構造体の作製方法
【課題】 面外に傾斜させられた被加工部を有する構造体の作製方法において、構造体の設計自由度を狭めることなく、傾斜させるべき被加工部以外の部分の変形量を低減させることを可能とする作製方法を提供する。
【解決手段】 被加工部に外力を印加する前に可動部の運動を制限する拘束部を設けておき、被加工部の加工が終了した後に拘束部を除去する。
【解決手段】 被加工部に外力を印加する前に可動部の運動を制限する拘束部を設けておき、被加工部の加工が終了した後に拘束部を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＭＥＭＳ技術によって作製されるセンサやアクチュエータなどに用いられる櫛歯構造に代表される梁状構造を有する構造体の作製方法に関するものである。ＭＥＭＳとは、Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓの略語である。
【背景技術】
【０００２】
垂直櫛歯構造体（ＶＣ）とは、Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｏｍｂ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅとも呼ばれる。垂直櫛歯構造体は、櫛歯構造体の１対の櫛歯構造部が互いに噛み合うように配置され、いずれか一方の櫛歯構造部が面外方向（櫛歯構造体の主面と交差する方向）に変位可能であるように例えば梁状に加工された弾性体によって支持されている構造体である。
【０００３】
このような構造体は、ＭＥＭＳと呼ばれる半導体加工技術を応用した微細加工技術を用いることにより、例えば１本の櫛歯の幅が５μｍ程度であるような非常に微細な構造体として作製されることが可能である。
【０００４】
ＭＥＭＳによって作製された垂直櫛歯構造体は、例えば光路変換用のマイクロミラーや無線通信機器用の可変コンデンサなどにおいて採用されている。
具体的な一例としては、微小な振動構造体を静電気力で駆動させる静電櫛歯アクチュエータの電極部として用いることが可能である。
【０００５】
垂直櫛歯構造体を用いた静電櫛歯アクチュエータにおいては、櫛歯構造体を初期位置から変位させるために大きな駆動力を発生させる必要がある。
そのために、駆動力を増大させることが可能な櫛歯構造体として、角度付櫛歯構造体（ＡＶＣ：Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｏｍｂ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅとも呼ばれる）とその作製方法が公開されている（特許文献１参照）。
【０００６】
特許文献１に記載されているＡＶＣ及びその作製方法の概要を図２０に示す。
【０００７】
特許文献１に記載されているＡＶＣは図２０（ａ）のような構成となっている。
【０００８】
ＡＶＣ５００は、ねじりバネ５０５に軸支され回転方向に振動可能な振動板５０３の片側に可動櫛歯構造部５０１を有している。
【０００９】
また、このねじりバネ５０５は、例えば単結晶シリコンなどのような、加熱することにより塑性変形させることが可能な材料からなる。
【００１０】
可動櫛歯構造部５０１を傾斜させる方法を図２０（ｂ）、（ｃ）に示す。
【００１１】
図２０（ｂ）のように、ピラー５０７を有する型５０６を、ピラー５０７が振動板５０３の可動櫛歯構造部５０１を有する側と反対側の上面に接触するように、図中直線矢印の方向に押し当てて加熱する。
【００１２】
これにより、振動板５０３は図中曲線矢印方向に回転し、ねじりバネ５０５は振動板５０３の回転角度を保つような形状に塑性変形する。
【００１３】
その後冷却して型５０６を外すと、図２０（ｃ）のように振動板３３３は傾いたままとなり、振動板５０３の側面に形成された櫛歯構造部５０１も振動板５０３と一緒に傾斜した状態を保っている。
【特許文献１】米国特許第７，０８９，６６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明では、基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する新たな方法を提案する。
【００１５】
本発明の目的は、上記被加工部を面外に傾斜させる際に、構造体の設計自由度を狭めることなく、傾斜させるべき被加工部以外の部分の変形量を低減させることを可能とする構造体の作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、面外に傾斜した構造部を有する構造体の作製方法として、以下のような手段を提案するものである。
【００１７】
本発明における構造体の作製方法は、基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する構造体の作製方法であって、
前記可動部の動きを拘束する拘束部を設ける工程と、
前記被加工部に力を加えることにより前記被加工部を塑性変形させる工程と、
前記拘束部の少なくとも一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する際に、拘束部を用いて前記可動部の運動自由度を拘束することにより、可動部の運動を一時的に抑制することが可能となる。
【００１９】
また本発明によれば、前記被加工部を塑性変形させる際に、加工部にのみ選択的に応力を加えることができるため、加工精度が向上する。
【００２０】
さらに、本発明を実施することにより、構造体の設計自由度を狭めることなく、傾斜させるべき被加工部以外の部分の変形量を低減させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明における構造体の作製方法の概要を以下に説明する。
【００２２】
本発明の構造体の作製方法は、主に以下の４つの工程（ａ）〜（ｄ）からなる。
【００２３】
図１（ａ）〜（ｄ）は以下の工程（ａ）〜（ｄ）のそれぞれに対応している。
【００２４】
（ａ）基板２を加工し構造体１を作製する。
構造体１は、被加工部３と、被加工部３の片端が固定されている可動部４、可動部４を運動可能に支持する支持部５からなる。図１に示すように被加工部は１つ以上有していても良い。
ここで、被加工部３の塑性変形の基点となる位置（変形させたい位置）に、被加工部３を塑性変形させ易くするような加工を施してもよい。
例えば凹部６を設けるなど、その部分の強度が周囲よりも弱くなるように当該部分の厚さが薄くなるような加工を施してもよい。
【００２５】
（ｂ）構造体１に対して凸部を有する拘束部７（拘束部材ともいう）を、当該拘束部の凸部８が可動部４と接触して当該可動部４の動きを拘束するように固定する。
【００２６】
（ｃ）被加工部３に外力を印加することにより被加工部３を塑性変形させ、被加工部３を可動部４の主面に対して傾斜するように加工する。ここで可動部４の主面とは、可動部４のうち加工前の主に加工を施される面のことであり、可動部４の表面または裏面を指す。
【００２７】
図１（ｃ）の破線Ｓ１−Ｓ２は可動部４の加工前の主面を表す。
【００２８】
このとき、被加工部３を塑性変形させ易いように、被加工部３の一部、又は、全体を組成変形する温度以上に加熱してもよい。
加熱を開始するタイミングは、被加工部３を変形させる前でもよいし、被加工部３を変形させている途中でもよい。
【００２９】
（ｄ）拘束部７を構造体１から取り外す。
【００３０】
図１（ｃ）の工程において、被加工部３に外力を印加する方法としては、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、凸部１２を有する型１１を被加工部３に押し当てる方法を用いてもよい。
【００３１】
また、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、被加工部３に凸部（突出部ともいう）１３を設けておき、凸部１５を有する型１４を被加工部の凸部１３に押し当てる方法を用いてもよい。そして当該凸部は前記被加工部３を傾斜させる向きに応じて、前記可動部４の主面に対して当該主面の表面又は裏面の一方側、又は両方側に突出して設けることができる。
【００３２】
また本発明においては拘束部７全体を構造体１から必ずしも取り外さなくても良い。例えば、拘束部７のうち前記可動部を拘束している部分のみを取り外し、当該可動部の動きに影響を与えない部分（例えば拘束部７の枠体の部分）はそのまま構造体１と結合させた状態を維持しても良い。このようにすることで拘束部７の一部はそのまま構造体１の一部を構成することとなり、構造体構造体１の強度を高めることができる。
【００３３】
（拘束部の別形態１）
拘束部の形態としては、図１（ｂ）の工程に示した拘束部７以外の形態をとることも可能である。
【００３４】
例えば、以下の５つの工程（ａ）〜（ｅ）によっても、図１に示した拘束部７を用いる工程を実施した場合と同様の加工結果を得ることが可能である。
図４（ａ）〜（ｅ）は以下の工程（ａ）〜（ｅ）のそれぞれに対応している。
【００３５】
（ａ）可動部４に可動部の凸部２２を有する構造体２１を作製する。
構造体２１の構造は、可動部４が凸部２２を有することを除いて図１の工程（ａ）に示した構造体１と同様である。
可動部の凸部２２を設ける位置としては、可動部４の主面に対して、後の図４（ｃ）の工程で被加工部３に外力を印加する側と反対側に設けられることが好適である。
【００３６】
（ｂ）構造体２１上に拘束部２３を、可動部の凸部２２が拘束部の凹部０２４に対向するように配置する。即ち、可動部の凸部と前記拘束部の凹部の内壁（側面）及び底面の少なくとも一部とが互いに接触するように配置する。
【００３７】
（ｃ）被加工部３に外力を印加することにより被加工部３を塑性変形させ、被加工部３を可動部４の主面に対して傾斜させる。
【００３８】
（ｄ）拘束部２３を構造体２１から取り外す。
【００３９】
（ｅ）可動部４から可動部の凸部２２を除去する。
可動部を光偏向器の反射板として用いるような場合には、図４（ｅ）の工程を実施して可動部の凸部２２を除去することが好適である。
【００４０】
しかし、可動部４の用途によっては、図４（ｅ）の工程を実施せずに可動部の凸部２２を残したままにしてもよい。
【００４１】
（拘束部の別形態２）
拘束部の形態のさらに別の形態としては、図５（ａ）及び（ｂ）に示すような拘束部の形態を用いることが可能である。
【００４２】
構造体０３１は可動部４と被加工部３、支持部５からなる。
【００４３】
本例の場合、可動部４はねじりバネ３２によって支持部に連結されており、有限の変位量ではあるが複数方向の自由度に運動可能である。
【００４４】
このような構造体０３１の被加工部３を傾斜させる前に、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、拘束部３３を可動部４と支持部５の両方に跨るように配置して可動部４を固定しておく。
【００４５】
この状態で図１（ｃ）あるいは図２（ｃ）で示したように被加工部３を傾斜させ、その後、可動部４及び支持部５から拘束部３３を除去する。
【００４６】
また、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、拘束部３３を可動部４とねじりバネ３２、支持部５に跨るように配置してもよい。
【００４７】
本発明における拘束部の作用を以下に説明する。
【００４８】
以下の説明に於いては、可動部４は図１７のようにねじりバネ９を介して支持部５に連結されているとする。
【００４９】
まず、図１８（ａ）及び（ｃ）のように、可動部４の両側の被加工部３に外力Ｆを印加することにより被加工部３を傾斜させる場合を考える。
構造体の設計における制約条件によっては、ねじりバネ９の曲げ剛性が被加工部３の屈曲点Ｐにおける曲げ剛性に対して十分高くなるように設計することができない場合が有り得る。
【００５０】
このとき、図１８（ａ）のように拘束部７を用いずに外力Ｆを印加すると、ねじりバネ９が曲げ方向に変形し、図１８（ｂ）のように可動部４が矢印Ｑの向きに変位する。
【００５１】
一方、図１８（ｃ）のように拘束部７を用いると、図１８（ｄ）のように可動部４は拘束部の凸部８に突き当たるので可動部４の変位量は抑制される。
このとき、可動部４の変位量は、被加工部３を傾斜させる直前における拘束部の凸部８の先端と可動部４の主面との間の間隙の大きさδに等しくなる。
【００５２】
次に、図１９（ａ）及び（ｃ）のように、可動部４の片側の被加工部３に外力Ｆを印加することにより被加工部３を傾斜させる場合を考える。
【００５３】
構造体の設計における制約条件によっては、ねじりバネ９のねじり剛性が被加工部３の屈曲点Ｐにおける曲げ剛性に対して十分高くなるように設計することができない場合が有り得る。
【００５４】
このとき、図１９（ａ）のように拘束部２３を用いずに外力Ｆを印加すると、ねじりバネ９がねじり方向に変形し、図１９（ｂ）のように可動部４が矢印Ｒの向きに変位する。
【００５５】
一方、図１９（ｃ）のように拘束部２３を用いると、図１９（ｄ）のように可動部の凸部２２が拘束部の凹部２４の底面及び側面に突き当たるので、可動部４の変位量は抑制される。
【００５６】
このとき、可動部４の変位量は、被加工部３を傾斜させる直前における可動部の凸部２２の先端と、主面拘束部の凹部２４の底面及び側面との間の間隙の大きさδ及びεに依存する。
