発光装置の製造方法、発光装置および電子機器
【課題】 リーク電流によって有機発光層が意図しない領域で発光しにくい複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法、発光装置およびこの発光装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】 発光装置としてのラインヘッド１の製造方法は、画素電極２３が形成された素子基板２の表面に有機材料からなる発光層６０を全面に形成する発光層形成工程と、形成された発光層６０の上に画素電極２３に対向するように陰極５０を形成する工程と、陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化する劣化工程とを備えた。劣化工程では、陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側から光を照射して、陰極５０に覆われていない発光層６０を劣化させる。
【解決手段】 発光装置としてのラインヘッド１の製造方法は、画素電極２３が形成された素子基板２の表面に有機材料からなる発光層６０を全面に形成する発光層形成工程と、形成された発光層６０の上に画素電極２３に対向するように陰極５０を形成する工程と、陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化する劣化工程とを備えた。劣化工程では、陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側から光を照射して、陰極５０に覆われていない発光層６０を劣化させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を有する発光装置の製造方法、発光装置およびこれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子を有する発光装置の製造方法として、基板上に、第１の電極としての陽極層、正孔注入層、発光層、第２の電極としての陰極層が積層されてなる単色の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置において、少なくとも発光層をスピンコート法で形成する方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、単色の有機ＥＬ素子（発光素子）を線上に複数配列させたラインヘッドと、像担持体の周囲に設けた帯電手段と、現像手段と、転写手段とを有する画像形成装置が知られている（特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１２４３７６号公報（５〜６頁）
【特許文献２】特開２００５−１５３３７２号公報（１５〜１７頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようにスピンコート法を用いて発光層を正孔注入層上に全面形成した有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置では、発光する画素領域（陽極層と陰極層とが重なり合う部分）以外の領域にも発光層が存在する。したがって、発光させようとする画素領域以外に駆動電流が流出（リーク）した場合、画素領域以外の領域に存在する発光層が意図せずに発光してしまう所謂クロストークの現象が発生することがあった。
【０００６】
また、このような有機ＥＬ素子を発光素子として用いたラインヘッドを有する画像形成装置では、クロストークの発生により画像がにじむ等の不具合が発生し、くっきりとした画像が得られないという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を改善するためになされたものであり、リーク電流によって有機発光層が意図しない領域で発光しにくい複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法、発光装置およびこの発光装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光装置の製造方法は、一対の電極と、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、一対の電極のうち一方の電極が形成された基板上に、有機発光層を全面に形成する発光層形成工程と、形成された有機発光層の上に一方の電極に対向するように他方の電極を形成する工程と、一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層を劣化する劣化工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
リーク電流とは、複数の発光素子のうち所望の発光素子の一対の電極の間に電流を流したときに、隣接する発光素子の一対の電極のうちいずれか一方の電極に向かって流れる電流を指す。この方法によれば、発光層形成工程では、一対の電極のうち一方の電極が形成された基板上に、有機発光層を全面に形成する。そして、形成された有機発光層の上に一方の電極に対向するように他方の電極を形成した後に、劣化工程では、全面に形成された有機発光層に対して、一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層を劣化させる。劣化した有機発光層においては、リーク電流が流れても意図しない発光（クロストーク）が起き難くなる。すなわち、リーク電流によって発光する有機発光層の領域を減らすことができ、有機発光層が意図しない領域で発光しにくい複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法を提供することができる。
【００１０】
また、上記一対の電極のいずれか一方は、有機発光層の発光を反射する反射機能を有するように形成し、劣化工程では、一対の電極のうち反射機能を有する電極の有機発光層に接する側に対して反対側から光を照射して、反射機能を有する電極に覆われていない有機発光層を劣化することを特徴とする。
【００１１】
この方法によれば、劣化工程では、一対の電極のうち、反射機能を有する電極の有機発光層に接する側に対して反対側から光を照射するので、反射機能を有する電極部分では光が反射され、反射機能を有する電極に覆われていない有機発光層にのみ光が当たって、当該有機発光層を劣化させることができる。すなわち、一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層をより選択的に劣化させることができる。
【００１２】
また、上記一対の電極のいずれか一方は、紫外光または紫外光を含む光を透過しない反射層を有するように形成し、劣化工程では、紫外光または紫外光を含む光を照射することが好ましい。有機発光層は、紫外光によって比較的容易に劣化する。これによれば、反射層は紫外光または紫外光を含む光を透過しないので、反射層で覆われていない領域に存在する有機発光層を容易に劣化させることができ、リーク電流が流れても発光しにくくすることができる。
【００１３】
また、上記一対の電極が対向する画素領域において、一対の電極のいずれか一方に反射層を形成することが好ましい。これによれば、反射層は、一対の電極が対向する画素領域において、一対の電極のいずれか一方に形成されるので、劣化工程において、反射層で覆われていない領域に存在する有機発光層を劣化すれば、画素領域以外の領域においてリーク電流により意図しない発光が起こることを低減することができる。
【００１４】
また、上記劣化工程では、有機発光層が失活する程度の照射量で上記光を照射することが好ましい。これによれば、有機発光層が失活する程度の照射量で光を照射するので、過剰な光を照射することなく有機発光層を劣化させて、リーク電流による意図しない発光をより効率的に抑制することができる。
【００１５】
本発明の発光装置は、一対の電極と、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、上記発明の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、上記発明の発光装置の製造方法を用い、劣化工程で一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層が劣化した複数の発光素子を備えているので、リーク電流が流れても劣化した有機発光層が発光し難く、所謂クロストークが低減された発光装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の他の発光装置は、いずれか一方が反射機能を有する一対の電極と、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、上記発明の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、上記発明の発光装置の製造方法を用い、劣化工程では、反射機能を有する電極部分では上記光が反射され、当該電極が形成された領域以外に存在する有機発光層にのみ上記光が当たって、当該有機発光層を劣化させた発光素子を備えることとなる。よって、リーク電流が流れても劣化した有機発光層が発光し難い。すなわち、クロストークが低減されると共に、一対の電極が対向した画素領域では、有機発光層からの発光が反射機能を有する電極によって反射して出射されるので、より高い輝度を有する発光装置を提供することができる。
【００１９】
本発明の電子機器は、上記発明の発光装置を搭載したことを特徴とする。これによれば、有機発光層がリーク電流によって発光してしまうクロストークが低減された発光装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施形態は、有機ＥＬ素子を有する発光装置としてのラインヘッドと、このラインヘッドを備えた電子機器としての画像形成装置を例に説明する。
【００２１】
（ラインヘッドモジュール）
まず、ラインヘッドを有するラインヘッドモジュールについて説明する。図１は、ラインヘッドモジュールの構造を示す斜視断面図である。本実施形態のラインヘッドモジュール１０１は、発光素子としての有機ＥＬ素子を整列配置したラインヘッド１と、このラインヘッド１からの光を結像させるレンズ素子を配列したレンズアレイ３１と、ラインヘッド１およびレンズアレイ３１の外周部を保持するヘッドケース５２とを備え、レンズアレイ３１の光出射側の面に、集光レンズ５８を貼設して構成されたものである。
【００２２】
ラインヘッド１とレンズアレイ３１とは、互いにアライメントされた状態で封止材５４を用いてヘッドケース５２に接着保持されている。またレンズアレイ３１と集光レンズ５８とは、互いにアライメントされた状態で貼設され一体化されている。このような構成のもとにラインヘッドモジュール１０１は、後述する感光体ドラムに対してアライメントするだけで、ラインヘッド１、レンズアレイ３１、集光レンズ５８のアライメントがなされるようになっている。
