配線回路基板
【課題】 端子部のベース絶縁層からの剥離を確実に防止しつつ、端子部と外部接続部材との確実な接続を確保することができ、端子部と外部接続部材との接続信頼性を向上させることのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 ベース絶縁層３に、各外部側接続端子９から連続する各配線１０の後端１３に対応して、端子凹部１１を形成し、各端子凹部１１内に各配線１０の後端１３を配置するとともに、各端子凹部１１内において、各外部側接続端子９のベース絶縁層３からの剥離を防止するために、各後端１３を被覆するように、剥離防止部１６を設ける。これによって、各剥離防止部１６の上面を、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置するか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置して、リード・ライト基板３１の各剥離防止部１６に対する干渉を回避する。
【解決手段】 ベース絶縁層３に、各外部側接続端子９から連続する各配線１０の後端１３に対応して、端子凹部１１を形成し、各端子凹部１１内に各配線１０の後端１３を配置するとともに、各端子凹部１１内において、各外部側接続端子９のベース絶縁層３からの剥離を防止するために、各後端１３を被覆するように、剥離防止部１６を設ける。これによって、各剥離防止部１６の上面を、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置するか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置して、リード・ライト基板３１の各剥離防止部１６に対する干渉を回避する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、通常、カバー絶縁層と、そのカバー絶縁層の上に形成される導体パターンと、その導体パターンを被覆するようにカバー絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを備えている。
このような配線回路基板には、電子部品を実装したり、他の配線回路基板と接続したり、あるいは、コネクタに差し込むための端子部が、例えば、配線回路基板の端部において、導体パターンの一部として設けられている。このような端子部は、例えば、導体パターンの端部においてランドとして形成され、カバー絶縁層は、そのランドが露出するように、導体パターンの途中までを被覆するように形成されている。
【０００３】
また、端子部の接続信頼性を向上させるためには、端子部がベース絶縁層から剥離することを防止する必要がある。そのため、例えば、配線回路基板の端部において、ベースフィルムの上に、本体側カバーフィルムから露出する端子部の遊端部を被覆する先端側カバーフィルムを設けることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−２０４６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のように、先端側カバーフィルムを設けると、その先端側カバーフィルムは、端子部の遊端部に被覆されるため、その端子部に接続される電子部品、他の配線回路基板あるはコネクタの接続部分が、先端側カバーフィルムと干渉して、却って端子部の接続信頼性を損ねるおそれがある。
本発明の目的は、端子部のベース絶縁層からの剥離を確実に防止しつつ、端子部と外部接続部材との確実な接続を確保することができ、端子部と外部接続部材との接続信頼性を向上させることのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、外部接続部材と接続される端子部を含む導体パターンと、前記端子部の前記ベース絶縁層からの剥離を防止するために、前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成された剥離防止カバー絶縁層とを備える配線回路基板において、前記剥離防止カバー絶縁層は、その表面が、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、前記端子部の表面と等しく配置されるか、または、前記端子部の表面に対して前記ベース絶縁層側に配置されていることを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の配線回路基板は、前記剥離防止カバー絶縁層が、前記端子部に接続される前記外部接続部材との対向位置に配置されている場合に、好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記ベース絶縁層には、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、一方が前記外部接続部材に近接し、他方が前記外部接続部材から離間する段差が形成されており、前記剥離防止カバー絶縁層は、前記段差に対して、前記外部接続部材から離間する他方側に配置されていることが好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線回路基板によれば、剥離防止カバー絶縁層の表面が、ベース絶縁層と導体パターンとの積層方向において、端子部の表面と等しく配置されるか、または、端子部の表面に対してベース絶縁層側に配置されている。そのため、外部接続部材を、剥離防止カバー絶縁層と対向するようにして端子部と接続しても、外部接続部材の剥離防止カバー絶縁層に対する干渉を回避しつつ、外部接続部材を端子部に接続することができる。その結果、端子部のベース絶縁層からの剥離を確実に防止しつつ、端子部と外部接続部材との確実な接続を確保することができ、端子部と外部接続部材との接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す斜視図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の端子配置部の要部平面図であり、図３は、図２におけるＡ−Ａ線断面図、図４は、図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板３１（図４参照）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【０００９】
この回路付サスペンション基板１は、図４に示すように、支持基板２と、支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備えている。なお、図１では、カバー絶縁層５が省略されている。
支持基板２は、図１において、長手方向に延びる薄板からなり、その先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル６が形成されており、また、その後端部には、後述する各外部側接続端子９を、支持基板２の長手方向に沿って配置するための端子配置部７が、幅方向（支持基板２の長手方向に直交する方向）の一方側に、平面視略矩形状に膨出するように形成されている。なお、支持基板２の厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍであり、その幅は、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。
【００１０】
ベース絶縁層３は、支持基板２における導体パターン４が形成される部分を含む所定のパターンとして形成されている。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、８〜２５μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍである。
ベース絶縁層３には、端子配置部７において、図２〜図４に示すように、後述する各外部側接続端子９から連続する各配線１０の後端１３に対応して、端子凹部１１が複数（４つ）形成されている。各端子凹部１１は、後述する各外部側接続端子９にリード・ライト基板３１の各端子３２が接続されたときに、リード・ライト基板３１との対向位置に形成されている。各端子凹部１１は、後述する各配線１０の端子配置部７における長手方向（回路付サスペンション基板１の幅方向、以下、配線１０の長手方向とする。）において、後述する外部側接続端子９の後端から、後述する剥離防止部１６が形成される部分までを含み、かつ、配線１０の幅方向（配線１０の長手方向と直交する方向）において、後述する剥離防止部１６が形成される部分を含むように、平面視略矩形状に形成されている。
【００１１】
各端子凹部１１の厚みは、各端子凹部１１以外のベース絶縁層３の厚みを１００％としたときの、例えば、１５〜９０％、好ましくは、２０〜７０％に設定されている。
また、各端子凹部１１における周端縁１２の段差Ｄ（各端子凹部１１の表面と、各端子凹部１１以外のベース絶縁層３の表面との差）は、例えば、２〜２３．５μｍ、好ましくは、４〜２３μｍに設定されている。
【００１２】
これによって、後述する各外部側接続端子９にリード・ライト基板３１の各端子３２が接続されたときに、各端子凹部１１における周端縁１２に対して、各端子凹部１１内の表面が、リード・ライト基板３１と離間し、各端子凹部１１の外側の表面が、リード・ライト基板３１と近接するように配置される。
導体パターン４は、図１に示すように、磁気ヘッド側接続端子８と、端子部としての外部側接続端子９と、磁気ヘッド側接続端子８および外部側接続端子９を接続する複数の配線１０とを一体的に備えている。複数の配線１０は、支持基板２の長手方向に沿って延び、その幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。導体パターン４の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。また、各配線１０の幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線１０間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。
