塗布膜の形成方法、および塗布膜形成装置
【課題】 周縁部においても膜厚均一性の高い塗布膜の形成方法および塗布膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 塗布液膜の周縁部の上方を覆うようなカバーを設けて、塗布液膜の周縁部において局所的に溶媒蒸気が滞留する空間を作り、この空間の大きさを乾燥中に制御させることによって、塗布液膜周縁部での蒸発速度を調節し、塗布液膜内の濃度分布を均一にすることで周縁部の膜厚不均一を抑制する。
【解決手段】 塗布液膜の周縁部の上方を覆うようなカバーを設けて、塗布液膜の周縁部において局所的に溶媒蒸気が滞留する空間を作り、この空間の大きさを乾燥中に制御させることによって、塗布液膜周縁部での蒸発速度を調節し、塗布液膜内の濃度分布を均一にすることで周縁部の膜厚不均一を抑制する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ技術におけるレジスト膜や、液晶表示装置用のカラーフィルタや、配向膜など、基板上に膜厚均一性の高い塗布膜を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、インクジェット記録装置、ＭＥＭＳデバイス等の製造方法では、フォトリソグラフィ技術によって微細加工が行われている。フォトリソグラフィ技術では、基板上にフォトレジスト膜を形成後、フォトレジスト膜を露光・現像してパターンを形成し、パターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、成膜やエッチングを行って機能性の膜を所望の微細構造に加工する。一般的にフォトレジスト膜は、パターンを形成するための樹脂成分を主体とし、露光によって重合反応を開始するための光重合開始材、および流動性を持たせるための溶媒などから構成される溶液である。
【０００３】
半導体デバイスにおいては、フォトレジスト膜は最終的に溶剤で除去されるが、ＭＥＭＳデバイスやインクジェット記録ヘッド等の製造方法においては、フォトレジスト膜を微細構造自体の構成部材として用いる場合がある。フォトレジスト膜の形成方法としては、一般的に、何らかの塗布方法によって基板上に揮発性の溶媒を含む溶液を塗布した後、溶媒を乾燥させる工程を経る。以下では、基板上に塗り広げられた乾燥前の液膜を「塗布液膜」、乾燥させた後の状態を「塗布膜」と呼び分ける。
【０００４】
塗布液膜を塗布する方法としては、基板を回転させて溶液を濡れ広げるスピンコート法や、スリット状の流路から溶液を滴下しながら基板上を走査させるスリットコート法などが知られている。塗布液膜中の溶媒を乾燥させる方法としては、減圧乾燥や、ホットプレートによる加熱乾燥、熱風乾燥などがある。このようにして形成したフォトレジスト膜の膜厚が空間的に不均一になった場合、露光工程以降での加工精度や、最終的な構造部材としての寸法精度が悪化する。
【０００５】
特に、図７に示すように、基板１０１上の塗布膜１０２の周縁部の領域Ｂ部では、塗布膜２ａの中央部分Ａ部に比べて膜厚が極端に大きくなる状態（以下、エッジビード）が起こることが課題となっていた。たとえば、半導体デバイスやインクジェット記録ヘッドなどの製造においては、１枚の基板上に複数のデバイスチップを配置するのが一般的であるが、エッジビードが発生すると、基板内でチップとして利用可能な有効面積が縮小し、歩留りが悪化してしまう。また、エッジビードの存在は、露光工程においてはマスクをウェハに近づけられないために密接露光ができないことや、アライメント調整の障害となる。一方、液晶表示装置用のカラーパネルや配向膜などの塗布膜の場合、エッジビードの存在は画像品位に直接影響する。したがって、多くの場合、形成されたエッジビードを除去するために、周縁部のみに溶剤を滴下させて洗浄する工程、もしくは化学機械研磨を施すなどの工程が必要となり、製造工程での工数が増大してしまう。
【０００６】
このようなエッジビードが形成される要因については、塗布液膜の表面で周縁部に向かう気流や、塗布液膜周縁部で蒸発速度が大きくなり、表面張力が不均一となるのが原因と考えられている。エッジビードを低減する塗布膜形成方法としては、特許文献１に記載されるように、密閉容器内に塗布液膜に含まれる溶媒蒸気を供給することで、部分的に乾燥を抑制する方法がある。この方法では、塗布液膜の上方に漏斗状の溶媒蒸気供給部を設け、その開口部を塗布液膜の周縁部付近に設けることで塗布液膜周縁部での溶媒蒸気濃度を高めることを図っている。
【０００７】
また、別の方法としては、特許文献２に記載されるように、塗布液膜周縁部付近に溶媒蒸気の供給源を設けることで、塗布膜全体の蒸発速度を均一化する方法がある。この方法では、密閉容器内に、溶媒を保持するための凹部を基板の周縁部に沿って設置し、この凹部の開口部を塞ぐように多孔質体が設置されている。密閉容器内を減圧することで多孔質体内に溶媒が浸透し、溶媒が霧状になって容器内に供給され、塗布液膜周縁部での溶媒蒸気濃度を高めることが図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０６−０２３３１５号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記の従来技術では、塗布液膜の周縁部に溶媒蒸気を供給することで、塗布液膜全面に渡って蒸発速度を揃えることを図っている。しかし、蒸発速度、すなわち単位時間に蒸発する溶媒量が一定であっても、膜厚が小さい部分では溶媒の絶対量が少ないため、中央部に比べると濃度の変化が大きくなる。このため、蒸発速度を一様に揃えたとしても、膜厚が徐々に小さくなっていく周縁部では濃度分布が生じてしまい、表面張力勾配による流動によってエッジビードが形成されることを避けられない。つまり、従来技術では、塗布液膜内での液面に沿った溶媒濃度分布を軽減するように蒸発速度を制御する、という観点が考慮されていない。
【００１０】
本発明の目的は、基板に塗布された溶液を乾燥させて塗布膜を形成する際に、周縁部におけるエッジビードを低減し、膜厚均一性の高い塗布膜を形成する塗布膜形成方法および塗布膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は、揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記塗布液膜の乾燥中は、前記塗布液膜の周縁部の上方を覆い前記塗布液膜の中央部に開口部を形成するカバー部を配置する塗布膜形成方法を提供している。