【００２３】
図２は、ラインヘッドの構造を示す模式図である。本実施形態のラインヘッド１は、長細い矩形の素子基板２上に、複数の有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子列３Ａと、有機ＥＬ素子３を駆動させる駆動素子４からなる駆動素子群と、これら駆動素子４の駆動を制御する制御回路群５とを一体形成したものである。発光素子列３Ａは、本実施形態では二つ（２列）形成されており、これら発光素子列３Ａ，３Ａにおいて各有機ＥＬ素子３は、千鳥状に配置されている。したがって、その長手方向における有機ＥＬ素子３間の見掛け上のピッチが小さくなり、後述する画像形成装置の解像度を向上させることができるようになっている。
【００２４】
なお、このラインヘッド１は、その光出射側の面が感光体ドラムに対向すると共に、発光素子列３Ａの列方向（発光素子の整列方向）が、感光体ドラムの回転軸と平行に配置されるようになっている。
【００２５】
有機ＥＬ素子３は、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層を備えたもので、その一対の電極から有機発光層に電流を供給することにより、発光するようになっている。有機ＥＬ素子３における一方の電極には電源線８が接続され、他方の電極には駆動素子４を介して電源線７が接続されている。この駆動素子４は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等のスイッチング素子で構成されている。駆動素子４にＴＦＴを採用した場合には、そのソース領域に電源線８が接続され、ゲート電極に制御回路群５が接続される。そして、制御回路群５により駆動素子４の動作が制御され、駆動素子４により有機ＥＬ素子３への通電が制御されるようになっている。
【００２６】
有機ＥＬ素子３の有機発光層は、一対の電極のうちの一方の電極が形成された素子基板２の上を全面覆うように形成されている。また、少なくとも一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層が、リーク電流により意図しない発光を起こさないように処理されている。詳しい、有機ＥＬ素子３および駆動素子４の構造および製造方法については後述する。
【００２７】
図３は、レンズアレイの斜視図である。このレンズアレイ３１は、例えばセルフォック（登録商標）レンズアレイ（日本板硝子社の商品名）からなるもので、セルフォック（登録商標）レンズ素子またはこれと同様の構成からなるＳＬ素子３１ａを、千鳥状に２列配列（配置）したものである。また、千鳥状に配置された各ＳＬ素子３１ａの隙間には黒色のシリコーン樹脂３２が充填されており、さらにその周囲にはフレーム３４が配置されている。ここで、ＳＬ素子３１ａは、円柱状のレンズ素子であって、正立等倍結像させるものである。このようなＳＬ素子３１ａを千鳥状に２列配列（配置）したことにより、レンズアレイ３１は、広範囲の画像の結像を可能にしたものとなっている。なお、レンズアレイ３１としては、セルフォック（登録商標）レンズアレイに限定されることなく、有機ＥＬ素子３（発光素子）からの光を結像させるレンズ素子を配列してなるレンズアレイであれば、各種のものが使用可能である。
【００２８】
（有機ＥＬ素子および駆動素子）
図４は、有機ＥＬ素子および駆動素子の構造を示す概略断面図である。同図（ａ）はボトムエミッション型、同図（ｂ）はトップエミッション型の有機ＥＬ素子を示すものである。本実施形態の有機ＥＬ素子３は、ボトムエミッション型、トップエミッション型のどちらの形式でもよい。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３は、素子基板２の上に形成された一方の電極としての画素電極２３（陽極）と、画素電極２３を覆うように順次積層された正孔注入層７０および有機発光層としての発光層６０と、正孔注入層７０および発光層６０を介して画素電極２３に対向するように形成された他方の電極としての陰極（対向電極）５０とを備えている。
【００３０】
画素電極２３は、素子基板２上に形成された駆動素子４としてのＴＦＴ素子１２３の３端子のうちの一つに接続しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料により形成されている。
【００３１】
陰極５０は、例えばＣａを厚さおよそ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＩＴＯなどの透明導電膜を積層させ、さらに画素電極２３に対向する領域（画素領域）にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成した積層構造の電極とし、Ａｌを反射層として機能させたものである。
【００３２】
有機ＥＬ素子３がボトムエミッション型である場合には、発光層６０で発光した光を陰極５０の反射層で反射させて素子基板２側から取り出すので、素子基板２としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００３３】
素子基板２には、有機ＥＬ素子３を駆動する回路部１１が設けられている。すなわち、素子基板２の表面にはＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００３４】
また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００３５】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３６】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、ＴＦＴ素子１２３（駆動素子４）やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３７】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３８】
画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面上に、正孔注入層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、これによって機能層が形成されている。
【００３９】
このような有機ＥＬ素子３を有する素子基板２は、封止樹脂を介してガラスまたは金属からなる封止基板１３と接着されている。封止基板１３の封止された内側の表面には、ゲッター剤１２が貼り付けられている。ゲッター剤１２は、素子基板２と封止基板１３との間の空間１４に侵入した水分や酸素等を吸収して、有機ＥＬ素子３が侵入した水分や酸素等によって劣化することを防ぐものである。なお、このゲッター剤１２は省略してもよい。
【００４０】
図４（ｂ）に示すように、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３は、素子基板２の上に形成された一方の電極としての画素電極２４（陽極）と、画素電極２４を覆うように順次積層された正孔注入層７０および発光層６０と、正孔注入層７０および発光層６０を介して画素電極２４に対向するように形成された他方の電極としての陰極（対向電極）５１とを備えている。
【００４１】
画素電極２４は、素子基板２上に形成された駆動素子４としてのＴＦＴ素子１２３の３端子のうちの一つに接続しており、例えばＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成し、その上にＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成して積層した電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。すなわち、画素領域に対応した反射層を有する構造となっている。
【００４２】
陰極５１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料により形成されている。
【００４３】
有機ＥＬ素子３がトップエミッション型である場合には、発光層６０で発光した光を画素電極２４の反射層で反射させて封止基板１３側から取り出すので、封止基板１３としては透明なガラス基板等を用いる。また、素子基板２は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００４４】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子３を駆動する回路部１１は、基本的にボトムエミッション型と同様であるので、説明は省略する。また、有機ＥＬ素子３を有する素子基板２と封止基板１３とを封着する構造も同様である。
【００４５】
ボトムエミッション型およびトップエミッション型のいずれにおいても、正孔注入層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。なお、正孔注入層７０の形成材料としては、上記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えばポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００４６】
同じく、発光層６０の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。なお、本実施形態では、例えば発光波長帯域が赤色に対応した発光層６０が採用されるが、もちろん、発光波長帯域が緑色や青色に対応した発光層を採用するようにしてもよい。この場合、用いる感光体は、その発光領域に感度を持つものを採用する。
【００４７】
具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００４８】
なお、この例では、有機ＥＬ素子３を駆動する駆動素子４として、素子基板２上にＴＦＴ素子１２３を作り込んだ例を挙げたが、駆動素子４を素子基板２上に作り込まず、駆動素子４を外付けにする。具体的には素子基板２の端子領域にドライバＩＣをＣＯＧ実装する。またはドライバＩＣを実装したフレキシブル回路基板を素子基板２に実装するようにしても良い。
【００４９】
（ラインヘッドの製造方法）
次に発光装置としてのラインヘッドの製造方法について、図５および図６を基に説明する。図５はラインヘッドの製造方法を示すフローチャート、図６はラインヘッドの製造方法を示す概略断面図である。なお、図６はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を有するラインヘッドの製造方法を示すものであり、図示の都合上、素子基板２上に形成された回路部１１を省略したものである。
