半導体装置
【課題】入力信号のHレベルとLレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低
コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供すること
を目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信
号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型
のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のHレベルとL
レベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単
一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することが
できる。
コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供すること
を目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信
号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型
のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のHレベルとL
レベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単
一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することが
できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1及び第2の容量素子と、第1及び第2のスイッチと、第1乃至第4のトランジスタと、を有し、
前記第1の容量素子は、第1の電極が第1の配線と電気的に接続され、
前記第2の容量素子は、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチは、第1の端子が第3の配線と電気的に接続され、且つ第2の端子が前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、第1の端子が前記第3の配線と電気的に接続され、且つ第2の端子が前記第1の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が第4の配線と電気的に接続され、且つソース又はドレインの他方が第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第3の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第5の配線と電気的に接続され、且つゲートが前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第4の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第3の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項1】
第1及び第2の容量素子と、第1及び第2のスイッチと、第1乃至第4のトランジスタと、を有し、
前記第1の容量素子は、第1の電極が第1の配線と電気的に接続され、
前記第2の容量素子は、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチは、第1の端子が第3の配線と電気的に接続され、且つ第2の端子が前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、第1の端子が前記第3の配線と電気的に接続され、且つ第2の端子が前記第1の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が第4の配線と電気的に接続され、且つソース又はドレインの他方が第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第3の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第5の配線と電気的に接続され、且つゲートが前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第4の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第3の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
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【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
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【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
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【図37】
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【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
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【図45】
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【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【公開番号】特開2013−17201(P2013−17201A)
【公開日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−181665(P2012−181665)
【出願日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【分割の表示】特願2007−143414(P2007−143414)の分割
【原出願日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【分割の表示】特願2007−143414(P2007−143414)の分割
【原出願日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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