【００１２】
また本発明は、揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記基板を載置するための載置台と、少なくとも前記塗布液膜の周縁部の上方を覆うように設けられたカバー部とを備えた塗布膜形成装置を提供している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の塗布膜形成方法によれば、塗布膜の周縁部でのエッジビードを低減し、膜厚均一性の高い領域面積を増加させることができる。これにより、基板上に多数のデバイスチップを配置する際に、歩留りを向上させることができる。また、エッジビードを除去する工程を省くことで製造工程の工数を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】塗布液膜にエッジビードが形成されるメカニズムを説明する断面図
【図２】第１の実施形態における乾燥装置を説明する概念図である。
【図３】第１の実施形態における、塗布液膜周縁部の状態を示す模式図
【図４】第２の実施形態における、塗布液膜周縁部での蒸発の様子を示す模式図
【図５】他の実施形態における、乾燥装置を説明する概念図である。
【図６】他の実施形態における、乾燥装置を説明する概念図である。
【図７】従来技術の乾燥方法を用いた場合の、乾燥後の塗布膜の状態を説明する断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明における実施形態を説明する前に、塗布液膜にエッジビードが形成されるメカニズムについて、図１を用いて説明する。
【００１６】
エッジビードの形成メカニズムにおいて本質的なのは、塗布液膜の周縁部で蒸発が早いこと、および表面張力の勾配によって流動が起こることであると考えられる。塗布液膜の周縁部に向かうにしたがって、周りに液膜自体が存在しなくなってくるため、塗布液膜の中央部に比べて溶媒蒸気の発生源が少なくなる。このため、塗布液膜の乾燥中には、塗布液膜周縁部の気相側で溶媒蒸気の密度が低くなり、液相側からの蒸発速度が大きくなって塗布液膜内に溶媒濃度分布を生じる。
【００１７】
また、蒸発速度が一様であったとしても、膜厚が小さい周縁部では溶媒の絶対量が少ないため、中央部に比べると濃度の変化が大きくなる。このため、塗布液膜周縁部付近では、液面に沿って極端な溶媒濃度の勾配が生じることになる。一般的な塗布溶液である樹脂溶液では、溶媒濃度の変化に伴って物性値が変化し、表面張力および粘性係数は増大、拡散係数は減少する傾向がある。
【００１８】
このため、塗布液膜周縁部付近の気液界面上には、端部側が大きくなるような表面張力勾配が形成されることになる（図１（ａ））。気液界面上に表面張力勾配が存在する場合、液体内にせん断力を生じて流れが駆動される。この現象はマランゴニ効果と呼ばれ、微小スケールの流体システムや、微小重力環境などで顕在化する現象として知られている。塗布液膜周縁部付近での濃度分布によって表面張力勾配が形成されてマランゴニ効果が働き、外縁側へ流体が供給されることで端部が極端に隆起する（図１（ｂ））。これに加えて、塗布液膜周縁部で蒸発が速いことによって粘性係数が極端に増大するため、内側から周縁側へ流れ込んで隆起した部分は早期に流動性を失って固化する。このようにしてエッジビードが形成されると考えられる。
【００１９】
以下、本発明の適切な実施の形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の適切な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかし、本発明の思想に沿うものであれば、以下に記載する実施形態やその他の具体的形状に限定されるものではない。
【００２０】
[第１の実施の形態]
図２は本発明の第１の実施の形態における乾燥装置を示す概念図であり、図２（ａ）は乾燥装置の断面図、図２（ｂ）は乾燥装置の斜視図である。図中１はガラス、シリコン等からなる基板、２は基板１上に塗り広げられた塗布液膜であり、基板１は載置台７に置かれている。載置台７は、基板１の周縁に沿った形状になっている。
【００２１】
載置台７には、発熱抵抗体が埋め込まれており、ホットプレートの機能を有している。５１は塗布液膜２の周縁部を覆うためのカバー部であり、載置台７の周縁部に沿って設置されている。カバー部５１は、支持部５１ａ、胴体部５１ｂ、および絞り部５１ｃから構成されており、胴体部５１ｂは、図示しない移動機構によって、支持部５１ａから垂直方向に移動可能な構造となっている。また、絞り部５１ｃは図２（ｂ）に示すように複数のプレートから構成されており、これらのプレートは図示しない移動機構によって水平方向に移動可能であり、カメラの絞り機構と同様に、開口部の面積を調節可能となっている。載置台７の加熱機構、およびカバー部５１の胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動機構は、制御部６に接続されている。
【００２２】
次に本実施形態での塗布膜形成方法を説明する。まず、スピンコート法やスリットコート法などによって、基板１上に揮発性の溶媒を含む塗布溶液を塗布し、塗布液膜２を形成する。その後、絞り部５１ｃを開口状態にし、基板１を載置台７に設置し、制御部６の制御シーケンスを開始する。胴体部５１ｂはあらかじめ設定された位置となるように支持部５１ａから垂直方向に移動する。また、絞り部５１ｃはあらかじめ設定された位置となるように塗布液膜２の中央部方向に移動し、塗布液膜２の周縁部付近を覆い塗布液膜の中央部に開口部が形成された状態となる。載置台７の加熱機構である発熱抵抗体を作動させることで、塗布液膜２の温度が上昇する。温度上昇に伴って溶媒の蒸気圧が上がるため、蒸発が促進される。
【００２３】
