回路基板、これを搭載した液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
【課題】アナログ信号に対するノイズの影響を排除できると共に、プリント配線の自由度を高めることができる回路基板、これを搭載した液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】デジタル信号用入力端子６２ｂとデジタル信号用出力端子６３ｂとの間でプリント配線されたデジタル信号伝送用の基板内配線６４と、アナログ信号用入力端子６２ａとアナログ信号用出力端子６３ａとの間でケーブル配線されたアナログ信号伝送用の基板外配線６５と、を備えた。
【解決手段】デジタル信号用入力端子６２ｂとデジタル信号用出力端子６３ｂとの間でプリント配線されたデジタル信号伝送用の基板内配線６４と、アナログ信号用入力端子６２ａとアナログ信号用出力端子６３ａとの間でケーブル配線されたアナログ信号伝送用の基板外配線６５と、を備えた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アナログ信号およびデジタル信号を扱う回路基板、これを搭載した液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回路基板として、主にプリント基板が用いられており、プリント基板の基板層内および／または基板上には、アナログ信号およびデジタル信号を伝送する配線がプリントされている。この場合、アナログ信号をノイズの影響から保護するため、基板内において、アナログ信号が伝送される配線とデジタル信号が伝送される配線とを、混在させないように配置している（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３５３８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、アナログ信号へのノイズの影響等を考慮して配線設計を行うと、その配線は複雑なものとなる。また、基板内に複数の配線が施されていると、場合によっては、この配線に伝送されるアナログ信号は少なからずクロストークや放射ノイズ等の影響を受けてしまう。これにより、例えば、インクジェットプリンタのインクジェットを駆動する駆動波形のアナログ信号がノイズの影響を受けてしまうと、ノズルから吐出されるインク滴の量が変わってしまい、印刷する印刷対象物に支障をきたす虞があった。
【０００４】
本発明は、アナログ信号に対するノイズの影響を排除できると共に、プリント配線の自由度を高めることができる回路基板、これを搭載した液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の回路基板は、デジタル信号用入力端子とデジタル信号用出力端子との間でプリント配線されたデジタル信号伝送用の基板内配線と、アナログ信号用入力端子とアナログ信号用出力端子との間でケーブル配線されたアナログ信号伝送用の基板外配線と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、アナログ信号は、ケーブル配線された基板外配線を介して伝送されるため、回路基板内外のノイズの影響を受けることなく、信号伝送することができる。また、アナログ信号を基板外にケーブル配線することで、デジタル信号用のプリント配線は、ノイズの影響を考慮する必要がないため、容易に配線設計を行うことができる。
【０００７】
この場合、基板外配線は、シールドケーブルで構成されていることが、好ましい。
【０００８】
この構成によれば、基板外配線は、より外部からのノイズの影響を受けにくい構成とすることができる。
【０００９】
この場合、入力したデジタル信号をアナログ信号に変換して出力するＤ／Ａ変換回路を、さらに備えており、アナログ信号用入力端子が、Ｄ／Ａ変換回路の出力端子であり、デジタル信号用出力端子が、Ｄ／Ａ変換回路の入力端子であることが、好ましい。
【００１０】
同様に、入力したアナログ信号をデジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換回路を、さらに備えており、アナログ信号用出力端子が、Ａ／Ｄ変換回路の入力端子であり、デジタル信号用入力端子が、Ａ／Ｄ変換回路の出力端子であることが、好ましい。
【００１１】
この構成によれば、Ｄ／Ａ変換回路或いはＡ／Ｄ変換回路を備える場合において、その前後を適宜、基板内配線或いは基板外配線とするようにしているため、アナログ信号を、ノイズの影響を受けることなく伝送することができると共に、デジタル信号用のプリント配線を、容易に配線設計を行うことができる。
【００１２】
本発明の液滴吐出装置は、ワークに対し機能液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、液滴吐出ヘッドを駆動するためのヘッド駆動回路基板と、液滴吐出ヘッドとヘッド駆動回路基板とのインターフェースとなる上記の回路基板と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、アナログ信号に対するノイズの影響を排除することができるため、ワークに良好な描画が可能な液滴吐出装置を提供することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記の液滴吐出装置を用い、ワークに機能液滴による成膜部を形成することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、上記の液滴吐出装置を用い、ワークに機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする。
【００１６】
これらの構成によれば、安定した描画が可能な液滴吐出装置を用いるため、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。なお、電気光学装置（フラットパネルディスプレイ）としては、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、ＰＤＰ装置、電子放出装置等が考えられる。なお、電子放出装置は、いわゆるＦＥＤ（Field Emission Display）やＳＥＤ（Surface-conduction Electron-Emitter Display）装置を含む概念である。さらに、電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等を包含する装置が考えられる。
【００１７】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または上記の電気光学装置を搭載したことを特徴とする。
【００１８】
この場合、電子機器としては、いわゆるフラットパネルディスプレイを搭載した携帯電話、パーソナルコンピュータの他、各種の電気製品がこれに該当する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係る回路基板、およびこれを搭載した液滴吐出装置について説明する。液滴吐出装置は、フラットパネルディスプレイの製造ラインに組み込まれるものであり、インクジェットヘッドである機能液滴吐出ヘッドを用いた印刷技術（インクジェット法）により、液晶表示装置のカラーフィルタや有機ＥＬ装置の各画素となる発光素子等を形成するものである。
【００２０】
図１に示すように、液滴吐出装置１は、機台２と、機台２上の全域に広く載置され、機能液滴吐出ヘッド１７を搭載した描画装置３と、機台２上で描画装置３に添設されたメンテナンス装置４とを備え、メンテナンス装置４により機能液滴吐出ヘッド１７のメンテナンス処理（機能維持・回復）を行うと共に、描画装置３により基板Ｗ（ワーク）上に機能液を吐出させる描画動作を行うようにしている。また、図示しないが、液滴吐出装置１には、各構成部品へ駆動・制御用の圧縮エアーを供給するエアー供給装置や、パソコン等で構成され、液滴吐出装置１の各部を制御する制御装置等が組み込まれている。
【００２１】
描画装置３は、Ｘ軸テーブル１２およびＸ軸テーブル１２に直交するＹ軸テーブル１３（ヘッド移動手段）から成るＸＹ移動機構１１と、Ｙ軸テーブル１３に移動自在に取り付けられたキャリッジ１４と、キャリッジ１４に垂設したヘッドユニット１５とを有している。そして、ヘッドユニット１５には、機能液滴吐出ヘッド１７が搭載されている。一方、基板Ｗは、Ｘ軸テーブル１２の端部に臨む一対の基板認識カメラ（図示省略）により、Ｘ軸テーブル１２に位置決めされた状態で搭載されている。なお、本実施形態では、単一の機能液滴吐出ヘッド１７を搭載しているが、その個数は任意である。
【００２２】
Ｘ軸テーブル１２は、Ｘ軸方向の駆動系を構成するモータ駆動のＸ軸スライダ２１を有し、これに吸着テーブル２３および基板θテーブル２４等から成るセットテーブル２２を移動自在に搭載して、構成されている。同様に、Ｙ軸テーブル１３は、Ｙ軸方向の駆動系を構成するモータ駆動のＹ軸スライダ２６を有し、これに上記のキャリッジ１４を介してヘッドユニット１５を移動自在に搭載して、構成されている。Ｘ軸テーブル１２は、機台２上に直接支持される一方、Ｙ軸テーブル１３は、機台２上に立設した左右の支柱２７，２７に支持されており、Ｘ軸テーブル１２とメンテナンス装置４とを跨ぐように延在している。
【００２３】
そして、Ｙ軸テーブル１３は、これに搭載したヘッドユニット１５を、Ｘ軸テーブル１２の直上部に位置する描画エリア９１と、メンテナンス装置４の直上部に位置するメンテナンスエリア９２との相互間で、適宜移動させる。すなわち、Ｙ軸テーブル１３は、Ｘ軸テーブル１２に導入した基板Ｗに描画動作を行う場合には、ヘッドユニット１５を描画エリア９１に臨ませ、機能液滴吐出ヘッド１７のメンテナンス処理を行う場合には、ヘッドユニット１５をメンテナンスエリア９２に臨ませる。
【００２４】
図２に示すように、Ｙ軸スライダ２６には、ヘッドθテーブル３０を介してキャリッジ１４が垂設され、このキャリッジ１４の下部にヘッドユニット１５が支持されている。ヘッドθテーブル３０は、モータ駆動により、ヘッドユニット１５を水平面内において微小回転させる。そして、Ｙ軸スライダ２６の上面に、機能液滴吐出ヘッド１７を駆動するヘッド駆動ドライバ３１が配設され、またキャリッジ１４の外側面に、ヘッド駆動ドライバ３１と後述する機能液滴吐出ヘッド１７のヘッド基板４３とのインターフェースとなるインターフェース基板（回路基板）３２が配設されている。
【００２５】
ヘッドユニット１５は、機能液滴吐出ヘッド１７と、これを位置決めして装着するヘッドプレート１６とから構成されている。すなわち、機能液滴吐出ヘッド１７は、ヘッドプレート１６を介してキャリッジ１４に搭載されている。なお、本実施形態では、機能液滴吐出ヘッド１７は、ノズル面５３の短辺方向がＸ軸方向と平行となり、ノズル面５３の長辺方向（後述するノズル列５４の列方向）がＹ軸方向と平行になるように、ヘッドプレート１６に位置決めされている。
【００２６】
図３に示すように、機能液滴吐出ヘッド１７は、インクジェット方式で機能液を吐出するものであって、２連の接続針４２を有する機能液導入部４１と、機能液導入部４１に連なる２連のヘッド基板４３と、機能液導入部４１の下方（同図では上方）に連なり、内部に機能液で満たされるヘッド内流路が形成されたヘッド本体４４とを備えている。接続針４２は、図示しない給液チューブを介して給液タンクに接続されており、機能液滴吐出ヘッド１７のヘッド内流路に機能液を供給する。また、ヘッド基板４３には、フレキシブルフラットケーブル６０により、後述するインターフェース基板３２に接続される一対のコネクタ５６が設けられている。
【００２７】
ヘッド本体４４は、ピエゾ素子等で構成されたポンプ部５１と、２本のノズル列５４を相互に平行に形成したノズル面５３を有するノズルプレート５２とを備えている。各ノズル列５４は、複数のノズル５５が等ピッチで並べられて構成されている。そして、ヘッド基板４３の各コネクタ５６を介してポンプ部５１に、ヘッド駆動ドライバ３１からの駆動波形を印加することにより、各ノズル５５から機能液が吐出される。
【００２８】
ここで、図４を参照して、本発明のインターフェース基板３２について説明する。インターフェース基板３２は、ヘッド駆動ドライバ３１からフレキシブルフラットケーブル６０を介して接続される入力端子６２と、ヘッド基板４３のコネクタ５６へフレキシブルフラットケーブル６０を介して接続する出力端子６３と、入力端子６２と出力端子６３との間をプリント配線する基板内配線６４と、入力端子６２と出力端子６３との間をケーブル配線する基板外配線６５と、ヘッド駆動ドライバ３１から基板内配線６４に伝送されたデジタル差動信号群をＴＴＬ信号群に変換するＴＴＬ信号変換回路６６と、を備えている。
【００２９】
入力端子６２は、アナログ信号用入力端子６２ａとデジタル信号用入力端子６２ｂとに分けられ、また、出力端子６３は、アナログ信号用出力端子６３ａとデジタル信号用出力端子６３ｂとに分けられている。この入力端子６２には、ヘッド駆動ドライバ３１からデジタル信号およびアナログ信号が入力される。図５に示すように、ヘッド駆動ドライバ３１から入力されるアナログ信号は、機能液滴吐出ヘッド１７のノズル５５から吐出される機能液の量を信号化したヘッド駆動アナログ信号である。デジタル信号は、デジタル差動信号群であり、ノズル５５から選択的に吐出するためのデータ信号であるシリアルデータ差動信号と、ノズル５５からの吐出のタイミングを図るラッチ差動信号と、全体の動作速度となるクロック差動信号と、で構成されている。これらの信号群に基づいて、機能液滴吐出ヘッド１７からは、機能液の量、吐出タイミングや吐出パターンが決定され、各ノズル５５から機能液が吐出される。この後、入力端子６２から入力されたアナログ信号およびデジタル信号は、それぞれ基板内配線６４および基板外配線６５へ伝送される。
【００３０】
基板内配線６４は、基板層内および基板上に施されたプリント配線であり、デジタル信号用入力端子６２ｂからこの基板内配線６４に、デジタル差動信号群が伝送される。
【００３１】
ＴＴＬ信号変換回路６６は、基板上に実装され、デジタル信号用入力端子６２ｂから入力されたデジタル差動信号群をＴＴＬ信号群に変換する。すなわち、シリアルデータ差動信号をデジタルシリアル信号に、ラッチ差動信号をラッチ信号に、クロック差動信号をクロック信号に、それぞれ変換し、変換後のＴＴＬ信号群は、再び基板内配線６４を通ってデジタル信号用出力端子６３ｂに伝送される。
【００３２】
