配線パターン、及びその製造方法
【課題】 高周波における配線パターンの抵抗値が小さく、性能の良好な配線パターン、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の配線パターンは、配線パターン２が設けられた絶縁基板１を備え、配線パターン２は、絶縁基板１上に設けられた帯状の導電パターン３と、この導電パターン３に沿って導電パターン３上に設けられた上部に丸み部４ａを有する絶縁体４と、この絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターン３に接続された導電体５とで形成されたため、配線パターン２の断面形状がドーム型をなし、従って、高周波においては表皮効果により、その上部の丸み部４ａで抵抗値が小さくなって、性能の良好なものが得られる。
【解決手段】 本発明の配線パターンは、配線パターン２が設けられた絶縁基板１を備え、配線パターン２は、絶縁基板１上に設けられた帯状の導電パターン３と、この導電パターン３に沿って導電パターン３上に設けられた上部に丸み部４ａを有する絶縁体４と、この絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターン３に接続された導電体５とで形成されたため、配線パターン２の断面形状がドーム型をなし、従って、高周波においては表皮効果により、その上部の丸み部４ａで抵抗値が小さくなって、性能の良好なものが得られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の高周波の電子回路ユニット等に使用して好適な配線パターン、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は従来の配線パターンに係る要部の拡大断面図であり、従来の配線パターンの構成を図１２に基づいて説明すると、絶縁基板５１の上面には、断面四角形の帯状の第１の配線パターン５２と、この第１の配線パターン５２上を含む絶縁基板５１の上面を覆う絶縁膜５３と、この絶縁膜５３上に設けられた断面四角形の帯状の第２の配線パターン５４が設けられて、従来の配線パターンが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
しかし、従来の配線パターンは、第１，第２の配線パターン５２，５４が断面四角形をなしているため、高周波においては表皮効果により、その角部で抵抗値が上がって、性能が悪くなる。
【０００４】
また、従来の配線パターンの製造方法は、導電膜がエッチング加工されて、第１，第２の配線パター５２，５４が形成されている。（例えば、特許文献１参照）
従って、従来の配線パターンの製造方法によって形成された第１，第２の配線パターン５２，５４においても、断面四角形をなしているため、高周波においては表皮効果により、その角部で抵抗値が上がって、性能が悪くなる。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の配線パターン、及びその製造方法によって製造された配線パターンは、第１，第２の配線パターン５２，５４が断面四角形をなしているため、高周波においては表皮効果により、その角部で抵抗値が上がって、性能が悪くなるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は高周波における配線パターンの抵抗値が小さく、性能の良好な配線パターン、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、配線パターンが設けられた絶縁基板を備え、前記配線パターンは、前記絶縁基板上に設けられた帯状の導電パターンと、この導電パターンに沿って前記導電パターン上に設けられた上部に丸み部を有する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部が前記導電パターンに接続された導電体とで形成された構成とした。
また、第２の解決手段として、前記絶縁体が硬化された絶縁レジストによって形成された構成とした。
【０００９】
また、第３の解決手段として、前記配線パターンが渦巻き状に形成されて、インダクタが形成された構成とした。
また、第４の解決手段として、前記絶縁基板の両面には、互いに対向する位置に渦巻き状の前記配線パターンが設けられて前記インダクタを形成した構成とした。
【００１０】
また、第５の解決手段として、前記配線パターンを形成する前記導電パターンは、中間部にスリットが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターンの端部を繋ぐ接続パターンを有し、前記インダクタは、前記第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターン上に設けられた前記絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの前記第１，第２の分離パターンに接続された前記導電体とで形成された構成とした。
【００１１】
また、第６の解決手段として、請求項１，又は２の何れかに記載の配線パターンを備え、前記導電パターンが前記絶縁基板に形成された後、粘性のある前記絶縁体が前記導電パターン上に設けられ、前記絶縁体を加熱して硬化させることによって、前記絶縁体の上部に丸み部を形成し、前記絶縁体の表面を覆うように前記導電体を形成すると共に、前記導電体の両側部を前記導電パターンに接続した製造方法とした。