蒸発した溶媒蒸気は、塗布液膜の上方へ拡散により移動していくが、図３（ａ）に示すように、塗布液膜２の周縁部上方の空間は、胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃによって部分的に覆われているため、この空間に蒸発した溶媒蒸気が溜まって局所的に飽和状態となる。これにより、この局所領域で蒸発を極端に遅くすることが可能となる。そして、この局所領域の大きさは、絞り部５１ｃの移動によって開口部の大きさを変える事で調整することができる。
【００２４】
図３（ｂ）は基板１の周縁部からの距離に対する蒸発速度を概念的に示したグラフである。８ａは本実施の形態であるカバー部５１がある場合の状態を示しており、８ｂはカバー部５１がない場合の状態を示している。カバー部５１により、塗布液膜の周縁部での蒸発速度が中央部よりも遅くなるような状態を作ることができ、塗布液膜内の液面に沿った溶媒濃度分布の形成を抑制することができる。その結果、表面張力勾配による流動が抑制され、エッジビードの成長が軽減される。
【００２５】
[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態では、第１の実施の形態を示す図２における胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの位置を、塗布液膜２の乾燥中に適切に移動させながら行う。
【００２６】
胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃによって作られる局所領域では溶媒蒸気が滞留する一方で、塗布液膜２の周縁部以外の領域では、溶媒蒸気と空気の拡散、浮力対流による移流によって溶媒蒸気の濃度境界層の厚みが決まる。この濃度境界層の厚みが、絞り部５１ｃよりも上方まで及んだ場合、塗布液膜周縁部付近に、図４の等値線に示すような濃度分布が形成されることが考えられる。この場合、絞り部５１ｂの端部付近に、溶媒蒸気濃度の勾配が大きくなる部分Ｘｓが形成され、この部分Ｘｓでは、図３（ｂ）の８ｂに示すように蒸発速度が極値を持つことが考えられる。
【００２７】
図３（ｂ）の８ｂに示すのような蒸発速度の分布が維持された場合、図１に示したように、蒸発の速い部分での塗布液膜内の溶媒濃度が減少し、前述のマランゴニ効果によって、Ｘｓの部分が盛り上がることが考えられる。このような状況が発生しないようにするために、乾燥プロセス中に胴体部５１ｂを塗布液膜２から遠ざける方向に垂直移動させる。
【００２８】
また、塗布液膜２の周縁部での蒸発速度を極端に抑制しつづけると、塗布液膜２の周縁部で溶媒濃度が大きくなりすぎて、周縁部から中央部に向かうマランゴニ効果が働いて、周縁部よりもやや内側の膜厚が大きくなる状況が起こりうる。このため、絞り部５１ｃは、乾燥の進行に伴って、少なくとも徐々に開口部が大きくなるように移動させ、開口部の面積を変更する。
【００２９】
本実施の形態においては、胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動機構の制御は、たとえば時刻に対する設定値のデータセットとしてあらかじめ記憶させた制御データに従うようにしてもよい。この制御データは、塗布液の種類や初期の溶媒濃度、および形成する塗布膜の膜厚によって調整するのが望ましく、最適な設定条件については、たとえば、予め実験もしくは数値計算を行うことで見出すことができる。
【００３０】
また、下記の他の実施形態で詳述する図５に示すように、たとえば干渉法による膜厚測定手段、および吸光法による溶媒濃度測定手段を組み合わせた濃度分布センサー１０を塗布液膜２の周縁部に設けて、検知された濃度分布の情報に従って胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動をリアルタイムにフィードバック制御するようにしてもよい。この場合、たとえば、濃度分布センサー１０によって検知された濃度分布が、塗布液膜２の周縁部に向かって溶媒濃度が低下する向きであった場合、絞り部５１ｃを閉じるように移動させ、塗布液膜２の周縁部に向かって溶媒濃度が増加する向きであった場合は、絞り部５１ｃを開放するように移動させることが望ましい。
【００３１】
（他の実施の形態）
本発明は、カバー部を設けることによって塗布液膜２の周縁部付近に局所的に溶媒蒸気が滞留する空間を作ることにあり、この思想に沿うものであれば、乾燥装置の構成要素は、前述の第１、第２の実施の形態に示す構造に限定されるものではない。
【００３２】
本発明における他の実施形態として、図５に示すような構成の乾燥装置が考えられる。図中の３は塗布液膜２に含まれる溶媒を保持した溶媒容器であり、上面が開口になっている。溶媒容器３は、基板１、塗布液膜２、載置台７の外周部に設けられている。溶媒容器３には、外部から溶媒供給流路９を通じて溶媒が供給される。溶媒供給流路９には、供給流量を調節するバルブ９ａが設けられている。溶媒容器３には、該溶媒容器を密閉するためのフタが設けられていてもよい。なお、図５において第１の実施の形態を示す図２と同じ部材には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００３３】
また、載置台７は、基板１の下部に位置する部分７ａと、溶媒容器３の下部に位置する部分７ｂとに分かれて構成されており、それぞれに独立した加熱機構を設けて、基板１と溶媒容器３とを異なる温度に加熱するようにしてもよい。このように、塗布液膜２からの溶媒蒸発だけでなく、独立した溶媒蒸気の供給機構を設けることで、塗布液膜２の周縁部での蒸発速度を更に抑制することができる。この構成の場合、濃度分布センサー１０によって検知された濃度分布の情報に基づいて行うフィードバック制御の対象として、胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動だけでなく、溶媒容器のフタ、溶媒供給流路のバルブ９ａ、載置台７ａおよび７ｂの加熱機構を含めるようにしてもよい。
【００３４】
また、本発明におけるカバー部の形状や移動機構についても前述の第１、第２の実施の形態に示す構造に限定されるものではなく、たとえば、図６に示す他の形状のカバー部５２を使用することもできる。
【００３５】
