基板処理装置
【課題】溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部９９は、純水洗浄処理の後、ＨＦＥ／ＩＰＡを供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管３１に切り換えて、油水分離フィルタ３３により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、ＨＦＥ／ＩＰＡで置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなくＩＰＡもある程度除去されてＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液が減少するが、注入部３７によってＩＰＡを補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【解決手段】制御部９９は、純水洗浄処理の後、ＨＦＥ／ＩＰＡを供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管３１に切り換えて、油水分離フィルタ３３により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、ＨＦＥ／ＩＰＡで置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなくＩＰＡもある程度除去されてＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液が減少するが、注入部３７によってＩＰＡを補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対して処理液により処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、例えば、処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、処理槽の上部空間にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ガスを供給するノズルとを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。この装置では、処理槽に純水を供給して基板を洗浄した後、処理槽の上部空間にＩＰＡガスを供給してＩＰＡ雰囲気を形成する。そして、基板を処理槽の上部のＩＰＡ雰囲気に引き上げて移動させることで、基板に付着している純水がＩＰＡで置換されて乾燥が促される。
【特許文献１】特開平１０−２２２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、純水による洗浄を終えた基板を純水から引き上げ、ＩＰＡ雰囲気中に移動することにより、基板の乾燥をある程度は促進することができる一方、基板に形成された細かいパターンの間に付着している純水を充分に乾燥することができず、基板の乾燥不良が生じる恐れがある。
【０００４】
ところで、最近の半導体デバイスのうち、メモリ分野においては、集積度を従来よりも大幅に高める技術として、キャパシタの構造をシリンダ形状としたものが採用され始めている。このようなシリンダ構造のものは、縦横比が極めて大きく、その隙間に入り込んだ純水を充分に乾燥させることが特に難しく、上記の問題が顕著になっている。また、いわゆるマイクロマシン（ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems））関係のデバイスであっても、同様の問題が生じる恐れがある。
【０００５】
そこで、基板を引き上げる前の最終の処理液として純水を使うのではなく、純水を溶剤で置換した後に、基板を引き上げる手法が考えられる。しかしながら、この場合、純水に大量の溶剤を供給しても、基板の微細構造中に入り込んだ純水が次第に処理液中に溶け込み、処理液中における純水濃度が徐々に増加する現象が生じる。そのため、やはり純水に起因する乾燥不良が生じるとともに、基板を引き上げる際に純水の表面張力に起因して微細構造の倒れが生じる恐れがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を処理液で処理する基板処理装置において、処理液を貯留する内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた処理槽と、前記内槽と前記外槽とを連通接続し、処理液を循環させる供給配管と、処理液として純水を供給する純水供給手段と、処理液として溶剤を供給する溶剤供給手段と、前記供給配管を分流した分岐配管と、前記分岐配管に配設され、処理液中の純水を除去する純水除去手段と、前記純水除去手段よりも下流側にて前記供給配管に溶剤を注入する溶剤注入手段と、前記純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、前記溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行った後、前記分岐配管に切り換えて、前記純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行うとともに、前記溶剤注入手段によって溶剤を補充する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管に切り換えて、純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなく溶剤もある程度除去されて溶剤が減少するが、溶剤注入手段によって溶剤を補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【０００９】
また、本発明において、前記純水除去手段の上流側にあたる前記分岐配管に、流体を混合する第１のミキサと、前記第１のミキサの上流側にあたる前記分岐配管に、純水を注入する純水注入手段と、前記溶剤注入手段よりも下流側にあたる前記供給配管に、流体を混合する第２のミキサとを備え、前記制御手段は、処理液中の純水濃度が所定値より低下した場合には、前記純水注入手段から純水を注入し、その注入量と、前記純水除去手段によって除去される処理液の量との差分に、前記溶剤注入手段からの溶剤の注入量を加えた量がほぼゼロとなるように、前記純水注入手段、前記溶剤注入手段を制御することが好ましい（請求項２）。処理液中の純水濃度が所定値より低下すると、純水除去手段による純水除去効率が低下する。そこで、制御手段は、純水注入手段から純水を注入し、鼻薬のようにして純水の除去効率を維持する。その際、純水の注入量と、純水除去手段によって除去される処理液（溶剤＋純水）の量との差分に、溶剤注入手段からの溶剤の注入量を加えた量がほぼゼロとなるようにすることで、処理液中の溶剤濃度を一定にすることができる。