【００１３】
磁気ヘッド側接続端子８は、支持基板２の先端部に配置され、各配線１０に対応して、それぞれ設けられている。各磁気ヘッド側接続端子８は、各配線１０の先端部から連続して、幅広のランドとして一体的に形成されており、支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この磁気ヘッド側接続端子８には、磁気ヘッド（図示せず）が実装される。
【００１４】
外部側接続端子９は、支持基板２の後端部であって、端子配置部７に配置され、各配線１０に対応して、それぞれ設けられている。各外部側接続端子９には、外部接続部材としてのリード・ライト基板３１の各端子３２が接続される。
各外部側接続端子９は、図２に示すように、各配線１０の後端部において、各配線１０の後端１３が残存するように、各配線１０の長手方向途中に設けられている。各外部側接続端子９は、配線１０の幅方向に膨出する平面視略矩形状のランドとして形成されている。なお、各外部側接続端子９の長さ（配線１０の長手方向の長さ）は、例えば、２０〜１５００μｍ、好ましくは、５０〜１０００μｍに設定され、その幅（配線１０の幅方向における長さ）は、例えば、１００〜１１００μｍ、好ましくは、１４０〜５４０μｍに設定されている。また、各外部側接続端子部９間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、５０〜５００μｍに設定されている。
【００１５】
また、各外部側接続端子９は、図４に示すように、配線１０の長手方向において、各端子凹部１１の周端縁１２に対して、端子凹部１１の外側（先端側）に配置されている。一方、各外部側接続端子９から連続する各配線１０の後端１３は、各端子凹部１１の周端縁１２に対して、端子凹部１１内に配置されている。これによって、各外部側接続端子９と各配線１０の後端１３との間には、各端子凹部１１の周端縁１２の段差に起因して、段差部１４が形成されている。
【００１６】
カバー絶縁層４は、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止カバー絶縁層としての剥離防止部１６とを備えている。なお、カバー絶縁層４（配線被覆部１５および剥離防止部１６を含む。）の厚みは、例えば、２〜１５μｍ、好ましくは、４〜１０μｍである。
配線被覆部１５は、磁気ヘッド側接続端子８および外部側接続端子９を除く各配線１０（後端１３を除く。）を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、所定のパターンで形成されている。
【００１７】
配線被覆部１５は、端子配置部７においては、図２に示すように、各外部側接続端子９よりも配線１０の長手方向先端側（回路付サスペンション基板１の幅方向内側）まで形成されており、それより、配線１０の長手方向後端側（回路付サスペンション基板１の幅方向外側）に配置されている各外部側接続端子９および各配線１０の後端１３が、配線被覆部１５から露出されている。
【００１８】
剥離防止部１６は、各外部側接続端子９にリード・ライト基板３１の端子３２が接続されたときに、リード・ライト基板３１との対向位置であって、各配線１０の後端１３に対応して複数設けられている。
各剥離防止部１６は、図３および図４に示すように、各端子凹部１１内において、各外部側接続端子９のベース絶縁層３からの剥離を防止するために、各配線１０の後端１３を被覆するように、配線１０の幅方向に延びるように設けられている。より具体的には、各剥離防止部１６は、配線１０の幅方向中央部先端側が各後端１３に対向し、配線１０の幅方向中央部後端側および配線１０の幅方向両端部が各端子凹部１１に対向する平面視略矩形細長形状に形成されている。
【００１９】
なお、各剥離防止部１６は、配線１０の幅方向両端部が各端子凹部１１の周端縁１２に接触するように配置され、配線１０の長手方向後端部が、各端子凹部１１の周端縁１２と配線１０の長手方向において間隔を隔てて対向配置されている。
そして、各剥離防止部１６は、このように、各端子凹部１１内に配置されていることから、各剥離防止部１６の上面が、各層（支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５）の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されている。好ましくは、各剥離防止部１６の上面は、各外部側接続端子９の上面よりも、例えば、１〜７μｍ、好ましくは、２〜５μｍベース絶縁層３側に配置されている。
【００２０】
また、この回路付サスペンション基板１では、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層２３が形成されている。
めっき層２３は、金めっき層やニッケルめっき層からなり、めっき層２３の厚みは、例えば、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．５〜５μｍ、金めっき層である場合には、例えば、０．０５〜３μｍである。
【００２１】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図５〜図８を参照しつつ説明する。なお、図５〜図８では、図４に対応する断面として示している。
この方法では、まず、図５（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、その金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。剛性、耐食性および加工性の観点から、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。
【００２２】
次いで、この方法では、図５（ｂ）に示すように、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、所定のパターンで形成する。
ベース絶縁層３を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミド樹脂が用いられる。また、好ましくは、パターンの微細加工の容易性の観点から、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２３】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する場合には、まず、図６（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１７を形成する。
【００２４】
次に、図６（ｂ）に示すように、その皮膜１７を、フォトマスク１８を介して露光する。フォトマスク１８は、遮光部分１８ａ、光半透過部分１８ｂおよび光全透過部分１８ｃを所定のパターンで備えている。なお、光半透過部分１８ｂにおいては、光透過率が１〜９９％のうちから適宜選択される光透過率で、光が透過される。
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない周縁部には、遮光部分１８ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３の接続凹部１１を形成する部分には、光半透過部分１８ｂが対向し、支持基板２における接続凹部１１以外のベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１８ｃが対向するように、フォトマスク１８を皮膜１７に対して対向配置する。
【００２５】
また、フォトマスク１８を介して照射する光（照射線）は、その露光波長が、例えば、３００〜４５０ｎｍであり、その露光積算光量が、例えば、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。
次いで、図６（ｃ）に示すように、露光された皮膜１７を、必要により所定温度に加熱した後、現像する。照射された皮膜１７の露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより、次の現像において不溶化（ネガ型）する。
【００２６】
また、現像には、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いる、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを形成することが好ましく、図６においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜１７は、フォトマスク１８の光全透過部分１８ｃが対向していた部分が残存し、フォトマスク１８の遮光部分１８ａが対向していた周縁部が溶解して、皮膜１７は、支持基板２の周縁部が露出される所定のパターンに形成される。また、フォトマスク１８の半透過部分１８ｂが対向していた接続凹部１１を形成する部分では、皮膜１７が、光透過率に対応する割合で残存するように溶解して、接続凹部１１が形成される。
【００２７】
そして、図６（ｄ）に示すように、接続凹部１１を含む所定のパターンに形成された皮膜１７を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、接続凹部１１が形成され、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板２の上に、ドライフィルムを、融着または必要により接着剤層を介して貼着した後、プラズマやレーザによるドライエッチングまたはアルカリ水溶液を用いるウエットエッチングなどによって、接続凹部１１を形成するとともに、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとしてベース絶縁層３を形成する。
【００２８】
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、導体パターン４を形成する。導体パターン４を形成するための導体材料としては、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅が用いられる。