図６（ａ）は他の形状のカバー部５２を用いた乾燥装置の断面図であり、図６（ｂ）は斜視図である。図中５２ｂは、複数の曲面状の部材から構成される絞り部であり、支持部５２ａと回転可能に設けられている。また、液晶表示装置用のカラーパネルなど、基板が矩形形状の場合は、図６（ｃ）の５３ａ、５３ｂ、５３ｃに示すような形状のカバー部を設けるのが望ましい。
【００３６】
（実施例１）
本実施例においては、スピンコート法により基板１上に塗布液膜２を形成し、図２に示す構成の乾燥装置を用いて乾燥を行った。基板１は半径７５ｍｍ、厚さ６２５μｍのシリコンを用いた。塗布液はエポキシ樹脂およびキシレン溶媒から構成される溶液を用いた。塗布前の溶液の溶媒濃度は質量分率で５０％に調整した。スピンコーターは、基板および回転ユニットにフタが設けられており、フタが同時に回転するタイプのものを用いた。
【００３７】
スピンコーターの回転ユニットに基板１を設置し、基板１上に上記の塗布溶液を３ｃｃ滴下した後、スピンコーターのフタを閉めて回転数６００ｒｐｍで１２秒間回転させた。その後、基板１を図２の乾燥装置の載置台７に載せ、載置台７の温度は６０℃に設定し、６００秒間の乾燥を行った。カバー部５１の移動可能部分である胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃの位置は、基板１の上面から胴体部５１ｂまでの距離が５ｍｍとなるように、そして、絞り部５１ｃの水平方向の先端が塗布液膜の外縁から５ｍｍ程度内側の位置になるように設定し、これらの位置は乾燥中には固定した。
【００３８】
６００秒間の乾燥後、基板１に形成された塗布液膜２の膜厚分布を干渉計により測定した。測定は基板の中心を通る放射線上に０．１ｍｍ間隔で行った。外縁から１０ｍｍの周縁部を除いた領域での平均膜厚をＨ０とし、外縁から１０ｍｍまでの周縁部領域での最大膜厚をＨｍｘ、平均膜厚からの差が±２μｍ以内となっている最大の半径方向位置をＲｍｘとして、これらの値を表１に示す。
【００３９】
（実施例２）
本実施例では、実施例１と同様の方法で塗布液膜２を形成した。ただし、カバー部５１の移動可能部分である胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃの位置は、乾燥開始から１００秒間は実施例１と同じ位置に設定し、その後は絞り部５１ｃを胴体部５１ｂに完全に収納した。乾燥後の塗布液膜２の膜厚について、実施例１と同様に測定を行った結果を表１に示す。
【００４０】
（比較例１）
本発明の乾燥方法の効果を確認するため、本発明の乾燥方法を用いないような乾燥を行った。実施例１と同様の基板および塗布液を用いて、同様の塗布方法で基板１上に塗布溶液を塗布した。その後、図２の乾燥装置からカバー部５１を取り外して乾燥を行った。載置台７の温度と乾燥時間は実施例１と同様とした。乾燥後の塗布液膜２の膜厚について、実施例１と同様に測定を行った結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
表１に示すように、比較例１に比べて実施例１および実施例２で形成した塗布膜の方が周縁部での最大膜厚が抑えられていることが分かる。また、平均膜厚からの偏差が少ない領域、すなわち膜厚均一性の良好な領域が拡大していることが分かる。さらに、実施例１ではカバー部５の形状を乾燥中で固定したが、実施例２のように乾燥の進行途中で調整することで、より良い膜厚均一性を得られることが分かる。
【符号の説明】
【００４３】
１ 基板
２ 塗布液膜
３ 溶媒容器
５１、５２、５３ カバー部
５１ａ、５２ａ 、５３ａ 支持部
５１ｂ、５２ｂ、５３ｂ 胴体部
５１ｃ、５３ｃ 絞り部
６ 制御部
７ 載置台
９ 溶媒供給流露
９ａ バルブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ技術におけるレジスト膜や、液晶表示装置用のカラーフィルタや、配向膜など、基板上に膜厚均一性の高い塗布膜を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、インクジェット記録装置、ＭＥＭＳデバイス等の製造方法では、フォトリソグラフィ技術によって微細加工が行われている。フォトリソグラフィ技術では、基板上にフォトレジスト膜を形成後、フォトレジスト膜を露光・現像してパターンを形成し、パターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、成膜やエッチングを行って機能性の膜を所望の微細構造に加工する。一般的にフォトレジスト膜は、パターンを形成するための樹脂成分を主体とし、露光によって重合反応を開始するための光重合開始材、および流動性を持たせるための溶媒などから構成される溶液である。
【０００３】
半導体デバイスにおいては、フォトレジスト膜は最終的に溶剤で除去されるが、ＭＥＭＳデバイスやインクジェット記録ヘッド等の製造方法においては、フォトレジスト膜を微細構造自体の構成部材として用いる場合がある。フォトレジスト膜の形成方法としては、一般的に、何らかの塗布方法によって基板上に揮発性の溶媒を含む溶液を塗布した後、溶媒を乾燥させる工程を経る。以下では、基板上に塗り広げられた乾燥前の液膜を「塗布液膜」、乾燥させた後の状態を「塗布膜」と呼び分ける。
【０００４】
塗布液膜を塗布する方法としては、基板を回転させて溶液を濡れ広げるスピンコート法や、スリット状の流路から溶液を滴下しながら基板上を走査させるスリットコート法などが知られている。塗布液膜中の溶媒を乾燥させる方法としては、減圧乾燥や、ホットプレートによる加熱乾燥、熱風乾燥などがある。このようにして形成したフォトレジスト膜の膜厚が空間的に不均一になった場合、露光工程以降での加工精度や、最終的な構造部材としての寸法精度が悪化する。
【０００５】
特に、図７に示すように、基板１０１上の塗布膜１０２の周縁部の領域Ｂ部では、塗布膜２ａの中央部分Ａ部に比べて膜厚が極端に大きくなる状態（以下、エッジビード）が起こることが課題となっていた。たとえば、半導体デバイスやインクジェット記録ヘッドなどの製造においては、１枚の基板上に複数のデバイスチップを配置するのが一般的であるが、エッジビードが発生すると、基板内でチップとして利用可能な有効面積が縮小し、歩留りが悪化してしまう。また、エッジビードの存在は、露光工程においてはマスクをウェハに近づけられないために密接露光ができないことや、アライメント調整の障害となる。一方、液晶表示装置用のカラーパネルや配向膜などの塗布膜の場合、エッジビードの存在は画像品位に直接影響する。したがって、多くの場合、形成されたエッジビードを除去するために、周縁部のみに溶剤を滴下させて洗浄する工程、もしくは化学機械研磨を施すなどの工程が必要となり、製造工程での工数が増大してしまう。
