振動片、振動子および圧電デバイス

【課題】厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる振動片、振動子および圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】振動片２は、厚みすべり振動する第１の圧電体基板２１と、第１の圧電体基板２１に積層され、厚みすべり振動する第２の圧電体基板２２と、第１の圧電体基板２１の第２の圧電体基板２２とは反対側の面に接合された励振電極２３ａと、第２の圧電体基板２２の第１の圧電体基板２１とは反対側の面に接合された励振電極２３ｃと、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間に設けられた励振電極２３ｂと、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２の側面に設けられ、励振電極２３ａと励振電極２３ｃとを電気的に接続する第１の側面電極と、第２の圧電体基板２２の側面に設けられ、励振電極２３ｂに電気的に接続された第２の側面電極とを有する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片、振動子および圧電デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶発振器等の圧電デバイスに備えられた水晶振動子等の振動子としては、厚み滑り振動を利用したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような振動子は、例えば、特許文献１に開示されているように、厚み滑り振動を主振動とする１つの圧電基板を用いて構成された振動片を備えている。そして、この圧電基板にその厚さ方向に電圧を印加することにより厚み滑り振動を励振させる。
【０００３】
また、特許文献１の振動子では、いわゆるメサ型構造を有する振動片を用いることにより、厚み滑り振動を閉じ込めて、Ｑ値を改善し、その結果、ＣＩ値（クリスタルインピーダンス）を低減している。
しかしながら、上述した従来の構造では、特定の周波数で振動する厚み滑り振動片を製造するには一対の励振電極間の圧電基板に周波数に対応した特定の厚さのものを使用しなければならない為、励振電極間に発生させる事のできる電界の大きさには限界があり、その結果としてＣＩ値を十分に低くすることが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６３３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる振動片、振動子および圧電デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の振動片は、厚み滑り振動を励振する第１の基板と、
前記第１の基板に積層され、厚み滑り振動を励振する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第２の基板とは反対側の主面上に配置されている第１の励振電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の主面上に配置されている第２の励振電極と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されている第３の励振電極と、
前記第１の基板および前記第２の基板の側面に配置され、前記第１の励振電極と前記第２の励振電極とを電気的に接続している第１の側面電極と、
前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板の側面に配置され、前記第３の励振電極に電気的に接続されている第２の側面電極と、
を備えることを特徴とする。
【０００７】
このように構成された振動片によれば、第１の側面電極と第２の側面電極との間に電圧を印加することにより、第１の励振電極と第３の励振電極との間、および、第２の励振電極と第３の励振電極との間にそれぞれ電界を生じさせることができる。これにより、第１の基板および第２の基板をそれぞれ厚み滑り振動させることができる。
特に、第１の基板および第２の基板の厚さをそれぞれ薄くして各基板に印加する電圧を抑えつつ、振動片全体の厚み滑り振動の変位量を大きくすることができる。そのため、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【０００８】
［適用例２］
本発明の振動片では、前記第１の基板および前記第２の基板は、それぞれ、圧電材料で構成された圧電体基板であることが好ましい。
これにより、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【０００９】
［適用例３］
本発明の振動片では、前記第１の基板および前記第２の基板は、前記第３の励振電極を介して互いに接合されていることが好ましい。
これにより、振動片の構成を比較的簡単なものとすることができる。
［適用例４］
本発明の振動片では、前記第３の励振電極に対して離間し、前記第１の側面電極付近における前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサー層を備えることが好ましい。
これにより、第１の側面電極を各種成膜法により容易に形成することができる。また、第１の基板と第２の基板との間における第１の側面電極の断線を防止することができる。
【００１０】
［適用例５］
本発明の振動片では、前記第１の基板の前記第２の基板とは反対側の主面上に配置され、前記第１の励振電極から前記第１の基板の側面へ向けて延出されている第１の引き出し電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の主面上に配置され、前記第２の励振電極から前記第２の基板の側面へ向けて延出されている第２の引き出し電極と、
を備え、
前記第１の引き出し電極および前記第２の引き出し電極は、前記第１の側面電極を介して互いに電気的に接続されていることが好ましい。
これにより、第１の励振電極、第２の励振電極および第１の側面電極の設計が容易となる。
【００１１】
［適用例６］
本発明の振動片では、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、前記第３の励振電極から前記第１の基板または前記第２の基板の側面に向けて延出されている第３の引き出し電極を備え、
前記第３の引き出し電極は、前記第２の側面電極に電気的に接続されていることが好ましい。
これにより、第３の励振電極および第２の側面電極の設計が容易となる。
【００１２】
［適用例７］
