説明

半導体装置

【課題】入力信号のHレベルとLレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低
コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供すること
を目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信
号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型
のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のHレベルとL
レベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単
一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することが
できる。


Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1及び第2の容量素子と、第1及び第2のスイッチと、第1乃至第4のトランジスタと、を有し、
前記第1の容量素子は、第1の電極が第1の配線と電気的に接続され、
前記第2の容量素子は、第1の電極が第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のスイッチは、第1の端子が第3の配線と電気的に接続され、且つ第2の端子が前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第2のスイッチは、第1の端子が前記第3の配線と電気的に接続され、且つ第2の端子が前記第1の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が第4の配線と電気的に接続され、且つソース又はドレインの他方が第5の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第3の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第5の配線と電気的に接続され、且つゲートが前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第4の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第3の配線と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、且つゲートが前記第2の容量素子の第2の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate

【図13】
image rotate

【図14】
image rotate

【図15】
image rotate

【図16】
image rotate

【図17】
image rotate

【図18】
image rotate

【図19】
image rotate

【図20】
image rotate

【図21】
image rotate

【図22】
image rotate

【図23】
image rotate

【図24】
image rotate

【図25】
image rotate

【図26】
image rotate

【図27】
image rotate

【図28】
image rotate

【図29】
image rotate

【図30】
image rotate

【図31】
image rotate

【図32】
image rotate

【図33】
image rotate

【図34】
image rotate

【図35】
image rotate

【図36】
image rotate

【図37】
image rotate

【図38】
image rotate

【図39】
image rotate

【図40】
image rotate

【図41】
image rotate

【図42】
image rotate

【図43】
image rotate

【図44】
image rotate

【図45】
image rotate

【図46】
image rotate

【図47】
image rotate

【図48】
image rotate

【図49】
image rotate

【図50】
image rotate

【図51】
image rotate

【図52】
image rotate

【図53】
image rotate

【図54】
image rotate

【図55】
image rotate

【図56】
image rotate

【図57】
image rotate

【図58】
image rotate

【図59】
image rotate

【図60】
image rotate

【図61】
image rotate

【図62】
image rotate

【図63】
image rotate

【図64】
image rotate

【図65】
image rotate


【公開番号】特開2013−17201(P2013−17201A)
【公開日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−181665(P2012−181665)
【出願日】平成24年8月20日(2012.8.20)
【分割の表示】特願2007−143414(P2007−143414)の分割
【原出願日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】