【００１０】
また、本発明において、前記純水除去手段は、油水を分離するフィルタと、前記フィルタを囲うハウジングと、前記ハウジングに設けられ、処理液が流入する流入部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタを通過した処理液が流出する流出部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタで分離された純水を排出する排出部と、前記フィルタを冷却する冷却手段と、を備えていることが好ましい（請求項３）。温度が低いほど溶剤への純水の溶解度を低くできるので、冷却手段によって冷却することにより純水と溶剤との分離効率を高くすることができる。
【００１１】
また、本発明において、前記純水除去手段は、溶剤を通過させるとともに純水を吸着する純水吸着除去手段であることが好ましい（請求項４）。微量の純水も吸着によって除去することができる。
【００１２】
また、本発明において、前記溶剤供給手段は、ＨＦＥ（ハイドロフロオロエーテル）を供給し、前記溶剤注入手段は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を注入することが好ましい（請求項５）。表面著力が小さいＨＦＥと、ＨＦＥよりは表面張力がＨＦＥより大きいものの、ＨＦＥよりコストが低いＩＰＡとの二種類を溶剤として使用することで、コストを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管に切り換えて、純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなく溶剤もある程度除去されて溶剤が減少するが、溶剤注入手段によって溶剤を補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１５】
処理槽１は、内槽３と外槽５を備えている。内槽３は、処理液を貯留し、保持アーム７によって保持された基板Ｗを収容可能になっている。保持アーム７は、板状のアームの下部に、基板Ｗの下縁に当接して基板Ｗを起立姿勢で支持する支持部材を備えている。この保持アーム７は、内槽３の内部にあたる「処理位置」と、内槽３の上方にあたる「待機位置」とにわたって昇降可能になっている。内槽３は、純水や溶剤またはこれらの混合液を処理液として貯留し、内槽３から溢れた処理液が内槽３の上部外周を囲うように設けられた外槽５によって回収される。内槽３の底部両側には、処理液を供給する二本の噴出管９が配設されている。
【００１６】
噴出管９には、供給配管１１の一端側が連通接続され、その他端側には外槽５の排出口１３が連通接続されている。供給配管１１は、外槽５側にあたる上流側から順に、三方弁１５と、ポンプ１７と、三方弁１９と、スタティックミキサ２１と、インラインヒータ２３とを備えている。三方弁１５は処理液の循環と排液とを切り換え、ポンプ１７は処理液を流通させ、三方弁１９は処理液の循環と純水除去（詳細後述）とを切り換える。インラインヒータ２３は、供給配管１１を流通する処理液を所定温度に加熱する。
【００１７】
供給配管１１は、三方弁１９の部分にて分流された分岐配管３１を備えている。この分岐配管３１は、処理液中の純水と溶剤とを分離するための油水分離フィルタ３３を備えている。
【００１８】
なお、上記の油水分離フィルタ３３が本発明における純水除去手段に相当する。
【００１９】
上記の分岐配管３１は、油水分離フィルタ３３の上流側にスタティックミキサ３５を備えている。スタティックミキサ３５は、その上流部に、分岐配管３１を流通する処理液に純水を注入するための注入部３７を備え、注入部３７への純水の注入流量を制御する流量制御弁３９を備えている。流量制御弁３９の上流側には、純水の流量を測定するための流量計４１が取り付けられている。スタティックミキサ３５は、詳細後述するが、駆動部がなく、流体を分割・転換・反転の作用により順次攪拌混合するものである。また、三方弁１９と分岐配管３１の間には、制御弁４３が配設され、分岐配管３１の最下流部には制御弁４５が配設されている。
【００２０】
なお、上述したスタティックミキサ３５が本発明における第１のミキサに相当し、スタティックミキサ２１が本発明における第２のミキサに相当する。また、注入部３７が本発明における純水注入手段に相当する。
【００２１】
上述したスタティックミキサ２１は、上述したスタティックミキサ３５と同様に、その上流側に、供給配管１１を流通する処理液にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を注入するための注入部４７を備えている。注入部４７は、注入流量を制御する流量制御弁４９を備えている。また、流量制御弁４９の上流部には、ＩＰＡ供給源からのＩＰＡの流量を測定するための流量計５１が取り付けられている。
【００２２】
なお、上記の注入部４７が本発明における溶剤注入手段に相当する。
【００２３】
外槽５に純水と、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）と、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とを供給するため、純水供給源５３と、ＨＦＥ供給源５５と、ＩＰＡ供給源５７とを備えている。純水供給源５３は、供給管５９を介して純水を外槽５に供給するものであり、その流量が供給管５９に配設された流量制御弁６１によって制御される。ＨＦＥ供給源５５は、供給管６３を介してＨＦＥを外槽５に供給し、その流量が供給管６３に取り付けられた流量制御弁６５によって制御される。ＩＰＡ供給源５７は、供給管６７を介して外槽５にＩＰＡを供給し、その流量が供給管６７に取り付けられた流量制御弁６９によって制御される。
【００２４】
なお、上記の純水供給源５３及び供給管５９が本発明における純水供給手段に相当し、ＨＦＥ供給源５５、ＩＰＡ供給源５７及び供給管６３，６７が本発明における溶剤供給手段に相当する。
【００２５】
次に、図２を参照する。なお、図２は、スタティックミキサの概略構成を示す縦断面図である。なお、スタティックミキサ２１，３５は同じ構成である。
【００２６】