本発明の振動片では、前記第１の基板または前記第２の基板の前記第３の励振電極とは反対側の主面上には、
前記第１の側面電極に電気的に接続されている第１の電極パッドと、
前記第２の側面電極に電気的に接続されている第２の電極パッドと、
が配置されていることが好ましい。
これにより、振動片をベース基板に対して導電性接着剤等によりマウントすることにより、第１の電極パッドおよび第２の電極パッドをベース基板上のマウント電極に電気的に接続することができる。
【００１３】
［適用例８］
本発明の振動片では、前記第１の基板および前記第２の基板は、それぞれ、水晶基板であることが好ましい。
これにより、所望の振動特性でより高精度に厚み滑り振動を励振させることができる。
［適用例９］
本発明の振動片では、前記水晶基板は、水晶回転Ｙ板であることが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板にそれぞれ厚み滑り振動を効率的に励振させることができる。
【００１４】
［適用例１０］
本発明の振動片では、前記水晶回転Ｙ板は、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板のうちのいずれかであることが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板にそれぞれ厚み滑り振動を効率的に励振させることができる。
【００１５】
［適用例１１］
本発明の振動片では、前記第１の基板および前記第２の基板は、互いに同一のカット角の水晶基板であり、
一方の水晶基板の結晶軸が他方の水晶基板をＹ’軸またはＺ’軸まわりに１８０°回転させた結晶軸と同方向であることが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板に互いの接合面に同極性となるように電圧を印加することにより、第１の基板および第２の基板に互いに同方向の厚み滑り振動を励振させることができる。
【００１６】
［適用例１２］
本発明の振動子は、本発明の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージと、
を備えることを特徴とする。
これにより、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる振動子を提供できる。
［適用例１３］
本発明の圧電デバイスは、本発明の振動子を備えることを特徴とする。
これにより、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる圧電デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる圧電デバイス（振動子）を示す上面図である。
【図２】図１に示す圧電デバイスの断面図である。
【図３】図１に示す圧電デバイスに備えられた振動片を示す斜視図である。
【図４】図３に示す振動片の第２の圧電体基板、第２の励振電極および第３の励振電極を示す図である。
【図５】図２に示す圧電デバイスに備えられた振動片の動作を説明するための模式図である。
【図６】図５に示す動作の振動片に備えられた第１の圧電体基板および第２の圧電体基板をＡＴカットの水晶を用いて構成する場合の第１の例を説明するための図である。
【図７】図５に示す動作の振動片に備えられた第１の圧電体基板および第２の圧電体基板をＡＴカットの水晶を用いて構成する場合の第２の例を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
【図９】図８に示す振動片の第２の圧電体基板、第２の励振電極および第３の励振電極を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
【図１３】本発明の第６実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の圧電デバイスの例として、圧電振動子および電子部品付き圧電デバイスを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかる圧電デバイス（振動子）を示す上面図、図２は、図１に示す圧電デバイスの断面図、図３は、図１に示す圧電デバイスに備えられた振動片を示す斜視図、図４は、図３に示す振動片の第２の圧電体基板、第２の励振電極および第３の励振電極を示す図、図５は、図２に示す圧電デバイスに備えられた振動片の動作を説明するための模式図、図６は、図５に示す動作の振動片に備えられた第１の圧電体基板および第２の圧電体基板をＡＴカットの水晶を用いて構成する場合の第１の例を説明するための図、図７は、図５に示す動作の振動片に備えられた第１の圧電体基板および第２の圧電体基板をＡＴカットの水晶を用いて構成する場合の第２の例を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
図１に示す圧電デバイス１は、振動片２と、これを収納するパッケージ（匡体）３とを有している。
【００１９】
まず、振動片２について説明する。
振動片（圧電振動片）２は、図１または図２に示すように、長手形状の第１の圧電体基板（第１の基板）２１および第２の圧電体基板（第２の基板）２２と、第１の圧電体基板２１の上面に設けられた励振電極（第１の励振電極）２３ａおよび接続電極（第１の引き出し電極）２４ａと、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間に設けられた励振電極（第３の励振電極）２３ｂおよび接続電極（第３の引き出し電極）２４ｂと、第２の圧電体基板２２の下面に設けられた励振電極（第２の励振電極）２３ｃおよび接続電極（第２の引き出し電極）２４ｃとを有している。
また、振動片２は、図３に示すように、側面電極（第１の側面電極）２５ａおよび側面電極（第２の側面電極）２５ｂを有する。さらに、振動片２は、図４に示すように、電極パッド（第１の電極パッド）２６ａおよび電極パッド（第２の電極パッド）２６ｂと、スペーサー層２７とを有する。
【００２０】
以下、振動片２を構成する各部を順次詳細に説明する。
第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、それぞれ、その厚さ方向に電圧（電界）が印加されることにより、厚み滑り振動を主振動として励振するものである。
特に、図５に示すように、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、互いに同方向に厚み滑り振動するように構成されている。言い換えると、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、互いに対向する側の面（接合面）同士が互いに反対方向に変位するように、厚み滑り振動するように構成されている。なお、図５では、説明の便宜上、側面電極、引き出し電極および電極パッドの図示を省略している。
