配線基板およびプローブカード用基板
【課題】耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させること。
【解決手段】配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された介在層２と、介在層２の上に形成された導体パターン３とを含んでいる。導体パターン３は、耐薬品性層３１および導体層３２を含んでいる。耐薬品性層３１は、介在層２に接している。
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された介在層２と、介在層２の上に形成された導体パターン３とを含んでいる。導体パターン３は、耐薬品性層３１および導体層３２を含んでいる。耐薬品性層３１は、介在層２に接している。
【解決手段】配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された介在層２と、介在層２の上に形成された導体パターン３とを含んでいる。導体パターン３は、耐薬品性層３１および導体層３２を含んでいる。耐薬品性層３１は、介在層２に接している。
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された介在層２と、介在層２の上に形成された導体パターン３とを含んでいる。導体パターン３は、耐薬品性層３１および導体層３２を含んでいる。耐薬品性層３１は、介在層２に接している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプローブカードに用いられる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、絶縁層の表面に形成された導体パターンを有している。例示的な導体パターンは、例えば、実質的に銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）からなる導体層を含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、例えば半導体ウエハに接触する接触子を形成するための薬品処理が施されることがある。この薬品処理の際に、配線基板の表面に形成された導体パターンが劣化する可能性がある。一方で、配線基板は、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して改善される必要がある。このように、配線基板は、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層と、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、耐薬品性層および導体層を含んでいる。耐薬品性層は、介在層に接している。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層と、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、耐薬品性層および導体層を含んでいる。耐薬品性層は、介在層に接している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層接している耐薬品性層とを含んでいることにより、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層接している耐薬品性層とを含んでいることにより、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一つの実施形態における配線基板を示している。
【図２】図１に示された介在層２の形成領域を示している。
【図３】図１に示された導体パターン３の例示的な形成方法を示している。
【図４】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図５】図４に示された複数の介在層２の形成領域を示している。
【図６】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図７】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
図１に示されているように、本発明の一つの実施形態における配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された介在層２と、絶縁層１の上面に形成された複数の導体パターン３とを含んでいる。配線基板の例示的な用途は、プローブカード用基板である。以下、配線基板をプローブカード用基板として説明する。プローブカード用基板は、複数の導体パターン３に電気的に接続された複数の接触子４を含んでいる。
【００１２】
例示的な絶縁層１は、実質的にセラミックスからなる。他の例示的な絶縁層１は、実質的に樹脂からなる。
【００１３】
介在層２は、絶縁層１の表面部分に設けられた凹部内に形成されている。“介在”とは、絶縁層１と導体パターン３との間に設けられていることをいう。介在層２は、導体パターン３の絶縁層１に対する接合強度を向上させることを目的に設けられている。例示的な介在層２は、実質的に銅（Ｃｕ）からなる。他の例示的な介在層２は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。図２に示されているように、介在層２は、導体パターン３の形成領域の内側に設けられている。図２において、介在層２は、導体パターン３を透視した状態で、破線によって示されている。
【００１４】
導体パターン３は、介在層２の上に形成された耐薬品性層３１と、耐薬品性層３１の上に形成された導体層３２とを含んでいる。導体パターン３は、導体層３２の上に形成された第１被覆層３３と、第１被覆層３３の上に形成された第２被覆層３４とをさらに含んでいる。
【００１５】
