発光装置
【課題】薄膜トランジスタを用いた表示装置において、光を用いて封止を行う際、配線で遮光されるため、十分に封止できなかった。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂からなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された発光素子と、第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、第１の基板と第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、シール材と薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、シール材と有機樹脂からなる層間絶縁膜の少なくとも一部は重ねられていない発光装置。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂からなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された発光素子と、第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、第１の基板と第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、シール材と薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、シール材と有機樹脂からなる層間絶縁膜の少なくとも一部は重ねられていない発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止構造を有する表示装置に関する。特に、半導体素子（半導体薄膜を用い
た素子）を用いたアクティブマトリクス型表示装置に関する。また、アクティブマトリク
ス型表示装置を、表示部に用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラット型ディスプレイとして、ＥＬ素子を有したＥＬ表示装置等の電気光学装
置が注目されている。
【０００３】
ＥＬ素子は一対の電極（陽極と陰極）間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ
層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーの
Tangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。こ
の構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められているＥＬ表示装置は殆どこ
の構造を採用している。
【０００４】
また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入
層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造でも良い。発光層
に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
【０００５】
本明細書において陰極と陽極の間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よっ
て上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全てＥＬ層
に含まれる。
【０００６】
そして、上記構造でなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層
においてキャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書においてＥＬ素子が発光す
ることを、ＥＬ素子が駆動すると呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で
形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【０００７】
なお、本明細書中において、ＥＬ素子とは、一重項励起子からの発光（蛍光）
を利用するものと、三重項励起子からの発光（燐光）を利用するものの両方を示すものと
する。
【０００８】
ＥＬ表示装置の構成として、アクティブマトリクス型が挙げられる。
【０００９】
図９に、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の画素部の構成の例を示す。アクティブマ
トリクス型ＥＬ表示装置では、各画素が薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）を
有している。ゲート信号線駆動回路から選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）
は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴ９０１のゲート電極に接続されている。また、
各画素が有するスイッチング用ＴＦＴ９０１のソース領域とドレイン領域は、一方がソー
ス信号線駆動回路から信号を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、他方がＥＬ駆動用
ＴＦＴ９０２のゲート電極及び各画素が有するコンデンサ９０３の一方の電極に接続され
ている。コンデンサ９０３のもう一方の電極は、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に接続されて
いる。各画素の有するＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２のソース領域とドレイン領域の一方は、電
源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に、他方は、各画素が有するＥＬ素子９０４に接続されている。
【００１０】
ゲート信号線駆動回路によりゲート信号線Ｇ１が選択され信号が入力されると、ゲート
信号線Ｇ１に接続されたスイッチングＴＦＴ９０１がオンになる。ここで、ソース信号線
駆動回路よりソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに信号が入力されると、信号が入力された画素にお
いて、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２がオンになり、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）よりＥＬ素子９
０４に電流が流れて、ＥＬ素子９０４は発光する。この動作をすべてのゲート信号線Ｇ１
〜Ｇｙについて繰り返し、画像の表示を行う。
【００１１】
ＥＬ素子９０４は、陽極と、陰極と、陽極と陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する。
ＥＬ素子９０４の陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２のソース領域またはドレイン領域と接続
している場合、ＥＬ素子９０４の陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に、ＥＬ素
子９０４の陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２のソース領域またはドレイン領域と接続してい
る場合、ＥＬ素子９０４の陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【００１２】
なお、本明細書において、対向電極の電位を対向電位という。なお、対向電極に対向電
位を与える電源を対向電源と呼ぶ。画素電極の電位と対向電極の電位の電位差がＥＬ駆動
電圧であり、このＥＬ駆動電圧がＥＬ層に印加される。
【００１３】
ここで、有機ＥＬ層は、水分や酸素により、劣化するという問題がある。その為、ＥＬ
層を形成した後、大気中に出さずに窒素雰囲気中で、紫外線硬化樹脂により封止するのが
一般的である。図４にＥＬ表示装置の封止の例を示す。
【００１４】
図４（Ａ）にＥＬ表示装置の上面図を示す。ＥＬ素子を有する画素部４０２、ゲート信
号線駆動回路４０３及びソース信号線駆動回路４０４を有する絶縁基板４１上に、画素部
４０２、ゲート信号線駆動回路４０３及びソース信号線駆動回路４０４を囲むようにシー
ル材４０１を形成する。この際、後に充填材４３を注入するための注入口として開口部（
図示せず）を設けておく。その後スペーサー（図示せず）を撒布してカバー材４２を貼り
合わせる。シール材４０１を紫外線照射により硬化させた後、カバー材４２とシール材４
０１で囲まれた領域に充填材４３を注入し、充填材４３を封止材（図示せず）により注入
口を封止する。
【００１５】
図４（Ｂ）に図４（Ａ）のＡ〜Ａ'の断面図を示す。
【００１６】
なお、ここでは説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路４０３を構成するＴＦＴ
４１３及び画素部４０２を構成するＥＬ駆動用ＴＦＴ４１４とＥＬ素子４１７のみを示す
。絶縁基板４１を画素基板と呼ぶことにする。ＥＬ素子４１７は、画素電極４０７とＥＬ
層４１６及び対向電極４０８により構成される。シール材４０１により、カバー材４２が
取り付けられ、画素基板４１とカバー材４２との間に充填材４３が封入されている。充填
材４３には、吸湿性物質（図示せず）が添加されている。この様にして、水分によるＥＬ
素子４１７の劣化を防いでいる。
【００１７】
ここで、４０６はＴＦＴ４１３及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４１４のゲート絶縁膜、４１５は
層間絶縁膜である。
【００１８】
なお、画素部４０２、ゲート信号線駆動回路４０３及びソース信号線駆動回路４０４に
入力される信号は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）基板４１０より配線４１
２（４１２ａ〜４１２ｃ）を通して入力される（図４（Ａ）参照）。ここで、配線４１２
は、画素基板４１とシール材４０１の間をとおって、ＦＰＣ基板４１０と各駆動回路を接
続している。なお、ＦＰＣ基板４１０は、外部入力端子４０９において、異方性導電性膜
（図示せず）により、配線４１２と接続されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
ＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の劣化を防ぐため、シール材を用いて、画素基板とカバ
ー材を貼り合わせＥＬ素子を封止する必要がある。
【００２０】
ここで、シール材の部分や各駆動回路部分などは、画素部とは異なり、画像を表示しな
い部分である。従来の表示装置では、表示画面に対して、この画像を表示しない部分の占
める割合が大きく、表示装置を小型化する上で問題となっていた。
【００２１】
そこで、表示装置において画素部以外の部分の面積を小さくすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
画素基板上のシール材で覆われた部分に、配線を形成する。なお、この配線を介してシ
ール材に紫外線を照射したときに、配線上部のシール材が、紫外線に十分露光される様に
、この配線の線幅を設定する。
【００２３】
これにより、表示装置内で、画素部及び駆動回路部周辺の配線とシール材とが占める面
積を減らし、表示装置を小型化することができる。
【００２４】
以下に本発明の構成を示す。
【００２５】
本発明によって、 基板と、カバー材と、シール材とを有し、 前記基板上に、複数の
画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、 前記複数の画素は
それぞれ、ＥＬ素子を有し、 前記カバー材は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外
線により硬化する材料を有し、 前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記基板
上に前記シール材を配置し、前記カバー材と前記基板とを、前記シール材をはさんで密着
させ、前記ＥＬ素子を密封した表示装置において、 前記シール材と、前記基板との間に
第１の配線が形成され、 前記第１の配線は、並列に接続された複数の第２の配線を有す
ることを特徴とする表示装置が提供される。
【００２６】
前記基板上の前記シール材に接する部分は、無機物質により形成されていることを特徴
とする表示装置であってもよい。
【００２７】
本発明によって、 第１の基板と、第２の基板と、シール材とを有し、 前記第１の基
板上に、複数の画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、 前
記第２の基板は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外線により硬化する材料を有し、
前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記第１の基板上にシール材を配置し、