【００５０】
図５に示すように、本実施形態のラインヘッド１の製造方法は、画素電極２３が形成された素子基板２上に、正孔注入層７０を全面に形成する工程（ステップＳ１）と、形成された正孔注入層７０の上に発光層６０を全面に積層する発光層形成工程（ステップＳ２）と、画素電極２３に対向するように反射機能を有する陰極５０を形成する工程（ステップＳ３）とを備えている。また、反射機能を有する陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化する劣化工程（ステップＳ４）を備えている。さらに、有機ＥＬ素子３が形成された素子基板２と封止基板１３とを接合する工程（ステップＳ５）を備えている。
【００５１】
図５のステップＳ１は、正孔注入層７０を形成する工程である。ステップＳ１では、図６（ａ）に示すように、画素電極２３が形成された素子基板２の表面に、スピンコート法などの方法を用い、前述の正孔注入層７０の形成材料を含む分散液を塗布して成膜する。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５２】
図５のステップＳ２は、発光層形成工程である。ステップＳ２では、図６（ｂ）に示すように、形成された正孔注入層７０の表面に、スピンコート法などの方法を用い、前述の発光層６０の形成材料を含む分散液を塗布して成膜する。または、前述の発光層６０の形成材料を用いて真空中で蒸着して成膜してもよい。そして、ステップＳ３へ進む。
【００５３】
図５のステップＳ３は、陰極形成工程である。ステップＳ３では、まず図６（ｃ）に示すように、マスク蒸着によりＣａを厚さおよそ２０ｎｍ程度に蒸着した後に、同じくＩＴＯを蒸着して透明導電膜５０ａを所望のパターン形状に成膜する。次に図６（ｄ）に示すように、画素電極２３に対応する画素領域に同じくマスク蒸着によりＡｌをおよそ２００ｎｍ程度に成膜して反射層５０ｂを形成する。これらの薄膜が積層されたものが陰極５０である。
【００５４】
なお、この場合、反射層５０ｂは、紫外光または紫外光を含む光を透過しない程度の膜厚と材質であればよく、発光層６０の発光する波長の光を効率よく反射し、且つ仕事関数を所望のものに選択すればよい。したがって、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ等を適宜混ぜ合わせたものを用いることができる。
【００５５】
また、この場合、有機ＥＬ素子３の形状は、発光する画素領域が略円形となるように画素電極２３に対応する陰極５０の反射層５０ｂを略円形に成膜している。反射層５０ｂの形状は略円形に限定されず、楕円や四角形であってもよい。そして、ステップＳ４へ進む。
【００５６】
図５のステップＳ４は、劣化工程である。ステップＳ４では、図６（ｅ）に示すように、反射機能を有するすなわち反射層５０ｂを有する陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側（矢印の方向）から例えば波長３８０ｎｍ以下の紫外光または紫外光を含む光を照射する。これにより、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する有機材料からなる発光層６０、すなわち反射層５０ｂで覆われていない発光層６０が紫外光を吸収して劣化する。光の照射量は、発光層６０が紫外光を吸収して劣化し失活する程度の照射量とする。したがって、照射量は、発光層６０の形成材料によって適宜設定するのが好ましい。そして、ステップＳ５へ進む。
【００５７】
図５のステップＳ５は、封止基板１３を素子基板２に接合する工程である。ステップＳ５では、図６（ｆ）に示すように、一対の電極としての画素電極２３、陰極５０、これらの電極の間に積層された正孔注入層７０、発光層６０からなる有機ＥＬ素子３が形成された素子基板２に封止樹脂（図示省略）を介して封止基板１３を接合する。封止樹脂としては、熱硬化型のエポキシ樹脂等からなる接着剤を用いることができる。封止基板１３は、対向する素子基板２側の表面にあらかじめゲッター剤１２を貼り付けたものを用いる。なお、ゲッター剤１２は必須ではなく、例えば、素子基板２との空間１４に封止樹脂を充填してもよい。さらには、陰極５０を形成した後に、無機封止薄膜として例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素を全面に膜付けして、空間１４に進入する水分や酸素による有機ＥＬ素子３の劣化を防ぐ構造としてもよい。
【００５８】
このようにして製造された発光装置としてのラインヘッド１は、複数の有機ＥＬ素子３を有し、画素領域Ａに対応して形成された反射層５０ｂに覆われていない発光層６０が紫外光を吸収して劣化している。よって、隣接する有機ＥＬ素子３の間において、リーク電流が流れても、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する発光層６０において意図しない発光を起こすことが抑制される。
【００５９】
なお、図６（ａ）〜（ｆ）は、ボトムエミッション型の発光装置の製造方法を示したが、図４（ｂ）のトップエミッション型の場合、ステップＳ４の劣化工程では、素子基板２側から光を照射して、反射機能を有する画素電極２４が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化させればよい。
【００６０】
また、ステップＳ４の劣化工程において、発光層６０を劣化する方法は、紫外光または紫外光を含む光の照射に限定されない。例えば、画素領域の周辺に存在する発光層６０に向けてエキシマ、炭酸ガス、ＹＡＧ等のレーザー光を照射して劣化させてもよい。
【００６１】
（画像形成装置）
次に、本実施形態のラインヘッドモジュール１０１を備えた画像形成装置について説明する。図７は画像形成装置の構造を示す概略図である。この画像形成装置８０は、本発明に係るラインヘッドモジュール１０１Ｋ，１０１Ｃ，１０１Ｍ，１０１Ｙを、対応する同様な構成である４個の感光体ドラム（像担持体）４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙの露光装置にそれぞれ配置したタンデム方式として構成されたものである。
【００６２】
この画像形成装置８０は、駆動ローラ９１と従動ローラ９２とテンションローラ９３とを備え、これら各ローラに中間転写ベルト９０を、図７中矢印方向（反時計方向）に循環駆動するよう張架したものである。この中間転写ベルト９０に対して、感光体ドラム４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙが所定間隔で配置されている。これら感光体ドラム４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙは、その外周面が像担持体としての感光層となっている。
【００６３】
ここで、上記符号中のＫ、Ｃ、Ｍ、Ｙは、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローを意味し、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエロー用の感光体であることを示している。
なお、これら符号（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の意味は、他の部材についても同様である。感光体ドラム４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙは、中間転写ベルト９０の駆動と同期して、図７中矢印方向（時計方向）に回転駆動するようになっている。
【００６４】
各感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の周囲には、それぞれ感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の外周面を一様に帯電させる帯電手段（コロナ帯電器）４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この帯電手段４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）によって一様に帯電させられた外周面を感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転に同期して順次ライン走査するラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。ここで、ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、前述したようにヘッドケース５２によってラインヘッド１とレンズアレイ３１と集光レンズ５８とが互いにアライメントされた状態で一体化されたものである。
【００６５】
また、ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像（トナー像）とする現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で現像されたトナー像を一次転写対象である中間転写ベルト９０に順次転写する転写手段としての一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。また、転写された後に感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置４６（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）が設けられている。
【００６６】
各ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、各ラインヘッド１のアレイ方向（有機ＥＬ素子３の整列方向）が感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転軸に平行となるように設置されている。そして、各ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の発光エネルギーピーク波長と、感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の感度ピーク波長とが略一致するように設定されている。
【００６７】
現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いる。そして、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。