また、第７の解決手段として、前記絶縁体が絶縁レジストによって形成されると共に、前記絶縁体が前記導電パターン上に印刷によって形成された製造方法とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の配線パターンは、配線パターンが設けられた絶縁基板を備え、配線パターンは、絶縁基板上に設けられた帯状の導電パターンと、この導電パターンに沿って導電パターン上に設けられた上部に丸み部を有する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターンに接続された導電体とで形成されたため、配線パターンの断面形状がドーム型をなし、従って、高周波においては表皮効果により、その上部の丸み部で抵抗値が小さくなって、性能の良好なものが得られる。
【００１３】
また、絶縁体が硬化された絶縁レジストによって形成されたため、材料費が安価で、且つ、上部の丸み部を確実に形成できる。
【００１４】
また、配線パターンが渦巻き状に形成されて、インダクタが形成されたため、断面形状がドーム型をなした配線パターンによって、高周波における表皮効果により電流密度が高くなって、抵抗値が低くなるので、インダクタのＱを高くすることが出来る。
【００１５】
また、絶縁基板の両面には、互いに対向する位置に渦巻き状の配線パターンが設けられてインダクタを形成したため、インダクタの断面が絶縁基板を挟んで円形状となり、従って、電流密度が一層高くなって、インダクタのＱを一層高くすることが出来る。
【００１６】
また、配線パターンを形成する導電パターンは、中間部にスリットが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターンの端部を繋ぐ接続パターンを有し、インダクタは、第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターン上に設けられた絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの第１，第２の分離パターンに接続された導電体とで形成されたため、スリットによって、漏洩磁束による大きな過電流の経路を分断し、大きな過電流の発生を防止すると共に、断面形状がドーム型をなした配線パターンによって、高周波における表皮効果により電流密度が高くなって、抵抗値が低くなるので、インダクタのＱを高くすることが出来る。
【００１７】
また、配線パターンを備え、導電パターンが絶縁基板に形成された後、粘性のある絶縁体が導電パターン上に設けられ、絶縁体を加熱して硬化させることによって、絶縁体の上部に丸み部を形成し、絶縁体の表面を覆うように導電体を形成すると共に、導電体の両側部を導電パターンに接続したため、上部の丸みを確実に形成できると共に、表皮効果による抵抗値が小さくなって、性能の良好なものが得られる。
【００１８】
また、絶縁体が絶縁レジストによって形成されると共に、絶縁体が導電パターン上に印刷によって形成されたため、安価で、製造の容易なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の配線パターン、及びその製造方法の図面を説明すると、図１は本発明の配線パターンの第１実施例に係る要部の拡大平面図、図２は図１の２−２線における断面図、図３は本発明の配線パターンの製造方法に係る第１工程を示す説明図、図４は本発明の配線パターンの製造方法に係る第２工程を示す説明図、図５は本発明の配線パターンの製造方法に係る第３工程を示す説明図、図６は本発明の配線パターンの製造方法に係る第４工程を示す説明図である。
【００２０】
また、図７は本発明の配線パターンの第２実施例に係る要部の拡大平面図、図８は図７の８−８線のける拡大断面図、図９は本発明の配線パターンの第３実施例に係る要部の拡大平面図、図１０は図９の１０−１０線のける拡大断面図、図１１は本発明の配線パターンの第４実施例に係る要部の拡大断面図である。
【００２１】
次に、本発明の配線パターンの第１実施例に係る構成を図１，図２に基づいて説明すると、絶縁基板１の上面には、断面がドーム型をなした配線パターン２が形成されており、この配線パターン２は、絶縁基板１上に設けられた帯状の導電パターン３と、この導電パターン３に沿って導電パターン３上に設けられた上部に丸み部４ａを有する絶縁体４と、この絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターン３に接続された導電体５とで形成されて、本発明の配線パターンが構成されている。
【００２２】
そして、導電パターン３は、印刷、メッキ、或いは蒸着等によって形成されると共に、絶縁体４は、硬化された絶縁レジストで形成されており、絶縁体４上に設けられる導電体５の形成が容易となっている。
【００２３】
次に、本発明の配線パターンの製造方法を図３〜図６に基づいて説明すると、先ず、図３に示すように、導電パターン３が絶縁基板１に形成された後、粘性のある絶縁レジストからなる絶縁体４が印刷によって導電パターン３上に設けられる。
そして、粘性のある絶縁体４を加熱して硬化すると、絶縁体４の体積が小さくなるため、絶縁体４の上部に丸み部４ａが形成される。
【００２４】
次に、絶縁体４を硬化した後、絶縁体４の表面を覆うように導電体５を形成すると、導電体５の両側部が導電パターン３に接続され、ドーム型をなした配線パターン２が形成されて、本発明の配線パターンの製造が完了する。
【００２５】
また、図７，図８は本発明の配線パターンの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、配線パターン２が渦巻き状に形成されて、インダクタＬが形成されたもので、この実施例では、約１巻きのもので説明したが、１巻き以上のものでも良い。
