり、且つ前記半導体用接着フィルムを接着した前記リードフレームを前記封止材で封止した後の、樹脂層Ａとリードフレーム及び封止材との２５℃における９０度ピール強度が１０００Ｎ／ｍ以下である半導体用接着フィルム。
【請求項２】
前記イミドジカルボン酸が一般式（ＩＩ）
【化２】
（Ｘ３及びＸ４はそれぞれ独立に０〜５の酸素原子と芳香環を１〜３個有する二価の有機基である。）で表される化合物である請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
前記ジイソシアナートが分子内に芳香環を有する化合物である請求項１又は２に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
前記樹脂層Ａの厚さ（Ａ）と支持フィルムの厚さ（Ｃ）の比（Ａ／Ｃ）が、０．５以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
前記樹脂層Ａの厚さが１〜２０μｍである請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項６】
前記支持フィルムの材質が、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン及びポリエチレンナフタレートよりなる群から選ばれるものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項７】
前記支持フィルムのガラス転移温度が、２００℃以上である請求項６に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項８】
前記支持フィルムの材質が、銅、アルミニウム、ステンレススティール及びニッケルよりなる群から選ばれるものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項９】
前記支持フィルムの厚さが、５〜１００μｍである請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１０】
前記支持フィルムの２０〜２００℃における線熱膨張係数が３．０×１０−５／℃以下である請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１１】
前記支持フィルムの２００℃で２時間加熱した際の加熱収縮率が０．１５％以下である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１２】
前記支持フィルムの片面に前記樹脂層Ａが形成されており、その反対面に樹脂層Ｂが形成され、該樹脂層Ｂは２３０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であり、且つ接着性を有しない樹脂層である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムが接着された半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが、リードフレームのダイパットの反対面に前記樹脂層Ａ面で接着された半導体用接着フィルム付きリードフレーム。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを有する半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体装置は、支持フィルムと該支持フィルムの片面に形成される樹脂層Ａを有する半導体用接着フィルムと、ダイパット及びインナーリードを有し且つ前記半導体用接着フィルムの樹脂層Ａが前記ダイパットの反対面で接着されるリードフレームと、前記ダイパッドに接着された半導体素子と、前記半導体素子と前記インナーリードとを接続するワイヤと、前記リードフレームの露出面及び半導体素子及びワイヤを封止する封止材とを備えている請求項１５記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６記載の半導体用接着フィルム付き半導体装置から半導体用接着フィルムを剥離して得られる半導体装置。
【請求項１８】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体用接着フィルムを用いて作製した半導体装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の半導体用接着フィルム付きリードフレームを用いて作製した半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−２７７８０２（Ｐ２００８−２７７８０２Ａ）
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９７２３９（Ｐ２００８−９７２３９）
【出願日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月１３日（２００８．１１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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