圧電デバイス
【課題】圧電振動素子の発振周波数変動を低減する事ができる圧電デバイスの提供。
【解決手段】基板部１１０ａと、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部１１０ｂと、基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部１１０ｃとからなる素子搭載部材１１０と、第１の凹部空間Ｋ１内に露出した基板部主面に設けられた圧電振動素子搭載パッド１１１に搭載の圧電振動素子１２０と、第２の凹部空間Ｋ２内に露出した基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッド１１２に搭載されているサーミスタ素子１４０と、第１の凹部空間を気密封止する蓋部材１３０と、第２の枠部の基板部の他方の主面と同一方向を向く面の４角に２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１と２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２とから構成される外部接続用電極端子Ｇと、を備え、前記サーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続され、グランドと接続される構成。
【解決手段】基板部１１０ａと、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部１１０ｂと、基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部１１０ｃとからなる素子搭載部材１１０と、第１の凹部空間Ｋ１内に露出した基板部主面に設けられた圧電振動素子搭載パッド１１１に搭載の圧電振動素子１２０と、第２の凹部空間Ｋ２内に露出した基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッド１１２に搭載されているサーミスタ素子１４０と、第１の凹部空間を気密封止する蓋部材１３０と、第２の枠部の基板部の他方の主面と同一方向を向く面の４角に２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１と２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２とから構成される外部接続用電極端子Ｇと、を備え、前記サーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続され、グランドと接続される構成。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の圧電デバイスは、その例として素子搭載部材、圧電振動素子、サーミスタ素子、蓋部材とから主に構成されている構造が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
素子搭載部材は、基板部と第１の枠部と第２の枠部で構成されている。
基板部の主面に第２の枠部が設けて、第２の凹部空間が形成され、第２の枠部に第１の枠部を設けて第１の凹部空間が形成されている。
第１の凹部空間内に露出する第２の枠部の一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッドが設けられている。
第２の凹部空間内に露出する基板部の一方の主面には、サーミスタ素子搭載パッドが設けられている。
また、基板部の他方の主面の４隅には、外部接続用電極端子が設けられている。
この圧電振動素子搭載パッド上には、導電性接着剤を介して電気的に接続される一対の励振用電極を表裏主面に有した圧電振動素子が搭載されている。この圧電振動素子を囲繞する素子搭載部材の第１の枠部の頂面には金属製の蓋部材を被せられ、接合されている。これにより第１の凹部空間と第２の凹部空間が気密封止されている。
また、サーミスタ素子搭載パッド上には、半田等の導電性接合材を介して接続されるサーミスタ素子が搭載されている。
サーミスタ素子は、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子を介して圧電デバイスの外へ出力される。この出力された抵抗値の変化から電圧が変化するため、電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、そのときの電圧から温度情報を得ることができる。例えば、電子機器等のメインＩＣ内で温度情報に換算することができる。
また、外部接続用電極端子は、２個一対の水晶振動素子用電極端子と、２個一対のサーミスタ素子用電極端子により構成されている。その水晶振動素子用電極端子は、対角に配置されている。また、サーミスタ素子用電極端子も同様に、対角に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２０５９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の圧電デバイスにおいては、２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とによって外部接続用電極端子が構成されているので、グランド端子が設けられていない。よって、蓋部材が電気的に浮いた状態になっていた。このように前記蓋部材に外部から筐体などのグランドが近づいた場合、圧電振動素子の励振用電極と筐体との間で浮遊容量が生じ、圧電振動素子の発振周波数が変動してしまうといった課題があった。
【０００５】
また、従来の圧電デバイスにおいては、２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とによって外部接続用電極端子が構成されているので、グランド端子が設けられていないことによって、サーミスタ素子にノイズが重畳してしまうといった課題もあった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、圧電振動素子の発振周波数の変動を低減することができる圧電デバイスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の圧電デバイスは、基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部と、基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部とからなる素子搭載部材と、基板部と第１の枠部とで形成される第１の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部と第２の枠部とで形成される第２の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、第１の凹部空間を気密封止する蓋部材と、第２の枠部の基板部の他方の主面と同一方向を向く面の４角に２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とから構成される外部接続用電極端子と、備え、２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続され、グランドと接続されることを特徴とするものである。