また、導体パターン４の形成は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。導体パターン４を、ファインピッチで微細に形成するには、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００２９】
アディティブ法では、まず、図７（ａ）に示すように、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜１９を形成する。金属薄膜１９を形成するための金属材料としては、例えば、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などが用いられる。また、金属薄膜１９の形成は、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法などの真空蒸着法が用いられる。金属薄膜１９の厚みは、例えば、１００〜２０００Åである。また、金属薄膜１９は、例えば、クロム薄膜と銅薄膜とを順次スパッタリング法により形成するなど、多層で形成することもできる。
【００３０】
次いで、アディティブ法では、図７（ｂ）に示すように、金属薄膜１９の表面に、めっきレジスト２０を、導体パターン４の反転パターンで形成する。より具体的には、めっきレジスト２０は、金属薄膜１９の表面に、複数の配線１０、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分の金属薄膜１９が露出するように形成される。
【００３１】
めっきレジスト２０は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により、上記した導体パターン４の反転パターンとして形成する。
次いで、アディティブ法では、図７（ｃ）に示すように、めっきレジスト２０から露出する金属薄膜１９の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００３２】
その後、図７（ｄ）に示すように、めっきレジスト２０を除去する。めっきレジスト２０の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。
そして、図７（ｅ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１９を除去する。金属薄膜１９の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）する。
【００３３】
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線１０、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が一体的に形成される。なお、図１では、図７で示す金属薄膜１９が省略されている。
なお、導体パターン４の表面には、その後に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層（図示せず）を形成して、導体パターン４を保護することが好適である。
【００３４】
次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各配線１０（各配線１０の後端１３を除く。）が被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部８、各外部側接続端子部９および各配線１０の後端１３が露出されるように、カバー絶縁層５を所定のパターンで形成する。
カバー絶縁層５を形成するための絶縁材料としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００３５】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層５を所定のパターンで形成するには、まず、図８（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、導体パターン４を含むベース絶縁層３および支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜２１を形成する。
【００３６】
次に、図８（ｂ）に示すように、その皮膜２１を、フォトマスク２２を介して露光する。フォトマスク２２は、遮光部分２２ａおよび光全透過部分２２ｂを所定のパターンで備えている。
そして、皮膜２１に対して、カバー絶縁層５の配線被覆部１５および剥離防止部１６に対応する部分には、光全透過部分２２ｂが対向し、それ以外の各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分を含む部分には、遮光部分２２ａが対向するように、フォトマスク２２を皮膜２１に対して対向配置する。次いで、上記した皮膜１７の露光と同様に、露光する。
【００３７】
次いで、図８（ｃ）に示すように、露光された皮膜２１を、上記した皮膜１７の現像と同様に、現像する。なお、図８においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜２１は、フォトマスク２２の遮光部分２２ａが対向していた各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分を含む部分が溶解して、支持基板２の周縁部、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出する所定のパターンに形成される。
【００３８】
そして、図８（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜２１を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層５が、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出され、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止部１６とが形成されるような、所定のパターンとして形成される。
【００３９】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層３の上に、ドライフィルムを、融着または必要により接着剤層を介して貼着した後、プラズマやレーザによるドライエッチングまたはアルカリ水溶液を用いるウエットエッチングなどによって、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出され、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止部１６とが形成されるような、所定のパターンとしてカバー絶縁層５を形成する。
【００４０】
その後、この方法では、図５（ｅ）に示すように、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層２３を形成する。めっき層２３を形成するためのめっき材料は、特に制限されず、例えば、ニッケルや金などが用いられる。また、めっき層２３の形成は、例えば、電解めっきまたは無電解めっきが用いられる。また、めっき層２３は、ニッケルおよび金を順次めっきすることにより、多層として形成することもできる。
【００４１】
そして、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバル６の切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。なお、支持基板２の外形加工は、めっき層２３の形成前にすることもできる。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、図４に示すように、上記したように、各剥離防止部１６が、各端子凹部１１内に配置されていることから、各剥離防止部１６の上面が、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されている。そのため、図４の仮想線で示すように、リード・ライト基板３１の各端子３２を、各剥離防止部１６と上下方向において対向するようにして各外部側接続端子９と接続しても、リード・ライト基板３１の各剥離防止部１６に対する干渉を回避しつつ、リード・ライト基板３１の各端子３２を各外部側接続端子９に接続することができる。
【００４２】
その結果、各剥離防止部１６によって、各外部側接続端子９のベース絶縁層３からの剥離を確実に防止しつつ、各外部側接続端子９とリード・ライト基板３１の各端子３２との確実な接続を確保することができ、各外部側接続端子９とリード・ライト基板３１の各端子３２との接続信頼性を向上させることができる。
なお、各外部側接続端子９とリード・ライト基板３１の各端子３２との具体的な接続方法は、特に制限されず、例えば、はんだによる接続、異方導電性フィルムによる接続など、適宜公知の接続方法が用いられる。これらの接続方法において、異方導電性フィルムによる接続では、異方導電性フィルムが薄層であることから、特に、上記したように、各剥離防止部１６の上面が、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されていると、接続信頼性を顕著に向上させることができる。
【００４３】
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれ、端子部も、他の配線回路基板が接続される他、電子部品が実装されるものや、コネクタに差し込むものなど、各種形態の端子部が含まれる。
【００４４】
例えば、図９には、片面フレキシブル配線回路基板が例示されている。なお、図９において、上記と同様の部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
すなわち、図９において、この片面フレキシブル配線回路基板では、支持基板２がなく、接続凹部１１内に形成されている各剥離防止部１６の上面が、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されている。