即ち、インダクタＬは、渦巻き状に形成された導電パターン３と、この導電パターン３上に設けられた絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターン３に接続された導電体５とで形成されている。
そして、この実施例では、導電パターン３の幅Ｓ１と高さ（絶縁基板１から導電体５の頂部までの距離）Ｔ１との比率、幅Ｓ１：高さＴ１は、約２：１となって、断面が半円形となっている。
【００２６】
また、図９，図１０は本発明の配線パターンの第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、配線パターン２を形成する導電パターン３は、中間部にスリット３ａが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃと、この第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃの端部を繋ぐ接続パターン３ｄを有し、インダクタＬは、第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃと、この第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃ上に設けられた絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃに接続された導電体５とで形成されたものである。
そして、この実施例では、第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃの幅Ｓ２と高さ（絶縁基板１から導電体５の頂部までの距離）Ｔ２との比率、幅Ｓ２：高さＴ２は、約２：１となって、断面が半円形となっている。
【００２７】
また、図１１は本発明の配線パターンの第４実施例を示し、この第４実施例について説明すると、絶縁基板１の両面には、互いに対向する位置に上記第３実施例のインダクタＬが設けられ、インダクタＬの断面が絶縁基板１を挟んで円形状になったものである。
なお、その他の構成は、上記第３実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
また、この第４実施例は、図７，図８に示す第２実施例にも適用できること勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の配線パターンの第１実施例に係る要部の拡大平面図。
【図２】図１の２−２線における断面図。
【図３】本発明の配線パターンの製造方法に係る第１工程を示す説明図。
【図４】本発明の配線パターンの製造方法に係る第２工程を示す説明図。
【図５】本発明の配線パターンの製造方法に係る第３工程を示す説明図。
【図６】本発明の配線パターンの製造方法に係る第４工程を示す説明図。
【図７】本発明の配線パターンの第２実施例に係る要部の拡大平面図。
【図８】図７の８−８線のける拡大断面図。
【図９】本発明の配線パターンの第３実施例に係る要部の拡大平面図。
【図１０】図９の１０−１０線のける拡大断面図。
【図１１】本発明の配線パターンの第４実施例に係る要部の拡大断面図。
【図１２】従来の配線パターンに係る要部の拡大断面図。
【符号の説明】
【００２９】
１：絶縁基板
２：配線パターン
３：導電パターン
３ａ：スリット
３ｂ：第１の分離パターン
３ｃ：第２の分離パターン
３ｄ：接続パターン
４：絶縁体
４ａ：丸み部
５：導電体
Ｌ：インダクタ
Ｓ１，Ｓ２：幅
Ｔ１，Ｔ２：高さ
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の高周波の電子回路ユニット等に使用して好適な配線パターン、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は従来の配線パターンに係る要部の拡大断面図であり、従来の配線パターンの構成を図１２に基づいて説明すると、絶縁基板５１の上面には、断面四角形の帯状の第１の配線パターン５２と、この第１の配線パターン５２上を含む絶縁基板５１の上面を覆う絶縁膜５３と、この絶縁膜５３上に設けられた断面四角形の帯状の第２の配線パターン５４が設けられて、従来の配線パターンが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
しかし、従来の配線パターンは、第１，第２の配線パターン５２，５４が断面四角形をなしているため、高周波においては表皮効果により、その角部で抵抗値が上がって、性能が悪くなる。
【０００４】
また、従来の配線パターンの製造方法は、導電膜がエッチング加工されて、第１，第２の配線パター５２，５４が形成されている。（例えば、特許文献１参照）
従って、従来の配線パターンの製造方法によって形成された第１，第２の配線パターン５２，５４においても、断面四角形をなしているため、高周波においては表皮効果により、その角部で抵抗値が上がって、性能が悪くなる。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の配線パターン、及びその製造方法によって製造された配線パターンは、第１，第２の配線パターン５２，５４が断面四角形をなしているため、高周波においては表皮効果により、その角部で抵抗値が上がって、性能が悪くなるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は高周波における配線パターンの抵抗値が小さく、性能の良好な配線パターン、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、配線パターンが設けられた絶縁基板を備え、前記配線パターンは、前記絶縁基板上に設けられた帯状の導電パターンと、この導電パターンに沿って前記導電パターン上に設けられた上部に丸み部を有する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部が前記導電パターンに接続された導電体とで形成された構成とした。