【０００８】
前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の圧電デバイスによれば、２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続されていることによって、その１つのサーミスタ素子用電極端子をグランドに接続することで、蓋部材がグランドに接続されることになる。よって、前記蓋部材に外部から筐体などのグランドが近づいても、圧電振動素子の励振用電極と筐体との間で浮遊容量が生じないため、圧電振動素子の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００１０】
また、本発明の圧電デバイスによれば、２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続され、その１つのサーミスタ素子用電極端子をグランドに接続し、前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることによって、圧電振動素子の励振用電極及び蓋部材と、グランドと接続されているサーミスタ素子用電極端子とで挟まれた状態になるために、サーミスタ素子にノイズが重畳することを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る圧電デバイスを圧電振動素子搭載側からみた平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る圧電デバイスをサーミスタ素子搭載側からみた平面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の一方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の基板部の一方の主面からみた平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の内層の一方の主面からみた平面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の基板部の他方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材を他方の主面からみた平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。
【００１３】
本発明の実施形態に係る圧電デバイス１００は、図１及び図２に示すように、素子搭載部材１１０と圧電振動素子１２０と蓋部材１３０とサーミスタ素子１４０で主に構成されている。この圧電デバイス１００は、前記素子搭載部材１１０に形成されている第１の凹部空間Ｋ１内に圧電振動素子１２０が搭載され、第２の凹部空間Ｋ２内には、サーミスタ素子１４０が搭載されている。その第１の凹部空間Ｋ１が蓋部材１３０により気密封止された構造となっている。
【００１４】
圧電振動素子１２０は、図１及び図２に示すように、水晶素板１２１に励振用電極１２２を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板１２１は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極１２２は、前記水晶素板１２１の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子１２０は、その両主面に被着されている励振用電極１２２から延出する引き出し電極１２３と第１の凹部空間Ｋ１内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド１１１とを、導電性接着剤ＤＳを介して電気的且つ機械的に接続することによって第１の凹部空間Ｋ１に搭載される。このときの引き出し電極１２３が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子１２０の先端部とする。
【００１５】
図１〜図２に示すサーミスタ素子１４０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、換算して得られた電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ素子１４０は、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子Ｇを介して圧電デバイス１００の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。
サーミスタ素子１４０は、図２に示すように、素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内に露出した後述する基板部１１０ａに設けられたサーミスタ素子搭載パッド１１２に半田等の導電性接合材ＨＤを介して搭載されている。
【００１６】
サーミスタ素子１４０は、図３及び図４に示すように、素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２の長辺側壁部と平行になるように搭載されている。つまり、サーミスタ素子１４０は、素子搭載部材１１０の長辺側外周縁部と平行になるように搭載されている。
また、サーミスタ素子１４０は、図３に示すように、前記素子搭載部材１１０に前記圧電振動素子１２０と前記サーミスタ素子１４０とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に位置するように、第２の凹部空間Ｋ２内に搭載されている。つまり、図３に示すように、サーミスタ素子１４０は、圧電振動素子１２０の励振用電極１２２の直下にある第２の凹部空間Ｋ２内に搭載され、前記励振用電極１２２からはみ出ることがなく、平面視で励振用電極１２２が設けられている面積内に設けられている。
【００１７】
図１〜図２に示すように、素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａと、第１の枠部１１０ｂ、第２の枠部１１０ｃとで主に構成されている。