【００２１】
このような振動片２は、厚み滑り振動する圧電体基板が複枚積層された積層体を備えることにより、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２の厚さをそれぞれ薄くすることができるので、各圧電体基板に印加する電圧を抑えても、対をなす励振電極間に必要な電界を発生させて振動片２全体の厚み滑り振動の変位量を大きくすることができる。そのため、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００２２】
より具体的に説明すると、これらの第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、後に詳述する電極層である励振電極２３ｂを介して互いに接合されている。すなわち、励振電極２３ｂは、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを接合する接合層としての機能をも有する。これにより、振動片２の構成を比較的簡単なものとすることができる。
【００２３】
本実施形態では、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間には、励振電極２３ｂおよび接続電極２４ｂの他に、スペーサー層２７が設けられている（図４参照）。このスペーサー層２７は、励振電極２３ｂおよび接続電極２４ｂに対して離間するとともに、側面電極２５ａ付近における第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間の隙間を埋めるように設けられている。これにより、後に詳述する側面電極２５ａを各種成膜法により容易に形成することができる。また、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間における側面電極２５ａの断線を防止することができる。さらに、スペーサー層２７も第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを接合する接合層として機能させることにより、振動片２の機械的強度を高め、振動片２の信頼性を向上させることができる。
そのため、本実施形態では、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、互いの接合面（互いに対向する側の面）が同極性となるような電圧が厚さ方向にそれぞれ印加されることにより、互いに同方向に厚み滑り振動するように構成されている。
【００２４】
これにより、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを励振電極２３ｂ（電極層）を介して接合した比較的簡単な構成で、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２を互いに同方向に厚み滑り振動させることができる。また、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間における互いの厚み滑り振動の損失を低減することができる。
このような第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、それぞれ、圧電材料で構成されており、かかる圧電材料としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。中でも、かかる圧電材料としては水晶が好ましい。
【００２５】
第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２の少なくとも一方が水晶で構成されていると、所望の振動特性で高精度に厚み滑り振動を励振させることができる。
特に、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２がそれぞれ水晶で構成されていると、所望の振動特性でより高精度に厚み滑り振動を励振させることができる。
第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２をそれぞれ水晶で構成する場合、かかる水晶としては、水晶回転Ｙ板を用いるのが好ましい。これにより、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２にそれぞれ厚み滑り振動を効率的に励振させることができる。
【００２６】
また、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２をそれぞれ水晶で構成する場合、かかる水晶のカット角は、ＡＴカット、ＢＴカット、ＳＣカットのいずれかのカット角であるのが好ましい。すなわち、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２を構成する水晶基板は、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板のうちのいずれかであるのが好ましい。これにより、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２にそれぞれ厚み滑り振動を効率的に励振させることができる。
【００２７】
また、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２を互いに同一のカット角の圧電結晶板で構成した場合、第１の圧電体基板２１に加えられる電界の向きと第２の圧電体基板２２に加えられる電界の向きとが逆であっても２つの圧電体基板の厚み滑り振動の位相が同相になるように、第１の圧電体基板２１に対して第２の圧電体基板２２は、表裏逆または左右逆に配置されていることが望ましい。すなわち、第２の圧電体基板２２の結晶軸は、第１の圧電体基板２１をＹ’軸またはＺ’軸まわりに１８０°回転させた結晶軸と同方向であるのが好ましい。さらに言い換えると、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、Ｙ’軸またはＺ’軸の結晶軸が互いに同方向に平行であるとともに、その結晶軸以外の結晶軸が互いに逆方向に平行である。
【００２８】
なお、水晶は、結晶軸として互いに直交するＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光学軸）を有するが、「Ｚ’軸」とは、Ｘ軸を中心としてＺ軸をＹ軸の−Ｙ軸方向へ所定の角度だけ傾けた軸であり、「Ｙ’軸」とは、Ｘ軸を中心としてＹ軸をＺ軸の＋Ｚ軸方向へ所定の角度だけ傾けた軸である。また、「水晶回転Ｙ板」とは、Ｘ軸およびＺ’軸に平行な板面を有し、かつ、Ｙ’軸に平行な方向を厚み方向とする水晶基板である。