スタティックミキサ２１（３５）は、筒状の本体部７３と、本体部７３内に配設された複数個のエレメント７５とを備えている。各エレメント７５は、長方形の板部材を１８０°ねじった形に形成され、隣接するエレメント７５はそれぞれ逆方向にねじって形成されたものである。このスタティックミキサ２１（３５）は、上述した注入部４７（３７）を上流部に備え、処理液に対してＩＰＡ（純水）を注入して、それらを分割・転換・反転の作用で攪拌混合する。特に、溶剤がＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のように、純水に対して完全には溶けない非水溶性である場合には、スタティックミキサ３５によって純水と溶剤とを混合してから油水分離フィルタ３３で分離を行うことで純水の分離効率を高めることができる。
【００２７】
次に、図３を参照する。なお、図３は、油水分離フィルタの概略構成を示す縦断面図である。
【００２８】
油水分離フィルタ３３は、ハウジング７７と、ハウジング７７底部の液導入部７９と、液導入部７９からの処理液を濾過するフィルタ８１と、フィルタ８１を通過した液体のうち、比重が大きいものを貯留する第１貯留部８３と、比重が小さいものを貯留する第２貯留部８５と、液導入部７９に処理液が流入する流入部８７と、第１貯留部８３内の液体を排出する第１排出部８９と、第２貯留部８５内の液体を排出する第２排出部９１と、ハウジング７７の外壁に沿って配設され、間接的にフィルタ８１を冷却するための冷却パイプ９３とを備えている。流入部８７は分岐管３１の上流側にあたり、第１排出部８９は分岐管３１の下流側にあたる。上述したフィルタ８１は、微分散した遊離液を超極細繊維フィルタにより捕捉し、凝集して粗大化する機能を備え、ミクロンオーダに微分散した遊離液をミリメートルオーダに粗大化させて、比重差によって瞬時に完全二層系に分散する。第２排出部９１には、排出流量を測定するための流量計９５が取り付けられている。
【００２９】
上記の冷却パイプ９３に冷媒を流通させることにより、純水と溶剤との分離効率を高くすることができる。温度が低いほど溶剤への純水の溶解度を低くできるからである。
【００３０】
なお、上記の第１排出部８９が本発明における流出部に相当し、第２排出部９１が本発明における排出部に相当し、冷却パイプ９３が本発明における冷却手段に相当する。
【００３１】
また、内槽３は、処理液中の純水濃度を測定するための濃度計９７を上部付近に備えている。この濃度計９７としては、例えば、赤外線吸収方式のものが挙げられる。
【００３２】
上述した保持アーム７の昇降や、ポンプ１７の作動／停止、インラインヒータ２３の温度制御、流量制御弁３９，４９，６１，６５，６９の流量制御、制御弁４３，４５の開閉制御、三方弁１５，１９の切り換え制御などは、本発明における制御手段に相当する制御部９９が統括的に制御する。また、流量計４１，５１，９５で測定された流量値は、制御部９９に与えられる。
【００３３】
また、制御部９９は、上述した各部を操作して、保持アーム７を処理位置に移動させ、処理液として純水を供給して「純水洗浄処理」を行った後、処理液に溶剤（ＨＦＥまたはＩＰＡ）を供給して純水を溶剤で置換する「置換処理」を行う。そして、油水分離フィルタ５１によって処理液中の純水を除去する「純水除去処理」を行う（詳細後述）。そして、処理液（溶剤）中の純水濃度が所定値以下となった場合にのみ、後述するように溶剤の補充動作を行う。「純水除去処理」の際、溶剤が純水に対して溶けにくい非水溶性である場合（例えば、ＨＦＥ）、スタティックミキサ３５を通して、純水と溶剤とを分割・転換・反転の作用により攪拌混合してから、油水分離フィルタ３３を通すようにして、油水分離フィルタ３３による分離効率を向上させる。
【００３４】
なお、上記所定値とは、例えば、処理液（純水・溶剤の混合液）中における溶剤濃度が１，０００［ｐｐｍ］である。
【００３５】
次に、図４を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図４は、動作を示すフローチャートである。
【００３６】
ステップＳ１
制御部９９は、三方弁１５を循環側に切り換えるとともに、三方弁１９を供給配管11側に切り換え、流量制御弁６１を調整して、純水供給源５３から純水を所定流量で外槽５へ供給する。内槽３及び外槽５並びに供給配管１１を純水で満たした後、ポンプ１７及びインラインヒータ２３を作動させて所定の温度（例えば、６０℃）に純水を加熱する。所定温度になった後、保持アーム７を待機位置から処理位置へ下降させ、これを所定時間だけ維持して、所定温度に加熱した純水で基板Ｗを洗浄処理する。
【００３７】
ステップＳ２
制御部９９は、ポンプ１７を停止させるとともに、三方弁１５を排液側へ切り換えるとともに、流量制御弁６１を閉止する。そして、流量制御弁６５を調節して、外槽５へＨＦＥを所定流量で供給する。内槽３及び外槽５がＨＦＥで満たされた後、三方弁１５を供給配管１１側へ切り換えるとともにポンプ１７を作動させる。これにより、処理液のうち純水の大半が排出され、処理液にＨＦＥが混合されて純水が溶剤で置換される。次に、流量制御弁６５を閉止するとともに、流量制御弁６９を開放し、ＩＰＡを外槽５へ供給してＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液とする。
【００３８】
ステップＳ３
制御部９９は、三方弁１９を分岐管３１側へ切り換えるとともに、制御弁４３，４５を開放する。これにより、スタティックミキサ３５でＨＦＥ／ＩＰＡと純水とが充分に混合された後、処理液が油水分離フィルタ３３を通ることになる。したがって、大半がＨＦＥ／ＩＰＡとされた処理液のうちの純水が分離されて第２排出部９１から排出される。
【００３９】
なお、このときに流量制御弁３９を調整して、スタティックミキサ３５を流通する処理液に対して純水を注入するようにしてもよい。これは、処理液中の純水濃度が一定値以下であると、油水分離フィルタ３３による純水と溶剤との分離効率が低下するので、純水濃度が低下した処理液に対して積極的に純水を注入・混合することにより、一定値以下になった純水を、純水で引き出すようにして油水分離フィルタ３３によって分離するためである。なお、油水分離フィルタ３３は、純水を除去する際に、水溶性であるＩＰＡについては、ある程度の量を純水とともに除去してしまう。
【００４０】
ステップＳ４
制御部９９は、上述した純水除去処理の開始とともに、濃度計９７からの出力信号を逐次受け取って、処理液中の純水濃度を求める。そして、処理液中の純水濃度が、例えば、１，０００ｐｐｍ以下となるまで上記のステップＳ３を繰り返す。つまり、純水が所定濃度になるまで純水除去を行う。基板Ｗの微細構造に入り込んだ純水は、徐々に処理液中に溶け出してくるので、一時的に純水濃度が徐々に増加する現象が生じる。
【００４１】
ステップＳ５