また、第２の解決手段として、前記絶縁体が硬化された絶縁レジストによって形成された構成とした。
【０００９】
また、第３の解決手段として、前記配線パターンが渦巻き状に形成されて、インダクタが形成された構成とした。
また、第４の解決手段として、前記絶縁基板の両面には、互いに対向する位置に渦巻き状の前記配線パターンが設けられて前記インダクタを形成した構成とした。
【００１０】
また、第５の解決手段として、前記配線パターンを形成する前記導電パターンは、中間部にスリットが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターンの端部を繋ぐ接続パターンを有し、前記インダクタは、前記第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターン上に設けられた前記絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの前記第１，第２の分離パターンに接続された前記導電体とで形成された構成とした。
【００１１】
また、第６の解決手段として、請求項１，又は２の何れかに記載の配線パターンを備え、前記導電パターンが前記絶縁基板に形成された後、粘性のある前記絶縁体が前記導電パターン上に設けられ、前記絶縁体を加熱して硬化させることによって、前記絶縁体の上部に丸み部を形成し、前記絶縁体の表面を覆うように前記導電体を形成すると共に、前記導電体の両側部を前記導電パターンに接続した製造方法とした。
また、第７の解決手段として、前記絶縁体が絶縁レジストによって形成されると共に、前記絶縁体が前記導電パターン上に印刷によって形成された製造方法とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の配線パターンは、配線パターンが設けられた絶縁基板を備え、配線パターンは、絶縁基板上に設けられた帯状の導電パターンと、この導電パターンに沿って導電パターン上に設けられた上部に丸み部を有する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターンに接続された導電体とで形成されたため、配線パターンの断面形状がドーム型をなし、従って、高周波においては表皮効果により、その上部の丸み部で抵抗値が小さくなって、性能の良好なものが得られる。
【００１３】
また、絶縁体が硬化された絶縁レジストによって形成されたため、材料費が安価で、且つ、上部の丸み部を確実に形成できる。
【００１４】
また、配線パターンが渦巻き状に形成されて、インダクタが形成されたため、断面形状がドーム型をなした配線パターンによって、高周波における表皮効果により電流密度が高くなって、抵抗値が低くなるので、インダクタのＱを高くすることが出来る。
【００１５】
また、絶縁基板の両面には、互いに対向する位置に渦巻き状の配線パターンが設けられてインダクタを形成したため、インダクタの断面が絶縁基板を挟んで円形状となり、従って、電流密度が一層高くなって、インダクタのＱを一層高くすることが出来る。
【００１６】
また、配線パターンを形成する導電パターンは、中間部にスリットが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターンの端部を繋ぐ接続パターンを有し、インダクタは、第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターン上に設けられた絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの第１，第２の分離パターンに接続された導電体とで形成されたため、スリットによって、漏洩磁束による大きな過電流の経路を分断し、大きな過電流の発生を防止すると共に、断面形状がドーム型をなした配線パターンによって、高周波における表皮効果により電流密度が高くなって、抵抗値が低くなるので、インダクタのＱを高くすることが出来る。
【００１７】
また、配線パターンを備え、導電パターンが絶縁基板に形成された後、粘性のある絶縁体が導電パターン上に設けられ、絶縁体を加熱して硬化させることによって、絶縁体の上部に丸み部を形成し、絶縁体の表面を覆うように導電体を形成すると共に、導電体の両側部を導電パターンに接続したため、上部の丸みを確実に形成できると共に、表皮効果による抵抗値が小さくなって、性能の良好なものが得られる。
【００１８】
また、絶縁体が絶縁レジストによって形成されると共に、絶縁体が導電パターン上に印刷によって形成されたため、安価で、製造の容易なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の配線パターン、及びその製造方法の図面を説明すると、図１は本発明の配線パターンの第１実施例に係る要部の拡大平面図、図２は図１の２−２線における断面図、図３は本発明の配線パターンの製造方法に係る第１工程を示す説明図、図４は本発明の配線パターンの製造方法に係る第２工程を示す説明図、図５は本発明の配線パターンの製造方法に係る第３工程を示す説明図、図６は本発明の配線パターンの製造方法に係る第４工程を示す説明図である。