この素子搭載部材１１０は、前記基板部１１０ａの一方の主面に第１の枠部１１０ｂが設けられて、第１の凹部空間Ｋ１が形成されている。また、素子搭載部材１１０の他方の主面に第２の枠部１１０ｃが設けられて、第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。
尚、この素子搭載部材１１０を構成する基板部１１０ａ及び第２の枠部１１０ｃは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミックス等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。
第１の枠部１１０ｂは、４２アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。
また、第１の枠部１１０ｂは、基板部１１０ａの一方の主面の外周を囲繞するように設けられた封止用導体膜ＨＢ上にロウ付けなどにより接続される。
第１の凹部空間Ｋ１内で露出した基板部１１０ａの一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている。
また、図１〜図３に示すように素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａの他方の主面と第２の枠部１１０ｃによって第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。
第２の凹部空間Ｋ２内で露出した基板部１１０ａの他方の主面には、サーミスタ素子搭載パッド１１２が設けられている。
【００１８】
前記素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている面とは反対側の主面の４隅には、外部接続用電極端子Ｇが設けられている。
外部接続用電極端子Ｇは、２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１と２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２により構成されている。
２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１は、前記素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの他方の主面の対角に設けられている。
また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は第２の枠部１１０ｃの前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている位置と異なる２つの隅部に設けられている。つまり、前記サーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている対角とは異なる第２の枠部１１０ｃの対角に設けられている。
【００１９】
張り出し部Ｋ３は、図４に示すように、前記素子搭載部材１１０の前記第２の枠部１１０ｃの同一辺側で隣接しあう２つの外部接続用電極端子Ｇ間に張り出すようにして設けられている。
前記張り出し部Ｋ３は、隣接しあう２つ外部接続用電極端子Ｇの間に、第２の凹部空間Ｋ２の一部が延出するようにして設けられている。
この張り出し部Ｋ３には、前記サーミスタ素子用配線パターン１１６の一部が露出するようにして設けられている。また、前記張り出し部Ｋ３の長辺方向の長さＬ１は、約１００〜２００μｍである。
【００２０】
圧電振動素子搭載パッド１１１といずれかの外部接続用電極端子Ｇは、前記素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部１１０ａに形成された部分を有する圧電振動素子用配線パターン１１３と、基板部１１０ａに設けられた第１のビア導体１１４と、基板部１１０ａ及び第２の枠部１１０ｃの内部に形成された第２のビア導体１１５により接続されている。
つまり、図５及び図６に示すように、圧電振動素子搭載パッド１１１は、第１のビア導体１１４を介して圧電振動素子用配線パターン１１３の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン１１３の他端は、第２のビア導体１１５を介して圧電振動素子用電極端子Ｇ１と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド１１１は、圧電振動素子用電極端子Ｇ１と電気的に接続されることになる。
【００２１】
また、サーミスタ素子搭載パッド１１２とサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部１１０ａに形成された部分を有するサーミスタ素子用配線パターン１１６と第２の枠部１１０ｃの内部に形成された第３のビア導体１１７により接続されている。
つまり、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すようにサーミスタ素子搭載パッド１１２は、サーミスタ素子用配線パターン１１６の一端と接続されている。また、サーミスタ素子用配線パターン１１６の他端は、第３のビア導体１１７を介してサーミスタ素子用電極端子Ｇ２と接続されている。よって、サーミスタ素子用搭載パッド１１２は、サーミスタ素子用電極端子Ｇ２と電気的に接続されることになる。
【００２２】
第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６は、図６（ｂ）に示すように、前記張り出し部Ｋ３に素子搭載部材１１０の長辺側外周縁部と平行で、搭載後のサーミスタ素子１４０と平行になるように設けられている。
【００２３】
また、前記第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６の長さＬ２が等しくなっている。つまり、２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６の長さＬ２が同じ長さになっている。
第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６の長さＬ２は、約２００〜２５０μｍである。
【００２４】
また、図２及び図５（ａ）に示すように、第１の枠部１１０ｂは、第３のビア導体１１７と第４のビア導体１１８とを介して、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２と電気的に接続されることになる。
