無機粉体含有樹脂組成物及び誘電体層形成基板
【課題】 気泡の残存がなく、光透過率の高い誘電体層を形成することのできる無機粉体含有樹脂組成物を提供することを目的とする。また、該組成物からなる膜形成材料層、転写シート、誘電体層、誘電体層形成基板の製造方法、及び誘電体層形成基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有することを特徴とする無機粉体含有樹脂組成物。
【解決手段】 Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有することを特徴とする無機粉体含有樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機粉体含有樹脂組成物、該組成物からなる膜形成材料層、転写シート、誘電体層、誘電体層形成基板の製造方法、及び誘電体層形成基板に関する。特に、本発明の無機粉体含有樹脂組成物はプラズマディスプレイパネルの誘電体層の形成材料として有用である。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型平板状の大型ディスプレイとしては、液晶ディスプレイと共にプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という）が注目されている。ＰＤＰの一部分は、電極が固定されたガラス基板の表面上にガラス焼結体からなる誘電体層が形成された構造をしている。
【０００３】
この誘電体層の形成方法としては、ガラス粉末、アクリル酸エステル系樹脂及び溶剤を含有するペースト状組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成し、支持フィルム上に形成された膜形成材料層を、電極が固定されたガラス基板の表面に転写し、転写された膜形成材料層を焼成することにより、前記ガラス基板の表面に誘電体層を形成する方法が開示されている（特許文献１、２）。
【０００４】
また、誘電体層形成用樹脂組成物としては、Ｃ１〜Ｃ１２のメタアクリル酸エステル８０〜１００重量％と、これと共重合可能な他のモノマー０〜２０重量％を共重合させることにより得られ、重量平均分子量が２万から１００万であり、そのガラス転移温度が１５℃以下である自着性樹脂１００重量部に対し、誘電性無機粉末１００〜５００重量部を加えたものが開示されている（特許文献３、４）。
【０００５】
また、ベースフィルムと、該ベースフィルム上に剥離可能に設けられた転写層を少なくとも備え、該転写層はガラスフリットを含む無機成分、焼成除去可能な有機成分を少なくとも含有し、かつ、表面粗さＲａが０．４μｍ以下の範囲にある転写シートが開示されている（特許文献５）。そして、有機成分には転写性付与剤として正リン酸エステル類等、分散剤、沈降防止剤としてリン酸エステル系界面活性剤等を必要に応じて添加することが記載されている。
【０００６】
しかしながら、従来のペースト状組成物又は誘電体層形成用樹脂組成物では、転写された膜形成材料層を焼成して誘電体層を形成する工程において、溶融した膜形成材料層中に発生、残存する気泡により、誘電体層の光透過率を低下させるという問題を有していた。特に、熱による電極の腐食や基板の変形が生じないような低温領域での焼成においては、溶融した膜形成材料層中に発生した気泡が抜けにくく、それにより誘電体層の光透過率の低下が著しかった。このような光透過率の問題は、特に透明性が要求されるＰＤＰの前面板に形成される誘電体層において改善が望まれていた。
【０００７】
また、特許文献５では、無機粉体の分散性や沈降防止性を向上させること、転写性、組成物の流動性を向上させることを目的として必要により正リン酸エステルを添加してもよいことが記載されているが、誘電体層の光透過率を向上させることを目的として添加しているわけではない。また、正リン酸エステルを添加した場合の効果を示す具体的な例も一切記載されていない。
【特許文献１】特開平９−１０２２７３号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５０２４号公報
【特許文献３】特開平１１−３５７８０号公報
【特許文献４】国際公開第００／４２６２２号パンフレット
【特許文献５】特開平１１−２６０２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題を解決したものであって、気泡の残存がなく、光透過率の高い誘電体層を形成することのできる無機粉体含有樹脂組成物を提供することを目的とする。また、該組成物からなる膜形成材料層、転写シート、誘電体層、誘電体層形成基板の製造方法、及び誘電体層形成基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す無機粉体含有樹脂組成物により上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、下記一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに下記一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有することを特徴とする無機粉体含有樹脂組成物、に関する。
【００１１】
【化１】
【００１２】
〔式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【００１３】
【化２】
【００１４】
〔式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
本発明では、無機粉体含有樹脂組成物に特定のリン含有物を添加することにより、膜形成材料層の溶融、焼結時に発生する気泡を効率的に除去することができる。そのため、焼結後に形成される誘電体層中に気泡が残存することがなく、光透過率を向上させることができる。特に、本発明の無機粉体含有樹脂組成物は、低温領域（６５０℃以下）で焼結工程を行う場合に好適に用いられる。
【００１５】
前記リン含有物は、上記一般式（１）で表わされるリン系化合物又はその塩であることが好ましい。
【００１６】
また前記リン含有物は、上記一般式（２）で表わされるリン系化合物又はその塩であることが好ましい。
【００１７】
また前記リン含有物は、赤リンであることが好ましい。
【００１８】
また前記リン含有物は、無機リン化合物であることが好ましい。
【００１９】
本発明においては、前記バインダ樹脂の重量平均分子量が５〜５０万であることが好ましい。また、前記バインダ樹脂が（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。
【００２０】
本発明において、無機粉体含有樹脂組成物は、無機粉体１００重量部に対して、バインダ樹脂を５〜５０重量部、及び前記リン含有物を０．１〜１０重量部含有することが好ましい。バインダ樹脂は１０〜４０重量部であることがさらに好ましく、特に１５〜３０重量部であることが好ましい。また、リン含有物は０．２〜６重量部であることがさらに好ましい。バインダ樹脂が５重量部未満の場合には、無機粉体含有樹脂組成物を可とう性のあるシート状に形成することが困難になり、５０重量部を超える場合には、膜形成材料層を焼結した際にバインダ樹脂が残存して誘電体層の光学特性が悪化する傾向にある。また、リン含有物が０．１重量部未満の場合には、膜形成材料層の溶融、焼結時に発生する気泡を十分除去することができないため、誘電体層の光透過率が低下する傾向にある。一方、１０重量部を超える場合には、転写シートとした時の転写性、電極基板への密着性、及び電極段差の吸収性などのシート特性のバランスが悪くなる傾向にある。また、焼結後の誘電体層にリン含有物が残存して光学特性が悪化する傾向にある。
【００２１】
本発明においては、無機粉体がガラス粉末であることが好ましい。
【００２２】
また本発明において、無機粉体は、６００℃での粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０〜１４０Ｐａ・ｓである。６００℃での粘度が１５０Ｐａ・ｓを超える場合には、リン含有物の添加により気泡を効果的に除去できたとしても、該気泡の抜けた跡が残存し誘電体層の表面平滑性が悪くなる傾向にある。
【００２３】
前記無機粉体含有樹脂組成物は、特に誘電体層の形成材料として有用である。
【００２４】
また本発明は、前記無機粉体含有樹脂組成物をシート状に形成してなる膜形成材料層、に関する。
【００２５】
また本発明は、支持フィルム上に、少なくとも前記膜形成材料層が積層されている転写シート、に関する。
【００２６】
本発明の誘電体層は、前記膜形成材料層を焼結させてなるものである。
【００２７】
また、本発明は、前記転写シートの膜形成材料層を基板に転写する転写工程、及び転写された膜形成材料層を５５０〜６５０℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成する焼結工程を含む誘電体層形成基板の製造方法、及び前記方法によって製造される誘電体層形成基板、に関する。誘電体層形成基板の光透過率は７９％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８１％以上である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２９】
本発明の無機粉体含有樹脂組成物は、Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、下記一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに下記一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有する。
【００３０】
【化１】
【００３１】
〔式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【００３２】
【化２】
【００３３】
〔式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
無機粉体は、公知のものを特に制限なく用いることができ、具体的には、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化亜鉛、ガラス粉末などが挙げられる。無機粉体の平均粒子径は０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【００３４】
本発明においては、無機粉体としてガラス粉末を用いることが好ましい。ガラス粉末としては公知のものを特に制限なく用いることができる。例えば、１）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、２）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、３）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化カルシウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ系）の混合物、４）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、５）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、６）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物などを挙げることができる。また、必要に応じてこれらにＮａ２Ｏ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｉＯ２、ＣｕＯ、又はＩｎ２Ｏ３などを添加したものであってもよい。焼結処理により誘電体層を形成することを考慮すると、軟化点が４００〜６５０℃であるガラス粉末が好ましい。
【００３５】
バインダ樹脂は特に制限されず公知のものを用いることができるが、（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。
