放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネル
【課題】放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、放射線画像変換パネルを曲げて搬送する読み取りシステムにより読み取りを行った場合、放射線画像変換パネルの割れ、蛍光体の剥離或いは画像ムラの発生のない、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０〜５００ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【解決手段】可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０〜５００ｍｍであることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルの読み取りシステムに関し、さらに詳しくは、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像のような放射線画像は、病気診断用等の分野で多く用いられている。このＸ線画像を得る方法としては、被写体を通過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料（以下、単に感光材料ともいう）に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。
【０００３】
しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が提案されている。
【０００４】
この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。
【０００５】
具体的には、輝尽性蛍光体（以下、単に蛍光体ともいう）を用いる放射線画像変換方法が知られて（例えば、特許文献１、２参照。）いる。
【０００６】
この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線等の電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生するものである。
【０００７】
上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、かつ情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。
【０００８】
これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。
【０００９】
さらに、近年診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善のための手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【００１０】
これらの試みの一つとして、気相成長法（気相堆積法）によって基板上に、基板の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法（特許文献３参照）等が提案されている。
【００１１】
最近では、ＣｓＢｒ等のハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活剤とした輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、従来得られていなかった高いＸ線変換効率を導き出すことが可能となった。
【００１２】
しかしながら、さまざまな条件下で用いられる放射線画像変換パネルにおいて、基板と蛍光体層との接着性は重要な特性の１つであり、基板と蛍光体層間に架橋剤を含有する下引き樹脂層を設ける方法が開示されている（特許文献４〜６参照）。しかし、単に下引き樹脂層を設けるだけでは、下引き樹脂層上に上記気相成長法により輝尽性蛍光体層を形成させる際、下引き樹脂層の表面の凹凸が高い場合、基板との接着性不良及びそれに伴い蛍光体層中の結晶構造が不均一になり、放射線画像変換パネル内での鮮鋭度のバラツキや粒状ムラが生じることがあった。また下引き樹脂層の膜厚が厚すぎて特性の経時安定性が低下することがあった。
【００１３】
更に、放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、放射線画像変換パネルを曲げて搬送する読み取りシステムにより読み取りを行った場合、搬送容器の曲げる曲率半径が小さいと、放射線画像変換パネルが割れたり、蛍光体の剥離を生じ、画像ムラを発生するという欠点があった。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開昭５５−１２１４４号公報
【特許文献３】特開平２−５８０００号公報
【特許文献４】特公平４−４４９５９号公報
【特許文献５】特開２００５−９１２２２号公報
【特許文献６】特開２００６−１２５８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、放射線画像変換パネルを曲げて搬送する読み取りシステムにより読み取りを行った場合、放射線画像変換パネルの割れ、蛍光体の剥離或いは画像ムラの発生のない、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
【００１６】
１．可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【００１７】
２．前記搬送の曲率半径が８０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であることを特徴とする前記１記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【００１８】
３．可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、かつ、前記１又は２記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステムに用いられることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００１９】
４．前記可撓性基板が有機樹脂フィルムであることを特徴とする前記３記載の放射線画像変換パネル。
【００２０】
５．前記可撓性基板がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミドより選択される有機樹脂フィルムであることを特徴とする前記３又は４記載の放射線画像変換パネル。
【００２１】
６．前記可撓性基板が、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の有機樹脂の下地層を設けてあることを特徴とする前記３〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２２】
７．前記可撓性基板の厚みが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする前記３〜６のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２３】
８．前記蛍光体が輝尽性蛍光体であることを特徴とする前記３〜７のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２４】
９．前記輝尽性蛍光体がＣｓＢｒを母体とする柱状結晶蛍光体であることを特徴とする前記８記載の放射線画像変換パネル。
【００２５】
１０．前記３〜９のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、前記１又は２記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステムにより読み取りを行うことを特徴とするＸ線撮影システム。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、放射線画像変換パネルの割れ、蛍光体の剥離或いは画像ムラの発生のない、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルを提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明を更に詳しく説明する。
【００２８】
〔放射線画像変換パネルの読み取りシステム〕
