基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理システム
【課題】基板を露光処理する前に、各種の処理モジュールにより基板に各種の処理を行う際に基板に発生した塵埃が、露光装置の基板保持機構の接触部に付着することを防止できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転可能に保持した基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせされた基板を所定の処理を行う基板処理部２３に搬送し、基板処理部２３に設けられた第１の接触部８２と接触させることによって基板を保持する第１の保持工程と、基板に所定の処理を行った後、基板を露光装置に搬送し、露光装置に設けられた第２の接触部と接触させることによって基板を保持する第２の保持工程とを有する。第１の接触部８２は、回転角度位置が所定範囲内のとき、基板が第１の接触部８２に接触する領域が、基板が第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている。
【解決手段】回転可能に保持した基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせされた基板を所定の処理を行う基板処理部２３に搬送し、基板処理部２３に設けられた第１の接触部８２と接触させることによって基板を保持する第１の保持工程と、基板に所定の処理を行った後、基板を露光装置に搬送し、露光装置に設けられた第２の接触部と接触させることによって基板を保持する第２の保持工程とを有する。第１の接触部８２は、回転角度位置が所定範囲内のとき、基板が第１の接触部８２に接触する領域が、基板が第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、基板上、すなわち例えば半導体ウェハ等のウェハ上に、塗布処理、露光処理、及び現像処理などを順次行うことによって、所定のレジストパターンが形成される。塗布処理では、レジスト液を塗布し、塗布したレジスト液を熱処理することによってレジスト膜を形成する。露光処理では、形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに露光する。現像処理では、露光されたレジスト膜を現像する。
【０００３】
上述のレジストパターンの形成に係るフォトリソグラフィー工程では、塗布モジュールにより行う塗布処理において、ウェハの裏面に塵埃が発生することがある。ウェハの裏面に塵埃が発生すると、露光装置により行う露光処理において、ウェハの裏面と、露光装置の基板保持機構のウェハとの接触部との間に、発生した塵埃が挟まれることがある。ウェハの裏面と接触部との間に塵埃が挟まれた状態で露光処理が実施されると、ウェハの水平度及び高さ位置の位置精度が悪化し、所定の回路パターンの転写精度が悪化するおそれがある。
【０００４】
そこで、塗布処理を行う塗布モジュールの基板保持台のウェハとの接触部と、露光装置の基板保持機構のウェハとの接触部とが、互いに異なる位置でウェハと接触するように、それぞれの接触部を配置させる方法が用いられている（例えば特許文献１、２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２９７８６１９号公報
【特許文献２】特許第２６１５１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述したように、塗布モジュール及び露光装置のそれぞれの接触部が互いに異なる位置でウェハに接触するように配置して、塗布処理及び露光処理を行う場合、次のような問題がある。
【０００７】
塗布モジュールの接触部に対するウェハの水平面内の相対位置と、露光装置の接触部に対するウェハの水平面内の相対位置とがずれたときは、ウェハが塗布モジュールの接触部に接触する領域と、ウェハが露光装置の接触部に接触する領域とが重なるおそれがある。
【０００８】
例えば、塗布モジュールの接触部に対するウェハの回転角度位置と、露光装置の接触部に対するウェハの回転角度位置とがずれたときは、ウェハが塗布モジュールの接触部に接触する領域と、ウェハが露光装置の接触部に接触する領域とが重なるおそれがある。
【０００９】
また、上記した塵埃の発生する課題は、基板を露光処理する前に塗布モジュールにより基板に塗布処理を行う場合に限られず、基板を露光処理する前に各種の処理モジュールにより基板に加熱処理又は冷却処理等の各種の処理を行う場合に共通する課題である。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板を露光処理する前に、各種の処理モジュールにより基板に各種の処理を行う際に基板に発生した塵埃が、露光装置の基板保持機構の接触部に付着することを防止できる基板処理方法及び基板処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の一実施例によれば、基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法において、基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ工程と、前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を、前記所定の処理を行う基板処理部に搬送し、搬送した前記基板と前記基板処理部に設けられた第１の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第１の保持工程と、前記基板に前記所定の処理を行った後、前記基板を前記露光装置に搬送し、搬送した前記基板と前記露光装置に設けられた第２の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第２の保持工程とを有し、前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の他の一実施例によれば、基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理システムにおいて、基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ部と、前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部により搬送された前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第１の接触部を含み、保持した前記基板に前記所定の処理を行う基板処理部とを有し、前記露光装置は、前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第２の接触部を含むものであって、前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理システムが提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を露光処理する前に、各種の処理モジュールにより基板に各種の処理を行う際に基板に発生した塵埃が、露光装置の基板保持機構の接触部に付着することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。
【図４】第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】フォークを拡大して示す平面図である。
【図６】受け渡しモジュールの概略の構成を示す側面図である。
【図７】受け渡しモジュールにおける検出部とウェハのノッチとの位置関係の概略を示す平面図である。
【図８】露光装置の概略の構成を示す説明図である。
【図９】露光装置におけるウェハチャックの上面図である。
【図１０】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面がフォークの真空吸着ピンに接触する領域との位置関係を示す図である。
【図１１】塗布モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面が塗布モジュールの真空吸着ピンに接触する領域との位置関係を示す図である。
【図１３】加熱モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１４】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面が加熱モジュールの突き上げピンに接触する領域との位置関係を示す図である。
【図１５】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面がそれぞれフォーク、塗布モジュール及び加熱モジュールの突き上げピン等に接触する領域との位置関係を示す図（その１）である。
【図１６】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面がそれぞれフォーク、塗布モジュール及び加熱モジュールの突き上げピン等に接触する領域との位置関係を示す図（その２）である。
【図１７】角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えた場合であって、ウェハの裏面が各処理モジュールに設けられた突き上げピン等に接触して塵埃が発生したときに、ウェハを露光する際の塵埃の状態を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施の形態）
始めに、本発明の実施の形態に係る基板処理方法及び基板処理システムについて説明する。
【００１７】
先ず、図１から図４を参照し、本実施の形態に係る基板処理システムに露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図２は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図３は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を示す斜視図である。
【００１９】
レジストパターン形成装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックＳ３側に、露光装置Ｓ４が設けられている。処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側と反対側に、処理ブロックＳ２に隣接するように設けられている。露光装置Ｓ４は、インターフェイスブロックＳ３の処理ブロックＳ２側と反対側に、インターフェイスブロックＳ３に隣接するように設けられている。
【００２０】
キャリアブロックＳ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０からウェハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウェハＷを受け取り、キャリア２０に戻すためのものである。
【００２１】
処理ブロックＳ２は、図２に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。
【００２２】
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウェハＷが搬送される。
【００２３】
本実施の形態では、例えば棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１は、ウェハＷの切欠部（ノッチ）ＷＮのウェハＷ中心を回転軸とする回転角度位置を位置合わせする位置合わせ機能を有している。受け渡しモジュールＴＲＳ１は、本発明における位置合わせ部に相当するものであり、受け渡しモジュールＴＲＳ１の詳細な構成については、後述する。
【００２４】
棚ユニットＵ２は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。
【００２５】
なお、図３において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００２６】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１内に、上下２段に積層されている。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するためのものである。