【００４５】
また、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
幅３００ｍｍ、厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図５（ａ）参照）。
【００４７】
次いで、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１７を形成した（図６（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない周縁部には、遮光部分１８ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３の接続凹部１１を形成する部分には、光半透過部分１８ｂが対向し、支持基板２における接続凹部１１以外のベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１８ｃが対向するように、フォトマスク１８を皮膜１７に対して対向配置し、皮膜１７を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図６（ｂ）参照）。
【００４８】
次いで、露光された皮膜１７を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１７を、接続凹部１１が形成され、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとして形成した（図６（ｃ）参照）。その後、皮膜１７を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚み１０μｍのベース絶縁層３（接続凹部１１の厚み５μｍ）を形成した（図６（ｄ）参照）。
【００４９】
そして、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成し、厚み、３００〜１０００Åの金属薄膜１９を形成した（図７（ａ）参照）。その後、金属薄膜１７の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量２３５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、導体パターン４の反転パターンのめっきレジスト２０を、形成した（図７（ｂ）参照）。
【００５０】
次いで、めっきレジスト２０から露出する金属薄膜１９の表面に、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターン４を形成した後（図７（ｃ）参照）、めっきレジスト２０を剥離し（図７（ｄ）参照）、続いて、導体パターン４から露出する金属薄膜１９を、化学エッチングにより除去した（図７（ｅ）参照）。
これによって、導体パターン４として、複数の配線１０、各磁気ヘッド側接続端子部８、および、各外部側接続端子部９が一体的に形成された。各外部側接続端子部９の幅は、４００μｍであり、各外部側接続端子部９間の間隔は、１００μｍであった。
【００５１】
次いで、導体パターン４の表面を、パラジウム液により活性化した後、その表面に、無電解ニッケルめっきにより、厚み０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した。その後、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、ニッケルめっき層およびベース絶縁層３の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜２１を形成した（図８（ａ）参照）。
【００５２】
その後、皮膜２１に対して、カバー絶縁層５の配線被覆部１５および剥離防止部１６に対応する部分には、光全透過部分２２ｂが対向し、それ以外の各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分を含む部分には、遮光部分２２ａが対向するように、フォトマスク２２を皮膜２１に対して対向配置し、皮膜２１を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図８（ｂ）参照）。
【００５３】
次いで、露光された皮膜２１を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜２１を、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出され、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止部１６とが形成されるような、所定のパターンとして形成した（図８（ｃ）参照）。その後、皮膜２１を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚み４μｍのカバー絶縁層５を形成した（図７（ｄ）参照）。なお、各剥離防止部１６の上面は、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面よりも５μｍベース絶縁層３側に低く配置された。
【００５４】
次いで、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９の表面のニッケルめっき層を化学エッチングにより除去した後、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、回路付サスペンション基板１の外形をドライフィルムレジストで被覆し、次いで、支持基板２を塩化第二鉄溶液でエッチングして、ジンバル６を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工した。
【００５５】
その後、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に、無電解および電解ニッケルめっきと無電解および電解金めっきにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚み２．５μｍのめっき層２３を形成した（図５（ｅ）参照）。
比較例１
ベース絶縁層３の形成において、接続凹部１１を形成することなく、均一な厚みのベース絶縁層３を形成したこと以外は、実施例１と同様の方法によって、回路付サスペンション基板１を形成した。この回路付サスペンション基板１では、各剥離防止部１６の上面は、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面よりも４μｍカバー絶縁層５側に高く配置された。
【００５６】
評価
実施例１および比較例１で得られた回路付サスペンション基板１の各外部側接続端子部９と、リード・ライト基板３１の各端子３２とを、異方導電性フィルムを介して接続した。実施例１の回路付サスペンション基板は、リード・ライト基板と確実に接続できた。しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、均一な厚みのベース絶縁層の上に形成された剥離防止部１６が、リード・ライト基板３１と干渉して、リード・ライト基板３１と確実に接続できず、導通不良を生じた。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す斜視図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の端子配置部の要部平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。
【図６】図５（ｂ）において、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、露光された皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を、硬化させる工程を示す。
【図７】図５（ｃ）において、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、支持基板の表面とベース絶縁層の全面とに、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、金属薄膜の表面に、めっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程を示す。
【図８】図５（ｄ）において、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、導体パターンを含むベース絶縁層および支持基板の全面に、皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を、硬化させる工程を示す。
【図９】本発明の配線回路基板の他の実施形態である片面フレキシブル配線回路基板の要部断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
９ 外部側接続端子部
１１ 接続凹部
１６ 剥離防止部
３１ リード・ライト基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、通常、カバー絶縁層と、そのカバー絶縁層の上に形成される導体パターンと、その導体パターンを被覆するようにカバー絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを備えている。
このような配線回路基板には、電子部品を実装したり、他の配線回路基板と接続したり、あるいは、コネクタに差し込むための端子部が、例えば、配線回路基板の端部において、導体パターンの一部として設けられている。このような端子部は、例えば、導体パターンの端部においてランドとして形成され、カバー絶縁層は、そのランドが露出するように、導体パターンの途中までを被覆するように形成されている。
【０００３】