つまり、第１の枠部１１０ｂとサーミスタ素子１４０の一端は、第３のビア導体１１７を介して電気的に接続されることになる。
また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つは、蓋部材１３０と電気的に接続され、グランドと接続されることになる。
【００２５】
蓋部材１３０は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などからなる。このような蓋部材１３０は、第１の凹部空間Ｋ１を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋部材１３０は、所定雰囲気で、素子搭載部材１１０の第１の枠部１１０ｂ上に載置され、第１の枠部１１０ｂの表面の金属と蓋部材１３０の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第１の枠部１１０ｂに接合される。
蓋部材１３０は、図２（ｂ）に示すように、第１の枠部１１０ｂを介して、第４のビア導体１１８と接続されている。また、この第４のビア導体１１８は、第３のビア導体１１７の１つを介して、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つと接続されている。つまり、蓋部材１３０は、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つと電気的に接続される。
また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つは、グランドに接続される。つまり、蓋部材１３０は、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つを介して、グランドと接続されることになる。
【００２６】
前記導電性接着剤ＤＳは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
【００２７】
尚、前記素子搭載部材１１０は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に圧電振動素子搭載パッド１１１、サーミスタ素子搭載パッド１１２、封止用導体膜ＨＢ、外部接続用電極端子Ｇ等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に第１のビア導体１１４、第２のビア導体１１５、第３のビア導体１１７等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。
【００２８】
本発明の圧電デバイス１００によれば、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の１つが蓋部材１３０と電気的に接続されていることによって、その１つのサーミスタ素子用電極端子Ｇ２をグランドに接続することで、蓋部材１３０がグランドに接続されることになる。よって、前記蓋部材１３０に外部から筐体（図示せず）などのグランドが近づいても、圧電振動素子１２０の励振用電極１２２と筐体（図示せず）との間で浮遊容量が生じないため、発振周波数が変動することを低減することができる。
【００２９】
本発明の圧電デバイス１００によれば、サーミスタ素子１４０は、素子搭載部材１１０に圧電振動素子１２０とサーミスタ素子１４０とを搭載した状態で、平面視で圧電振動素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に前記サーミスタ素子１４０を位置させ、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の１つが蓋部材１３０と電気的に接続され、その１つのサーミスタ素子用電極端子Ｇ２をグランドに接続することで、励振用電極１２２とグランドと接続されているサーミスタ素子用電極端子Ｇ２とで挟まれた状態になるために、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子１４０にノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子１４０の値を出力することができる。
つまり、蓋部材１３０及び励振用電極１２２と、グランドに接続されているサーミスタ素子用電極端子Ｇ２とによって、挟みこむようにしてサーミスタ素子１４０がノイズから保護されるので、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子１４０にノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子１４０の値を出力することができる。
また、サーミスタ素子１４０から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子１４０から出力された抵抗値を換算することで得られた電圧から温度情報を得ることができる。このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子１２０の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。
【００３０】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子１２０を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
【００３１】
また、前記した実施形態では、素子搭載部材１１０を構成する第１の枠部１１０ｂは、４２アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている場合を説明したが、第１の枠部１１０ｂがセラミック材料からなり、中心が打ち抜かれた枠状になっていても構わない。また、その際には、第１の枠部１１０ｂの主面には、封止用導体パターンが設けられ、蓋部材１３０に設けられた封止部材１３１と接合されることで、第１の凹部空間Ｋ１内が気密封止される。
【符号の説明】
【００３２】
１１０・・・素子搭載部材
１１０ａ・・・基板部
１１０ｂ・・・第１の枠部
１１０ｃ・・・第２の枠部
１１１・・・圧電振動素子搭載パッド
１１２・・・サーミスタ素子搭載パッド
１２０・・・圧電振動素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋部材
１４０・・・サーミスタ素子
１００・・・圧電デバイス
Ｋ１・・・第１の凹部空間
Ｋ２・・・第２の凹部空間
ＤＳ・・・導電性接着剤
ＨＤ・・・導電性接合材
ＨＢ・・・封止用導体膜
Ｇ・・・外部接続用電極端子
Ｇ１・・・圧電振動素子用電極端子