【００２９】
例えば、カット角がＡＴカットである板状の水晶（以下、ＡＴ板と言う）を用いて第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２を構成する場合、図６に示すように、無回転のＡＴ板であるＡＴ板１００の下面１０２と、無回転のＡＴ板をＺ’軸まわりに１８０°回転させたＡＴ板１００ａの上面１０１ａとを励振電極２３ｂを介して接合することにより、ＡＴ板１００で構成された第１の圧電体基板２１と、ＡＴ板１００ａで構成された第２の圧電体基板２２を得ることができる。なお、ＡＴ板１００は、その厚さ方向（Ｙ’軸方向）に電圧を印加することにより、Ｘ軸方向に厚み滑り振動するものである。
【００３０】
また、図７に示すように、無回転のＡＴ板であるＡＴ板１００の下面１０２と、無回転のＡＴ板をＹ’軸まわりに１８０°回転させたＡＴ板１００ｂの上面１０１ｂとを励振電極２３ｂを介して接合することにより、ＡＴ板１００で構成された第１の圧電体基板２１と、ＡＴ板１００ｂで構成された第２の圧電体基板２２を得ることができる。
このようにして、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２に互いの接合面に同極性となるように電圧を印加することにより、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２に互いに同方向の厚み滑り振動を励振させることができる。
【００３１】
また、図６、７に示すように、同一のカット角の水晶を用いて第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２を構成した場合、２枚のＡＴ板を接合した振動片２の厚み滑り振動の周波数は、１枚のＡＴ板を単独で厚み滑り振動させたときのその振動の周波数の半分となる。
言い換えると、振動片２の厚み滑り振動の周波数をＦ［Ｈｚ］としたとき、２Ｆ［Ｈｚ］で厚み滑り振動するＡＴ板を２枚用いればよい。
【００３２】
このような第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２の平均厚さは、それぞれ、振動片２の駆動周波数等に応じて決められるものであり、特に限定されず、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２は、互いに厚さが同じであっても異なっていてもよいが、一方の厚さが他方の厚さの整数倍となるように設定されているのが好ましい。これにより、振動片２全体を所望の周波数で効率的に厚み滑り振動させることができる。
【００３３】
図１および図２に示すように、励振電極２３ａは、第１の圧電体基板２１の上面（主面）の中央部を覆うように設けられている。また、第１の圧電体基板２１の上面のうち、長手方向の左側端部かつ短手方向の一端部には接続電極２４ａが設けられており、励振電極２３ａと接続電極２４ａとが電気的に接続されている。
また、励振電極２３ｂは、第１の圧電体基板２１の下面（主面）および第２の圧電体基板２２の上面（主面）の中央部を覆うように設けられている。また、第２の圧電体基板２２の上面のうち、長手方向の左側端部かつ短手方向の他端部には接続電極２４ｂが設けられており、励振電極２３ｂと接続電極２４ｂとが電気的に接続されている。
【００３４】
また、励振電極２３ｃは、第２の圧電体基板２２の下面（主面）の中央部を覆うように設けられている。また、第２の圧電体基板２２の下面のうち、長手方向の左側端部かつ短手方向での一端部（接続電極２４ｂと反対側の端部）には接続電極２４ｃが設けられており、励振電極２３ｃと接続電極２４ｃとが電気的に接続されている。
さらに、側面電極（第１の側面電極）２５ａは、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２の側面（具体的には、図２中の左側側面）に設けられている。そして、側面電極２５ａは、励振電極２３ａと励振電極２３ｃとを電気的に接続する。
【００３５】
また、側面電極（第２の側面電極）２５ｂは、第２の圧電体基板２２の側面（具体的には、図２中の左側側面）に設けられている。そして、側面電極２５ｂは、励振電極２３ｂに電気的に接続されている。
このような側面電極２５ａと側面電極２５ｂとの間に電圧を印加することにより、励振電極２３ａと励振電極２３ｂとの間、および、励振電極２３ｂと励振電極２３ｃとの間にそれぞれ電界を生じさせることができる。これにより、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２をそれぞれ厚み滑り振動させることができる。
【００３６】
ここで、接続電極（第１の引き出し電極）２４ａは、第１の圧電体基板２１の第２の圧電体基板２２とは反対側の面に接合され、励振電極２３ａから第１の圧電体基板２１の側面（図２中の左側側面）へ向けて延出されている。
また、接続電極（第２の引き出し電極）２４ｂは、第２の圧電体基板２２の第１の圧電体基板２１とは反対側の面に接合され、励振電極２３ｃから第２の圧電体基板２２の側面へ向けて延出されている。
【００３７】
そして、このような接続電極２４ａおよび接続電極２４ｂは、側面電極２５ａを介して互いに電気的に接続されている。これにより、励振電極２３ａ、２３ｃおよび側面電極２５ａの設計が容易となる。
また、接続電極（第３の接続電極）２４ｂは、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間に設けられ、励振電極２３ｂから第２の圧電体基板２２の側面に向けて延出されている。
【００３８】
そして、このような接続電極２４ｂは、側面電極２５ｂに電気的に接続されている。これにより、励振電極２４ｂおよび側面電極２５ｂの設計が容易となる。
また、電極パッド２６ａ、２６ｂは、それぞれ、第２の圧電体基板２２の下面（すなわち励振電極２３ｂとは反対側の面）に接合されている。
そして、電極パッド２６ａは、側面電極２５ａに電気的に接続され、一方、電極パッド２６ｂは、側面電極２５ｂに電気的に接続されている。これにより、振動片２を後述するベース基板３１に対して導電性接着剤等によりマウントすることにより、電極パッド２６ａ、２６ｂをベース基板３１上のマウント電極３４ａ、３４ｂに電気的に接続することができる。
【００３９】