また、端子部の接続信頼性を向上させるためには、端子部がベース絶縁層から剥離することを防止する必要がある。そのため、例えば、配線回路基板の端部において、ベースフィルムの上に、本体側カバーフィルムから露出する端子部の遊端部を被覆する先端側カバーフィルムを設けることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−２０４６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のように、先端側カバーフィルムを設けると、その先端側カバーフィルムは、端子部の遊端部に被覆されるため、その端子部に接続される電子部品、他の配線回路基板あるはコネクタの接続部分が、先端側カバーフィルムと干渉して、却って端子部の接続信頼性を損ねるおそれがある。
本発明の目的は、端子部のベース絶縁層からの剥離を確実に防止しつつ、端子部と外部接続部材との確実な接続を確保することができ、端子部と外部接続部材との接続信頼性を向上させることのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、外部接続部材と接続される端子部を含む導体パターンと、前記端子部の前記ベース絶縁層からの剥離を防止するために、前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成された剥離防止カバー絶縁層とを備える配線回路基板において、前記剥離防止カバー絶縁層は、その表面が、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、前記端子部の表面と等しく配置されるか、または、前記端子部の表面に対して前記ベース絶縁層側に配置されていることを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の配線回路基板は、前記剥離防止カバー絶縁層が、前記端子部に接続される前記外部接続部材との対向位置に配置されている場合に、好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記ベース絶縁層には、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、一方が前記外部接続部材に近接し、他方が前記外部接続部材から離間する段差が形成されており、前記剥離防止カバー絶縁層は、前記段差に対して、前記外部接続部材から離間する他方側に配置されていることが好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線回路基板によれば、剥離防止カバー絶縁層の表面が、ベース絶縁層と導体パターンとの積層方向において、端子部の表面と等しく配置されるか、または、端子部の表面に対してベース絶縁層側に配置されている。そのため、外部接続部材を、剥離防止カバー絶縁層と対向するようにして端子部と接続しても、外部接続部材の剥離防止カバー絶縁層に対する干渉を回避しつつ、外部接続部材を端子部に接続することができる。その結果、端子部のベース絶縁層からの剥離を確実に防止しつつ、端子部と外部接続部材との確実な接続を確保することができ、端子部と外部接続部材との接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す斜視図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の端子配置部の要部平面図であり、図３は、図２におけるＡ−Ａ線断面図、図４は、図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板３１（図４参照）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【０００９】
この回路付サスペンション基板１は、図４に示すように、支持基板２と、支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備えている。なお、図１では、カバー絶縁層５が省略されている。
支持基板２は、図１において、長手方向に延びる薄板からなり、その先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル６が形成されており、また、その後端部には、後述する各外部側接続端子９を、支持基板２の長手方向に沿って配置するための端子配置部７が、幅方向（支持基板２の長手方向に直交する方向）の一方側に、平面視略矩形状に膨出するように形成されている。なお、支持基板２の厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍであり、その幅は、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。
【００１０】
ベース絶縁層３は、支持基板２における導体パターン４が形成される部分を含む所定のパターンとして形成されている。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、８〜２５μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍである。
ベース絶縁層３には、端子配置部７において、図２〜図４に示すように、後述する各外部側接続端子９から連続する各配線１０の後端１３に対応して、端子凹部１１が複数（４つ）形成されている。各端子凹部１１は、後述する各外部側接続端子９にリード・ライト基板３１の各端子３２が接続されたときに、リード・ライト基板３１との対向位置に形成されている。各端子凹部１１は、後述する各配線１０の端子配置部７における長手方向（回路付サスペンション基板１の幅方向、以下、配線１０の長手方向とする。）において、後述する外部側接続端子９の後端から、後述する剥離防止部１６が形成される部分までを含み、かつ、配線１０の幅方向（配線１０の長手方向と直交する方向）において、後述する剥離防止部１６が形成される部分を含むように、平面視略矩形状に形成されている。
【００１１】
各端子凹部１１の厚みは、各端子凹部１１以外のベース絶縁層３の厚みを１００％としたときの、例えば、１５〜９０％、好ましくは、２０〜７０％に設定されている。
また、各端子凹部１１における周端縁１２の段差Ｄ（各端子凹部１１の表面と、各端子凹部１１以外のベース絶縁層３の表面との差）は、例えば、２〜２３．５μｍ、好ましくは、４〜２３μｍに設定されている。
【００１２】
これによって、後述する各外部側接続端子９にリード・ライト基板３１の各端子３２が接続されたときに、各端子凹部１１における周端縁１２に対して、各端子凹部１１内の表面が、リード・ライト基板３１と離間し、各端子凹部１１の外側の表面が、リード・ライト基板３１と近接するように配置される。
導体パターン４は、図１に示すように、磁気ヘッド側接続端子８と、端子部としての外部側接続端子９と、磁気ヘッド側接続端子８および外部側接続端子９を接続する複数の配線１０とを一体的に備えている。複数の配線１０は、支持基板２の長手方向に沿って延び、その幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。導体パターン４の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。また、各配線１０の幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線１０間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。
【００１３】
磁気ヘッド側接続端子８は、支持基板２の先端部に配置され、各配線１０に対応して、それぞれ設けられている。各磁気ヘッド側接続端子８は、各配線１０の先端部から連続して、幅広のランドとして一体的に形成されており、支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この磁気ヘッド側接続端子８には、磁気ヘッド（図示せず）が実装される。
【００１４】
外部側接続端子９は、支持基板２の後端部であって、端子配置部７に配置され、各配線１０に対応して、それぞれ設けられている。各外部側接続端子９には、外部接続部材としてのリード・ライト基板３１の各端子３２が接続される。
各外部側接続端子９は、図２に示すように、各配線１０の後端部において、各配線１０の後端１３が残存するように、各配線１０の長手方向途中に設けられている。各外部側接続端子９は、配線１０の幅方向に膨出する平面視略矩形状のランドとして形成されている。なお、各外部側接続端子９の長さ（配線１０の長手方向の長さ）は、例えば、２０〜１５００μｍ、好ましくは、５０〜１０００μｍに設定され、その幅（配線１０の幅方向における長さ）は、例えば、１００〜１１００μｍ、好ましくは、１４０〜５４０μｍに設定されている。また、各外部側接続端子部９間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、５０〜５００μｍに設定されている。
【００１５】
また、各外部側接続端子９は、図４に示すように、配線１０の長手方向において、各端子凹部１１の周端縁１２に対して、端子凹部１１の外側（先端側）に配置されている。一方、各外部側接続端子９から連続する各配線１０の後端１３は、各端子凹部１１の周端縁１２に対して、端子凹部１１内に配置されている。これによって、各外部側接続端子９と各配線１０の後端１３との間には、各端子凹部１１の周端縁１２の段差に起因して、段差部１４が形成されている。
【００１６】
カバー絶縁層４は、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止カバー絶縁層としての剥離防止部１６とを備えている。なお、カバー絶縁層４（配線被覆部１５および剥離防止部１６を含む。）の厚みは、例えば、２〜１５μｍ、好ましくは、４〜１０μｍである。
配線被覆部１５は、磁気ヘッド側接続端子８および外部側接続端子９を除く各配線１０（後端１３を除く。）を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、所定のパターンで形成されている。
【００１７】