【０００６】
このようなエッジビードが形成される要因については、塗布液膜の表面で周縁部に向かう気流や、塗布液膜周縁部で蒸発速度が大きくなり、表面張力が不均一となるのが原因と考えられている。エッジビードを低減する塗布膜形成方法としては、特許文献１に記載されるように、密閉容器内に塗布液膜に含まれる溶媒蒸気を供給することで、部分的に乾燥を抑制する方法がある。この方法では、塗布液膜の上方に漏斗状の溶媒蒸気供給部を設け、その開口部を塗布液膜の周縁部付近に設けることで塗布液膜周縁部での溶媒蒸気濃度を高めることを図っている。
【０００７】
また、別の方法としては、特許文献２に記載されるように、塗布液膜周縁部付近に溶媒蒸気の供給源を設けることで、塗布膜全体の蒸発速度を均一化する方法がある。この方法では、密閉容器内に、溶媒を保持するための凹部を基板の周縁部に沿って設置し、この凹部の開口部を塞ぐように多孔質体が設置されている。密閉容器内を減圧することで多孔質体内に溶媒が浸透し、溶媒が霧状になって容器内に供給され、塗布液膜周縁部での溶媒蒸気濃度を高めることが図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０６−０２３３１５号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記の従来技術では、塗布液膜の周縁部に溶媒蒸気を供給することで、塗布液膜全面に渡って蒸発速度を揃えることを図っている。しかし、蒸発速度、すなわち単位時間に蒸発する溶媒量が一定であっても、膜厚が小さい部分では溶媒の絶対量が少ないため、中央部に比べると濃度の変化が大きくなる。このため、蒸発速度を一様に揃えたとしても、膜厚が徐々に小さくなっていく周縁部では濃度分布が生じてしまい、表面張力勾配による流動によってエッジビードが形成されることを避けられない。つまり、従来技術では、塗布液膜内での液面に沿った溶媒濃度分布を軽減するように蒸発速度を制御する、という観点が考慮されていない。
【００１０】
本発明の目的は、基板に塗布された溶液を乾燥させて塗布膜を形成する際に、周縁部におけるエッジビードを低減し、膜厚均一性の高い塗布膜を形成する塗布膜形成方法および塗布膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明は、揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記塗布液膜の乾燥中は、前記塗布液膜の周縁部の上方を覆い前記塗布液膜の中央部に開口部を形成するカバー部を配置する塗布膜形成方法を提供している。
【００１２】
また本発明は、揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記基板を載置するための載置台と、少なくとも前記塗布液膜の周縁部の上方を覆うように設けられたカバー部とを備えた塗布膜形成装置を提供している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の塗布膜形成方法によれば、塗布膜の周縁部でのエッジビードを低減し、膜厚均一性の高い領域面積を増加させることができる。これにより、基板上に多数のデバイスチップを配置する際に、歩留りを向上させることができる。また、エッジビードを除去する工程を省くことで製造工程の工数を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】塗布液膜にエッジビードが形成されるメカニズムを説明する断面図
【図２】第１の実施形態における乾燥装置を説明する概念図である。
【図３】第１の実施形態における、塗布液膜周縁部の状態を示す模式図
【図４】第２の実施形態における、塗布液膜周縁部での蒸発の様子を示す模式図
【図５】他の実施形態における、乾燥装置を説明する概念図である。
【図６】他の実施形態における、乾燥装置を説明する概念図である。
【図７】従来技術の乾燥方法を用いた場合の、乾燥後の塗布膜の状態を説明する断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明における実施形態を説明する前に、塗布液膜にエッジビードが形成されるメカニズムについて、図１を用いて説明する。
【００１６】
エッジビードの形成メカニズムにおいて本質的なのは、塗布液膜の周縁部で蒸発が早いこと、および表面張力の勾配によって流動が起こることであると考えられる。塗布液膜の周縁部に向かうにしたがって、周りに液膜自体が存在しなくなってくるため、塗布液膜の中央部に比べて溶媒蒸気の発生源が少なくなる。このため、塗布液膜の乾燥中には、塗布液膜周縁部の気相側で溶媒蒸気の密度が低くなり、液相側からの蒸発速度が大きくなって塗布液膜内に溶媒濃度分布を生じる。
【００１７】
また、蒸発速度が一様であったとしても、膜厚が小さい周縁部では溶媒の絶対量が少ないため、中央部に比べると濃度の変化が大きくなる。このため、塗布液膜周縁部付近では、液面に沿って極端な溶媒濃度の勾配が生じることになる。一般的な塗布溶液である樹脂溶液では、溶媒濃度の変化に伴って物性値が変化し、表面張力および粘性係数は増大、拡散係数は減少する傾向がある。
【００１８】
このため、塗布液膜周縁部付近の気液界面上には、端部側が大きくなるような表面張力勾配が形成されることになる（図１（ａ））。気液界面上に表面張力勾配が存在する場合、液体内にせん断力を生じて流れが駆動される。この現象はマランゴニ効果と呼ばれ、微小スケールの流体システムや、微小重力環境などで顕在化する現象として知られている。塗布液膜周縁部付近での濃度分布によって表面張力勾配が形成されてマランゴニ効果が働き、外縁側へ流体が供給されることで端部が極端に隆起する（図１（ｂ））。これに加えて、塗布液膜周縁部で蒸発が速いことによって粘性係数が極端に増大するため、内側から周縁側へ流れ込んで隆起した部分は早期に流動性を失って固化する。このようにしてエッジビードが形成されると考えられる。