【００５７】
δ及びεが小さいほど、可動部４の変位量は小さくなる。
【実施例】
【００５８】
以下実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
本実施例では、可動部の主面と平行な平面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の一例を説明する。
ただし、作製方法はこれに限られるものではない。
【００６０】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図７に示す。
【００６１】
図７（ａ）〜（ｏ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｏ）に対応している。
【００６２】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｇ）により、被加工部１０１、１０２と被加工部の凸部１０３、１０４、可動部１０５、支持部１０６とを有する構造体１００を作製する。
【００６３】
（ａ）基板１１１のデバイス層１１２の表面にマスク層１１５を形成する。
基板１１１は、３つの層からなる多層構造を有しており、本明細書ではこれらの層を上から順にデバイス層、犠牲層、支持層と呼ぶことにする。
基板１１１としては、例えば、単結晶シリコンからなる２つの層（デバイス層１１２、支持層１１４）の間に二酸化シリコンからなる犠牲層１１３が挟まれた構造を有するＳＯＩ基板を用いることが可能である。
ここでＳＯＩとは、Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒの略称である。
【００６４】
（ｂ）デバイス層１１２に凹部１１６を形成する。
このとき、凹部１１６の深さはデバイス層１１２の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部１１６の形成方法としては、例えば反応性イオンエッチングなどの垂直エッチング技術を用いるのが好適である。
凹部１１６の深さはエッチング時間の長さで制御することが可能である。
【００６５】
（ｃ）デバイス層１１２の表面に、マスク層１１７を形成する。
【００６６】
（ｄ）デバイス層１１２に貫通口１１８を形成する。
貫通口１１８の形成方法としては、凹部１１６の形成方法と同じく、例えば反応性イオンエッチングなどの垂直エッチング技術を用いるのが好適である。
反応性イオンエッチングを用いた場合、エッチングガスとして基板１１１の犠牲層１１３とは反応しにくいガスを用いることにより、貫通口１１８を確実に形成することが可能である。
【００６７】
（ｅ）デバイス層１１２をマスクとして犠牲層１１３に貫通口１１９を形成する。
例えば基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、フッ化水素酸や四フッ化炭素ガスなどのような二酸化シリコンを選択的にエッチングすることが可能なエッチャントあるいはエッチングガスを用いることで犠牲層１１３のみを選択的にエッチングすることが可能である。
【００６８】
（ｆ）支持層１１４の下面にマスク層１２０を形成する。
【００６９】
（ｇ）支持層１１４に貫通口１２１を形成する。
【００７０】
次に、以下の工程（ｈ）、（ｉ）により、被加工部１０１、１０２を傾斜させる型１３４を作製する。
【００７１】
（ｈ）基板１３１にマスク層１３２を形成する。
基板１３１の材料は、後に型１３４を基板１１１に押し当てて加熱することを考えると、基板１１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板１１１のデバイス層１１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板１１１がＳＯＩ基板である場合、基板１３１はデバイス層１１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【００７２】
（ｉ）基板１３１の上面に型の凸部１３３を形成する。
型の凸部１３３の形成方法としては、型の凸部１３３の周囲をエッチングする方法を用いることが可能である。
型の凸部１３３の周囲をエッチングする方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００７３】
次に、以下の工程（ｊ）、（ｋ）により、可動部１０５の運動を制限する拘束部１４４を作製する。
【００７４】
（ｊ）基板１４１にマスク層１４２を形成する。
基板１４１の材料は、先出の基板１３１と同様の理由で、基板１１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板１１１のデバイス層１１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板１１１がＳＯＩ基板である場合、基板１４１はデバイス層１１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【００７５】
（ｋ）基板１４１の下面に拘束部の凸部１４３を形成する。
凸部１４３は図７（ｋ）のように複数個あってもよいし、図１（ｂ）のように１個でもよい。
拘束部の凸部１４３の形成方法としては、図７（ｉ）の工程で型の凸部１３３を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００７６】
最後に、以下の工程（ｌ）〜（ｏ）により、可動部１０５の運動を制限しつつ被加工部１０１、１０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部１０３、１０４を除去する。
【００７７】
（ｌ）可動部１０５に拘束部の凸部１４３の先端を対向させるように構造体１００に拘束部１４４を配置する。
拘束部１４４は、構造体１００の、被加工部１０１、１０２が傾斜して可動部１０５の主面に対して突出する側に配置する。
この時、可動部１０５の主面と拘束部の凸部１４３の先端とが接触していてもよい。
可動部１０５の主面と拘束部の凸部１４３の先端とが接触していない場合には、後の図７（ｍ）の工程において可動部１０５の主面と拘束部の凸部１４３の先端とが接触するように、拘束部１４４の配置を調整しておくとよい。
拘束部１４４を構造体１００に固定する方法としては、クランプなどを用いて外部から拘束部１４４と構造体１００とを挟んでもよいし、接着剤や他の接合手段を用いて拘束部１４４と構造体１００とを接合してもよい。
特に基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、拘束部１４４の表面に二酸化シリコンの層を形成しておくことで、陽極接合を用いて拘束部１４４と構造体１００とを接合することが可能である。
【００７８】
（ｍ）デバイス層１１２の凹部１１６を加熱し、型１３４を被加工部の凸部１０３、１０４に押し当てることにより凹部１１６を塑性変形させる。
加熱する温度は、例えば基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合にはシリコンを塑性変形させるために必要な６００℃以上に設定するのが好適である。
加熱する方法としては、例えば凹部１１６の周辺を通るような電流路に電流を流すことで発生するジュール熱により凹部１１６とその周辺を局所的に加熱する方法を用いることが可能である。
電流路としては融点が十分に高い導体薄膜などを適当な絶縁膜を介して蒸着したものを用いる、あるいはデバイス層１１２が導電性を有する場合はデバイス層１１２そのものを電流路として用いることが可能である。
また、型１３４を被加工部の凸部１０３、１０４に押し当てた状態を維持したまま適切な加熱炉を用いて構造体１００及び拘束部１４４、型１３４の全体を加熱することによりデバイス層１１２の凹部１１６を加熱することも可能である。
型１３４を被加工部の凸部１０３、１０４に押し当てた状態を維持する方法としては、図７（ｌ）の工程で拘束部１４４を構造体１００に固定したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００７９】
（ｎ）冷却した後、構造体１００から型１３４及び拘束部１４４を取り外す。
【００８０】
（ｏ）犠牲層１１３のうち、犠牲層１２２以外の部分を除去し、被加工部の凸部１０３、１０４を除去する。
被加工部の凸部１０３、１０４は犠牲層１１３のみを介して被加工部１０１、１０２に固定されているので、本工程により被加工部の凸部１０３、１０４は犠牲層１１３と共に除去される。
【００８１】
犠牲層１１３を除去する方法としては、例えば基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、フッ化水素酸や四フッ化炭素などのエッチャントあるいはエッチングガスを用いた二酸化シリコンの等方性エッチングが適用可能である。
このとき、エッチングの時間を調節することにより、犠牲層１２２の部分を残し、かつ被加工部の凸部１０３、１０４の近傍の犠牲層１１３を除去することが可能である。
【００８２】
本実施例の作製方法を用いて作製された構造体の例を図１５に示す。
図１５は可動部である振動板１７５の主面に対して上方向に傾斜した複数の被加工部である可動櫛歯１７１、１７３を有するＡＶＣを用いた振動構造体である。
【００８３】
可動櫛歯１７１と固定櫛歯１７２の間に例えばパルスや正弦波などの波形で電圧が変化する電圧信号源１７８を接続することにより、振動板１７５をねじりバネ１７７を中心軸とした回転方向に振動させることが可能である。
【００８４】
また、可動櫛歯１７３と固定櫛歯１７４の間に電圧信号源１７９を接続することによっても、振動板１７５をねじりバネ１７７を中心軸とした回転方向に振動させることが可能である。
【００８５】
（実施例２）
本実施例では、可動部の主面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の、別の一例について説明する。
【００８６】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図８（ａ）〜（ｒ）に示す。
【００８７】
図８（ａ）〜（ｒ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｒ）に対応する。
【００８８】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｊ）により、傾ける前の被加工部２０１、２０２と被加工部の凸部２０３、２０４、可動部２０５、支持部２０６、可動部の凸部２０７とを有する構造体２００を作製する。
【００８９】
（ａ）基板２１１のデバイス層２１２の表面にマスク層２１５を形成する。
基板２１１は図７（ａ）の工程で用いた基板１１１と同じ３層構造（デバイス層２１２、犠牲層２１３、支持層２１４）の基板であり、例えばＳＯＩ基板などを用いることが可能である。
【００９０】
（ｂ）デバイス層２１２に凹部２１６を形成する。
このとき、凹部２１６の深さはデバイス層２１２の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部２１６を形成する方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００９１】
（ｃ）デバイス層２１２の表面に、犠牲層２１７を形成する。
犠牲層２１７を形成する方法としては、例えば二酸化シリコンなどの材料を蒸着などの手段を用いて薄膜状に堆積させる手法を用いることが可能である。
【００９２】
（ｄ）犠牲層２１７の上面にマスク層２１８を形成する。
【００９３】
（ｅ）犠牲層２１７に貫通口２１９を形成する。
貫通口２１９を形成する方法としては、図７（ｅ）の工程で貫通口１１９を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００９４】
（ｆ）犠牲層２１７をマスクとしてデバイス層２１２に貫通口２２０を形成する。
貫通口２２０を形成する方法としては、図７（ｄ）の工程で貫通口１１８を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００９５】
（ｇ）基板２１１の犠牲層２１３に貫通口２２１を形成する。
【００９６】
（ｈ）犠牲層２１７の上面に基板２３１を接合する。
基板２３１としては、基板２１１の支持層２１４と同じ基板を用いるのが好適である。
例えば、基板２１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、基板２３１は単結晶シリコンからなる基板を用いるのが好適である。
また、基板２３１として単結晶シリコン基板を用いた場合、接合の方法として陽極接合を用いることが可能である。
【００９７】
（ｉ）基板２３１の上面にマスク層２３２を、基板２１１の支持層２１４の下面にマスク層２２２を形成する。
【００９８】
（ｊ）基板２３１に貫通口２３３を、支持層２１４に貫通口２２３を形成する。
この工程で可動部の凸部２０７が形成されるが、可動部の凸部２０７は図８（ｊ）のように複数個あってもよく、また、図４（ａ）のように１個でもよい。
【００９９】