【００２７】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００２８】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。
【００２９】
ここで、図４を参照し、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を代表し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を説明する。
【００３０】
第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３及び搬送アームＡ３を有する。棚ユニットＵ３は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列されている。
【００３１】
なお、塗布モジュール２３は、本発明における基板処理部に相当するものであり、塗布モジュール２３の詳細な構成については、後述する。
【００３２】
搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。図４中２４は、各処理モジュールと搬送アームＡ３との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送口である。
【００３３】
搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂ、基台３１、回転機構３２、及び昇降台３４を有する。
【００３４】
２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている。基台３１は、回転機構３２により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂは、図示しない進退機構により、基台３１から、例えば、後述する塗布モジュール２３のスピンチャック８１に進退自在に設けられている。
【００３５】
次に、フォーク３Ａ、３Ｂの構成について説明する。また、以下では、フォーク３Ａ、３Ｂを代表してフォーク３Ａについて説明するが、フォーク３Ｂもフォーク３Ａと同様の構成とすることができる。
【００３６】
図５は、フォーク３Ａを拡大して示す平面図である。
【００３７】
フォーク３Ａは、円弧状に形成され、搬送するウェハＷの周囲を囲むように設けられている。また、フォーク３Ａには、保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが形成されている。保持爪４Ａ〜４Ｄは、フォーク３Ａの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハＷの周辺部に接触することによってウェハＷを保持するものである。図５に示す例では、ウェハＷの周辺部を異なる４箇所で保持するために、４個の保持爪４Ａ〜４Ｄが設けられている。
【００３８】
保持爪４Ａ〜４Ｄの各々には、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄが設けられている。真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、保持爪４Ａ〜４ＤがウェハＷの周辺部に接触するときに、ウェハＷの周辺部を真空吸着することによって、ウェハＷを保持爪４Ａ〜４Ｄに保持するものである。また、図５に示すように、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、上面が円形形状を有しており、その上面に吸着孔４２Ａ〜４２Ｄが形成されている。吸着孔４２Ａ〜４２Ｄは、図示しない真空配管を介し、図示しない真空排気部に接続されている。これにより、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、ウェハＷの裏面の周辺部を例えば異なる４箇所で真空吸着して支持できるように設けられている。
【００３９】
なお、搬送アームＡ３は、本発明における基板搬送部に相当する。また、真空吸着ピン４１Ａ〜４１ＤがウェハＷの裏面に接触する領域は、図１０を用いて後述する。
【００４０】
昇降台３４は、図４に示すように、回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００４１】
インターフェイスブロックＳ３は、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウェハＷが搬送される。
【００４２】
図６は、受け渡しモジュールＴＲＳ１の概略の構成を示す側面図である。また、図７は、受け渡しモジュールＴＲＳ１における検出部５２とウェハＷのノッチＷＮとの位置関係の概略を示す平面図である。
【００４３】
受け渡しモジュールＴＲＳ１は、前述したように、ウェハＷを位置合わせする位置合わせ工程を行うための機能を有する。各ウェハＷには、位置合わせを行うための基準として、ウェハＷの周縁の一部を直線的に切断した、いわゆるオリエンテーションフラット（ＷＦ）と称される切欠部（ｃｕｔ−ｏｕｔ）や、ウェハＷの周縁の一部に凹みを形成したいわゆるノッチ（ＷＮ）と称される切欠部が形成されている。従って、ウェハＷに形成された小さな切欠部を基準として位置合わせを行うノッチアライメント処理するための機能であってもよい。以下では、ノッチＷＮを有するウェハＷについて、ノッチＷＮの位置合わせを行う例について、説明する。
【００４４】
図６に示すように、受け渡しモジュールＴＲＳ１は、ケーシング５０の中に、載置台５１と、載置台５１に載置されたウェハＷの周縁を例えば上下から挟むように対向して配設された検出部５２とを備えている。載置台５１はウェハＷが載置されることによって、ウェハＷを保持する。載置台５１は、載置台５１の中心を回転軸として回転可能に設けられており、回転駆動部５３により回転される。検出部５２は、例えば一対の発光素子５４と受光素子５５とを備えており、載置台５１に保持されたウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を検出する。すなわち、受け渡しモジュールＴＲＳ１は、載置台５１に保持されたウェハＷを回転駆動部５３により回転させ、例えば一対の発光素子５４と受光素子５５とを備えた検出部５２により、ウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を検出する。そして、検出したノッチＷＮの回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、載置台５１を回転駆動部５３により所定角度回転させることによって、ウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせする。後述するように、露光装置Ｓ４においてもウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせする。そのため、露光処理前のウェハＷに所定の基板処理するときと、露光処理するときとで、ノッチＷＮの回転角度位置が同一になるように位置合わせすることができる。
【００４５】
また、受け渡しモジュールＴＲＳ１は、載置台５１に保持されたウェハＷを回転駆動部５３により回転させ、検出部５２により、ウェハＷの周辺部の位置を検出するものであってもよい。そして、フォーク３Ａが、ウェハＷを保持する際に、検出されたウェハＷの周辺部の位置に基づいて、ウェハＷの水平方向の位置を補正するものであってもよい。後述するように、露光装置Ｓ４においてもウェハＷの周辺部の水平方向の位置を補正する。そのため、露光処理前のウェハＷに所定の処理を行う時のノッチＷＮの回転角度位置を、露光処理する時のノッチＷＮの回転角度位置と等しくなるように位置合わせすることができる。
【００４６】
図８は、露光装置Ｓ４の概略の構成を示す説明図である。図９は、露光装置Ｓ４におけるウェハチャック６１の上面図である。
【００４７】
図８に示すように、露光装置Ｓ４内には、ウェハチャック６１が設けられており、表面にレジスト膜が形成されたウェハＷは、ウェハチャック６１により固定支持例えば真空吸着支持されるようになっている。ウェハチャック６１は、Ｘ−Ｙテーブル６２上に固定されている。Ｘ−Ｙテーブル６２は、θ軸駆動用モータ６３の駆動により、ウェハチャック６１に支持されているウェハＷをθ方向に回転駆動可能に設けられている。また、Ｘ−Ｙテーブル６２は、Ｘ軸駆動用モータ６４及びＹ軸駆動用モータ６５の各駆動によって、ウェハチャック６１に支持されているウェハＷがＸ軸方向及びＹ軸方向にステップ駆動可能に設けられている。
【００４８】
また、露光装置Ｓ４は、図示しない撮像装置によりウェハＷのノッチＷＮを撮像しながらθ軸駆動用モータ６３によりウェハＷをθ回転させることで、ウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせできる。また、露光装置Ｓ４は、図示しない撮像装置によりウェハＷに形成された例えばアライメントマークを撮像しながらＸ軸駆動用モータ６４及びＹ軸駆動用モータ６５によりウェハＷを水平移動させることで、ウェハＷの周辺部の水平位置を補正できる。
【００４９】
ウェハチャック６１の上方には、上側から下側に向かって順次、光源６６、集光レンズ６７、露光マスク６８、縮小投影レンズ６９が配置されている。露光用マスク６８は、ウェハＷ上の一つのチップ面積を所定倍率で拡大した面積を有する。光源６６より発せられた光を、集光レンズ６７を介して露光用マスク６８に導き、透過光パターンを、縮小投影レンズ６９を介してウェハＷ上に投影することによって、ウェハＷ上の一つのチップに微細パターンを投影焼き付けすることができる。また、Ｘ−Ｙテーブル６２のステップ移動によって、ウェハＷ上の全てのチップ上に投影焼き付けすることができる。
【００５０】
図９に示すように、ウェハチャック６１の上面は、一様に平坦な構造ではなく無数の柱状ピン７０が上面から突出するように設けられている。具体的には、例えば柱状ピン７０の直径Ｄ１を１ｍｍとし、ピッチＰ１を３ｍｍとすることができる。
【００５１】
なお、柱状ピン７０は、本発明における第２の接触部に相当する。
【００５２】
図１０は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面がフォーク３Ａ、３Ｂの真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄに接触する領域４１ａとの位置関係を示す図である。
【００５３】
図１０に示すように、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、ウェハＷの裏面が真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄに接触する領域４１ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４に設けられた柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている。例えば、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた状態で、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａが、ウェハＷが真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄの吸着孔４２Ａ〜４２Ｄに吸着される領域に含まれていればよい。これにより、ウェハＷをフォーク３Ａ、３Ｂにより搬送する際に、ウェハＷの裏面と真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄとが接触してウェハＷ裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、ウェハＷが露光される際に、ウェハＷと柱状ピン７０との間に塵埃が挟まることによって焦点が合わなくなることを防止できる。
【００５４】
なお、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、本発明における第３の接触部に相当する。
【００５５】
図１１は、塗布モジュール２３の構成の概略を示す縦断面図である。図１２は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面が塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２に接触する領域８２ａとの位置関係を示す図である。
【００５６】