Ｇ２・・・サーミスタ素子用電極端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の圧電デバイスは、その例として素子搭載部材、圧電振動素子、サーミスタ素子、蓋部材とから主に構成されている構造が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
素子搭載部材は、基板部と第１の枠部と第２の枠部で構成されている。
基板部の主面に第２の枠部が設けて、第２の凹部空間が形成され、第２の枠部に第１の枠部を設けて第１の凹部空間が形成されている。
第１の凹部空間内に露出する第２の枠部の一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッドが設けられている。
第２の凹部空間内に露出する基板部の一方の主面には、サーミスタ素子搭載パッドが設けられている。
また、基板部の他方の主面の４隅には、外部接続用電極端子が設けられている。
この圧電振動素子搭載パッド上には、導電性接着剤を介して電気的に接続される一対の励振用電極を表裏主面に有した圧電振動素子が搭載されている。この圧電振動素子を囲繞する素子搭載部材の第１の枠部の頂面には金属製の蓋部材を被せられ、接合されている。これにより第１の凹部空間と第２の凹部空間が気密封止されている。
また、サーミスタ素子搭載パッド上には、半田等の導電性接合材を介して接続されるサーミスタ素子が搭載されている。
サーミスタ素子は、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子を介して圧電デバイスの外へ出力される。この出力された抵抗値の変化から電圧が変化するため、電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、そのときの電圧から温度情報を得ることができる。例えば、電子機器等のメインＩＣ内で温度情報に換算することができる。
また、外部接続用電極端子は、２個一対の水晶振動素子用電極端子と、２個一対のサーミスタ素子用電極端子により構成されている。その水晶振動素子用電極端子は、対角に配置されている。また、サーミスタ素子用電極端子も同様に、対角に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２０５９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の圧電デバイスにおいては、２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とによって外部接続用電極端子が構成されているので、グランド端子が設けられていない。よって、蓋部材が電気的に浮いた状態になっていた。このように前記蓋部材に外部から筐体などのグランドが近づいた場合、圧電振動素子の励振用電極と筐体との間で浮遊容量が生じ、圧電振動素子の発振周波数が変動してしまうといった課題があった。
【０００５】
また、従来の圧電デバイスにおいては、２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とによって外部接続用電極端子が構成されているので、グランド端子が設けられていないことによって、サーミスタ素子にノイズが重畳してしまうといった課題もあった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、圧電振動素子の発振周波数の変動を低減することができる圧電デバイスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の圧電デバイスは、基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部と、基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部とからなる素子搭載部材と、基板部と第１の枠部とで形成される第１の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、基板部と第２の枠部とで形成される第２の凹部空間内に露出した基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、第１の凹部空間を気密封止する蓋部材と、第２の枠部の基板部の他方の主面と同一方向を向く面の４角に２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とから構成される外部接続用電極端子と、備え、２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続され、グランドと接続されることを特徴とするものである。
【０００８】
前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の圧電デバイスによれば、２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続されていることによって、その１つのサーミスタ素子用電極端子をグランドに接続することで、蓋部材がグランドに接続されることになる。よって、前記蓋部材に外部から筐体などのグランドが近づいても、圧電振動素子の励振用電極と筐体との間で浮遊容量が生じないため、圧電振動素子の発振周波数が変動することを低減することができる。
【００１０】
また、本発明の圧電デバイスによれば、２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが蓋部材と電気的に接続され、その１つのサーミスタ素子用電極端子をグランドに接続し、前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることによって、圧電振動素子の励振用電極及び蓋部材と、グランドと接続されているサーミスタ素子用電極端子とで挟まれた状態になるために、サーミスタ素子にノイズが重畳することを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る圧電デバイスを圧電振動素子搭載側からみた平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る圧電デバイスをサーミスタ素子搭載側からみた平面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の一方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の基板部の一方の主面からみた平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の内層の一方の主面からみた平面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材の基板部の他方の主面からみた平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスを構成する素子搭載部材を他方の主面からみた平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。