【００３６】
前記（メタ）アクリル系樹脂等のバインダ樹脂は、重量平均分子量５〜５０万であることが好ましく、さらに好ましくは５〜３０万である。重量平均分子量が５万未満の場合には、無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成した転写シートの凝集力が乏しく強度が低くなり、その後の作業上好ましくない。一方、５０万を超える場合には、無機粉体含有樹脂組成物の粘度が高くなり、無機粉体の分散性が悪くなるため好ましくない。
【００３７】
前記（メタ）アクリル系樹脂は、アクリル系モノマー及び／又はメタクリル系モノマーの重合体、又はそれらの混合物である。
【００３８】
（メタ）アクリル系モノマーの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレ−ト、アミル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレートなどのアルキル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、トリル（メタ）アクリレートなどのアリール（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００３９】
また、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミド基、及びアミノ基などの極性基含有モノマーを共重合させてもよい。これら極性基含有モノマーを共重合させることにより、無機粉体の分散性を向上させることができる。極性基含有モノマーの配合割合は、全モノマー成分に対して０．１〜２０モル％であることが好ましい。
【００４０】
極性基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、２−メチルシスアクリル酸、アリル酢酸、クロトン酸、マレイン酸、メチルマレイン酸、フマル酸、メチルフマル酸、ジメチルフマル酸、イタコン酸、ビニル酢酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルフタル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸グリシジル、及び（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルなどが挙げられる。
【００４１】
前記（メタ）アクリル系樹脂は、無機粉体１００重量部に対して、５〜５０重量部添加することが好ましく、さらに好ましくは１０〜４０重量部であり、特に好ましくは１５〜３０重量部である。
【００４２】
また、（メタ）アクリル系樹脂のガラス転移温度は３０℃以下であことが好ましく、さらに好ましくは２０℃以下である。ガラス転移温度が３０℃を超える場合には、転写シートとした際に可とう性のないシートとなり、段差吸収性や転写性やハンドリング性が悪化してしまうため好ましくない。なお、（メタ）アクリル系樹脂のガラス転移温度は、共重合モノマーの組成比を適宜変えることにより前記範囲内に調製することができる。
【００４３】
無機リン化合物としては、例えば、Ｐ４Ｏ６、（ＰＯ２）ｎ、（Ｐ２Ｏ５）ｎ、ピロ亜リン酸、次リン酸、ピロリン酸、三リン酸、メタリン酸及びこれらの塩、ＰＣｌ２、ＰＣｌ５及びＰＢｒ２などのハロゲン化リン、Ｐ４Ｓ及びＰ４Ｓ３などの硫化リンなどが挙げられる。
【００４４】
上記一般式（１）で表わされるリン系化合物のＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。
【００４５】
また上記一般式（２）で表わされるリン系化合物のＲ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。
【００４６】
なお、上記一般式（１）及び（２）において、アミノ基のＮ−置換基は１つでも２つでもよい。
【００４７】
ハロゲンとしては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素が挙げられる。
【００４８】
アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、イソオクチル基、エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ラウリル基、ステアリル基、及びイソステアリル基などが挙げられる。
【００４９】
アリール基としては、具体的には、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ジブチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、ジノニルフェニル基、ナフチル基、エチルナフチル基、ブチルナフチル基、及びオクチルナフチル基などが挙げられる。
【００５０】
アラルキル基としては、具体的には、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基、及びナフチルオクチル基などが挙げられる。
【００５１】
アルキルオキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、ラウリルオキシ基、及びステアリルオキシ基などが挙げられる。
【００５２】
アリールオキシ基としては、具体的には、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ジブチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、ジノニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、エチルナフチルオキシ基、ブチルナフチルオキシ基、及びオクチルナフチルオキシ基などが挙げられる。
【００５３】
アラルキルオキシ基としては、具体的には、ベンジルオキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルオクチルオキシ基、フェニルノニルオキシ基、ナフチルエトキシ基、ナフチルブトキシ基、及びナフチルオクチルオキシ基などが挙げられる。
【００５４】
上記一般式（１）で表わされるリン系化合物としては、具体的には、ホスホン酸；ホスホン酸メチル、ホスホン酸ジメチル、ホスホン酸ステアリル、及びホスホン酸ジステアリルなどのホスホン酸（ジ）アルキル；ホスホン酸フェニル及びホスホン酸ジフェニルなどのホスホン酸（ジ）アリール；ホスホン酸フェニルメチル、ホスホン酸ジ（フェニルエチル）、ホスホン酸ナフチルメチル、及びホスホン酸ジ（ナフチルブチル）などのホスホン酸（ジ）アラルキル；ホスフィン酸；ホスフィン酸メチル及びホスフィン酸ブチルなどのホスフィン酸アルキル；ホスフィン酸フェニル及びホスフィン酸ナフチルなどのホスフィン酸アリール；ホスフィン酸フェニルメチル、ホスフィン酸フェニルブチル、及びホスフィン酸ナフチルエチルなどのホスフィン酸アラルキル；メチルホスホン酸及びブチルホスホン酸などのアルキルホスホン酸；アミノホスホン酸；Ｎ−アリルアミノホスホン酸；Ｎ−フェニルアミノホスホン酸及びＮ，Ｎ−ジフェニルアミノホスホン酸などのアルールアミノホスホン酸；メチルカルボニルホスホン酸などのアルキルカルボニルホスホン酸；アリルカルボニルホスホン酸；フェニルカルボニルホスホン酸及びトリルカルボニルホスホン酸などのアリールカルボニルホスホン酸；フェニルホスホン酸及びナフチルホスホン酸などのアリールホスホン酸；フェニルメチルホスホン酸及びナフチルブチルホスホン酸などのアラルキルホスホン酸；メチルホスホン酸メチル及びメチルホスホン酸ジメチルなどのアルキルホスホン酸（ジ）アルキル；メチルホスホン酸フェニル及びメチルホスホン酸ジフェニルなどのアルキルホスホン酸（ジ）アリール；フェニルホスホン酸メチル及びフェニルホスホン酸ジブチルなどのアリールホスホン酸（ジ）アルキル；フェニルホスホン酸フェニル及びフェニルホスホン酸ジ（２，４，６−トリメチルフェニル）などのアリールホスホン酸（ジ）アリール；フェニルメチルホスホン酸メチル及びフェニルメチルホスホン酸ジメチルなどのアラルキルホスホン酸（ジ）アルキル；フェニルメチルホスホン酸フェニル及びフェニルメチルホスホン酸ジフェニルなどのアラルキルホスホン酸（ジ）アリール；フェニルメチルホスホン酸（フェニルメチル）及びフェニルメチルホスホン酸ジ（フェニルエチル）などのアラルキルホスホン酸（ジ）アラルキル；（ジ）アミノホスフィン酸；（ジ）アリルアミノホスフィン酸；Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノホスフィン酸及びジ（Ｎ−フェニルアミノ）ホスフィン酸などの（ジ）アリールアミノホスフィン酸；エチルカルボニルホスフィン酸及びジ（ブチルカルボニル）ホスフィン酸などの（ジ）アルキルカルボニルホスフィン酸；（ジ）アリルカルボニルホスフィン酸；フェニルカルボニルホスフィン酸及びジ（フェニルカルボニル）ホスフィン酸などの（ジ）アリールカルボニルホスフィン酸；メチルホスフィン酸及びジオクチルホスフィン酸などの（ジ）アルキルホスフィン酸；フェニルホスフィン酸及びジフェニルホスフィン酸などの（ジ）アリールホスフィン酸；メチルホスフィン酸メチル及びジメチルホスフィン酸エチルなどの（ジ）アルキルホスフィン酸アルキル；フェニルホスフィン酸フェニル及びジフェニルホスフィン酸（２，４，６−トリメチルフェニル）などの（ジ）アリールホスフィン酸アリール；フェニルホスフィン酸ベンジル及びジフェニルホスフィン酸（フェニルブチル）などの（ジ）アリールホスフィン酸アラルキル；クロロホスホン酸などのハロゲン化ホスホン酸；クロロホスホン酸ジメチルなどのハロゲン化ホスホン酸（ジ）アルキル；クロロホスホン酸ジフェニルなどのハロゲン化ホスホン酸（ジ）アリール；ジクロロホスフィン酸などのジハロゲン化ホスフィン酸；ジクロロホスフィン酸メチルなどのジハロゲン化ホスフィン酸アルキル；ジクロロホスフィン酸フェニルなどのジハロゲン化ホスフィン酸アリール；シアノホスホン酸；シアノホスホン酸ジメチルなどのシアノホスホン酸ジアルキル；シアノホスホン酸ジフェニルなどのシアノホスホン酸ジアリール；シアノホスフィン酸；シアノホスフィン酸メチルなどのシアノホスフィン酸アルキル；シアノホスフィン酸フェニルなどのシアノホスフィン酸アリール；メチルチオホスホン酸ジエチルなどのアルキルチオホスホン酸ジアルキル；フェニルチオホスホン酸ジフェニルなどのアリールチオホスホン酸ジアリール；フェニルチオホスホン酸ジクロリドなどのアリールチオホスホン酸ジハライド；ジエチルジチオホスフィン酸などのジアルキルジチオホスフィン酸；クロロ（フェニル）ホスホン酸、フェニルセレノホスフィン酸メチル、フェニルホスホン酸ジクロリド、ジエチルホスフィノチオ酸クロリド、リン酸トリクロリド、ホスホロチオ酸トリクロリド、ホスフィンオキシド、ホスフィンスルフィド、ホスフィンセレニド、ホスフィンテルリド、ホスフィンイミド、トリメチルホスフィンセレニド、トリフェニルホスフィンセレニド、ジメチルホスホルアミド酸；トリメチルホスフィンオキシドなどのトリアルキルホスフィンオキシド；トリフェニルホスフィンオキシドなどのトリアリールホスフィンオキシド；トリ（フェニルメチル）ホスフィンオキシドなどのトリアラルキルホスフィンオキシド；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどのアリールカルボニルジアリールホスフィンオキシドなどが挙げられる。
【００５５】