本発明の放射線画像変換パネルの読み取りシステムについて説明する。ここでは特に輝尽性蛍光体を使用した読み取り方法について説明する。まず、放射線像変換パネルに被写体を通した放射線たとえばＸ線を照射する。プレートにはこの放射線の照射量に応じた潜像が形成される。この潜像を持ったプレートを読み取り装置にかけると、プレートは励起レーザーにより潜像に応じた発光を発生し、その発光はフォトマルチプライヤで増幅され、電気信号となる。
【００２９】
〔可撓性基板〕
本発明に用いられる放射線画像変換パネルの可撓性基板について説明する。
【００３０】
本発明の放射線画像変換パネルの可撓性基板としては、有機樹脂フィルムが用いられ、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミド等が挙げられる。
【００３１】
〔下地層〕
本発明は、有機樹脂フィルムと蛍光体層との間に、下地層を設けることが好ましい。
【００３２】
下地層で用いることのできる樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリビニアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ナイロン、（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸エステル、ビニルエステル類、ビニルケトン類、スチレン類、ジオレフィン類、（メタ）アクリルアミド類、塩化ビニル類、塩化ビニリデン類、ニトロセルロース、アセチルセルロース、ジアセチルセルロース等のセルロース誘導体、シリコン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。中でも有機樹脂フィルムと蛍光体層との接着性、有機樹脂フィルムの耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。
【００３３】
本発明における下地層の膜厚は０．１〜１０μｍであり、より好ましくは１〜５μｍである。下地層の膜厚が０．１μｍ未満では有機樹脂フィルムと輝尽性蛍光体層との接着力が弱い場合があり、１０μｍを超えると鮮鋭性等の品質が低下することがある。
【００３４】
膜厚の測定装置としては、例えば、触針法やレーザー干渉測長法といった周知の表面粗さ測定法で測定することができる。
【００３５】
本発明に係る下地層には、樹脂の他に膜強度を付与するために架橋剤を含有してもよい。用いることのできる架橋剤としては、特に制限はなく、例えば、多官能イソシアネート及びその誘導体、メラミン及びその誘導体、アミノ樹脂及びその誘導体等を挙げることができるが、多官能イソシアネート化合物が好ましい。多官能イソシアネート化合物としては、例えば、日本ポリウレタン社製のコロネートＨＸ、コロネート３０４１等が挙げられる。
【００３６】
架橋剤の使用量は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、蛍光体層及び有機樹脂フィルムに用いる材料の種類、下地層に用いる樹脂の種類等によって異なるが、蛍光体層と有機樹脂フィルムとの接着強度の維持を考慮すれば、下引き樹脂に対して５０質量％以下が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。５質量％未満では、架橋密度が低く、耐熱性、強度のいずれも不十分である。３０質量％を超えると、架橋密度が高く、下地層との靱性が低くなり（脆くなり）、下地層がひび割れしてしまう。
【００３７】
本発明においては、有機樹脂フィルムに下地層を塗設した後、蛍光体層を塗設する前に、下地層中の樹脂と架橋剤との反応を完遂させるため４０〜１５０℃で１〜１００時間の熱処理を行う。
【００３８】
下地層は、有機樹脂フィルムに下地層塗設液を塗布乾燥することにより得られる。塗布方法は、特に制限はなく、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコーター、押し出しコーター等の公知の塗布コーターを用いても、スピンコーターを用いて塗布してもよい。
【００３９】
〔輝尽性蛍光体〕
本発明に係る輝尽性蛍光体について説明する。本発明の蛍光体は輝尽性蛍光体が好ましく特に下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４０】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2：ｅＡ、Ａ″
式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、Ａ及びＡ″はＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、ａ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。
【００４１】
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、ＭIは、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００４２】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００４３】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００４４】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。
【００４５】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子がさらに好ましい。
【００４６】
また、一般式（１）において、ｂは０≦ｂ＜０．５を表すが、好ましくは、０≦ｂ≦１０-2である。
【００４７】
本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。
【００４８】
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。
【００４９】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種または２種以上の化合物が用いられる。
【００５０】
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００５１】
一般式（１）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０-2、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。
【００５２】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。
【００５３】
次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボまたはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。
【００５４】
焼成温度は３００〜１０００℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。
【００５５】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５６】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度をさらに高めることができ好ましい。
【００５７】
また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気または中性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００５８】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５９】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成されることを特徴としている。
【００６０】
輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他の方法を用いることができる。
【００６１】
本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。
【００６２】
第１の方法の蒸着法は、まず、基板を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００６３】
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００６４】