配線被覆部１５は、端子配置部７においては、図２に示すように、各外部側接続端子９よりも配線１０の長手方向先端側（回路付サスペンション基板１の幅方向内側）まで形成されており、それより、配線１０の長手方向後端側（回路付サスペンション基板１の幅方向外側）に配置されている各外部側接続端子９および各配線１０の後端１３が、配線被覆部１５から露出されている。
【００１８】
剥離防止部１６は、各外部側接続端子９にリード・ライト基板３１の端子３２が接続されたときに、リード・ライト基板３１との対向位置であって、各配線１０の後端１３に対応して複数設けられている。
各剥離防止部１６は、図３および図４に示すように、各端子凹部１１内において、各外部側接続端子９のベース絶縁層３からの剥離を防止するために、各配線１０の後端１３を被覆するように、配線１０の幅方向に延びるように設けられている。より具体的には、各剥離防止部１６は、配線１０の幅方向中央部先端側が各後端１３に対向し、配線１０の幅方向中央部後端側および配線１０の幅方向両端部が各端子凹部１１に対向する平面視略矩形細長形状に形成されている。
【００１９】
なお、各剥離防止部１６は、配線１０の幅方向両端部が各端子凹部１１の周端縁１２に接触するように配置され、配線１０の長手方向後端部が、各端子凹部１１の周端縁１２と配線１０の長手方向において間隔を隔てて対向配置されている。
そして、各剥離防止部１６は、このように、各端子凹部１１内に配置されていることから、各剥離防止部１６の上面が、各層（支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５）の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されている。好ましくは、各剥離防止部１６の上面は、各外部側接続端子９の上面よりも、例えば、１〜７μｍ、好ましくは、２〜５μｍベース絶縁層３側に配置されている。
【００２０】
また、この回路付サスペンション基板１では、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層２３が形成されている。
めっき層２３は、金めっき層やニッケルめっき層からなり、めっき層２３の厚みは、例えば、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．５〜５μｍ、金めっき層である場合には、例えば、０．０５〜３μｍである。
【００２１】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図５〜図８を参照しつつ説明する。なお、図５〜図８では、図４に対応する断面として示している。
この方法では、まず、図５（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、その金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。剛性、耐食性および加工性の観点から、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。
【００２２】
次いで、この方法では、図５（ｂ）に示すように、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、所定のパターンで形成する。
ベース絶縁層３を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミド樹脂が用いられる。また、好ましくは、パターンの微細加工の容易性の観点から、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２３】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する場合には、まず、図６（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１７を形成する。
【００２４】
次に、図６（ｂ）に示すように、その皮膜１７を、フォトマスク１８を介して露光する。フォトマスク１８は、遮光部分１８ａ、光半透過部分１８ｂおよび光全透過部分１８ｃを所定のパターンで備えている。なお、光半透過部分１８ｂにおいては、光透過率が１〜９９％のうちから適宜選択される光透過率で、光が透過される。
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない周縁部には、遮光部分１８ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３の接続凹部１１を形成する部分には、光半透過部分１８ｂが対向し、支持基板２における接続凹部１１以外のベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１８ｃが対向するように、フォトマスク１８を皮膜１７に対して対向配置する。
【００２５】
また、フォトマスク１８を介して照射する光（照射線）は、その露光波長が、例えば、３００〜４５０ｎｍであり、その露光積算光量が、例えば、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。
次いで、図６（ｃ）に示すように、露光された皮膜１７を、必要により所定温度に加熱した後、現像する。照射された皮膜１７の露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより、次の現像において不溶化（ネガ型）する。
【００２６】
また、現像には、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いる、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを形成することが好ましく、図６においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜１７は、フォトマスク１８の光全透過部分１８ｃが対向していた部分が残存し、フォトマスク１８の遮光部分１８ａが対向していた周縁部が溶解して、皮膜１７は、支持基板２の周縁部が露出される所定のパターンに形成される。また、フォトマスク１８の半透過部分１８ｂが対向していた接続凹部１１を形成する部分では、皮膜１７が、光透過率に対応する割合で残存するように溶解して、接続凹部１１が形成される。
【００２７】
そして、図６（ｄ）に示すように、接続凹部１１を含む所定のパターンに形成された皮膜１７を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、接続凹部１１が形成され、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板２の上に、ドライフィルムを、融着または必要により接着剤層を介して貼着した後、プラズマやレーザによるドライエッチングまたはアルカリ水溶液を用いるウエットエッチングなどによって、接続凹部１１を形成するとともに、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとしてベース絶縁層３を形成する。
【００２８】
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、導体パターン４を形成する。導体パターン４を形成するための導体材料としては、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅が用いられる。
また、導体パターン４の形成は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。導体パターン４を、ファインピッチで微細に形成するには、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００２９】
アディティブ法では、まず、図７（ａ）に示すように、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜１９を形成する。金属薄膜１９を形成するための金属材料としては、例えば、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などが用いられる。また、金属薄膜１９の形成は、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法などの真空蒸着法が用いられる。金属薄膜１９の厚みは、例えば、１００〜２０００Åである。また、金属薄膜１９は、例えば、クロム薄膜と銅薄膜とを順次スパッタリング法により形成するなど、多層で形成することもできる。
【００３０】
次いで、アディティブ法では、図７（ｂ）に示すように、金属薄膜１９の表面に、めっきレジスト２０を、導体パターン４の反転パターンで形成する。より具体的には、めっきレジスト２０は、金属薄膜１９の表面に、複数の配線１０、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分の金属薄膜１９が露出するように形成される。
【００３１】
めっきレジスト２０は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により、上記した導体パターン４の反転パターンとして形成する。
次いで、アディティブ法では、図７（ｃ）に示すように、めっきレジスト２０から露出する金属薄膜１９の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００３２】
その後、図７（ｄ）に示すように、めっきレジスト２０を除去する。めっきレジスト２０の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。
そして、図７（ｅ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１９を除去する。金属薄膜１９の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）する。
【００３３】