基板外配線６５は、アナログ信号用入力端子６２ａとアナログ信号用出力端子６３ａとの間のケーブル配線であり、この基板外配線６５にアナログ信号が伝送される。つまり、アナログ信号用入力端子６２ａに入力されたヘッド駆動信号は、そのままアナログ信号用出力端子６３ａに伝送される。図４は、基板外配線６５の断面図であり、基板外配線６５は、シールドツイストペアケーブル６７で構成されている。シールドツイストペアケーブル６７は、１本の信号線６８と１本の信号ＧＮＤ線６９を寄り合わせた２本のツイストペア線に対し、その外周を信号ＧＮＤ７０でシールドしたものである。このため、外部からのノイズを確実に遮断する構成とすることができる。
【００３３】
ヘッド駆動ドライバ３１から、フレキシブルフラットケーブル６０を介して入力端子６２にヘッド駆動アナログ信号およびデジタル差動信号群が入力されると、ヘッド駆動アナログ信号は、基板外配線６５に伝送され、そのまま出力端子６３へと出力される。一方、デジタル差動信号群は、基板内配線６４を通り、ＴＴＬ信号変換回路６６へと伝送される。ＴＴＬ信号変換回路６６へ伝送されたデジタル差動信号群は、ここでＴＴＬ信号群に変換され、変換後のＴＴＬ信号群を出力端子６３へと出力する。出力されたヘッド駆動アナログ信号とＴＴＬ信号群とは、ヘッド基板４６に伝送され、これに基づいて、機能液滴吐出ヘッド１７から機能液が吐出される。
【００３４】
以上の構成によれば、インターフェース基板３２の基板内配線６４にデジタル信号を、基板外配線６５にアナログ信号を伝送することができるため、ノイズの影響を受けやすいアナログ信号を、基板内のノイズから保護することができ、また、シールドツイストペアケーブル６７で構成することにより、基板外のノイズを遮断することができる。これにより、ヘッド駆動アナログ信号は、ノイズの影響を受けることがないため、機能液の吐出量に支障をきたすことがない。また、ノイズの影響を考慮して、基板内に配線を施す必要もないため、基板内の配線設計の負担を軽減することができる。なお、本実施形態では、インターフェース基板３２として用いたが、これに限定することなく、あらゆる電子機器に適宜応用が可能であることは言うまでもない。
【００３５】
次に、図６を参照して、第２実施形態のインターフェース基板３２について説明する。なお、重複した記載を避けるため、異なる部分についてのみ説明する。第２実施形態のインターフェース基板３２は、第１実施形態とほぼ同様に構成され、さらに、デジタル信号からアナログ信号へ変換するＤ／Ａ変換回路７１を基板上に実装している。すなわち、基板内配線６４は、入力端子６２と出力端子６３のデジタル信号用出力端子６３ｂとの間に配線され、また、入力端子６２とＤ／Ａ変換回路７１の入力端子（デジタル信号用）との間にも配線されている。基板外配線６５は、Ｄ／Ａ変換回路７１の出力端子（アナログ信号用）と出力端子６３のアナログ信号用出力端子６３ａとの間に配線されており、この基板外配線６５内にアナログ信号が伝送される。なお、この構成において、ヘッド駆動ドライバ３１からは、デジタル信号のみが伝送されることになり、このため、入力端子６２からは、デジタル信号のみが入力されると共に、Ｄ／Ａ変換回路７１において、アナログ信号へと変換され、出力端子６３に出力される。
【００３６】
この構成によれば、基板内においてＤ／Ａ変換回路７１によりデジタル信号からアナログ信号に変換されたとしても、変換されたアナログ信号は、基板外配線６５に伝送されるため、ノイズの影響を受けることはない。
【００３７】
次に、本実施形態の液滴吐出装置１を用いて製造される電気光学装置（フラットパネルディスプレイ）として、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ装置）、電子放出装置（ＦＥＤ装置、ＳＥＤ装置）、さらにこれら表示装置に形成されてなるアクティブマトリクス基板等を例に、これらの構造およびその製造方法について説明する。なお、アクティブマトリクス基板とは、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタに電気的に接続するソース線、データ線が形成された基板をいう。
【００３８】
まず、液晶表示装置や有機ＥＬ装置等に組み込まれるカラーフィルタの製造方法について説明する。図６は、カラーフィルタの製造工程を示すフローチャート、図７は、製造工程順に示した本実施形態のカラーフィルタ５００（フィルタ基体５００Ａ）の模式断面図である。
まず、ブラックマトリクス形成工程（Ｓ１０１）では、図７（ａ）に示すように、基板（Ｗ）５０１上にブラックマトリクス５０２を形成する。ブラックマトリクス５０２は、金属クロム、金属クロムと酸化クロムの積層体、または樹脂ブラック等により形成される。金属薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成するには、スパッタ法や蒸着法等を用いることができる。また、樹脂薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成する場合には、グラビア印刷法、フォトレジスト法、熱転写法等を用いることができる。
【００３９】
続いて、バンク形成工程（Ｓ１０２）において、ブラックマトリクス５０２上に重畳する状態でバンク５０３を形成する。即ち、まず図７（ｂ）に示すように、基板５０１およびブラックマトリクス５０２を覆うようにネガ型の透明な感光性樹脂からなるレジスト層５０４を形成する。そして、その上面をマトリクスパターン形状に形成されたマスクフィルム５０５で被覆した状態で露光処理を行う。
さらに、図７（ｃ）に示すように、レジスト層５０４の未露光部分をエッチング処理することによりレジスト層５０４をパターニングして、バンク５０３を形成する。なお、樹脂ブラックによりブラックマトリクスを形成する場合は、ブラックマトリクスとバンクとを兼用することが可能となる。
このバンク５０３とその下のブラックマトリクス５０２は、各画素領域５０７ａを区画する区画壁部５０７ｂとなり、後の着色層形成工程において機能液滴吐出ヘッド１７により着色層（成膜部）５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する際に機能液滴の着弾領域を規定する。
【００４０】
以上のブラックマトリクス形成工程およびバンク形成工程を経ることにより、上記フィルタ基体５００Ａが得られる。
なお、本実施形態においては、バンク５０３の材料として、塗膜表面が疎液（疎水）性となる樹脂材料を用いている。そして、基板（ガラス基板）５０１の表面が親液（親水）性であるので、後述する着色層形成工程においてバンク５０３（区画壁部５０７ｂ）に囲まれた各画素領域５０７ａ内への液滴の着弾位置のばらつきを自動補正できる。
【００４１】
次に、着色層形成工程（Ｓ１０３）では、図７（ｄ）に示すように、機能液滴吐出ヘッド１７によって機能液滴を吐出して区画壁部５０７ｂで囲まれた各画素領域５０７ａ内に着弾させる。この場合、機能液滴吐出ヘッド１７を用いて、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の機能液（フィルタ材料）を導入して、機能液滴の吐出を行う。なお、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。
【００４２】
その後、乾燥処理（加熱等の処理）を経て機能液を定着させ、３色の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する。着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成したならば、保護膜形成工程（Ｓ１０４）に移り、図７（ｅ）に示すように、基板５０１、区画壁部５０７ｂ、および着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂの上面を覆うように保護膜５０９を形成する。
即ち、基板５０１の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが形成されている面全体に保護膜用塗布液が吐出された後、乾燥処理を経て保護膜５０９が形成される。
そして、保護膜５０９を形成した後、カラーフィルタ５００は、次工程の透明電極となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの膜付け工程に移行する。
【００４３】
図８は、上記のカラーフィルタ５００を用いた液晶表示装置の一例としてのパッシブマトリックス型液晶装置（液晶装置）の概略構成を示す要部断面図である。この液晶装置５２０に、液晶駆動用ＩＣ、バックライト、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型液晶表示装置が得られる。なお、カラーフィルタ５００は図７に示したものと同一であるので、対応する部位には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００４４】
この液晶装置５２０は、カラーフィルタ５００、ガラス基板等からなる対向基板５２１、および、これらの間に挟持されたＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶組成物からなる液晶層５２２により概略構成されており、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置している。
なお、図示していないが、対向基板５２１およびカラーフィルタ５００の外面（液晶層５２２側とは反対側の面）には偏光板がそれぞれ配設され、また対向基板５２１側に位置する偏光板の外側には、バックライトが配設されている。
【００４５】
カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層側）には、図８において左右方向に長尺な短冊状の第１電極５２３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５２３のカラーフィルタ５００側とは反対側の面を覆うように第１配向膜５２４が形成されている。
一方、対向基板５２１におけるカラーフィルタ５００と対向する面には、カラーフィルタ５００の第１電極５２３と直交する方向に長尺な短冊状の第２電極５２６が所定の間隔で複数形成され、この第２電極５２６の液晶層５２２側の面を覆うように第２配向膜５２７が形成されている。これらの第１電極５２３および第２電極５２６は、ＩＴＯなどの透明導電材料により形成されている。
【００４６】
液晶層５２２内に設けられたスペーサ５２８は、液晶層５２２の厚さ（セルギャップ）を一定に保持するための部材である。また、シール材５２９は液晶層５２２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するための部材である。なお、第１電極５２３の一端部は引き回し配線５２３ａとしてシール材５２９の外側まで延在している。
そして、第１電極５２３と第２電極５２６とが交差する部分が画素であり、この画素となる部分に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。
【００４７】
通常の製造工程では、カラーフィルタ５００に、第１電極５２３のパターニングおよび第１配向膜５２４の塗布を行ってカラーフィルタ５００側の部分を作成すると共に、これとは別に対向基板５２１に、第２電極５２６のパターニングおよび第２配向膜５２７の塗布を行って対向基板５２１側の部分を作成する。その後、対向基板５２１側の部分にスペーサ５２８およびシール材５２９を作り込み、この状態でカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる。次いで、シール材５２９の注入口から液晶層５２２を構成する液晶を注入し、注入口を閉止する。その後、両偏光板およびバックライトを積層する。
【００４８】
実施形態の液滴吐出装置１は、例えば上記のセルギャップを構成するスペーサ材料（機能液）を塗布すると共に、対向基板５２１側の部分にカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる前に、シール材５２９で囲んだ領域に液晶（機能液）を均一に塗布することが可能である。また、上記のシール材５２９の印刷を、機能液滴吐出ヘッド１７で行うことも可能である。さらに、第１・第２両配向膜５２４，５２７の塗布を機能液滴吐出ヘッド１７で行うことも可能である。
【００４９】
図９は、本実施形態において製造したカラーフィルタ５００を用いた液晶装置の第２の例の概略構成を示す要部断面図である。
この液晶装置５３０が上記液晶装置５２０と大きく異なる点は、カラーフィルタ５００を図中下側（観測者側とは反対側）に配置した点である。
この液晶装置５３０は、カラーフィルタ５００とガラス基板等からなる対向基板５３１との間にＳＴＮ液晶からなる液晶層５３２が挟持されて概略構成されている。なお、図示していないが、対向基板５３１およびカラーフィルタ５００の外面には偏光板等がそれぞれ配設されている。
【００５０】
カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層５３２側）には、図中奥行き方向に長尺な短冊状の第１電極５３３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５３３の液晶層５３２側の面を覆うように第１配向膜５３４が形成されている。
対向基板５３１のカラーフィルタ５００と対向する面上には、カラーフィルタ５００側の第１電極５３３と直交する方向に延在する複数の短冊状の第２電極５３６が所定の間隔で形成され、この第２電極５３６の液晶層５３２側の面を覆うように第２配向膜５３７が形成されている。
【００５１】
液晶層５３２には、この液晶層５３２の厚さを一定に保持するためのスペーサ５３８と、液晶層５３２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するためのシール材５３９が設けられている。
そして、上記した液晶装置５２０と同様に、第１電極５３３と第２電極５３６との交差する部分が画素であり、この画素となる部位に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。
【００５２】
図１０は、本発明を適用したカラーフィルタ５００を用いて液晶装置を構成した第３の例を示したもので、透過型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）型液晶装置の概略構成を示す分解斜視図である。
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置したものである。
【００５３】