次に、以下の工程（ｋ）、（ｌ）により、被加工部２０１、２０２を傾斜させる型２４４を作製する。
【０１００】
（ｋ）基板２４１にマスク層２４２を形成する。
基板２４１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板２１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板２１１のデバイス層２１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板２１１がＳＯＩ基板である場合、基板２４１はデバイス層２１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１０１】
（ｌ）基板２４１の上面に型の凸部２４３を形成する。
型の凸部２４３の形成方法としては、図７（ｉ）の工程で型の凸部１３３を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
次に、以下の工程（ｍ）、（ｎ）により、可動部２０５の運動を制限する拘束部２５４を作製する。
【０１０２】
（ｍ）基板２５１にマスク層２５２を形成する。
基板２５１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板２１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板２１１のデバイス層２１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板２１１がＳＯＩ基板である場合、基板２５１はデバイス層２１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１０３】
（ｎ）基板２５１の下面に拘束部の凹部２５３を形成する。
拘束部の凹部２５３の個数及び位置は、図８（ｊ）における可動部の凸部２０７の個数及び位置に合わせて形成する。
拘束部の凹部２５３の形成方法としては、図７（ｂ）の工程でデバイス層の凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
最後に、以下の工程（ｏ）〜（ｒ）により、可動部２０５の運動を制限しながら被加工部２０１、２０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部２０３、２０４を除去する。
【０１０４】
（ｏ）可動部の凸部２０７の先端に拘束部の凹部２５３を対向させるように構造体２００に拘束部２５４を配置する。
拘束部２５４は、構造体２００の、被加工部２０１、２０２が傾斜して可動部２０５の主面の外に飛び出す側に配置する。
この時点で拘束部の凹部２５３の内壁（側面）または底面と可動部の凸部２０７の先端とが接触していてもよい。
接触していない場合は、後の図８（ｐ）の工程において拘束部の凹部２５３の底面あるいは側面と可動部の凸部２０７の先端とが接触するように、拘束部２５４を配置する位置を合わせておくとよい。
拘束部２５４を構造体２００に固定する方法としては、クランプなどを用いて外部から拘束部２５４と構造体２００とを挟んでもよいし、接着剤や他の接合手段を用いて拘束部２５４と構造体２００とを接合してもよい。
特に基板２１１にＳＯＩ基板、あるいは基板２３１に単結晶シリコン基板を用いた場合、拘束部２５４の表面に二酸化シリコンの層を形成することで、陽極接合を用いて拘束部２５４と構造体２００とを接合することが可能である。
【０１０５】
（ｐ）デバイス層２１２の凹部２１６を加熱し、型２４４を被加工部の凸部２０３、２０４に押し当てることにより凹部２１６を塑性変形させる。
加熱する温度は、例えば基板２１１としてＳＯＩ基板を用いた場合にはシリコンを塑性変形させるために必要な６００℃以上に設定するのが好適である。
加熱する方法としては、例えば凹部２１６の周辺を通るような電流路に電流を流すことで発生するジュール熱により凹部２１６とその周辺を局所的に加熱する方法を用いることが可能である。
電流路としては融点が十分に高い導体薄膜などを適当な絶縁膜を介して蒸着したものを用いる、あるいはデバイス層２１２が導電性を有する場合はデバイス層２１２そのものを電流路として用いることが可能である。
また、型２４４を被加工部の凸部２０３、２０４に押し当てた状態を維持したまま適切な加熱炉を用いて構造体２００及び拘束部２５４、型２４４の全体を加熱することによりデバイス層２１２の凹部２１６を加熱することも可能である。
型２４４を被加工部の凸部２０３、２０４に押し当てた状態を維持する方法としては、図８（ｏ）の工程で拘束部２５４を構造体２００に固定したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１０６】
（ｑ）冷却した後、構造体２００から型２４４及び拘束部２５４を取り外す。
【０１０７】
（ｒ）犠牲層２１３、２１７のうち、犠牲層２２４、２３４以外の部分を除去し、被加工部の凸部２０３、２０４及び可動部の凸部２０７を除去する。
被加工部の凸部２０３、２０４及び可動部の凸部２０７は、犠牲層２１３、２１７のみを介して被加工部２０１、２０２及び可動部２０５に固定されている。
よって、この工程により被加工部の凸部２０３、２０４及び可動部の凸部２０７は犠牲層２１３、２１７と共に除去される。
犠牲層２１３を除去する方法としては、図７（ｏ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
【０１０８】
（実施例３）
本実施例では、基板の主面と平行な平面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の、別の一例について説明する。
【０１０９】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図９（ａ）〜（ｎ）に示す。
【０１１０】
図９（ａ）〜（ｎ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｎ）に対応する。
【０１１１】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｉ）により、被加工部３０１、３０２と被加工部の凸部３０３、３０４、可動部３０５、支持部３０６、拘束部３０７とを有する構造体３００を作製する。
【０１１２】
（ａ）基板３１１の支持層３１４の表面にマスク層３１５を形成する。
基板３１１は図７（ａ）の工程で用いた基板１１１と同じ３層構造（デバイス層３１２、犠牲層３１３、支持層３１４）の基板であり、例えばＳＯＩ基板などを用いることが可能である。
【０１１３】
（ｂ）支持層３１４に凹部３１６を形成する。
凹部３１６の深さは、支持層３１４の厚さから拘束部３０７の厚さを引いた値に合わせる。
凹部３１６を形成する方法については、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１１４】
（ｃ）デバイス層３１２にマスク層３１７を形成する。
【０１１５】
（ｄ）デバイス層３１２に凹部３１８を形成する。
このとき、凹部３１８の深さはデバイス層３１２の厚さよりも小さくなるようにする。
【０１１６】
（ｅ）デバイス層３１２にマスク層３１９を形成する。
【０１１７】
（ｆ）デバイス層３１２に貫通口３２０を形成する。
貫通口３２０を形成する方法としては、図７（ｄ）の工程で貫通口１１８を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１１８】
（ｇ）デバイス層３１２をマスクとして犠牲層３１３に貫通口３２１を形成する。
貫通口３２１を形成する方法としては、図７（ｅ）の工程で貫通口１１９を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１１９】
（ｈ）支持層３１４にマスク層３２２を形成する。
【０１２０】
（ｉ）支持層３１４に貫通口３０８、３２３を形成する。
貫通口３０８は、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、拘束部３０７のうち、可動部３０５の直下にあたる領域の一部に形成される。
これは、後の図９（ｎ）の工程で拘束部３０７を除去する際に、拘束部３０７の近傍の犠牲層３１３を短時間で除去するための工夫である。
次に、以下の工程（ｊ）、（ｋ）により、被加工部３０１、３０２を傾斜させる型３３４を作製する。
【０１２１】
（ｊ）基板３３１にマスク層３３２を形成する。
基板３３１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板３１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板３１１のデバイス層３１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板３１１がＳＯＩ基板である場合、基板３３１はデバイス層３１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１２２】
（ｋ）基板３３１の上面に型の凸部３３３を形成する。
型の凸部３３３の形成方法としては、図７（ｉ）の工程で型の凸部１３３を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１２３】
最後に、以下の工程（ｌ）〜（ｎ）により、被加工部３０１、３０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７を除去する。
【０１２４】
（ｌ）デバイス層３１２の凹部３１８を加熱し、型３３４を被加工部の凸部３０３、３０４に押し当てることにより凹部３１８を塑性変形させる。
本工程は図７（ｍ）の工程と同様にして行うことが可能である。
【０１２５】
（ｍ）冷却した後、構造体３００から型３３４を取り外す。
【０１２６】
（ｎ）犠牲層３１３のうち、犠牲層３２４以外の部分を除去し、被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７を除去する。
被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７は犠牲層３１３のみを介して被加工部３０１、３０２及び可動部３０５に固定されている。
よって、本工程により被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７は犠牲層３１３と共に除去される。
犠牲層３１３を除去する方法としては、図７（ｏ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
上記の被加工部３０１、３０２と被加工部の凸部３０３、３０４、可動部３０５、支持部３０６、拘束部３０７とを有する構造体３００を作製する別の方法を、図１１（ａ）〜（ｄ）を用いて以下に示す。
まず、図１１（ａ）のように基板３１１の支持層３１４にマスク層３４１を形成し、図１１（ｂ）のように支持層３１４に凹部３４２を形成する。
次に、図９（ｃ）〜（ｇ）の工程と同様にしてデバイス層３１２に凹部３１８、貫通口３２０を、犠牲層３１３に貫通口３２１を形成する。
次に、図１１（ｃ）のように支持層３１４にマスク層３４３を形成し、図１１（ｄ）のように支持層３１４に貫通口３４４を形成する。
【０１２７】
（実施例４）
被加工部を複数有する構造体の場合、実施例１乃至３の工程の一部分を変えることにより、複数の被加工部を異なる曲げ角度で同時に加工することが可能である。
【０１２８】
本実施例ではその方法を、実施例１で説明した作製方法を基として２通り説明する。
【０１２９】
１つ目の方法は、図１２（ａ）のように、被加工部の凸部１０３、１０４を被加工部１０１、１０２の曲げ加工の基準点Ｐからそれぞれ異なる距離の位置に設ける方法である。
【０１３０】
このような被加工部の凸部１０３，１０４は、例えば図７（ｆ）の工程でマスク層１２０を形成する領域を変えて図７（ｇ）の工程で貫通口１２１を形成する領域を変えることによって形成することが可能である。
支持層１１４及び被加工部の凸部１０３、１０４に型１３４を押し当てたときの様子は図１２（ｂ）のようになり、仕上がりは図１２（ｃ）のようになる。
【０１３１】
２つ目の方法は、図１３（ａ）のように、長さの異なる被加工部の凸部１０３、１０４を形成する方法である。
【０１３２】
長さの異なる被加工部の凸部１０３、１０４を形成する方法は、図９（ａ）〜（ｉ）の工程における被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７とを形成する方法と同様の方法を用いることが可能である。
また、上記の方法の替わりに、図１１（ａ）〜（ｄ）の工程における被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７とを形成する方法と同様の方法を用いてもよい。
【０１３３】
支持層１１４及び被加工部の凸部１０３、１０４に型１３４を押し当てたときの様子は図１３（ｂ）のようになり、仕上がりは図１３（ｃ）のようになる。
【０１３４】
（実施例５）
本実施例では、可動部の主面に対して面外方向に角度を有し、かつその角度が互いに逆方向である傾斜構造部を有する構造体の作製方法の一例について説明する。