【００６８】
このような４色の単色トナー像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各トナー像は、一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に印加される一次転写バイアスによって中間転写ベルト９０上に順次一次転写される。そして、中間転写ベルト９０上で順次重ね合わされてフルカラーとなったトナー像は、二次転写ローラ６６において用紙等の記録媒体Ｐに二次転写され、さらに定着部である定着ローラ対６１を通ることで記録媒体Ｐ上に定着される。その後、排紙ローラ対６２によって装置上部に形成された排紙トレイ６８上に排出される。
【００６９】
なお、図７中の符号６３は多数枚の記録媒体Ｐが積層保持されている給紙カセット、６４は給紙カセット６３から記録媒体Ｐを一枚ずつ給送するピックアップローラ、６５は二次転写ローラ６６の二次転写部への記録媒体Ｐの供給タイミングを規定するゲートローラ対、６６は中間転写ベルト９０との間で二次転写部を形成する二次転写手段としての二次転写ローラ、６７は二次転写後に中間転写ベルト９０の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニングブレードである。
【００７０】
このような図７に示した画像形成装置８０においては、図２に示したラインヘッド１を有するラインヘッドモジュール１０１が露光手段として備えられている。したがって、リーク電流によって画素領域以外の領域に存在する発光層６０が意図せずに発光する所謂クロストークが低減されているので、露光後のにじみが少ないくっきりとした画像を得ることができる。なお、本発明のラインヘッド１を備えた画像形成装置８０は上記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【００７１】
上記実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法は、反射層５０ｂを有する陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側から紫外光または紫外光を含む光を照射して、反射層５０ｂで覆われていない発光層６０を劣化する劣化工程を備えている。また、反射層５０ｂは、画素電極２３の画素領域Ａに対応して形成されている。したがって、画素電極２３と陰極５０との間に駆動電流を流し、この間に配設された発光層６０が発光する際に、隣接する有機ＥＬ素子３との間にリーク電流が流れても、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する発光層６０が劣化しているので、意図しない発光が起こり難い発光装置としてのラインヘッド１を製造することができる。また、この製造方法を用いれば、リーク電流によって意図しない発光が起こり難い複数の有機ＥＬ素子３を備えた発光装置としてのラインヘッド１を提供することができる。
【００７２】
（２）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、劣化工程では、反射層５０ｂを有する陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側から紫外光または紫外光を含む光を照射して、反射層５０ｂで覆われていない発光層６０を劣化させる。したがって、発光層形成工程（ステップＳ２）において、発光層形成材料をマスク蒸着して所望の位置にのみ発光層６０を形成しようとする場合に比べて、蒸着用マスクが不要である。また、有機ＥＬ素子３の配置が高密度となっても、高精度に蒸着用マスクを素子基板２に対してアライメントする必要がなく、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する発光層６０を劣化させることができる。すなわち、有機ＥＬ素子３が高密度に配置されていてもリーク電流による意図しない発光が起き難いラインヘッド１を製造することができる。
【００７３】
（３）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、有機発光層としての発光層６０を劣化する劣化工程（ステップＳ４）では、発光層６０が失活する程度の照射量で紫外光または紫外光を含む光を照射する。したがって、過剰な光を照射することなく発光層６０を劣化させて、リーク電流による意図しない発光をより効率的に抑制することができる。
【００７４】
（４）上記実施形態の電子機器としての画像形成装置８０は、上記実施形態のラインヘッド１を有するラインヘッドモジュール１０１が露光手段として備えられている。したがって、リーク電流による発光層６０の意図しない発光すなわちクロストークが低減された複数の有機ＥＬ素子３からの発光により感光体ドラム４１を露光することができる。すなわち、クロストークによるにじみ等の不具合が低減され、くっきりとした画像を得ることができる画像形成装置８０を提供することができる。
【００７５】
上記実施形態以外の変形例は、以下の通りである。
（変形例１）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化させる方法は、発光層６０を劣化させる光を照射する方法に限定されない。例えば、図６（ｅ）に示した有機ＥＬ素子３が形成された素子基板２を酸素を処理ガスとするプラズマ処理を実施すれば、陰極５０で覆われていない発光層６０を劣化させることができる。
【００７６】
（変形例２）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３の陰極５０の形成方法は、これに限定されない。例えば、反射層５０ｂは、電源線に繋がる配線部分を含めた陰極５０のパターン全面に形成してもよい。これによれば、次工程のステップＳ４で光を照射すると、陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化することができる。すなわち、リーク電流によって意図しない発光が起こる発光層６０の面積を低減した複数の有機ＥＬ素子３を備えたラインヘッド１を製造することができる。
【００７７】
（変形例３）上記実施形態のラインヘッド１において、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３の画素電極２４の構造は、これに限定されない。例えば、ソース電極２４３あるいはドレイン電極２４４を拡張して反射機能を有する画素電極とすることができる。これによれば、より簡単な構造の有機ＥＬ素子３を有するラインヘッド１を提供することができる。
【００７８】
（変形例４）上記実施形態のラインヘッド１において、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３の反射機能を有する画素電極２４の構造は、これに限定されない。例えば、画素電極２４を透明電極材料で形成し、反射層を回路部１１と素子基板２の表面との間に形成してもよい。これによれば、シリコン層２４１を覆う層間絶縁膜をＤＨＭ（dielectric Half Miller）構造として反射層で反射する発光層６０の発光との干渉により有機ＥＬ素子３の発光波長を調整することができる。すなわち、色純度を向上させることが可能となる。
【００７９】
（変形例５）上記実施形態のラインヘッド１において、有機ＥＬ素子３を駆動する駆動方法は、ＴＦＴ素子１２３などを用いたアクティブ型の駆動方法に限定されない。所謂画素電極２３と陰極５０とを格子状に配置し、その間に発光層６０を配設したマトリクス駆動タイプの有機ＥＬ素子３においても、本発明の発光装置の製造方法を適用することが可能である。
【００８０】
（変形例６）本発明の発光装置の製造方法を用いて製造された発光装置は、ラインヘッド１に限定されない。例えば、単色の有機ＥＬ素子３を複数備えた照明装置、表示装置等にも適用することができる。
【００８１】
（変形例７）本発明の発光装置の製造方法を用いて製造された発光装置を搭載する電子機器は、画像形成装置８０に限定されない。例えば、単色の有機ＥＬ素子３を複数備えた表示装置を搭載した情報処理端末装置等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】ラインヘッドモジュールの構造を示す斜視断面図。
【図２】ラインヘッドの構造を示す模式図。
【図３】レンズアレイの斜視図。
【図４】有機ＥＬ素子および駆動素子の構造を示す概略断面図。
【図５】ラインヘッドの製造方法を示すフローチャート。
【図６】ラインヘッドの製造方法を示す概略断面図。
【図７】画像形成装置の構造を示す概略図。
【符号の説明】
【００８３】
１…発光装置としてのラインヘッド、２…基板としての素子基板、３…発光素子としての有機ＥＬ素子、２３，２４…一対の電極のうち一方の電極としての画素電極、５０，５１…一対の電極のうち他方の電極としての陰極、５０ｂ…反射層、６０…有機発光層としての発光層、８０…電子機器としての画像形成装置、Ａ…画素領域、Ｂ…画素領域以外の領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を有する発光装置の製造方法、発光装置およびこれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子を有する発光装置の製造方法として、基板上に、第１の電極としての陽極層、正孔注入層、発光層、第２の電極としての陰極層が積層されてなる単色の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置において、少なくとも発光層をスピンコート法で形成する方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、単色の有機ＥＬ素子（発光素子）を線上に複数配列させたラインヘッドと、像担持体の周囲に設けた帯電手段と、現像手段と、転写手段とを有する画像形成装置が知られている（特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１２４３７６号公報（５〜６頁）
【特許文献２】特開２００５−１５３３７２号公報（１５〜１７頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようにスピンコート法を用いて発光層を正孔注入層上に全面形成した有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置では、発光する画素領域（陽極層と陰極層とが重なり合う部分）以外の領域にも発光層が存在する。したがって、発光させようとする画素領域以外に駆動電流が流出（リーク）した場合、画素領域以外の領域に存在する発光層が意図せずに発光してしまう所謂クロストークの現象が発生することがあった。