前記第２の基板と前記第１の基板とを、前記シール材をはさんで密着させ、前記第１の基
板と、前記第２の基板と、前記シール材とによって囲まれた領域に、液晶を封入した表示
装置において、 前記シール材と前記第１の基板との間に第１の配線が形成され、 前記
第１の配線は、並列に接続された複数の第２の配線を有することを特徴とする表示装置が
提供される。
【００２８】
前記第1の基板上の前記シール材に接する部分は、無機物質により形成されていること
を特徴とする表示装置であってもよい。
【００２９】
前記並列に接続された複数の第２の配線の幅Ｌと、前記並列に接続された複数の第２の
配線の間隔Ｓの比Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５の値をとることを特徴とする表示装置であっ
てもよい。
【００３０】
前記並列に接続された複数の第２の配線の幅Ｌは、１００μｍ〜２００μｍの値をとり
、 前記並列に接続された複数の第２の配線の間隔Ｓは、５０μｍ〜１５０μｍの値をと
ることを特徴とする表示装置であってもよい。
【００３１】
前記配線は、前記複数の画素及び前記駆動回路が有するＴＦＴの、ソース配線及びドレ
イン配線を構成する物質と同じ物質で形成されていることを特徴とする表示装置であって
もよい。
【００３２】
本発明によって、 基板上に、複数の画素と、複数の外部入力端子とを有し、 前記複
数の画素は、ＥＬ素子を有する表示装置において、 前記ＥＬ素子に電流を供給する陽極
線は、前記複数の外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装置が提供される
。
【００３３】
本発明によって、 基板上に、複数の画素と、複数の外部入力端子とを有し、 前記複
数の画素は、ＥＬ素子を有する表示装置において、 前記ＥＬ素子から電流を引き出す陰
極線は、前記複数の外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装置が提供され
る。
【００３４】
前記複数の外部入力端子のうち、少なくとも１つの外部入力端子は、前記基板の一端の
近傍にあり、その他の外部入力端子は、前記基板の一端とは異なる、前記基板の一端の近
傍にあることを特徴とする表示装置であってもよい。
【００３５】
前記複数の外部入力端子のうち、少なくとも１つは、第１のＦＰＣ基板に接続され、そ
の他は、第２のＦＰＣ基板に接続されていることを特徴とした表示装置であってもよい。
【００３６】
前記複数の外部入力端子の間の距離が、前記基板の長辺の長さの１／２以上離れている
ことを特徴とする表示装置であってもよい。
【００３７】
本発明によって、 基板と、前記基板上に形成された第１の配線及び複数の画素と、遮
光性を有するカバー材と、シール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成さ
れた複数の画素は、前記シール材及び前記カバー材によって密封されており、 前記第１
の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有
しており、 前記第１の配線は、並列に接続された複数の第２の配線を有することを特徴
とする表示装置が提供される。
【００３８】
本発明によって、 基板と、前記基板上に形成された第１の配線及び複数の画素と、遮
光性を有するカバー材と、シール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成さ
れた複数の画素は、前記シール材及び前記カバー材によって密封されており、 前記複数
の画素はＥＬ素子をそれぞれ有しており、 前記第１の配線は前記シール材に覆われてお
り、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有しており、 前記第１の配線は、並
列に接続された複数の第２の配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
【００３９】
本発明によって、 基板と、前記基板上に形成された第１の配線及び複数の画素と、遮
光性を有するカバー材と、シール材と、液晶とを有する表示装置であって、 前記基板上
に形成された複数の画素と、前記液晶とは、前記シール材及び前記カバー材によって密封
されており、 前記第１の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線
により硬化する材料を有しており、 前記第１の配線は、並列に接続された複数の第２の
配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
【００４０】
前記表示装置を用いることを特徴とするビデオカメラ、画像再生装置、ヘッドマウント
ディスプレイ、携帯電話、携帯情報端末であってもよい。
【発明の効果】
【００４１】
ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの表示装置において、駆動回路周辺の配線が占める部
分や、シール材が形成された部分等、画像を表示しない部分の占める面積が大きく、表示
装置の小型化において問題となっていた。
【００４２】
しかし、本発明は、上記構成によって、駆動回路周辺の配線をシール材の部分にも形成
することができる。これにより、小型の表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の上面図及び断面図。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の上面図及び断面図。
【図３】本発明の表示装置の配線の形状を示す図。
【図４】従来のＥＬ表示装置の上面図及び断面図。
【図５】本発明の表示装置の電源線の配線を示す図。
【図６】本発明の液晶表示装置の上面図及び断面図。
【図７】本発明の液晶表示装置の上面図及び断面図。
【図８】本発明の表示装置を用いた電子機器の図。
【図９】ＥＬ表示装置の画素部の構成を示す図。
【図１０】液晶表示装置の画素部の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明の実施の形態について、図１を用いて説明する。
【００４５】
画素基板上のシール材で覆われた部分に、配線を形成したＥＬ表示装置について説明す
る。なお、本明細書では、画素基板上のシール材で覆われた部分を、封止領域と呼ぶこと
にする。
【００４６】
図１（Ａ）に、本発明のＥＬ表示装置の上面図を示す。画素基板７０１上に画素部７１
１及びゲート信号線駆動回路７０２、ソース信号線駆動回路７０３が形成されている。こ
の周りを囲んでシール材７０４が形成され、カバー材７０５が貼り付けられている。ＦＰ
Ｃ基板７０６は、外部入力端子７０７によって画素基板７０１上に接続されている。配線
７０８は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ゲー
ト信号線駆動回路７０２に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７０９
は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ソース信号
線駆動回路７０３に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７１０（配線
７１０ａ及び配線７１０ｂ）は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの
信号を受け取り、画素部７１１に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線
７０８〜７１０は、封止領域に形成されている。
【００４７】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ〜Ａ'の部分を示した断面図である。
【００４８】
なおここでは説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路７０２を構成する素子とし
てＴＦＴ７１２、画素部７１１を構成する素子としてＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のみを示す
。ＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、ＥＬ素
子７２１の画素電極７１４と接続され、ＥＬ素子７２１に入力される電流を制御する。こ
こで、７１６は層間絶縁膜、７１５はＥＬ層、７１７は絶縁膜、７１８は対向電極、７１
９は充填材、７２０はゲート絶縁膜である。なお、ここでは、層間絶縁膜７１６は無機物
質によって形成されているものとする。
【００４９】
ＴＦＴ７１２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース配線及びドレイン配線を構成する物
質と同様の物質を用い、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂが形成されている。
【００５０】
なお、配線７０８〜７１０のうち配線７０９については、配線７０８、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂと同様に形成されるので、説明を省略する。
【００５１】
ここで、シール材７０４として紫外線により硬化する材料を用いる場合が多い。また、
カバー材７０５として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そのため、カバー材７０
５側から紫外線照射してもシール材７０４を露光することができず、シール材７０４を硬
化させることができない。そこで、画素基板７０１側から、配線７０８、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂを介して紫外線照射し、シール材７０４を露光させる必要がある。
【００５２】
ここで、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂのうち、ビデオ信号線やパルス線
などは、比較的幅の狭い配線を用いる。一方、画素部の電源供給線へ電流を供給する電源
線や、ソース信号線駆動回路やゲート信号線駆動回路の電源線等に入力される電圧は、ビ
デオ信号線やパルス線に入力される電圧と比べて大きい。そのため、これらの電源線は、
ビデオ信号線やパルス線と比較して幅の広い配線を使用する必要がある。
【００５３】
しかし、幅の広い配線を用いると、配線を介して紫外線を照射した場合に配線の陰にな
ったシール材部分に、十分に紫外線が照射されない。すると、シール材が十分に硬化しな
い可能性がある。
【００５４】
そこで、本発明では、次のような配線の形状を考えた。その模式図を図３（Ａ）に示す
。なお、図３（Ａ）は、図１の封止領域の一部６６６の拡大図に相当する。
【００５５】
図３（Ａ）では、配線（第１の配線）７１０ｂのうち、ある１本の電源線７７７に注目
している。電源線７７７は、配線（第２の配線）Ａ１〜Ａ６を並列に接続することにより
形成されている。ここで、この様な形状の配線７７７を介してシール材７０４に紫外線を
照射する場合の説明をする。
【００５６】
なお、ここでは、１本の電源線７７７を６本の配線Ａ１〜Ａ６を並列に接続することに
よって構成しているが、本発明はこの構成に限定されない。一般に、１本の配線が、ｎ（
ｎは、２以上の自然数）本の配線（第２の配線）Ａ１〜Ａｎを並列に接続することによっ
て構成されていてもよい。
【００５７】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ〜Ａ'の断面図である。図３（Ｂ）において、図３（Ａ
）と同じ符号は同じ部分を示す。
【００５８】
図３（Ｂ）において、画素基板側から紫外線を照射すると配線Ａ１〜Ａ６の上のシール
材の部分６６０は陰になるが、配線の幅Ｌが十分に小さく、かつ配線の間隔Ｓが十分に大
きいとき、照射された紫外線は陰６６０の部分にも回り込む。
なお、配線のすぐ上部６００の部分は紫外線によって露光されないが、配線幅が大きい場
合と比べて、この６００の部分は十分に小さく、全体としてシール材を十分に露光するこ
とができる。
【００５９】
具体的には、配線Ａ１〜Ａ６の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値を取り、配線Ａ１〜
Ａ６のそれぞれの配線間の間隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、Ｌ／Ｓが０．７〜
１．５になるような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部
のシール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【００６０】
更に好ましくは、配線Ａ１〜Ａ６の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、配線Ａ１〜Ａ６
のそれぞれの配線間の間隔Ｓが、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値