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線１０、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が一体的に形成される。なお、図１では、図７で示す金属薄膜１９が省略されている。
なお、導体パターン４の表面には、その後に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層（図示せず）を形成して、導体パターン４を保護することが好適である。
【００３４】
次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各配線１０（各配線１０の後端１３を除く。）が被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部８、各外部側接続端子部９および各配線１０の後端１３が露出されるように、カバー絶縁層５を所定のパターンで形成する。
カバー絶縁層５を形成するための絶縁材料としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００３５】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層５を所定のパターンで形成するには、まず、図８（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、導体パターン４を含むベース絶縁層３および支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜２１を形成する。
【００３６】
次に、図８（ｂ）に示すように、その皮膜２１を、フォトマスク２２を介して露光する。フォトマスク２２は、遮光部分２２ａおよび光全透過部分２２ｂを所定のパターンで備えている。
そして、皮膜２１に対して、カバー絶縁層５の配線被覆部１５および剥離防止部１６に対応する部分には、光全透過部分２２ｂが対向し、それ以外の各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分を含む部分には、遮光部分２２ａが対向するように、フォトマスク２２を皮膜２１に対して対向配置する。次いで、上記した皮膜１７の露光と同様に、露光する。
【００３７】
次いで、図８（ｃ）に示すように、露光された皮膜２１を、上記した皮膜１７の現像と同様に、現像する。なお、図８においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜２１は、フォトマスク２２の遮光部分２２ａが対向していた各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分を含む部分が溶解して、支持基板２の周縁部、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出する所定のパターンに形成される。
【００３８】
そして、図８（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜２１を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層５が、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出され、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止部１６とが形成されるような、所定のパターンとして形成される。
【００３９】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層３の上に、ドライフィルムを、融着または必要により接着剤層を介して貼着した後、プラズマやレーザによるドライエッチングまたはアルカリ水溶液を用いるウエットエッチングなどによって、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出され、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止部１６とが形成されるような、所定のパターンとしてカバー絶縁層５を形成する。
【００４０】
その後、この方法では、図５（ｅ）に示すように、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層２３を形成する。めっき層２３を形成するためのめっき材料は、特に制限されず、例えば、ニッケルや金などが用いられる。また、めっき層２３の形成は、例えば、電解めっきまたは無電解めっきが用いられる。また、めっき層２３は、ニッケルおよび金を順次めっきすることにより、多層として形成することもできる。
【００４１】
そして、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバル６の切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。なお、支持基板２の外形加工は、めっき層２３の形成前にすることもできる。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、図４に示すように、上記したように、各剥離防止部１６が、各端子凹部１１内に配置されていることから、各剥離防止部１６の上面が、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されている。そのため、図４の仮想線で示すように、リード・ライト基板３１の各端子３２を、各剥離防止部１６と上下方向において対向するようにして各外部側接続端子９と接続しても、リード・ライト基板３１の各剥離防止部１６に対する干渉を回避しつつ、リード・ライト基板３１の各端子３２を各外部側接続端子９に接続することができる。
【００４２】
その結果、各剥離防止部１６によって、各外部側接続端子９のベース絶縁層３からの剥離を確実に防止しつつ、各外部側接続端子９とリード・ライト基板３１の各端子３２との確実な接続を確保することができ、各外部側接続端子９とリード・ライト基板３１の各端子３２との接続信頼性を向上させることができる。
なお、各外部側接続端子９とリード・ライト基板３１の各端子３２との具体的な接続方法は、特に制限されず、例えば、はんだによる接続、異方導電性フィルムによる接続など、適宜公知の接続方法が用いられる。これらの接続方法において、異方導電性フィルムによる接続では、異方導電性フィルムが薄層であることから、特に、上記したように、各剥離防止部１６の上面が、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されていると、接続信頼性を顕著に向上させることができる。
【００４３】
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれ、端子部も、他の配線回路基板が接続される他、電子部品が実装されるものや、コネクタに差し込むものなど、各種形態の端子部が含まれる。
【００４４】
例えば、図９には、片面フレキシブル配線回路基板が例示されている。なお、図９において、上記と同様の部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
すなわち、図９において、この片面フレキシブル配線回路基板では、支持基板２がなく、接続凹部１１内に形成されている各剥離防止部１６の上面が、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面と等しく配置されるか、または、各外部側接続端子９の上面よりもベース絶縁層３側に配置されている。
【００４５】
また、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
幅３００ｍｍ、厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図５（ａ）参照）。
【００４７】
次いで、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１７を形成した（図６（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない周縁部には、遮光部分１８ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３の接続凹部１１を形成する部分には、光半透過部分１８ｂが対向し、支持基板２における接続凹部１１以外のベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１８ｃが対向するように、フォトマスク１８を皮膜１７に対して対向配置し、皮膜１７を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図６（ｂ）参照）。
【００４８】
次いで、露光された皮膜１７を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１７を、接続凹部１１が形成され、支持基板２の周縁部が露出されるような、所定のパターンとして形成した（図６（ｃ）参照）。その後、皮膜１７を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚み１０μｍのベース絶縁層３（接続凹部１１の厚み５μｍ）を形成した（図６（ｄ）参照）。
【００４９】
そして、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成し、厚み、３００〜１０００Åの金属薄膜１９を形成した（図７（ａ）参照）。その後、金属薄膜１７の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量２３５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、導体パターン４の反転パターンのめっきレジスト２０を、形成した（図７（ｂ）参照）。
【００５０】