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００と、これに対向するように配置された対向基板５５１と、これらの間に挟持された図示しない液晶層と、カラーフィルタ５００の上面側（観測者側）に配置された偏光板５５５と、対向基板５５１の下面側に配設された偏光板（図示せず）とにより概略構成されている。
カラーフィルタ５００の保護膜５０９の表面（対向基板５５１側の面）には液晶駆動用の電極５５６が形成されている。この電極５５６は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、後述の画素電極５６０が形成される領域全体を覆う全面電極となっている。また、この電極５５６の画素電極５６０とは反対側の面を覆った状態で配向膜５５７が設けられている。
【００５４】
対向基板５５１のカラーフィルタ５００と対向する面には絶縁層５５８が形成されており、この絶縁層５５８上には、走査線５６１および信号線５６２が互いに直交する状態で形成されている。そして、これらの走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた領域内には画素電極５６０が形成されている。なお、実際の液晶装置では、画素電極５６０上に配向膜が設けられるが、図示を省略している。
【００５５】
また、画素電極５６０の切欠部と走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた部分には、ソース電極、ドレイン電極、半導体、およびゲート電極とを具備する薄膜トランジスタ５６３が組み込まれて構成されている。そして、走査線５６１と信号線５６２に対する信号の印加によって薄膜トランジスタ５６３をオン・オフして画素電極５６０への通電制御を行うことができるように構成されている。
【００５６】
なお、上記の各例の液晶装置５２０，５３０，５５０は、透過型の構成としたが、反射層あるいは半透過反射層を設けて、反射型の液晶装置あるいは半透過反射型の液晶装置とすることもできる。
【００５７】
次に、図１１は、有機ＥＬ装置の表示領域（以下、単に表示装置６００と称する）の要部断面図である。
【００５８】
この表示装置６００は、基板（Ｗ）６０１上に、回路素子部６０２、発光素子部６０３および陰極６０４が積層された状態で概略構成されている。
この表示装置６００においては、発光素子部６０３から基板６０１側に発した光が、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されると共に、発光素子部６０３から基板６０１の反対側に発した光が陰極６０４により反射された後、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されるようになっている。
【００５９】
回路素子部６０２と基板６０１との間にはシリコン酸化膜からなる下地保護膜６０６が形成され、この下地保護膜６０６上（発光素子部６０３側）に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜６０７が形成されている。この半導体膜６０７の左右の領域には、ソース領域６０７ａおよびドレイン領域６０７ｂが高濃度陽イオン打ち込みによりそれぞれ形成されている。そして陽イオンが打ち込まれない中央部がチャネル領域６０７ｃとなっている。
【００６０】
また、回路素子部６０２には、下地保護膜６０６および半導体膜６０７を覆う透明なゲート絶縁膜６０８が形成され、このゲート絶縁膜６０８上の半導体膜６０７のチャネル領域６０７ｃに対応する位置には、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等から構成されるゲート電極６０９が形成されている。このゲート電極６０９およびゲート絶縁膜６０８上には、透明な第１層間絶縁膜６１１ａと第２層間絶縁膜６１１ｂが形成されている。また、第１、第２層間絶縁膜６１１ａ、６１１ｂを貫通して、半導体膜６０７のソース領域６０７ａ、ドレイン領域６０７ｂにそれぞれ連通するコンタクトホール６１２ａ，６１２ｂが形成されている。
【００６１】
そして、第２層間絶縁膜６１１ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極６１３が所定の形状にパターニングされて形成され、この画素電極６１３は、コンタクトホール６１２ａを通じてソース領域６０７ａに接続されている。
また、第１層間絶縁膜６１１ａ上には電源線６１４が配設されており、この電源線６１４は、コンタクトホール６１２ｂを通じてドレイン領域６０７ｂに接続されている。
【００６２】
このように、回路素子部６０２には、各画素電極６１３に接続された駆動用の薄膜トランジスタ６１５がそれぞれ形成されている。
【００６３】
上記発光素子部６０３は、複数の画素電極６１３上の各々に積層された機能層６１７と、各画素電極６１３および機能層６１７の間に備えられて各機能層６１７を区画するバンク部６１８とにより概略構成されている。
これら画素電極６１３、機能層６１７、および、機能層６１７上に配設された陰極６０４によって発光素子が構成されている。なお、画素電極６１３は、平面視略矩形状にパターニングされて形成されており、各画素電極６１３の間にバンク部６１８が形成されている。
【００６４】
バンク部６１８は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料により形成される無機物バンク層６１８ａ（第１バンク層）と、この無機物バンク層６１８ａ上に積層され、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストにより形成される断面台形状の有機物バンク層６１８ｂ（第２バンク層）とにより構成されている。このバンク部６１８の一部は、画素電極６１３の周縁部上に乗上げた状態で形成されている。
そして、各バンク部６１８の間には、画素電極６１３に対して上方に向けて次第に拡開した開口部６１９が形成されている。
【００６５】
上記機能層６１７は、開口部６１９内において画素電極６１３上に積層状態で形成された正孔注入／輸送層６１７ａと、この正孔注入／輸送層６１７ａ上に形成された発光層６１７ｂとにより構成されている。なお、この発光層６１７ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成することも可能である。
正孔注入／輸送層６１７ａは、画素電極６１３側から正孔を輸送して発光層６１７ｂに注入する機能を有する。この正孔注入／輸送層６１７ａは、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（機能液）を吐出することで形成される。正孔注入／輸送層形成材料としては、公知の材料を用いる。
【００６６】
発光層６１７ｂは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）のいずれかに発光するもので、発光層形成材料（発光材料）を含む第２組成物（機能液）を吐出することで形成される。第２組成物の溶媒（非極性溶媒）としては、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な公知の材料を用いることが好ましく、このような非極性溶媒を発光層６１７ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層６１７ａを再溶解させることなく発光層６１７ｂを形成することができる。
【００６７】
そして、発光層６１７ｂでは、正孔注入／輸送層６１７ａから注入された正孔と、陰極６０４から注入される電子が発光層で再結合して発光するように構成されている。
【００６８】
陰極６０４は、発光素子部６０３の全面を覆う状態で形成されており、画素電極６１３と対になって機能層６１７に電流を流す役割を果たす。なお、この陰極６０４の上部には図示しない封止部材が配置される。
【００６９】
次に、上記の表示装置６００の製造工程を図１２〜図２０を参照して説明する。
この表示装置６００は、図１２に示すように、バンク部形成工程（Ｓ１１１）、表面処理工程（Ｓ１１２）、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）、発光層形成工程（Ｓ１１４）、および対向電極形成工程（Ｓ１１５）を経て製造される。なお、製造工程は例示するものに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００７０】
まず、バンク部形成工程（Ｓ１１１）では、図１３に示すように、第２層間絶縁膜６１１ｂ上に無機物バンク層６１８ａを形成する。この無機物バンク層６１８ａは、形成位置に無機物膜を形成した後、この無機物膜をフォトリソグラフィ技術等によりパターニングすることにより形成される。このとき、無機物バンク層６１８ａの一部は画素電極６１３の周縁部と重なるように形成される。
無機物バンク層６１８ａを形成したならば、図１４に示すように、無機物バンク層６１８ａ上に有機物バンク層６１８ｂを形成する。この有機物バンク層６１８ｂも無機物バンク層６１８ａと同様にフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。
このようにしてバンク部６１８が形成される。また、これに伴い、各バンク部６１８間には、画素電極６１３に対して上方に開口した開口部６１９が形成される。この開口部６１９は、画素領域を規定する。
【００７１】
表面処理工程（Ｓ１１２）では、親液化処理および撥液化処理が行われる。親液化処理を施す領域は、無機物バンク層６１８ａの第１積層部６１８ａａおよび画素電極６１３の電極面６１３ａであり、これらの領域は、例えば酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理される。このプラズマ処理は、画素電極６１３であるＩＴＯの洗浄等も兼ねている。
また、撥液化処理は、有機物バンク層６１８ｂの壁面６１８ｓおよび有機物バンク層６１８ｂの上面６１８ｔに施され、例えば四フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）される。
この表面処理工程を行うことにより、機能液滴吐出ヘッド１７を用いて機能層６１７を形成する際に、機能液滴を画素領域に、より確実に着弾させることができ、また、画素領域に着弾した機能液滴が開口部６１９から溢れ出るのを防止することが可能となる。
【００７２】
そして、以上の工程を経ることにより、表示装置基体６００Ａが得られる。この表示装置基体６００Ａは、図１に示した液滴吐出装置１のセットテーブル２２に載置され、以下の正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）および発光層形成工程（Ｓ１１４）が行われる。
【００７３】
図１５に示すように、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）では、機能液滴吐出ヘッド１７から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を画素領域である各開口部６１９内に吐出する。その後、図１６に示すように、乾燥処理および熱処理を行い、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、画素電極（電極面６１３ａ）６１３上に正孔注入／輸送層６１７ａを形成する。
【００７４】
次に発光層形成工程（Ｓ１１４）について説明する。この発光層形成工程では、上述したように、正孔注入／輸送層６１７ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で、正孔注入／輸送層６１７ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層６１７ａと発光層６１７ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層６１７ｂを均一に塗布できない虞がある。
そこで、非極性溶媒並びに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層６１７ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面処理（表面改質処理）を行うことが好ましい。この表面処理は、発光層形成の際に用いる第２組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、正孔注入／輸送層６１７ａ上に塗布し、これを乾燥させることにより行う。
このような処理を施すことで、正孔注入／輸送層６１７ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａに均一に塗布することができる。
【００７５】
そして次に、図１７に示すように、各色のうちのいずれか（図１７の例では青色（Ｂ））に対応する発光層形成材料を含有する第２組成物を機能液滴として画素領域（開口部６１９）内に所定量打ち込む。画素領域内に打ち込まれた第２組成物は、正孔注入／輸送層６１７ａ上に広がって開口部６１９内に満たされる。なお、万一、第２組成物が画素領域から外れてバンク部６１８の上面６１８ｔ上に着弾した場合でも、この上面６１８ｔは、上述したように撥液処理が施されているので、第２組成物が開口部６１９内に転がり込み易くなっている。
【００７６】
その後、乾燥工程等を行うことにより、吐出後の第２組成物を乾燥処理し、第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させ、図１８に示すように、正孔注入／輸送層６１７ａ上に発光層６１７ｂが形成される。この図の場合、青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂが形成されている。
【００７７】
同様に、機能液滴吐出ヘッド１７を用い、図１９に示すように、上記した青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂの場合と同様の工程を順次行い、他の色（赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ））に対応する発光層６１７ｂを形成する。なお、発光層６１７ｂの形成順序は、例示した順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決めることも可能である。また、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。
【００７８】