したがって、マウント電極３４ａとマウント電極３４ｂとの間に電圧を印加すると、圧電材料の逆圧電効果により、ある一定の周波数（共鳴周波数）で、前述したように第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２を厚み滑り振動させることができる。また、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２が振動すると、励振電極２３ａ、２３ｂの間および励振電極２３ｂ、２３ｃ間には、圧電材料の圧電効果により、ある一定の周波数で電圧が発生する。これらの性質を利用して、圧電デバイス１は、共鳴周波数で振動する電気信号を発生させることができる。
【００４０】
ここで、励振電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃは互いに重なり合う領域を有するよう形成されたものである。
本実施形態では、振動片２を平面視したときに、励振電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃが互いに一致する領域となるように形成されている。そして、第１の圧電体基板２１のうち、励振電極２３ａと励振電極２３ｂとで挟まれた領域において、前述したような厚み滑り振動が励振される。また、第２の圧電体基板２２のうち、励振電極２３ｂと励振電極２３ｃとで挟まれた領域において、前述したような厚み滑り振動が励振される。
【００４１】
上記のような励振電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、接続電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、側面電極２５ａ、２５ｂ、電極パッド２６ａ、２６ｂおよびスペーサー層２７は、それぞれ、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、クロム、クロム合金、金等の導電性に優れた金属材料により形成することができる。
また、これらの電極等の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ等の化学蒸着法、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられる。
【００４２】
より具体的には、励振電極２３ａおよび接続電極２４ａは、第１の圧電体基板２１の上面に対して上記成膜法を用いて一括して形成することができる。また、励振電極２３ｂ、接続電極２４ｂおよびスペーサー層２７は、第２の圧電体基板２２の上面に対して上記成膜法を用いて一括して形成することができる。また、励振電極２３ｃ、接続電極２４ｃおよび電極パッド２６ａ、２６ｂは、第２の圧電体基板２２の下面に対して上記成膜法を用いて一括して形成することができる。さらに、側面電極２５ａ、２５ｂは、上述したように励振電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、接続電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、電極パッド２６ａ、２６ｂおよびスペーサー層２７を形成した後、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを接合し、その後、上記成膜法を用いて一括して形成することができる。
【００４３】
また、前述した励振電極２３ｂは、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを接合する機能をも有する。例えば、励振電極２３ｂは、前述したような金属材料を第２の圧電体基板２２の上面に成膜した後、その膜表面にプラズマ処理等を施して接着性を発現させ、その上に第１の圧電体基板２１を圧着することにより、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを接合する。また、第１の圧電体基板２１の下面および第２の圧電体基板２２の上面にそれぞれ前述した金属材料を成膜した後、その膜同士をプラズマ接合してもよい。
【００４４】
次いで、振動片２を収容・固定するパッケージ３について説明する。
パッケージ３は、その平面視にて略長方形状をなしている。このようなパッケージ３は、図２に示すように、板状のベース基板３１と、枠状の枠部材３２と、板状の蓋部材３３とを有している。ベース基板３１、枠部材３２および蓋部材３３は、下方からこの順で積層されており、ベース基板３１と枠部材３２および枠部材３２と蓋部材３３は、それぞれ接着剤あるいはろう材等により接合されている。そして、パッケージ３は、ベース基板３１、枠部材３２および蓋部材３３で画成された内部空間Ｓに、振動片２を収納している。なお、図１では、蓋部材３３の図示を省略している。
ベース基板３１の構成材料としては、絶縁性（非導電性）を有しているものが好ましく、例えば、各種ガラス、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックス材料、ポリイミド等の各種樹脂材料などを用いることができる。
【００４５】
また、枠部材３２および蓋部材３３の構成材料としては、例えば、ベース基板３１と同様の構成材料、Ａｌ、Ｃｕのような各種金属材料、各種ガラス材料等を用いることができる。特に、蓋部材３３の構成材料として、ガラス材料等の光透過性を有するものを用いた場合、第１の圧電体基板２１に予め金属被覆部（図示せず）を形成しておくと、振動片２をパッケージ３内に収容した後であっても、蓋部材３３を介して前記金属被覆部にレーザーを照射し、前記金属被覆部を除去して第１の圧電体基板２１の質量を減少させることにより（質量削減方式により）、振動片２の周波数調整を行うことができる。
【００４６】
図１または図２に示すように、ベース基板３１の上面には、一対のマウント電極３４ａ、３４ｂが内部空間Ｓに露出するように形成されている。このマウント電極３４ａ、３４ｂの上には、それぞれ、導電性粒子を含有するエポキシ系、ポリイミド系等の導電性接着剤３９ａ、３９ｂが塗布されて（盛られて）おり、さらに、この導電性接着剤３９ａ、３９ｂ上に、前述した振動片２が載置されている。そして、導電性接着剤３９ａ、３９ｂを硬化することにより、振動片２がマウント電極３４ａ、３４ｂ（ベース基板３１）に確実に固定される。
【００４７】
なお、この固定は、導電性接着剤３９ａが振動片２の電極パッド２６ａに接触するとともに、導電性接着剤３９ｂが振動片２の電極パッド２６ｂに接触するように、振動片２を導電性接着剤３９ａ、３９ｂ上に載置して行う。これにより、導電性接着剤３９ａ、３９ｂを介して、振動片２の左側端部がベース基板３１に固定されるとともに、電極パッド２６ａとマウント電極３４ａおよび電極パッド２６ｂとマウント電極３４ｂを、それぞれ電気的に接続することができる。また、これにより、振動片２の左側端部は「固定端」となり、右側端部は「自由端」となる。また、振動片２は、ＣＳＰ（Chip Size Package）構造のようにしてベース基板３１に固定されていてもよい。