となるような形状の配線の場合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる
。
【００６１】
なお、図３では、配線７１０ｂのうち、ある１本の電源線７７７に注目したが、封止領
域に形成された、その他の配線幅が問題となる配線においても、同様の形状とすることが
できる。
【００６２】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【００６３】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００６４】
本実施例では、発明の実施の形態とは異なった構成のアクティブマトリクス型ＥＬ表示
装置について図２を用いて説明する。なお、図１と同じ部分は、同じ符号を用いて表す。
【００６５】
図２（Ａ）に、本発明のＥＬ表示装置の上面図を示す。画素基板７０１上に画素部７１
１及びゲート信号線駆動回路７０２、ソース信号線駆動回路７０３が形成されている。こ
の周りを囲んでシール材７０４が形成され、カバー材７０５が貼り付けられている。ＦＰ
Ｃ基板７０６は、外部入力端子７０７によって画素基板７０１上に接続されている。配線
７０８は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ゲー
ト信号線駆動回路７０２に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７０９
は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ソース信号
線駆動回路７０３に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７１０ａ及び
配線７１０ｂは、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り
、画素部７１１に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線７０８〜７１０
は、封止領域に形成されている。
【００６６】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ〜Ａ'の部分を示した断面図である。
【００６７】
なおここでは、説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路７０２を構成する素子と
してＴＦＴ７１２、画素部７１１を構成する素子としてＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のみを示
す。ＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、ＥＬ
素子７２１の画素電極７１４と接続され、ＥＬ素子７２１に入力される電流を制御する。
ここで、層間絶縁膜７１６、ＥＬ層７１５、絶縁膜７１７、対向電極７１８、充填材７１
９、ゲート絶縁膜７２０である。なお、ここでは、層間絶縁膜７１６は有機物質によって
形成されているものとする。
【００６８】
ＴＦＴ７１２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース配線及びドレイン配線を構成する物
質と同様の物質を用い、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂが形成されている。
【００６９】
なお、配線７０８〜７１０のうち配線７０９については、配線７０８、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂと同様に形成されるので、説明を省略する。
【００７０】
層間絶縁膜７１６として、有機物質が使用されているため、この有機物質上に直接、配
線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを形成すると密着性が悪い。
また、有機物質から配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを構成する材料に不純物
が導入されて配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂが劣化するなどの問題がある。
そこで、有機物質で形成された層間絶縁膜７１６を除いて配線７０８、配線７１０ａ及び
配線７１０ｂを形成する必要がある。
【００７１】
なお、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを形成する部分の層間絶縁膜７１６
を取り除く工程は、ＴＦＴ７１２や画素ＴＦＴ７１３のソース配線及びドレイン配線を形
成する際、それらのＴＦＴのソース領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に
行うことができる。
【００７２】
また、シール材７０４として、紫外線により硬化する材料を用いる場合が多い。また、
カバー材７０５として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そのため、カバー材側か
ら紫外線照射してもシール材を硬化させることができない。そこで、画素基板７０１側か
ら、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを介して紫外線照射し、シール材７０４
を硬化させる必要がある。しかし配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂとして、幅
の広い配線を用いると、配線の陰になったシール材７０４の部分は、十分に紫外線が照射
されずシール材７０４が十分に硬化しない可能性がある。
【００７３】
そこで、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂとして、１本の幅の広い配線を用
いる代わりに、図３に示した様に、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
【００７４】
具体的には、複数の配線の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値をとり、複数の配線の間
隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、複数の配線の幅Ｌと複数の配線の間隔Ｓとの比
Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【００７５】
更に好ましくは、複数の配線の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、複数の配線の間隔Ｓ
が、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
【００７６】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【実施例２】
【００７７】
本実施例では、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の画素部の電源供給線に電流を供
給する電源線の配線例について説明する。
【００７８】
ここで、再び図１（Ａ）を参照する。ＥＬ素子７２１を駆動する電流は、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂの電源線を通って、画素部７１１の電源供給線に入力される。画素部７１
１の電源供給線は、７１０ａ及び７１０ｂの電源線により、２箇所から電流が供給されて
いる。
【００７９】
一方、図４に示した従来のＥＬ表示装置では、画素部４０２の電源供給線は、４１２ａの
電源線より、１箇所から電流が供給されている。本発明のアクティブマトリクス型ＥＬ表
示装置において、画素部の２箇所から画素部に電流を供給している理由を説明する。
【００８０】
１つのＦＰＣ基板が接続された外部入力端子が一箇所にあり、画素部の一方から、電流
が供給される場合と、外部入力端子が二箇所に分割してあり、それぞれにＦＰＣ基板（第
１のＦＰＣ基板及び第２のＦＰＣ基板）が接続され、画素部の２方向から電源供給線に電
流が供給される場合の、電源線の配線例を図５に模式的に示す。電源線として、ＥＬ素子
の陽極に接続する陽極線と、陰極に接続する陰極線を示す。図５（Ａ）は、外部入力端子
７０７が一箇所にある。一方、図５（Ｂ）では外部入力端子７０７を二箇所（基板の一端
及び前記基板の一端とは異なる基板の一端近傍）に分割し、それぞれから、陽極線及び陽
極線を画素部に配線している。
【００８１】
図５（Ａ）では、陽極線及び陰極線の入力口から離れた側の電源供給線では、Ｒ１の長
さの分だけ配線抵抗が増加し、それによる電位降下のため、電源供給線よりＥＬ素子に印
加される電圧が低下し、画質の低下を招く。
【００８２】
一方、図５（Ｂ）では、一方の陽極線及び陰極線の入力口１から離れた側に、もう一方
の入力口２を設け、入力口１及び入力口２の両方から電源供給線に電流を供給する。これ
により、配線抵抗による電圧の低下に由来する、画質の低下を軽減することができる。
【００８３】
なお、図５（Ｂ）の様に外部入力端子を２箇所に設ける際、この２つの外部入力端子間
の距離を、画素部の形成された基板の長辺の長さの１／２以上離すことで、配線抵抗によ
る電圧の低下に由来する画質の低下を軽減する効果が高まる。
【００８４】
なお、配線抵抗がそれ程問題とならない場合は、外部入力端子を１箇所に形成してもよ
い。
【００８５】
なお、本実施例は、発明の実施の形態や実施例１と組み合わせて実行することが可能で
ある。
【実施例３】
【００８６】
本実施例では、封止領域部分に配線を形成する手法を用いた液晶表示装置について説明
する。
【００８７】
液晶表示装置の駆動方法としては、アクティブマトリクス型が挙げられる。
【００８８】
まず、図１０にアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素部の構成を示す。
アクティブマトリクス型液晶表示装置では、各画素がそれぞれＴＦＴを有している。ゲー
ト信号線駆動回路からの選択信号が入力されるゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が
有する画素ＴＦＴ１００２のゲート電極に接続されている。また、各画素の有する画素Ｔ
ＦＴ１００２のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線駆動回路から信号が入
力されるソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、他方が、保持容量１００１の一方の電極と、液
晶１００３を挟む２つの電極の一方と接続されている。
【００８９】
ゲート信号線Ｇ１に信号が入力されるとゲート信号線Ｇ１に接続されたすべての画素Ｔ
ＦＴ１００２のゲート電極に信号が入力され、画素ＴＦＴ１００２は、オンになる。画素
ＴＦＴ１００２がオンになった画素に、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）から信号が入力され
ると、保持容量１００１に電荷が保持され、この保持された電荷により液晶１００３を挟
んだ電極間に電圧が印加される。この印加電圧により、液晶分子の配向を制御し、透過光
量を制御する。すべてのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に関してこの動作を繰り返し、画像
の表示を行う。
【００９０】
次に、アクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶の封止について説明する。
【００９１】
液晶表示装置では、液晶を挟んだ２つの電極間に電圧を印加することによって、液晶の
配向を制御し、表示を行う。ここで、電極間に液晶を挟んだ状態を保持する為、それぞれ
に電極が形成された２つの絶縁基板を、それぞれの電極が向かい合う向きにシール材で接
着し、その間に液晶を封入する必要がある。
【００９２】
図６に、液晶表示装置の２つの基板を貼り合わせて、その間に液晶を封入したところの
模式図を示す。
【００９３】
図６（Ａ）は、液晶表示装置の上面図である。シール材３０１としては、エポキシ系樹
脂等が用いられる。配向膜（図示せず）を形成し、ラビング処理を施された基板３１にお
いて、画素部３０２及びゲート信号線駆動回路３０３、ソース信号線駆動回路３０４を囲
むようにシール材３０１を形成する。この際、後に液晶を注入する為の注入口として開口
部（図示せず）をシール材３０１の一部に形成しておく。次にスペーサー（図示せず）を
散布し、もう一方の基板３２と貼り合わせる。
【００９４】
スペーサ−の径によって、基板３１と基板３２との距離が定まったら、基板３１もしく
は基板３２を介して、シール材３０１部分に紫外線を照射したり、熱を加えるなどして、
シール材３０１を硬化させ、基板３１と基板３２とを密着させる。
【００９５】
なお、熱を加えることによって、シール材３０１を硬化させ、基板３１と基板３２とを
貼り合わせる手法では、加圧しながら熱処理する必要があり、基板３１と基板３２の熱膨
張により、張り合わせの位置がずれる問題が深刻である。また、熱硬化には時間がかかる
という問題もある。その為、熱硬化ではなく、紫外線照射により、シール材を硬化させる