【０１３５】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図１４（ａ）〜（ｒ）に示す。
図１４（ａ）〜（ｒ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｒ）に対応する。
【０１３６】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｊ）により、傾ける前の被加工部４０１、４０２と被加工部の凸部４０３、４０４、可動部４０５、支持部４０６、可動部の凸部４０７とを有する構造体４００を作製する。
【０１３７】
（ａ）基板４１１のデバイス層４１２の表面にマスク層４１５を形成する。
基板４１１は図７（ａ）の工程で用いた基板１１１と同じ３層構造（デバイス層４１２、犠牲層４１３、支持層４１４）の基板であり、例えばＳＯＩ基板などを用いることが可能である。
【０１３８】
（ｂ）デバイス層４１２に凹部４１６を形成する。
このとき、凹部４１６の深さはデバイス層４１２の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部４１６を形成する方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１３９】
（ｃ）デバイス層４１２の表面に、犠牲層４１７を形成する。
犠牲層４１７を形成する方法としては、例えば二酸化シリコンなどの材料を蒸着などの手段を用いて薄膜状に堆積させる手法を用いることが可能である。
【０１４０】
（ｄ）犠牲層４１７の上面にマスク層４１８を形成する。
【０１４１】
（ｅ）犠牲層４１７に貫通口４１９を形成する。
貫通口４１９を形成する方法としては、図７（ｅ）の工程で貫通口１１９を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１４２】
（ｆ）犠牲層４１７をマスクとしてデバイス層４１２に貫通口４２０を形成する。
貫通口４２０を形成する方法としては、図７（ｄ）の工程で貫通口１１８を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１４３】
（ｇ）基板４１１の犠牲層４１３に貫通口４２１を形成する。
【０１４４】
（ｈ）犠牲層４１７の上面に基板４３１を接合する。
基板４３１としては、基板４１１の支持層４１４と同じ基板を用いるのが好適である。
例えば、基板４１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、基板４３１は単結晶シリコンからなる基板を用いるのが好適である。
また、基板４３１として単結晶シリコン基板を用いた場合、接合の方法として陽極接合を用いることが可能である。
【０１４５】
（ｉ）基板４３１の上面にマスク層４３２を、基板４１１の支持層４１４の下面にマスク層４２２を形成する。
【０１４６】
（ｊ）基板４３１に貫通口４３３を、支持層４１４に貫通口４２３を形成する。
【０１４７】
次に、以下の工程（ｋ）〜（ｏ）により、被加工部４０１、４０２を傾斜させる型の機能を併せ持つ拘束部４４７、４５０を作製する。
【０１４８】
（ｋ）基板４４１にマスク層４４２を形成する。
基板４４１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板４１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板４１１のデバイス層４１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板４１１がＳＯＩ基板である場合、基板４４１はデバイス層４１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１４９】
（ｌ）基板４４１に凹部４４３を形成する。
凹部２４３の形成方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１５０】
（ｍ）基板４４１にマスク層４４４を形成する。
【０１５１】
（ｎ）基板４４１に拘束部の凹部４４５及び拘束部の凸部４４６を形成する。
【０１５２】
（ｏ）上記の工程（ｋ）〜（ｎ）と同様にして、拘束部の凹部４４８及び拘束部の凸部４４９を有する拘束部４５０を作製する。
最後に、以下の工程（ｐ）〜（ｒ）により、可動部４０５の運動を制限しながら被加工部４０１、４０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７を除去する。
【０１５３】
（ｐ）デバイス層４１２の凹部４１６を加熱し、可動部の凸部４０７の先端に拘束部の凹部４４５、４４８を対向させながら拘束部の凸部４４６、４４９を被加工部の凸部４０３、４０４に押し当てて凹部４１６を塑性変形させる。
凹部４１６を塑性変形させる方法としては、図８（ｐ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
【０１５４】
（ｑ）冷却した後、構造体４００から拘束部４４７、４５０を取り外す。
【０１５５】
（ｒ）犠牲層４１３、４１７のうち、犠牲層４２４、４３４以外の部分を除去し、被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７を除去する。
被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７は、犠牲層４１３、４１７のみを介して被加工部４０１、４０２及び可動部４０５に固定されている。
よって、この工程により被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７は犠牲層４１３、４１７と共に除去される。
犠牲層４１３を除去する方法としては、図７（ｏ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
【０１５６】
上記の作製方法によって作製された構造体の例を図１６に示す（構造を見やすくするために、基板４３１及び犠牲層４１７を破線Ｆ１−Ｆ２を通る鉛直面で切断した図を示す）。
【０１５７】
図１６は、可動部である振動板４６５の主面に対して上下両側の向きに傾斜した複数の被加工部である可動櫛歯４６１、４６３を有するＡＶＣである。
【０１５８】
振動板４６５がねじりバネ４６７を中心軸とした回転方向に振動すると、可動櫛歯４６１及び４６３が振動版と共に変位する。これにより可動櫛歯４６１及び４６３と固定櫛歯４６２及び４６４との間の静電容量が振動板４６５の変位に応じて変化する。
【０１５９】
本発明の作製方法を用いることにより、このような複雑な構造体を作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明における構造体の作製方法の、第一の例の概要を示す工程図
【図２】本発明における構造体の作製方法の、第二の例の概要を示す工程図
【図３】本発明における構造体の作製方法の、第三の例の概要を示す工程図
【図４】本発明における構造体の作製方法の、第四の例の概要を示す工程図
【図５】本発明における構造体の作製方法の、第五の例の概要を示す工程図
【図６】本発明における構造体の作製方法の、第六の例の概要を示す工程図
【図７】本発明の第１の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図８】本発明の第２の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図９】本発明の第３の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図１０】本発明の第３の実施例における拘束部の配置位置及び形状を示す図
【図１１】本発明の第３の実施例における構造体の別の作製方法を示す部分的な工程図
【図１２】本発明の第４の実施例における構造体の、第一の作製方法の概要を示す工程図
【図１３】本発明の第４の実施例における構造体の、第二の作製方法の概要を示す図
【図１４】本発明の第５の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図１５】本発明の第１の実施例における構造体の作製方法を用いて作製されたＡＶＣの一例を示す図
【図１６】本発明の第５の実施例における構造体の作製方法を用いて作製されたＡＶＣの一例を示す図
【図１７】ＡＶＣの平面構造の一例を示す図
【図１８】両側の被加工部に外力を印加する際の被加工部及び可動部の変形及び変位の様子を示す図
【図１９】片側の被加工部に外力を印加する際の被加工部及び可動部の変形及び変位の様子を示す図
【図２０】背景技術の特許文献１に記載のＡＶＣ及びその作製方法の概略を示す図
【符号の説明】
【０１６１】
１、１１、２１、３１、１００、２００、３００、４００ 構造体
２、１１１、１３１、１４１、２１１、２３１、２４１、２５１、３１１、３３１、４１１、４３１、４４１ 基板
３、１０１、１０２、２０１、２０２、３０１、３０２、４０１、４０２ 被加工部
４、１０５、２０５、３０５、４０５ 可動部
５、１０６、２０６、３０６、４０６ 支持部
７、２３、３３、１４４、２５４、３０７、４４７、４５０ 拘束部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＭＥＭＳ技術によって作製されるセンサやアクチュエータなどに用いられる櫛歯構造に代表される梁状構造を有する構造体の作製方法に関するものである。ＭＥＭＳとは、Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓの略語である。
【背景技術】
【０００２】
垂直櫛歯構造体（ＶＣ）とは、Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｏｍｂ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅとも呼ばれる。垂直櫛歯構造体は、櫛歯構造体の１対の櫛歯構造部が互いに噛み合うように配置され、いずれか一方の櫛歯構造部が面外方向（櫛歯構造体の主面と交差する方向）に変位可能であるように例えば梁状に加工された弾性体によって支持されている構造体である。
【０００３】
このような構造体は、ＭＥＭＳと呼ばれる半導体加工技術を応用した微細加工技術を用いることにより、例えば１本の櫛歯の幅が５μｍ程度であるような非常に微細な構造体として作製されることが可能である。
【０００４】
ＭＥＭＳによって作製された垂直櫛歯構造体は、例えば光路変換用のマイクロミラーや無線通信機器用の可変コンデンサなどにおいて採用されている。
具体的な一例としては、微小な振動構造体を静電気力で駆動させる静電櫛歯アクチュエータの電極部として用いることが可能である。
【０００５】
垂直櫛歯構造体を用いた静電櫛歯アクチュエータにおいては、櫛歯構造体を初期位置から変位させるために大きな駆動力を発生させる必要がある。
そのために、駆動力を増大させることが可能な櫛歯構造体として、角度付櫛歯構造体（ＡＶＣ：Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｏｍｂ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅとも呼ばれる）とその作製方法が公開されている（特許文献１参照）。
【０００６】
特許文献１に記載されているＡＶＣ及びその作製方法の概要を図２０に示す。
【０００７】
特許文献１に記載されているＡＶＣは図２０（ａ）のような構成となっている。
【０００８】
ＡＶＣ５００は、ねじりバネ５０５に軸支され回転方向に振動可能な振動板５０３の片側に可動櫛歯構造部５０１を有している。
【０００９】
また、このねじりバネ５０５は、例えば単結晶シリコンなどのような、加熱することにより塑性変形させることが可能な材料からなる。
【００１０】
可動櫛歯構造部５０１を傾斜させる方法を図２０（ｂ）、（ｃ）に示す。
【００１１】
図２０（ｂ）のように、ピラー５０７を有する型５０６を、ピラー５０７が振動板５０３の可動櫛歯構造部５０１を有する側と反対側の上面に接触するように、図中直線矢印の方向に押し当てて加熱する。
【００１２】
これにより、振動板５０３は図中曲線矢印方向に回転し、ねじりバネ５０５は振動板５０３の回転角度を保つような形状に塑性変形する。
【００１３】
その後冷却して型５０６を外すと、図２０（ｃ）のように振動板３３３は傾いたままとなり、振動板５０３の側面に形成された櫛歯構造部５０１も振動板５０３と一緒に傾斜した状態を保っている。
【特許文献１】米国特許第７，０８９，６６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明では、基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する新たな方法を提案する。
【００１５】
本発明の目的は、上記被加工部を面外に傾斜させる際に、構造体の設計自由度を狭めることなく、傾斜させるべき被加工部以外の部分の変形量を低減させることを可能とする構造体の作製方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、面外に傾斜した構造部を有する構造体の作製方法として、以下のような手段を提案するものである。