【００４８】
また、図１または図２に示すように、ベース基板３１の下面には、その四隅に位置するように４つの外部端子３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄが設けられている。
これら４つの外部端子３５ａ〜３５ｄのうち、外部端子３５ａ、３５ｂは、それぞれ、ベース基板３１に形成されたビアホールに設けられた導体ポストを介してマウント電極３４ａ、３４ｂに電気的に接続されたホット端子である。また、他の２つの外部端子３５ｃ、３５ｄは、それぞれ、パッケージ３を実装用基板に実装するときに、接合強度を高めたり、パッケージ３と実装用基板との間の距離を均一化するためのダミー端子である。
このようなマウント電極３４ａ、３４ｂおよび外部端子３５ａ〜３５ｄは、それぞれ、例えば、タングステンおよびニッケルメッキからなる下地層の上に、金メッキを施すことで形成することができる。
【００４９】
なお、パッケージ３の内部空間Ｓには、振動片２を駆動する機能を有する電子部品が実装（搭載）されていてもよい。この電子部品は、例えば集積回路素子（ＩＣ）であり、絶縁性（非導電性）の接着剤や、接着シート等の接着部材によりベース基板３１の上面に接合される。この場合、外部端子３５ａ、３５ｂから電子部品を介してマウント電極３４ａ、３４ｂに通電するように、ベース基板３１の上面に配線パターンを形成する。このような電子部品に、発振回路を形成することにより圧電デバイス１を圧電発振器として構成したり、角速度検出回路を形成することにより圧電デバイス１を圧電ジャイロとして構成することができる。なお、電子部品は、パッケージ３の外部に設けてもよい。
【００５０】
以上説明したような第１実施形態によれば、振動片２が厚み滑り振動する圧電体基板が複枚積層された積層体を備えるので、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２の厚さをそれぞれ薄くして各圧電体基板に印加する電圧を抑えつつ、振動片２全体の厚み滑り振動の変位量を大きくすることができる。そのため、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００５１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の圧電デバイスの第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の第２実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図、図９は、図８に示す振動片の第２の圧電体基板、第２の励振電極および第３の励振電極を示す図である。
【００５２】
以下、第２実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の圧電デバイスは、第１の圧電体基板と第２の圧電体基板との間の電極層（第３の励振電極）の形成範囲が異なる以外は、第１実施形態とほぼ同様である。なお、図８では、説明の便宜上、側面電極、引き出し電極および電極パッドの図示を省略している。また、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【００５３】
本実施形態の圧電デバイスの振動片２Ａでは、図８に示すように、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とが励振電極（第３の励振電極）２３ｄを介して接合されている。
この励振電極２３ｄは、図９に示すように、前述した第１実施形態の励振電極２３ｂに比し大面積となるように設けられている。これにより、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２とを励振電極２３ｄを介してより強固に接合することができる。
【００５４】
本実施形態では、振動片２Ａを平面視したときに、励振電極２３ｄが励振電極２３ａ、２３ｃを含むように形成されている。また、第２の圧電体基板２２の短手方向における励振電極２３ｄの長さが同方向における第２の圧電体基板２２の長さと等しくなっている。
そして、第１の圧電体基板２１のうち、励振電極２３ａと励振電極２３ｄとで挟まれた領域（すなわち平面視にて励振電極２３ａの形成領域）において、前述したような厚み滑り振動が励振される。また、第２の圧電体基板２２のうち、励振電極２３ｄと励振電極２３ｃとで挟まれた領域（すなわち平面視にて励振電極２３ｃの形成領域）において、前述したような厚み滑り振動が励振される。
【００５５】
このような励振電極２３ｄは、その形成が容易であり、平面視において励振電極２３ａ、２３ｃとの位置決めが不要となる。そのため、振動片２Ａの振動特性を簡単かつ確実に所望のものとすることができる。
以上説明したような第２実施形態によっても、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００５６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の圧電デバイスの第３実施形態について説明する。
図１０は、本発明の第３実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
以下、第３実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００５７】
第３実施形態の圧電デバイスは、第１の圧電体基板と第２の圧電体基板との間の電極層の形成範囲が異なるとともに、振動片をメサ構造とした以外は、第１実施形態とほぼ同様である。また、第３実施形態の圧電デバイスは、振動片をメサ構造とした以外は、第２実施形態とほぼ同様である。なお、図１０では、側面電極等の図示を省略している。また、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【００５８】
本実施形態の圧電デバイスの振動片２Ｂでは、図１０に示すように、メサ型構造を有するように形成れた第１の圧電体基板２１Ｂおよび第２の圧電体基板２２Ｂを有する。
第１の圧電体基板２１Ｂの上面には、矩形の凸部２１１Ｂが形成され、第２の圧電体基板２２Ｂの下面には、矩形の凸部２２１Ｂが形成されている。これらの凸部２１１Ｂ、２２１Ｂは、振動片２Ｂを平面視したときに、矩形状をなし、互いに一致する領域に形成されている。
【００５９】
このような第１の圧電体基板２１Ｂおよび第２の圧電体基板２２Ｂは、励振電極２３ｄを介して接合されている。
