微細製作エラストマーバルブおよびポンプシステム
【課題】エラストマーバルブの構造体製造方法を提供する。
【解決手段】微細製作モールドの頂部上で第一エラストマー層を形成する工程であって、該微細製作モールドが、該第一エラストマー層20の底部表面に沿って延びる第一凹部を形成する第一隆起突出部を有する、工程;第二エラストマー層22を微細製作モールドの頂部上に形成する工程であって、該微細製作モールドが、該第二エラストマー層22の底部表面に沿って延びる、第二凹部を形成する第二隆起突出部を有する工程;該第二エラストマー層22の底部表面を、該第一エラストマー層22の頂部表面上へ結合し、その結果、制御チャネルが、該第一および第二エラストマー層20の間の第二凹部中に形成される工程;および平坦基板の頂部上の該第一エラストマー層を位置決めし、その結果、フローチャネル32が該第一エラストマー層22と該平坦基板との間の該第一凹部中に形成される工程、を包む。
【解決手段】微細製作モールドの頂部上で第一エラストマー層を形成する工程であって、該微細製作モールドが、該第一エラストマー層20の底部表面に沿って延びる第一凹部を形成する第一隆起突出部を有する、工程;第二エラストマー層22を微細製作モールドの頂部上に形成する工程であって、該微細製作モールドが、該第二エラストマー層22の底部表面に沿って延びる、第二凹部を形成する第二隆起突出部を有する工程;該第二エラストマー層22の底部表面を、該第一エラストマー層22の頂部表面上へ結合し、その結果、制御チャネルが、該第一および第二エラストマー層20の間の第二凹部中に形成される工程;および平坦基板の頂部上の該第一エラストマー層を位置決めし、その結果、フローチャネル32が該第一エラストマー層22と該平坦基板との間の該第一凹部中に形成される工程、を包む。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
本願明細書に記載の微細流体構造。
【請求項1】
本願明細書に記載の微細流体構造。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図7F】
【図7G】
【図7H】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23A】
【図23B】
【図24A】
【図24B】
【図25】
【図26A】
【図26B】
【図27】
【図28A】
【図28B】
【図28C】
【図28D】
【図29】
【図30】
【図31A】
【図31B】
【図31C】
【図31D】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35A】
【図35B】
【図35C】
【図35D】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42A】
【図42B】
【図42C】
【図42D】
【図42E】
【図42F】
【図42G】
【図42H】
【図42I】
【図42J】
【図43】
【図44A】
【図44B】
【図44C】
【図44D】
【図45A】
【図45B】
【図46A】
【図46B】
【図47】
【図48A】
【図48B】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73A】
【図73B】
【図73C】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80A】
【図80B】
【図81】
【図82】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図7F】
【図7G】
【図7H】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23A】
【図23B】
【図24A】
【図24B】
【図25】
【図26A】
【図26B】
【図27】
【図28A】
【図28B】
【図28C】
【図28D】
【図29】
【図30】
【図31A】
【図31B】
【図31C】
【図31D】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35A】
【図35B】
【図35C】
【図35D】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42A】
【図42B】
【図42C】
【図42D】
【図42E】
【図42F】
【図42G】
【図42H】
【図42I】
【図42J】
【図43】
【図44A】
【図44B】
【図44C】
【図44D】
【図45A】
【図45B】
【図46A】
【図46B】
【図47】
【図48A】
【図48B】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73A】
【図73B】
【図73C】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80A】
【図80B】
【図81】
【図82】
【公開番号】特開2009−52744(P2009−52744A)
【公開日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−229084(P2008−229084)
【出願日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【分割の表示】特願2004−344861(P2004−344861)の分割
【原出願日】平成13年11月28日(2001.11.28)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.TEFLON
【出願人】(598128421)カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー (26)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【分割の表示】特願2004−344861(P2004−344861)の分割
【原出願日】平成13年11月28日(2001.11.28)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.TEFLON
【出願人】(598128421)カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー (26)
【Fターム(参考)】
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