【０００６】
また、このような有機ＥＬ素子を発光素子として用いたラインヘッドを有する画像形成装置では、クロストークの発生により画像がにじむ等の不具合が発生し、くっきりとした画像が得られないという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を改善するためになされたものであり、リーク電流によって有機発光層が意図しない領域で発光しにくい複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法、発光装置およびこの発光装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発光装置の製造方法は、一対の電極と、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、一対の電極のうち一方の電極が形成された基板上に、有機発光層を全面に形成する発光層形成工程と、形成された有機発光層の上に一方の電極に対向するように他方の電極を形成する工程と、一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層を劣化する劣化工程とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
リーク電流とは、複数の発光素子のうち所望の発光素子の一対の電極の間に電流を流したときに、隣接する発光素子の一対の電極のうちいずれか一方の電極に向かって流れる電流を指す。この方法によれば、発光層形成工程では、一対の電極のうち一方の電極が形成された基板上に、有機発光層を全面に形成する。そして、形成された有機発光層の上に一方の電極に対向するように他方の電極を形成した後に、劣化工程では、全面に形成された有機発光層に対して、一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層を劣化させる。劣化した有機発光層においては、リーク電流が流れても意図しない発光（クロストーク）が起き難くなる。すなわち、リーク電流によって発光する有機発光層の領域を減らすことができ、有機発光層が意図しない領域で発光しにくい複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法を提供することができる。
【００１０】
また、上記一対の電極のいずれか一方は、有機発光層の発光を反射する反射機能を有するように形成し、劣化工程では、一対の電極のうち反射機能を有する電極の有機発光層に接する側に対して反対側から光を照射して、反射機能を有する電極に覆われていない有機発光層を劣化することを特徴とする。
【００１１】
この方法によれば、劣化工程では、一対の電極のうち、反射機能を有する電極の有機発光層に接する側に対して反対側から光を照射するので、反射機能を有する電極部分では光が反射され、反射機能を有する電極に覆われていない有機発光層にのみ光が当たって、当該有機発光層を劣化させることができる。すなわち、一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層をより選択的に劣化させることができる。
【００１２】
また、上記一対の電極のいずれか一方は、紫外光または紫外光を含む光を透過しない反射層を有するように形成し、劣化工程では、紫外光または紫外光を含む光を照射することが好ましい。有機発光層は、紫外光によって比較的容易に劣化する。これによれば、反射層は紫外光または紫外光を含む光を透過しないので、反射層で覆われていない領域に存在する有機発光層を容易に劣化させることができ、リーク電流が流れても発光しにくくすることができる。
【００１３】
また、上記一対の電極が対向する画素領域において、一対の電極のいずれか一方に反射層を形成することが好ましい。これによれば、反射層は、一対の電極が対向する画素領域において、一対の電極のいずれか一方に形成されるので、劣化工程において、反射層で覆われていない領域に存在する有機発光層を劣化すれば、画素領域以外の領域においてリーク電流により意図しない発光が起こることを低減することができる。
【００１４】
また、上記劣化工程では、有機発光層が失活する程度の照射量で上記光を照射することが好ましい。これによれば、有機発光層が失活する程度の照射量で光を照射するので、過剰な光を照射することなく有機発光層を劣化させて、リーク電流による意図しない発光をより効率的に抑制することができる。
【００１５】
本発明の発光装置は、一対の電極と、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、上記発明の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、上記発明の発光装置の製造方法を用い、劣化工程で一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層が劣化した複数の発光素子を備えているので、リーク電流が流れても劣化した有機発光層が発光し難く、所謂クロストークが低減された発光装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の他の発光装置は、いずれか一方が反射機能を有する一対の電極と、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、上記発明の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、上記発明の発光装置の製造方法を用い、劣化工程では、反射機能を有する電極部分では上記光が反射され、当該電極が形成された領域以外に存在する有機発光層にのみ上記光が当たって、当該有機発光層を劣化させた発光素子を備えることとなる。よって、リーク電流が流れても劣化した有機発光層が発光し難い。すなわち、クロストークが低減されると共に、一対の電極が対向した画素領域では、有機発光層からの発光が反射機能を有する電極によって反射して出射されるので、より高い輝度を有する発光装置を提供することができる。
【００１９】
本発明の電子機器は、上記発明の発光装置を搭載したことを特徴とする。これによれば、有機発光層がリーク電流によって発光してしまうクロストークが低減された発光装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施形態は、有機ＥＬ素子を有する発光装置としてのラインヘッドと、このラインヘッドを備えた電子機器としての画像形成装置を例に説明する。
【００２１】
（ラインヘッドモジュール）
まず、ラインヘッドを有するラインヘッドモジュールについて説明する。図１は、ラインヘッドモジュールの構造を示す斜視断面図である。本実施形態のラインヘッドモジュール１０１は、発光素子としての有機ＥＬ素子を整列配置したラインヘッド１と、このラインヘッド１からの光を結像させるレンズ素子を配列したレンズアレイ３１と、ラインヘッド１およびレンズアレイ３１の外周部を保持するヘッドケース５２とを備え、レンズアレイ３１の光出射側の面に、集光レンズ５８を貼設して構成されたものである。
【００２２】
ラインヘッド１とレンズアレイ３１とは、互いにアライメントされた状態で封止材５４を用いてヘッドケース５２に接着保持されている。またレンズアレイ３１と集光レンズ５８とは、互いにアライメントされた状態で貼設され一体化されている。このような構成のもとにラインヘッドモジュール１０１は、後述する感光体ドラムに対してアライメントするだけで、ラインヘッド１、レンズアレイ３１、集光レンズ５８のアライメントがなされるようになっている。
【００２３】
図２は、ラインヘッドの構造を示す模式図である。本実施形態のラインヘッド１は、長細い矩形の素子基板２上に、複数の有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子列３Ａと、有機ＥＬ素子３を駆動させる駆動素子４からなる駆動素子群と、これら駆動素子４の駆動を制御する制御回路群５とを一体形成したものである。発光素子列３Ａは、本実施形態では二つ（２列）形成されており、これら発光素子列３Ａ，３Ａにおいて各有機ＥＬ素子３は、千鳥状に配置されている。したがって、その長手方向における有機ＥＬ素子３間の見掛け上のピッチが小さくなり、後述する画像形成装置の解像度を向上させることができるようになっている。
【００２４】
なお、このラインヘッド１は、その光出射側の面が感光体ドラムに対向すると共に、発光素子列３Ａの列方向（発光素子の整列方向）が、感光体ドラムの回転軸と平行に配置されるようになっている。
【００２５】
有機ＥＬ素子３は、一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層を備えたもので、その一対の電極から有機発光層に電流を供給することにより、発光するようになっている。有機ＥＬ素子３における一方の電極には電源線８が接続され、他方の電極には駆動素子４を介して電源線７が接続されている。この駆動素子４は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等のスイッチング素子で構成されている。駆動素子４にＴＦＴを採用した場合には、そのソース領域に電源線８が接続され、ゲート電極に制御回路群５が接続される。そして、制御回路群５により駆動素子４の動作が制御され、駆動素子４により有機ＥＬ素子３への通電が制御されるようになっている。
【００２６】
有機ＥＬ素子３の有機発光層は、一対の電極のうちの一方の電極が形成された素子基板２の上を全面覆うように形成されている。また、少なくとも一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する有機発光層が、リーク電流により意図しない発光を起こさないように処理されている。詳しい、有機ＥＬ素子３および駆動素子４の構造および製造方法については後述する。
【００２７】
図３は、レンズアレイの斜視図である。このレンズアレイ３１は、例えばセルフォック（登録商標）レンズアレイ（日本板硝子社の商品名）からなるもので、セルフォック（登録商標）レンズ素子またはこれと同様の構成からなるＳＬ素子３１ａを、千鳥状に２列配列（配置）したものである。また、千鳥状に配置された各ＳＬ素子３１ａの隙間には黒色のシリコーン樹脂３２が充填されており、さらにその周囲にはフレーム３４が配置されている。ここで、ＳＬ素子３１ａは、円柱状のレンズ素子であって、正立等倍結像させるものである。このようなＳＬ素子３１ａを千鳥状に２列配列（配置）したことにより、レンズアレイ３１は、広範囲の画像の結像を可能にしたものとなっている。なお、レンズアレイ３１としては、セルフォック（登録商標）レンズアレイに限定されることなく、有機ＥＬ素子３（発光素子）からの光を結像させるレンズ素子を配列してなるレンズアレイであれば、各種のものが使用可能である。