【００１７】
本発明における構造体の作製方法は、基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する構造体の作製方法であって、
前記可動部の動きを拘束する拘束部を設ける工程と、
前記被加工部に力を加えることにより前記被加工部を塑性変形させる工程と、
前記拘束部の少なくとも一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する際に、拘束部を用いて前記可動部の運動自由度を拘束することにより、可動部の運動を一時的に抑制することが可能となる。
【００１９】
また本発明によれば、前記被加工部を塑性変形させる際に、加工部にのみ選択的に応力を加えることができるため、加工精度が向上する。
【００２０】
さらに、本発明を実施することにより、構造体の設計自由度を狭めることなく、傾斜させるべき被加工部以外の部分の変形量を低減させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明における構造体の作製方法の概要を以下に説明する。
【００２２】
本発明の構造体の作製方法は、主に以下の４つの工程（ａ）〜（ｄ）からなる。
【００２３】
図１（ａ）〜（ｄ）は以下の工程（ａ）〜（ｄ）のそれぞれに対応している。
【００２４】
（ａ）基板２を加工し構造体１を作製する。
構造体１は、被加工部３と、被加工部３の片端が固定されている可動部４、可動部４を運動可能に支持する支持部５からなる。図１に示すように被加工部は１つ以上有していても良い。
ここで、被加工部３の塑性変形の基点となる位置（変形させたい位置）に、被加工部３を塑性変形させ易くするような加工を施してもよい。
例えば凹部６を設けるなど、その部分の強度が周囲よりも弱くなるように当該部分の厚さが薄くなるような加工を施してもよい。
【００２５】
（ｂ）構造体１に対して凸部を有する拘束部７（拘束部材ともいう）を、当該拘束部の凸部８が可動部４と接触して当該可動部４の動きを拘束するように固定する。
【００２６】
（ｃ）被加工部３に外力を印加することにより被加工部３を塑性変形させ、被加工部３を可動部４の主面に対して傾斜するように加工する。ここで可動部４の主面とは、可動部４のうち加工前の主に加工を施される面のことであり、可動部４の表面または裏面を指す。
【００２７】
図１（ｃ）の破線Ｓ１−Ｓ２は可動部４の加工前の主面を表す。
【００２８】
このとき、被加工部３を塑性変形させ易いように、被加工部３の一部、又は、全体を組成変形する温度以上に加熱してもよい。
加熱を開始するタイミングは、被加工部３を変形させる前でもよいし、被加工部３を変形させている途中でもよい。
【００２９】
（ｄ）拘束部７を構造体１から取り外す。
【００３０】
図１（ｃ）の工程において、被加工部３に外力を印加する方法としては、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、凸部１２を有する型１１を被加工部３に押し当てる方法を用いてもよい。
【００３１】
また、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、被加工部３に凸部（突出部ともいう）１３を設けておき、凸部１５を有する型１４を被加工部の凸部１３に押し当てる方法を用いてもよい。そして当該凸部は前記被加工部３を傾斜させる向きに応じて、前記可動部４の主面に対して当該主面の表面又は裏面の一方側、又は両方側に突出して設けることができる。
【００３２】
また本発明においては拘束部７全体を構造体１から必ずしも取り外さなくても良い。例えば、拘束部７のうち前記可動部を拘束している部分のみを取り外し、当該可動部の動きに影響を与えない部分（例えば拘束部７の枠体の部分）はそのまま構造体１と結合させた状態を維持しても良い。このようにすることで拘束部７の一部はそのまま構造体１の一部を構成することとなり、構造体構造体１の強度を高めることができる。
【００３３】
（拘束部の別形態１）
拘束部の形態としては、図１（ｂ）の工程に示した拘束部７以外の形態をとることも可能である。
【００３４】
例えば、以下の５つの工程（ａ）〜（ｅ）によっても、図１に示した拘束部７を用いる工程を実施した場合と同様の加工結果を得ることが可能である。
図４（ａ）〜（ｅ）は以下の工程（ａ）〜（ｅ）のそれぞれに対応している。
【００３５】
（ａ）可動部４に可動部の凸部２２を有する構造体２１を作製する。
構造体２１の構造は、可動部４が凸部２２を有することを除いて図１の工程（ａ）に示した構造体１と同様である。
可動部の凸部２２を設ける位置としては、可動部４の主面に対して、後の図４（ｃ）の工程で被加工部３に外力を印加する側と反対側に設けられることが好適である。
【００３６】
（ｂ）構造体２１上に拘束部２３を、可動部の凸部２２が拘束部の凹部０２４に対向するように配置する。即ち、可動部の凸部と前記拘束部の凹部の内壁（側面）及び底面の少なくとも一部とが互いに接触するように配置する。
【００３７】
（ｃ）被加工部３に外力を印加することにより被加工部３を塑性変形させ、被加工部３を可動部４の主面に対して傾斜させる。
【００３８】
（ｄ）拘束部２３を構造体２１から取り外す。
【００３９】
（ｅ）可動部４から可動部の凸部２２を除去する。
可動部を光偏向器の反射板として用いるような場合には、図４（ｅ）の工程を実施して可動部の凸部２２を除去することが好適である。
【００４０】
しかし、可動部４の用途によっては、図４（ｅ）の工程を実施せずに可動部の凸部２２を残したままにしてもよい。
【００４１】
（拘束部の別形態２）
拘束部の形態のさらに別の形態としては、図５（ａ）及び（ｂ）に示すような拘束部の形態を用いることが可能である。
【００４２】
構造体０３１は可動部４と被加工部３、支持部５からなる。
【００４３】
本例の場合、可動部４はねじりバネ３２によって支持部に連結されており、有限の変位量ではあるが複数方向の自由度に運動可能である。
【００４４】
このような構造体０３１の被加工部３を傾斜させる前に、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、拘束部３３を可動部４と支持部５の両方に跨るように配置して可動部４を固定しておく。
【００４５】
この状態で図１（ｃ）あるいは図２（ｃ）で示したように被加工部３を傾斜させ、その後、可動部４及び支持部５から拘束部３３を除去する。
【００４６】
また、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、拘束部３３を可動部４とねじりバネ３２、支持部５に跨るように配置してもよい。
【００４７】
本発明における拘束部の作用を以下に説明する。
【００４８】
以下の説明に於いては、可動部４は図１７のようにねじりバネ９を介して支持部５に連結されているとする。
【００４９】
まず、図１８（ａ）及び（ｃ）のように、可動部４の両側の被加工部３に外力Ｆを印加することにより被加工部３を傾斜させる場合を考える。
構造体の設計における制約条件によっては、ねじりバネ９の曲げ剛性が被加工部３の屈曲点Ｐにおける曲げ剛性に対して十分高くなるように設計することができない場合が有り得る。
【００５０】
このとき、図１８（ａ）のように拘束部７を用いずに外力Ｆを印加すると、ねじりバネ９が曲げ方向に変形し、図１８（ｂ）のように可動部４が矢印Ｑの向きに変位する。
【００５１】
一方、図１８（ｃ）のように拘束部７を用いると、図１８（ｄ）のように可動部４は拘束部の凸部８に突き当たるので可動部４の変位量は抑制される。
このとき、可動部４の変位量は、被加工部３を傾斜させる直前における拘束部の凸部８の先端と可動部４の主面との間の間隙の大きさδに等しくなる。
【００５２】
次に、図１９（ａ）及び（ｃ）のように、可動部４の片側の被加工部３に外力Ｆを印加することにより被加工部３を傾斜させる場合を考える。
【００５３】
構造体の設計における制約条件によっては、ねじりバネ９のねじり剛性が被加工部３の屈曲点Ｐにおける曲げ剛性に対して十分高くなるように設計することができない場合が有り得る。
【００５４】
このとき、図１９（ａ）のように拘束部２３を用いずに外力Ｆを印加すると、ねじりバネ９がねじり方向に変形し、図１９（ｂ）のように可動部４が矢印Ｒの向きに変位する。
【００５５】
一方、図１９（ｃ）のように拘束部２３を用いると、図１９（ｄ）のように可動部の凸部２２が拘束部の凹部２４の底面及び側面に突き当たるので、可動部４の変位量は抑制される。
【００５６】
このとき、可動部４の変位量は、被加工部３を傾斜させる直前における可動部の凸部２２の先端と、主面拘束部の凹部２４の底面及び側面との間の間隙の大きさδ及びεに依存する。
【００５７】
δ及びεが小さいほど、可動部４の変位量は小さくなる。
【実施例】
【００５８】
以下実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
本実施例では、可動部の主面と平行な平面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の一例を説明する。
ただし、作製方法はこれに限られるものではない。
【００６０】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図７に示す。
【００６１】
図７（ａ）〜（ｏ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｏ）に対応している。
【００６２】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｇ）により、被加工部１０１、１０２と被加工部の凸部１０３、１０４、可動部１０５、支持部１０６とを有する構造体１００を作製する。
【００６３】
（ａ）基板１１１のデバイス層１１２の表面にマスク層１１５を形成する。
基板１１１は、３つの層からなる多層構造を有しており、本明細書ではこれらの層を上から順にデバイス層、犠牲層、支持層と呼ぶことにする。
基板１１１としては、例えば、単結晶シリコンからなる２つの層（デバイス層１１２、支持層１１４）の間に二酸化シリコンからなる犠牲層１１３が挟まれた構造を有するＳＯＩ基板を用いることが可能である。
ここでＳＯＩとは、Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒの略称である。
【００６４】
（ｂ）デバイス層１１２に凹部１１６を形成する。
このとき、凹部１１６の深さはデバイス層１１２の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部１１６の形成方法としては、例えば反応性イオンエッチングなどの垂直エッチング技術を用いるのが好適である。
凹部１１６の深さはエッチング時間の長さで制御することが可能である。
【００６５】
（ｃ）デバイス層１１２の表面に、マスク層１１７を形成する。
【００６６】
（ｄ）デバイス層１１２に貫通口１１８を形成する。
貫通口１１８の形成方法としては、凹部１１６の形成方法と同じく、例えば反応性イオンエッチングなどの垂直エッチング技術を用いるのが好適である。
反応性イオンエッチングを用いた場合、エッチングガスとして基板１１１の犠牲層１１３とは反応しにくいガスを用いることにより、貫通口１１８を確実に形成することが可能である。
【００６７】
（ｅ）デバイス層１１２をマスクとして犠牲層１１３に貫通口１１９を形成する。
例えば基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、フッ化水素酸や四フッ化炭素ガスなどのような二酸化シリコンを選択的にエッチングすることが可能なエッチャントあるいはエッチングガスを用いることで犠牲層１１３のみを選択的にエッチングすることが可能である。
【００６８】
（ｆ）支持層１１４の下面にマスク層１２０を形成する。
【００６９】
（ｇ）支持層１１４に貫通口１２１を形成する。
【００７０】
次に、以下の工程（ｈ）、（ｉ）により、被加工部１０１、１０２を傾斜させる型１３４を作製する。
【００７１】
（ｈ）基板１３１にマスク層１３２を形成する。
基板１３１の材料は、後に型１３４を基板１１１に押し当てて加熱することを考えると、基板１１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板１１１のデバイス層１１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板１１１がＳＯＩ基板である場合、基板１３１はデバイス層１１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【００７２】
（ｉ）基板１３１の上面に型の凸部１３３を形成する。
型の凸部１３３の形成方法としては、型の凸部１３３の周囲をエッチングする方法を用いることが可能である。
型の凸部１３３の周囲をエッチングする方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００７３】
次に、以下の工程（ｊ）、（ｋ）により、可動部１０５の運動を制限する拘束部１４４を作製する。
【００７４】
（ｊ）基板１４１にマスク層１４２を形成する。