上記一般式（２）で表わされるリン系化合物としては、具体的には、ホスフィン；トリメチルホスフィン及びトリ−ｎ−ブチルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン；トリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフィン；メチル（フェニル）ホスフィンなどのアルキル（アリール）ホスフィン；シアノジメチルホスフィンなどのシアノジアルキルホスフィン；亜リン酸；亜リン酸トリメチルなどの亜リン酸トリアルキル；亜リン酸トリフェニルなどの亜リン酸トリアリール；亜ホスホン酸；アミノ亜ホスホン酸；Ｎ−アリルアミノ亜ホスホン酸；Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ亜ホスホン酸及びＮ，Ｎ−ジトリルアミノ亜ホスホン酸などのアリールアミノ亜ホスホン酸；メチルカルボニル亜ホスホン酸などのアルキルカルボニル亜ホスホン酸；アリルカルボニル亜ホスホン酸；フェニルカルボニル亜ホスホン酸及びトリルカルボニル亜ホスホン酸などのアリールカルボニル亜ホスホン酸；亜ホスホン酸ジメチルなどの亜ホスホン酸ジアルキル；亜ホスホン酸ジフェニルなどの亜ホスホン酸ジアリール；亜ホスフィン酸；亜ホスフィン酸メチルなどの亜ホスフィン酸アルキル；亜ホスフィン酸フェニルなどの亜ホスフィン酸アリール；メチル亜ホスホン酸などのアルキル亜ホスホン酸；フェニル亜ホスホン酸などのアリール亜ホスホン酸；（フェニルメチル）亜ホスホン酸などのアラルキル亜ホスホン酸；メチル亜ホスホン酸ジエチルなどのアルキル亜ホスホン酸ジアルキル；フェニル亜ホスホン酸ジメチルなどのアリール亜ホスホン酸ジアルキル；フェニル亜ホスホン酸ジフェニルなどのアリール亜ホスホン酸ジアリール；ベンジル亜ホスホン酸ジフェニルなどのアラルキル亜ホスホン酸ジアリール；ベンジル亜ホスホン酸ジ（フェニルエチル）などのアラルキル亜ホスホン酸ジアラルキル；フェニル亜ホスホン酸ジクロリドなどのアリール亜ホスホン酸ジハライド；クロロ亜ホスホン酸などのハロゲン化亜ホスホン酸；シアノ亜ホスホン酸；ジメチル亜ホスフィン酸などのジアルキル亜ホスフィン酸；アミノ亜ホスフィン酸；Ｎ−アリルアミノ亜ホスフィン酸などのアリルアミノ亜ホスフィン酸；Ｎ−フェニルアミノ亜ホスフィン酸、Ｎ，Ｎ−トリルアミノ亜ホスフィン酸、及びジ（Ｎ，Ｎ−フェニルアミノ）亜ホスフィン酸などの（ジ）アリールアミノ亜ホスフィン酸；メチルカルボニル亜ホスフィン酸及びジ（エチルカルボニル）亜ホスフィン酸などの（ジ）アルキルカルボニル亜ホスフィン酸；アリルカルボニル亜ホスフィン酸；フェニルカルボニル亜ホスフィン酸及びトリルカルボニル亜ホスフィン酸などのアリールカルボニル亜ホスフィン酸；ジフェニル亜ホスフィン酸などのジアリール亜ホスフィン酸；ジメチル亜ホスフィン酸エチルなどのジアルキル亜ホスフィン酸アルキル；ジフェニル亜ホスフィン酸フェニルなどのジアリール亜ホスフィン酸アリール；ジベンジル亜ホスフィン酸フェニルなどのジアラルキル亜ホスフィン酸アリール；ジベンジル亜ホスフィン酸ベンジルなどのジアラルキル亜ホスフィン酸アラルキル；ジクロロ亜ホスフィン酸などのジハロゲン化亜ホスフィン酸；ジクロロ亜ホスフィン酸メチルなどのジハロゲン化亜ホスフィン酸アルキル；ジクロロ亜ホスフィン酸フェニルなどのジハロゲン化亜ホスフィン酸アリール；亜リン酸トリクロリドなどの亜リン酸トリハライド；ジメチル亜ホスフィノチオ酸などのジアルキル亜ホスフィノチオ酸；ジフェニル亜ホスフィノチオ酸などのジアリール亜ホスフィノチオ酸などが挙げられる。
【００５６】
前記リン含有物は、無機粉体１００重量部に対して、０．１〜１０重量部添加することが好ましく、さらに好ましくは０．２〜６重量部である。
【００５７】
無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成した転写シートを作製する場合には、支持フィルム上に均一に塗布できるように該組成物中に溶剤を加えることが好ましい。
【００５８】
溶剤としては、無機粉体との親和性がよく、且つ、バインダ樹脂との溶解性がよいものであれば特に制限されるものではない。例えば、テルピネオール、ジヒドロ−α−テルピネオール、ジヒドロ−α−テルピニルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、イソプロピルアルコール、ベンジルアルコール、テレビン油、ジエチルケトン、メチルブチルケトン、ジプロピルケトン、シクロへキサノン、ｎ−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、シクロへキサノール、ジアセトンアルコール、エチレングリコ−ルモノメチルエーテル、エチレングリコ−ルモノエチルエーテル、エチレングリコ−ルモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸アミル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール−１−イソブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール−３−イソブチレートなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、任意の割合で２種類以上を併用してもよい。
【００５９】
溶剤の添加量は、無機粉体１００重量部に対して、１０〜１００重量部であることが好ましい。
【００６０】
また、本発明の無機粉体含有樹脂組成物には、可塑剤を添加してもよい。可塑剤を添加することにより、無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成した転写シートの可とう性や柔軟性、膜形成材料層の基板への転写性などを調整することができる。
【００６１】
可塑剤としては、公知のものを特に制限なく使用することができる。例えば、ジイソノニルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジブチルジグリコールアジペ−トなどのアジピン酸誘導体、ジ−２−エチルヘキシルアゼレートなどのアゼライン酸誘導体、ジ−２−エチルヘキシルセバケートなどのセバシン酸誘導体、トリ（２−エチルヘキシル）トリメリテート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシルトリメリテートなどのトリメリット酸誘導体、テトラ−（２−エチルヘキシル）ピロメリテートなどのピロメリット酸誘導体、プロピレングリコールモノオレートなどのオレイン酸誘導体、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのグリコール系可塑剤などが挙げられる。
【００６２】
可塑剤の添加量は、無機粉体１００重量部に対して、２０重量部以下であることが好ましい。可塑剤の添加量が２０重量部を超えると、得られる転写シートの強度が低下してしまうため好ましくない。
【００６３】
無機粉体含有樹脂組成物には、上記の成分の他、分散剤、シランカップリング剤、粘着性付与剤、レベリング剤、安定剤、消泡剤などの各種添加剤を添加してもよい。
【００６４】
本発明の転写シートは、支持フィルムと、少なくともこの支持フィルム上に形成された膜形成材料層とにより構成されており、支持フィルム上に形成された膜形成材料層を基板表面に一括転写するために用いられるものである。
【００６５】
転写シートは、前記無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布し、溶剤を乾燥除去して膜形成材料層を形成することにより作製される。
【００６６】
転写シートを構成する支持フィルムは、耐熱性及び耐溶剤性を有すると共に可とう性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可とう性を有することにより、ロールコーターなどによってペースト状の無機粉体含有樹脂組成物を塗布することができ、膜形成材料層をロール状に巻き取った状態で保存し、供給することができる。
【００６７】
支持フィルムを形成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフルオロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。
【００６８】
支持フィルムの厚さは特に制限されないが、２５〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００６９】
なお、支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、膜形成材料層を基板上に転写する工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができる。
【００７０】
無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布する方法としては、例えば、グラビア、キス、コンマなどのロ−ルコ−タ−、スロット、ファンテンなどのダイコータ−、スクイズコータ−、カーテンコータ−などの塗布方法を採用することができるが、支持フィルム上に均一な塗膜を形成できればいかなる方法でもよい。
【００７１】
膜形成材料層の厚さは、無機粉体の含有率、パネルの種類やサイズなどによっても異なるが、１０〜２００μｍであることが好ましく、さらに好ましくは３０〜１００μｍである。この厚さが１０μｍ未満である場合には、最終的に形成される誘電体層の膜厚が不十分となり、所望の誘電特性を確保することができない傾向にある。通常、この厚さが３０〜１００μｍであれば、大型のパネルに要求される誘電体層の膜厚を十分に確保することができる。また、膜厚は均一であるほど好ましく、膜厚公差は±５％以内であることが好ましい。
【００７２】
なお、転写シートは、膜形成材料層の表面に保護フィルムを設けてもよい。保護フィルムの形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。保護フィルムでカバーされた転写シートは、ロール状に巻き取った状態で保存し、供給することができる。なお、保護フィルムの表面は離型処理が施されていることが好ましい。
【００７３】
本発明の誘電体層形成基板の製造方法は、前記転写シートの膜形成材料層を基板に転写する転写工程、及び転写された膜形成材料層を５５０〜６５０℃、好ましくは５５０〜６００℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成する焼結工程を含む。
【００７４】
基板としては、セラミックや金属などの基板が挙げられ、特にＰＤＰを作製する場合には、適切な電極が固定されたガラス基板が用いられる。
【００７５】
転写工程の一例を以下に示すが、基板表面に膜形成材料層が転写されて密着した状態にできれば、その方法は特に制限されるものではない。
【００７６】
適宜使用される転写シートの保護フィルムを剥離した後、電極が固定されたガラス基板の表面に、膜形成材料層表面を当接するように転写シートを重ね合わせ、この転写シートを加熱ロール式のラミネーターなどにより熱圧着した後、膜形成材料層から支持フィルムを剥離除去する。これにより、ガラス基板表面に膜形成材料層が転写されて密着した状態となる。
【００７７】
転写条件としては、例えば、ラミネーターの表面温度２５〜１００℃、ロール線圧０．５〜１５ｋｇ／ｃｍ、移動速度０．１〜５ｍ／分であるが、これら条件に限定されるものではない。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度は５０〜１００℃程度である。
【００７８】
膜形成材料層の焼結工程の一例を以下に示すが、膜形成材料層を５５０〜６５０℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成できればその方法は特に制限されるものではない。
【００７９】
膜形成材料層が形成されたガラス基板を、５５０〜６５０℃の高温雰囲気下に配置することにより、膜形成材料層中の有機物質（バインダ樹脂、残存溶剤、各種の添加剤など）が分解除去され、無機粉体（ガラス粉末）が溶融して焼結する。これによりガラス基板上には、無機焼結体（ガラス焼結体）などからなる誘電体層が形成され、誘電体層形成基板が製造される。
【００８０】
誘電体層の厚さは、使用する膜形成材料層の厚さよって異なるが、１５〜５０μｍ程度である。
【００８１】