【００２８】
（有機ＥＬ素子および駆動素子）
図４は、有機ＥＬ素子および駆動素子の構造を示す概略断面図である。同図（ａ）はボトムエミッション型、同図（ｂ）はトップエミッション型の有機ＥＬ素子を示すものである。本実施形態の有機ＥＬ素子３は、ボトムエミッション型、トップエミッション型のどちらの形式でもよい。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３は、素子基板２の上に形成された一方の電極としての画素電極２３（陽極）と、画素電極２３を覆うように順次積層された正孔注入層７０および有機発光層としての発光層６０と、正孔注入層７０および発光層６０を介して画素電極２３に対向するように形成された他方の電極としての陰極（対向電極）５０とを備えている。
【００３０】
画素電極２３は、素子基板２上に形成された駆動素子４としてのＴＦＴ素子１２３の３端子のうちの一つに接続しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料により形成されている。
【００３１】
陰極５０は、例えばＣａを厚さおよそ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＩＴＯなどの透明導電膜を積層させ、さらに画素電極２３に対向する領域（画素領域）にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成した積層構造の電極とし、Ａｌを反射層として機能させたものである。
【００３２】
有機ＥＬ素子３がボトムエミッション型である場合には、発光層６０で発光した光を陰極５０の反射層で反射させて素子基板２側から取り出すので、素子基板２としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００３３】
素子基板２には、有機ＥＬ素子３を駆動する回路部１１が設けられている。すなわち、素子基板２の表面にはＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００３４】
また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００３５】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３６】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、ＴＦＴ素子１２３（駆動素子４）やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３７】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３８】
画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面上に、正孔注入層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、これによって機能層が形成されている。
【００３９】
このような有機ＥＬ素子３を有する素子基板２は、封止樹脂を介してガラスまたは金属からなる封止基板１３と接着されている。封止基板１３の封止された内側の表面には、ゲッター剤１２が貼り付けられている。ゲッター剤１２は、素子基板２と封止基板１３との間の空間１４に侵入した水分や酸素等を吸収して、有機ＥＬ素子３が侵入した水分や酸素等によって劣化することを防ぐものである。なお、このゲッター剤１２は省略してもよい。
【００４０】
図４（ｂ）に示すように、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３は、素子基板２の上に形成された一方の電極としての画素電極２４（陽極）と、画素電極２４を覆うように順次積層された正孔注入層７０および発光層６０と、正孔注入層７０および発光層６０を介して画素電極２４に対向するように形成された他方の電極としての陰極（対向電極）５１とを備えている。
【００４１】
画素電極２４は、素子基板２上に形成された駆動素子４としてのＴＦＴ素子１２３の３端子のうちの一つに接続しており、例えばＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成し、その上にＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成して積層した電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。すなわち、画素領域に対応した反射層を有する構造となっている。
【００４２】
陰極５１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料により形成されている。
【００４３】
有機ＥＬ素子３がトップエミッション型である場合には、発光層６０で発光した光を画素電極２４の反射層で反射させて封止基板１３側から取り出すので、封止基板１３としては透明なガラス基板等を用いる。また、素子基板２は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００４４】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子３を駆動する回路部１１は、基本的にボトムエミッション型と同様であるので、説明は省略する。また、有機ＥＬ素子３を有する素子基板２と封止基板１３とを封着する構造も同様である。
【００４５】
ボトムエミッション型およびトップエミッション型のいずれにおいても、正孔注入層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。なお、正孔注入層７０の形成材料としては、上記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えばポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００４６】
同じく、発光層６０の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。なお、本実施形態では、例えば発光波長帯域が赤色に対応した発光層６０が採用されるが、もちろん、発光波長帯域が緑色や青色に対応した発光層を採用するようにしてもよい。この場合、用いる感光体は、その発光領域に感度を持つものを採用する。
【００４７】
具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００４８】
なお、この例では、有機ＥＬ素子３を駆動する駆動素子４として、素子基板２上にＴＦＴ素子１２３を作り込んだ例を挙げたが、駆動素子４を素子基板２上に作り込まず、駆動素子４を外付けにする。具体的には素子基板２の端子領域にドライバＩＣをＣＯＧ実装する。またはドライバＩＣを実装したフレキシブル回路基板を素子基板２に実装するようにしても良い。
【００４９】
（ラインヘッドの製造方法）
次に発光装置としてのラインヘッドの製造方法について、図５および図６を基に説明する。図５はラインヘッドの製造方法を示すフローチャート、図６はラインヘッドの製造方法を示す概略断面図である。なお、図６はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を有するラインヘッドの製造方法を示すものであり、図示の都合上、素子基板２上に形成された回路部１１を省略したものである。
【００５０】
図５に示すように、本実施形態のラインヘッド１の製造方法は、画素電極２３が形成された素子基板２上に、正孔注入層７０を全面に形成する工程（ステップＳ１）と、形成された正孔注入層７０の上に発光層６０を全面に積層する発光層形成工程（ステップＳ２）と、画素電極２３に対向するように反射機能を有する陰極５０を形成する工程（ステップＳ３）とを備えている。また、反射機能を有する陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化する劣化工程（ステップＳ４）を備えている。さらに、有機ＥＬ素子３が形成された素子基板２と封止基板１３とを接合する工程（ステップＳ５）を備えている。
【００５１】
図５のステップＳ１は、正孔注入層７０を形成する工程である。ステップＳ１では、図６（ａ）に示すように、画素電極２３が形成された素子基板２の表面に、スピンコート法などの方法を用い、前述の正孔注入層７０の形成材料を含む分散液を塗布して成膜する。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５２】
図５のステップＳ２は、発光層形成工程である。ステップＳ２では、図６（ｂ）に示すように、形成された正孔注入層７０の表面に、スピンコート法などの方法を用い、前述の発光層６０の形成材料を含む分散液を塗布して成膜する。または、前述の発光層６０の形成材料を用いて真空中で蒸着して成膜してもよい。そして、ステップＳ３へ進む。
【００５３】
図５のステップＳ３は、陰極形成工程である。ステップＳ３では、まず図６（ｃ）に示すように、マスク蒸着によりＣａを厚さおよそ２０ｎｍ程度に蒸着した後に、同じくＩＴＯを蒸着して透明導電膜５０ａを所望のパターン形状に成膜する。次に図６（ｄ）に示すように、画素電極２３に対応する画素領域に同じくマスク蒸着によりＡｌをおよそ２００ｎｍ程度に成膜して反射層５０ｂを形成する。これらの薄膜が積層されたものが陰極５０である。
【００５４】
なお、この場合、反射層５０ｂは、紫外光または紫外光を含む光を透過しない程度の膜厚と材質であればよく、発光層６０の発光する波長の光を効率よく反射し、且つ仕事関数を所望のものに選択すればよい。したがって、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ等を適宜混ぜ合わせたものを用いることができる。
【００５５】
また、この場合、有機ＥＬ素子３の形状は、発光する画素領域が略円形となるように画素電極２３に対応する陰極５０の反射層５０ｂを略円形に成膜している。反射層５０ｂの形状は略円形に限定されず、楕円や四角形であってもよい。そして、ステップＳ４へ進む。
【００５６】
図５のステップＳ４は、劣化工程である。ステップＳ４では、図６（ｅ）に示すように、反射機能を有するすなわち反射層５０ｂを有する陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側（矢印の方向）から例えば波長３８０ｎｍ以下の紫外光または紫外光を含む光を照射する。これにより、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する有機材料からなる発光層６０、すなわち反射層５０ｂで覆われていない発光層６０が紫外光を吸収して劣化する。光の照射量は、発光層６０が紫外光を吸収して劣化し失活する程度の照射量とする。したがって、照射量は、発光層６０の形成材料によって適宜設定するのが好ましい。そして、ステップＳ５へ進む。