基板１４１の材料は、先出の基板１３１と同様の理由で、基板１１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板１１１のデバイス層１１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板１１１がＳＯＩ基板である場合、基板１４１はデバイス層１１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【００７５】
（ｋ）基板１４１の下面に拘束部の凸部１４３を形成する。
凸部１４３は図７（ｋ）のように複数個あってもよいし、図１（ｂ）のように１個でもよい。
拘束部の凸部１４３の形成方法としては、図７（ｉ）の工程で型の凸部１３３を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００７６】
最後に、以下の工程（ｌ）〜（ｏ）により、可動部１０５の運動を制限しつつ被加工部１０１、１０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部１０３、１０４を除去する。
【００７７】
（ｌ）可動部１０５に拘束部の凸部１４３の先端を対向させるように構造体１００に拘束部１４４を配置する。
拘束部１４４は、構造体１００の、被加工部１０１、１０２が傾斜して可動部１０５の主面に対して突出する側に配置する。
この時、可動部１０５の主面と拘束部の凸部１４３の先端とが接触していてもよい。
可動部１０５の主面と拘束部の凸部１４３の先端とが接触していない場合には、後の図７（ｍ）の工程において可動部１０５の主面と拘束部の凸部１４３の先端とが接触するように、拘束部１４４の配置を調整しておくとよい。
拘束部１４４を構造体１００に固定する方法としては、クランプなどを用いて外部から拘束部１４４と構造体１００とを挟んでもよいし、接着剤や他の接合手段を用いて拘束部１４４と構造体１００とを接合してもよい。
特に基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、拘束部１４４の表面に二酸化シリコンの層を形成しておくことで、陽極接合を用いて拘束部１４４と構造体１００とを接合することが可能である。
【００７８】
（ｍ）デバイス層１１２の凹部１１６を加熱し、型１３４を被加工部の凸部１０３、１０４に押し当てることにより凹部１１６を塑性変形させる。
加熱する温度は、例えば基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合にはシリコンを塑性変形させるために必要な６００℃以上に設定するのが好適である。
加熱する方法としては、例えば凹部１１６の周辺を通るような電流路に電流を流すことで発生するジュール熱により凹部１１６とその周辺を局所的に加熱する方法を用いることが可能である。
電流路としては融点が十分に高い導体薄膜などを適当な絶縁膜を介して蒸着したものを用いる、あるいはデバイス層１１２が導電性を有する場合はデバイス層１１２そのものを電流路として用いることが可能である。
また、型１３４を被加工部の凸部１０３、１０４に押し当てた状態を維持したまま適切な加熱炉を用いて構造体１００及び拘束部１４４、型１３４の全体を加熱することによりデバイス層１１２の凹部１１６を加熱することも可能である。
型１３４を被加工部の凸部１０３、１０４に押し当てた状態を維持する方法としては、図７（ｌ）の工程で拘束部１４４を構造体１００に固定したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００７９】
（ｎ）冷却した後、構造体１００から型１３４及び拘束部１４４を取り外す。
【００８０】
（ｏ）犠牲層１１３のうち、犠牲層１２２以外の部分を除去し、被加工部の凸部１０３、１０４を除去する。
被加工部の凸部１０３、１０４は犠牲層１１３のみを介して被加工部１０１、１０２に固定されているので、本工程により被加工部の凸部１０３、１０４は犠牲層１１３と共に除去される。
【００８１】
犠牲層１１３を除去する方法としては、例えば基板１１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、フッ化水素酸や四フッ化炭素などのエッチャントあるいはエッチングガスを用いた二酸化シリコンの等方性エッチングが適用可能である。
このとき、エッチングの時間を調節することにより、犠牲層１２２の部分を残し、かつ被加工部の凸部１０３、１０４の近傍の犠牲層１１３を除去することが可能である。
【００８２】
本実施例の作製方法を用いて作製された構造体の例を図１５に示す。
図１５は可動部である振動板１７５の主面に対して上方向に傾斜した複数の被加工部である可動櫛歯１７１、１７３を有するＡＶＣを用いた振動構造体である。
【００８３】
可動櫛歯１７１と固定櫛歯１７２の間に例えばパルスや正弦波などの波形で電圧が変化する電圧信号源１７８を接続することにより、振動板１７５をねじりバネ１７７を中心軸とした回転方向に振動させることが可能である。
【００８４】
また、可動櫛歯１７３と固定櫛歯１７４の間に電圧信号源１７９を接続することによっても、振動板１７５をねじりバネ１７７を中心軸とした回転方向に振動させることが可能である。
【００８５】
（実施例２）
本実施例では、可動部の主面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の、別の一例について説明する。
【００８６】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図８（ａ）〜（ｒ）に示す。
【００８７】
図８（ａ）〜（ｒ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｒ）に対応する。
【００８８】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｊ）により、傾ける前の被加工部２０１、２０２と被加工部の凸部２０３、２０４、可動部２０５、支持部２０６、可動部の凸部２０７とを有する構造体２００を作製する。
【００８９】
（ａ）基板２１１のデバイス層２１２の表面にマスク層２１５を形成する。
基板２１１は図７（ａ）の工程で用いた基板１１１と同じ３層構造（デバイス層２１２、犠牲層２１３、支持層２１４）の基板であり、例えばＳＯＩ基板などを用いることが可能である。
【００９０】
（ｂ）デバイス層２１２に凹部２１６を形成する。
このとき、凹部２１６の深さはデバイス層２１２の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部２１６を形成する方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００９１】
（ｃ）デバイス層２１２の表面に、犠牲層２１７を形成する。
犠牲層２１７を形成する方法としては、例えば二酸化シリコンなどの材料を蒸着などの手段を用いて薄膜状に堆積させる手法を用いることが可能である。
【００９２】
（ｄ）犠牲層２１７の上面にマスク層２１８を形成する。
【００９３】
（ｅ）犠牲層２１７に貫通口２１９を形成する。
貫通口２１９を形成する方法としては、図７（ｅ）の工程で貫通口１１９を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００９４】
（ｆ）犠牲層２１７をマスクとしてデバイス層２１２に貫通口２２０を形成する。
貫通口２２０を形成する方法としては、図７（ｄ）の工程で貫通口１１８を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【００９５】
（ｇ）基板２１１の犠牲層２１３に貫通口２２１を形成する。
【００９６】
（ｈ）犠牲層２１７の上面に基板２３１を接合する。
基板２３１としては、基板２１１の支持層２１４と同じ基板を用いるのが好適である。
例えば、基板２１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、基板２３１は単結晶シリコンからなる基板を用いるのが好適である。
また、基板２３１として単結晶シリコン基板を用いた場合、接合の方法として陽極接合を用いることが可能である。
【００９７】
（ｉ）基板２３１の上面にマスク層２３２を、基板２１１の支持層２１４の下面にマスク層２２２を形成する。
【００９８】
（ｊ）基板２３１に貫通口２３３を、支持層２１４に貫通口２２３を形成する。
この工程で可動部の凸部２０７が形成されるが、可動部の凸部２０７は図８（ｊ）のように複数個あってもよく、また、図４（ａ）のように１個でもよい。
【００９９】
次に、以下の工程（ｋ）、（ｌ）により、被加工部２０１、２０２を傾斜させる型２４４を作製する。
【０１００】
（ｋ）基板２４１にマスク層２４２を形成する。
基板２４１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板２１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板２１１のデバイス層２１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板２１１がＳＯＩ基板である場合、基板２４１はデバイス層２１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１０１】
（ｌ）基板２４１の上面に型の凸部２４３を形成する。
型の凸部２４３の形成方法としては、図７（ｉ）の工程で型の凸部１３３を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
次に、以下の工程（ｍ）、（ｎ）により、可動部２０５の運動を制限する拘束部２５４を作製する。
【０１０２】
（ｍ）基板２５１にマスク層２５２を形成する。
基板２５１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板２１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板２１１のデバイス層２１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板２１１がＳＯＩ基板である場合、基板２５１はデバイス層２１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１０３】
（ｎ）基板２５１の下面に拘束部の凹部２５３を形成する。
拘束部の凹部２５３の個数及び位置は、図８（ｊ）における可動部の凸部２０７の個数及び位置に合わせて形成する。
拘束部の凹部２５３の形成方法としては、図７（ｂ）の工程でデバイス層の凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
最後に、以下の工程（ｏ）〜（ｒ）により、可動部２０５の運動を制限しながら被加工部２０１、２０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部２０３、２０４を除去する。
【０１０４】
（ｏ）可動部の凸部２０７の先端に拘束部の凹部２５３を対向させるように構造体２００に拘束部２５４を配置する。
拘束部２５４は、構造体２００の、被加工部２０１、２０２が傾斜して可動部２０５の主面の外に飛び出す側に配置する。
この時点で拘束部の凹部２５３の内壁（側面）または底面と可動部の凸部２０７の先端とが接触していてもよい。
接触していない場合は、後の図８（ｐ）の工程において拘束部の凹部２５３の底面あるいは側面と可動部の凸部２０７の先端とが接触するように、拘束部２５４を配置する位置を合わせておくとよい。
拘束部２５４を構造体２００に固定する方法としては、クランプなどを用いて外部から拘束部２５４と構造体２００とを挟んでもよいし、接着剤や他の接合手段を用いて拘束部２５４と構造体２００とを接合してもよい。
特に基板２１１にＳＯＩ基板、あるいは基板２３１に単結晶シリコン基板を用いた場合、拘束部２５４の表面に二酸化シリコンの層を形成することで、陽極接合を用いて拘束部２５４と構造体２００とを接合することが可能である。
【０１０５】
（ｐ）デバイス層２１２の凹部２１６を加熱し、型２４４を被加工部の凸部２０３、２０４に押し当てることにより凹部２１６を塑性変形させる。
加熱する温度は、例えば基板２１１としてＳＯＩ基板を用いた場合にはシリコンを塑性変形させるために必要な６００℃以上に設定するのが好適である。
加熱する方法としては、例えば凹部２１６の周辺を通るような電流路に電流を流すことで発生するジュール熱により凹部２１６とその周辺を局所的に加熱する方法を用いることが可能である。
電流路としては融点が十分に高い導体薄膜などを適当な絶縁膜を介して蒸着したものを用いる、あるいはデバイス層２１２が導電性を有する場合はデバイス層２１２そのものを電流路として用いることが可能である。
また、型２４４を被加工部の凸部２０３、２０４に押し当てた状態を維持したまま適切な加熱炉を用いて構造体２００及び拘束部２５４、型２４４の全体を加熱することによりデバイス層２１２の凹部２１６を加熱することも可能である。