図１１に示すように、塗布モジュール２３は、ケーシング８０を有し、そのケーシング８０内の中央部には、ウェハＷを保持するスピンチャック８１が設けられている。スピンチャック８１は、水平な上面を有し、上面の周縁部には、ウェハＷの裏面に接触する真空吸着ピン８２がスピンチャック８１の上面から突出するように設けられている。真空吸着ピン８２の上面には、ウェハＷを吸引する吸着孔８３が形成されている。ウェハＷの裏面と真空吸着ピン８２とを接触させ、接触したウェハＷの裏面を吸着孔８３により吸引することによって、ウェハＷをスピンチャック８１上に保持できる。
【００５７】
なお、塗布モジュール２３は、本発明における基板処理部に相当し、真空吸着ピン８２は、本発明における第１の接触部に相当する。
【００５８】
スピンチャック８１は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構８４を有し、そのチャック駆動機構８４により、スピンチャック８１の中心を回転軸として所定の速度で回転可能である。また、チャック駆動機構８４には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック８１は上下動可能である。
【００５９】
スピンチャック８１の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ８５が設けられている。カップ８５の下面には、回収した液体を排出する排出管８６と、カップ８５内の雰囲気を排気する排気管８７が接続されている。
【００６０】
スピンチャック８１の上方には、塗布液としてのレジスト液を吐出するレジスト液ノズル８８が設けられている。レジスト液ノズル８８には、レジスト液供給源８８ａに連通する供給管８８ｂが接続されている。また、供給管８８ｂには、バルブ８８ｃが設けられており、このバルブ８８ｃの開閉により、レジスト液の吐出をＯＮ・ＯＦＦできる。
【００６１】
図１２に示すように、真空吸着ピン８２は、ウェハＷの裏面が真空吸着ピン８２に接触する領域８２ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている。例えば、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた状態で、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａが、ウェハＷが真空吸着ピン８２の吸着孔８３に吸着される領域に含まれていればよい。これにより、ウェハＷを塗布モジュール２３により塗布処理する際に、ウェハＷの裏面と真空吸着ピン８２とが接触してウェハＷ裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、ウェハＷが露光される際に、ウェハＷと柱状ピン７０との間に塵埃が挟まることによって焦点が合わなくなることを防止できる。
【００６２】
また、図１２に示すように、ウェハＷの裏面が塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２に接触する領域８２ａは、４つの直線部分よりなる矩形形状を有していてもよい。すなわち、真空吸着ピン８２の上面は、４つの直線部分よりなる矩形形状を有していてもよい。
【００６３】
図１３は、加熱モジュール９０の構成の概略を示す縦断面図である。図１４は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面が加熱モジュール９０の突き上げピン９３に接触する領域９３ａとの位置関係を示す図である。
【００６４】
図１３に示すように、加熱モジュール９０は、処理容器９１、熱板９２、突き上げピン９３、昇降機構９４を有する。加熱モジュール９０は、ウェハＷに対して熱処理を行うものである。処理容器９１内には、熱板９２が設けられている。熱板９２には、図示しないヒータが内蔵されているとともに、突き上げピン９３が設けられている。昇降機構９４は突き上げピン９３を昇降させる。突き上げピン９３は、フォーク３Ａから熱板９２にウェハＷを受け取る際に、昇降機構９４により突き上げピン９３を上昇させ、上昇した突き上げピン９３とウェハＷの裏面とを接触させることによってウェハＷを保持する。
【００６５】
なお、加熱モジュール９０は、本発明における基板処理部に相当し、突き上げピン９３は、本発明における第１の接触部に相当する。
【００６６】
図１４に示すように、突き上げピン９３は、ウェハＷの裏面が突き上げピン９３に接触する領域９３ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている。これにより、ウェハＷを加熱モジュール９０により加熱処理する際に、ウェハＷの裏面と突き上げピン９３とが接触してウェハＷ裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、ウェハＷが露光される際に、ウェハＷと柱状ピン７０との間に塵埃が挟まることによって焦点が合わなくなることを防止できる。
【００６７】
また、図１４に示すように、ウェハＷの裏面が加熱モジュール９０の突き上げピン９３に接触する領域９３ａは、十字形状を有していてもよい。すなわち、突き上げピン９３の上面は、十字形状を有していてもよい。
【００６８】
なお、本実施の形態では、突き上げピン９３が、ウェハＷの裏面が突き上げピン９３に接触する領域９３ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている例について説明した。しかし、熱板９２に突き上げピン９３以外の支持ピンが設けられているときは、支持ピンは、ウェハＷの裏面が支持ピンに接触する領域が、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられていてもよい。あるいは、冷却モジュール等各種の加熱・冷却系モジュールの突き上げピン又は支持ピンも、ウェハＷの裏面がそれらの突き上げピン又は支持ピンと接触する領域が、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられていてもよい。
【００６９】
以上のような構成を有するレジストパターン形成装置における塗布現像処理は、図１に示すように、制御部１００により制御される。制御部１００は、演算処理部１０１、記憶部１０２及び表示部１０３を有する。
【００７０】
演算処理部１０１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部１０１は、記憶部１０２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。
【００７１】
記憶部１０２は、演算処理部１０１に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magnetoptical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。
【００７２】
表示部１０３は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部１０３では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
【００７３】
次に、上記の如く説明したレジストパターン形成装置におけるレジストパターン形成方法について説明する。なお、レジストパターン形成方法は、本発明における基板処理方法に相当する。
【００７４】
キャリアブロックＳ１からのウェハＷは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送され、受け渡しモジュールＴＲＳ１において、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされる。
【００７５】
前述したように、載置台５１に、載置台５１の中心を回転軸として回転可能にウェハＷを保持し、保持したウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を、検出部５２により検出する。そして、検出した回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、回転駆動部５３により回転角度位置を位置合わせする。例えば、検出した回転角度位置の基準位置からの角度ずれをΔθとするとき、角度ずれΔθがΔθ１以下になるように、回転角度位置を位置合わせする（位置合わせ工程）。
【００７６】
なお、受け渡しモジュールＴＲＳ１において、ノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせするとともに、載置台５１に保持されたウェハＷの周辺部の位置を検出部５２により検出してもよい。
【００７７】
そして、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた後、ウェハＷは、他の受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウェハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。
【００７８】
このとき、塗布モジュール２３での処理後、加熱モジュール９０による処理前に、搬送アームＡ２により再び受け渡しモジュールＴＲＳ１にウェハＷを搬送し、ノッチＷＮの回転角度位置の位置合わせを行うことが好ましい。
【００７９】
反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウェハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷにレジスト膜が形成される。
【００８０】
このとき、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされたウェハＷを搬送アームＡ３のフォーク３Ａに設けられた真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄに接触させることによって、ウェハＷを保持する。フォーク３ＡによりウェハＷを保持する工程は、本発明における第３の保持工程に相当する。
【００８１】
そして、フォーク３Ａに保持されたウェハＷを塗布モジュール２３に搬送し、搬送したウェハＷの裏面と塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２とを接触させることによって、ウェハＷをスピンチャック８１により保持する。また、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされたウェハＷを搬送アームＡ３により加熱モジュール９０に搬送し、搬送したウェハＷの裏面と加熱モジュール９０の突き上げピン９３とを接触させることによって、ウェハＷを熱板９２により保持する。なお、ウェハＷをスピンチャック８１又は熱板９２により保持する工程は、本発明における第１の保持工程に相当する。
【００８２】
なお、受け渡しモジュールＴＲＳ１において、ノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせするとともに、載置台５１に保持されたウェハＷの周辺部の位置を検出部５２により検出してもよい。このときは、ウェハＷをスピンチャック８１又は突き上げピン９３により保持する際に、ウェハＷは、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされているとともに、検出したウェハＷの周辺部の位置に基づいて、水平方向の位置も補正されている。
【００８３】
ウェハＷの水平方向の位置が補正されていないときでも、載置台５１が、ウェハＷを、ウェハＷの略中心として回転可能に保持した状態で、ノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせすることができる。しかし、ウェハＷの水平方向の位置が補正されているときは、ウェハＷの中心位置を、載置台５１の回転中心位置に精度よく位置合わせできる。従って、ノッチＷＮの回転角度位置をより精度よく位置合わせできる。
【００８４】
また、塗布モジュール２３でのレジスト液の塗布処理の後、加熱モジュール９０による加熱処理の前に、搬送アームＡ３により再び受け渡しモジュールＴＲＳ１にウェハＷを搬送し、ノッチＷＮの回転角度位置の位置合わせを行うことが好ましい。
【００８５】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。
【００８６】