以上のようにして、画素電極６１３上に機能層６１７、即ち、正孔注入／輸送層６１７ａおよび発光層６１７ｂが形成される。そして、対向電極形成工程（Ｓ１１５）に移行する。
【００７９】
対向電極形成工程（Ｓ１１５）では、図２０に示すように、発光層６１７ｂおよび有機物バンク層６１８ｂの全面に陰極６０４（対向電極）を、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成する。この陰極６０４は、本実施形態においては、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。
この陰極６０４の上部には、電極としてのＡｌ膜、Ａｇ膜や、その酸化防止のためのＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層が適宜設けられる。
【００８０】
このようにして陰極６０４を形成した後、この陰極６０４の上部を封止部材により封止する封止処理や配線処理等のその他処理等を施すことにより、表示装置６００が得られる。
【００８１】
次に、図２１は、プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置：以下、単に表示装置７００と称する）の要部分解斜視図である。なお、同図では表示装置７００を、その一部を切り欠いた状態で示してある。
この表示装置７００は、互いに対向して配置された第１基板７０１、第２基板７０２、およびこれらの間に形成される放電表示部７０３を含んで概略構成される。放電表示部７０３は、複数の放電室７０５により構成されている。これらの複数の放電室７０５のうち、赤色放電室７０５Ｒ、緑色放電室７０５Ｇ、青色放電室７０５Ｂの３つの放電室７０５が組になって１つの画素を構成するように配置されている。
【００８２】
第１基板７０１の上面には所定の間隔で縞状にアドレス電極７０６が形成され、このアドレス電極７０６と第１基板７０１の上面とを覆うように誘電体層７０７が形成されている。誘電体層７０７上には、各アドレス電極７０６の間に位置し、且つ各アドレス電極７０６に沿うように隔壁７０８が立設されている。この隔壁７０８は、図示するようにアドレス電極７０６の幅方向両側に延在するものと、アドレス電極７０６と直交する方向に延設された図示しないものを含む。
そして、この隔壁７０８によって仕切られた領域が放電室７０５となっている。
【００８３】
放電室７０５内には蛍光体７０９が配置されている。蛍光体７０９は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、赤色放電室７０５Ｒの底部には赤色蛍光体７０９Ｒが、緑色放電室７０５Ｇの底部には緑色蛍光体７０９Ｇが、青色放電室７０５Ｂの底部には青色蛍光体７０９Ｂが各々配置されている。
【００８４】
第２基板７０２の図中下側の面には、上記アドレス電極７０６と直交する方向に複数の表示電極７１１が所定の間隔で縞状に形成されている。そして、これらを覆うように誘電体層７１２、およびＭｇＯなどからなる保護膜７１３が形成されている。
第１基板７０１と第２基板７０２とは、アドレス電極７０６と表示電極７１１が互いに直交する状態で対向させて貼り合わされている。なお、上記アドレス電極７０６と表示電極７１１は図示しない交流電源に接続されている。
そして、各電極７０６，７１１に通電することにより、放電表示部７０３において蛍光体７０９が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００８５】
本実施形態においては、上記アドレス電極７０６、表示電極７１１、および蛍光体７０９を、図２に示した液滴吐出装置１を用いて形成することができる。以下、第１基板７０１におけるアドレス電極７０６の形成工程を例示する。
この場合、第１基板７０１を液滴吐出装置１のセットテーブル２２に載置された状態で以下の工程が行われる。
まず、機能液滴吐出ヘッド１７により、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴としてアドレス電極形成領域に着弾させる。この液体材料は、導電膜配線形成用材料として、金属等の導電性微粒子を分散媒に分散したものである。この導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、またはニッケル等を含有する金属微粒子や、導電性ポリマー等が用いられる。
【００８６】
補充対象となるすべてのアドレス電極形成領域について液体材料の補充が終了したならば、吐出後の液体材料を乾燥処理し、液体材料に含まれる分散媒を蒸発させることによりアドレス電極７０６が形成される。
【００８７】
ところで、上記においてはアドレス電極７０６の形成を例示したが、上記表示電極７１１および蛍光体７０９についても上記各工程を経ることにより形成することができる。
表示電極７１１の形成の場合、アドレス電極７０６の場合と同様に、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴として表示電極形成領域に着弾させる。
また、蛍光体７０９の形成の場合には、各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応する蛍光材料を含んだ液体材料（機能液）を機能液滴吐出ヘッド１７から液滴として吐出し、対応する色の放電室７０５内に着弾させる。
【００８８】
次に、図２２は、電子放出装置（ＦＥＤ装置あるいはＳＥＤ装置ともいう：以下、単に表示装置８００と称する）の要部断面図である。なお、同図では表示装置８００を、その一部を断面として示してある。
この表示装置８００は、互いに対向して配置された第１基板８０１、第２基板８０２、およびこれらの間に形成される電界放出表示部８０３を含んで概略構成される。電界放出表示部８０３は、マトリクス状に配置した複数の電子放出部８０５により構成されている。
【００８９】
第１基板８０１の上面には、カソード電極８０６を構成する第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂが相互に直交するように形成されている。また、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂで仕切られた部分には、ギャップ８０８を形成した導電性膜８０７が形成されている。すなわち、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７により複数の電子放出部８０５が構成されている。導電性膜８０７は、例えば酸化パラジウム（ＰｄＯ）等で構成され、またギャップ８０８は、導電性膜８０７を成膜した後、フォーミング等で形成される。
【００９０】
第２基板８０２の下面には、カソード電極８０６に対峙するアノード電極８０９が形成されている。アノード電極８０９の下面には、格子状のバンク部８１１が形成され、このバンク部８１１で囲まれた下向きの各開口部８１２に、電子放出部８０５に対応するように蛍光体８１３が配置されている。蛍光体８１３は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、各開口部８１２には、赤色蛍光体８１３Ｒ、緑色蛍光体８１３Ｇおよび青色蛍光体８１３Ｂが、上記した所定のパターンで配置されている。
【００９１】
そして、このように構成した第１基板８０１と第２基板８０２とは、微小な間隙を存して貼り合わされている。この表示装置８００では、導電性膜（ギャップ８０８）８０７を介して、陰極である第１素子電極８０６ａまたは第２素子電極８０６ｂから飛び出す電子を、陽極であるアノード電極８０９に形成した蛍光体８１３に当てて励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００９２】
この場合も、他の実施形態と同様に、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂ、導電性膜８０７およびアノード電極８０９を、液滴吐出装置１を用いて形成することができると共に、各色の蛍光体８１３Ｒ，８１３Ｇ，８１３Ｂを、液滴吐出装置１を用いて形成することができる。
【００９３】
第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７は、図２３（ａ）に示す平面形状を有しており、これらを成膜する場合には、図２３（ｂ）に示すように、予め第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７を作り込む部分を残して、バンク部ＢＢを形成（フォトリソグラフィ法）する。次に、バンク部ＢＢにより構成された溝部分に、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂを形成（液滴吐出装置１によるインクジェット法）し、その溶剤を乾燥させて成膜を行った後、導電性膜８０７を形成（液滴吐出装置１によるインクジェット法）する。そして、導電性膜８０７を成膜後、バンク部ＢＢを取り除き（アッシング剥離処理）、上記のフォーミング処理に移行する。なお、上記の有機ＥＬ装置の場合と同様に、第１基板８０１および第２基板８０２に対する親液化処理や、バンク部８１１，ＢＢに対する撥液化処理を行うことが、好ましい。
【００９４】
また、他の電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等の装置が考えられる。上記した液滴吐出装置１を各種の電気光学装置（デバイス）の製造に用いることにより、各種の電気光学装置を効率的に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１実施形態に係る液滴吐出装置の平面模式図である。
【図２】Ｙ軸テーブルの断面模式図である。
【図３】液滴吐出装置に搭載した機能液滴吐出ヘッドの外観斜視図である。
【図４】第１実施形態に係るインターフェース基板の模式図である。
【図５】シールドツイストペアケーブルの断面図である。
【図６】インターフェース基板のブロック図である。
【図７】第２実施形態に係るインターフェース基板の模式図である。
【図８】カラーフィルタ製造工程を説明するフローチャートである。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、製造工程順に示したカラーフィルタの模式断面図である。
【図１０】本発明を適用したカラーフィルタを用いた液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１１】本発明を適用したカラーフィルタを用いた第２の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１２】本発明を適用したカラーフィルタを用いた第３の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１３】有機ＥＬ装置である表示装置の要部断面図である。
【図１４】有機ＥＬ装置である表示装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【図１５】無機物バンク層の形成を説明する工程図である。
【図１６】有機物バンク層の形成を説明する工程図である。
【図１７】正孔注入／輸送層を形成する過程を説明する工程図である。
【図１８】正孔注入／輸送層が形成された状態を説明する工程図である。
【図１９】青色の発光層を形成する過程を説明する工程図である。
【図２０】青色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。
【図２１】各色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。
【図２２】陰極の形成を説明する工程図である。
【図２３】プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置）である表示装置の要部分解斜視図である。
【図２４】電子放出装置（ＦＥＤ装置）である表示装置の要部断面図である。
【図２５】表示装置の電子放出部廻りの平面図（ａ）およびその形成方法を示す平面図（ｂ）である。
【符号の説明】
【００９６】
１…液滴吐出装置 １７…機能液滴吐出ヘッド ３２…ヘッド駆動ドライバ ６２ａ…アナログ信号用入力端子 ６２ｂ…デジタル信号用入力端子 ６３ａ…アナログ信号用出力端子 ６３ｂ…デジタル信号用出力端子 ６４…基板内配線 ６５…基板外配線 ６７…シールドツイストペアケーブル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アナログ信号およびデジタル信号を扱う回路基板、これを搭載した液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の回路基板として、主にプリント基板が用いられており、プリント基板の基板層内および／または基板上には、アナログ信号およびデジタル信号を伝送する配線がプリントされている。この場合、アナログ信号をノイズの影響から保護するため、基板内において、アナログ信号が伝送される配線とデジタル信号が伝送される配線とを、混在させないように配置している（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３５３８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、アナログ信号へのノイズの影響等を考慮して配線設計を行うと、その配線は複雑なものとなる。また、基板内に複数の配線が施されていると、場合によっては、この配線に伝送されるアナログ信号は少なからずクロストークや放射ノイズ等の影響を受けてしまう。これにより、例えば、インクジェットプリンタのインクジェットを駆動する駆動波形のアナログ信号がノイズの影響を受けてしまうと、ノズルから吐出されるインク滴の量が変わってしまい、印刷する印刷対象物に支障をきたす虞があった。
【０００４】
本発明は、アナログ信号に対するノイズの影響を排除できると共に、プリント配線の自由度を高めることができる回路基板、これを搭載した液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の回路基板は、デジタル信号用入力端子とデジタル信号用出力端子との間でプリント配線されたデジタル信号伝送用の基板内配線と、アナログ信号用入力端子とアナログ信号用出力端子との間でケーブル配線されたアナログ信号伝送用の基板外配線と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、アナログ信号は、ケーブル配線された基板外配線を介して伝送されるため、回路基板内外のノイズの影響を受けることなく、信号伝送することができる。また、アナログ信号を基板外にケーブル配線することで、デジタル信号用のプリント配線は、ノイズの影響を考慮する必要がないため、容易に配線設計を行うことができる。