型２４４を被加工部の凸部２０３、２０４に押し当てた状態を維持する方法としては、図８（ｏ）の工程で拘束部２５４を構造体２００に固定したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１０６】
（ｑ）冷却した後、構造体２００から型２４４及び拘束部２５４を取り外す。
【０１０７】
（ｒ）犠牲層２１３、２１７のうち、犠牲層２２４、２３４以外の部分を除去し、被加工部の凸部２０３、２０４及び可動部の凸部２０７を除去する。
被加工部の凸部２０３、２０４及び可動部の凸部２０７は、犠牲層２１３、２１７のみを介して被加工部２０１、２０２及び可動部２０５に固定されている。
よって、この工程により被加工部の凸部２０３、２０４及び可動部の凸部２０７は犠牲層２１３、２１７と共に除去される。
犠牲層２１３を除去する方法としては、図７（ｏ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
【０１０８】
（実施例３）
本実施例では、基板の主面と平行な平面に対して面外方向に角度を有する傾斜構造部を有する構造体の作製方法の、別の一例について説明する。
【０１０９】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図９（ａ）〜（ｎ）に示す。
【０１１０】
図９（ａ）〜（ｎ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｎ）に対応する。
【０１１１】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｉ）により、被加工部３０１、３０２と被加工部の凸部３０３、３０４、可動部３０５、支持部３０６、拘束部３０７とを有する構造体３００を作製する。
【０１１２】
（ａ）基板３１１の支持層３１４の表面にマスク層３１５を形成する。
基板３１１は図７（ａ）の工程で用いた基板１１１と同じ３層構造（デバイス層３１２、犠牲層３１３、支持層３１４）の基板であり、例えばＳＯＩ基板などを用いることが可能である。
【０１１３】
（ｂ）支持層３１４に凹部３１６を形成する。
凹部３１６の深さは、支持層３１４の厚さから拘束部３０７の厚さを引いた値に合わせる。
凹部３１６を形成する方法については、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１１４】
（ｃ）デバイス層３１２にマスク層３１７を形成する。
【０１１５】
（ｄ）デバイス層３１２に凹部３１８を形成する。
このとき、凹部３１８の深さはデバイス層３１２の厚さよりも小さくなるようにする。
【０１１６】
（ｅ）デバイス層３１２にマスク層３１９を形成する。
【０１１７】
（ｆ）デバイス層３１２に貫通口３２０を形成する。
貫通口３２０を形成する方法としては、図７（ｄ）の工程で貫通口１１８を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１１８】
（ｇ）デバイス層３１２をマスクとして犠牲層３１３に貫通口３２１を形成する。
貫通口３２１を形成する方法としては、図７（ｅ）の工程で貫通口１１９を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１１９】
（ｈ）支持層３１４にマスク層３２２を形成する。
【０１２０】
（ｉ）支持層３１４に貫通口３０８、３２３を形成する。
貫通口３０８は、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、拘束部３０７のうち、可動部３０５の直下にあたる領域の一部に形成される。
これは、後の図９（ｎ）の工程で拘束部３０７を除去する際に、拘束部３０７の近傍の犠牲層３１３を短時間で除去するための工夫である。
次に、以下の工程（ｊ）、（ｋ）により、被加工部３０１、３０２を傾斜させる型３３４を作製する。
【０１２１】
（ｊ）基板３３１にマスク層３３２を形成する。
基板３３１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板３１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板３１１のデバイス層３１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板３１１がＳＯＩ基板である場合、基板３３１はデバイス層３１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１２２】
（ｋ）基板３３１の上面に型の凸部３３３を形成する。
型の凸部３３３の形成方法としては、図７（ｉ）の工程で型の凸部１３３を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１２３】
最後に、以下の工程（ｌ）〜（ｎ）により、被加工部３０１、３０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７を除去する。
【０１２４】
（ｌ）デバイス層３１２の凹部３１８を加熱し、型３３４を被加工部の凸部３０３、３０４に押し当てることにより凹部３１８を塑性変形させる。
本工程は図７（ｍ）の工程と同様にして行うことが可能である。
【０１２５】
（ｍ）冷却した後、構造体３００から型３３４を取り外す。
【０１２６】
（ｎ）犠牲層３１３のうち、犠牲層３２４以外の部分を除去し、被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７を除去する。
被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７は犠牲層３１３のみを介して被加工部３０１、３０２及び可動部３０５に固定されている。
よって、本工程により被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７は犠牲層３１３と共に除去される。
犠牲層３１３を除去する方法としては、図７（ｏ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
上記の被加工部３０１、３０２と被加工部の凸部３０３、３０４、可動部３０５、支持部３０６、拘束部３０７とを有する構造体３００を作製する別の方法を、図１１（ａ）〜（ｄ）を用いて以下に示す。
まず、図１１（ａ）のように基板３１１の支持層３１４にマスク層３４１を形成し、図１１（ｂ）のように支持層３１４に凹部３４２を形成する。
次に、図９（ｃ）〜（ｇ）の工程と同様にしてデバイス層３１２に凹部３１８、貫通口３２０を、犠牲層３１３に貫通口３２１を形成する。
次に、図１１（ｃ）のように支持層３１４にマスク層３４３を形成し、図１１（ｄ）のように支持層３１４に貫通口３４４を形成する。
【０１２７】
（実施例４）
被加工部を複数有する構造体の場合、実施例１乃至３の工程の一部分を変えることにより、複数の被加工部を異なる曲げ角度で同時に加工することが可能である。
【０１２８】
本実施例ではその方法を、実施例１で説明した作製方法を基として２通り説明する。
【０１２９】
１つ目の方法は、図１２（ａ）のように、被加工部の凸部１０３、１０４を被加工部１０１、１０２の曲げ加工の基準点Ｐからそれぞれ異なる距離の位置に設ける方法である。
【０１３０】
このような被加工部の凸部１０３，１０４は、例えば図７（ｆ）の工程でマスク層１２０を形成する領域を変えて図７（ｇ）の工程で貫通口１２１を形成する領域を変えることによって形成することが可能である。
支持層１１４及び被加工部の凸部１０３、１０４に型１３４を押し当てたときの様子は図１２（ｂ）のようになり、仕上がりは図１２（ｃ）のようになる。
【０１３１】
２つ目の方法は、図１３（ａ）のように、長さの異なる被加工部の凸部１０３、１０４を形成する方法である。
【０１３２】
長さの異なる被加工部の凸部１０３、１０４を形成する方法は、図９（ａ）〜（ｉ）の工程における被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７とを形成する方法と同様の方法を用いることが可能である。
また、上記の方法の替わりに、図１１（ａ）〜（ｄ）の工程における被加工部の凸部３０３、３０４及び拘束部３０７とを形成する方法と同様の方法を用いてもよい。
【０１３３】
支持層１１４及び被加工部の凸部１０３、１０４に型１３４を押し当てたときの様子は図１３（ｂ）のようになり、仕上がりは図１３（ｃ）のようになる。
【０１３４】
（実施例５）
本実施例では、可動部の主面に対して面外方向に角度を有し、かつその角度が互いに逆方向である傾斜構造部を有する構造体の作製方法の一例について説明する。
【０１３５】
本実施例の構造体の作製方法を表す工程図を図１４（ａ）〜（ｒ）に示す。
図１４（ａ）〜（ｒ）は、それぞれ以下の本実施例の工程（ａ）〜（ｒ）に対応する。
【０１３６】
まず、以下の工程（ａ）〜（ｊ）により、傾ける前の被加工部４０１、４０２と被加工部の凸部４０３、４０４、可動部４０５、支持部４０６、可動部の凸部４０７とを有する構造体４００を作製する。
【０１３７】
（ａ）基板４１１のデバイス層４１２の表面にマスク層４１５を形成する。
基板４１１は図７（ａ）の工程で用いた基板１１１と同じ３層構造（デバイス層４１２、犠牲層４１３、支持層４１４）の基板であり、例えばＳＯＩ基板などを用いることが可能である。
【０１３８】
（ｂ）デバイス層４１２に凹部４１６を形成する。
このとき、凹部４１６の深さはデバイス層４１２の厚さよりも小さくなるようにする。
凹部４１６を形成する方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１３９】
（ｃ）デバイス層４１２の表面に、犠牲層４１７を形成する。
犠牲層４１７を形成する方法としては、例えば二酸化シリコンなどの材料を蒸着などの手段を用いて薄膜状に堆積させる手法を用いることが可能である。
【０１４０】
（ｄ）犠牲層４１７の上面にマスク層４１８を形成する。
【０１４１】
（ｅ）犠牲層４１７に貫通口４１９を形成する。
貫通口４１９を形成する方法としては、図７（ｅ）の工程で貫通口１１９を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１４２】
（ｆ）犠牲層４１７をマスクとしてデバイス層４１２に貫通口４２０を形成する。
貫通口４２０を形成する方法としては、図７（ｄ）の工程で貫通口１１８を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１４３】
（ｇ）基板４１１の犠牲層４１３に貫通口４２１を形成する。
【０１４４】
（ｈ）犠牲層４１７の上面に基板４３１を接合する。
基板４３１としては、基板４１１の支持層４１４と同じ基板を用いるのが好適である。
例えば、基板４１１としてＳＯＩ基板を用いた場合、基板４３１は単結晶シリコンからなる基板を用いるのが好適である。
また、基板４３１として単結晶シリコン基板を用いた場合、接合の方法として陽極接合を用いることが可能である。
【０１４５】
（ｉ）基板４３１の上面にマスク層４３２を、基板４１１の支持層４１４の下面にマスク層４２２を形成する。
【０１４６】
（ｊ）基板４３１に貫通口４３３を、支持層４１４に貫通口４２３を形成する。
【０１４７】
次に、以下の工程（ｋ）〜（ｏ）により、被加工部４０１、４０２を傾斜させる型の機能を併せ持つ拘束部４４７、４５０を作製する。
【０１４８】
（ｋ）基板４４１にマスク層４４２を形成する。
基板４４１の材料は、図７（ｈ）の工程と同様の理由で、基板４１１と同程度あるいはそれ以上の剛性を有し、熱膨張係数が基板４１１のデバイス層４１２の材料に近い材料であることが望ましい。
例えば、基板４１１がＳＯＩ基板である場合、基板４４１はデバイス層４１２と同じ単結晶シリコンからなる基板を選択するのがよい。
【０１４９】
（ｌ）基板４４１に凹部４４３を形成する。
凹部２４３の形成方法としては、図７（ｂ）の工程で凹部１１６を形成したときと同様の方法を用いることが可能である。
【０１５０】
（ｍ）基板４４１にマスク層４４４を形成する。
【０１５１】
（ｎ）基板４４１に拘束部の凹部４４５及び拘束部の凸部４４６を形成する。
【０１５２】
（ｏ）上記の工程（ｋ）〜（ｎ）と同様にして、拘束部の凹部４４８及び拘束部の凸部４４９を有する拘束部４５０を作製する。
最後に、以下の工程（ｐ）〜（ｒ）により、可動部４０５の運動を制限しながら被加工部４０１、４０２に仰角をつけ、その後、被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７を除去する。
【０１５３】
（ｐ）デバイス層４１２の凹部４１６を加熱し、可動部の凸部４０７の先端に拘束部の凹部４４５、４４８を対向させながら拘束部の凸部４４６、４４９を被加工部の凸部４０３、４０４に押し当てて凹部４１６を塑性変形させる。
凹部４１６を塑性変形させる方法としては、図８（ｐ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
【０１５４】
（ｑ）冷却した後、構造体４００から拘束部４４７、４５０を取り外す。
【０１５５】
（ｒ）犠牲層４１３、４１７のうち、犠牲層４２４、４３４以外の部分を除去し、被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７を除去する。