また、レジスト膜が形成されたウェハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００８７】
レジスト膜が形成されたウェハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡されたウェハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。
【００８８】
インターフェイスアームＦに受け渡されたウェハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。このとき、搬送されたウェハＷは、露光装置Ｓ４のウェハチャック６１に受け渡され、ウェハＷの裏面と柱状ピン７０とを接触させることによって、ウェハチャック６１に保持される。このウェハチャック６１によりウェハＷを保持する工程は、本発明における第２の保持工程に相当する。
【００８９】
そして、ウェハチャック６１に受け渡されたウェハＷは、Ｘ−Ｙテーブル６２のθ軸駆動用モータ６３によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされ、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた状態で、ウェハＷが露光処理される。これにより、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。
【００９０】
なお、露光装置Ｓ４のウェハチャック６１に受け渡されたウェハＷは、Ｘ−Ｙテーブル６２のＸ軸駆動用モータ６４及びＹ軸駆動用モータ６５により周辺部の水平位置が補正され、周辺部の水平位置が補正された状態で、ウェハＷが露光処理される。従って、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりウェハＷの水平方向の位置も補正されているときは、露光処理前の各種の基板処理の際のウェハＷの中心位置を、露光処理の際のウェハＷの中心位置に更に精度よく位置合わせできる。そのため、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを更に防止できる。
【００９１】
所定の露光処理が行われたウェハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻され、レジストパターン形成処理が終了する。
【００９２】
次に、本実施の形態に係る基板処理方法であるレジストパターン形成方法によれば、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できることについて説明する。
【００９３】
図１５及び図１６は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面がそれぞれフォーク３Ａ、塗布モジュール２３及び加熱モジュール９０の突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａとの位置関係を示す図である。図１５は、基準位置からの回転角度位置の角度ずれΔθが許容上限値Δθ１以下のときを示す。図１６は、基準位置からの回転角度位置の角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えるときを示す。
【００９４】
また、図１７は、角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えた場合であって、ウェハＷの裏面が各処理モジュールに設けられた突き上げピン等に接触して塵埃ＤＳが発生したときに、ウェハを露光する際の塵埃ＤＳの状態を模式的に示す図である。
【００９５】
各処理モジュール内で突き上げピン９３等がウェハＷ裏面に接触する際（図１７（ａ）参照。）、接触時の突き上げピン９３等の勢い、突き上げピン９３等の硬さ、突き上げピン９３等の上面の平坦度等に影響され、ウェハＷの裏面を傷付けることがある（図１７（ｂ）参照。）。すると、傷付けられたウェハＷの裏面から発生した塵埃ＤＳが突き上げピン９３等に付着する（図１７（ｃ）参照。）。そして、塵埃ＤＳが付着した突き上げピン９３が再度ウェハＷの裏面に接触することにより（図１７（ｄ）参照。）、ウェハＷの裏面に塵埃ＤＳが付着する（図１７（ｅ）参照。）
図１６に示すように、角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えるときは、ノッチＷＮの回転角度位置が本来の位置である基準位置近傍にはない。そのため、ウェハＷの裏面が各処理モジュールの突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａと、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａとが重なるおそれがある。このとき、裏面に塵埃ＤＳが付着したウェハＷが露光装置Ｓ４に搬入されると（図１７（ｆ）参照。）、ウェハＷの裏面に付着した塵埃ＤＳが柱状ピン７０とウェハＷとの間に挟まれ、ウェハＷが変形することによって、露光の際の焦点が合わなくなる（図１７（ｇ）参照。）。
【００９６】
一方、図１５に示すように、角度ずれΔθが許容上限値Δθ１以下であるときは、ノッチＷＮの回転角度位置が本来の位置である基準位置近傍にある。そのため、ウェハＷの裏面が各処理モジュールの突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａは、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａに重ならない。従って、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃ＤＳが、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、塵埃ＤＳが柱状ピン７０とウェハＷとの間に挟まれ、ウェハＷが変形することを防止できるため、露光の際の焦点が合わなくなることを防止できる。
【００９７】
このような許容上限値Δθ１は、以下のような方法により、予め調整することができる。レジストパターンを形成するためのウェハに代え、ダミーウェハを用いる。このダミーウェハとしては、例えば、フォーク３Ａ、３Ｂの真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄ、塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２の接触、加熱モジュール９０の突き上げピン９３の接触の履歴を記録できる、例えば圧力センサ機能を有するテストウェハであることが好ましい。そして、ダミーウェハを受け渡しモジュールＴＲＳ１の載置台５１に保持し、ダミーウェハのノッチＷＮの回転角度位置を基準位置からずらした状態で、各処理モジュールでの処理を行う。その結果、ウェハＷの裏面が各処理モジュールの突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａと、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａとが重ならない回転角度位置であって、基準位置からの角度ずれが最大となるような回転角度位置を決定する。
【００９８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００９９】
３Ａ、３Ｂ フォーク
２３ 塗布モジュール
４１Ａ〜４１Ｄ 真空吸着ピン
５１ 載置台
５２ 検出部
５３ 回転駆動部
６１ ウェハチャック
７０ 柱状ピン
８１ スピンチャック
８２ 真空吸着ピン
９０ 加熱モジュール
９２ 熱板
９３ 突き上げピン
１００ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、基板上、すなわち例えば半導体ウェハ等のウェハ上に、塗布処理、露光処理、及び現像処理などを順次行うことによって、所定のレジストパターンが形成される。塗布処理では、レジスト液を塗布し、塗布したレジスト液を熱処理することによってレジスト膜を形成する。露光処理では、形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに露光する。現像処理では、露光されたレジスト膜を現像する。
【０００３】
上述のレジストパターンの形成に係るフォトリソグラフィー工程では、塗布モジュールにより行う塗布処理において、ウェハの裏面に塵埃が発生することがある。ウェハの裏面に塵埃が発生すると、露光装置により行う露光処理において、ウェハの裏面と、露光装置の基板保持機構のウェハとの接触部との間に、発生した塵埃が挟まれることがある。ウェハの裏面と接触部との間に塵埃が挟まれた状態で露光処理が実施されると、ウェハの水平度及び高さ位置の位置精度が悪化し、所定の回路パターンの転写精度が悪化するおそれがある。
【０００４】
そこで、塗布処理を行う塗布モジュールの基板保持台のウェハとの接触部と、露光装置の基板保持機構のウェハとの接触部とが、互いに異なる位置でウェハと接触するように、それぞれの接触部を配置させる方法が用いられている（例えば特許文献１、２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２９７８６１９号公報
【特許文献２】特許第２６１５１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述したように、塗布モジュール及び露光装置のそれぞれの接触部が互いに異なる位置でウェハに接触するように配置して、塗布処理及び露光処理を行う場合、次のような問題がある。
【０００７】
塗布モジュールの接触部に対するウェハの水平面内の相対位置と、露光装置の接触部に対するウェハの水平面内の相対位置とがずれたときは、ウェハが塗布モジュールの接触部に接触する領域と、ウェハが露光装置の接触部に接触する領域とが重なるおそれがある。
【０００８】
例えば、塗布モジュールの接触部に対するウェハの回転角度位置と、露光装置の接触部に対するウェハの回転角度位置とがずれたときは、ウェハが塗布モジュールの接触部に接触する領域と、ウェハが露光装置の接触部に接触する領域とが重なるおそれがある。
【０００９】
また、上記した塵埃の発生する課題は、基板を露光処理する前に塗布モジュールにより基板に塗布処理を行う場合に限られず、基板を露光処理する前に各種の処理モジュールにより基板に加熱処理又は冷却処理等の各種の処理を行う場合に共通する課題である。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板を露光処理する前に、各種の処理モジュールにより基板に各種の処理を行う際に基板に発生した塵埃が、露光装置の基板保持機構の接触部に付着することを防止できる基板処理方法及び基板処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の一実施例によれば、基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法において、基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ工程と、前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を、前記所定の処理を行う基板処理部に搬送し、搬送した前記基板と前記基板処理部に設けられた第１の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第１の保持工程と、前記基板に前記所定の処理を行った後、前記基板を前記露光装置に搬送し、搬送した前記基板と前記露光装置に設けられた第２の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第２の保持工程とを有し、前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の他の一実施例によれば、基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理システムにおいて、基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ部と、前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部により搬送された前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第１の接触部を含み、保持した前記基板に前記所定の処理を行う基板処理部とを有し、前記露光装置は、前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第２の接触部を含むものであって、前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理システムが提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板を露光処理する前に、各種の処理モジュールにより基板に各種の処理を行う際に基板に発生した塵埃が、露光装置の基板保持機構の接触部に付着することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。