処理液中の純水濃度が所定値より低下すると、油水分離フィルタ３３による純水除去効率が低下する。そこで、制御部９９は、流量制御弁３９を調整して注入部３７から純水を注入し、鼻薬のようにして純水の除去効率を維持する。その際、流量計４１から出力される純水の注入量ＤＩと、油水分離フィルタ３３によって除去される処理液（溶剤＋純水）の量ＥＸとの差分に、注入部４７からの溶剤の注入量ＩＩを加えた量がほぼゼロとなるようにすることで、処理液中の溶剤濃度を一定にすることができる。
【００４２】
ステップＳ６
制御部９９は、図示しない計時手段で計時し、その時間が所定時間に達するまでの間、上記ステップＳ５を繰り返し行う。これらの処理により、基板Ｗの微細構造から染み出してくる純水をも溶剤で充分に置換することができる。
【００４３】
上記の一連の処理により、基板Ｗを純水で洗浄するとともに、溶剤（ＨＦＥ／ＩＰＡ）で純水を充分に置換し、その後、保持アーム７を待機位置にまで引き上げて基板Ｗの洗浄処理を終える。
【００４４】
上述したように、制御部９９は、純水洗浄処理の後、ＨＦＥ／ＩＰＡを供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管３１に切り換えて、油水分離フィルタ３３により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、ＨＦＥ／ＩＰＡで置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなくＩＰＡもある程度除去されてＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液が減少するが、注入部３７によってＩＰＡを補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【００４５】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４６】
（１）上述した実施例では、スタティックミキサ２１，５７を備え、溶剤を純水と充分に混合するようにしているが、水溶性の溶剤が主である場合には、スタティックミキサ２１，５７を備えなくてもよい。これにより、装置構成を簡易化することができる。
【００４７】
（２）上述した実施例では、純水除去手段として油水分離フィルタ３３を備えた構成を示したが、これに代えてモレキュラーシーブ（Molecular sieve）、活性炭、アルミナ等で構成され、処理液中の微量の純水をも吸着して除去する純水吸着除去手段（吸着フィルタ）を採用してもよい。また、油水分離フィルタ３３と純水吸着除去手段とを並列で設けて、切り換えて使用する構成としてもよい。これにより、それぞれの特性を生かした純水除去を行うことができ、効率的に純水除去ができる。
【００４８】
（３）上述した実施例では、非水溶性の溶剤としてフッ素系のＨＦＥを例示し、水溶性の溶剤としてＩＰＡを例示したが、これらとは異なる他の溶剤であっても本発明を適用することができる。例えば、ＨＦＥ以外のフッ素系溶剤として、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）を使用してもよい。
【００４９】
（４）上述した実施例では、純水濃度を測定する濃度計９７を内槽３に備えた構成を例示したが、供給配管１１を流通する処理液の純水濃度を測定するように構成してもよい。
【００５０】
（５）上述した実施例では、純水及び溶剤を外槽５に供給する構成を採用しているが、例えば、供給配管１１に直接純水及び溶剤を供給する構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】スタティックミキサの概略構成を示す縦断面図である。
【図３】油水分離フィルタの概略構成を示す縦断面図である。
【図４】動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５２】
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
３ … 内槽
５ … 外槽
７ … 保持アーム
１１ … 供給配管
２１，３５ … スタティックミキサ
３１ … 分岐配管
３３ … 油水分離フィルタ
３７ … 注入部
７３ … 本体部
７５ … エレメント
９３ … 冷却パイプ
９７ … 濃度計
９９ … 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対して処理液により処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、例えば、処理液を貯留し、基板を収容する処理槽と、処理槽の上部空間にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ガスを供給するノズルとを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。この装置では、処理槽に純水を供給して基板を洗浄した後、処理槽の上部空間にＩＰＡガスを供給してＩＰＡ雰囲気を形成する。そして、基板を処理槽の上部のＩＰＡ雰囲気に引き上げて移動させることで、基板に付着している純水がＩＰＡで置換されて乾燥が促される。
【特許文献１】特開平１０−２２２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、純水による洗浄を終えた基板を純水から引き上げ、ＩＰＡ雰囲気中に移動することにより、基板の乾燥をある程度は促進することができる一方、基板に形成された細かいパターンの間に付着している純水を充分に乾燥することができず、基板の乾燥不良が生じる恐れがある。
【０００４】
ところで、最近の半導体デバイスのうち、メモリ分野においては、集積度を従来よりも大幅に高める技術として、キャパシタの構造をシリンダ形状としたものが採用され始めている。このようなシリンダ構造のものは、縦横比が極めて大きく、その隙間に入り込んだ純水を充分に乾燥させることが特に難しく、上記の問題が顕著になっている。また、いわゆるマイクロマシン（ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems））関係のデバイスであっても、同様の問題が生じる恐れがある。
【０００５】