【００２０】
また、図７は本発明の配線パターンの第２実施例に係る要部の拡大平面図、図８は図７の８−８線のける拡大断面図、図９は本発明の配線パターンの第３実施例に係る要部の拡大平面図、図１０は図９の１０−１０線のける拡大断面図、図１１は本発明の配線パターンの第４実施例に係る要部の拡大断面図である。
【００２１】
次に、本発明の配線パターンの第１実施例に係る構成を図１，図２に基づいて説明すると、絶縁基板１の上面には、断面がドーム型をなした配線パターン２が形成されており、この配線パターン２は、絶縁基板１上に設けられた帯状の導電パターン３と、この導電パターン３に沿って導電パターン３上に設けられた上部に丸み部４ａを有する絶縁体４と、この絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターン３に接続された導電体５とで形成されて、本発明の配線パターンが構成されている。
【００２２】
そして、導電パターン３は、印刷、メッキ、或いは蒸着等によって形成されると共に、絶縁体４は、硬化された絶縁レジストで形成されており、絶縁体４上に設けられる導電体５の形成が容易となっている。
【００２３】
次に、本発明の配線パターンの製造方法を図３〜図６に基づいて説明すると、先ず、図３に示すように、導電パターン３が絶縁基板１に形成された後、粘性のある絶縁レジストからなる絶縁体４が印刷によって導電パターン３上に設けられる。
そして、粘性のある絶縁体４を加熱して硬化すると、絶縁体４の体積が小さくなるため、絶縁体４の上部に丸み部４ａが形成される。
【００２４】
次に、絶縁体４を硬化した後、絶縁体４の表面を覆うように導電体５を形成すると、導電体５の両側部が導電パターン３に接続され、ドーム型をなした配線パターン２が形成されて、本発明の配線パターンの製造が完了する。
【００２５】
また、図７，図８は本発明の配線パターンの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、配線パターン２が渦巻き状に形成されて、インダクタＬが形成されたもので、この実施例では、約１巻きのもので説明したが、１巻き以上のものでも良い。
即ち、インダクタＬは、渦巻き状に形成された導電パターン３と、この導電パターン３上に設けられた絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部が導電パターン３に接続された導電体５とで形成されている。
そして、この実施例では、導電パターン３の幅Ｓ１と高さ（絶縁基板１から導電体５の頂部までの距離）Ｔ１との比率、幅Ｓ１：高さＴ１は、約２：１となって、断面が半円形となっている。
【００２６】
また、図９，図１０は本発明の配線パターンの第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、配線パターン２を形成する導電パターン３は、中間部にスリット３ａが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃと、この第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃの端部を繋ぐ接続パターン３ｄを有し、インダクタＬは、第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃと、この第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃ上に設けられた絶縁体４の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃに接続された導電体５とで形成されたものである。
そして、この実施例では、第１，第２の分離パターン３ｂ、３ｃの幅Ｓ２と高さ（絶縁基板１から導電体５の頂部までの距離）Ｔ２との比率、幅Ｓ２：高さＴ２は、約２：１となって、断面が半円形となっている。
【００２７】
また、図１１は本発明の配線パターンの第４実施例を示し、この第４実施例について説明すると、絶縁基板１の両面には、互いに対向する位置に上記第３実施例のインダクタＬが設けられ、インダクタＬの断面が絶縁基板１を挟んで円形状になったものである。
なお、その他の構成は、上記第３実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
また、この第４実施例は、図７，図８に示す第２実施例にも適用できること勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の配線パターンの第１実施例に係る要部の拡大平面図。
【図２】図１の２−２線における断面図。
【図３】本発明の配線パターンの製造方法に係る第１工程を示す説明図。
【図４】本発明の配線パターンの製造方法に係る第２工程を示す説明図。
【図５】本発明の配線パターンの製造方法に係る第３工程を示す説明図。
【図６】本発明の配線パターンの製造方法に係る第４工程を示す説明図。
【図７】本発明の配線パターンの第２実施例に係る要部の拡大平面図。
【図８】図７の８−８線のける拡大断面図。
【図９】本発明の配線パターンの第３実施例に係る要部の拡大平面図。
【図１０】図９の１０−１０線のける拡大断面図。
【図１１】本発明の配線パターンの第４実施例に係る要部の拡大断面図。
【図１２】従来の配線パターンに係る要部の拡大断面図。
【符号の説明】
【００２９】
１：絶縁基板
２：配線パターン
３：導電パターン
３ａ：スリット