被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７は、犠牲層４１３、４１７のみを介して被加工部４０１、４０２及び可動部４０５に固定されている。
よって、この工程により被加工部の凸部４０３、４０４及び可動部の凸部４０７は犠牲層４１３、４１７と共に除去される。
犠牲層４１３を除去する方法としては、図７（ｏ）の工程と同様の方法を用いることが可能である。
【０１５６】
上記の作製方法によって作製された構造体の例を図１６に示す（構造を見やすくするために、基板４３１及び犠牲層４１７を破線Ｆ１−Ｆ２を通る鉛直面で切断した図を示す）。
【０１５７】
図１６は、可動部である振動板４６５の主面に対して上下両側の向きに傾斜した複数の被加工部である可動櫛歯４６１、４６３を有するＡＶＣである。
【０１５８】
振動板４６５がねじりバネ４６７を中心軸とした回転方向に振動すると、可動櫛歯４６１及び４６３が振動版と共に変位する。これにより可動櫛歯４６１及び４６３と固定櫛歯４６２及び４６４との間の静電容量が振動板４６５の変位に応じて変化する。
【０１５９】
本発明の作製方法を用いることにより、このような複雑な構造体を作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明における構造体の作製方法の、第一の例の概要を示す工程図
【図２】本発明における構造体の作製方法の、第二の例の概要を示す工程図
【図３】本発明における構造体の作製方法の、第三の例の概要を示す工程図
【図４】本発明における構造体の作製方法の、第四の例の概要を示す工程図
【図５】本発明における構造体の作製方法の、第五の例の概要を示す工程図
【図６】本発明における構造体の作製方法の、第六の例の概要を示す工程図
【図７】本発明の第１の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図８】本発明の第２の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図９】本発明の第３の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図１０】本発明の第３の実施例における拘束部の配置位置及び形状を示す図
【図１１】本発明の第３の実施例における構造体の別の作製方法を示す部分的な工程図
【図１２】本発明の第４の実施例における構造体の、第一の作製方法の概要を示す工程図
【図１３】本発明の第４の実施例における構造体の、第二の作製方法の概要を示す図
【図１４】本発明の第５の実施例における構造体の作製方法を表す工程図
【図１５】本発明の第１の実施例における構造体の作製方法を用いて作製されたＡＶＣの一例を示す図
【図１６】本発明の第５の実施例における構造体の作製方法を用いて作製されたＡＶＣの一例を示す図
【図１７】ＡＶＣの平面構造の一例を示す図
【図１８】両側の被加工部に外力を印加する際の被加工部及び可動部の変形及び変位の様子を示す図
【図１９】片側の被加工部に外力を印加する際の被加工部及び可動部の変形及び変位の様子を示す図
【図２０】背景技術の特許文献１に記載のＡＶＣ及びその作製方法の概略を示す図
【符号の説明】
【０１６１】
１、１１、２１、３１、１００、２００、３００、４００ 構造体
２、１１１、１３１、１４１、２１１、２３１、２４１、２５１、３１１、３３１、４１１、４３１、４４１ 基板
３、１０１、１０２、２０１、２０２、３０１、３０２、４０１、４０２ 被加工部
４、１０５、２０５、３０５、４０５ 可動部
５、１０６、２０６、３０６、４０６ 支持部
７、２３、３３、１４４、２５４、３０７、４４７、４５０ 拘束部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する構造体の作製方法であって、
前記可動部の動きを拘束する拘束部を設ける工程と、
前記被加工部に力を加えることにより前記被加工部を塑性変形させる工程と、
前記拘束部の少なくとも一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする構造体の作製方法。
【請求項２】
前記拘束部が
１つ以上の凸部を有し、
かつ、
前記被加工部を塑性変形させる工程において、
前記拘束部の凸部と前記可動部の少なくとも一部分とを接触させることにより前記可動部の動きを拘束することを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項３】
前記可動部には１つ以上の凸部が設けられ、
前記拘束部は１つ以上の凹部を有し、
前記被加工部を塑性変形させる工程において、前記可動部の凸部と前記拘束部の凹部の内壁及び底面の少なくとも一部とが互いに接触することを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項４】
前記拘束部が前記可動部と前記基板との両方を固定することで前記可動部と基板とを拘束することを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項５】
前記拘束部が前記可動部または基板に犠牲層を介して設けられており、
かつ、
前記拘束部を除去する工程が、
前記犠牲層のうち、少なくとも前記拘束部が設けられている部分を除去する工程を含むことを特徴とする請求項３乃至４のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項６】
前記拘束部が、
前記拘束部の先端から犠牲層と接する部分までを貫通する貫通口を有することを特徴とする請求項５に記載の構造体の作製方法。
【請求項７】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に型を押し当てる工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項８】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に凸部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項９】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に設けた凸部に型を押し当てる工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の構造体の作製方法。
【請求項１０】
前記被加工部を少なくとも２つ以上有し、
かつ、
前記被加工部に設けた凸部が、前記可動部の主面に対して当該主面の表面又は裏面の一方側に突出して設けられていることを特徴とする請求項９に記載の構造体の作製方法。
【請求項１１】
前記被加工部を少なくとも２つ以上有し、
かつ、
少なくとも１つ以上の前記被加工部に設けた凸部が、前記可動部の主面に対して、他の前記被加工部の凸部と反対の向きに突出して設けられていることを特徴とする請求項９に記載の構造体の作製方法。
【請求項１２】
前記被加工部に設けた凸部が、
前記被加工部を屈曲させる位置からの距離が各々の前記被加工部を傾ける角度に対応した距離となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１１のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１３】
前記複数の被加工部に設けた凸部が、
傾ける各々の前記被加工部の角度に対応した長さを有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１４】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に凹部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１５】
前記構造体の作製方法が、
前記構造体のうち少なくとも前記被加工部の一部を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１】
基板に支持された可動部に設けられた被加工部を塑性変形させて、該可動部の主面に対して傾斜した傾斜部を有する構造体を作製する構造体の作製方法であって、
前記可動部の動きを拘束する拘束部を設ける工程と、
前記被加工部に力を加えることにより前記被加工部を塑性変形させる工程と、
前記拘束部の少なくとも一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする構造体の作製方法。
【請求項２】
前記拘束部が
１つ以上の凸部を有し、
かつ、
前記被加工部を塑性変形させる工程において、
前記拘束部の凸部と前記可動部の少なくとも一部分とを接触させることにより前記可動部の動きを拘束することを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項３】
前記可動部には１つ以上の凸部が設けられ、
前記拘束部は１つ以上の凹部を有し、
前記被加工部を塑性変形させる工程において、前記可動部の凸部と前記拘束部の凹部の内壁及び底面の少なくとも一部とが互いに接触することを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項４】
前記拘束部が前記可動部と前記基板との両方を固定することで前記可動部と基板とを拘束することを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項５】
前記拘束部が前記可動部または基板に犠牲層を介して設けられており、
かつ、
前記拘束部を除去する工程が、
前記犠牲層のうち、少なくとも前記拘束部が設けられている部分を除去する工程を含むことを特徴とする請求項３乃至４のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項６】
前記拘束部が、
前記拘束部の先端から犠牲層と接する部分までを貫通する貫通口を有することを特徴とする請求項５に記載の構造体の作製方法。
【請求項７】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に型を押し当てる工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項８】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に凸部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項９】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に設けた凸部に型を押し当てる工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の構造体の作製方法。
【請求項１０】
前記被加工部を少なくとも２つ以上有し、
かつ、
前記被加工部に設けた凸部が、前記可動部の主面に対して当該主面の表面又は裏面の一方側に突出して設けられていることを特徴とする請求項９に記載の構造体の作製方法。
【請求項１１】
前記被加工部を少なくとも２つ以上有し、
かつ、
少なくとも１つ以上の前記被加工部に設けた凸部が、前記可動部の主面に対して、他の前記被加工部の凸部と反対の向きに突出して設けられていることを特徴とする請求項９に記載の構造体の作製方法。
【請求項１２】
前記被加工部に設けた凸部が、
前記被加工部を屈曲させる位置からの距離が各々の前記被加工部を傾ける角度に対応した距離となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１１のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１３】
前記複数の被加工部に設けた凸部が、
傾ける各々の前記被加工部の角度に対応した長さを有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１４】
前記構造体の作製方法が、
前記被加工部に凹部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項１５】
前記構造体の作製方法が、
前記構造体のうち少なくとも前記被加工部の一部を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の構造体の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１０−５７１１（Ｐ２０１０−５７１１Ａ）
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１６５０８０（Ｐ２００８−１６５０８０）
【出願日】平成２０年６月２４日（２００８．６．２４）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月２４日（２００８．６．２４）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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