そこで、基板を引き上げる前の最終の処理液として純水を使うのではなく、純水を溶剤で置換した後に、基板を引き上げる手法が考えられる。しかしながら、この場合、純水に大量の溶剤を供給しても、基板の微細構造中に入り込んだ純水が次第に処理液中に溶け込み、処理液中における純水濃度が徐々に増加する現象が生じる。そのため、やはり純水に起因する乾燥不良が生じるとともに、基板を引き上げる際に純水の表面張力に起因して微細構造の倒れが生じる恐れがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を処理液で処理する基板処理装置において、処理液を貯留する内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた処理槽と、前記内槽と前記外槽とを連通接続し、処理液を循環させる供給配管と、処理液として純水を供給する純水供給手段と、処理液として溶剤を供給する溶剤供給手段と、前記供給配管を分流した分岐配管と、前記分岐配管に配設され、処理液中の純水を除去する純水除去手段と、前記純水除去手段よりも下流側にて前記供給配管に溶剤を注入する溶剤注入手段と、前記純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、前記溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行った後、前記分岐配管に切り換えて、前記純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行うとともに、前記溶剤注入手段によって溶剤を補充する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管に切り換えて、純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなく溶剤もある程度除去されて溶剤が減少するが、溶剤注入手段によって溶剤を補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【０００９】
また、本発明において、前記純水除去手段の上流側にあたる前記分岐配管に、流体を混合する第１のミキサと、前記第１のミキサの上流側にあたる前記分岐配管に、純水を注入する純水注入手段と、前記溶剤注入手段よりも下流側にあたる前記供給配管に、流体を混合する第２のミキサとを備え、前記制御手段は、処理液中の純水濃度が所定値より低下した場合には、前記純水注入手段から純水を注入し、その注入量と、前記純水除去手段によって除去される処理液の量との差分に、前記溶剤注入手段からの溶剤の注入量を加えた量がほぼゼロとなるように、前記純水注入手段、前記溶剤注入手段を制御することが好ましい（請求項２）。処理液中の純水濃度が所定値より低下すると、純水除去手段による純水除去効率が低下する。そこで、制御手段は、純水注入手段から純水を注入し、鼻薬のようにして純水の除去効率を維持する。その際、純水の注入量と、純水除去手段によって除去される処理液（溶剤＋純水）の量との差分に、溶剤注入手段からの溶剤の注入量を加えた量がほぼゼロとなるようにすることで、処理液中の溶剤濃度を一定にすることができる。
【００１０】
また、本発明において、前記純水除去手段は、油水を分離するフィルタと、前記フィルタを囲うハウジングと、前記ハウジングに設けられ、処理液が流入する流入部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタを通過した処理液が流出する流出部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタで分離された純水を排出する排出部と、前記フィルタを冷却する冷却手段と、を備えていることが好ましい（請求項３）。温度が低いほど溶剤への純水の溶解度を低くできるので、冷却手段によって冷却することにより純水と溶剤との分離効率を高くすることができる。
【００１１】
また、本発明において、前記純水除去手段は、溶剤を通過させるとともに純水を吸着する純水吸着除去手段であることが好ましい（請求項４）。微量の純水も吸着によって除去することができる。
【００１２】
また、本発明において、前記溶剤供給手段は、ＨＦＥ（ハイドロフロオロエーテル）を供給し、前記溶剤注入手段は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を注入することが好ましい（請求項５）。表面著力が小さいＨＦＥと、ＨＦＥよりは表面張力がＨＦＥより大きいものの、ＨＦＥよりコストが低いＩＰＡとの二種類を溶剤として使用することで、コストを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管に切り換えて、純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなく溶剤もある程度除去されて溶剤が減少するが、溶剤注入手段によって溶剤を補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１５】
処理槽１は、内槽３と外槽５を備えている。内槽３は、処理液を貯留し、保持アーム７によって保持された基板Ｗを収容可能になっている。保持アーム７は、板状のアームの下部に、基板Ｗの下縁に当接して基板Ｗを起立姿勢で支持する支持部材を備えている。この保持アーム７は、内槽３の内部にあたる「処理位置」と、内槽３の上方にあたる「待機位置」とにわたって昇降可能になっている。内槽３は、純水や溶剤またはこれらの混合液を処理液として貯留し、内槽３から溢れた処理液が内槽３の上部外周を囲うように設けられた外槽５によって回収される。内槽３の底部両側には、処理液を供給する二本の噴出管９が配設されている。
【００１６】
噴出管９には、供給配管１１の一端側が連通接続され、その他端側には外槽５の排出口１３が連通接続されている。供給配管１１は、外槽５側にあたる上流側から順に、三方弁１５と、ポンプ１７と、三方弁１９と、スタティックミキサ２１と、インラインヒータ２３とを備えている。三方弁１５は処理液の循環と排液とを切り換え、ポンプ１７は処理液を流通させ、三方弁１９は処理液の循環と純水除去（詳細後述）とを切り換える。インラインヒータ２３は、供給配管１１を流通する処理液を所定温度に加熱する。
【００１７】
供給配管１１は、三方弁１９の部分にて分流された分岐配管３１を備えている。この分岐配管３１は、処理液中の純水と溶剤とを分離するための油水分離フィルタ３３を備えている。
【００１８】
なお、上記の油水分離フィルタ３３が本発明における純水除去手段に相当する。
【００１９】
上記の分岐配管３１は、油水分離フィルタ３３の上流側にスタティックミキサ３５を備えている。スタティックミキサ３５は、その上流部に、分岐配管３１を流通する処理液に純水を注入するための注入部３７を備え、注入部３７への純水の注入流量を制御する流量制御弁３９を備えている。流量制御弁３９の上流側には、純水の流量を測定するための流量計４１が取り付けられている。スタティックミキサ３５は、詳細後述するが、駆動部がなく、流体を分割・転換・反転の作用により順次攪拌混合するものである。また、三方弁１９と分岐配管３１の間には、制御弁４３が配設され、分岐配管３１の最下流部には制御弁４５が配設されている。