【００１９】
以下、本発明の適切な実施の形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の適切な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかし、本発明の思想に沿うものであれば、以下に記載する実施形態やその他の具体的形状に限定されるものではない。
【００２０】
[第１の実施の形態]
図２は本発明の第１の実施の形態における乾燥装置を示す概念図であり、図２（ａ）は乾燥装置の断面図、図２（ｂ）は乾燥装置の斜視図である。図中１はガラス、シリコン等からなる基板、２は基板１上に塗り広げられた塗布液膜であり、基板１は載置台７に置かれている。載置台７は、基板１の周縁に沿った形状になっている。
【００２１】
載置台７には、発熱抵抗体が埋め込まれており、ホットプレートの機能を有している。５１は塗布液膜２の周縁部を覆うためのカバー部であり、載置台７の周縁部に沿って設置されている。カバー部５１は、支持部５１ａ、胴体部５１ｂ、および絞り部５１ｃから構成されており、胴体部５１ｂは、図示しない移動機構によって、支持部５１ａから垂直方向に移動可能な構造となっている。また、絞り部５１ｃは図２（ｂ）に示すように複数のプレートから構成されており、これらのプレートは図示しない移動機構によって水平方向に移動可能であり、カメラの絞り機構と同様に、開口部の面積を調節可能となっている。載置台７の加熱機構、およびカバー部５１の胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動機構は、制御部６に接続されている。
【００２２】
次に本実施形態での塗布膜形成方法を説明する。まず、スピンコート法やスリットコート法などによって、基板１上に揮発性の溶媒を含む塗布溶液を塗布し、塗布液膜２を形成する。その後、絞り部５１ｃを開口状態にし、基板１を載置台７に設置し、制御部６の制御シーケンスを開始する。胴体部５１ｂはあらかじめ設定された位置となるように支持部５１ａから垂直方向に移動する。また、絞り部５１ｃはあらかじめ設定された位置となるように塗布液膜２の中央部方向に移動し、塗布液膜２の周縁部付近を覆い塗布液膜の中央部に開口部が形成された状態となる。載置台７の加熱機構である発熱抵抗体を作動させることで、塗布液膜２の温度が上昇する。温度上昇に伴って溶媒の蒸気圧が上がるため、蒸発が促進される。
【００２３】
蒸発した溶媒蒸気は、塗布液膜の上方へ拡散により移動していくが、図３（ａ）に示すように、塗布液膜２の周縁部上方の空間は、胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃによって部分的に覆われているため、この空間に蒸発した溶媒蒸気が溜まって局所的に飽和状態となる。これにより、この局所領域で蒸発を極端に遅くすることが可能となる。そして、この局所領域の大きさは、絞り部５１ｃの移動によって開口部の大きさを変える事で調整することができる。
【００２４】
図３（ｂ）は基板１の周縁部からの距離に対する蒸発速度を概念的に示したグラフである。８ａは本実施の形態であるカバー部５１がある場合の状態を示しており、８ｂはカバー部５１がない場合の状態を示している。カバー部５１により、塗布液膜の周縁部での蒸発速度が中央部よりも遅くなるような状態を作ることができ、塗布液膜内の液面に沿った溶媒濃度分布の形成を抑制することができる。その結果、表面張力勾配による流動が抑制され、エッジビードの成長が軽減される。
【００２５】
[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態では、第１の実施の形態を示す図２における胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの位置を、塗布液膜２の乾燥中に適切に移動させながら行う。
【００２６】
胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃによって作られる局所領域では溶媒蒸気が滞留する一方で、塗布液膜２の周縁部以外の領域では、溶媒蒸気と空気の拡散、浮力対流による移流によって溶媒蒸気の濃度境界層の厚みが決まる。この濃度境界層の厚みが、絞り部５１ｃよりも上方まで及んだ場合、塗布液膜周縁部付近に、図４の等値線に示すような濃度分布が形成されることが考えられる。この場合、絞り部５１ｂの端部付近に、溶媒蒸気濃度の勾配が大きくなる部分Ｘｓが形成され、この部分Ｘｓでは、図３（ｂ）の８ｂに示すように蒸発速度が極値を持つことが考えられる。
【００２７】
図３（ｂ）の８ｂに示すのような蒸発速度の分布が維持された場合、図１に示したように、蒸発の速い部分での塗布液膜内の溶媒濃度が減少し、前述のマランゴニ効果によって、Ｘｓの部分が盛り上がることが考えられる。このような状況が発生しないようにするために、乾燥プロセス中に胴体部５１ｂを塗布液膜２から遠ざける方向に垂直移動させる。
【００２８】
また、塗布液膜２の周縁部での蒸発速度を極端に抑制しつづけると、塗布液膜２の周縁部で溶媒濃度が大きくなりすぎて、周縁部から中央部に向かうマランゴニ効果が働いて、周縁部よりもやや内側の膜厚が大きくなる状況が起こりうる。このため、絞り部５１ｃは、乾燥の進行に伴って、少なくとも徐々に開口部が大きくなるように移動させ、開口部の面積を変更する。
【００２９】
本実施の形態においては、胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動機構の制御は、たとえば時刻に対する設定値のデータセットとしてあらかじめ記憶させた制御データに従うようにしてもよい。この制御データは、塗布液の種類や初期の溶媒濃度、および形成する塗布膜の膜厚によって調整するのが望ましく、最適な設定条件については、たとえば、予め実験もしくは数値計算を行うことで見出すことができる。
【００３０】