３ｂ：第１の分離パターン
３ｃ：第２の分離パターン
３ｄ：接続パターン
４：絶縁体
４ａ：丸み部
５：導電体
Ｌ：インダクタ
Ｓ１，Ｓ２：幅
Ｔ１，Ｔ２：高さ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが設けられた絶縁基板を備え、前記配線パターンは、前記絶縁基板上に設けられた帯状の導電パターンと、この導電パターンに沿って前記導電パターン上に設けられた上部に丸み部を有する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部が前記導電パターンに接続された導電体とで形成されたことを特徴とする配線パターン。
【請求項２】
前記絶縁体が硬化された絶縁レジストによって形成されたことを特徴とする請求項１記載の配線パターン。
【請求項３】
前記配線パターンが渦巻き状に形成されて、インダクタが形成されたことを特徴とする請求項１，又は２記載の配線パターン。
【請求項４】
前記絶縁基板の両面には、互いに対向する位置に渦巻き状の前記配線パターンが設けられて前記インダクタを形成したことを特徴とする請求項３記載の配線パターン。
【請求項５】
前記配線パターンを形成する前記導電パターンは、中間部にスリットが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターンの端部を繋ぐ接続パターンを有し、前記インダクタは、前記第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターン上に設けられた前記絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの前記第１，第２の分離パターンに接続された前記導電体とで形成されたことを特徴とする請求項３、又は４記載の配線パターン。
【請求項６】
請求項１，又は２の何れかに記載の配線パターンを備え、前記導電パターンが前記絶縁基板に形成された後、粘性のある前記絶縁体が前記導電パターン上に設けられ、前記絶縁体を加熱して硬化させることによって、前記絶縁体の上部に丸み部に形成し、前記絶縁体の表面を覆うように前記導電体を形成すると共に、前記導電体の両側部を前記導電パターンに接続したことを特徴とする配線パターンの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁体が絶縁レジストによって形成されると共に、前記絶縁体が前記導電パターン上に印刷によって形成されたことを特徴とする請求項６記載の配線パターンの製造方法。
【請求項１】
配線パターンが設けられた絶縁基板を備え、前記配線パターンは、前記絶縁基板上に設けられた帯状の導電パターンと、この導電パターンに沿って前記導電パターン上に設けられた上部に丸み部を有する絶縁体と、この絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部が前記導電パターンに接続された導電体とで形成されたことを特徴とする配線パターン。
【請求項２】
前記絶縁体が硬化された絶縁レジストによって形成されたことを特徴とする請求項１記載の配線パターン。
【請求項３】
前記配線パターンが渦巻き状に形成されて、インダクタが形成されたことを特徴とする請求項１，又は２記載の配線パターン。
【請求項４】
前記絶縁基板の両面には、互いに対向する位置に渦巻き状の前記配線パターンが設けられて前記インダクタを形成したことを特徴とする請求項３記載の配線パターン。
【請求項５】
前記配線パターンを形成する前記導電パターンは、中間部にスリットが設けられて、互いに平行に配置された第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターンの端部を繋ぐ接続パターンを有し、前記インダクタは、前記第１，第２の分離パターンと、この第１，第２の分離パターン上に設けられた前記絶縁体の表面を覆うように形成され、両側部がそれぞれの前記第１，第２の分離パターンに接続された前記導電体とで形成されたことを特徴とする請求項３、又は４記載の配線パターン。
【請求項６】
請求項１，又は２の何れかに記載の配線パターンを備え、前記導電パターンが前記絶縁基板に形成された後、粘性のある前記絶縁体が前記導電パターン上に設けられ、前記絶縁体を加熱して硬化させることによって、前記絶縁体の上部に丸み部に形成し、前記絶縁体の表面を覆うように前記導電体を形成すると共に、前記導電体の両側部を前記導電パターンに接続したことを特徴とする配線パターンの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁体が絶縁レジストによって形成されると共に、前記絶縁体が前記導電パターン上に印刷によって形成されたことを特徴とする請求項６記載の配線パターンの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００６−１４０４３１（Ｐ２００６−１４０４３１Ａ）
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１４４１９８（Ｐ２００５−１４４１９８）
【出願日】平成１７年５月１７日（２００５．５．１７）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年５月１７日（２００５．５．１７）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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