耐薬品性層３１は、図２に示されているように、介在層２の形成領域を含む領域に形成されている。“耐薬品性”とは、例えば接触子４を形成する際に用いられる薬品に関して、導体層３２に比べて化学的な反応が起こりにくいことをいう。例示的な薬品は、強アルカリ性水溶液である。強アルカリ性水溶液の例は、水酸化ナトリウム水溶液である。他の例示的な薬品は、強酸溶液である。強酸溶液の例は、硝酸溶液または塩酸である。他の例示的な薬品は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム溶液、アンモニア過水またはテトラ‐メチル‐アンモニウム‐ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液である。例示的な耐薬品性層３１は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。プローブカード用基板は、耐薬品性層３１を含んでいることにより、薬品による導体層３２の劣化に関して低減されている。
【００１６】
導体層３２は、耐薬品性層３１の上に形成されており、耐薬品性層３１の形成領域において全面的に設けられている。例示的な導体層３２は、実質的に銅（Ｃｕ）からなる。
【００１７】
第１被覆層３３は、導体層３２の上面と側面とに接しており、導体層３２を覆っている。第１被覆層３３の端部は、耐薬品性層２１の上面に接している。例示的な第１被覆層３３は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。
【００１８】
第２被覆層３４は、第１被覆層３３の上面と側面とに接しており、第１被覆層３３を覆っている。第２被覆層３４の端部は、絶縁層１の上面に接している。例示的な第２被覆層３４は、実質的に金（Ａｕ）からなる。
【００１９】
本実施形態の配線基板は、介在層２を含んでいることにより、導体パターン２の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。さらに詳細には、絶縁層１の表面部分に埋設されている介在層２を含んでいることにより、耐薬品性層３１の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。
【００２０】
本実施形態の配線基板は、介在層２が絶縁層１の表面部分に埋設されていることにより、導体パターン３の形成の精度に関して改善されている。
【００２１】
本実施形態の配線基板は、耐薬品性層３１を含んでいることにより、導体パターン３の耐薬品性に関して改善されている。
【００２２】
以下、プローブカード用基板の例示的な製造方法について説明する。プローブカード用基板の製造方法は、介在層２を形成する工程と、導体パターン３を形成する工程とを含んでいる。
【００２３】
介在層２は、絶縁層１の表面部分に設けられた凹部内に形成される。介在層２の例示的な形成方法は、スパッタリング、無電解メッキまたは印刷である。
【００２４】
導体パターン３を形成する工程は、図３に示されているように、工程３０２から工程３０８までを含んでいる。
【００２５】
工程３０２は、絶縁層１および介在層２の上に耐薬品性層３１を形成することである。耐薬品性層２１の例示的な形成方法は、電解メッキ、無電解メッキまたはスパッタリングである。
【００２６】
工程３０４は、介在層３１の上に導体層３２を形成することである。導体層３２の例示的な形成方法は、電解メッキまたはスパッタリングである。
【００２７】
工程３０６は、導体層３２の上に第１被覆層３３を形成することである。第１被覆層３の例示的な形成方法は、電解メッキである。第１被覆層３３の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２８】
工程３０８は、第１被覆層３３の上に第２被覆層３４を形成することである。第２被覆層３４の例示的な形成方法は、電解メッキである。第２被覆層３４の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２９】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図４に示されているように、本実施形態において図１に示された配線基板と異なる構成は、介在層２の構造である。その他の構成は、図１に示された配線基板の構成と同様である。
【００３０】
本実施形態における配線基板において、介在層２は、絶縁層１の表面部分に埋設された複数の介在パターン２１を含んでいる。図４の断面図において、複数の介在パターン２１は、互いに離間されている。図５に示されているように、複数の介在パターン２１は、導体パターン３の形成領域の内側に設けられている。複数の介在パターン２１は、導体パターン３の形成領域の内側において平面的に分散されて設けられている。本実施形態における配線基板は、導体パターン３の形成の自由度に関して改善されている。
【００３１】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図６に示されているように、本実施形態において図４に示された配線基板と異なる構成は、複数の介在パターン２１の配置である。その他の構成は、図４に示された配線基板の構成と同様である。
【００３２】
複数の介在パターン２１は、導体パターン３の形成領域の中央部分より縁部分の方がパターン密度に関して高い。従って、本実施形態の配線基板は、導体パターン３の剥離に関して低減されている。
【００３３】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図７に示されているように、本実施形態において図４に示された配線基板と異なる構成は、複数の介在パターン２１の各々の形状である。その他の構成は、図４に示された配線基板の構成と同様である。
【００３４】
複数の介在パターン２１の各々の下面は曲面形状を有している。従って、本実施形態の配線基板は、例えば高周波信号を伝送させる場合に、高周波信号の損失に関して低減されている。
【符号の説明】
【００３５】
１ 絶縁層
２ 介在層
３ 導体パターン