【図４】第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】フォークを拡大して示す平面図である。
【図６】受け渡しモジュールの概略の構成を示す側面図である。
【図７】受け渡しモジュールにおける検出部とウェハのノッチとの位置関係の概略を示す平面図である。
【図８】露光装置の概略の構成を示す説明図である。
【図９】露光装置におけるウェハチャックの上面図である。
【図１０】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面がフォークの真空吸着ピンに接触する領域との位置関係を示す図である。
【図１１】塗布モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１２】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面が塗布モジュールの真空吸着ピンに接触する領域との位置関係を示す図である。
【図１３】加熱モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１４】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面が加熱モジュールの突き上げピンに接触する領域との位置関係を示す図である。
【図１５】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面がそれぞれフォーク、塗布モジュール及び加熱モジュールの突き上げピン等に接触する領域との位置関係を示す図（その１）である。
【図１６】ウェハの裏面が露光装置の柱状ピンに接触する領域と、ウェハの裏面がそれぞれフォーク、塗布モジュール及び加熱モジュールの突き上げピン等に接触する領域との位置関係を示す図（その２）である。
【図１７】角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えた場合であって、ウェハの裏面が各処理モジュールに設けられた突き上げピン等に接触して塵埃が発生したときに、ウェハを露光する際の塵埃の状態を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施の形態）
始めに、本発明の実施の形態に係る基板処理方法及び基板処理システムについて説明する。
【００１７】
先ず、図１から図４を参照し、本実施の形態に係る基板処理システムに露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。
【００１８】
図１は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図２は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図３は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を示す斜視図である。
【００１９】
レジストパターン形成装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックＳ３側に、露光装置Ｓ４が設けられている。処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側と反対側に、処理ブロックＳ２に隣接するように設けられている。露光装置Ｓ４は、インターフェイスブロックＳ３の処理ブロックＳ２側と反対側に、インターフェイスブロックＳ３に隣接するように設けられている。
【００２０】
キャリアブロックＳ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０からウェハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウェハＷを受け取り、キャリア２０に戻すためのものである。
【００２１】
処理ブロックＳ２は、図２に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。
【００２２】
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウェハＷが搬送される。
【００２３】
本実施の形態では、例えば棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１は、ウェハＷの切欠部（ノッチ）ＷＮのウェハＷ中心を回転軸とする回転角度位置を位置合わせする位置合わせ機能を有している。受け渡しモジュールＴＲＳ１は、本発明における位置合わせ部に相当するものであり、受け渡しモジュールＴＲＳ１の詳細な構成については、後述する。
【００２４】
棚ユニットＵ２は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。
【００２５】
なお、図３において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００２６】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１内に、上下２段に積層されている。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するためのものである。
【００２７】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００２８】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。
【００２９】
ここで、図４を参照し、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を代表し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を説明する。
【００３０】
第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３及び搬送アームＡ３を有する。棚ユニットＵ３は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列されている。
【００３１】
なお、塗布モジュール２３は、本発明における基板処理部に相当するものであり、塗布モジュール２３の詳細な構成については、後述する。
【００３２】
搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。図４中２４は、各処理モジュールと搬送アームＡ３との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送口である。
【００３３】
搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂ、基台３１、回転機構３２、及び昇降台３４を有する。
【００３４】
２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている。基台３１は、回転機構３２により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂは、図示しない進退機構により、基台３１から、例えば、後述する塗布モジュール２３のスピンチャック８１に進退自在に設けられている。
【００３５】
次に、フォーク３Ａ、３Ｂの構成について説明する。また、以下では、フォーク３Ａ、３Ｂを代表してフォーク３Ａについて説明するが、フォーク３Ｂもフォーク３Ａと同様の構成とすることができる。
【００３６】
図５は、フォーク３Ａを拡大して示す平面図である。
【００３７】
フォーク３Ａは、円弧状に形成され、搬送するウェハＷの周囲を囲むように設けられている。また、フォーク３Ａには、保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが形成されている。保持爪４Ａ〜４Ｄは、フォーク３Ａの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハＷの周辺部に接触することによってウェハＷを保持するものである。図５に示す例では、ウェハＷの周辺部を異なる４箇所で保持するために、４個の保持爪４Ａ〜４Ｄが設けられている。
【００３８】
保持爪４Ａ〜４Ｄの各々には、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄが設けられている。真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、保持爪４Ａ〜４ＤがウェハＷの周辺部に接触するときに、ウェハＷの周辺部を真空吸着することによって、ウェハＷを保持爪４Ａ〜４Ｄに保持するものである。また、図５に示すように、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、上面が円形形状を有しており、その上面に吸着孔４２Ａ〜４２Ｄが形成されている。吸着孔４２Ａ〜４２Ｄは、図示しない真空配管を介し、図示しない真空排気部に接続されている。これにより、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、ウェハＷの裏面の周辺部を例えば異なる４箇所で真空吸着して支持できるように設けられている。
【００３９】
なお、搬送アームＡ３は、本発明における基板搬送部に相当する。また、真空吸着ピン４１Ａ〜４１ＤがウェハＷの裏面に接触する領域は、図１０を用いて後述する。
【００４０】
昇降台３４は、図４に示すように、回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００４１】
インターフェイスブロックＳ３は、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウェハＷが搬送される。
【００４２】
図６は、受け渡しモジュールＴＲＳ１の概略の構成を示す側面図である。また、図７は、受け渡しモジュールＴＲＳ１における検出部５２とウェハＷのノッチＷＮとの位置関係の概略を示す平面図である。
【００４３】
受け渡しモジュールＴＲＳ１は、前述したように、ウェハＷを位置合わせする位置合わせ工程を行うための機能を有する。各ウェハＷには、位置合わせを行うための基準として、ウェハＷの周縁の一部を直線的に切断した、いわゆるオリエンテーションフラット（ＷＦ）と称される切欠部（ｃｕｔ−ｏｕｔ）や、ウェハＷの周縁の一部に凹みを形成したいわゆるノッチ（ＷＮ）と称される切欠部が形成されている。従って、ウェハＷに形成された小さな切欠部を基準として位置合わせを行うノッチアライメント処理するための機能であってもよい。以下では、ノッチＷＮを有するウェハＷについて、ノッチＷＮの位置合わせを行う例について、説明する。
【００４４】
図６に示すように、受け渡しモジュールＴＲＳ１は、ケーシング５０の中に、載置台５１と、載置台５１に載置されたウェハＷの周縁を例えば上下から挟むように対向して配設された検出部５２とを備えている。載置台５１はウェハＷが載置されることによって、ウェハＷを保持する。載置台５１は、載置台５１の中心を回転軸として回転可能に設けられており、回転駆動部５３により回転される。検出部５２は、例えば一対の発光素子５４と受光素子５５とを備えており、載置台５１に保持されたウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を検出する。すなわち、受け渡しモジュールＴＲＳ１は、載置台５１に保持されたウェハＷを回転駆動部５３により回転させ、例えば一対の発光素子５４と受光素子５５とを備えた検出部５２により、ウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を検出する。そして、検出したノッチＷＮの回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、載置台５１を回転駆動部５３により所定角度回転させることによって、ウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせする。後述するように、露光装置Ｓ４においてもウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせする。そのため、露光処理前のウェハＷに所定の基板処理するときと、露光処理するときとで、ノッチＷＮの回転角度位置が同一になるように位置合わせすることができる。