本発明の誘電体層形成基板は、誘電体層に微細ボイドやクラックがなく、光透過率などの光学特性に優れている。また、本発明の無機粉体含有樹脂組成物により形成される誘電体層は透明性が高く、特にＰＤＰの前面板に設けられる誘電体層の形成に好適に用いられる。
【実施例】
【００８２】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
（重量平均分子量の測定）
作製したポリマーの重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）にて測定し、標準ポリスチレンにより換算した。
ＧＰＣ装置：東ソー社製、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ
カラム：東ソー社製、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ、Ｈ−ＲＣ、ＨＺ−Ｈ
流量：０．６ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．２ｗｔ％
注入量：２０μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
（誘電体層形成基板の光透過率の測定）
得られた誘電体層形成基板の光透過率（％）を測定した。光透過率の測定は、ヘイズメーター（村上色彩研究所製、ＨＭ−１５０）を用い、全光線透過率を測定した。
【００８４】
実施例１
〔（メタ）アクリル系樹脂の調製〕
撹拌羽根、温度計、窒素ガス導入管、冷却器、滴下ロ−トを備えた四つ口フラスコに２−エチルヘキシルメタクリレート（２−ＥＨＭＡ）、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸（共栄社化学社製、ライトエステルＨＯＭＳ）（重量部比：２−ＥＨＭＡ／ライトエステルＨＯＭＳ＝９９．２５／０．７５）、重合開始剤、トルエンを仕込み、緩やかに撹拌しながら窒素ガスを導入し、フラスコ内の液温を７５℃付近に保って約８時間重合反応を行い、固形分５０重量％のメタクリル系樹脂（Ａ）溶液を調製した。得られたメタクリル系樹脂（Ａ）の重量平均分子量は１０万であった。
〔無機粉体含有樹脂組成物の調製〕
無機粉体として、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラス粉体（ガラス転移点：４２０℃、軟化点：４８０℃）１００重量部、前記メタクリル系樹脂（Ａ）１６重量部、溶剤としてα−テルピネオール４０重量部、フェニルホスホン酸（東京化成工業社製）（一般式（１）：Ｘ＝Ｏ、Ｒ１＝Ｒ２＝ＯＨ、Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）３重量部、及び可塑剤としてトリメリット酸トリオクチル３重量部を配合し、分散機を用いて混合分散してペースト状の無機粉体含有樹脂組成物（ａ）を調製した。
〔転写シートの作製〕
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに剥離剤処理を施した支持フィルム上に、前記調製した無機粉体含有樹脂組成物（ａ）をロールコータを用いて塗布し、塗膜を１５０℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去して膜形成材料層（厚さ：６８μｍ）を形成した。その後、膜形成材料層上に保護フィルム（ＰＥＴ）をカバーし、ロール状に巻き取って転写シートを作製した。
〔誘電体層形成ガラス基板の作製〕
前記転写シートの保護フィルムを剥離後、転写シートの膜形成材料層表面をパネル用ガラス基板（旭硝子社製、ＰＤ２００）の表面（バス電極の固定面）に当接するように重ね合わせ、加熱ロール式ラミネータを用いて熱圧着した。圧着条件は、加熱ロールの表面温度８０℃、ロール線圧１ｋｇ／ｃｍ、ロール移動速度１ｍ／分であった。熱圧着処理後、膜形成材料層から支持フィルムを剥離除去すると、ガラス基板表面に膜形成材料層が転写されて密着した状態になっていた。膜形成材料層が転写されたガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を室温から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温し、６００℃の温度雰囲気下で６０分間維持することにより、ガラス基板表面にガラス焼結体からなる誘電体層を形成し、誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８５】
実施例２
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりにフェニルホスフィン酸（東京化成工業社製）（一般式（１）：Ｘ＝Ｏ、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝ＯＨ、Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８６】
実施例３
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりに２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ社製、Ｌｕｃｉｒｉｎ ＴＰＯ）（一般式（１）：Ｘ＝Ｏ、Ｒ１＝２，４，６−トリメチルベンゾイル、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８７】
実施例４
実施例１において、メタクリル系樹脂（Ａ）溶液の代わりに下記メタクリル系樹脂（Ｂ）溶液を用い、フェニルホスホン酸３重量部の代わりにトリフェニルホスファイト（大八化学工業社製、ＴＰ−Ｉ）（一般式（２）：Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ６＝ＯＣ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８８】
撹拌羽根、温度計、窒素ガス導入管、冷却器、滴下ロ−トを備えた四つ口フラスコにブチルメタクリレート（ＢＭＡ）、ラウリルメタクリレート（ＬＭＡ）、ヒドロキシプロピルメタクリレート（ＨＰＭＡ）（重量部比：ＢＭＡ／ＬＭＡ／ＨＰＭＡ＝５４／３６／１０）、重合開始剤、トルエンを仕込み、緩やかに撹拌しながら窒素ガスを導入し、フラスコ内の液温を７５℃付近に保って約８時間重合反応を行い、固形分５０重量％のメタクリル系樹脂（Ｂ）溶液を調製した。得られたメタクリル系樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は１３万であった。
【００８９】
実施例５
実施例４において、トリフェニルホスファイト３重量部の代わりにトリフェニルホスフィン（キシダ化学社製）（一般式（２）：Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ６＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例４と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９０】
実施例６
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりにフェニルチオホスホン酸ジクロリド（東京化成工業社製）（一般式（１）：Ｘ＝Ｓ、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｃｌ、Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９１】
実施例７
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりに赤リン（燐化学工業社製、ノーバレッド １２０ＵＦＡ）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９２】
実施例８
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりに酸化リン（Ｖ）（キシダ化学社製）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９３】
比較例１
実施例１において、フェニルホスホン酸を用いなかった以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９４】
【表１】
表１の結果から明らかなように、無機粉体含有樹脂組成物に特定のリン含有物を添加した場合（実施例１〜８）には、リン含有物を添加しない場合（比較例１）に比べて、形成される誘電体層の光透過率は高い。また、実施例１〜８で得られた誘電体層はいずれも透明であった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機粉体含有樹脂組成物、該組成物からなる膜形成材料層、転写シート、誘電体層、誘電体層形成基板の製造方法、及び誘電体層形成基板に関する。特に、本発明の無機粉体含有樹脂組成物はプラズマディスプレイパネルの誘電体層の形成材料として有用である。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型平板状の大型ディスプレイとしては、液晶ディスプレイと共にプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という）が注目されている。ＰＤＰの一部分は、電極が固定されたガラス基板の表面上にガラス焼結体からなる誘電体層が形成された構造をしている。
【０００３】
この誘電体層の形成方法としては、ガラス粉末、アクリル酸エステル系樹脂及び溶剤を含有するペースト状組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成し、支持フィルム上に形成された膜形成材料層を、電極が固定されたガラス基板の表面に転写し、転写された膜形成材料層を焼成することにより、前記ガラス基板の表面に誘電体層を形成する方法が開示されている（特許文献１、２）。
【０００４】
また、誘電体層形成用樹脂組成物としては、Ｃ１〜Ｃ１２のメタアクリル酸エステル８０〜１００重量％と、これと共重合可能な他のモノマー０〜２０重量％を共重合させることにより得られ、重量平均分子量が２万から１００万であり、そのガラス転移温度が１５℃以下である自着性樹脂１００重量部に対し、誘電性無機粉末１００〜５００重量部を加えたものが開示されている（特許文献３、４）。
【０００５】
また、ベースフィルムと、該ベースフィルム上に剥離可能に設けられた転写層を少なくとも備え、該転写層はガラスフリットを含む無機成分、焼成除去可能な有機成分を少なくとも含有し、かつ、表面粗さＲａが０．４μｍ以下の範囲にある転写シートが開示されている（特許文献５）。そして、有機成分には転写性付与剤として正リン酸エステル類等、分散剤、沈降防止剤としてリン酸エステル系界面活性剤等を必要に応じて添加することが記載されている。
【０００６】
しかしながら、従来のペースト状組成物又は誘電体層形成用樹脂組成物では、転写された膜形成材料層を焼成して誘電体層を形成する工程において、溶融した膜形成材料層中に発生、残存する気泡により、誘電体層の光透過率を低下させるという問題を有していた。特に、熱による電極の腐食や基板の変形が生じないような低温領域での焼成においては、溶融した膜形成材料層中に発生した気泡が抜けにくく、それにより誘電体層の光透過率の低下が著しかった。このような光透過率の問題は、特に透明性が要求されるＰＤＰの前面板に形成される誘電体層において改善が望まれていた。
【０００７】
また、特許文献５では、無機粉体の分散性や沈降防止性を向上させること、転写性、組成物の流動性を向上させることを目的として必要により正リン酸エステルを添加してもよいことが記載されているが、誘電体層の光透過率を向上させることを目的として添加しているわけではない。また、正リン酸エステルを添加した場合の効果を示す具体的な例も一切記載されていない。
【特許文献１】特開平９−１０２２７３号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５０２４号公報