【００１３】
本発明の実施形態に係る圧電デバイス１００は、図１及び図２に示すように、素子搭載部材１１０と圧電振動素子１２０と蓋部材１３０とサーミスタ素子１４０で主に構成されている。この圧電デバイス１００は、前記素子搭載部材１１０に形成されている第１の凹部空間Ｋ１内に圧電振動素子１２０が搭載され、第２の凹部空間Ｋ２内には、サーミスタ素子１４０が搭載されている。その第１の凹部空間Ｋ１が蓋部材１３０により気密封止された構造となっている。
【００１４】
圧電振動素子１２０は、図１及び図２に示すように、水晶素板１２１に励振用電極１２２を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板１２１は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極１２２は、前記水晶素板１２１の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子１２０は、その両主面に被着されている励振用電極１２２から延出する引き出し電極１２３と第１の凹部空間Ｋ１内底面に形成されている圧電振動素子搭載パッド１１１とを、導電性接着剤ＤＳを介して電気的且つ機械的に接続することによって第１の凹部空間Ｋ１に搭載される。このときの引き出し電極１２３が設けられた一辺とは反対側の自由端となる端辺を圧電振動素子１２０の先端部とする。
【００１５】
図１〜図２に示すサーミスタ素子１４０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された抵抗値を電圧に換算することで、換算して得られた電圧から温度情報を得ることができる。サーミスタ素子１４０は、その温度での抵抗値が、外部接続用電極端子Ｇを介して圧電デバイス１００の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された抵抗値を電圧に換算することで温度情報を得ることができる。
サーミスタ素子１４０は、図２に示すように、素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内に露出した後述する基板部１１０ａに設けられたサーミスタ素子搭載パッド１１２に半田等の導電性接合材ＨＤを介して搭載されている。
【００１６】
サーミスタ素子１４０は、図３及び図４に示すように、素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２の長辺側壁部と平行になるように搭載されている。つまり、サーミスタ素子１４０は、素子搭載部材１１０の長辺側外周縁部と平行になるように搭載されている。
また、サーミスタ素子１４０は、図３に示すように、前記素子搭載部材１１０に前記圧電振動素子１２０と前記サーミスタ素子１４０とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に位置するように、第２の凹部空間Ｋ２内に搭載されている。つまり、図３に示すように、サーミスタ素子１４０は、圧電振動素子１２０の励振用電極１２２の直下にある第２の凹部空間Ｋ２内に搭載され、前記励振用電極１２２からはみ出ることがなく、平面視で励振用電極１２２が設けられている面積内に設けられている。
【００１７】
図１〜図２に示すように、素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａと、第１の枠部１１０ｂ、第２の枠部１１０ｃとで主に構成されている。
この素子搭載部材１１０は、前記基板部１１０ａの一方の主面に第１の枠部１１０ｂが設けられて、第１の凹部空間Ｋ１が形成されている。また、素子搭載部材１１０の他方の主面に第２の枠部１１０ｃが設けられて、第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。
尚、この素子搭載部材１１０を構成する基板部１１０ａ及び第２の枠部１１０ｃは、例えばアルミナセラミックス、ガラス−セラミックス等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。
第１の枠部１１０ｂは、４２アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている。
また、第１の枠部１１０ｂは、基板部１１０ａの一方の主面の外周を囲繞するように設けられた封止用導体膜ＨＢ上にロウ付けなどにより接続される。
第１の凹部空間Ｋ１内で露出した基板部１１０ａの一方の主面には、２個一対の圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている。
また、図１〜図３に示すように素子搭載部材１１０は、基板部１１０ａの他方の主面と第２の枠部１１０ｃによって第２の凹部空間Ｋ２が形成されている。
第２の凹部空間Ｋ２内で露出した基板部１１０ａの他方の主面には、サーミスタ素子搭載パッド１１２が設けられている。
【００１８】
前記素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの圧電振動素子搭載パッド１１１が設けられている面とは反対側の主面の４隅には、外部接続用電極端子Ｇが設けられている。
外部接続用電極端子Ｇは、２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１と２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２により構成されている。
２個一対の圧電振動素子用電極端子Ｇ１は、前記素子搭載部材１１０の第２の枠部１１０ｃの他方の主面の対角に設けられている。
また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は第２の枠部１１０ｃの前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている位置と異なる２つの隅部に設けられている。つまり、前記サーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記圧電振動素子用電極端子Ｇ１が設けられている対角とは異なる第２の枠部１１０ｃの対角に設けられている。