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の基板側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルを製造することが好ましい。なお、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、基板を設ける手順をとってもよい。
【００６５】
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（基板、保護層または中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。
【００６６】
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
【００６７】
第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層または中間層を有する基板をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記基板上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
【００６８】
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。
【００６９】
第３の方法としてＣＶＤ法があり、また、第４の方法としてイオンプレーティング法がある。
【００７０】
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は０．０５〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。
【００７１】
放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法等により得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られ好ましい。
【００７２】
前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜６００μｍであり、さらに好ましくは１００〜５００μｍである。
【００７３】
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される基板の温度は、１００℃以上に設定することが好ましく、さらに好ましくは１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０〜４００℃である。
【００７４】
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、基板上に前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することがより好ましい。
【００７５】
蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式（１）で表される化合物（輝尽性蛍光体）が用いられるが、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましく用いられる。
【００７６】
また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００７７】
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
一般式（２）において、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ、ＴｌまたはＣｅを表す。
【００７８】
基板上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、輝尽性蛍光体の蒸気または該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。これらの場合において、基板と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常１０〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
【００７９】
蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
【００８０】
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。
【００８１】
また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるＣｓＢｒのみを蒸着した後、賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。
【００８２】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。
【００８３】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。
【００８４】
また、色材は、有機または無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インキ製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インキ製）等が用いられる。またカラーインデックスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００８５】
なお、輝尽性蛍光体層を気相成長法にて形成させるには、代表的には図１のごとき蒸着装置を用いる。
【００８６】
図１において、１は蒸着装置、２は真空チャンバー、３は支持体回転機構（支持体回転機能）、４は支持体であり、さらに５が蒸発源、６が支持体表面温度制御ヒーターである。また、ｄ1は支持体４と蒸発源５の間の距離である。
【００８７】
〔保護層〕
また、本発明の輝尽性蛍光体層は、保護層を有していてもよい。
【００８８】
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。
【００８９】
本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８０μｍ以下である。
【００９０】
レーザーとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ｎ2レーザー、ＹＡＧレーザー及びその第２高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザーやＡｒイオンレーザーのような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザーを用いることもできる。また、フィルタを用いずに特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用いる方が好ましい。
【００９１】
上記の各種レーザー光源の中でも、半導体レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【実施例】
【００９２】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００９３】
実施例１
《放射線画像変換パネル試料１〜１６の作製》
以下に示すように、０．５ｍｍ厚のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）支持体の表面（平均表面粗さ０．０１μｍ）に、下引き層としてポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロンシリーズ Ｔｇ：６０℃）をメチルエチルケトン／トルエンの１／１質量比混合溶媒に溶解した、下引き層用の塗布液をワイヤーバーコーターで塗布して、７０℃の熱風中にて乾燥した。結果として厚み１μｍのポリエステル樹脂層を有する基板を得た。
【００９４】
真空チャンバー内を一旦排気した後、Ａｒガスを導入して１．０×１０-2Ｐａとなるように真空度を調整し、支持体の表面温度を１００℃となるように保持しながら、輝尽性蛍光体層の膜厚が２００μｍとなるまで蒸着を行い放射線像変換パネル試料を作製した。
【００９５】
なお図１に示した蒸着装置においては、支持体中心と直交する法線上に蒸着源を配置することとし支持体と蒸着源との距離ｄ1（６０ｃｍ）とした。蒸着中は支持体を回転させながら蒸着操作を行った。
【００９６】