【特許文献３】特開平１１−３５７８０号公報
【特許文献４】国際公開第００／４２６２２号パンフレット
【特許文献５】特開平１１−２６０２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題を解決したものであって、気泡の残存がなく、光透過率の高い誘電体層を形成することのできる無機粉体含有樹脂組成物を提供することを目的とする。また、該組成物からなる膜形成材料層、転写シート、誘電体層、誘電体層形成基板の製造方法、及び誘電体層形成基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す無機粉体含有樹脂組成物により上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、下記一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに下記一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有することを特徴とする無機粉体含有樹脂組成物、に関する。
【００１１】
【化１】
【００１２】
〔式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【００１３】
【化２】
【００１４】
〔式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
本発明では、無機粉体含有樹脂組成物に特定のリン含有物を添加することにより、膜形成材料層の溶融、焼結時に発生する気泡を効率的に除去することができる。そのため、焼結後に形成される誘電体層中に気泡が残存することがなく、光透過率を向上させることができる。特に、本発明の無機粉体含有樹脂組成物は、低温領域（６５０℃以下）で焼結工程を行う場合に好適に用いられる。
【００１５】
前記リン含有物は、上記一般式（１）で表わされるリン系化合物又はその塩であることが好ましい。
【００１６】
また前記リン含有物は、上記一般式（２）で表わされるリン系化合物又はその塩であることが好ましい。
【００１７】
また前記リン含有物は、赤リンであることが好ましい。
【００１８】
また前記リン含有物は、無機リン化合物であることが好ましい。
【００１９】
本発明においては、前記バインダ樹脂の重量平均分子量が５〜５０万であることが好ましい。また、前記バインダ樹脂が（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。
【００２０】
本発明において、無機粉体含有樹脂組成物は、無機粉体１００重量部に対して、バインダ樹脂を５〜５０重量部、及び前記リン含有物を０．１〜１０重量部含有することが好ましい。バインダ樹脂は１０〜４０重量部であることがさらに好ましく、特に１５〜３０重量部であることが好ましい。また、リン含有物は０．２〜６重量部であることがさらに好ましい。バインダ樹脂が５重量部未満の場合には、無機粉体含有樹脂組成物を可とう性のあるシート状に形成することが困難になり、５０重量部を超える場合には、膜形成材料層を焼結した際にバインダ樹脂が残存して誘電体層の光学特性が悪化する傾向にある。また、リン含有物が０．１重量部未満の場合には、膜形成材料層の溶融、焼結時に発生する気泡を十分除去することができないため、誘電体層の光透過率が低下する傾向にある。一方、１０重量部を超える場合には、転写シートとした時の転写性、電極基板への密着性、及び電極段差の吸収性などのシート特性のバランスが悪くなる傾向にある。また、焼結後の誘電体層にリン含有物が残存して光学特性が悪化する傾向にある。
【００２１】
本発明においては、無機粉体がガラス粉末であることが好ましい。
【００２２】
また本発明において、無機粉体は、６００℃での粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０〜１４０Ｐａ・ｓである。６００℃での粘度が１５０Ｐａ・ｓを超える場合には、リン含有物の添加により気泡を効果的に除去できたとしても、該気泡の抜けた跡が残存し誘電体層の表面平滑性が悪くなる傾向にある。
【００２３】
前記無機粉体含有樹脂組成物は、特に誘電体層の形成材料として有用である。
【００２４】
また本発明は、前記無機粉体含有樹脂組成物をシート状に形成してなる膜形成材料層、に関する。
【００２５】
また本発明は、支持フィルム上に、少なくとも前記膜形成材料層が積層されている転写シート、に関する。
【００２６】
本発明の誘電体層は、前記膜形成材料層を焼結させてなるものである。
【００２７】
また、本発明は、前記転写シートの膜形成材料層を基板に転写する転写工程、及び転写された膜形成材料層を５５０〜６５０℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成する焼結工程を含む誘電体層形成基板の製造方法、及び前記方法によって製造される誘電体層形成基板、に関する。誘電体層形成基板の光透過率は７９％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８１％以上である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２９】
本発明の無機粉体含有樹脂組成物は、Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、下記一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに下記一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有する。
【００３０】
【化１】
【００３１】
〔式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【００３２】
【化２】
【００３３】
〔式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
無機粉体は、公知のものを特に制限なく用いることができ、具体的には、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化亜鉛、ガラス粉末などが挙げられる。無機粉体の平均粒子径は０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【００３４】
本発明においては、無機粉体としてガラス粉末を用いることが好ましい。ガラス粉末としては公知のものを特に制限なく用いることができる。例えば、１）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、２）酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、３）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化カルシウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣａＯ系）の混合物、４）酸化鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物、５）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系）の混合物、６）酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系）の混合物などを挙げることができる。また、必要に応じてこれらにＮａ２Ｏ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｉＯ２、ＣｕＯ、又はＩｎ２Ｏ３などを添加したものであってもよい。焼結処理により誘電体層を形成することを考慮すると、軟化点が４００〜６５０℃であるガラス粉末が好ましい。
【００３５】
バインダ樹脂は特に制限されず公知のものを用いることができるが、（メタ）アクリル系樹脂であることが好ましい。
【００３６】
前記（メタ）アクリル系樹脂等のバインダ樹脂は、重量平均分子量５〜５０万であることが好ましく、さらに好ましくは５〜３０万である。重量平均分子量が５万未満の場合には、無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成した転写シートの凝集力が乏しく強度が低くなり、その後の作業上好ましくない。一方、５０万を超える場合には、無機粉体含有樹脂組成物の粘度が高くなり、無機粉体の分散性が悪くなるため好ましくない。
【００３７】
前記（メタ）アクリル系樹脂は、アクリル系モノマー及び／又はメタクリル系モノマーの重合体、又はそれらの混合物である。
【００３８】
（メタ）アクリル系モノマーの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレ−ト、アミル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレートなどのアルキル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、トリル（メタ）アクリレートなどのアリール（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００３９】
また、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミド基、及びアミノ基などの極性基含有モノマーを共重合させてもよい。これら極性基含有モノマーを共重合させることにより、無機粉体の分散性を向上させることができる。極性基含有モノマーの配合割合は、全モノマー成分に対して０．１〜２０モル％であることが好ましい。
【００４０】
極性基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、２−メチルシスアクリル酸、アリル酢酸、クロトン酸、マレイン酸、メチルマレイン酸、フマル酸、メチルフマル酸、ジメチルフマル酸、イタコン酸、ビニル酢酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルフタル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸グリシジル、及び（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルなどが挙げられる。
【００４１】
前記（メタ）アクリル系樹脂は、無機粉体１００重量部に対して、５〜５０重量部添加することが好ましく、さらに好ましくは１０〜４０重量部であり、特に好ましくは１５〜３０重量部である。
【００４２】
また、（メタ）アクリル系樹脂のガラス転移温度は３０℃以下であことが好ましく、さらに好ましくは２０℃以下である。ガラス転移温度が３０℃を超える場合には、転写シートとした際に可とう性のないシートとなり、段差吸収性や転写性やハンドリング性が悪化してしまうため好ましくない。なお、（メタ）アクリル系樹脂のガラス転移温度は、共重合モノマーの組成比を適宜変えることにより前記範囲内に調製することができる。
【００４３】
無機リン化合物としては、例えば、Ｐ４Ｏ６、（ＰＯ２）ｎ、（Ｐ２Ｏ５）ｎ、ピロ亜リン酸、次リン酸、ピロリン酸、三リン酸、メタリン酸及びこれらの塩、ＰＣｌ２、ＰＣｌ５及びＰＢｒ２などのハロゲン化リン、Ｐ４Ｓ及びＰ４Ｓ３などの硫化リンなどが挙げられる。
【００４４】
上記一般式（１）で表わされるリン系化合物のＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。
【００４５】
また上記一般式（２）で表わされるリン系化合物のＲ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。
【００４６】
なお、上記一般式（１）及び（２）において、アミノ基のＮ−置換基は１つでも２つでもよい。
【００４７】
ハロゲンとしては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素が挙げられる。