【００２０】
なお、上述したスタティックミキサ３５が本発明における第１のミキサに相当し、スタティックミキサ２１が本発明における第２のミキサに相当する。また、注入部３７が本発明における純水注入手段に相当する。
【００２１】
上述したスタティックミキサ２１は、上述したスタティックミキサ３５と同様に、その上流側に、供給配管１１を流通する処理液にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を注入するための注入部４７を備えている。注入部４７は、注入流量を制御する流量制御弁４９を備えている。また、流量制御弁４９の上流部には、ＩＰＡ供給源からのＩＰＡの流量を測定するための流量計５１が取り付けられている。
【００２２】
なお、上記の注入部４７が本発明における溶剤注入手段に相当する。
【００２３】
外槽５に純水と、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）と、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とを供給するため、純水供給源５３と、ＨＦＥ供給源５５と、ＩＰＡ供給源５７とを備えている。純水供給源５３は、供給管５９を介して純水を外槽５に供給するものであり、その流量が供給管５９に配設された流量制御弁６１によって制御される。ＨＦＥ供給源５５は、供給管６３を介してＨＦＥを外槽５に供給し、その流量が供給管６３に取り付けられた流量制御弁６５によって制御される。ＩＰＡ供給源５７は、供給管６７を介して外槽５にＩＰＡを供給し、その流量が供給管６７に取り付けられた流量制御弁６９によって制御される。
【００２４】
なお、上記の純水供給源５３及び供給管５９が本発明における純水供給手段に相当し、ＨＦＥ供給源５５、ＩＰＡ供給源５７及び供給管６３，６７が本発明における溶剤供給手段に相当する。
【００２５】
次に、図２を参照する。なお、図２は、スタティックミキサの概略構成を示す縦断面図である。なお、スタティックミキサ２１，３５は同じ構成である。
【００２６】
スタティックミキサ２１（３５）は、筒状の本体部７３と、本体部７３内に配設された複数個のエレメント７５とを備えている。各エレメント７５は、長方形の板部材を１８０°ねじった形に形成され、隣接するエレメント７５はそれぞれ逆方向にねじって形成されたものである。このスタティックミキサ２１（３５）は、上述した注入部４７（３７）を上流部に備え、処理液に対してＩＰＡ（純水）を注入して、それらを分割・転換・反転の作用で攪拌混合する。特に、溶剤がＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のように、純水に対して完全には溶けない非水溶性である場合には、スタティックミキサ３５によって純水と溶剤とを混合してから油水分離フィルタ３３で分離を行うことで純水の分離効率を高めることができる。
【００２７】
次に、図３を参照する。なお、図３は、油水分離フィルタの概略構成を示す縦断面図である。
【００２８】
油水分離フィルタ３３は、ハウジング７７と、ハウジング７７底部の液導入部７９と、液導入部７９からの処理液を濾過するフィルタ８１と、フィルタ８１を通過した液体のうち、比重が大きいものを貯留する第１貯留部８３と、比重が小さいものを貯留する第２貯留部８５と、液導入部７９に処理液が流入する流入部８７と、第１貯留部８３内の液体を排出する第１排出部８９と、第２貯留部８５内の液体を排出する第２排出部９１と、ハウジング７７の外壁に沿って配設され、間接的にフィルタ８１を冷却するための冷却パイプ９３とを備えている。流入部８７は分岐管３１の上流側にあたり、第１排出部８９は分岐管３１の下流側にあたる。上述したフィルタ８１は、微分散した遊離液を超極細繊維フィルタにより捕捉し、凝集して粗大化する機能を備え、ミクロンオーダに微分散した遊離液をミリメートルオーダに粗大化させて、比重差によって瞬時に完全二層系に分散する。第２排出部９１には、排出流量を測定するための流量計９５が取り付けられている。
【００２９】
上記の冷却パイプ９３に冷媒を流通させることにより、純水と溶剤との分離効率を高くすることができる。温度が低いほど溶剤への純水の溶解度を低くできるからである。
【００３０】
なお、上記の第１排出部８９が本発明における流出部に相当し、第２排出部９１が本発明における排出部に相当し、冷却パイプ９３が本発明における冷却手段に相当する。
【００３１】
また、内槽３は、処理液中の純水濃度を測定するための濃度計９７を上部付近に備えている。この濃度計９７としては、例えば、赤外線吸収方式のものが挙げられる。
【００３２】
上述した保持アーム７の昇降や、ポンプ１７の作動／停止、インラインヒータ２３の温度制御、流量制御弁３９，４９，６１，６５，６９の流量制御、制御弁４３，４５の開閉制御、三方弁１５，１９の切り換え制御などは、本発明における制御手段に相当する制御部９９が統括的に制御する。また、流量計４１，５１，９５で測定された流量値は、制御部９９に与えられる。
【００３３】
また、制御部９９は、上述した各部を操作して、保持アーム７を処理位置に移動させ、処理液として純水を供給して「純水洗浄処理」を行った後、処理液に溶剤（ＨＦＥまたはＩＰＡ）を供給して純水を溶剤で置換する「置換処理」を行う。そして、油水分離フィルタ５１によって処理液中の純水を除去する「純水除去処理」を行う（詳細後述）。そして、処理液（溶剤）中の純水濃度が所定値以下となった場合にのみ、後述するように溶剤の補充動作を行う。「純水除去処理」の際、溶剤が純水に対して溶けにくい非水溶性である場合（例えば、ＨＦＥ）、スタティックミキサ３５を通して、純水と溶剤とを分割・転換・反転の作用により攪拌混合してから、油水分離フィルタ３３を通すようにして、油水分離フィルタ３３による分離効率を向上させる。
【００３４】
なお、上記所定値とは、例えば、処理液（純水・溶剤の混合液）中における溶剤濃度が１，０００［ｐｐｍ］である。
【００３５】
次に、図４を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図４は、動作を示すフローチャートである。
【００３６】
ステップＳ１