工程が多く使用される。
【００９６】
その後、液晶注入口より液晶３３を注入し、封止材（図示せず）により液晶注入口をふ
さいで液晶３３が外部に流れ出てこないようにする。なお、この封止材としては、熱硬化
の材料ではなく、紫外線により硬化する材料を用いる。これは、液晶３３を注入した後に
熱を加えた場合、液晶３３が劣化するのを防ぐためである。
【００９７】
シール材３０１や封止材には、イオンを含む湿気などの液晶を汚染する物質を、通過さ
せないようにする働きもある。
【００９８】
次に、ソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路のそれぞれに入力される信号を
伝達する配線について説明する。
【００９９】
外部からのビデオ信号などが、ゲート信号線駆動回路３０３及びソース信号線駆動回路
３０４に入力され、画素部３０２に入力される信号が構成される。ここで、外部からゲー
ト信号線駆動回路３０３及びソース信号線駆動回路３０４に入力される信号は、画素基板
３１上の外部入力端子３０９に貼り付けられた、ＦＰＣ基板３１０より入力される。ＦＰ
Ｃ基板３１０は、外部入力端子３０９において、異方性導電性膜（図示せず）によって画
素基板上に形成された配線３１２と接続される。この配線３１２（３１２ａ、３１２ｂ）
は、シール材３０１の間を通ってゲート信号線駆動回路３０３及びソース信号線駆動回路
３０４に接続されている。
【０１００】
配線３１２ａは、外部入力端子３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの信号を受け取
り、ゲート信号線駆動回路３０３に伝達する配線である。配線３１２ｂは、外部入力端子
３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの信号を受け取り、ソース信号線駆動回路３０４
に伝達する配線である。ここで、配線３１２ａ及び配線３１２ｂは、画素基板３１上のシ
ール材３０１に覆われた部分（封止領域）に形成されている。
【０１０１】
図６（Ｂ）に図６（Ａ）のＢ〜Ｂ'の断面図を示す。なお、図６（Ａ）と同じ部分は、
同じ符号で表す。
【０１０２】
ここでは、説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路３０３を構成するＴＦＴ１１
４及び画素部３０２を構成する画素ＴＦＴ３１４のみを示す。画素部及び駆動回路を構成
するＴＦＴが形成された基板３１を画素基板と呼ぶことにする。また、画素基板上に取り
付けられた電極３０７を画素電極と呼ぶ。もう一方の基板３２は、対向基板と呼ぶことに
する。また、対向基板側に取り付けられた電極３０８を対向電極と呼ぶ。この画素電極３
０７や対向電極３０８に印加される電圧を制御して画像の表示を行う。
【０１０３】
ここで、３０６はＴＦＴ１１４及びＴＦＴ画素３１４のゲート絶縁膜である。
また、３１５は層間絶縁膜、１１２は遮光層である。なお、ここでは配向膜は図示してい
ない。
【０１０４】
画素ＴＦＴ３１４のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、画素電極３０
７と接続し、画素電極３０７に印加される電圧を制御している。なお、ここでは、層間絶
縁膜３１５は無機物質によって形成されているものとする。
【０１０５】
ここで、ＴＦＴ１１４や画素ＴＦＴ３１４のソース配線及びドレイン配線を構成する物
質と同様の物質を用い、配線３１２が形成されている。
【０１０６】
また、シール材３０１として紫外線により硬化する材料を用いたとする。対向基板３２
側から紫外線照射しても、遮光層１１２があるためシール材３０１を硬化させることがで
きない。そこで、画素基板３１側から、配線３１２ａを介して紫外線照射し、シール材３
０１を硬化させる必要がある。しかし、配線３１２ａとして幅の広い配線を用いると、配
線の陰になったシール材７０４の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材７０４が十
分に硬化しない可能性がある。
【０１０７】
そこで、配線３１２ａとして、１本の幅の広い配線を用いる代わりに、図３に示した様
に、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
【０１０８】
具体的には、複数の配線の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値をとり、複数の配線の間
隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、複数の配線の幅Ｌと複数の配線の間隔Ｓとの比
Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【０１０９】
更に好ましくは、複数の配線の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、複数の配線の間隔Ｓ
が、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
【０１１０】
なお、遮光層１１２が画素基板３１側に取り付けられている場合には，シール材３０１
を硬化させるために対向基板３２側から紫外線を照射する必要がある。
この時は、配線３１２ａは、照射される紫外線を遮ることは無いので、幅の広い形状のも
のを用いても問題ない。
【０１１１】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【実施例４】
【０１１２】
本実施例では、実施例３に述べた構造とは異なる構造の表示装置について、図７を用い
て説明する。なお、図７において、図６と同じ部分は同じ符号を用いて表す。
【０１１３】
図７（Ａ）は、本発明の液晶表示装置の上面図である。画素基板３１上に画素部３０２
及びゲート信号線駆動回路３０３、ソース信号線駆動回路３０４が形成されている。この
周りを囲んでシール材３０１が形成され、対向基板３２が貼り付けられ、間に液晶３３が
封入されている。ＦＰＣ基板３１０は、外部入力端子３０９によって画素基板３１上に接
続されている。配線３１２ａは、外部入力端子３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの
信号を受け取り、ゲート信号線駆動回路３０３に伝達する配線である。配線３１２ｂは、
外部入力端子３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの信号を受け取り、ソース信号線駆
動回路３０４に伝達する配線である。ここで、配線３１２ａ及び配線３１２ｂは、封止領
域に形成されている。
【０１１４】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ〜Ｂ'の部分を示した断面図である。ここで、図７（Ａ
）と同じ符号は同じ部分を表す。
【０１１５】
ここでは説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路３０３を構成する素子としてＴ
ＦＴ１１４のみを示す。また、画素部３０２を構成する素子として画素ＴＦＴ３１４のみ
を示す。画素ＴＦＴ３１４のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、画素電
極３０７と接続し、画素電極３０７に印加される電圧を制御している。
【０１１６】
ＴＦＴ１１４や画素ＴＦＴ３１４のソース配線及びドレイン配線を構成する物質と同様
の物質を用い、配線３１２が形成されている。なお、ここでは、層間絶縁膜３１５は有機
物質によって形成されているものとする。
【０１１７】
層間絶縁膜３１５として、有機物質が使用されているため、この有機物質上に直接、配
線３１２を形成すると密着性が悪い。また、有機物質から配線３１２を構成する材料に不
純物が導入されて配線３１２が劣化するなどの問題がある。そこで、有機物質で形成され
た層間絶縁膜３１５を除いて配線３１２を形成する必要がある。
【０１１８】
なお、配線３１２ａを形成する部分の層間絶縁膜３１５を取り除く工程は、ＴＦＴ１１
４や画素ＴＦＴ３１４のソース配線及びドレイン配線を形成する際、それらのソース領域
及びドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に行うことができる。
【０１１９】
また、シール材３０１として紫外線により硬化する材料を用いたとする。対向基板３２
側から紫外線照射しても、遮光層１１２があるためシール材３０１を硬化させることがで
きない。そこで、画素基板３１側から、配線３１２ａを介して紫外線照射し、シール材３
０１を硬化させる必要がある。しかし、配線３１２ａとして幅の広い配線を用いると、配
線の陰になったシール材７０４の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材７０４が十
分に硬化しない可能性がある。
【０１２０】
そこで配線３１２ａとして、１本の幅の広い配線を用いる代わりに、図３に示した様に
、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
【０１２１】
具体的には、複数の配線の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値をとり、複数の配線の間
隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、複数の配線の幅Ｌと複数の配線の間隔Ｓとの比
Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【０１２２】
更に好ましくは、複数の配線の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、複数の配線の間隔Ｓ
が、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
【０１２３】
なお、遮光層１１２が画素基板３１側に取り付けられている場合には，シール材３０１
を硬化させるために対向基板３２側から紫外線を照射する事となる。この時は、配線３１
２ａは、照射される紫外線を遮ることは無いので、幅の広い形状のものを用いても問題な
い。
【０１２４】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【実施例５】
【０１２５】
本実施例では、本発明を用いて形成された表示装置を表示媒体として組み込んだ電子機
器について説明する。
【０１２６】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプ
レイ（ゴーグル型ディスプレイ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュ
ータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げら
れる。それらの一例を図８に示す。
【０１２７】
図８（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、筐体２００２、表示部２
００３、キーボード２００４等を含む。本発明の表示装置はパーソナルコンピュータの表
示部２００３に用いることができる。
【０１２８】
図８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０
３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明の表
示装置はビデオカメラの表示部２１０２に用いることができる。
【０１２９】
図８（Ｃ）は頭部取り付け型の表示装置の一部（右片側）であり、本体２３０１、信号
ケーブル２３０２、頭部固定バンド２３０３、表示モニタ２３０４、光学系２３０５、表
示部２３０６等を含む。本発明の表示装置は頭部取り付け型の表示装置の表示部２３０６
に用いることができる。
【０１３０】
図８（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２４０２、操作スイッチ２４０３、
表示部（ａ）２４０４、表示部（ｂ）２４０５等を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の表示装置は記録媒
体を備えた画像再生装置の表示部（ａ）２４０４、表示部（ｂ）２４０５に用いることが
できる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置としては、ＣＤ再生装置、ゲーム機器など
に本発明を用いることができる。
【０１３１】
図８（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュータであり、本体２５０１、カメラ部２５０
２、受像部２５０３、操作スイッチ２５０４、表示部２５０５等を含む。本発明の表示装
置２５０５は携帯型（モバイル）コンピュータの表示部２５０５に用いることができる。
【０１３２】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用すること
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜４のどのような組み合わせからな