次いで、保護層として四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体の薄層（膜厚２．０μｍ）をポリエステル樹脂を１．０μｍ塗布し、ラミネーターにて輝尽性蛍光体層表面に貼り付け、放射線像変換パネル試料１を得た。
【００９７】
表１に示すように、基板を変更し蛍光体層を形成し、試料２〜１６を作製した。
【００９８】
下引きの厚みはワイヤーバーコーターのワイヤーサイズを変更し、所望の厚みの下引き層を得た。なお、試料２は下引き層を設けずに、蛍光体層を形成した。
【００９９】
（評価方法）
表１に示す曲率半径をもつ円柱を使用し、得られた放射線像変換パネルを搬送した。１０００回搬送を行い以下の評価をして結果を表１に示す。
【０１００】
割れ
目視で放射線像変換パネル表面を観察
１：ほとんどの部分に割れが入り、基板変形等で読み取りできない状態
２：割れが目立ち画像でも確認できる
３：割れがあるが画像では見えない
４：割れが少なく画像では見えない
５：割れはない。
【０１０１】
剥離
目視で放射線像変換パネル表面を観察
１：ほとんどの部分に剥離が発生し、基板より蛍光体層が脱離している状態
２：剥離が目立ち画像でも確認できる
３：剥離があるが画像では見えない
４：剥離が少なく画像では見えない
５：剥離はない。
【０１０２】
画像ムラ
８０ｋＶ、６０ｍＡｓのＸ線を１００ｃｍ離した位置より放射線像変換パネルに曝射し、ＲＥＧＩＵＳ１９０にて読み取った画像
×：プレートが変形し、読み取りができない状態。使用できない
１：ムラが多く使用に値しない
２：ムラが目立ち使用上支障が出る
３：ムラがあるが使用可能
４：ムラは少ない
５：ムラが無い。もしくは気にならないレベル。
【０１０３】
【表１】
【０１０４】
表より、本発明の放射線画像変換パネルは比較例に比べ、剥離性、鮮鋭性及び鮮鋭性の経時安定性に優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の輝尽性蛍光体層の形成に用いる蒸着装置の一例を示す概略図。
【符号の説明】
【０１０６】
１ 蒸着装置
２ 真空チャンバー
３ 支持体回転機構（支持体回転機能）
４ 支持体
５ 蒸発源
６ 支持体表面温度制御ヒーター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルの読み取りシステムに関し、さらに詳しくは、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像のような放射線画像は、病気診断用等の分野で多く用いられている。このＸ線画像を得る方法としては、被写体を通過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料（以下、単に感光材料ともいう）に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。
【０００３】
しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が提案されている。
【０００４】
この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。
【０００５】
具体的には、輝尽性蛍光体（以下、単に蛍光体ともいう）を用いる放射線画像変換方法が知られて（例えば、特許文献１、２参照。）いる。
【０００６】
この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線等の電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等の表示装置上に可視像として再生するものである。
【０００７】
上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、かつ情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。
【０００８】
これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。
【０００９】
さらに、近年診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善のための手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【００１０】
これらの試みの一つとして、気相成長法（気相堆積法）によって基板上に、基板の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法（特許文献３参照）等が提案されている。
【００１１】
最近では、ＣｓＢｒ等のハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活剤とした輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、従来得られていなかった高いＸ線変換効率を導き出すことが可能となった。
【００１２】
しかしながら、さまざまな条件下で用いられる放射線画像変換パネルにおいて、基板と蛍光体層との接着性は重要な特性の１つであり、基板と蛍光体層間に架橋剤を含有する下引き樹脂層を設ける方法が開示されている（特許文献４〜６参照）。しかし、単に下引き樹脂層を設けるだけでは、下引き樹脂層上に上記気相成長法により輝尽性蛍光体層を形成させる際、下引き樹脂層の表面の凹凸が高い場合、基板との接着性不良及びそれに伴い蛍光体層中の結晶構造が不均一になり、放射線画像変換パネル内での鮮鋭度のバラツキや粒状ムラが生じることがあった。また下引き樹脂層の膜厚が厚すぎて特性の経時安定性が低下することがあった。
【００１３】
更に、放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、放射線画像変換パネルを曲げて搬送する読み取りシステムにより読み取りを行った場合、搬送容器の曲げる曲率半径が小さいと、放射線画像変換パネルが割れたり、蛍光体の剥離を生じ、画像ムラを発生するという欠点があった。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開昭５５−１２１４４号公報
【特許文献３】特開平２−５８０００号公報
【特許文献４】特公平４−４４９５９号公報
【特許文献５】特開２００５−９１２２２号公報
【特許文献６】特開２００６−１２５８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、放射線画像変換パネルを曲げて搬送する読み取りシステムにより読み取りを行った場合、放射線画像変換パネルの割れ、蛍光体の剥離或いは画像ムラの発生のない、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
【００１６】
１．可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【００１７】
２．前記搬送の曲率半径が８０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であることを特徴とする前記１記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【００１８】
３．可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、かつ、前記１又は２記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステムに用いられることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００１９】
４．前記可撓性基板が有機樹脂フィルムであることを特徴とする前記３記載の放射線画像変換パネル。
【００２０】
５．前記可撓性基板がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミドより選択される有機樹脂フィルムであることを特徴とする前記３又は４記載の放射線画像変換パネル。
【００２１】
６．前記可撓性基板が、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の有機樹脂の下地層を設けてあることを特徴とする前記３〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２２】
７．前記可撓性基板の厚みが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする前記３〜６のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２３】