制御部９９は、三方弁１５を循環側に切り換えるとともに、三方弁１９を供給配管11側に切り換え、流量制御弁６１を調整して、純水供給源５３から純水を所定流量で外槽５へ供給する。内槽３及び外槽５並びに供給配管１１を純水で満たした後、ポンプ１７及びインラインヒータ２３を作動させて所定の温度（例えば、６０℃）に純水を加熱する。所定温度になった後、保持アーム７を待機位置から処理位置へ下降させ、これを所定時間だけ維持して、所定温度に加熱した純水で基板Ｗを洗浄処理する。
【００３７】
ステップＳ２
制御部９９は、ポンプ１７を停止させるとともに、三方弁１５を排液側へ切り換えるとともに、流量制御弁６１を閉止する。そして、流量制御弁６５を調節して、外槽５へＨＦＥを所定流量で供給する。内槽３及び外槽５がＨＦＥで満たされた後、三方弁１５を供給配管１１側へ切り換えるとともにポンプ１７を作動させる。これにより、処理液のうち純水の大半が排出され、処理液にＨＦＥが混合されて純水が溶剤で置換される。次に、流量制御弁６５を閉止するとともに、流量制御弁６９を開放し、ＩＰＡを外槽５へ供給してＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液とする。
【００３８】
ステップＳ３
制御部９９は、三方弁１９を分岐管３１側へ切り換えるとともに、制御弁４３，４５を開放する。これにより、スタティックミキサ３５でＨＦＥ／ＩＰＡと純水とが充分に混合された後、処理液が油水分離フィルタ３３を通ることになる。したがって、大半がＨＦＥ／ＩＰＡとされた処理液のうちの純水が分離されて第２排出部９１から排出される。
【００３９】
なお、このときに流量制御弁３９を調整して、スタティックミキサ３５を流通する処理液に対して純水を注入するようにしてもよい。これは、処理液中の純水濃度が一定値以下であると、油水分離フィルタ３３による純水と溶剤との分離効率が低下するので、純水濃度が低下した処理液に対して積極的に純水を注入・混合することにより、一定値以下になった純水を、純水で引き出すようにして油水分離フィルタ３３によって分離するためである。なお、油水分離フィルタ３３は、純水を除去する際に、水溶性であるＩＰＡについては、ある程度の量を純水とともに除去してしまう。
【００４０】
ステップＳ４
制御部９９は、上述した純水除去処理の開始とともに、濃度計９７からの出力信号を逐次受け取って、処理液中の純水濃度を求める。そして、処理液中の純水濃度が、例えば、１，０００ｐｐｍ以下となるまで上記のステップＳ３を繰り返す。つまり、純水が所定濃度になるまで純水除去を行う。基板Ｗの微細構造に入り込んだ純水は、徐々に処理液中に溶け出してくるので、一時的に純水濃度が徐々に増加する現象が生じる。
【００４１】
ステップＳ５
処理液中の純水濃度が所定値より低下すると、油水分離フィルタ３３による純水除去効率が低下する。そこで、制御部９９は、流量制御弁３９を調整して注入部３７から純水を注入し、鼻薬のようにして純水の除去効率を維持する。その際、流量計４１から出力される純水の注入量ＤＩと、油水分離フィルタ３３によって除去される処理液（溶剤＋純水）の量ＥＸとの差分に、注入部４７からの溶剤の注入量ＩＩを加えた量がほぼゼロとなるようにすることで、処理液中の溶剤濃度を一定にすることができる。
【００４２】
ステップＳ６
制御部９９は、図示しない計時手段で計時し、その時間が所定時間に達するまでの間、上記ステップＳ５を繰り返し行う。これらの処理により、基板Ｗの微細構造から染み出してくる純水をも溶剤で充分に置換することができる。
【００４３】
上記の一連の処理により、基板Ｗを純水で洗浄するとともに、溶剤（ＨＦＥ／ＩＰＡ）で純水を充分に置換し、その後、保持アーム７を待機位置にまで引き上げて基板Ｗの洗浄処理を終える。
【００４４】
上述したように、制御部９９は、純水洗浄処理の後、ＨＦＥ／ＩＰＡを供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管３１に切り換えて、油水分離フィルタ３３により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、ＨＦＥ／ＩＰＡで置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなくＩＰＡもある程度除去されてＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液が減少するが、注入部３７によってＩＰＡを補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。
【００４５】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４６】
（１）上述した実施例では、スタティックミキサ２１，５７を備え、溶剤を純水と充分に混合するようにしているが、水溶性の溶剤が主である場合には、スタティックミキサ２１，５７を備えなくてもよい。これにより、装置構成を簡易化することができる。
【００４７】
（２）上述した実施例では、純水除去手段として油水分離フィルタ３３を備えた構成を示したが、これに代えてモレキュラーシーブ（Molecular sieve）、活性炭、アルミナ等で構成され、処理液中の微量の純水をも吸着して除去する純水吸着除去手段（吸着フィルタ）を採用してもよい。また、油水分離フィルタ３３と純水吸着除去手段とを並列で設けて、切り換えて使用する構成としてもよい。これにより、それぞれの特性を生かした純水除去を行うことができ、効率的に純水除去ができる。
【００４８】
（３）上述した実施例では、非水溶性の溶剤としてフッ素系のＨＦＥを例示し、水溶性の溶剤としてＩＰＡを例示したが、これらとは異なる他の溶剤であっても本発明を適用することができる。例えば、ＨＦＥ以外のフッ素系溶剤として、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）を使用してもよい。
【００４９】
（４）上述した実施例では、純水濃度を測定する濃度計９７を内槽３に備えた構成を例示したが、供給配管１１を流通する処理液の純水濃度を測定するように構成してもよい。
【００５０】
（５）上述した実施例では、純水及び溶剤を外槽５に供給する構成を採用しているが、例えば、供給配管１１に直接純水及び溶剤を供給する構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】スタティックミキサの概略構成を示す縦断面図である。
【図３】油水分離フィルタの概略構成を示す縦断面図である。
【図４】動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５２】
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
３ … 内槽
５ … 外槽
７ … 保持アーム
１１ … 供給配管