る構成を用いても実現することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止構造を有する表示装置に関する。特に、半導体素子（半導体薄膜を用い
た素子）を用いたアクティブマトリクス型表示装置に関する。また、アクティブマトリク
ス型表示装置を、表示部に用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラット型ディスプレイとして、ＥＬ素子を有したＥＬ表示装置等の電気光学装
置が注目されている。
【０００３】
ＥＬ素子は一対の電極（陽極と陰極）間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ
層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーの
Tangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。こ
の構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められているＥＬ表示装置は殆どこ
の構造を採用している。
【０００４】
また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入
層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造でも良い。発光層
に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
【０００５】
本明細書において陰極と陽極の間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よっ
て上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全てＥＬ層
に含まれる。
【０００６】
そして、上記構造でなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層
においてキャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書においてＥＬ素子が発光す
ることを、ＥＬ素子が駆動すると呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で
形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。
【０００７】
なお、本明細書中において、ＥＬ素子とは、一重項励起子からの発光（蛍光）
を利用するものと、三重項励起子からの発光（燐光）を利用するものの両方を示すものと
する。
【０００８】
ＥＬ表示装置の構成として、アクティブマトリクス型が挙げられる。
【０００９】
図９に、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の画素部の構成の例を示す。アクティブマ
トリクス型ＥＬ表示装置では、各画素が薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）を
有している。ゲート信号線駆動回路から選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）
は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴ９０１のゲート電極に接続されている。また、
各画素が有するスイッチング用ＴＦＴ９０１のソース領域とドレイン領域は、一方がソー
ス信号線駆動回路から信号を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、他方がＥＬ駆動用
ＴＦＴ９０２のゲート電極及び各画素が有するコンデンサ９０３の一方の電極に接続され
ている。コンデンサ９０３のもう一方の電極は、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に接続されて
いる。各画素の有するＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２のソース領域とドレイン領域の一方は、電
源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に、他方は、各画素が有するＥＬ素子９０４に接続されている。
【００１０】
ゲート信号線駆動回路によりゲート信号線Ｇ１が選択され信号が入力されると、ゲート
信号線Ｇ１に接続されたスイッチングＴＦＴ９０１がオンになる。ここで、ソース信号線
駆動回路よりソース信号線Ｓ１〜Ｓｘに信号が入力されると、信号が入力された画素にお
いて、ＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２がオンになり、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）よりＥＬ素子９
０４に電流が流れて、ＥＬ素子９０４は発光する。この動作をすべてのゲート信号線Ｇ１
〜Ｇｙについて繰り返し、画像の表示を行う。
【００１１】
ＥＬ素子９０４は、陽極と、陰極と、陽極と陰極の間に設けられたＥＬ層とを有する。
ＥＬ素子９０４の陽極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２のソース領域またはドレイン領域と接続
している場合、ＥＬ素子９０４の陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に、ＥＬ素
子９０４の陰極がＥＬ駆動用ＴＦＴ９０２のソース領域またはドレイン領域と接続してい
る場合、ＥＬ素子９０４の陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【００１２】
なお、本明細書において、対向電極の電位を対向電位という。なお、対向電極に対向電
位を与える電源を対向電源と呼ぶ。画素電極の電位と対向電極の電位の電位差がＥＬ駆動
電圧であり、このＥＬ駆動電圧がＥＬ層に印加される。
【００１３】
ここで、有機ＥＬ層は、水分や酸素により、劣化するという問題がある。その為、ＥＬ
層を形成した後、大気中に出さずに窒素雰囲気中で、紫外線硬化樹脂により封止するのが
一般的である。図４にＥＬ表示装置の封止の例を示す。
【００１４】
図４（Ａ）にＥＬ表示装置の上面図を示す。ＥＬ素子を有する画素部４０２、ゲート信
号線駆動回路４０３及びソース信号線駆動回路４０４を有する絶縁基板４１上に、画素部
４０２、ゲート信号線駆動回路４０３及びソース信号線駆動回路４０４を囲むようにシー
ル材４０１を形成する。この際、後に充填材４３を注入するための注入口として開口部（
図示せず）を設けておく。その後スペーサー（図示せず）を撒布してカバー材４２を貼り
合わせる。シール材４０１を紫外線照射により硬化させた後、カバー材４２とシール材４
０１で囲まれた領域に充填材４３を注入し、充填材４３を封止材（図示せず）により注入
口を封止する。
【００１５】
図４（Ｂ）に図４（Ａ）のＡ〜Ａ'の断面図を示す。
【００１６】
なお、ここでは説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路４０３を構成するＴＦＴ
４１３及び画素部４０２を構成するＥＬ駆動用ＴＦＴ４１４とＥＬ素子４１７のみを示す
。絶縁基板４１を画素基板と呼ぶことにする。ＥＬ素子４１７は、画素電極４０７とＥＬ
層４１６及び対向電極４０８により構成される。シール材４０１により、カバー材４２が
取り付けられ、画素基板４１とカバー材４２との間に充填材４３が封入されている。充填
材４３には、吸湿性物質（図示せず）が添加されている。この様にして、水分によるＥＬ
素子４１７の劣化を防いでいる。
【００１７】
ここで、４０６はＴＦＴ４１３及びＥＬ駆動用ＴＦＴ４１４のゲート絶縁膜、４１５は
層間絶縁膜である。
【００１８】
なお、画素部４０２、ゲート信号線駆動回路４０３及びソース信号線駆動回路４０４に
入力される信号は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）基板４１０より配線４１
２（４１２ａ〜４１２ｃ）を通して入力される（図４（Ａ）参照）。ここで、配線４１２
は、画素基板４１とシール材４０１の間をとおって、ＦＰＣ基板４１０と各駆動回路を接
続している。なお、ＦＰＣ基板４１０は、外部入力端子４０９において、異方性導電性膜
（図示せず）により、配線４１２と接続されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
ＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の劣化を防ぐため、シール材を用いて、画素基板とカバ
ー材を貼り合わせＥＬ素子を封止する必要がある。
【００２０】
ここで、シール材の部分や各駆動回路部分などは、画素部とは異なり、画像を表示しな
い部分である。従来の表示装置では、表示画面に対して、この画像を表示しない部分の占
める割合が大きく、表示装置を小型化する上で問題となっていた。
【００２１】
そこで、表示装置において画素部以外の部分の面積を小さくすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
画素基板上のシール材で覆われた部分に、配線を形成する。なお、この配線を介してシ
ール材に紫外線を照射したときに、配線上部のシール材が、紫外線に十分露光される様に
、この配線の線幅を設定する。
【００２３】
これにより、表示装置内で、画素部及び駆動回路部周辺の配線とシール材とが占める面
積を減らし、表示装置を小型化することができる。
【００２４】
以下に本発明の構成を示す。
【００２５】
本発明によって、 基板と、カバー材と、シール材とを有し、 前記基板上に、複数の
画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、 前記複数の画素は
それぞれ、ＥＬ素子を有し、 前記カバー材は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外
線により硬化する材料を有し、 前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記基板
上に前記シール材を配置し、前記カバー材と前記基板とを、前記シール材をはさんで密着
させ、前記ＥＬ素子を密封した表示装置において、 前記シール材と、前記基板との間に
第１の配線が形成され、 前記第１の配線は、並列に接続された複数の第２の配線を有す
ることを特徴とする表示装置が提供される。
【００２６】
前記基板上の前記シール材に接する部分は、無機物質により形成されていることを特徴
とする表示装置であってもよい。
【００２７】
本発明によって、 第１の基板と、第２の基板と、シール材とを有し、 前記第１の基
板上に、複数の画素と、前記複数の画素に信号を入力するための駆動回路とを有し、 前
記第２の基板は、遮光性を有し、 前記シール材は、紫外線により硬化する材料を有し、
前記複数の画素と、前記駆動回路とを囲んで、前記第１の基板上にシール材を配置し、
前記第２の基板と前記第１の基板とを、前記シール材をはさんで密着させ、前記第１の基
板と、前記第２の基板と、前記シール材とによって囲まれた領域に、液晶を封入した表示
装置において、 前記シール材と前記第１の基板との間に第１の配線が形成され、 前記
第１の配線は、並列に接続された複数の第２の配線を有することを特徴とする表示装置が
提供される。
【００２８】
前記第1の基板上の前記シール材に接する部分は、無機物質により形成されていること
を特徴とする表示装置であってもよい。
【００２９】
前記並列に接続された複数の第２の配線の幅Ｌと、前記並列に接続された複数の第２の
配線の間隔Ｓの比Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５の値をとることを特徴とする表示装置であっ
てもよい。
【００３０】
前記並列に接続された複数の第２の配線の幅Ｌは、１００μｍ〜２００μｍの値をとり
、 前記並列に接続された複数の第２の配線の間隔Ｓは、５０μｍ〜１５０μｍの値をと
ることを特徴とする表示装置であってもよい。
【００３１】
前記配線は、前記複数の画素及び前記駆動回路が有するＴＦＴの、ソース配線及びドレ
イン配線を構成する物質と同じ物質で形成されていることを特徴とする表示装置であって
もよい。
【００３２】
本発明によって、 基板上に、複数の画素と、複数の外部入力端子とを有し、 前記複
数の画素は、ＥＬ素子を有する表示装置において、 前記ＥＬ素子に電流を供給する陽極
線は、前記複数の外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装置が提供される
。
【００３３】
本発明によって、 基板上に、複数の画素と、複数の外部入力端子とを有し、 前記複
数の画素は、ＥＬ素子を有する表示装置において、 前記ＥＬ素子から電流を引き出す陰
極線は、前記複数の外部入力端子に接続されていることを特徴とする表示装置が提供され
る。
【００３４】
前記複数の外部入力端子のうち、少なくとも１つの外部入力端子は、前記基板の一端の
近傍にあり、その他の外部入力端子は、前記基板の一端とは異なる、前記基板の一端の近