【００１９】
張り出し部Ｋ３は、図４に示すように、前記素子搭載部材１１０の前記第２の枠部１１０ｃの同一辺側で隣接しあう２つの外部接続用電極端子Ｇ間に張り出すようにして設けられている。
前記張り出し部Ｋ３は、隣接しあう２つ外部接続用電極端子Ｇの間に、第２の凹部空間Ｋ２の一部が延出するようにして設けられている。
この張り出し部Ｋ３には、前記サーミスタ素子用配線パターン１１６の一部が露出するようにして設けられている。また、前記張り出し部Ｋ３の長辺方向の長さＬ１は、約１００〜２００μｍである。
【００２０】
圧電振動素子搭載パッド１１１といずれかの外部接続用電極端子Ｇは、前記素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部１１０ａに形成された部分を有する圧電振動素子用配線パターン１１３と、基板部１１０ａに設けられた第１のビア導体１１４と、基板部１１０ａ及び第２の枠部１１０ｃの内部に形成された第２のビア導体１１５により接続されている。
つまり、図５及び図６に示すように、圧電振動素子搭載パッド１１１は、第１のビア導体１１４を介して圧電振動素子用配線パターン１１３の一端と接続されている。また、圧電振動素子用配線パターン１１３の他端は、第２のビア導体１１５を介して圧電振動素子用電極端子Ｇ１と接続されている。よって、圧電振動素子搭載パッド１１１は、圧電振動素子用電極端子Ｇ１と電気的に接続されることになる。
【００２１】
また、サーミスタ素子搭載パッド１１２とサーミスタ素子用電極端子Ｇ２は、前記素子搭載部材１１０の第２の凹部空間Ｋ２内の基板部１１０ａに形成された部分を有するサーミスタ素子用配線パターン１１６と第２の枠部１１０ｃの内部に形成された第３のビア導体１１７により接続されている。
つまり、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すようにサーミスタ素子搭載パッド１１２は、サーミスタ素子用配線パターン１１６の一端と接続されている。また、サーミスタ素子用配線パターン１１６の他端は、第３のビア導体１１７を介してサーミスタ素子用電極端子Ｇ２と接続されている。よって、サーミスタ素子用搭載パッド１１２は、サーミスタ素子用電極端子Ｇ２と電気的に接続されることになる。
【００２２】
第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６は、図６（ｂ）に示すように、前記張り出し部Ｋ３に素子搭載部材１１０の長辺側外周縁部と平行で、搭載後のサーミスタ素子１４０と平行になるように設けられている。
【００２３】
また、前記第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６の長さＬ２が等しくなっている。つまり、２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６の長さＬ２が同じ長さになっている。
第２の凹部空間Ｋ２内底面に露出している２個一対のサーミスタ素子用配線パターン１１６の長さＬ２は、約２００〜２５０μｍである。
【００２４】
また、図２及び図５（ａ）に示すように、第１の枠部１１０ｂは、第３のビア導体１１７と第４のビア導体１１８とを介して、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２と電気的に接続されることになる。
つまり、第１の枠部１１０ｂとサーミスタ素子１４０の一端は、第３のビア導体１１７を介して電気的に接続されることになる。
また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つは、蓋部材１３０と電気的に接続され、グランドと接続されることになる。
【００２５】
蓋部材１３０は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などからなる。このような蓋部材１３０は、第１の凹部空間Ｋ１を、窒素ガスや真空などで気密的に封止される。具体的には、蓋部材１３０は、所定雰囲気で、素子搭載部材１１０の第１の枠部１１０ｂ上に載置され、第１の枠部１１０ｂの表面の金属と蓋部材１３０の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、第１の枠部１１０ｂに接合される。
蓋部材１３０は、図２（ｂ）に示すように、第１の枠部１１０ｂを介して、第４のビア導体１１８と接続されている。また、この第４のビア導体１１８は、第３のビア導体１１７の１つを介して、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つと接続されている。つまり、蓋部材１３０は、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つと電気的に接続される。
また、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つは、グランドに接続される。つまり、蓋部材１３０は、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の内の１つを介して、グランドと接続されることになる。
【００２６】
前記導電性接着剤ＤＳは、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
【００２７】
尚、前記素子搭載部材１１０は、アルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面に圧電振動素子搭載パッド１１１、サーミスタ素子搭載パッド１１２、封止用導体膜ＨＢ、外部接続用電極端子Ｇ等となる導体ペーストを、また、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に第１のビア導体１１４、第２のビア導体１１５、第３のビア導体１１７等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することにより製作される。
【００２８】
本発明の圧電デバイス１００によれば、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の１つが蓋部材１３０と電気的に接続されていることによって、その１つのサーミスタ素子用電極端子Ｇ２をグランドに接続することで、蓋部材１３０がグランドに接続されることになる。よって、前記蓋部材１３０に外部から筐体（図示せず）などのグランドが近づいても、圧電振動素子１２０の励振用電極１２２と筐体（図示せず）との間で浮遊容量が生じないため、発振周波数が変動することを低減することができる。