【０００７】
この場合、基板外配線は、シールドケーブルで構成されていることが、好ましい。
【０００８】
この構成によれば、基板外配線は、より外部からのノイズの影響を受けにくい構成とすることができる。
【０００９】
この場合、入力したデジタル信号をアナログ信号に変換して出力するＤ／Ａ変換回路を、さらに備えており、アナログ信号用入力端子が、Ｄ／Ａ変換回路の出力端子であり、デジタル信号用出力端子が、Ｄ／Ａ変換回路の入力端子であることが、好ましい。
【００１０】
同様に、入力したアナログ信号をデジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換回路を、さらに備えており、アナログ信号用出力端子が、Ａ／Ｄ変換回路の入力端子であり、デジタル信号用入力端子が、Ａ／Ｄ変換回路の出力端子であることが、好ましい。
【００１１】
この構成によれば、Ｄ／Ａ変換回路或いはＡ／Ｄ変換回路を備える場合において、その前後を適宜、基板内配線或いは基板外配線とするようにしているため、アナログ信号を、ノイズの影響を受けることなく伝送することができると共に、デジタル信号用のプリント配線を、容易に配線設計を行うことができる。
【００１２】
本発明の液滴吐出装置は、ワークに対し機能液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、液滴吐出ヘッドを駆動するためのヘッド駆動回路基板と、液滴吐出ヘッドとヘッド駆動回路基板とのインターフェースとなる上記の回路基板と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、アナログ信号に対するノイズの影響を排除することができるため、ワークに良好な描画が可能な液滴吐出装置を提供することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記の液滴吐出装置を用い、ワークに機能液滴による成膜部を形成することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、上記の液滴吐出装置を用い、ワークに機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする。
【００１６】
これらの構成によれば、安定した描画が可能な液滴吐出装置を用いるため、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。なお、電気光学装置（フラットパネルディスプレイ）としては、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、ＰＤＰ装置、電子放出装置等が考えられる。なお、電子放出装置は、いわゆるＦＥＤ（Field Emission Display）やＳＥＤ（Surface-conduction Electron-Emitter Display）装置を含む概念である。さらに、電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等を包含する装置が考えられる。
【００１７】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または上記の電気光学装置を搭載したことを特徴とする。
【００１８】
この場合、電子機器としては、いわゆるフラットパネルディスプレイを搭載した携帯電話、パーソナルコンピュータの他、各種の電気製品がこれに該当する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係る回路基板、およびこれを搭載した液滴吐出装置について説明する。液滴吐出装置は、フラットパネルディスプレイの製造ラインに組み込まれるものであり、インクジェットヘッドである機能液滴吐出ヘッドを用いた印刷技術（インクジェット法）により、液晶表示装置のカラーフィルタや有機ＥＬ装置の各画素となる発光素子等を形成するものである。
【００２０】
図１に示すように、液滴吐出装置１は、機台２と、機台２上の全域に広く載置され、機能液滴吐出ヘッド１７を搭載した描画装置３と、機台２上で描画装置３に添設されたメンテナンス装置４とを備え、メンテナンス装置４により機能液滴吐出ヘッド１７のメンテナンス処理（機能維持・回復）を行うと共に、描画装置３により基板Ｗ（ワーク）上に機能液を吐出させる描画動作を行うようにしている。また、図示しないが、液滴吐出装置１には、各構成部品へ駆動・制御用の圧縮エアーを供給するエアー供給装置や、パソコン等で構成され、液滴吐出装置１の各部を制御する制御装置等が組み込まれている。
【００２１】
描画装置３は、Ｘ軸テーブル１２およびＸ軸テーブル１２に直交するＹ軸テーブル１３（ヘッド移動手段）から成るＸＹ移動機構１１と、Ｙ軸テーブル１３に移動自在に取り付けられたキャリッジ１４と、キャリッジ１４に垂設したヘッドユニット１５とを有している。そして、ヘッドユニット１５には、機能液滴吐出ヘッド１７が搭載されている。一方、基板Ｗは、Ｘ軸テーブル１２の端部に臨む一対の基板認識カメラ（図示省略）により、Ｘ軸テーブル１２に位置決めされた状態で搭載されている。なお、本実施形態では、単一の機能液滴吐出ヘッド１７を搭載しているが、その個数は任意である。
【００２２】
Ｘ軸テーブル１２は、Ｘ軸方向の駆動系を構成するモータ駆動のＸ軸スライダ２１を有し、これに吸着テーブル２３および基板θテーブル２４等から成るセットテーブル２２を移動自在に搭載して、構成されている。同様に、Ｙ軸テーブル１３は、Ｙ軸方向の駆動系を構成するモータ駆動のＹ軸スライダ２６を有し、これに上記のキャリッジ１４を介してヘッドユニット１５を移動自在に搭載して、構成されている。Ｘ軸テーブル１２は、機台２上に直接支持される一方、Ｙ軸テーブル１３は、機台２上に立設した左右の支柱２７，２７に支持されており、Ｘ軸テーブル１２とメンテナンス装置４とを跨ぐように延在している。
【００２３】
そして、Ｙ軸テーブル１３は、これに搭載したヘッドユニット１５を、Ｘ軸テーブル１２の直上部に位置する描画エリア９１と、メンテナンス装置４の直上部に位置するメンテナンスエリア９２との相互間で、適宜移動させる。すなわち、Ｙ軸テーブル１３は、Ｘ軸テーブル１２に導入した基板Ｗに描画動作を行う場合には、ヘッドユニット１５を描画エリア９１に臨ませ、機能液滴吐出ヘッド１７のメンテナンス処理を行う場合には、ヘッドユニット１５をメンテナンスエリア９２に臨ませる。
【００２４】
図２に示すように、Ｙ軸スライダ２６には、ヘッドθテーブル３０を介してキャリッジ１４が垂設され、このキャリッジ１４の下部にヘッドユニット１５が支持されている。ヘッドθテーブル３０は、モータ駆動により、ヘッドユニット１５を水平面内において微小回転させる。そして、Ｙ軸スライダ２６の上面に、機能液滴吐出ヘッド１７を駆動するヘッド駆動ドライバ３１が配設され、またキャリッジ１４の外側面に、ヘッド駆動ドライバ３１と後述する機能液滴吐出ヘッド１７のヘッド基板４３とのインターフェースとなるインターフェース基板（回路基板）３２が配設されている。
【００２５】
ヘッドユニット１５は、機能液滴吐出ヘッド１７と、これを位置決めして装着するヘッドプレート１６とから構成されている。すなわち、機能液滴吐出ヘッド１７は、ヘッドプレート１６を介してキャリッジ１４に搭載されている。なお、本実施形態では、機能液滴吐出ヘッド１７は、ノズル面５３の短辺方向がＸ軸方向と平行となり、ノズル面５３の長辺方向（後述するノズル列５４の列方向）がＹ軸方向と平行になるように、ヘッドプレート１６に位置決めされている。
【００２６】
図３に示すように、機能液滴吐出ヘッド１７は、インクジェット方式で機能液を吐出するものであって、２連の接続針４２を有する機能液導入部４１と、機能液導入部４１に連なる２連のヘッド基板４３と、機能液導入部４１の下方（同図では上方）に連なり、内部に機能液で満たされるヘッド内流路が形成されたヘッド本体４４とを備えている。接続針４２は、図示しない給液チューブを介して給液タンクに接続されており、機能液滴吐出ヘッド１７のヘッド内流路に機能液を供給する。また、ヘッド基板４３には、フレキシブルフラットケーブル６０により、後述するインターフェース基板３２に接続される一対のコネクタ５６が設けられている。
【００２７】
ヘッド本体４４は、ピエゾ素子等で構成されたポンプ部５１と、２本のノズル列５４を相互に平行に形成したノズル面５３を有するノズルプレート５２とを備えている。各ノズル列５４は、複数のノズル５５が等ピッチで並べられて構成されている。そして、ヘッド基板４３の各コネクタ５６を介してポンプ部５１に、ヘッド駆動ドライバ３１からの駆動波形を印加することにより、各ノズル５５から機能液が吐出される。
【００２８】
ここで、図４を参照して、本発明のインターフェース基板３２について説明する。インターフェース基板３２は、ヘッド駆動ドライバ３１からフレキシブルフラットケーブル６０を介して接続される入力端子６２と、ヘッド基板４３のコネクタ５６へフレキシブルフラットケーブル６０を介して接続する出力端子６３と、入力端子６２と出力端子６３との間をプリント配線する基板内配線６４と、入力端子６２と出力端子６３との間をケーブル配線する基板外配線６５と、ヘッド駆動ドライバ３１から基板内配線６４に伝送されたデジタル差動信号群をＴＴＬ信号群に変換するＴＴＬ信号変換回路６６と、を備えている。
【００２９】
入力端子６２は、アナログ信号用入力端子６２ａとデジタル信号用入力端子６２ｂとに分けられ、また、出力端子６３は、アナログ信号用出力端子６３ａとデジタル信号用出力端子６３ｂとに分けられている。この入力端子６２には、ヘッド駆動ドライバ３１からデジタル信号およびアナログ信号が入力される。図５に示すように、ヘッド駆動ドライバ３１から入力されるアナログ信号は、機能液滴吐出ヘッド１７のノズル５５から吐出される機能液の量を信号化したヘッド駆動アナログ信号である。デジタル信号は、デジタル差動信号群であり、ノズル５５から選択的に吐出するためのデータ信号であるシリアルデータ差動信号と、ノズル５５からの吐出のタイミングを図るラッチ差動信号と、全体の動作速度となるクロック差動信号と、で構成されている。これらの信号群に基づいて、機能液滴吐出ヘッド１７からは、機能液の量、吐出タイミングや吐出パターンが決定され、各ノズル５５から機能液が吐出される。この後、入力端子６２から入力されたアナログ信号およびデジタル信号は、それぞれ基板内配線６４および基板外配線６５へ伝送される。
【００３０】
基板内配線６４は、基板層内および基板上に施されたプリント配線であり、デジタル信号用入力端子６２ｂからこの基板内配線６４に、デジタル差動信号群が伝送される。
【００３１】
ＴＴＬ信号変換回路６６は、基板上に実装され、デジタル信号用入力端子６２ｂから入力されたデジタル差動信号群をＴＴＬ信号群に変換する。すなわち、シリアルデータ差動信号をデジタルシリアル信号に、ラッチ差動信号をラッチ信号に、クロック差動信号をクロック信号に、それぞれ変換し、変換後のＴＴＬ信号群は、再び基板内配線６４を通ってデジタル信号用出力端子６３ｂに伝送される。
【００３２】
基板外配線６５は、アナログ信号用入力端子６２ａとアナログ信号用出力端子６３ａとの間のケーブル配線であり、この基板外配線６５にアナログ信号が伝送される。つまり、アナログ信号用入力端子６２ａに入力されたヘッド駆動信号は、そのままアナログ信号用出力端子６３ａに伝送される。図４は、基板外配線６５の断面図であり、基板外配線６５は、シールドツイストペアケーブル６７で構成されている。シールドツイストペアケーブル６７は、１本の信号線６８と１本の信号ＧＮＤ線６９を寄り合わせた２本のツイストペア線に対し、その外周を信号ＧＮＤ７０でシールドしたものである。このため、外部からのノイズを確実に遮断する構成とすることができる。
【００３３】
ヘッド駆動ドライバ３１から、フレキシブルフラットケーブル６０を介して入力端子６２にヘッド駆動アナログ信号およびデジタル差動信号群が入力されると、ヘッド駆動アナログ信号は、基板外配線６５に伝送され、そのまま出力端子６３へと出力される。一方、デジタル差動信号群は、基板内配線６４を通り、ＴＴＬ信号変換回路６６へと伝送される。ＴＴＬ信号変換回路６６へ伝送されたデジタル差動信号群は、ここでＴＴＬ信号群に変換され、変換後のＴＴＬ信号群を出力端子６３へと出力する。出力されたヘッド駆動アナログ信号とＴＴＬ信号群とは、ヘッド基板４６に伝送され、これに基づいて、機能液滴吐出ヘッド１７から機能液が吐出される。
【００３４】
以上の構成によれば、インターフェース基板３２の基板内配線６４にデジタル信号を、基板外配線６５にアナログ信号を伝送することができるため、ノイズの影響を受けやすいアナログ信号を、基板内のノイズから保護することができ、また、シールドツイストペアケーブル６７で構成することにより、基板外のノイズを遮断することができる。これにより、ヘッド駆動アナログ信号は、ノイズの影響を受けることがないため、機能液の吐出量に支障をきたすことがない。また、ノイズの影響を考慮して、基板内に配線を施す必要もないため、基板内の配線設計の負担を軽減することができる。なお、本実施形態では、インターフェース基板３２として用いたが、これに限定することなく、あらゆる電子機器に適宜応用が可能であることは言うまでもない。
【００３５】
次に、図６を参照して、第２実施形態のインターフェース基板３２について説明する。なお、重複した記載を避けるため、異なる部分についてのみ説明する。第２実施形態のインターフェース基板３２は、第１実施形態とほぼ同様に構成され、さらに、デジタル信号からアナログ信号へ変換するＤ／Ａ変換回路７１を基板上に実装している。すなわち、基板内配線６４は、入力端子６２と出力端子６３のデジタル信号用出力端子６３ｂとの間に配線され、また、入力端子６２とＤ／Ａ変換回路７１の入力端子（デジタル信号用）との間にも配線されている。基板外配線６５は、Ｄ／Ａ変換回路７１の出力端子（アナログ信号用）と出力端子６３のアナログ信号用出力端子６３ａとの間に配線されており、この基板外配線６５内にアナログ信号が伝送される。なお、この構成において、ヘッド駆動ドライバ３１からは、デジタル信号のみが伝送されることになり、このため、入力端子６２からは、デジタル信号のみが入力されると共に、Ｄ／Ａ変換回路７１において、アナログ信号へと変換され、出力端子６３に出力される。
【００３６】