【００５７】
図５のステップＳ５は、封止基板１３を素子基板２に接合する工程である。ステップＳ５では、図６（ｆ）に示すように、一対の電極としての画素電極２３、陰極５０、これらの電極の間に積層された正孔注入層７０、発光層６０からなる有機ＥＬ素子３が形成された素子基板２に封止樹脂（図示省略）を介して封止基板１３を接合する。封止樹脂としては、熱硬化型のエポキシ樹脂等からなる接着剤を用いることができる。封止基板１３は、対向する素子基板２側の表面にあらかじめゲッター剤１２を貼り付けたものを用いる。なお、ゲッター剤１２は必須ではなく、例えば、素子基板２との空間１４に封止樹脂を充填してもよい。さらには、陰極５０を形成した後に、無機封止薄膜として例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素を全面に膜付けして、空間１４に進入する水分や酸素による有機ＥＬ素子３の劣化を防ぐ構造としてもよい。
【００５８】
このようにして製造された発光装置としてのラインヘッド１は、複数の有機ＥＬ素子３を有し、画素領域Ａに対応して形成された反射層５０ｂに覆われていない発光層６０が紫外光を吸収して劣化している。よって、隣接する有機ＥＬ素子３の間において、リーク電流が流れても、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する発光層６０において意図しない発光を起こすことが抑制される。
【００５９】
なお、図６（ａ）〜（ｆ）は、ボトムエミッション型の発光装置の製造方法を示したが、図４（ｂ）のトップエミッション型の場合、ステップＳ４の劣化工程では、素子基板２側から光を照射して、反射機能を有する画素電極２４が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化させればよい。
【００６０】
また、ステップＳ４の劣化工程において、発光層６０を劣化する方法は、紫外光または紫外光を含む光の照射に限定されない。例えば、画素領域の周辺に存在する発光層６０に向けてエキシマ、炭酸ガス、ＹＡＧ等のレーザー光を照射して劣化させてもよい。
【００６１】
（画像形成装置）
次に、本実施形態のラインヘッドモジュール１０１を備えた画像形成装置について説明する。図７は画像形成装置の構造を示す概略図である。この画像形成装置８０は、本発明に係るラインヘッドモジュール１０１Ｋ，１０１Ｃ，１０１Ｍ，１０１Ｙを、対応する同様な構成である４個の感光体ドラム（像担持体）４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙの露光装置にそれぞれ配置したタンデム方式として構成されたものである。
【００６２】
この画像形成装置８０は、駆動ローラ９１と従動ローラ９２とテンションローラ９３とを備え、これら各ローラに中間転写ベルト９０を、図７中矢印方向（反時計方向）に循環駆動するよう張架したものである。この中間転写ベルト９０に対して、感光体ドラム４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙが所定間隔で配置されている。これら感光体ドラム４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙは、その外周面が像担持体としての感光層となっている。
【００６３】
ここで、上記符号中のＫ、Ｃ、Ｍ、Ｙは、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローを意味し、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエロー用の感光体であることを示している。
なお、これら符号（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の意味は、他の部材についても同様である。感光体ドラム４１Ｋ，４１Ｃ，４１Ｍ，４１Ｙは、中間転写ベルト９０の駆動と同期して、図７中矢印方向（時計方向）に回転駆動するようになっている。
【００６４】
各感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の周囲には、それぞれ感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の外周面を一様に帯電させる帯電手段（コロナ帯電器）４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この帯電手段４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）によって一様に帯電させられた外周面を感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転に同期して順次ライン走査するラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。ここで、ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、前述したようにヘッドケース５２によってラインヘッド１とレンズアレイ３１と集光レンズ５８とが互いにアライメントされた状態で一体化されたものである。
【００６５】
また、ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像（トナー像）とする現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で現像されたトナー像を一次転写対象である中間転写ベルト９０に順次転写する転写手段としての一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。また、転写された後に感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置４６（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）が設けられている。
【００６６】
各ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、各ラインヘッド１のアレイ方向（有機ＥＬ素子３の整列方向）が感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転軸に平行となるように設置されている。そして、各ラインヘッドモジュール１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の発光エネルギーピーク波長と、感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の感度ピーク波長とが略一致するように設定されている。
【００６７】
現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いる。そして、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。
【００６８】
このような４色の単色トナー像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各トナー像は、一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に印加される一次転写バイアスによって中間転写ベルト９０上に順次一次転写される。そして、中間転写ベルト９０上で順次重ね合わされてフルカラーとなったトナー像は、二次転写ローラ６６において用紙等の記録媒体Ｐに二次転写され、さらに定着部である定着ローラ対６１を通ることで記録媒体Ｐ上に定着される。その後、排紙ローラ対６２によって装置上部に形成された排紙トレイ６８上に排出される。
【００６９】
なお、図７中の符号６３は多数枚の記録媒体Ｐが積層保持されている給紙カセット、６４は給紙カセット６３から記録媒体Ｐを一枚ずつ給送するピックアップローラ、６５は二次転写ローラ６６の二次転写部への記録媒体Ｐの供給タイミングを規定するゲートローラ対、６６は中間転写ベルト９０との間で二次転写部を形成する二次転写手段としての二次転写ローラ、６７は二次転写後に中間転写ベルト９０の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニングブレードである。
【００７０】
このような図７に示した画像形成装置８０においては、図２に示したラインヘッド１を有するラインヘッドモジュール１０１が露光手段として備えられている。したがって、リーク電流によって画素領域以外の領域に存在する発光層６０が意図せずに発光する所謂クロストークが低減されているので、露光後のにじみが少ないくっきりとした画像を得ることができる。なお、本発明のラインヘッド１を備えた画像形成装置８０は上記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【００７１】
上記実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法は、反射層５０ｂを有する陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側から紫外光または紫外光を含む光を照射して、反射層５０ｂで覆われていない発光層６０を劣化する劣化工程を備えている。また、反射層５０ｂは、画素電極２３の画素領域Ａに対応して形成されている。したがって、画素電極２３と陰極５０との間に駆動電流を流し、この間に配設された発光層６０が発光する際に、隣接する有機ＥＬ素子３との間にリーク電流が流れても、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する発光層６０が劣化しているので、意図しない発光が起こり難い発光装置としてのラインヘッド１を製造することができる。また、この製造方法を用いれば、リーク電流によって意図しない発光が起こり難い複数の有機ＥＬ素子３を備えた発光装置としてのラインヘッド１を提供することができる。
【００７２】