【００４８】
アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、イソオクチル基、エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ラウリル基、ステアリル基、及びイソステアリル基などが挙げられる。
【００４９】
アリール基としては、具体的には、フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ジブチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、ジノニルフェニル基、ナフチル基、エチルナフチル基、ブチルナフチル基、及びオクチルナフチル基などが挙げられる。
【００５０】
アラルキル基としては、具体的には、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基、及びナフチルオクチル基などが挙げられる。
【００５１】
アルキルオキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソオクチルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、ラウリルオキシ基、及びステアリルオキシ基などが挙げられる。
【００５２】
アリールオキシ基としては、具体的には、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ジブチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、ジノニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、エチルナフチルオキシ基、ブチルナフチルオキシ基、及びオクチルナフチルオキシ基などが挙げられる。
【００５３】
アラルキルオキシ基としては、具体的には、ベンジルオキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルオクチルオキシ基、フェニルノニルオキシ基、ナフチルエトキシ基、ナフチルブトキシ基、及びナフチルオクチルオキシ基などが挙げられる。
【００５４】
上記一般式（１）で表わされるリン系化合物としては、具体的には、ホスホン酸；ホスホン酸メチル、ホスホン酸ジメチル、ホスホン酸ステアリル、及びホスホン酸ジステアリルなどのホスホン酸（ジ）アルキル；ホスホン酸フェニル及びホスホン酸ジフェニルなどのホスホン酸（ジ）アリール；ホスホン酸フェニルメチル、ホスホン酸ジ（フェニルエチル）、ホスホン酸ナフチルメチル、及びホスホン酸ジ（ナフチルブチル）などのホスホン酸（ジ）アラルキル；ホスフィン酸；ホスフィン酸メチル及びホスフィン酸ブチルなどのホスフィン酸アルキル；ホスフィン酸フェニル及びホスフィン酸ナフチルなどのホスフィン酸アリール；ホスフィン酸フェニルメチル、ホスフィン酸フェニルブチル、及びホスフィン酸ナフチルエチルなどのホスフィン酸アラルキル；メチルホスホン酸及びブチルホスホン酸などのアルキルホスホン酸；アミノホスホン酸；Ｎ−アリルアミノホスホン酸；Ｎ−フェニルアミノホスホン酸及びＮ，Ｎ−ジフェニルアミノホスホン酸などのアルールアミノホスホン酸；メチルカルボニルホスホン酸などのアルキルカルボニルホスホン酸；アリルカルボニルホスホン酸；フェニルカルボニルホスホン酸及びトリルカルボニルホスホン酸などのアリールカルボニルホスホン酸；フェニルホスホン酸及びナフチルホスホン酸などのアリールホスホン酸；フェニルメチルホスホン酸及びナフチルブチルホスホン酸などのアラルキルホスホン酸；メチルホスホン酸メチル及びメチルホスホン酸ジメチルなどのアルキルホスホン酸（ジ）アルキル；メチルホスホン酸フェニル及びメチルホスホン酸ジフェニルなどのアルキルホスホン酸（ジ）アリール；フェニルホスホン酸メチル及びフェニルホスホン酸ジブチルなどのアリールホスホン酸（ジ）アルキル；フェニルホスホン酸フェニル及びフェニルホスホン酸ジ（２，４，６−トリメチルフェニル）などのアリールホスホン酸（ジ）アリール；フェニルメチルホスホン酸メチル及びフェニルメチルホスホン酸ジメチルなどのアラルキルホスホン酸（ジ）アルキル；フェニルメチルホスホン酸フェニル及びフェニルメチルホスホン酸ジフェニルなどのアラルキルホスホン酸（ジ）アリール；フェニルメチルホスホン酸（フェニルメチル）及びフェニルメチルホスホン酸ジ（フェニルエチル）などのアラルキルホスホン酸（ジ）アラルキル；（ジ）アミノホスフィン酸；（ジ）アリルアミノホスフィン酸；Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノホスフィン酸及びジ（Ｎ−フェニルアミノ）ホスフィン酸などの（ジ）アリールアミノホスフィン酸；エチルカルボニルホスフィン酸及びジ（ブチルカルボニル）ホスフィン酸などの（ジ）アルキルカルボニルホスフィン酸；（ジ）アリルカルボニルホスフィン酸；フェニルカルボニルホスフィン酸及びジ（フェニルカルボニル）ホスフィン酸などの（ジ）アリールカルボニルホスフィン酸；メチルホスフィン酸及びジオクチルホスフィン酸などの（ジ）アルキルホスフィン酸；フェニルホスフィン酸及びジフェニルホスフィン酸などの（ジ）アリールホスフィン酸；メチルホスフィン酸メチル及びジメチルホスフィン酸エチルなどの（ジ）アルキルホスフィン酸アルキル；フェニルホスフィン酸フェニル及びジフェニルホスフィン酸（２，４，６−トリメチルフェニル）などの（ジ）アリールホスフィン酸アリール；フェニルホスフィン酸ベンジル及びジフェニルホスフィン酸（フェニルブチル）などの（ジ）アリールホスフィン酸アラルキル；クロロホスホン酸などのハロゲン化ホスホン酸；クロロホスホン酸ジメチルなどのハロゲン化ホスホン酸（ジ）アルキル；クロロホスホン酸ジフェニルなどのハロゲン化ホスホン酸（ジ）アリール；ジクロロホスフィン酸などのジハロゲン化ホスフィン酸；ジクロロホスフィン酸メチルなどのジハロゲン化ホスフィン酸アルキル；ジクロロホスフィン酸フェニルなどのジハロゲン化ホスフィン酸アリール；シアノホスホン酸；シアノホスホン酸ジメチルなどのシアノホスホン酸ジアルキル；シアノホスホン酸ジフェニルなどのシアノホスホン酸ジアリール；シアノホスフィン酸；シアノホスフィン酸メチルなどのシアノホスフィン酸アルキル；シアノホスフィン酸フェニルなどのシアノホスフィン酸アリール；メチルチオホスホン酸ジエチルなどのアルキルチオホスホン酸ジアルキル；フェニルチオホスホン酸ジフェニルなどのアリールチオホスホン酸ジアリール；フェニルチオホスホン酸ジクロリドなどのアリールチオホスホン酸ジハライド；ジエチルジチオホスフィン酸などのジアルキルジチオホスフィン酸；クロロ（フェニル）ホスホン酸、フェニルセレノホスフィン酸メチル、フェニルホスホン酸ジクロリド、ジエチルホスフィノチオ酸クロリド、リン酸トリクロリド、ホスホロチオ酸トリクロリド、ホスフィンオキシド、ホスフィンスルフィド、ホスフィンセレニド、ホスフィンテルリド、ホスフィンイミド、トリメチルホスフィンセレニド、トリフェニルホスフィンセレニド、ジメチルホスホルアミド酸；トリメチルホスフィンオキシドなどのトリアルキルホスフィンオキシド；トリフェニルホスフィンオキシドなどのトリアリールホスフィンオキシド；トリ（フェニルメチル）ホスフィンオキシドなどのトリアラルキルホスフィンオキシド；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどのアリールカルボニルジアリールホスフィンオキシドなどが挙げられる。
【００５５】
上記一般式（２）で表わされるリン系化合物としては、具体的には、ホスフィン；トリメチルホスフィン及びトリ−ｎ−ブチルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン；トリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフィン；メチル（フェニル）ホスフィンなどのアルキル（アリール）ホスフィン；シアノジメチルホスフィンなどのシアノジアルキルホスフィン；亜リン酸；亜リン酸トリメチルなどの亜リン酸トリアルキル；亜リン酸トリフェニルなどの亜リン酸トリアリール；亜ホスホン酸；アミノ亜ホスホン酸；Ｎ−アリルアミノ亜ホスホン酸；Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ亜ホスホン酸及びＮ，Ｎ−ジトリルアミノ亜ホスホン酸などのアリールアミノ亜ホスホン酸；メチルカルボニル亜ホスホン酸などのアルキルカルボニル亜ホスホン酸；アリルカルボニル亜ホスホン酸；フェニルカルボニル亜ホスホン酸及びトリルカルボニル亜ホスホン酸などのアリールカルボニル亜ホスホン酸；亜ホスホン酸ジメチルなどの亜ホスホン酸ジアルキル；亜ホスホン酸ジフェニルなどの亜ホスホン酸ジアリール；亜ホスフィン酸；亜ホスフィン酸メチルなどの亜ホスフィン酸アルキル；亜ホスフィン酸フェニルなどの亜ホスフィン酸アリール；メチル亜ホスホン酸などのアルキル亜ホスホン酸；フェニル亜ホスホン酸などのアリール亜ホスホン酸；（フェニルメチル）亜ホスホン酸などのアラルキル亜ホスホン酸；メチル亜ホスホン酸ジエチルなどのアルキル亜ホスホン酸ジアルキル；フェニル亜ホスホン酸ジメチルなどのアリール亜ホスホン酸ジアルキル；フェニル亜ホスホン酸ジフェニルなどのアリール亜ホスホン酸ジアリール；ベンジル亜ホスホン酸ジフェニルなどのアラルキル亜ホスホン酸ジアリール；ベンジル亜ホスホン酸ジ（フェニルエチル）などのアラルキル亜ホスホン酸ジアラルキル；フェニル亜ホスホン酸ジクロリドなどのアリール亜ホスホン酸ジハライド；クロロ亜ホスホン酸などのハロゲン化亜ホスホン酸；シアノ亜ホスホン酸；ジメチル亜ホスフィン酸などのジアルキル亜ホスフィン酸；アミノ亜ホスフィン酸；Ｎ−アリルアミノ亜ホスフィン酸などのアリルアミノ亜ホスフィン酸；Ｎ−フェニルアミノ亜ホスフィン酸、Ｎ，Ｎ−トリルアミノ亜ホスフィン酸、及びジ（Ｎ，Ｎ−フェニルアミノ）亜ホスフィン酸などの（ジ）アリールアミノ亜ホスフィン酸；メチルカルボニル亜ホスフィン酸及びジ（エチルカルボニル）亜ホスフィン酸などの（ジ）アルキルカルボニル亜ホスフィン酸；アリルカルボニル亜ホスフィン酸；フェニルカルボニル亜ホスフィン酸及びトリルカルボニル亜ホスフィン酸などのアリールカルボニル亜ホスフィン酸；ジフェニル亜ホスフィン酸などのジアリール亜ホスフィン酸；ジメチル亜ホスフィン酸エチルなどのジアルキル亜ホスフィン酸アルキル；ジフェニル亜ホスフィン酸フェニルなどのジアリール亜ホスフィン酸アリール；ジベンジル亜ホスフィン酸フェニルなどのジアラルキル亜ホスフィン酸アリール；ジベンジル亜ホスフィン酸ベンジルなどのジアラルキル亜ホスフィン酸アラルキル；ジクロロ亜ホスフィン酸などのジハロゲン化亜ホスフィン酸；ジクロロ亜ホスフィン酸メチルなどのジハロゲン化亜ホスフィン酸アルキル；ジクロロ亜ホスフィン酸フェニルなどのジハロゲン化亜ホスフィン酸アリール；亜リン酸トリクロリドなどの亜リン酸トリハライド；ジメチル亜ホスフィノチオ酸などのジアルキル亜ホスフィノチオ酸；ジフェニル亜ホスフィノチオ酸などのジアリール亜ホスフィノチオ酸などが挙げられる。
【００５６】
前記リン含有物は、無機粉体１００重量部に対して、０．１〜１０重量部添加することが好ましく、さらに好ましくは０．２〜６重量部である。
【００５７】
無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成した転写シートを作製する場合には、支持フィルム上に均一に塗布できるように該組成物中に溶剤を加えることが好ましい。
【００５８】