８．前記蛍光体が輝尽性蛍光体であることを特徴とする前記３〜７のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２４】
９．前記輝尽性蛍光体がＣｓＢｒを母体とする柱状結晶蛍光体であることを特徴とする前記８記載の放射線画像変換パネル。
【００２５】
１０．前記３〜９のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、前記１又は２記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステムにより読み取りを行うことを特徴とするＸ線撮影システム。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、放射線画像変換パネルの割れ、蛍光体の剥離或いは画像ムラの発生のない、放射線画像変換パネルの読み取りシステム及び放射線画像変換パネルを提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明を更に詳しく説明する。
【００２８】
〔放射線画像変換パネルの読み取りシステム〕
本発明の放射線画像変換パネルの読み取りシステムについて説明する。ここでは特に輝尽性蛍光体を使用した読み取り方法について説明する。まず、放射線像変換パネルに被写体を通した放射線たとえばＸ線を照射する。プレートにはこの放射線の照射量に応じた潜像が形成される。この潜像を持ったプレートを読み取り装置にかけると、プレートは励起レーザーにより潜像に応じた発光を発生し、その発光はフォトマルチプライヤで増幅され、電気信号となる。
【００２９】
〔可撓性基板〕
本発明に用いられる放射線画像変換パネルの可撓性基板について説明する。
【００３０】
本発明の放射線画像変換パネルの可撓性基板としては、有機樹脂フィルムが用いられ、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミド等が挙げられる。
【００３１】
〔下地層〕
本発明は、有機樹脂フィルムと蛍光体層との間に、下地層を設けることが好ましい。
【００３２】
下地層で用いることのできる樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリビニアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ナイロン、（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸エステル、ビニルエステル類、ビニルケトン類、スチレン類、ジオレフィン類、（メタ）アクリルアミド類、塩化ビニル類、塩化ビニリデン類、ニトロセルロース、アセチルセルロース、ジアセチルセルロース等のセルロース誘導体、シリコン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。中でも有機樹脂フィルムと蛍光体層との接着性、有機樹脂フィルムの耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。
【００３３】
本発明における下地層の膜厚は０．１〜１０μｍであり、より好ましくは１〜５μｍである。下地層の膜厚が０．１μｍ未満では有機樹脂フィルムと輝尽性蛍光体層との接着力が弱い場合があり、１０μｍを超えると鮮鋭性等の品質が低下することがある。
【００３４】
膜厚の測定装置としては、例えば、触針法やレーザー干渉測長法といった周知の表面粗さ測定法で測定することができる。
【００３５】
本発明に係る下地層には、樹脂の他に膜強度を付与するために架橋剤を含有してもよい。用いることのできる架橋剤としては、特に制限はなく、例えば、多官能イソシアネート及びその誘導体、メラミン及びその誘導体、アミノ樹脂及びその誘導体等を挙げることができるが、多官能イソシアネート化合物が好ましい。多官能イソシアネート化合物としては、例えば、日本ポリウレタン社製のコロネートＨＸ、コロネート３０４１等が挙げられる。
【００３６】
架橋剤の使用量は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、蛍光体層及び有機樹脂フィルムに用いる材料の種類、下地層に用いる樹脂の種類等によって異なるが、蛍光体層と有機樹脂フィルムとの接着強度の維持を考慮すれば、下引き樹脂に対して５０質量％以下が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。５質量％未満では、架橋密度が低く、耐熱性、強度のいずれも不十分である。３０質量％を超えると、架橋密度が高く、下地層との靱性が低くなり（脆くなり）、下地層がひび割れしてしまう。
【００３７】
本発明においては、有機樹脂フィルムに下地層を塗設した後、蛍光体層を塗設する前に、下地層中の樹脂と架橋剤との反応を完遂させるため４０〜１５０℃で１〜１００時間の熱処理を行う。
【００３８】
下地層は、有機樹脂フィルムに下地層塗設液を塗布乾燥することにより得られる。塗布方法は、特に制限はなく、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコーター、押し出しコーター等の公知の塗布コーターを用いても、スピンコーターを用いて塗布してもよい。
【００３９】
〔輝尽性蛍光体〕
本発明に係る輝尽性蛍光体について説明する。本発明の蛍光体は輝尽性蛍光体が好ましく特に下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００４０】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2：ｅＡ、Ａ″
式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、Ａ及びＡ″はＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ及びＹの各原子から選ばれる少なくとも１種の希土類原子であり、ａ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。
【００４１】
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、ＭIは、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００４２】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００４３】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００４４】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。
【００４５】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子がさらに好ましい。
【００４６】
また、一般式（１）において、ｂは０≦ｂ＜０．５を表すが、好ましくは、０≦ｂ≦１０-2である。
【００４７】
本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。
【００４８】
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いられる。
【００４９】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種または２種以上の化合物が用いられる。
【００５０】
（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００５１】
一般式（１）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０-2、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。
【００５２】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。
【００５３】
次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボまたはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。
【００５４】
焼成温度は３００〜１０００℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。
【００５５】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５６】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度をさらに高めることができ好ましい。