傍にあることを特徴とする表示装置であってもよい。
【００３５】
前記複数の外部入力端子のうち、少なくとも１つは、第１のＦＰＣ基板に接続され、そ
の他は、第２のＦＰＣ基板に接続されていることを特徴とした表示装置であってもよい。
【００３６】
前記複数の外部入力端子の間の距離が、前記基板の長辺の長さの１／２以上離れている
ことを特徴とする表示装置であってもよい。
【００３７】
本発明によって、 基板と、前記基板上に形成された第１の配線及び複数の画素と、遮
光性を有するカバー材と、シール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成さ
れた複数の画素は、前記シール材及び前記カバー材によって密封されており、 前記第１
の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有
しており、 前記第１の配線は、並列に接続された複数の第２の配線を有することを特徴
とする表示装置が提供される。
【００３８】
本発明によって、 基板と、前記基板上に形成された第１の配線及び複数の画素と、遮
光性を有するカバー材と、シール材とを有する表示装置であって、 前記基板上に形成さ
れた複数の画素は、前記シール材及び前記カバー材によって密封されており、 前記複数
の画素はＥＬ素子をそれぞれ有しており、 前記第１の配線は前記シール材に覆われてお
り、 前記シール材は紫外線により硬化する材料を有しており、 前記第１の配線は、並
列に接続された複数の第２の配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
【００３９】
本発明によって、 基板と、前記基板上に形成された第１の配線及び複数の画素と、遮
光性を有するカバー材と、シール材と、液晶とを有する表示装置であって、 前記基板上
に形成された複数の画素と、前記液晶とは、前記シール材及び前記カバー材によって密封
されており、 前記第１の配線は前記シール材に覆われており、 前記シール材は紫外線
により硬化する材料を有しており、 前記第１の配線は、並列に接続された複数の第２の
配線を有することを特徴とする表示装置が提供される。
【００４０】
前記表示装置を用いることを特徴とするビデオカメラ、画像再生装置、ヘッドマウント
ディスプレイ、携帯電話、携帯情報端末であってもよい。
【発明の効果】
【００４１】
ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの表示装置において、駆動回路周辺の配線が占める部
分や、シール材が形成された部分等、画像を表示しない部分の占める面積が大きく、表示
装置の小型化において問題となっていた。
【００４２】
しかし、本発明は、上記構成によって、駆動回路周辺の配線をシール材の部分にも形成
することができる。これにより、小型の表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の上面図及び断面図。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の上面図及び断面図。
【図３】本発明の表示装置の配線の形状を示す図。
【図４】従来のＥＬ表示装置の上面図及び断面図。
【図５】本発明の表示装置の電源線の配線を示す図。
【図６】本発明の液晶表示装置の上面図及び断面図。
【図７】本発明の液晶表示装置の上面図及び断面図。
【図８】本発明の表示装置を用いた電子機器の図。
【図９】ＥＬ表示装置の画素部の構成を示す図。
【図１０】液晶表示装置の画素部の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明の実施の形態について、図１を用いて説明する。
【００４５】
画素基板上のシール材で覆われた部分に、配線を形成したＥＬ表示装置について説明す
る。なお、本明細書では、画素基板上のシール材で覆われた部分を、封止領域と呼ぶこと
にする。
【００４６】
図１（Ａ）に、本発明のＥＬ表示装置の上面図を示す。画素基板７０１上に画素部７１
１及びゲート信号線駆動回路７０２、ソース信号線駆動回路７０３が形成されている。こ
の周りを囲んでシール材７０４が形成され、カバー材７０５が貼り付けられている。ＦＰ
Ｃ基板７０６は、外部入力端子７０７によって画素基板７０１上に接続されている。配線
７０８は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ゲー
ト信号線駆動回路７０２に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７０９
は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ソース信号
線駆動回路７０３に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７１０（配線
７１０ａ及び配線７１０ｂ）は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの
信号を受け取り、画素部７１１に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線
７０８〜７１０は、封止領域に形成されている。
【００４７】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ〜Ａ'の部分を示した断面図である。
【００４８】
なおここでは説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路７０２を構成する素子とし
てＴＦＴ７１２、画素部７１１を構成する素子としてＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のみを示す
。ＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、ＥＬ素
子７２１の画素電極７１４と接続され、ＥＬ素子７２１に入力される電流を制御する。こ
こで、７１６は層間絶縁膜、７１５はＥＬ層、７１７は絶縁膜、７１８は対向電極、７１
９は充填材、７２０はゲート絶縁膜である。なお、ここでは、層間絶縁膜７１６は無機物
質によって形成されているものとする。
【００４９】
ＴＦＴ７１２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース配線及びドレイン配線を構成する物
質と同様の物質を用い、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂが形成されている。
【００５０】
なお、配線７０８〜７１０のうち配線７０９については、配線７０８、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂと同様に形成されるので、説明を省略する。
【００５１】
ここで、シール材７０４として紫外線により硬化する材料を用いる場合が多い。また、
カバー材７０５として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そのため、カバー材７０
５側から紫外線照射してもシール材７０４を露光することができず、シール材７０４を硬
化させることができない。そこで、画素基板７０１側から、配線７０８、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂを介して紫外線照射し、シール材７０４を露光させる必要がある。
【００５２】
ここで、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂのうち、ビデオ信号線やパルス線
などは、比較的幅の狭い配線を用いる。一方、画素部の電源供給線へ電流を供給する電源
線や、ソース信号線駆動回路やゲート信号線駆動回路の電源線等に入力される電圧は、ビ
デオ信号線やパルス線に入力される電圧と比べて大きい。そのため、これらの電源線は、
ビデオ信号線やパルス線と比較して幅の広い配線を使用する必要がある。
【００５３】
しかし、幅の広い配線を用いると、配線を介して紫外線を照射した場合に配線の陰にな
ったシール材部分に、十分に紫外線が照射されない。すると、シール材が十分に硬化しな
い可能性がある。
【００５４】
そこで、本発明では、次のような配線の形状を考えた。その模式図を図３（Ａ）に示す
。なお、図３（Ａ）は、図１の封止領域の一部６６６の拡大図に相当する。
【００５５】
図３（Ａ）では、配線（第１の配線）７１０ｂのうち、ある１本の電源線７７７に注目
している。電源線７７７は、配線（第２の配線）Ａ１〜Ａ６を並列に接続することにより
形成されている。ここで、この様な形状の配線７７７を介してシール材７０４に紫外線を
照射する場合の説明をする。
【００５６】
なお、ここでは、１本の電源線７７７を６本の配線Ａ１〜Ａ６を並列に接続することに
よって構成しているが、本発明はこの構成に限定されない。一般に、１本の配線が、ｎ（
ｎは、２以上の自然数）本の配線（第２の配線）Ａ１〜Ａｎを並列に接続することによっ
て構成されていてもよい。
【００５７】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ〜Ａ'の断面図である。図３（Ｂ）において、図３（Ａ
）と同じ符号は同じ部分を示す。
【００５８】
図３（Ｂ）において、画素基板側から紫外線を照射すると配線Ａ１〜Ａ６の上のシール
材の部分６６０は陰になるが、配線の幅Ｌが十分に小さく、かつ配線の間隔Ｓが十分に大
きいとき、照射された紫外線は陰６６０の部分にも回り込む。
なお、配線のすぐ上部６００の部分は紫外線によって露光されないが、配線幅が大きい場
合と比べて、この６００の部分は十分に小さく、全体としてシール材を十分に露光するこ
とができる。
【００５９】
具体的には、配線Ａ１〜Ａ６の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値を取り、配線Ａ１〜
Ａ６のそれぞれの配線間の間隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、Ｌ／Ｓが０．７〜
１．５になるような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部
のシール材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【００６０】
更に好ましくは、配線Ａ１〜Ａ６の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、配線Ａ１〜Ａ６
のそれぞれの配線間の間隔Ｓが、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値
となるような形状の配線の場合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる
。
【００６１】
なお、図３では、配線７１０ｂのうち、ある１本の電源線７７７に注目したが、封止領
域に形成された、その他の配線幅が問題となる配線においても、同様の形状とすることが
できる。
【００６２】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【００６３】
以下に、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００６４】
本実施例では、発明の実施の形態とは異なった構成のアクティブマトリクス型ＥＬ表示
装置について図２を用いて説明する。なお、図１と同じ部分は、同じ符号を用いて表す。
【００６５】
図２（Ａ）に、本発明のＥＬ表示装置の上面図を示す。画素基板７０１上に画素部７１
１及びゲート信号線駆動回路７０２、ソース信号線駆動回路７０３が形成されている。こ
の周りを囲んでシール材７０４が形成され、カバー材７０５が貼り付けられている。ＦＰ
Ｃ基板７０６は、外部入力端子７０７によって画素基板７０１上に接続されている。配線
７０８は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ゲー
ト信号線駆動回路７０２に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７０９
は、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り、ソース信号
線駆動回路７０３に伝達する、信号線や電源線等の複数の配線を示す。配線７１０ａ及び
配線７１０ｂは、外部入力端子７０７において、ＦＰＣ基板７０６からの信号を受け取り
、画素部７１１に伝達する、電源線等の複数の配線を示す。ここで、配線７０８〜７１０
は、封止領域に形成されている。
【００６６】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ〜Ａ'の部分を示した断面図である。
【００６７】
なおここでは、説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路７０２を構成する素子と
してＴＦＴ７１２、画素部７１１を構成する素子としてＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のみを示