そして、凸部２１１Ｂ上には、励振電極２３ａが形成され、凸部２２１Ｂ上には、励振電極２３ｃが形成されている。
本実施形態では、第１の圧電体基板２１Ｂおよび第２の圧電体基板２２Ｂに厚み滑り振動を励振させると、その振動は、凸部２１１Ｂ、２２１Ｂ（メサ構造）の内側に閉じ込められる。そのため、厚み滑り振動のＱ値を高め、その結果、ＣＩ値を高めることができる。
以上説明したような第３実施形態によっても、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００６０】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の圧電デバイスの第４実施形態について説明する。
図１１は、本発明の第４実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
以下、第４実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００６１】
第４実施形態の圧電デバイスは、第１の圧電体基板と第２の圧電体基板との間の電極層の形成範囲が異なるとともに、振動片を逆メサ構造とした以外は、第１実施形態とほぼ同様である。また、第４実施形態の圧電デバイスは、振動片を逆メサ構造とした以外は、第２実施形態とほぼ同様である。なお、図１１では、側面電極等の図示を省略している。また、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
【００６２】
本実施形態の圧電デバイスの振動片２Ｃは、図１１に示すように、逆メサ型構造を有するように形成れた第１の圧電体基板２１Ｃおよび第２の圧電体基板２２Ｃを有する。
第１の圧電体基板２１Ｃの上面には、矩形の凹部２１１Ｃが形成され、第２の圧電体基板２２Ｃの下面には、矩形の凹部２２１Ｃが形成されている。これらの凹部２１１Ｃ、２２１Ｃは、振動片２Ｃを平面視したときに、矩形状をなし、互いに一致する領域に形成されている。
【００６３】
このような第１の圧電体基板２１Ｃおよび第２の圧電体基板２２Ｃは、励振電極２３ｄを介して接合されている。
そして、凹部２１１Ｃ上（底面上）には、励振電極２３ａが形成され、凹部２２１Ｃ上（底面上）には、励振電極２３ｃが形成されている。
本実施形態では、第１の圧電体基板２１Ｃおよび第２の圧電体基板２２Ｃに厚み滑り振動を励振させると、その振動は、凹部２１１Ｃ、２２１Ｃ（逆メサ構造）の内側に閉じ込められる。そのため、厚み滑り振動のＱ値を高め、その結果、ＣＩ値を高めることができる。
以上説明したような第４実施形態によっても、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００６４】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の圧電デバイスの第５実施形態について説明する。
図１２は、本発明の第５実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
以下、第５実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００６５】
第５実施形態の圧電デバイスは、第１の圧電体基板と第２の圧電体基板との間に１対の電極層および絶縁層を設けた以外は、第１実施形態とほぼ同様である。なお、図１２では、側面電極等の図示を省略している。また、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
本実施形態の圧電デバイスの振動片２Ｄは、図１２に示すように、第１の圧電体基板２１の下面に形成された励振電極（第２の励振電極）２３ｅと、第２の圧電体基板２２の上面に形成された励振電極（第２の励振電極）２３ｆと、励振電極２３ｅと励振電極２３ｆとの間に設けられた接合層２８とを有する。
【００６６】
本実施形態では、振動片２Ｄを平面視したときに、励振電極２３ｅ、２３ｆが励振電極２３ａ、２３ｃを含むように形成されている。そして、第１の圧電体基板２１のうち、励振電極２３ａと励振電極２３ｅとで挟まれた領域（すなわち平面視にて励振電極２３ａの形成領域）において、前述したような厚み滑り振動が励振される。また、第２の圧電体基板２２のうち、励振電極２３ｆと励振電極２３ｃとで挟まれた領域（すなわち平面視にて励振電極２３ｃの形成領域）において、前述したような厚み滑り振動が励振される。
【００６７】
ここで、励振電極２３ｅおよび励振電極２３ｆは、接合層２８を介して接合されている。また、励振電極２３ｅおよび励振電極２３ｆは、互いに逆極性となるように構成されている。
この接合層２８の構成材料としては、励振電極２３ｅと励振電極２３ｆとを接合できるものであれば、特に限定されず、導電性材料であっても絶縁性材料であってもよく、公知の接合剤、接着剤等を用いることができる。
【００６８】
また、接合層２８の厚さは、特に限定されないが、第１の圧電体基板２１と第２の圧電体基板２２との間の厚み滑り振動の損失を低減するため、できるだけ薄くするのが好ましい。
以上説明したような第５実施形態によっても、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００６９】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の圧電デバイスの第６実施形態について説明する。
図１３は、本発明の第６実施形態にかかる圧電デバイスに備えられた振動片の断面図である。
以下、第６実施形態の圧電デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７０】
第６実施形態の圧電デバイスは、第３の圧電体基板とこれに対応する電極層（第４の励振電極）とを設けた以外は、第１実施形態とほぼ同様である。なお、図１３では、側面電極等の図示を省略している。また、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
本実施形態の圧電デバイスの振動片２Ｅは、図１３に示すように、第２の圧電体基板２２の第１の圧電体基板２１とは反対側の面に接合された第３の圧電体基板２９を有している。
【００７１】
この第３の圧電体基板２９の上面には、励振電極（第２の励振電極）２３ｇが形成され、第３の圧電体基板２９は、この励振電極２３ｇを介して第２の圧電体基板２２に接合されている。
また、第３の圧電体基板２９の下面には、励振電極（第３の励振電極）２３ｈが設けられている。この励振電極２３ｈは、振動片２Ｅを平面視したときに、励振電極２３ａと一致する領域に形成されている。
【００７２】
本実施形態では、第３の圧電体基板２９は、励振電極２３ｇ、２３ｈ間に電圧を印加することにより、第１の圧電体基板２１および第２の圧電体基板２２と同方向に厚み滑り振動する。