また、下記の他の実施形態で詳述する図５に示すように、たとえば干渉法による膜厚測定手段、および吸光法による溶媒濃度測定手段を組み合わせた濃度分布センサー１０を塗布液膜２の周縁部に設けて、検知された濃度分布の情報に従って胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動をリアルタイムにフィードバック制御するようにしてもよい。この場合、たとえば、濃度分布センサー１０によって検知された濃度分布が、塗布液膜２の周縁部に向かって溶媒濃度が低下する向きであった場合、絞り部５１ｃを閉じるように移動させ、塗布液膜２の周縁部に向かって溶媒濃度が増加する向きであった場合は、絞り部５１ｃを開放するように移動させることが望ましい。
【００３１】
（他の実施の形態）
本発明は、カバー部を設けることによって塗布液膜２の周縁部付近に局所的に溶媒蒸気が滞留する空間を作ることにあり、この思想に沿うものであれば、乾燥装置の構成要素は、前述の第１、第２の実施の形態に示す構造に限定されるものではない。
【００３２】
本発明における他の実施形態として、図５に示すような構成の乾燥装置が考えられる。図中の３は塗布液膜２に含まれる溶媒を保持した溶媒容器であり、上面が開口になっている。溶媒容器３は、基板１、塗布液膜２、載置台７の外周部に設けられている。溶媒容器３には、外部から溶媒供給流路９を通じて溶媒が供給される。溶媒供給流路９には、供給流量を調節するバルブ９ａが設けられている。溶媒容器３には、該溶媒容器を密閉するためのフタが設けられていてもよい。なお、図５において第１の実施の形態を示す図２と同じ部材には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００３３】
また、載置台７は、基板１の下部に位置する部分７ａと、溶媒容器３の下部に位置する部分７ｂとに分かれて構成されており、それぞれに独立した加熱機構を設けて、基板１と溶媒容器３とを異なる温度に加熱するようにしてもよい。このように、塗布液膜２からの溶媒蒸発だけでなく、独立した溶媒蒸気の供給機構を設けることで、塗布液膜２の周縁部での蒸発速度を更に抑制することができる。この構成の場合、濃度分布センサー１０によって検知された濃度分布の情報に基づいて行うフィードバック制御の対象として、胴体部５１ｂと絞り部５１ｃの移動だけでなく、溶媒容器のフタ、溶媒供給流路のバルブ９ａ、載置台７ａおよび７ｂの加熱機構を含めるようにしてもよい。
【００３４】
また、本発明におけるカバー部の形状や移動機構についても前述の第１、第２の実施の形態に示す構造に限定されるものではなく、たとえば、図６に示す他の形状のカバー部５２を使用することもできる。
【００３５】
図６（ａ）は他の形状のカバー部５２を用いた乾燥装置の断面図であり、図６（ｂ）は斜視図である。図中５２ｂは、複数の曲面状の部材から構成される絞り部であり、支持部５２ａと回転可能に設けられている。また、液晶表示装置用のカラーパネルなど、基板が矩形形状の場合は、図６（ｃ）の５３ａ、５３ｂ、５３ｃに示すような形状のカバー部を設けるのが望ましい。
【００３６】
（実施例１）
本実施例においては、スピンコート法により基板１上に塗布液膜２を形成し、図２に示す構成の乾燥装置を用いて乾燥を行った。基板１は半径７５ｍｍ、厚さ６２５μｍのシリコンを用いた。塗布液はエポキシ樹脂およびキシレン溶媒から構成される溶液を用いた。塗布前の溶液の溶媒濃度は質量分率で５０％に調整した。スピンコーターは、基板および回転ユニットにフタが設けられており、フタが同時に回転するタイプのものを用いた。
【００３７】
スピンコーターの回転ユニットに基板１を設置し、基板１上に上記の塗布溶液を３ｃｃ滴下した後、スピンコーターのフタを閉めて回転数６００ｒｐｍで１２秒間回転させた。その後、基板１を図２の乾燥装置の載置台７に載せ、載置台７の温度は６０℃に設定し、６００秒間の乾燥を行った。カバー部５１の移動可能部分である胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃの位置は、基板１の上面から胴体部５１ｂまでの距離が５ｍｍとなるように、そして、絞り部５１ｃの水平方向の先端が塗布液膜の外縁から５ｍｍ程度内側の位置になるように設定し、これらの位置は乾燥中には固定した。
【００３８】
６００秒間の乾燥後、基板１に形成された塗布液膜２の膜厚分布を干渉計により測定した。測定は基板の中心を通る放射線上に０．１ｍｍ間隔で行った。外縁から１０ｍｍの周縁部を除いた領域での平均膜厚をＨ０とし、外縁から１０ｍｍまでの周縁部領域での最大膜厚をＨｍｘ、平均膜厚からの差が±２μｍ以内となっている最大の半径方向位置をＲｍｘとして、これらの値を表１に示す。
【００３９】
（実施例２）
本実施例では、実施例１と同様の方法で塗布液膜２を形成した。ただし、カバー部５１の移動可能部分である胴体部５１ｂおよび絞り部５１ｃの位置は、乾燥開始から１００秒間は実施例１と同じ位置に設定し、その後は絞り部５１ｃを胴体部５１ｂに完全に収納した。乾燥後の塗布液膜２の膜厚について、実施例１と同様に測定を行った結果を表１に示す。
【００４０】
（比較例１）
本発明の乾燥方法の効果を確認するため、本発明の乾燥方法を用いないような乾燥を行った。実施例１と同様の基板および塗布液を用いて、同様の塗布方法で基板１上に塗布溶液を塗布した。その後、図２の乾燥装置からカバー部５１を取り外して乾燥を行った。載置台７の温度と乾燥時間は実施例１と同様とした。乾燥後の塗布液膜２の膜厚について、実施例１と同様に測定を行った結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
表１に示すように、比較例１に比べて実施例１および実施例２で形成した塗布膜の方が周縁部での最大膜厚が抑えられていることが分かる。また、平均膜厚からの偏差が少ない領域、すなわち膜厚均一性の良好な領域が拡大していることが分かる。さらに、実施例１ではカバー部５の形状を乾燥中で固定したが、実施例２のように乾燥の進行途中で調整することで、より良い膜厚均一性を得られることが分かる。
【符号の説明】
【００４３】
１ 基板
２ 塗布液膜
３ 溶媒容器
５１、５２、５３ カバー部
５１ａ、５２ａ 、５３ａ 支持部
５１ｂ、５２ｂ、５３ｂ 胴体部
５１ｃ、５３ｃ 絞り部
６ 制御部
７ 載置台
９ 溶媒供給流露
９ａ バルブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記塗布液膜の乾燥中は、前記塗布液膜の周縁部の上方を覆い前記塗布液膜の中央部に開口部を形成するカバー部を配置することを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