【００５７】
また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気または中性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００５８】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５９】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成されることを特徴としている。
【００６０】
輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他の方法を用いることができる。
【００６１】
本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。
【００６２】
第１の方法の蒸着法は、まず、基板を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００６３】
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００６４】
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の基板側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルを製造することが好ましい。なお、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、基板を設ける手順をとってもよい。
【００６５】
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（基板、保護層または中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。
【００６６】
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
【００６７】
第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層または中間層を有する基板をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記基板上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
【００６８】
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。
【００６９】
第３の方法としてＣＶＤ法があり、また、第４の方法としてイオンプレーティング法がある。
【００７０】
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は０．０５〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。
【００７１】
放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法等により得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られ好ましい。
【００７２】
前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜６００μｍであり、さらに好ましくは１００〜５００μｍである。
【００７３】
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される基板の温度は、１００℃以上に設定することが好ましく、さらに好ましくは１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０〜４００℃である。
【００７４】
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、基板上に前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することがより好ましい。
【００７５】
蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式（１）で表される化合物（輝尽性蛍光体）が用いられるが、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましく用いられる。
【００７６】
また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００７７】
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
一般式（２）において、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ、ＴｌまたはＣｅを表す。
【００７８】
基板上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、輝尽性蛍光体の蒸気または該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。これらの場合において、基板と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常１０〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
【００７９】
蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
【００８０】
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。
【００８１】
また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるＣｓＢｒのみを蒸着した後、賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。
【００８２】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。
【００８３】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。
【００８４】
また、色材は、有機または無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インキ製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インキ製）等が用いられる。またカラーインデックスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００８５】
なお、輝尽性蛍光体層を気相成長法にて形成させるには、代表的には図１のごとき蒸着装置を用いる。
【００８６】
図１において、１は蒸着装置、２は真空チャンバー、３は支持体回転機構（支持体回転機能）、４は支持体であり、さらに５が蒸発源、６が支持体表面温度制御ヒーターである。また、ｄ1は支持体４と蒸発源５の間の距離である。
【００８７】
〔保護層〕
また、本発明の輝尽性蛍光体層は、保護層を有していてもよい。
【００８８】
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。
【００８９】
本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８０μｍ以下である。
【００９０】
レーザーとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、Ｎ2レーザー、ＹＡＧレーザー及びその第２高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザーやＡｒイオンレーザーのような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザーを用いることもできる。また、フィルタを用いずに特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用いる方が好ましい。
【００９１】
上記の各種レーザー光源の中でも、半導体レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【実施例】