す。ＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、ＥＬ
素子７２１の画素電極７１４と接続され、ＥＬ素子７２１に入力される電流を制御する。
ここで、層間絶縁膜７１６、ＥＬ層７１５、絶縁膜７１７、対向電極７１８、充填材７１
９、ゲート絶縁膜７２０である。なお、ここでは、層間絶縁膜７１６は有機物質によって
形成されているものとする。
【００６８】
ＴＦＴ７１２及びＥＬ駆動用ＴＦＴ７１３のソース配線及びドレイン配線を構成する物
質と同様の物質を用い、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂが形成されている。
【００６９】
なお、配線７０８〜７１０のうち配線７０９については、配線７０８、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂと同様に形成されるので、説明を省略する。
【００７０】
層間絶縁膜７１６として、有機物質が使用されているため、この有機物質上に直接、配
線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを形成すると密着性が悪い。
また、有機物質から配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを構成する材料に不純物
が導入されて配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂが劣化するなどの問題がある。
そこで、有機物質で形成された層間絶縁膜７１６を除いて配線７０８、配線７１０ａ及び
配線７１０ｂを形成する必要がある。
【００７１】
なお、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを形成する部分の層間絶縁膜７１６
を取り除く工程は、ＴＦＴ７１２や画素ＴＦＴ７１３のソース配線及びドレイン配線を形
成する際、それらのＴＦＴのソース領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に
行うことができる。
【００７２】
また、シール材７０４として、紫外線により硬化する材料を用いる場合が多い。また、
カバー材７０５として遮光性を有する材料を用いる場合が多い。そのため、カバー材側か
ら紫外線照射してもシール材を硬化させることができない。そこで、画素基板７０１側か
ら、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂを介して紫外線照射し、シール材７０４
を硬化させる必要がある。しかし配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂとして、幅
の広い配線を用いると、配線の陰になったシール材７０４の部分は、十分に紫外線が照射
されずシール材７０４が十分に硬化しない可能性がある。
【００７３】
そこで、配線７０８、配線７１０ａ及び配線７１０ｂとして、１本の幅の広い配線を用
いる代わりに、図３に示した様に、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
【００７４】
具体的には、複数の配線の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値をとり、複数の配線の間
隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、複数の配線の幅Ｌと複数の配線の間隔Ｓとの比
Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【００７５】
更に好ましくは、複数の配線の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、複数の配線の間隔Ｓ
が、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
【００７６】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【実施例２】
【００７７】
本実施例では、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の画素部の電源供給線に電流を供
給する電源線の配線例について説明する。
【００７８】
ここで、再び図１（Ａ）を参照する。ＥＬ素子７２１を駆動する電流は、配線７１０ａ及
び配線７１０ｂの電源線を通って、画素部７１１の電源供給線に入力される。画素部７１
１の電源供給線は、７１０ａ及び７１０ｂの電源線により、２箇所から電流が供給されて
いる。
【００７９】
一方、図４に示した従来のＥＬ表示装置では、画素部４０２の電源供給線は、４１２ａの
電源線より、１箇所から電流が供給されている。本発明のアクティブマトリクス型ＥＬ表
示装置において、画素部の２箇所から画素部に電流を供給している理由を説明する。
【００８０】
１つのＦＰＣ基板が接続された外部入力端子が一箇所にあり、画素部の一方から、電流
が供給される場合と、外部入力端子が二箇所に分割してあり、それぞれにＦＰＣ基板（第
１のＦＰＣ基板及び第２のＦＰＣ基板）が接続され、画素部の２方向から電源供給線に電
流が供給される場合の、電源線の配線例を図５に模式的に示す。電源線として、ＥＬ素子
の陽極に接続する陽極線と、陰極に接続する陰極線を示す。図５（Ａ）は、外部入力端子
７０７が一箇所にある。一方、図５（Ｂ）では外部入力端子７０７を二箇所（基板の一端
及び前記基板の一端とは異なる基板の一端近傍）に分割し、それぞれから、陽極線及び陽
極線を画素部に配線している。
【００８１】
図５（Ａ）では、陽極線及び陰極線の入力口から離れた側の電源供給線では、Ｒ１の長
さの分だけ配線抵抗が増加し、それによる電位降下のため、電源供給線よりＥＬ素子に印
加される電圧が低下し、画質の低下を招く。
【００８２】
一方、図５（Ｂ）では、一方の陽極線及び陰極線の入力口１から離れた側に、もう一方
の入力口２を設け、入力口１及び入力口２の両方から電源供給線に電流を供給する。これ
により、配線抵抗による電圧の低下に由来する、画質の低下を軽減することができる。
【００８３】
なお、図５（Ｂ）の様に外部入力端子を２箇所に設ける際、この２つの外部入力端子間
の距離を、画素部の形成された基板の長辺の長さの１／２以上離すことで、配線抵抗によ
る電圧の低下に由来する画質の低下を軽減する効果が高まる。
【００８４】
なお、配線抵抗がそれ程問題とならない場合は、外部入力端子を１箇所に形成してもよ
い。
【００８５】
なお、本実施例は、発明の実施の形態や実施例１と組み合わせて実行することが可能で
ある。
【実施例３】
【００８６】
本実施例では、封止領域部分に配線を形成する手法を用いた液晶表示装置について説明
する。
【００８７】
液晶表示装置の駆動方法としては、アクティブマトリクス型が挙げられる。
【００８８】
まず、図１０にアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素部の構成を示す。
アクティブマトリクス型液晶表示装置では、各画素がそれぞれＴＦＴを有している。ゲー
ト信号線駆動回路からの選択信号が入力されるゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が
有する画素ＴＦＴ１００２のゲート電極に接続されている。また、各画素の有する画素Ｔ
ＦＴ１００２のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線駆動回路から信号が入
力されるソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、他方が、保持容量１００１の一方の電極と、液
晶１００３を挟む２つの電極の一方と接続されている。
【００８９】
ゲート信号線Ｇ１に信号が入力されるとゲート信号線Ｇ１に接続されたすべての画素Ｔ
ＦＴ１００２のゲート電極に信号が入力され、画素ＴＦＴ１００２は、オンになる。画素
ＴＦＴ１００２がオンになった画素に、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）から信号が入力され
ると、保持容量１００１に電荷が保持され、この保持された電荷により液晶１００３を挟
んだ電極間に電圧が印加される。この印加電圧により、液晶分子の配向を制御し、透過光
量を制御する。すべてのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に関してこの動作を繰り返し、画像
の表示を行う。
【００９０】
次に、アクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶の封止について説明する。
【００９１】
液晶表示装置では、液晶を挟んだ２つの電極間に電圧を印加することによって、液晶の
配向を制御し、表示を行う。ここで、電極間に液晶を挟んだ状態を保持する為、それぞれ
に電極が形成された２つの絶縁基板を、それぞれの電極が向かい合う向きにシール材で接
着し、その間に液晶を封入する必要がある。
【００９２】
図６に、液晶表示装置の２つの基板を貼り合わせて、その間に液晶を封入したところの
模式図を示す。
【００９３】
図６（Ａ）は、液晶表示装置の上面図である。シール材３０１としては、エポキシ系樹
脂等が用いられる。配向膜（図示せず）を形成し、ラビング処理を施された基板３１にお
いて、画素部３０２及びゲート信号線駆動回路３０３、ソース信号線駆動回路３０４を囲
むようにシール材３０１を形成する。この際、後に液晶を注入する為の注入口として開口
部（図示せず）をシール材３０１の一部に形成しておく。次にスペーサー（図示せず）を
散布し、もう一方の基板３２と貼り合わせる。
【００９４】
スペーサ−の径によって、基板３１と基板３２との距離が定まったら、基板３１もしく
は基板３２を介して、シール材３０１部分に紫外線を照射したり、熱を加えるなどして、
シール材３０１を硬化させ、基板３１と基板３２とを密着させる。
【００９５】
なお、熱を加えることによって、シール材３０１を硬化させ、基板３１と基板３２とを
貼り合わせる手法では、加圧しながら熱処理する必要があり、基板３１と基板３２の熱膨
張により、張り合わせの位置がずれる問題が深刻である。また、熱硬化には時間がかかる
という問題もある。その為、熱硬化ではなく、紫外線照射により、シール材を硬化させる
工程が多く使用される。
【００９６】
その後、液晶注入口より液晶３３を注入し、封止材（図示せず）により液晶注入口をふ
さいで液晶３３が外部に流れ出てこないようにする。なお、この封止材としては、熱硬化
の材料ではなく、紫外線により硬化する材料を用いる。これは、液晶３３を注入した後に
熱を加えた場合、液晶３３が劣化するのを防ぐためである。
【００９７】
シール材３０１や封止材には、イオンを含む湿気などの液晶を汚染する物質を、通過さ
せないようにする働きもある。
【００９８】
次に、ソース信号線駆動回路及びゲート信号線駆動回路のそれぞれに入力される信号を
伝達する配線について説明する。
【００９９】
外部からのビデオ信号などが、ゲート信号線駆動回路３０３及びソース信号線駆動回路
３０４に入力され、画素部３０２に入力される信号が構成される。ここで、外部からゲー
ト信号線駆動回路３０３及びソース信号線駆動回路３０４に入力される信号は、画素基板
３１上の外部入力端子３０９に貼り付けられた、ＦＰＣ基板３１０より入力される。ＦＰ
Ｃ基板３１０は、外部入力端子３０９において、異方性導電性膜（図示せず）によって画
素基板上に形成された配線３１２と接続される。この配線３１２（３１２ａ、３１２ｂ）
は、シール材３０１の間を通ってゲート信号線駆動回路３０３及びソース信号線駆動回路
３０４に接続されている。
【０１００】
配線３１２ａは、外部入力端子３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの信号を受け取
り、ゲート信号線駆動回路３０３に伝達する配線である。配線３１２ｂは、外部入力端子
３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの信号を受け取り、ソース信号線駆動回路３０４
に伝達する配線である。ここで、配線３１２ａ及び配線３１２ｂは、画素基板３１上のシ
ール材３０１に覆われた部分（封止領域）に形成されている。
【０１０１】
図６（Ｂ）に図６（Ａ）のＢ〜Ｂ'の断面図を示す。なお、図６（Ａ）と同じ部分は、
同じ符号で表す。
【０１０２】
ここでは、説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路３０３を構成するＴＦＴ１１
４及び画素部３０２を構成する画素ＴＦＴ３１４のみを示す。画素部及び駆動回路を構成
するＴＦＴが形成された基板３１を画素基板と呼ぶことにする。また、画素基板上に取り
付けられた電極３０７を画素電極と呼ぶ。もう一方の基板３２は、対向基板と呼ぶことに
する。また、対向基板側に取り付けられた電極３０８を対向電極と呼ぶ。この画素電極３
０７や対向電極３０８に印加される電圧を制御して画像の表示を行う。
【０１０３】
ここで、３０６はＴＦＴ１１４及びＴＦＴ画素３１４のゲート絶縁膜である。
また、３１５は層間絶縁膜、１１２は遮光層である。なお、ここでは配向膜は図示してい
ない。
【０１０４】