この構成によれば、基板内においてＤ／Ａ変換回路７１によりデジタル信号からアナログ信号に変換されたとしても、変換されたアナログ信号は、基板外配線６５に伝送されるため、ノイズの影響を受けることはない。
【００３７】
次に、本実施形態の液滴吐出装置１を用いて製造される電気光学装置（フラットパネルディスプレイ）として、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ装置）、電子放出装置（ＦＥＤ装置、ＳＥＤ装置）、さらにこれら表示装置に形成されてなるアクティブマトリクス基板等を例に、これらの構造およびその製造方法について説明する。なお、アクティブマトリクス基板とは、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタに電気的に接続するソース線、データ線が形成された基板をいう。
【００３８】
まず、液晶表示装置や有機ＥＬ装置等に組み込まれるカラーフィルタの製造方法について説明する。図６は、カラーフィルタの製造工程を示すフローチャート、図７は、製造工程順に示した本実施形態のカラーフィルタ５００（フィルタ基体５００Ａ）の模式断面図である。
まず、ブラックマトリクス形成工程（Ｓ１０１）では、図７（ａ）に示すように、基板（Ｗ）５０１上にブラックマトリクス５０２を形成する。ブラックマトリクス５０２は、金属クロム、金属クロムと酸化クロムの積層体、または樹脂ブラック等により形成される。金属薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成するには、スパッタ法や蒸着法等を用いることができる。また、樹脂薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成する場合には、グラビア印刷法、フォトレジスト法、熱転写法等を用いることができる。
【００３９】
続いて、バンク形成工程（Ｓ１０２）において、ブラックマトリクス５０２上に重畳する状態でバンク５０３を形成する。即ち、まず図７（ｂ）に示すように、基板５０１およびブラックマトリクス５０２を覆うようにネガ型の透明な感光性樹脂からなるレジスト層５０４を形成する。そして、その上面をマトリクスパターン形状に形成されたマスクフィルム５０５で被覆した状態で露光処理を行う。
さらに、図７（ｃ）に示すように、レジスト層５０４の未露光部分をエッチング処理することによりレジスト層５０４をパターニングして、バンク５０３を形成する。なお、樹脂ブラックによりブラックマトリクスを形成する場合は、ブラックマトリクスとバンクとを兼用することが可能となる。
このバンク５０３とその下のブラックマトリクス５０２は、各画素領域５０７ａを区画する区画壁部５０７ｂとなり、後の着色層形成工程において機能液滴吐出ヘッド１７により着色層（成膜部）５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する際に機能液滴の着弾領域を規定する。
【００４０】
以上のブラックマトリクス形成工程およびバンク形成工程を経ることにより、上記フィルタ基体５００Ａが得られる。
なお、本実施形態においては、バンク５０３の材料として、塗膜表面が疎液（疎水）性となる樹脂材料を用いている。そして、基板（ガラス基板）５０１の表面が親液（親水）性であるので、後述する着色層形成工程においてバンク５０３（区画壁部５０７ｂ）に囲まれた各画素領域５０７ａ内への液滴の着弾位置のばらつきを自動補正できる。
【００４１】
次に、着色層形成工程（Ｓ１０３）では、図７（ｄ）に示すように、機能液滴吐出ヘッド１７によって機能液滴を吐出して区画壁部５０７ｂで囲まれた各画素領域５０７ａ内に着弾させる。この場合、機能液滴吐出ヘッド１７を用いて、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の機能液（フィルタ材料）を導入して、機能液滴の吐出を行う。なお、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。
【００４２】
その後、乾燥処理（加熱等の処理）を経て機能液を定着させ、３色の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する。着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成したならば、保護膜形成工程（Ｓ１０４）に移り、図７（ｅ）に示すように、基板５０１、区画壁部５０７ｂ、および着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂの上面を覆うように保護膜５０９を形成する。
即ち、基板５０１の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが形成されている面全体に保護膜用塗布液が吐出された後、乾燥処理を経て保護膜５０９が形成される。
そして、保護膜５０９を形成した後、カラーフィルタ５００は、次工程の透明電極となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの膜付け工程に移行する。
【００４３】
図８は、上記のカラーフィルタ５００を用いた液晶表示装置の一例としてのパッシブマトリックス型液晶装置（液晶装置）の概略構成を示す要部断面図である。この液晶装置５２０に、液晶駆動用ＩＣ、バックライト、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型液晶表示装置が得られる。なお、カラーフィルタ５００は図７に示したものと同一であるので、対応する部位には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００４４】
この液晶装置５２０は、カラーフィルタ５００、ガラス基板等からなる対向基板５２１、および、これらの間に挟持されたＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶組成物からなる液晶層５２２により概略構成されており、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置している。
なお、図示していないが、対向基板５２１およびカラーフィルタ５００の外面（液晶層５２２側とは反対側の面）には偏光板がそれぞれ配設され、また対向基板５２１側に位置する偏光板の外側には、バックライトが配設されている。
【００４５】
カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層側）には、図８において左右方向に長尺な短冊状の第１電極５２３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５２３のカラーフィルタ５００側とは反対側の面を覆うように第１配向膜５２４が形成されている。
一方、対向基板５２１におけるカラーフィルタ５００と対向する面には、カラーフィルタ５００の第１電極５２３と直交する方向に長尺な短冊状の第２電極５２６が所定の間隔で複数形成され、この第２電極５２６の液晶層５２２側の面を覆うように第２配向膜５２７が形成されている。これらの第１電極５２３および第２電極５２６は、ＩＴＯなどの透明導電材料により形成されている。
【００４６】
液晶層５２２内に設けられたスペーサ５２８は、液晶層５２２の厚さ（セルギャップ）を一定に保持するための部材である。また、シール材５２９は液晶層５２２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するための部材である。なお、第１電極５２３の一端部は引き回し配線５２３ａとしてシール材５２９の外側まで延在している。
そして、第１電極５２３と第２電極５２６とが交差する部分が画素であり、この画素となる部分に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。
【００４７】
通常の製造工程では、カラーフィルタ５００に、第１電極５２３のパターニングおよび第１配向膜５２４の塗布を行ってカラーフィルタ５００側の部分を作成すると共に、これとは別に対向基板５２１に、第２電極５２６のパターニングおよび第２配向膜５２７の塗布を行って対向基板５２１側の部分を作成する。その後、対向基板５２１側の部分にスペーサ５２８およびシール材５２９を作り込み、この状態でカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる。次いで、シール材５２９の注入口から液晶層５２２を構成する液晶を注入し、注入口を閉止する。その後、両偏光板およびバックライトを積層する。
【００４８】
実施形態の液滴吐出装置１は、例えば上記のセルギャップを構成するスペーサ材料（機能液）を塗布すると共に、対向基板５２１側の部分にカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる前に、シール材５２９で囲んだ領域に液晶（機能液）を均一に塗布することが可能である。また、上記のシール材５２９の印刷を、機能液滴吐出ヘッド１７で行うことも可能である。さらに、第１・第２両配向膜５２４，５２７の塗布を機能液滴吐出ヘッド１７で行うことも可能である。
【００４９】
図９は、本実施形態において製造したカラーフィルタ５００を用いた液晶装置の第２の例の概略構成を示す要部断面図である。
この液晶装置５３０が上記液晶装置５２０と大きく異なる点は、カラーフィルタ５００を図中下側（観測者側とは反対側）に配置した点である。
この液晶装置５３０は、カラーフィルタ５００とガラス基板等からなる対向基板５３１との間にＳＴＮ液晶からなる液晶層５３２が挟持されて概略構成されている。なお、図示していないが、対向基板５３１およびカラーフィルタ５００の外面には偏光板等がそれぞれ配設されている。
【００５０】
カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層５３２側）には、図中奥行き方向に長尺な短冊状の第１電極５３３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５３３の液晶層５３２側の面を覆うように第１配向膜５３４が形成されている。
対向基板５３１のカラーフィルタ５００と対向する面上には、カラーフィルタ５００側の第１電極５３３と直交する方向に延在する複数の短冊状の第２電極５３６が所定の間隔で形成され、この第２電極５３６の液晶層５３２側の面を覆うように第２配向膜５３７が形成されている。
【００５１】
液晶層５３２には、この液晶層５３２の厚さを一定に保持するためのスペーサ５３８と、液晶層５３２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するためのシール材５３９が設けられている。
そして、上記した液晶装置５２０と同様に、第１電極５３３と第２電極５３６との交差する部分が画素であり、この画素となる部位に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。
【００５２】
図１０は、本発明を適用したカラーフィルタ５００を用いて液晶装置を構成した第３の例を示したもので、透過型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）型液晶装置の概略構成を示す分解斜視図である。
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置したものである。
【００５３】
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００と、これに対向するように配置された対向基板５５１と、これらの間に挟持された図示しない液晶層と、カラーフィルタ５００の上面側（観測者側）に配置された偏光板５５５と、対向基板５５１の下面側に配設された偏光板（図示せず）とにより概略構成されている。
カラーフィルタ５００の保護膜５０９の表面（対向基板５５１側の面）には液晶駆動用の電極５５６が形成されている。この電極５５６は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、後述の画素電極５６０が形成される領域全体を覆う全面電極となっている。また、この電極５５６の画素電極５６０とは反対側の面を覆った状態で配向膜５５７が設けられている。
【００５４】
対向基板５５１のカラーフィルタ５００と対向する面には絶縁層５５８が形成されており、この絶縁層５５８上には、走査線５６１および信号線５６２が互いに直交する状態で形成されている。そして、これらの走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた領域内には画素電極５６０が形成されている。なお、実際の液晶装置では、画素電極５６０上に配向膜が設けられるが、図示を省略している。
【００５５】
また、画素電極５６０の切欠部と走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた部分には、ソース電極、ドレイン電極、半導体、およびゲート電極とを具備する薄膜トランジスタ５６３が組み込まれて構成されている。そして、走査線５６１と信号線５６２に対する信号の印加によって薄膜トランジスタ５６３をオン・オフして画素電極５６０への通電制御を行うことができるように構成されている。
【００５６】
なお、上記の各例の液晶装置５２０，５３０，５５０は、透過型の構成としたが、反射層あるいは半透過反射層を設けて、反射型の液晶装置あるいは半透過反射型の液晶装置とすることもできる。
【００５７】
次に、図１１は、有機ＥＬ装置の表示領域（以下、単に表示装置６００と称する）の要部断面図である。
【００５８】
この表示装置６００は、基板（Ｗ）６０１上に、回路素子部６０２、発光素子部６０３および陰極６０４が積層された状態で概略構成されている。
この表示装置６００においては、発光素子部６０３から基板６０１側に発した光が、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されると共に、発光素子部６０３から基板６０１の反対側に発した光が陰極６０４により反射された後、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されるようになっている。
【００５９】
回路素子部６０２と基板６０１との間にはシリコン酸化膜からなる下地保護膜６０６が形成され、この下地保護膜６０６上（発光素子部６０３側）に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜６０７が形成されている。この半導体膜６０７の左右の領域には、ソース領域６０７ａおよびドレイン領域６０７ｂが高濃度陽イオン打ち込みによりそれぞれ形成されている。そして陽イオンが打ち込まれない中央部がチャネル領域６０７ｃとなっている。