次いで、めっきレジスト２０から露出する金属薄膜１９の表面に、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターン４を形成した後（図７（ｃ）参照）、めっきレジスト２０を剥離し（図７（ｄ）参照）、続いて、導体パターン４から露出する金属薄膜１９を、化学エッチングにより除去した（図７（ｅ）参照）。
これによって、導体パターン４として、複数の配線１０、各磁気ヘッド側接続端子部８、および、各外部側接続端子部９が一体的に形成された。各外部側接続端子部９の幅は、４００μｍであり、各外部側接続端子部９間の間隔は、１００μｍであった。
【００５１】
次いで、導体パターン４の表面を、パラジウム液により活性化した後、その表面に、無電解ニッケルめっきにより、厚み０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した。その後、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、ニッケルめっき層およびベース絶縁層３の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜２１を形成した（図８（ａ）参照）。
【００５２】
その後、皮膜２１に対して、カバー絶縁層５の配線被覆部１５および剥離防止部１６に対応する部分には、光全透過部分２２ｂが対向し、それ以外の各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に対応する部分を含む部分には、遮光部分２２ａが対向するように、フォトマスク２２を皮膜２１に対して対向配置し、皮膜２１を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図８（ｂ）参照）。
【００５３】
次いで、露光された皮膜２１を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜２１を、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９が露出され、後端１３を除く各配線１０を被覆する配線被覆部１５と、各配線１０の後端１３を被覆する剥離防止部１６とが形成されるような、所定のパターンとして形成した（図８（ｃ）参照）。その後、皮膜２１を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚み４μｍのカバー絶縁層５を形成した（図７（ｄ）参照）。なお、各剥離防止部１６の上面は、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面よりも５μｍベース絶縁層３側に低く配置された。
【００５４】
次いで、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９の表面のニッケルめっき層を化学エッチングにより除去した後、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、回路付サスペンション基板１の外形をドライフィルムレジストで被覆し、次いで、支持基板２を塩化第二鉄溶液でエッチングして、ジンバル６を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工した。
【００５５】
その後、各磁気ヘッド側接続端子部８および各外部側接続端子部９に、無電解および電解ニッケルめっきと無電解および電解金めっきにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚み２．５μｍのめっき層２３を形成した（図５（ｅ）参照）。
比較例１
ベース絶縁層３の形成において、接続凹部１１を形成することなく、均一な厚みのベース絶縁層３を形成したこと以外は、実施例１と同様の方法によって、回路付サスペンション基板１を形成した。この回路付サスペンション基板１では、各剥離防止部１６の上面は、各層の積層方向において、各外部側接続端子９の上面よりも４μｍカバー絶縁層５側に高く配置された。
【００５６】
評価
実施例１および比較例１で得られた回路付サスペンション基板１の各外部側接続端子部９と、リード・ライト基板３１の各端子３２とを、異方導電性フィルムを介して接続した。実施例１の回路付サスペンション基板は、リード・ライト基板と確実に接続できた。しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、均一な厚みのベース絶縁層の上に形成された剥離防止部１６が、リード・ライト基板３１と干渉して、リード・ライト基板３１と確実に接続できず、導通不良を生じた。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す斜視図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の端子配置部の要部平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。
【図６】図５（ｂ）において、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、露光された皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を、硬化させる工程を示す。
【図７】図５（ｃ）において、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、支持基板の表面とベース絶縁層の全面とに、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、金属薄膜の表面に、めっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程を示す。
【図８】図５（ｄ）において、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程を説明するための工程図であって、（ａ）は、導体パターンを含むベース絶縁層および支持基板の全面に、皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を、硬化させる工程を示す。
【図９】本発明の配線回路基板の他の実施形態である片面フレキシブル配線回路基板の要部断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
９ 外部側接続端子部
１１ 接続凹部
１６ 剥離防止部
３１ リード・ライト基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、外部接続部材と接続される端子部を含む導体パターンと、前記端子部の前記ベース絶縁層からの剥離を防止するために、前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成された剥離防止カバー絶縁層とを備える配線回路基板において、
前記剥離防止カバー絶縁層は、その表面が、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、前記端子部の表面と等しく配置されるか、または、前記端子部の表面に対して前記ベース絶縁層側に配置されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記剥離防止カバー絶縁層は、前記端子部に接続される前記外部接続部材との対向位置に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記ベース絶縁層には、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、一方が前記外部接続部材に近接し、他方が前記外部接続部材から離間する段差が形成されており、
前記剥離防止カバー絶縁層は、前記段差に対して、前記外部接続部材から離間する他方側に配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項１】
ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、外部接続部材と接続される端子部を含む導体パターンと、前記端子部の前記ベース絶縁層からの剥離を防止するために、前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成された剥離防止カバー絶縁層とを備える配線回路基板において、
前記剥離防止カバー絶縁層は、その表面が、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、前記端子部の表面と等しく配置されるか、または、前記端子部の表面に対して前記ベース絶縁層側に配置されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記剥離防止カバー絶縁層は、前記端子部に接続される前記外部接続部材との対向位置に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記ベース絶縁層には、前記ベース絶縁層と前記導体パターンとの積層方向において、一方が前記外部接続部材に近接し、他方が前記外部接続部材から離間する段差が形成されており、
前記剥離防止カバー絶縁層は、前記段差に対して、前記外部接続部材から離間する他方側に配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−２２９１５５（Ｐ２００６−２２９１５５Ａ）
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−４４４５４（Ｐ２００５−４４４５４）
【出願日】平成１７年２月２１日（２００５．２．２１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月２１日（２００５．２．２１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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