【００４５】
また、受け渡しモジュールＴＲＳ１は、載置台５１に保持されたウェハＷを回転駆動部５３により回転させ、検出部５２により、ウェハＷの周辺部の位置を検出するものであってもよい。そして、フォーク３Ａが、ウェハＷを保持する際に、検出されたウェハＷの周辺部の位置に基づいて、ウェハＷの水平方向の位置を補正するものであってもよい。後述するように、露光装置Ｓ４においてもウェハＷの周辺部の水平方向の位置を補正する。そのため、露光処理前のウェハＷに所定の処理を行う時のノッチＷＮの回転角度位置を、露光処理する時のノッチＷＮの回転角度位置と等しくなるように位置合わせすることができる。
【００４６】
図８は、露光装置Ｓ４の概略の構成を示す説明図である。図９は、露光装置Ｓ４におけるウェハチャック６１の上面図である。
【００４７】
図８に示すように、露光装置Ｓ４内には、ウェハチャック６１が設けられており、表面にレジスト膜が形成されたウェハＷは、ウェハチャック６１により固定支持例えば真空吸着支持されるようになっている。ウェハチャック６１は、Ｘ−Ｙテーブル６２上に固定されている。Ｘ−Ｙテーブル６２は、θ軸駆動用モータ６３の駆動により、ウェハチャック６１に支持されているウェハＷをθ方向に回転駆動可能に設けられている。また、Ｘ−Ｙテーブル６２は、Ｘ軸駆動用モータ６４及びＹ軸駆動用モータ６５の各駆動によって、ウェハチャック６１に支持されているウェハＷがＸ軸方向及びＹ軸方向にステップ駆動可能に設けられている。
【００４８】
また、露光装置Ｓ４は、図示しない撮像装置によりウェハＷのノッチＷＮを撮像しながらθ軸駆動用モータ６３によりウェハＷをθ回転させることで、ウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせできる。また、露光装置Ｓ４は、図示しない撮像装置によりウェハＷに形成された例えばアライメントマークを撮像しながらＸ軸駆動用モータ６４及びＹ軸駆動用モータ６５によりウェハＷを水平移動させることで、ウェハＷの周辺部の水平位置を補正できる。
【００４９】
ウェハチャック６１の上方には、上側から下側に向かって順次、光源６６、集光レンズ６７、露光マスク６８、縮小投影レンズ６９が配置されている。露光用マスク６８は、ウェハＷ上の一つのチップ面積を所定倍率で拡大した面積を有する。光源６６より発せられた光を、集光レンズ６７を介して露光用マスク６８に導き、透過光パターンを、縮小投影レンズ６９を介してウェハＷ上に投影することによって、ウェハＷ上の一つのチップに微細パターンを投影焼き付けすることができる。また、Ｘ−Ｙテーブル６２のステップ移動によって、ウェハＷ上の全てのチップ上に投影焼き付けすることができる。
【００５０】
図９に示すように、ウェハチャック６１の上面は、一様に平坦な構造ではなく無数の柱状ピン７０が上面から突出するように設けられている。具体的には、例えば柱状ピン７０の直径Ｄ１を１ｍｍとし、ピッチＰ１を３ｍｍとすることができる。
【００５１】
なお、柱状ピン７０は、本発明における第２の接触部に相当する。
【００５２】
図１０は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面がフォーク３Ａ、３Ｂの真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄに接触する領域４１ａとの位置関係を示す図である。
【００５３】
図１０に示すように、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、ウェハＷの裏面が真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄに接触する領域４１ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４に設けられた柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている。例えば、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた状態で、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａが、ウェハＷが真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄの吸着孔４２Ａ〜４２Ｄに吸着される領域に含まれていればよい。これにより、ウェハＷをフォーク３Ａ、３Ｂにより搬送する際に、ウェハＷの裏面と真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄとが接触してウェハＷ裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、ウェハＷが露光される際に、ウェハＷと柱状ピン７０との間に塵埃が挟まることによって焦点が合わなくなることを防止できる。
【００５４】
なお、真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄは、本発明における第３の接触部に相当する。
【００５５】
図１１は、塗布モジュール２３の構成の概略を示す縦断面図である。図１２は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面が塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２に接触する領域８２ａとの位置関係を示す図である。
【００５６】
図１１に示すように、塗布モジュール２３は、ケーシング８０を有し、そのケーシング８０内の中央部には、ウェハＷを保持するスピンチャック８１が設けられている。スピンチャック８１は、水平な上面を有し、上面の周縁部には、ウェハＷの裏面に接触する真空吸着ピン８２がスピンチャック８１の上面から突出するように設けられている。真空吸着ピン８２の上面には、ウェハＷを吸引する吸着孔８３が形成されている。ウェハＷの裏面と真空吸着ピン８２とを接触させ、接触したウェハＷの裏面を吸着孔８３により吸引することによって、ウェハＷをスピンチャック８１上に保持できる。
【００５７】
なお、塗布モジュール２３は、本発明における基板処理部に相当し、真空吸着ピン８２は、本発明における第１の接触部に相当する。
【００５８】
スピンチャック８１は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構８４を有し、そのチャック駆動機構８４により、スピンチャック８１の中心を回転軸として所定の速度で回転可能である。また、チャック駆動機構８４には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック８１は上下動可能である。
【００５９】
スピンチャック８１の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ８５が設けられている。カップ８５の下面には、回収した液体を排出する排出管８６と、カップ８５内の雰囲気を排気する排気管８７が接続されている。
【００６０】
スピンチャック８１の上方には、塗布液としてのレジスト液を吐出するレジスト液ノズル８８が設けられている。レジスト液ノズル８８には、レジスト液供給源８８ａに連通する供給管８８ｂが接続されている。また、供給管８８ｂには、バルブ８８ｃが設けられており、このバルブ８８ｃの開閉により、レジスト液の吐出をＯＮ・ＯＦＦできる。
【００６１】
図１２に示すように、真空吸着ピン８２は、ウェハＷの裏面が真空吸着ピン８２に接触する領域８２ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている。例えば、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた状態で、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａが、ウェハＷが真空吸着ピン８２の吸着孔８３に吸着される領域に含まれていればよい。これにより、ウェハＷを塗布モジュール２３により塗布処理する際に、ウェハＷの裏面と真空吸着ピン８２とが接触してウェハＷ裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、ウェハＷが露光される際に、ウェハＷと柱状ピン７０との間に塵埃が挟まることによって焦点が合わなくなることを防止できる。
【００６２】
また、図１２に示すように、ウェハＷの裏面が塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２に接触する領域８２ａは、４つの直線部分よりなる矩形形状を有していてもよい。すなわち、真空吸着ピン８２の上面は、４つの直線部分よりなる矩形形状を有していてもよい。
【００６３】
図１３は、加熱モジュール９０の構成の概略を示す縦断面図である。図１４は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面が加熱モジュール９０の突き上げピン９３に接触する領域９３ａとの位置関係を示す図である。
【００６４】
図１３に示すように、加熱モジュール９０は、処理容器９１、熱板９２、突き上げピン９３、昇降機構９４を有する。加熱モジュール９０は、ウェハＷに対して熱処理を行うものである。処理容器９１内には、熱板９２が設けられている。熱板９２には、図示しないヒータが内蔵されているとともに、突き上げピン９３が設けられている。昇降機構９４は突き上げピン９３を昇降させる。突き上げピン９３は、フォーク３Ａから熱板９２にウェハＷを受け取る際に、昇降機構９４により突き上げピン９３を上昇させ、上昇した突き上げピン９３とウェハＷの裏面とを接触させることによってウェハＷを保持する。
【００６５】
なお、加熱モジュール９０は、本発明における基板処理部に相当し、突き上げピン９３は、本発明における第１の接触部に相当する。
【００６６】
図１４に示すように、突き上げピン９３は、ウェハＷの裏面が突き上げピン９３に接触する領域９３ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている。これにより、ウェハＷを加熱モジュール９０により加熱処理する際に、ウェハＷの裏面と突き上げピン９３とが接触してウェハＷ裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、ウェハＷが露光される際に、ウェハＷと柱状ピン７０との間に塵埃が挟まることによって焦点が合わなくなることを防止できる。
【００６７】
また、図１４に示すように、ウェハＷの裏面が加熱モジュール９０の突き上げピン９３に接触する領域９３ａは、十字形状を有していてもよい。すなわち、突き上げピン９３の上面は、十字形状を有していてもよい。
【００６８】
なお、本実施の形態では、突き上げピン９３が、ウェハＷの裏面が突き上げピン９３に接触する領域９３ａが、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられている例について説明した。しかし、熱板９２に突き上げピン９３以外の支持ピンが設けられているときは、支持ピンは、ウェハＷの裏面が支持ピンに接触する領域が、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられていてもよい。あるいは、冷却モジュール等各種の加熱・冷却系モジュールの突き上げピン又は支持ピンも、ウェハＷの裏面がそれらの突き上げピン又は支持ピンと接触する領域が、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと重ならないような位置に、設けられていてもよい。
【００６９】
以上のような構成を有するレジストパターン形成装置における塗布現像処理は、図１に示すように、制御部１００により制御される。制御部１００は、演算処理部１０１、記憶部１０２及び表示部１０３を有する。