これにより、各圧電体基板の厚さをより抑えて各圧電体基板に印加する電圧をより抑えたり、振動片２Ｅ全体の厚み滑り振動の変位量を大きくしたりすることができる。そのため、厚み滑り振動以外の振動をより抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００７３】
ここで、図示しない側面電極（第１の側面電極）を介して励振電極２３ａと励振電極２３ｇとを電気的に接続するとともに、図示しない側面電極（第２の側面電極）を介して励振電極２３ｄと励振電極２３ｈとを電気的に接続する。これにより、この２つの側面電極間に電圧を印加すると、前述したように３つの圧電体基板を互いに同方向（同相）に厚み滑り振動させることができる。
このように３枚の圧電体基板を用いて振動片２Ｅを形成する場合、振動片２Ｅの厚み滑り振動の周波数をＦ［Ｈｚ］としたとき、３Ｆ［Ｈｚ］で厚み滑り振動するＡＴ板を３枚用いればよい。
以上説明したような第６実施形態によっても、厚み滑り振動以外の振動を抑えつつ、厚み滑り振動を効率的に励振することができる。
【００７４】
以上説明したような圧電デバイスは、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
本発明の圧電デバイス（圧電振動子）および電子部品付き圧電デバイスを備える電子機器としては、特に限定されないが、例えば、パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等が挙げられる。
以上、本発明の振動片、振動子および圧電デバイスについて、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７５】
１…圧電デバイス２…振動片２Ａ…振動片２Ｂ…振動片２Ｃ…振動片２Ｄ…振動片２Ｅ…振動片３…パッケージ２１…第１の圧電体基板２１Ｂ…第１の圧電体基板２１Ｃ…第１の圧電体基板２２…第２の圧電体基板２２Ｂ…第２の圧電体基板２２Ｃ…圧第２の電体基板２３ａ…励振電極２３ｂ…励振電極２３ｃ…励振電極２３ｄ…励振電極２３ｅ…励振電極２３ｆ…励振電極２３ｇ…励振電極２３ｈ…励振電極２４ａ…接続電極２４ｂ…接続電極２４ｃ…接続電極２５ａ…側面電極２５ｂ…側面電極２６ａ…電極パッド２６ｂ…電極パッド２７…スペーサー層２８…接合層２９…第３の圧電体基板３１…ベース基板３２…枠部材３３…蓋部材３４ａ…マウント電極３４ｂ…マウント電極３５ａ…外部端子３５ｂ…外部端子３５ｃ…外部端子３５ｄ…外部端子３９ａ…導電性接着剤３９ｂ…導電性接着剤１００…ＡＴ板１００ａ…ＡＴ板１００ｂ…ＡＴ板１０１ａ…上面１０１ｂ…上面１０２…下面２１１Ｂ…凸部２１１Ｃ…凹部２２１Ｂ…凸部２２１Ｃ…凹部Ｓ…内部空間

【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み滑り振動を励振する第１の基板と、
前記第１の基板に積層され、厚み滑り振動を励振する第２の基板と、
前記第１の基板の前記第２の基板とは反対側の主面上に配置されている第１の励振電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の主面上に配置されている第２の励振電極と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されている第３の励振電極と、
前記第１の基板および前記第２の基板の側面に配置され、前記第１の励振電極と前記第２の励振電極とを電気的に接続している第１の側面電極と、
前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板の側面に配置され、前記第３の励振電極に電気的に接続されている第２の側面電極と、
を備えることを特徴とする振動片。
【請求項２】
前記第１の基板および前記第２の基板は、それぞれ、圧電材料で構成された圧電体基板である請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
前記第１の基板および前記第２の基板は、前記第３の励振電極を介して互いに接合されている請求項２に記載の振動片。
【請求項４】
前記第３の励振電極に対して離間し、前記第１の側面電極付近における前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサー層を備える請求項３に記載の振動片。
【請求項５】
前記第１の基板の前記第２の基板とは反対側の主面上に配置され、前記第１の励振電極から前記第１の基板の側面へ向けて延出されている第１の引き出し電極と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の主面上に配置され、前記第２の励振電極から前記第２の基板の側面へ向けて延出されている第２の引き出し電極と、
を備え、
前記第１の引き出し電極および前記第２の引き出し電極は、前記第１の側面電極を介して互いに電気的に接続されている請求項２ないし４のいずれかに記載の振動片。
【請求項６】
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置され、前記第３の励振電極から前記第１の基板または前記第２の基板の側面に向けて延出されている第３の引き出し電極を備え、
前記第３の引き出し電極は、前記第２の側面電極に電気的に接続されている請求項５に記載の振動片。
【請求項７】
前記第１の基板または前記第２の基板の前記第３の励振電極とは反対側の主面上には、
前記第１の側面電極に電気的に接続されている第１の電極パッドと、
前記第２の側面電極に電気的に接続されている第２の電極パッドと、
が配置されている請求項６に記載の振動片。
【請求項８】
前記第１の基板および前記第２の基板は、それぞれ、水晶基板である請求項２ないし７のいずれかに記載の振動片。
【請求項９】
前記水晶基板は、水晶回転Ｙ板である請求項８に記載の振動片。
【請求項１０】
前記水晶回転Ｙ板は、ＡＴカット水晶基板、ＢＴカット水晶基板、ＳＣカット水晶基板のうちのいずれかである請求項９に記載の振動片。
【請求項１１】
前記第１の基板および前記第２の基板は、互いに同一のカット角の水晶基板であり、
一方の水晶基板の結晶軸が他方の水晶基板をＹ’軸またはＺ’軸まわりに１８０°回転させた結晶軸と同方向である請求項１０に記載の振動片。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージと、
を備えることを特徴とする振動子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の振動子を備えることを特徴とする圧電デバイス。

【図１】