（２）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、劣化工程では、反射層５０ｂを有する陰極５０の発光層６０に接する側に対して反対側から紫外光または紫外光を含む光を照射して、反射層５０ｂで覆われていない発光層６０を劣化させる。したがって、発光層形成工程（ステップＳ２）において、発光層形成材料をマスク蒸着して所望の位置にのみ発光層６０を形成しようとする場合に比べて、蒸着用マスクが不要である。また、有機ＥＬ素子３の配置が高密度となっても、高精度に蒸着用マスクを素子基板２に対してアライメントする必要がなく、画素領域Ａ以外の領域Ｂに存在する発光層６０を劣化させることができる。すなわち、有機ＥＬ素子３が高密度に配置されていてもリーク電流による意図しない発光が起き難いラインヘッド１を製造することができる。
【００７３】
（３）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、有機発光層としての発光層６０を劣化する劣化工程（ステップＳ４）では、発光層６０が失活する程度の照射量で紫外光または紫外光を含む光を照射する。したがって、過剰な光を照射することなく発光層６０を劣化させて、リーク電流による意図しない発光をより効率的に抑制することができる。
【００７４】
（４）上記実施形態の電子機器としての画像形成装置８０は、上記実施形態のラインヘッド１を有するラインヘッドモジュール１０１が露光手段として備えられている。したがって、リーク電流による発光層６０の意図しない発光すなわちクロストークが低減された複数の有機ＥＬ素子３からの発光により感光体ドラム４１を露光することができる。すなわち、クロストークによるにじみ等の不具合が低減され、くっきりとした画像を得ることができる画像形成装置８０を提供することができる。
【００７５】
上記実施形態以外の変形例は、以下の通りである。
（変形例１）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化させる方法は、発光層６０を劣化させる光を照射する方法に限定されない。例えば、図６（ｅ）に示した有機ＥＬ素子３が形成された素子基板２を酸素を処理ガスとするプラズマ処理を実施すれば、陰極５０で覆われていない発光層６０を劣化させることができる。
【００７６】
（変形例２）上記実施形態のラインヘッド１の製造方法において、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３の陰極５０の形成方法は、これに限定されない。例えば、反射層５０ｂは、電源線に繋がる配線部分を含めた陰極５０のパターン全面に形成してもよい。これによれば、次工程のステップＳ４で光を照射すると、陰極５０が形成された領域以外に存在する発光層６０を劣化することができる。すなわち、リーク電流によって意図しない発光が起こる発光層６０の面積を低減した複数の有機ＥＬ素子３を備えたラインヘッド１を製造することができる。
【００７７】
（変形例３）上記実施形態のラインヘッド１において、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３の画素電極２４の構造は、これに限定されない。例えば、ソース電極２４３あるいはドレイン電極２４４を拡張して反射機能を有する画素電極とすることができる。これによれば、より簡単な構造の有機ＥＬ素子３を有するラインヘッド１を提供することができる。
【００７８】
（変形例４）上記実施形態のラインヘッド１において、トップエミッション型の有機ＥＬ素子３の反射機能を有する画素電極２４の構造は、これに限定されない。例えば、画素電極２４を透明電極材料で形成し、反射層を回路部１１と素子基板２の表面との間に形成してもよい。これによれば、シリコン層２４１を覆う層間絶縁膜をＤＨＭ（dielectric Half Miller）構造として反射層で反射する発光層６０の発光との干渉により有機ＥＬ素子３の発光波長を調整することができる。すなわち、色純度を向上させることが可能となる。
【００７９】
（変形例５）上記実施形態のラインヘッド１において、有機ＥＬ素子３を駆動する駆動方法は、ＴＦＴ素子１２３などを用いたアクティブ型の駆動方法に限定されない。所謂画素電極２３と陰極５０とを格子状に配置し、その間に発光層６０を配設したマトリクス駆動タイプの有機ＥＬ素子３においても、本発明の発光装置の製造方法を適用することが可能である。
【００８０】
（変形例６）本発明の発光装置の製造方法を用いて製造された発光装置は、ラインヘッド１に限定されない。例えば、単色の有機ＥＬ素子３を複数備えた照明装置、表示装置等にも適用することができる。
【００８１】
（変形例７）本発明の発光装置の製造方法を用いて製造された発光装置を搭載する電子機器は、画像形成装置８０に限定されない。例えば、単色の有機ＥＬ素子３を複数備えた表示装置を搭載した情報処理端末装置等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】ラインヘッドモジュールの構造を示す斜視断面図。
【図２】ラインヘッドの構造を示す模式図。
【図３】レンズアレイの斜視図。
【図４】有機ＥＬ素子および駆動素子の構造を示す概略断面図。
【図５】ラインヘッドの製造方法を示すフローチャート。
【図６】ラインヘッドの製造方法を示す概略断面図。
【図７】画像形成装置の構造を示す概略図。
【符号の説明】
【００８３】
１…発光装置としてのラインヘッド、２…基板としての素子基板、３…発光素子としての有機ＥＬ素子、２３，２４…一対の電極のうち一方の電極としての画素電極、５０，５１…一対の電極のうち他方の電極としての陰極、５０ｂ…反射層、６０…有機発光層としての発光層、８０…電子機器としての画像形成装置、Ａ…画素領域、Ｂ…画素領域以外の領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、
前記一対の電極のうち一方の電極が形成された基板上に、前記有機発光層を全面に形成する発光層形成工程と、
形成された前記有機発光層の上に前記一方の電極に対向するように他方の電極を形成する工程と、
前記一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する前記有機発光層を劣化する劣化工程とを備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記一対の電極のいずれか一方は、前記有機発光層の発光を反射する反射機能を有するように形成し、
前記劣化工程では、前記一対の電極のうち反射機能を有する電極の前記有機発光層に接する側に対して反対側から光を照射して、前記反射機能を有する電極に覆われていない前記有機発光層を劣化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記一対の電極のいずれか一方は、紫外光または紫外光を含む光を透過しない反射層を有するように形成し、
前記劣化工程では、紫外光または紫外光を含む光を照射することを特徴とする請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記一対の電極が対向する画素領域において、前記一対の電極のいずれか一方に前記反射層を形成することを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記劣化工程では、前記有機発光層が失活する程度の照射量で前記光を照射することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
一対の電極と、前記一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、請求項１に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
いずれか一方が反射機能を有する一対の電極と、前記一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、請求項２ないし５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の発光装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、
前記一対の電極のうち一方の電極が形成された基板上に、前記有機発光層を全面に形成する発光層形成工程と、
形成された前記有機発光層の上に前記一方の電極に対向するように他方の電極を形成する工程と、
前記一対の電極のうちいずれか一方の電極が形成された領域以外に存在する前記有機発光層を劣化する劣化工程とを備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記一対の電極のいずれか一方は、前記有機発光層の発光を反射する反射機能を有するように形成し、
前記劣化工程では、前記一対の電極のうち反射機能を有する電極の前記有機発光層に接する側に対して反対側から光を照射して、前記反射機能を有する電極に覆われていない前記有機発光層を劣化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記一対の電極のいずれか一方は、紫外光または紫外光を含む光を透過しない反射層を有するように形成し、
前記劣化工程では、紫外光または紫外光を含む光を照射することを特徴とする請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記一対の電極が対向する画素領域において、前記一対の電極のいずれか一方に前記反射層を形成することを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記劣化工程では、前記有機発光層が失活する程度の照射量で前記光を照射することを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
一対の電極と、前記一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、請求項１に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
いずれか一方が反射機能を有する一対の電極と、前記一対の電極の間に配設された少なくとも有機発光層とを有する複数の発光素子を備えた発光装置であって、請求項２ないし５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の発光装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−７３２８６（Ｐ２００７−７３２８６Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５７５６８（Ｐ２００５−２５７５６８）
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月６日（２００５．９．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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