【００６０】
また、回路素子部６０２には、下地保護膜６０６および半導体膜６０７を覆う透明なゲート絶縁膜６０８が形成され、このゲート絶縁膜６０８上の半導体膜６０７のチャネル領域６０７ｃに対応する位置には、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等から構成されるゲート電極６０９が形成されている。このゲート電極６０９およびゲート絶縁膜６０８上には、透明な第１層間絶縁膜６１１ａと第２層間絶縁膜６１１ｂが形成されている。また、第１、第２層間絶縁膜６１１ａ、６１１ｂを貫通して、半導体膜６０７のソース領域６０７ａ、ドレイン領域６０７ｂにそれぞれ連通するコンタクトホール６１２ａ，６１２ｂが形成されている。
【００６１】
そして、第２層間絶縁膜６１１ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極６１３が所定の形状にパターニングされて形成され、この画素電極６１３は、コンタクトホール６１２ａを通じてソース領域６０７ａに接続されている。
また、第１層間絶縁膜６１１ａ上には電源線６１４が配設されており、この電源線６１４は、コンタクトホール６１２ｂを通じてドレイン領域６０７ｂに接続されている。
【００６２】
このように、回路素子部６０２には、各画素電極６１３に接続された駆動用の薄膜トランジスタ６１５がそれぞれ形成されている。
【００６３】
上記発光素子部６０３は、複数の画素電極６１３上の各々に積層された機能層６１７と、各画素電極６１３および機能層６１７の間に備えられて各機能層６１７を区画するバンク部６１８とにより概略構成されている。
これら画素電極６１３、機能層６１７、および、機能層６１７上に配設された陰極６０４によって発光素子が構成されている。なお、画素電極６１３は、平面視略矩形状にパターニングされて形成されており、各画素電極６１３の間にバンク部６１８が形成されている。
【００６４】
バンク部６１８は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料により形成される無機物バンク層６１８ａ（第１バンク層）と、この無機物バンク層６１８ａ上に積層され、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストにより形成される断面台形状の有機物バンク層６１８ｂ（第２バンク層）とにより構成されている。このバンク部６１８の一部は、画素電極６１３の周縁部上に乗上げた状態で形成されている。
そして、各バンク部６１８の間には、画素電極６１３に対して上方に向けて次第に拡開した開口部６１９が形成されている。
【００６５】
上記機能層６１７は、開口部６１９内において画素電極６１３上に積層状態で形成された正孔注入／輸送層６１７ａと、この正孔注入／輸送層６１７ａ上に形成された発光層６１７ｂとにより構成されている。なお、この発光層６１７ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成することも可能である。
正孔注入／輸送層６１７ａは、画素電極６１３側から正孔を輸送して発光層６１７ｂに注入する機能を有する。この正孔注入／輸送層６１７ａは、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（機能液）を吐出することで形成される。正孔注入／輸送層形成材料としては、公知の材料を用いる。
【００６６】
発光層６１７ｂは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）のいずれかに発光するもので、発光層形成材料（発光材料）を含む第２組成物（機能液）を吐出することで形成される。第２組成物の溶媒（非極性溶媒）としては、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な公知の材料を用いることが好ましく、このような非極性溶媒を発光層６１７ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層６１７ａを再溶解させることなく発光層６１７ｂを形成することができる。
【００６７】
そして、発光層６１７ｂでは、正孔注入／輸送層６１７ａから注入された正孔と、陰極６０４から注入される電子が発光層で再結合して発光するように構成されている。
【００６８】
陰極６０４は、発光素子部６０３の全面を覆う状態で形成されており、画素電極６１３と対になって機能層６１７に電流を流す役割を果たす。なお、この陰極６０４の上部には図示しない封止部材が配置される。
【００６９】
次に、上記の表示装置６００の製造工程を図１２〜図２０を参照して説明する。
この表示装置６００は、図１２に示すように、バンク部形成工程（Ｓ１１１）、表面処理工程（Ｓ１１２）、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）、発光層形成工程（Ｓ１１４）、および対向電極形成工程（Ｓ１１５）を経て製造される。なお、製造工程は例示するものに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００７０】
まず、バンク部形成工程（Ｓ１１１）では、図１３に示すように、第２層間絶縁膜６１１ｂ上に無機物バンク層６１８ａを形成する。この無機物バンク層６１８ａは、形成位置に無機物膜を形成した後、この無機物膜をフォトリソグラフィ技術等によりパターニングすることにより形成される。このとき、無機物バンク層６１８ａの一部は画素電極６１３の周縁部と重なるように形成される。
無機物バンク層６１８ａを形成したならば、図１４に示すように、無機物バンク層６１８ａ上に有機物バンク層６１８ｂを形成する。この有機物バンク層６１８ｂも無機物バンク層６１８ａと同様にフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。
このようにしてバンク部６１８が形成される。また、これに伴い、各バンク部６１８間には、画素電極６１３に対して上方に開口した開口部６１９が形成される。この開口部６１９は、画素領域を規定する。
【００７１】
表面処理工程（Ｓ１１２）では、親液化処理および撥液化処理が行われる。親液化処理を施す領域は、無機物バンク層６１８ａの第１積層部６１８ａａおよび画素電極６１３の電極面６１３ａであり、これらの領域は、例えば酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理される。このプラズマ処理は、画素電極６１３であるＩＴＯの洗浄等も兼ねている。
また、撥液化処理は、有機物バンク層６１８ｂの壁面６１８ｓおよび有機物バンク層６１８ｂの上面６１８ｔに施され、例えば四フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）される。
この表面処理工程を行うことにより、機能液滴吐出ヘッド１７を用いて機能層６１７を形成する際に、機能液滴を画素領域に、より確実に着弾させることができ、また、画素領域に着弾した機能液滴が開口部６１９から溢れ出るのを防止することが可能となる。
【００７２】
そして、以上の工程を経ることにより、表示装置基体６００Ａが得られる。この表示装置基体６００Ａは、図１に示した液滴吐出装置１のセットテーブル２２に載置され、以下の正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）および発光層形成工程（Ｓ１１４）が行われる。
【００７３】
図１５に示すように、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）では、機能液滴吐出ヘッド１７から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を画素領域である各開口部６１９内に吐出する。その後、図１６に示すように、乾燥処理および熱処理を行い、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、画素電極（電極面６１３ａ）６１３上に正孔注入／輸送層６１７ａを形成する。
【００７４】
次に発光層形成工程（Ｓ１１４）について説明する。この発光層形成工程では、上述したように、正孔注入／輸送層６１７ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で、正孔注入／輸送層６１７ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層６１７ａと発光層６１７ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層６１７ｂを均一に塗布できない虞がある。
そこで、非極性溶媒並びに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層６１７ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面処理（表面改質処理）を行うことが好ましい。この表面処理は、発光層形成の際に用いる第２組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、正孔注入／輸送層６１７ａ上に塗布し、これを乾燥させることにより行う。
このような処理を施すことで、正孔注入／輸送層６１７ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａに均一に塗布することができる。
【００７５】
そして次に、図１７に示すように、各色のうちのいずれか（図１７の例では青色（Ｂ））に対応する発光層形成材料を含有する第２組成物を機能液滴として画素領域（開口部６１９）内に所定量打ち込む。画素領域内に打ち込まれた第２組成物は、正孔注入／輸送層６１７ａ上に広がって開口部６１９内に満たされる。なお、万一、第２組成物が画素領域から外れてバンク部６１８の上面６１８ｔ上に着弾した場合でも、この上面６１８ｔは、上述したように撥液処理が施されているので、第２組成物が開口部６１９内に転がり込み易くなっている。
【００７６】
その後、乾燥工程等を行うことにより、吐出後の第２組成物を乾燥処理し、第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させ、図１８に示すように、正孔注入／輸送層６１７ａ上に発光層６１７ｂが形成される。この図の場合、青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂが形成されている。
【００７７】
同様に、機能液滴吐出ヘッド１７を用い、図１９に示すように、上記した青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂの場合と同様の工程を順次行い、他の色（赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ））に対応する発光層６１７ｂを形成する。なお、発光層６１７ｂの形成順序は、例示した順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決めることも可能である。また、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。
【００７８】
以上のようにして、画素電極６１３上に機能層６１７、即ち、正孔注入／輸送層６１７ａおよび発光層６１７ｂが形成される。そして、対向電極形成工程（Ｓ１１５）に移行する。
【００７９】
対向電極形成工程（Ｓ１１５）では、図２０に示すように、発光層６１７ｂおよび有機物バンク層６１８ｂの全面に陰極６０４（対向電極）を、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成する。この陰極６０４は、本実施形態においては、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。
この陰極６０４の上部には、電極としてのＡｌ膜、Ａｇ膜や、その酸化防止のためのＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層が適宜設けられる。
【００８０】
このようにして陰極６０４を形成した後、この陰極６０４の上部を封止部材により封止する封止処理や配線処理等のその他処理等を施すことにより、表示装置６００が得られる。
【００８１】
次に、図２１は、プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置：以下、単に表示装置７００と称する）の要部分解斜視図である。なお、同図では表示装置７００を、その一部を切り欠いた状態で示してある。
この表示装置７００は、互いに対向して配置された第１基板７０１、第２基板７０２、およびこれらの間に形成される放電表示部７０３を含んで概略構成される。放電表示部７０３は、複数の放電室７０５により構成されている。これらの複数の放電室７０５のうち、赤色放電室７０５Ｒ、緑色放電室７０５Ｇ、青色放電室７０５Ｂの３つの放電室７０５が組になって１つの画素を構成するように配置されている。
【００８２】
第１基板７０１の上面には所定の間隔で縞状にアドレス電極７０６が形成され、このアドレス電極７０６と第１基板７０１の上面とを覆うように誘電体層７０７が形成されている。誘電体層７０７上には、各アドレス電極７０６の間に位置し、且つ各アドレス電極７０６に沿うように隔壁７０８が立設されている。この隔壁７０８は、図示するようにアドレス電極７０６の幅方向両側に延在するものと、アドレス電極７０６と直交する方向に延設された図示しないものを含む。
そして、この隔壁７０８によって仕切られた領域が放電室７０５となっている。
【００８３】
放電室７０５内には蛍光体７０９が配置されている。蛍光体７０９は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、赤色放電室７０５Ｒの底部には赤色蛍光体７０９Ｒが、緑色放電室７０５Ｇの底部には緑色蛍光体７０９Ｇが、青色放電室７０５Ｂの底部には青色蛍光体７０９Ｂが各々配置されている。
【００８４】
第２基板７０２の図中下側の面には、上記アドレス電極７０６と直交する方向に複数の表示電極７１１が所定の間隔で縞状に形成されている。そして、これらを覆うように誘電体層７１２、およびＭｇＯなどからなる保護膜７１３が形成されている。