画素ＴＦＴ３１４のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、画素電極３０
７と接続し、画素電極３０７に印加される電圧を制御している。なお、ここでは、層間絶
縁膜３１５は無機物質によって形成されているものとする。
【０１０５】
ここで、ＴＦＴ１１４や画素ＴＦＴ３１４のソース配線及びドレイン配線を構成する物
質と同様の物質を用い、配線３１２が形成されている。
【０１０６】
また、シール材３０１として紫外線により硬化する材料を用いたとする。対向基板３２
側から紫外線照射しても、遮光層１１２があるためシール材３０１を硬化させることがで
きない。そこで、画素基板３１側から、配線３１２ａを介して紫外線照射し、シール材３
０１を硬化させる必要がある。しかし、配線３１２ａとして幅の広い配線を用いると、配
線の陰になったシール材７０４の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材７０４が十
分に硬化しない可能性がある。
【０１０７】
そこで、配線３１２ａとして、１本の幅の広い配線を用いる代わりに、図３に示した様
に、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
【０１０８】
具体的には、複数の配線の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値をとり、複数の配線の間
隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、複数の配線の幅Ｌと複数の配線の間隔Ｓとの比
Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【０１０９】
更に好ましくは、複数の配線の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、複数の配線の間隔Ｓ
が、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
【０１１０】
なお、遮光層１１２が画素基板３１側に取り付けられている場合には，シール材３０１
を硬化させるために対向基板３２側から紫外線を照射する必要がある。
この時は、配線３１２ａは、照射される紫外線を遮ることは無いので、幅の広い形状のも
のを用いても問題ない。
【０１１１】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【実施例４】
【０１１２】
本実施例では、実施例３に述べた構造とは異なる構造の表示装置について、図７を用い
て説明する。なお、図７において、図６と同じ部分は同じ符号を用いて表す。
【０１１３】
図７（Ａ）は、本発明の液晶表示装置の上面図である。画素基板３１上に画素部３０２
及びゲート信号線駆動回路３０３、ソース信号線駆動回路３０４が形成されている。この
周りを囲んでシール材３０１が形成され、対向基板３２が貼り付けられ、間に液晶３３が
封入されている。ＦＰＣ基板３１０は、外部入力端子３０９によって画素基板３１上に接
続されている。配線３１２ａは、外部入力端子３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの
信号を受け取り、ゲート信号線駆動回路３０３に伝達する配線である。配線３１２ｂは、
外部入力端子３０９において、ＦＰＣ基板３１０からの信号を受け取り、ソース信号線駆
動回路３０４に伝達する配線である。ここで、配線３１２ａ及び配線３１２ｂは、封止領
域に形成されている。
【０１１４】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ〜Ｂ'の部分を示した断面図である。ここで、図７（Ａ
）と同じ符号は同じ部分を表す。
【０１１５】
ここでは説明を簡単にするため、ゲート信号線駆動回路３０３を構成する素子としてＴ
ＦＴ１１４のみを示す。また、画素部３０２を構成する素子として画素ＴＦＴ３１４のみ
を示す。画素ＴＦＴ３１４のソース領域もしくはドレイン領域のどちらか一方が、画素電
極３０７と接続し、画素電極３０７に印加される電圧を制御している。
【０１１６】
ＴＦＴ１１４や画素ＴＦＴ３１４のソース配線及びドレイン配線を構成する物質と同様
の物質を用い、配線３１２が形成されている。なお、ここでは、層間絶縁膜３１５は有機
物質によって形成されているものとする。
【０１１７】
層間絶縁膜３１５として、有機物質が使用されているため、この有機物質上に直接、配
線３１２を形成すると密着性が悪い。また、有機物質から配線３１２を構成する材料に不
純物が導入されて配線３１２が劣化するなどの問題がある。そこで、有機物質で形成され
た層間絶縁膜３１５を除いて配線３１２を形成する必要がある。
【０１１８】
なお、配線３１２ａを形成する部分の層間絶縁膜３１５を取り除く工程は、ＴＦＴ１１
４や画素ＴＦＴ３１４のソース配線及びドレイン配線を形成する際、それらのソース領域
及びドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する時に同時に行うことができる。
【０１１９】
また、シール材３０１として紫外線により硬化する材料を用いたとする。対向基板３２
側から紫外線照射しても、遮光層１１２があるためシール材３０１を硬化させることがで
きない。そこで、画素基板３１側から、配線３１２ａを介して紫外線照射し、シール材３
０１を硬化させる必要がある。しかし、配線３１２ａとして幅の広い配線を用いると、配
線の陰になったシール材７０４の部分は、十分に紫外線が照射されずシール材７０４が十
分に硬化しない可能性がある。
【０１２０】
そこで配線３１２ａとして、１本の幅の広い配線を用いる代わりに、図３に示した様に
、複数の配線を並列に接続したものを用いる。
【０１２１】
具体的には、複数の配線の幅Ｌが１００μｍ〜２００μｍの値をとり、複数の配線の間
隔Ｓが５０μｍ〜１５０μｍの値をとり、複数の配線の幅Ｌと複数の配線の間隔Ｓとの比
Ｌ／Ｓが、０．７〜１．５になるような形状の配線を用いる。
このような形状の配線の場合、その配線を介して照射された紫外線は、配線上部のシール
材を十分に露光し、シール材を十分に硬化することができる。
【０１２２】
更に好ましくは、複数の配線の幅Ｌが１５０μｍ以下の値を取り、複数の配線の間隔Ｓ
が、１００μｍ以上の値をとり、Ｌ／Ｓが、１．５以下の値となるような形状の配線の場
合、その配線上部のシール材を十分に硬化することができる。
【０１２３】
なお、遮光層１１２が画素基板３１側に取り付けられている場合には，シール材３０１
を硬化させるために対向基板３２側から紫外線を照射する事となる。この時は、配線３１
２ａは、照射される紫外線を遮ることは無いので、幅の広い形状のものを用いても問題な
い。
【０１２４】
この様に、封止領域に配線を形成することができる。これにより、画素部以外の領域の
面積を少なくすることができ、表示装置を小型化することができる。
【実施例５】
【０１２５】
本実施例では、本発明を用いて形成された表示装置を表示媒体として組み込んだ電子機
器について説明する。
【０１２６】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプ
レイ（ゴーグル型ディスプレイ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュ
ータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げら
れる。それらの一例を図８に示す。
【０１２７】
図８（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、筐体２００２、表示部２
００３、キーボード２００４等を含む。本発明の表示装置はパーソナルコンピュータの表
示部２００３に用いることができる。
【０１２８】
図８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０
３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明の表
示装置はビデオカメラの表示部２１０２に用いることができる。
【０１２９】
図８（Ｃ）は頭部取り付け型の表示装置の一部（右片側）であり、本体２３０１、信号
ケーブル２３０２、頭部固定バンド２３０３、表示モニタ２３０４、光学系２３０５、表
示部２３０６等を含む。本発明の表示装置は頭部取り付け型の表示装置の表示部２３０６
に用いることができる。
【０１３０】
図８（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２４０２、操作スイッチ２４０３、
表示部（ａ）２４０４、表示部（ｂ）２４０５等を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の表示装置は記録媒
体を備えた画像再生装置の表示部（ａ）２４０４、表示部（ｂ）２４０５に用いることが
できる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置としては、ＣＤ再生装置、ゲーム機器など
に本発明を用いることができる。
【０１３１】
図８（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュータであり、本体２５０１、カメラ部２５０
２、受像部２５０３、操作スイッチ２５０４、表示部２５０５等を含む。本発明の表示装
置２５０５は携帯型（モバイル）コンピュータの表示部２５０５に用いることができる。
【０１３２】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用すること
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜４のどのような組み合わせからな
る構成を用いても実現することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記有機樹脂からなる層間絶縁膜の少なくとも一部は重ねられていないことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記有機樹脂からなる層間絶縁膜は重ねられていないことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機材料からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機材料からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機材料からなる層間絶縁膜は接して重ねられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記有機樹脂からなる層間絶縁膜の少なくとも一部は重ねられていないことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記有機樹脂からなる層間絶縁膜は重ねられていないことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機材料からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機材料からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された無機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された発光素子と、
第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、を有する発光装置であって、
前記第１の基板と前記第２の基板は、光を用いてシール材で接着され、
前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、
前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、
前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、
前記シール材と前記無機材料からなる層間絶縁膜は接して重ねられていることを特徴とする発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−４３８０３（Ｐ２０１２−４３８０３Ａ）
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０８４６４（Ｐ２０１１−２０８４６４）
【出願日】平成２３年９月２６日（２０１１．９．２６）
【分割の表示】特願２０１０−２２４６３９（Ｐ２０１０−２２４６３９）の分割
【原出願日】平成１３年７月２３日（２００１．７．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２６日（２０１１．９．２６）
【分割の表示】特願２０１０−２２４６３９（Ｐ２０１０−２２４６３９）の分割
【原出願日】平成１３年７月２３日（２００１．７．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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