【００９２】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００９３】
実施例１
《放射線画像変換パネル試料１〜１６の作製》
以下に示すように、０．５ｍｍ厚のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）支持体の表面（平均表面粗さ０．０１μｍ）に、下引き層としてポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロンシリーズ Ｔｇ：６０℃）をメチルエチルケトン／トルエンの１／１質量比混合溶媒に溶解した、下引き層用の塗布液をワイヤーバーコーターで塗布して、７０℃の熱風中にて乾燥した。結果として厚み１μｍのポリエステル樹脂層を有する基板を得た。
【００９４】
真空チャンバー内を一旦排気した後、Ａｒガスを導入して１．０×１０-2Ｐａとなるように真空度を調整し、支持体の表面温度を１００℃となるように保持しながら、輝尽性蛍光体層の膜厚が２００μｍとなるまで蒸着を行い放射線像変換パネル試料を作製した。
【００９５】
なお図１に示した蒸着装置においては、支持体中心と直交する法線上に蒸着源を配置することとし支持体と蒸着源との距離ｄ1（６０ｃｍ）とした。蒸着中は支持体を回転させながら蒸着操作を行った。
【００９６】
次いで、保護層として四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体の薄層（膜厚２．０μｍ）をポリエステル樹脂を１．０μｍ塗布し、ラミネーターにて輝尽性蛍光体層表面に貼り付け、放射線像変換パネル試料１を得た。
【００９７】
表１に示すように、基板を変更し蛍光体層を形成し、試料２〜１６を作製した。
【００９８】
下引きの厚みはワイヤーバーコーターのワイヤーサイズを変更し、所望の厚みの下引き層を得た。なお、試料２は下引き層を設けずに、蛍光体層を形成した。
【００９９】
（評価方法）
表１に示す曲率半径をもつ円柱を使用し、得られた放射線像変換パネルを搬送した。１０００回搬送を行い以下の評価をして結果を表１に示す。
【０１００】
割れ
目視で放射線像変換パネル表面を観察
１：ほとんどの部分に割れが入り、基板変形等で読み取りできない状態
２：割れが目立ち画像でも確認できる
３：割れがあるが画像では見えない
４：割れが少なく画像では見えない
５：割れはない。
【０１０１】
剥離
目視で放射線像変換パネル表面を観察
１：ほとんどの部分に剥離が発生し、基板より蛍光体層が脱離している状態
２：剥離が目立ち画像でも確認できる
３：剥離があるが画像では見えない
４：剥離が少なく画像では見えない
５：剥離はない。
【０１０２】
画像ムラ
８０ｋＶ、６０ｍＡｓのＸ線を１００ｃｍ離した位置より放射線像変換パネルに曝射し、ＲＥＧＩＵＳ１９０にて読み取った画像
×：プレートが変形し、読み取りができない状態。使用できない
１：ムラが多く使用に値しない
２：ムラが目立ち使用上支障が出る
３：ムラがあるが使用可能
４：ムラは少ない
５：ムラが無い。もしくは気にならないレベル。
【０１０３】
【表１】
【０１０４】
表より、本発明の放射線画像変換パネルは比較例に比べ、剥離性、鮮鋭性及び鮮鋭性の経時安定性に優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の輝尽性蛍光体層の形成に用いる蒸着装置の一例を示す概略図。
【符号の説明】
【０１０６】
１ 蒸着装置
２ 真空チャンバー
３ 支持体回転機構（支持体回転機能）
４ 支持体
５ 蒸発源
６ 支持体表面温度制御ヒーター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【請求項２】
前記搬送の曲率半径が５５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【請求項３】
可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、かつ、請求項１又は２記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステムに用いられることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記可撓性基板が有機樹脂フィルムであることを特徴とする請求項３記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記可撓性基板がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミドより選択される有機樹脂フィルムであることを特徴とする請求項３又は４記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記可撓性基板が、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の有機樹脂の下地層を設けてあることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記可撓性基板の厚みが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】
前記蛍光体が輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【請求項９】
前記輝尽性蛍光体がＣｓＢｒを母体とする柱状結晶蛍光体であることを特徴とする請求項８記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１】
可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの読み取りシステムにおいて、該放射線画像変換パネルを読み取り装置内で曲げて搬送し、かつ搬送の曲率半径が５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下であることを特徴とする放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【請求項２】
前記搬送の曲率半径が５５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステム。
【請求項３】
可撓性基板上に柱状結晶蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであって、かつ、請求項１又は２記載の放射線画像変換パネルの読み取りシステムに用いられることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記可撓性基板が有機樹脂フィルムであることを特徴とする請求項３記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記可撓性基板がポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、アラミドより選択される有機樹脂フィルムであることを特徴とする請求項３又は４記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記可撓性基板が、厚み０．１μｍ以上１０μｍ以下の有機樹脂の下地層を設けてあることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記可撓性基板の厚みが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】
前記蛍光体が輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【請求項９】
前記輝尽性蛍光体がＣｓＢｒを母体とする柱状結晶蛍光体であることを特徴とする請求項８記載の放射線画像変換パネル。
【図１】
【公開番号】特開２００８−１８０９３９（Ｐ２００８−１８０９３９Ａ）
【公開日】平成２０年８月７日（２００８．８．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１４８０５（Ｐ２００７−１４８０５）
【出願日】平成１９年１月２５日（２００７．１．２５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年８月７日（２００８．８．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１月２５日（２００７．１．２５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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