【００７０】
演算処理部１０１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部１０１は、記憶部１０２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。
【００７１】
記憶部１０２は、演算処理部１０１に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magnetoptical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。
【００７２】
表示部１０３は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部１０３では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
【００７３】
次に、上記の如く説明したレジストパターン形成装置におけるレジストパターン形成方法について説明する。なお、レジストパターン形成方法は、本発明における基板処理方法に相当する。
【００７４】
キャリアブロックＳ１からのウェハＷは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送され、受け渡しモジュールＴＲＳ１において、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされる。
【００７５】
前述したように、載置台５１に、載置台５１の中心を回転軸として回転可能にウェハＷを保持し、保持したウェハＷのノッチＷＮの回転角度位置を、検出部５２により検出する。そして、検出した回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、回転駆動部５３により回転角度位置を位置合わせする。例えば、検出した回転角度位置の基準位置からの角度ずれをΔθとするとき、角度ずれΔθがΔθ１以下になるように、回転角度位置を位置合わせする（位置合わせ工程）。
【００７６】
なお、受け渡しモジュールＴＲＳ１において、ノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせするとともに、載置台５１に保持されたウェハＷの周辺部の位置を検出部５２により検出してもよい。
【００７７】
そして、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた後、ウェハＷは、他の受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウェハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。
【００７８】
このとき、塗布モジュール２３での処理後、加熱モジュール９０による処理前に、搬送アームＡ２により再び受け渡しモジュールＴＲＳ１にウェハＷを搬送し、ノッチＷＮの回転角度位置の位置合わせを行うことが好ましい。
【００７９】
反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウェハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷにレジスト膜が形成される。
【００８０】
このとき、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされたウェハＷを搬送アームＡ３のフォーク３Ａに設けられた真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄに接触させることによって、ウェハＷを保持する。フォーク３ＡによりウェハＷを保持する工程は、本発明における第３の保持工程に相当する。
【００８１】
そして、フォーク３Ａに保持されたウェハＷを塗布モジュール２３に搬送し、搬送したウェハＷの裏面と塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２とを接触させることによって、ウェハＷをスピンチャック８１により保持する。また、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされたウェハＷを搬送アームＡ３により加熱モジュール９０に搬送し、搬送したウェハＷの裏面と加熱モジュール９０の突き上げピン９３とを接触させることによって、ウェハＷを熱板９２により保持する。なお、ウェハＷをスピンチャック８１又は熱板９２により保持する工程は、本発明における第１の保持工程に相当する。
【００８２】
なお、受け渡しモジュールＴＲＳ１において、ノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせするとともに、載置台５１に保持されたウェハＷの周辺部の位置を検出部５２により検出してもよい。このときは、ウェハＷをスピンチャック８１又は突き上げピン９３により保持する際に、ウェハＷは、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされているとともに、検出したウェハＷの周辺部の位置に基づいて、水平方向の位置も補正されている。
【００８３】
ウェハＷの水平方向の位置が補正されていないときでも、載置台５１が、ウェハＷを、ウェハＷの略中心として回転可能に保持した状態で、ノッチＷＮの回転角度位置を位置合わせすることができる。しかし、ウェハＷの水平方向の位置が補正されているときは、ウェハＷの中心位置を、載置台５１の回転中心位置に精度よく位置合わせできる。従って、ノッチＷＮの回転角度位置をより精度よく位置合わせできる。
【００８４】
また、塗布モジュール２３でのレジスト液の塗布処理の後、加熱モジュール９０による加熱処理の前に、搬送アームＡ３により再び受け渡しモジュールＴＲＳ１にウェハＷを搬送し、ノッチＷＮの回転角度位置の位置合わせを行うことが好ましい。
【００８５】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。
【００８６】
また、レジスト膜が形成されたウェハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００８７】
レジスト膜が形成されたウェハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡されたウェハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。
【００８８】
インターフェイスアームＦに受け渡されたウェハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。このとき、搬送されたウェハＷは、露光装置Ｓ４のウェハチャック６１に受け渡され、ウェハＷの裏面と柱状ピン７０とを接触させることによって、ウェハチャック６１に保持される。このウェハチャック６１によりウェハＷを保持する工程は、本発明における第２の保持工程に相当する。
【００８９】
そして、ウェハチャック６１に受け渡されたウェハＷは、Ｘ−Ｙテーブル６２のθ軸駆動用モータ６３によりノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされ、ノッチＷＮの回転角度位置が位置合わせされた状態で、ウェハＷが露光処理される。これにより、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。
【００９０】
なお、露光装置Ｓ４のウェハチャック６１に受け渡されたウェハＷは、Ｘ−Ｙテーブル６２のＸ軸駆動用モータ６４及びＹ軸駆動用モータ６５により周辺部の水平位置が補正され、周辺部の水平位置が補正された状態で、ウェハＷが露光処理される。従って、受け渡しモジュールＴＲＳ１によりウェハＷの水平方向の位置も補正されているときは、露光処理前の各種の基板処理の際のウェハＷの中心位置を、露光処理の際のウェハＷの中心位置に更に精度よく位置合わせできる。そのため、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを更に防止できる。
【００９１】
所定の露光処理が行われたウェハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻され、レジストパターン形成処理が終了する。
【００９２】
次に、本実施の形態に係る基板処理方法であるレジストパターン形成方法によれば、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃が、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できることについて説明する。
【００９３】
図１５及び図１６は、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａと、ウェハＷの裏面がそれぞれフォーク３Ａ、塗布モジュール２３及び加熱モジュール９０の突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａとの位置関係を示す図である。図１５は、基準位置からの回転角度位置の角度ずれΔθが許容上限値Δθ１以下のときを示す。図１６は、基準位置からの回転角度位置の角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えるときを示す。
【００９４】
また、図１７は、角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えた場合であって、ウェハＷの裏面が各処理モジュールに設けられた突き上げピン等に接触して塵埃ＤＳが発生したときに、ウェハを露光する際の塵埃ＤＳの状態を模式的に示す図である。
【００９５】
各処理モジュール内で突き上げピン９３等がウェハＷ裏面に接触する際（図１７（ａ）参照。）、接触時の突き上げピン９３等の勢い、突き上げピン９３等の硬さ、突き上げピン９３等の上面の平坦度等に影響され、ウェハＷの裏面を傷付けることがある（図１７（ｂ）参照。）。すると、傷付けられたウェハＷの裏面から発生した塵埃ＤＳが突き上げピン９３等に付着する（図１７（ｃ）参照。）。そして、塵埃ＤＳが付着した突き上げピン９３が再度ウェハＷの裏面に接触することにより（図１７（ｄ）参照。）、ウェハＷの裏面に塵埃ＤＳが付着する（図１７（ｅ）参照。）
図１６に示すように、角度ずれΔθが許容上限値Δθ１を超えるときは、ノッチＷＮの回転角度位置が本来の位置である基準位置近傍にはない。そのため、ウェハＷの裏面が各処理モジュールの突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａと、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａとが重なるおそれがある。このとき、裏面に塵埃ＤＳが付着したウェハＷが露光装置Ｓ４に搬入されると（図１７（ｆ）参照。）、ウェハＷの裏面に付着した塵埃ＤＳが柱状ピン７０とウェハＷとの間に挟まれ、ウェハＷが変形することによって、露光の際の焦点が合わなくなる（図１７（ｇ）参照。）。
【００９６】
一方、図１５に示すように、角度ずれΔθが許容上限値Δθ１以下であるときは、ノッチＷＮの回転角度位置が本来の位置である基準位置近傍にある。そのため、ウェハＷの裏面が各処理モジュールの突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａは、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａに重ならない。従って、露光処理前の各種の基板処理の際にウェハＷの裏面に発生した塵埃ＤＳが、露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に付着することを防止できる。そして、塵埃ＤＳが柱状ピン７０とウェハＷとの間に挟まれ、ウェハＷが変形することを防止できるため、露光の際の焦点が合わなくなることを防止できる。
【００９７】
このような許容上限値Δθ１は、以下のような方法により、予め調整することができる。レジストパターンを形成するためのウェハに代え、ダミーウェハを用いる。このダミーウェハとしては、例えば、フォーク３Ａ、３Ｂの真空吸着ピン４１Ａ〜４１Ｄ、塗布モジュール２３の真空吸着ピン８２の接触、加熱モジュール９０の突き上げピン９３の接触の履歴を記録できる、例えば圧力センサ機能を有するテストウェハであることが好ましい。そして、ダミーウェハを受け渡しモジュールＴＲＳ１の載置台５１に保持し、ダミーウェハのノッチＷＮの回転角度位置を基準位置からずらした状態で、各処理モジュールでの処理を行う。その結果、ウェハＷの裏面が各処理モジュールの突き上げピン９３等に接触する領域４１ａ、８２ａ、９３ａと、ウェハＷの裏面が露光装置Ｓ４の柱状ピン７０に接触する領域７０ａとが重ならない回転角度位置であって、基準位置からの角度ずれが最大となるような回転角度位置を決定する。