溶剤としては、無機粉体との親和性がよく、且つ、バインダ樹脂との溶解性がよいものであれば特に制限されるものではない。例えば、テルピネオール、ジヒドロ−α−テルピネオール、ジヒドロ−α−テルピニルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、イソプロピルアルコール、ベンジルアルコール、テレビン油、ジエチルケトン、メチルブチルケトン、ジプロピルケトン、シクロへキサノン、ｎ−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、シクロへキサノール、ジアセトンアルコール、エチレングリコ−ルモノメチルエーテル、エチレングリコ−ルモノエチルエーテル、エチレングリコ−ルモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸アミル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール−１−イソブチレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオール−３−イソブチレートなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、任意の割合で２種類以上を併用してもよい。
【００５９】
溶剤の添加量は、無機粉体１００重量部に対して、１０〜１００重量部であることが好ましい。
【００６０】
また、本発明の無機粉体含有樹脂組成物には、可塑剤を添加してもよい。可塑剤を添加することにより、無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して膜形成材料層を形成した転写シートの可とう性や柔軟性、膜形成材料層の基板への転写性などを調整することができる。
【００６１】
可塑剤としては、公知のものを特に制限なく使用することができる。例えば、ジイソノニルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジブチルジグリコールアジペ−トなどのアジピン酸誘導体、ジ−２−エチルヘキシルアゼレートなどのアゼライン酸誘導体、ジ−２−エチルヘキシルセバケートなどのセバシン酸誘導体、トリ（２−エチルヘキシル）トリメリテート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシルトリメリテートなどのトリメリット酸誘導体、テトラ−（２−エチルヘキシル）ピロメリテートなどのピロメリット酸誘導体、プロピレングリコールモノオレートなどのオレイン酸誘導体、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのグリコール系可塑剤などが挙げられる。
【００６２】
可塑剤の添加量は、無機粉体１００重量部に対して、２０重量部以下であることが好ましい。可塑剤の添加量が２０重量部を超えると、得られる転写シートの強度が低下してしまうため好ましくない。
【００６３】
無機粉体含有樹脂組成物には、上記の成分の他、分散剤、シランカップリング剤、粘着性付与剤、レベリング剤、安定剤、消泡剤などの各種添加剤を添加してもよい。
【００６４】
本発明の転写シートは、支持フィルムと、少なくともこの支持フィルム上に形成された膜形成材料層とにより構成されており、支持フィルム上に形成された膜形成材料層を基板表面に一括転写するために用いられるものである。
【００６５】
転写シートは、前記無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布し、溶剤を乾燥除去して膜形成材料層を形成することにより作製される。
【００６６】
転写シートを構成する支持フィルムは、耐熱性及び耐溶剤性を有すると共に可とう性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可とう性を有することにより、ロールコーターなどによってペースト状の無機粉体含有樹脂組成物を塗布することができ、膜形成材料層をロール状に巻き取った状態で保存し、供給することができる。
【００６７】
支持フィルムを形成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフルオロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。
【００６８】
支持フィルムの厚さは特に制限されないが、２５〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００６９】
なお、支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、膜形成材料層を基板上に転写する工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができる。
【００７０】
無機粉体含有樹脂組成物を支持フィルム上に塗布する方法としては、例えば、グラビア、キス、コンマなどのロ−ルコ−タ−、スロット、ファンテンなどのダイコータ−、スクイズコータ−、カーテンコータ−などの塗布方法を採用することができるが、支持フィルム上に均一な塗膜を形成できればいかなる方法でもよい。
【００７１】
膜形成材料層の厚さは、無機粉体の含有率、パネルの種類やサイズなどによっても異なるが、１０〜２００μｍであることが好ましく、さらに好ましくは３０〜１００μｍである。この厚さが１０μｍ未満である場合には、最終的に形成される誘電体層の膜厚が不十分となり、所望の誘電特性を確保することができない傾向にある。通常、この厚さが３０〜１００μｍであれば、大型のパネルに要求される誘電体層の膜厚を十分に確保することができる。また、膜厚は均一であるほど好ましく、膜厚公差は±５％以内であることが好ましい。
【００７２】
なお、転写シートは、膜形成材料層の表面に保護フィルムを設けてもよい。保護フィルムの形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。保護フィルムでカバーされた転写シートは、ロール状に巻き取った状態で保存し、供給することができる。なお、保護フィルムの表面は離型処理が施されていることが好ましい。
【００７３】
本発明の誘電体層形成基板の製造方法は、前記転写シートの膜形成材料層を基板に転写する転写工程、及び転写された膜形成材料層を５５０〜６５０℃、好ましくは５５０〜６００℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成する焼結工程を含む。
【００７４】
基板としては、セラミックや金属などの基板が挙げられ、特にＰＤＰを作製する場合には、適切な電極が固定されたガラス基板が用いられる。
【００７５】
転写工程の一例を以下に示すが、基板表面に膜形成材料層が転写されて密着した状態にできれば、その方法は特に制限されるものではない。
【００７６】
適宜使用される転写シートの保護フィルムを剥離した後、電極が固定されたガラス基板の表面に、膜形成材料層表面を当接するように転写シートを重ね合わせ、この転写シートを加熱ロール式のラミネーターなどにより熱圧着した後、膜形成材料層から支持フィルムを剥離除去する。これにより、ガラス基板表面に膜形成材料層が転写されて密着した状態となる。
【００７７】
転写条件としては、例えば、ラミネーターの表面温度２５〜１００℃、ロール線圧０．５〜１５ｋｇ／ｃｍ、移動速度０．１〜５ｍ／分であるが、これら条件に限定されるものではない。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度は５０〜１００℃程度である。
【００７８】
膜形成材料層の焼結工程の一例を以下に示すが、膜形成材料層を５５０〜６５０℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成できればその方法は特に制限されるものではない。
【００７９】
膜形成材料層が形成されたガラス基板を、５５０〜６５０℃の高温雰囲気下に配置することにより、膜形成材料層中の有機物質（バインダ樹脂、残存溶剤、各種の添加剤など）が分解除去され、無機粉体（ガラス粉末）が溶融して焼結する。これによりガラス基板上には、無機焼結体（ガラス焼結体）などからなる誘電体層が形成され、誘電体層形成基板が製造される。
【００８０】
誘電体層の厚さは、使用する膜形成材料層の厚さよって異なるが、１５〜５０μｍ程度である。
【００８１】
本発明の誘電体層形成基板は、誘電体層に微細ボイドやクラックがなく、光透過率などの光学特性に優れている。また、本発明の無機粉体含有樹脂組成物により形成される誘電体層は透明性が高く、特にＰＤＰの前面板に設けられる誘電体層の形成に好適に用いられる。
【実施例】
【００８２】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
（重量平均分子量の測定）
作製したポリマーの重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）にて測定し、標準ポリスチレンにより換算した。
ＧＰＣ装置：東ソー社製、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ
カラム：東ソー社製、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｈ、Ｈ−ＲＣ、ＨＺ−Ｈ
流量：０．６ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．２ｗｔ％
注入量：２０μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
（誘電体層形成基板の光透過率の測定）
得られた誘電体層形成基板の光透過率（％）を測定した。光透過率の測定は、ヘイズメーター（村上色彩研究所製、ＨＭ−１５０）を用い、全光線透過率を測定した。
【００８４】
実施例１
〔（メタ）アクリル系樹脂の調製〕
撹拌羽根、温度計、窒素ガス導入管、冷却器、滴下ロ−トを備えた四つ口フラスコに２−エチルヘキシルメタクリレート（２−ＥＨＭＡ）、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸（共栄社化学社製、ライトエステルＨＯＭＳ）（重量部比：２−ＥＨＭＡ／ライトエステルＨＯＭＳ＝９９．２５／０．７５）、重合開始剤、トルエンを仕込み、緩やかに撹拌しながら窒素ガスを導入し、フラスコ内の液温を７５℃付近に保って約８時間重合反応を行い、固形分５０重量％のメタクリル系樹脂（Ａ）溶液を調製した。得られたメタクリル系樹脂（Ａ）の重量平均分子量は１０万であった。
〔無機粉体含有樹脂組成物の調製〕
無機粉体として、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラス粉体（ガラス転移点：４２０℃、軟化点：４８０℃）１００重量部、前記メタクリル系樹脂（Ａ）１６重量部、溶剤としてα−テルピネオール４０重量部、フェニルホスホン酸（東京化成工業社製）（一般式（１）：Ｘ＝Ｏ、Ｒ１＝Ｒ２＝ＯＨ、Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）３重量部、及び可塑剤としてトリメリット酸トリオクチル３重量部を配合し、分散機を用いて混合分散してペースト状の無機粉体含有樹脂組成物（ａ）を調製した。
〔転写シートの作製〕
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに剥離剤処理を施した支持フィルム上に、前記調製した無機粉体含有樹脂組成物（ａ）をロールコータを用いて塗布し、塗膜を１５０℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去して膜形成材料層（厚さ：６８μｍ）を形成した。その後、膜形成材料層上に保護フィルム（ＰＥＴ）をカバーし、ロール状に巻き取って転写シートを作製した。
〔誘電体層形成ガラス基板の作製〕
前記転写シートの保護フィルムを剥離後、転写シートの膜形成材料層表面をパネル用ガラス基板（旭硝子社製、ＰＤ２００）の表面（バス電極の固定面）に当接するように重ね合わせ、加熱ロール式ラミネータを用いて熱圧着した。圧着条件は、加熱ロールの表面温度８０℃、ロール線圧１ｋｇ／ｃｍ、ロール移動速度１ｍ／分であった。熱圧着処理後、膜形成材料層から支持フィルムを剥離除去すると、ガラス基板表面に膜形成材料層が転写されて密着した状態になっていた。膜形成材料層が転写されたガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を室温から６００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温し、６００℃の温度雰囲気下で６０分間維持することにより、ガラス基板表面にガラス焼結体からなる誘電体層を形成し、誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８５】