第１基板７０１と第２基板７０２とは、アドレス電極７０６と表示電極７１１が互いに直交する状態で対向させて貼り合わされている。なお、上記アドレス電極７０６と表示電極７１１は図示しない交流電源に接続されている。
そして、各電極７０６，７１１に通電することにより、放電表示部７０３において蛍光体７０９が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００８５】
本実施形態においては、上記アドレス電極７０６、表示電極７１１、および蛍光体７０９を、図２に示した液滴吐出装置１を用いて形成することができる。以下、第１基板７０１におけるアドレス電極７０６の形成工程を例示する。
この場合、第１基板７０１を液滴吐出装置１のセットテーブル２２に載置された状態で以下の工程が行われる。
まず、機能液滴吐出ヘッド１７により、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴としてアドレス電極形成領域に着弾させる。この液体材料は、導電膜配線形成用材料として、金属等の導電性微粒子を分散媒に分散したものである。この導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、またはニッケル等を含有する金属微粒子や、導電性ポリマー等が用いられる。
【００８６】
補充対象となるすべてのアドレス電極形成領域について液体材料の補充が終了したならば、吐出後の液体材料を乾燥処理し、液体材料に含まれる分散媒を蒸発させることによりアドレス電極７０６が形成される。
【００８７】
ところで、上記においてはアドレス電極７０６の形成を例示したが、上記表示電極７１１および蛍光体７０９についても上記各工程を経ることにより形成することができる。
表示電極７１１の形成の場合、アドレス電極７０６の場合と同様に、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴として表示電極形成領域に着弾させる。
また、蛍光体７０９の形成の場合には、各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応する蛍光材料を含んだ液体材料（機能液）を機能液滴吐出ヘッド１７から液滴として吐出し、対応する色の放電室７０５内に着弾させる。
【００８８】
次に、図２２は、電子放出装置（ＦＥＤ装置あるいはＳＥＤ装置ともいう：以下、単に表示装置８００と称する）の要部断面図である。なお、同図では表示装置８００を、その一部を断面として示してある。
この表示装置８００は、互いに対向して配置された第１基板８０１、第２基板８０２、およびこれらの間に形成される電界放出表示部８０３を含んで概略構成される。電界放出表示部８０３は、マトリクス状に配置した複数の電子放出部８０５により構成されている。
【００８９】
第１基板８０１の上面には、カソード電極８０６を構成する第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂが相互に直交するように形成されている。また、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂで仕切られた部分には、ギャップ８０８を形成した導電性膜８０７が形成されている。すなわち、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７により複数の電子放出部８０５が構成されている。導電性膜８０７は、例えば酸化パラジウム（ＰｄＯ）等で構成され、またギャップ８０８は、導電性膜８０７を成膜した後、フォーミング等で形成される。
【００９０】
第２基板８０２の下面には、カソード電極８０６に対峙するアノード電極８０９が形成されている。アノード電極８０９の下面には、格子状のバンク部８１１が形成され、このバンク部８１１で囲まれた下向きの各開口部８１２に、電子放出部８０５に対応するように蛍光体８１３が配置されている。蛍光体８１３は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、各開口部８１２には、赤色蛍光体８１３Ｒ、緑色蛍光体８１３Ｇおよび青色蛍光体８１３Ｂが、上記した所定のパターンで配置されている。
【００９１】
そして、このように構成した第１基板８０１と第２基板８０２とは、微小な間隙を存して貼り合わされている。この表示装置８００では、導電性膜（ギャップ８０８）８０７を介して、陰極である第１素子電極８０６ａまたは第２素子電極８０６ｂから飛び出す電子を、陽極であるアノード電極８０９に形成した蛍光体８１３に当てて励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００９２】
この場合も、他の実施形態と同様に、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂ、導電性膜８０７およびアノード電極８０９を、液滴吐出装置１を用いて形成することができると共に、各色の蛍光体８１３Ｒ，８１３Ｇ，８１３Ｂを、液滴吐出装置１を用いて形成することができる。
【００９３】
第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７は、図２３（ａ）に示す平面形状を有しており、これらを成膜する場合には、図２３（ｂ）に示すように、予め第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７を作り込む部分を残して、バンク部ＢＢを形成（フォトリソグラフィ法）する。次に、バンク部ＢＢにより構成された溝部分に、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂを形成（液滴吐出装置１によるインクジェット法）し、その溶剤を乾燥させて成膜を行った後、導電性膜８０７を形成（液滴吐出装置１によるインクジェット法）する。そして、導電性膜８０７を成膜後、バンク部ＢＢを取り除き（アッシング剥離処理）、上記のフォーミング処理に移行する。なお、上記の有機ＥＬ装置の場合と同様に、第１基板８０１および第２基板８０２に対する親液化処理や、バンク部８１１，ＢＢに対する撥液化処理を行うことが、好ましい。
【００９４】
また、他の電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等の装置が考えられる。上記した液滴吐出装置１を各種の電気光学装置（デバイス）の製造に用いることにより、各種の電気光学装置を効率的に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１実施形態に係る液滴吐出装置の平面模式図である。
【図２】Ｙ軸テーブルの断面模式図である。
【図３】液滴吐出装置に搭載した機能液滴吐出ヘッドの外観斜視図である。
【図４】第１実施形態に係るインターフェース基板の模式図である。
【図５】シールドツイストペアケーブルの断面図である。
【図６】インターフェース基板のブロック図である。
【図７】第２実施形態に係るインターフェース基板の模式図である。
【図８】カラーフィルタ製造工程を説明するフローチャートである。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、製造工程順に示したカラーフィルタの模式断面図である。
【図１０】本発明を適用したカラーフィルタを用いた液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１１】本発明を適用したカラーフィルタを用いた第２の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１２】本発明を適用したカラーフィルタを用いた第３の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１３】有機ＥＬ装置である表示装置の要部断面図である。
【図１４】有機ＥＬ装置である表示装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【図１５】無機物バンク層の形成を説明する工程図である。
【図１６】有機物バンク層の形成を説明する工程図である。
【図１７】正孔注入／輸送層を形成する過程を説明する工程図である。
【図１８】正孔注入／輸送層が形成された状態を説明する工程図である。
【図１９】青色の発光層を形成する過程を説明する工程図である。
【図２０】青色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。
【図２１】各色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。
【図２２】陰極の形成を説明する工程図である。
【図２３】プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置）である表示装置の要部分解斜視図である。
【図２４】電子放出装置（ＦＥＤ装置）である表示装置の要部断面図である。
【図２５】表示装置の電子放出部廻りの平面図（ａ）およびその形成方法を示す平面図（ｂ）である。
【符号の説明】
【００９６】
１…液滴吐出装置 １７…機能液滴吐出ヘッド ３２…ヘッド駆動ドライバ ６２ａ…アナログ信号用入力端子 ６２ｂ…デジタル信号用入力端子 ６３ａ…アナログ信号用出力端子 ６３ｂ…デジタル信号用出力端子 ６４…基板内配線 ６５…基板外配線 ６７…シールドツイストペアケーブル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル信号用入力端子とデジタル信号用出力端子との間でプリント配線されたデジタル信号伝送用の基板内配線と、
アナログ信号用入力端子とアナログ信号用出力端子との間でケーブル配線されたアナログ信号伝送用の基板外配線と、
を備えたことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記基板外配線は、シールドケーブルで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
入力したデジタル信号をアナログ信号に変換して出力するＤ／Ａ変換回路を、さらに備えており、
前記アナログ信号用入力端子が、前記Ｄ／Ａ変換回路の出力端子であり、前記デジタル信号用出力端子が、前記Ｄ／Ａ変換回路の入力端子であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
入力したアナログ信号をデジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換回路を、さらに備えており、
前記アナログ信号用出力端子が、前記Ａ／Ｄ変換回路の入力端子であり、前記デジタル信号用入力端子が、前記Ａ／Ｄ変換回路の出力端子であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項５】
ワークに対し機能液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、
前記液滴吐出ヘッドを駆動するためのヘッド駆動回路基板と、
前記液滴吐出ヘッドと前記ヘッド駆動回路基板とのインターフェースとなる請求項１ないし４のいずれかに記載の回路基板と、を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液滴吐出装置を用い、前記ワークに前記機能液滴による成膜部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の液滴吐出装置を用い、前記ワークに前記機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または請求項７に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
デジタル信号用入力端子とデジタル信号用出力端子との間でプリント配線されたデジタル信号伝送用の基板内配線と、
アナログ信号用入力端子とアナログ信号用出力端子との間でケーブル配線されたアナログ信号伝送用の基板外配線と、
を備えたことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記基板外配線は、シールドケーブルで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
入力したデジタル信号をアナログ信号に変換して出力するＤ／Ａ変換回路を、さらに備えており、
前記アナログ信号用入力端子が、前記Ｄ／Ａ変換回路の出力端子であり、前記デジタル信号用出力端子が、前記Ｄ／Ａ変換回路の入力端子であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
入力したアナログ信号をデジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換回路を、さらに備えており、
前記アナログ信号用出力端子が、前記Ａ／Ｄ変換回路の入力端子であり、前記デジタル信号用入力端子が、前記Ａ／Ｄ変換回路の出力端子であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項５】
ワークに対し機能液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、
前記液滴吐出ヘッドを駆動するためのヘッド駆動回路基板と、
前記液滴吐出ヘッドと前記ヘッド駆動回路基板とのインターフェースとなる請求項１ないし４のいずれかに記載の回路基板と、を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液滴吐出装置を用い、前記ワークに前記機能液滴による成膜部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の液滴吐出装置を用い、前記ワークに前記機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または請求項７に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２００７−１４９８５４（Ｐ２００７−１４９８５４Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４０６２４（Ｐ２００５−３４０６２４）
【出願日】平成１７年１１月２５日（２００５．１１．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２５日（２００５．１１．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]