【００９８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００９９】
３Ａ、３Ｂ フォーク
２３ 塗布モジュール
４１Ａ〜４１Ｄ 真空吸着ピン
５１ 載置台
５２ 検出部
５３ 回転駆動部
６１ ウェハチャック
７０ 柱状ピン
８１ スピンチャック
８２ 真空吸着ピン
９０ 加熱モジュール
９２ 熱板
９３ 突き上げピン
１００ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法において、
基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ工程と、
前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を、前記所定の処理を行う基板処理部に搬送し、搬送した前記基板と前記基板処理部に設けられた第１の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第１の保持工程と、
前記基板に前記所定の処理を行った後、前記基板を前記露光装置に搬送し、搬送した前記基板と前記露光装置に設けられた第２の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第２の保持工程と
を有し、
前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理方法。
【請求項２】
前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を、前記基板を搬送する基板搬送部に設けられた第３の接触部に接触させることによって、前記基板を保持する第３の保持工程を有し、
前記第３の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第３の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記位置合わせ工程は、前記基板を保持した基板保持部を、前記基板保持部の中心を回転軸として回転させながら、前記回転角度位置を検出部により検出し、検出した前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせするものである、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記位置合わせ工程は、前記回転角度位置を位置合わせするとともに、前記基板保持部により保持した前記基板の周辺部の位置を前記検出部により検出するものであり、
前記第１の保持工程は、前記第１の接触部に接触させることによって前記基板を保持する際に、検出された前記周辺部の位置に基づいて、前記基板の水平方向の位置を補正するものである、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
コンピュータに請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項６】
基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理システムにおいて、
基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ部と、
前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部により搬送された前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第１の接触部を含み、保持した前記基板に前記所定の処理を行う基板処理部と
を有し、
前記露光装置は、前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第２の接触部を含むものであって、
前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理システム。
【請求項７】
前記基板搬送部は、前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第３の接触部を含み、
前記第３の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第３の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記位置合わせ部は、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部の中心を回転軸として前記基板保持部を回転させる回転部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記切欠部の回転角度位置を検出する検出部と
を有し、
前記基板を保持した前記基板保持部を前記回転部により回転させながら、前記回転角度位置を前記検出部により検出し、検出した前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせするものである、請求項６又は請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記位置合わせ部は、前記回転角度位置を位置合わせするとともに、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の位置を前記検出部により検出するものであり、
前記基板搬送部は、前記第１の接触部に接触させることによって前記基板を保持する際に、検出された前記周辺部の位置に基づいて、前記基板の水平方向の位置を補正するものである、請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１】
基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法において、
基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ工程と、
前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を、前記所定の処理を行う基板処理部に搬送し、搬送した前記基板と前記基板処理部に設けられた第１の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第１の保持工程と、
前記基板に前記所定の処理を行った後、前記基板を前記露光装置に搬送し、搬送した前記基板と前記露光装置に設けられた第２の接触部とを接触させることによって、前記基板を保持する第２の保持工程と
を有し、
前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理方法。
【請求項２】
前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を、前記基板を搬送する基板搬送部に設けられた第３の接触部に接触させることによって、前記基板を保持する第３の保持工程を有し、
前記第３の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第３の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記位置合わせ工程は、前記基板を保持した基板保持部を、前記基板保持部の中心を回転軸として回転させながら、前記回転角度位置を検出部により検出し、検出した前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせするものである、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記位置合わせ工程は、前記回転角度位置を位置合わせするとともに、前記基板保持部により保持した前記基板の周辺部の位置を前記検出部により検出するものであり、
前記第１の保持工程は、前記第１の接触部に接触させることによって前記基板を保持する際に、検出された前記周辺部の位置に基づいて、前記基板の水平方向の位置を補正するものである、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
コンピュータに請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項６】
基板を露光装置により露光する前に、前記基板に所定の処理を行う基板処理システムにおいて、
基板を、前記基板の略中心を回転軸として回転可能に保持し、保持した前記基板に形成されている切欠部の回転角度位置が基準位置から所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせする位置合わせ部と、
前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部により搬送された前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第１の接触部を含み、保持した前記基板に前記所定の処理を行う基板処理部と
を有し、
前記露光装置は、前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第２の接触部を含むものであって、
前記第１の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第１の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、基板処理システム。
【請求項７】
前記基板搬送部は、前記回転角度位置が位置合わせされた前記基板と接触させることによって前記基板を保持する第３の接触部を含み、
前記第３の接触部は、前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内のとき、前記基板が前記第３の接触部に接触する領域が、前記基板が前記第２の接触部に接触する領域と重ならないように設けられている、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記位置合わせ部は、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部の中心を回転軸として前記基板保持部を回転させる回転部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の前記切欠部の回転角度位置を検出する検出部と
を有し、
前記基板を保持した前記基板保持部を前記回転部により回転させながら、前記回転角度位置を前記検出部により検出し、検出した前記回転角度位置が前記基準位置から前記所定範囲内になるように、前記回転角度位置を位置合わせするものである、請求項６又は請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記位置合わせ部は、前記回転角度位置を位置合わせするとともに、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の位置を前記検出部により検出するものであり、
前記基板搬送部は、前記第１の接触部に接触させることによって前記基板を保持する際に、検出された前記周辺部の位置に基づいて、前記基板の水平方向の位置を補正するものである、請求項８に記載の基板処理システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−２３４９８７（Ｐ２０１２−２３４９８７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０２９７６（Ｐ２０１１−１０２９７６）
【出願日】平成２３年５月２日（２０１１．５．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２日（２０１１．５．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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