実施例２
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりにフェニルホスフィン酸（東京化成工業社製）（一般式（１）：Ｘ＝Ｏ、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝ＯＨ、Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８６】
実施例３
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりに２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ社製、Ｌｕｃｉｒｉｎ ＴＰＯ）（一般式（１）：Ｘ＝Ｏ、Ｒ１＝２，４，６−トリメチルベンゾイル、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８７】
実施例４
実施例１において、メタクリル系樹脂（Ａ）溶液の代わりに下記メタクリル系樹脂（Ｂ）溶液を用い、フェニルホスホン酸３重量部の代わりにトリフェニルホスファイト（大八化学工業社製、ＴＰ−Ｉ）（一般式（２）：Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ６＝ＯＣ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００８８】
撹拌羽根、温度計、窒素ガス導入管、冷却器、滴下ロ−トを備えた四つ口フラスコにブチルメタクリレート（ＢＭＡ）、ラウリルメタクリレート（ＬＭＡ）、ヒドロキシプロピルメタクリレート（ＨＰＭＡ）（重量部比：ＢＭＡ／ＬＭＡ／ＨＰＭＡ＝５４／３６／１０）、重合開始剤、トルエンを仕込み、緩やかに撹拌しながら窒素ガスを導入し、フラスコ内の液温を７５℃付近に保って約８時間重合反応を行い、固形分５０重量％のメタクリル系樹脂（Ｂ）溶液を調製した。得られたメタクリル系樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は１３万であった。
【００８９】
実施例５
実施例４において、トリフェニルホスファイト３重量部の代わりにトリフェニルホスフィン（キシダ化学社製）（一般式（２）：Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ６＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例４と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９０】
実施例６
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりにフェニルチオホスホン酸ジクロリド（東京化成工業社製）（一般式（１）：Ｘ＝Ｓ、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｃｌ、Ｒ３＝Ｃ６Ｈ５）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９１】
実施例７
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりに赤リン（燐化学工業社製、ノーバレッド １２０ＵＦＡ）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９２】
実施例８
実施例１において、フェニルホスホン酸３重量部の代わりに酸化リン（Ｖ）（キシダ化学社製）を３重量部用いた以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９３】
比較例１
実施例１において、フェニルホスホン酸を用いなかった以外は実施例１と同様の方法で誘電体層形成ガラス基板を作製した。
【００９４】
【表１】
表１の結果から明らかなように、無機粉体含有樹脂組成物に特定のリン含有物を添加した場合（実施例１〜８）には、リン含有物を添加しない場合（比較例１）に比べて、形成される誘電体層の光透過率は高い。また、実施例１〜８で得られた誘電体層はいずれも透明であった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、下記一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに下記一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有することを特徴とする無機粉体含有樹脂組成物。
【化１】
〔式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【化２】
〔式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【請求項２】
前記リン含有物が、一般式（１）で表わされるリン系化合物又はその塩である請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項３】
前記リン含有物が、一般式（２）で表わされるリン系化合物又はその塩である請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項４】
前記リン含有物が、赤リンである請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項５】
前記リン含有物が、無機リン化合物である請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項６】
前記バインダ樹脂の重量平均分子量が、５〜５０万である請求項１〜５のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項７】
前記バインダ樹脂が、（メタ）アクリル系樹脂である請求項項１〜６のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項８】
無機粉体１００重量部に対して、バインダ樹脂を５〜５０重量部、及びリン含有物を０．１〜１０重量部含有する請求項１〜７のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項９】
誘電体層の形成材料として用いられる請求項１〜８のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物をシート状に形成してなる膜形成材料層。
【請求項１１】
支持フィルム上に、少なくとも請求項１０記載の膜形成材料層が積層されている転写シート。
【請求項１２】
請求項１０記載の膜形成材料層を焼結させてなる誘電体層。
【請求項１３】
請求項１１記載の転写シートの膜形成材料層を基板に転写する転写工程、及び転写された膜形成材料層を５５０〜６５０℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成する焼結工程を含む誘電体層形成基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法によって製造される誘電体層形成基板。
【請求項１５】
光透過率が７９％以上である請求項１４記載の誘電体層形成基板。
【請求項１】
Ａ）無機粉体と、Ｂ）バインダ樹脂と、Ｃ）赤リン、無機リン化合物、下記一般式（１）で表わされるリン系化合物及びその塩、並びに下記一般式（２）で表わされるリン系化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種のリン含有物とを含有することを特徴とする無機粉体含有樹脂組成物。
【化１】
〔式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ又はＮＨであり、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基であり、Ｒ３はＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【化２】
〔式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にＨ、ＯＨ、ＳＨ、ＮＨ２、アルキルアミノ基、アリルアミノ基、アリールアミノ基、ハロゲン、アルキル基、シアノ基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルカルボニル基、アリルカルボニル基又はアリールカルボニル基である。〕
【請求項２】
前記リン含有物が、一般式（１）で表わされるリン系化合物又はその塩である請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項３】
前記リン含有物が、一般式（２）で表わされるリン系化合物又はその塩である請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項４】
前記リン含有物が、赤リンである請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項５】
前記リン含有物が、無機リン化合物である請求項１記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項６】
前記バインダ樹脂の重量平均分子量が、５〜５０万である請求項１〜５のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項７】
前記バインダ樹脂が、（メタ）アクリル系樹脂である請求項項１〜６のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項８】
無機粉体１００重量部に対して、バインダ樹脂を５〜５０重量部、及びリン含有物を０．１〜１０重量部含有する請求項１〜７のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項９】
誘電体層の形成材料として用いられる請求項１〜８のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の無機粉体含有樹脂組成物をシート状に形成してなる膜形成材料層。
【請求項１１】
支持フィルム上に、少なくとも請求項１０記載の膜形成材料層が積層されている転写シート。
【請求項１２】
請求項１０記載の膜形成材料層を焼結させてなる誘電体層。
【請求項１３】
請求項１１記載の転写シートの膜形成材料層を基板に転写する転写工程、及び転写された膜形成材料層を５５０〜６５０℃で焼結させ、基板上に誘電体層を形成する焼結工程を含む誘電体層形成基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法によって製造される誘電体層形成基板。
【請求項１５】
光透過率が７９％以上である請求項１４記載の誘電体層形成基板。
【公開番号】特開２００６−１６１００６（Ｐ２００６−１６１００６Ａ）
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３５８７１５（Ｐ２００４−３５８７１５）
【出願日】平成１６年１２月１０日（２００４．１２．１０）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月１０日（２００４．１２．１０）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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