前記カバー部は、開口部の面積を調節する機構を有しており、前記開口部の面積を徐々に大きく、もしくは徐々に小さくさせながら、前記塗布液膜の乾燥させることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
前記カバー部の開口部の面積の変更は、あらかじめ記憶させた制御データに基づいて行われることを特徴とする請求項２に記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
前記塗布液膜の周縁部には、溶媒濃度分布を検知する濃度分布センサーを設けられており、前記溶媒濃度分布の情報に基づいて、前記カバー部の開口部の面積を変更することを特徴とする請求項２に記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
前記塗布液膜の外周部には、前記塗布液膜に含まれる前記溶媒を保持した溶媒容器が設けられており、前記乾燥中は、前記溶媒容器から前記溶媒が蒸発していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の塗布膜形成方法。
【請求項６】
揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記基板を載置するための載置台と、少なくとも前記塗布液膜の周縁部の上方を覆うように設けられたカバー部とを備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記カバー部には前記開口部の面積を調節する機構が設けられており、前記開口部の面積を調整する制御部は、あらかじめ記憶させた制御データに基づいて、前記塗布液膜の乾燥中に、前記開口部の面積を変更させることを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
【請求項８】
前記塗布液膜の周縁部には、溶媒濃度分布を検知する濃度分布センサーを設けられており、前記開口部の面積を調整する制御部は、前記溶媒濃度分布の情報に基づいて、前記開口部の面積を変更させることを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
【請求項９】
前記塗布液膜の外周部には、前記塗布液膜に含まれる前記溶媒を保持した溶媒容器が設けられていることを特徴とする請求項６または７のいずれか１つに記載の塗布膜形成装置。
【請求項１】
揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記塗布液膜の乾燥中は、前記塗布液膜の周縁部の上方を覆い前記塗布液膜の中央部に開口部を形成するカバー部を配置することを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
前記カバー部は、開口部の面積を調節する機構を有しており、前記開口部の面積を徐々に大きく、もしくは徐々に小さくさせながら、前記塗布液膜の乾燥させることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
前記カバー部の開口部の面積の変更は、あらかじめ記憶させた制御データに基づいて行われることを特徴とする請求項２に記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
前記塗布液膜の周縁部には、溶媒濃度分布を検知する濃度分布センサーを設けられており、前記溶媒濃度分布の情報に基づいて、前記カバー部の開口部の面積を変更することを特徴とする請求項２に記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
前記塗布液膜の外周部には、前記塗布液膜に含まれる前記溶媒を保持した溶媒容器が設けられており、前記乾燥中は、前記溶媒容器から前記溶媒が蒸発していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の塗布膜形成方法。
【請求項６】
揮発性の溶媒を含む塗布溶液を基板に塗布して形成し、塗布した塗布液膜を乾燥させて塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記基板を載置するための載置台と、少なくとも前記塗布液膜の周縁部の上方を覆うように設けられたカバー部とを備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記カバー部には前記開口部の面積を調節する機構が設けられており、前記開口部の面積を調整する制御部は、あらかじめ記憶させた制御データに基づいて、前記塗布液膜の乾燥中に、前記開口部の面積を変更させることを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
【請求項８】
前記塗布液膜の周縁部には、溶媒濃度分布を検知する濃度分布センサーを設けられており、前記開口部の面積を調整する制御部は、前記溶媒濃度分布の情報に基づいて、前記開口部の面積を変更させることを特徴とする請求項６に記載の塗布膜形成装置。
【請求項９】
前記塗布液膜の外周部には、前記塗布液膜に含まれる前記溶媒を保持した溶媒容器が設けられていることを特徴とする請求項６または７のいずれか１つに記載の塗布膜形成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−２５５３５９（Ｐ２０１１−２５５３５９Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３４３１１（Ｐ２０１０−１３４３１１）
【出願日】平成２２年６月１１日（２０１０．６．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１１日（２０１０．６．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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