【００２９】
本発明の圧電デバイス１００によれば、サーミスタ素子１４０は、素子搭載部材１１０に圧電振動素子１２０とサーミスタ素子１４０とを搭載した状態で、平面視で圧電振動素子１２０に設けられる励振用電極１２２の平面内に前記サーミスタ素子１４０を位置させ、２個一対のサーミスタ素子用電極端子Ｇ２の１つが蓋部材１３０と電気的に接続され、その１つのサーミスタ素子用電極端子Ｇ２をグランドに接続することで、励振用電極１２２とグランドと接続されているサーミスタ素子用電極端子Ｇ２とで挟まれた状態になるために、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子１４０にノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子１４０の値を出力することができる。
つまり、蓋部材１３０及び励振用電極１２２と、グランドに接続されているサーミスタ素子用電極端子Ｇ２とによって、挟みこむようにしてサーミスタ素子１４０がノイズから保護されるので、従来の圧電デバイスに比べてサーミスタ素子１４０にノイズが重畳することを低減し、正確なサーミスタ素子１４０の値を出力することができる。
また、サーミスタ素子１４０から正確な出力値を出力することができるので、サーミスタ素子１４０から出力された抵抗値を換算することで得られた電圧から温度情報を得ることができる。このようにして得られた温度情報と、実際の圧電振動素子１２０の周囲の温度情報との差異を低減することが可能となる。
【００３０】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
例えば、前記した本実施形態では、圧電振動素子１２０を構成する圧電素材として水晶を用いた場合を説明したが、他の圧電素材として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを圧電素材として用いた圧電振動素子でも構わない。
【００３１】
また、前記した実施形態では、素子搭載部材１１０を構成する第１の枠部１１０ｂは、４２アロイやコバール等の金属から成り、中心が打ち抜かれた枠状になっている場合を説明したが、第１の枠部１１０ｂがセラミック材料からなり、中心が打ち抜かれた枠状になっていても構わない。また、その際には、第１の枠部１１０ｂの主面には、封止用導体パターンが設けられ、蓋部材１３０に設けられた封止部材１３１と接合されることで、第１の凹部空間Ｋ１内が気密封止される。
【符号の説明】
【００３２】
１１０・・・素子搭載部材
１１０ａ・・・基板部
１１０ｂ・・・第１の枠部
１１０ｃ・・・第２の枠部
１１１・・・圧電振動素子搭載パッド
１１２・・・サーミスタ素子搭載パッド
１２０・・・圧電振動素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０・・・蓋部材
１４０・・・サーミスタ素子
１００・・・圧電デバイス
Ｋ１・・・第１の凹部空間
Ｋ２・・・第２の凹部空間
ＤＳ・・・導電性接着剤
ＨＤ・・・導電性接合材
ＨＢ・・・封止用導体膜
Ｇ・・・外部接続用電極端子
Ｇ１・・・圧電振動素子用電極端子
Ｇ２・・・サーミスタ素子用電極端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部と、前記基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部とからなる素子搭載部材と、
前記基板部と前記第１の枠部とで形成される第１の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、
前記基板部と前記第２の枠部とで形成される第２の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、
前記第１の凹部空間を気密封止する蓋部材と、
前記第２の枠部の前記基板部の他方の主面と同一方向を向く面の４角に２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とから構成される外部接続用電極端子と、を備え、
前記２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが前記蓋部材と電気的に接続され、グランドに接続されることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることを特徴とする請求項１記載の圧電デバイス。
【請求項１】
基板部と、この基板部の一方の主面に設けられる第１の枠部と、前記基板部の他方の主面に設けられる第２の枠部とからなる素子搭載部材と、
前記基板部と前記第１の枠部とで形成される第１の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、
前記基板部と前記第２の枠部とで形成される第２の凹部空間内に露出した前記基板部の主面に設けられたサーミスタ素子搭載パッドに搭載されているサーミスタ素子と、
前記第１の凹部空間を気密封止する蓋部材と、
前記第２の枠部の前記基板部の他方の主面と同一方向を向く面の４角に２個一対の圧電振動素子用電極端子と２個一対のサーミスタ素子用電極端子とから構成される外部接続用電極端子と、を備え、
前記２個一対のサーミスタ素子用電極端子の１つが前記蓋部材と電気的に接続され、グランドに接続されることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記素子搭載部材に前記圧電振動素子と前記サーミスタ素子とを搭載した状態で、平面視で前記圧電振動素子に設けられる励振用電極の平面内に前記サーミスタ素子を位置させて構成されていることを特徴とする請求項１記載の圧電デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１４２６８３（Ｐ２０１２−１４２６８３Ａ）
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２９２３２３（Ｐ２０１０−２９２３２３）
【出願日】平成２２年１２月２８日（２０１０．１２．２８）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラクリスタルデバイス株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２８日（２０１０．１２．２８）
【出願人】（０００１０４７２２）京セラクリスタルデバイス株式会社 (870)
【Ｆターム（参考）】
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