２１，３５ … スタティックミキサ
３１ … 分岐配管
３３ … 油水分離フィルタ
３７ … 注入部
７３ … 本体部
７５ … エレメント
９３ … 冷却パイプ
９７ … 濃度計
９９ … 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた処理槽と、
前記内槽と前記外槽とを連通接続し、処理液を循環させる供給配管と、
処理液として純水を供給する純水供給手段と、
処理液として溶剤を供給する溶剤供給手段と、
前記供給配管を分流した分岐配管と、
前記分岐配管に配設され、処理液中の純水を除去する純水除去手段と、
前記純水除去手段よりも下流側にて前記供給配管に溶剤を注入する溶剤注入手段と、
前記純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、前記溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行った後、前記分岐配管に切り換えて、前記純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行うとともに、前記溶剤注入手段によって溶剤を補充する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記純水除去手段の上流側にあたる前記分岐配管に、流体を混合する第１のミキサと、
前記第１のミキサの上流側にあたる前記分岐配管に、純水を注入する純水注入手段と、
前記溶剤注入手段よりも下流側にあたる前記供給配管に、流体を混合する第２のミキサとを備え、
前記制御手段は、処理液中の純水濃度が所定値より低下した場合には、前記純水注入手段から純水を注入し、その注入量と、前記純水除去手段によって除去される処理液の量との差分に、前記溶剤注入手段からの溶剤の注入量を加えた量がほぼゼロとなるように、前記純水注入手段、前記溶剤注入手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記純水除去手段は、油水を分離するフィルタと、前記フィルタを囲うハウジングと、前記ハウジングに設けられ、処理液が流入する流入部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタを通過した処理液が流出する流出部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタで分離された純水を排出する排出部と、前記フィルタを冷却する冷却手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記純水除去手段は、溶剤を通過させるとともに純水を吸着する純水吸着除去手段であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記溶剤供給手段は、ＨＦＥ（ハイドロフロオロエーテル）を供給し、
前記溶剤注入手段は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を注入することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた処理槽と、
前記内槽と前記外槽とを連通接続し、処理液を循環させる供給配管と、
処理液として純水を供給する純水供給手段と、
処理液として溶剤を供給する溶剤供給手段と、
前記供給配管を分流した分岐配管と、
前記分岐配管に配設され、処理液中の純水を除去する純水除去手段と、
前記純水除去手段よりも下流側にて前記供給配管に溶剤を注入する溶剤注入手段と、
前記純水供給手段から純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、前記溶剤供給手段から溶剤を供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行った後、前記分岐配管に切り換えて、前記純水除去手段により処理液から純水を除去する純水除去処理を行うとともに、前記溶剤注入手段によって溶剤を補充する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記純水除去手段の上流側にあたる前記分岐配管に、流体を混合する第１のミキサと、
前記第１のミキサの上流側にあたる前記分岐配管に、純水を注入する純水注入手段と、
前記溶剤注入手段よりも下流側にあたる前記供給配管に、流体を混合する第２のミキサとを備え、
前記制御手段は、処理液中の純水濃度が所定値より低下した場合には、前記純水注入手段から純水を注入し、その注入量と、前記純水除去手段によって除去される処理液の量との差分に、前記溶剤注入手段からの溶剤の注入量を加えた量がほぼゼロとなるように、前記純水注入手段、前記溶剤注入手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記純水除去手段は、油水を分離するフィルタと、前記フィルタを囲うハウジングと、前記ハウジングに設けられ、処理液が流入する流入部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタを通過した処理液が流出する流出部と、前記ハウジングに設けられ、前記フィルタで分離された純水を排出する排出部と、前記フィルタを冷却する冷却手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記純水除去手段は、溶剤を通過させるとともに純水を吸着する純水吸着除去手段であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記溶剤供給手段は、ＨＦＥ（ハイドロフロオロエーテル）を供給し、
前記溶剤注入手段は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を注入することを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００８−２４４０８７（Ｐ２００８−２４４０８７Ａ）
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８１５９４（Ｐ２００７−８１５９４）
【出願日】平成１９年３月２７日（２００７．３．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２７日（２００７．３．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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