３１ 耐薬品性層
３２ 導体層
３３ 第１被覆層
３４ 第２被覆層
４ 接触子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプローブカードに用いられる配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、絶縁層の表面に形成された導体パターンを有している。例示的な導体パターンは、例えば、実質的に銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）からなる導体層を含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１７１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばプローブカードに用いられる配線基板は、例えば半導体ウエハに接触する接触子を形成するための薬品処理が施されることがある。この薬品処理の際に、配線基板の表面に形成された導体パターンが劣化する可能性がある。一方で、配線基板は、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して改善される必要がある。このように、配線基板は、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層と、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、耐薬品性層および導体層を含んでいる。耐薬品性層は、介在層に接している。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層と、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層の上に形成された導体パターンとを含んでいる。導体パターンは、耐薬品性層および導体層を含んでいる。耐薬品性層は、介在層に接している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層接している耐薬品性層とを含んでいることにより、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、プローブカード用基板は、絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、介在層接している耐薬品性層とを含んでいることにより、耐薬品性に関して改善しつつ、絶縁層に対する導体パターンの密着強度に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一つの実施形態における配線基板を示している。
【図２】図１に示された介在層２の形成領域を示している。
【図３】図１に示された導体パターン３の例示的な形成方法を示している。
【図４】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図５】図４に示された複数の介在層２の形成領域を示している。
【図６】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【図７】本発明の他の実施形態における配線基板を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
図１に示されているように、本発明の一つの実施形態における配線基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された介在層２と、絶縁層１の上面に形成された複数の導体パターン３とを含んでいる。配線基板の例示的な用途は、プローブカード用基板である。以下、配線基板をプローブカード用基板として説明する。プローブカード用基板は、複数の導体パターン３に電気的に接続された複数の接触子４を含んでいる。
【００１２】
例示的な絶縁層１は、実質的にセラミックスからなる。他の例示的な絶縁層１は、実質的に樹脂からなる。
【００１３】
介在層２は、絶縁層１の表面部分に設けられた凹部内に形成されている。“介在”とは、絶縁層１と導体パターン３との間に設けられていることをいう。介在層２は、導体パターン３の絶縁層１に対する接合強度を向上させることを目的に設けられている。例示的な介在層２は、実質的に銅（Ｃｕ）からなる。他の例示的な介在層２は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。図２に示されているように、介在層２は、導体パターン３の形成領域の内側に設けられている。図２において、介在層２は、導体パターン３を透視した状態で、破線によって示されている。
【００１４】
導体パターン３は、介在層２の上に形成された耐薬品性層３１と、耐薬品性層３１の上に形成された導体層３２とを含んでいる。導体パターン３は、導体層３２の上に形成された第１被覆層３３と、第１被覆層３３の上に形成された第２被覆層３４とをさらに含んでいる。
【００１５】
耐薬品性層３１は、図２に示されているように、介在層２の形成領域を含む領域に形成されている。“耐薬品性”とは、例えば接触子４を形成する際に用いられる薬品に関して、導体層３２に比べて化学的な反応が起こりにくいことをいう。例示的な薬品は、強アルカリ性水溶液である。強アルカリ性水溶液の例は、水酸化ナトリウム水溶液である。他の例示的な薬品は、強酸溶液である。強酸溶液の例は、硝酸溶液または塩酸である。他の例示的な薬品は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム溶液、アンモニア過水またはテトラ‐メチル‐アンモニウム‐ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液である。例示的な耐薬品性層３１は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。プローブカード用基板は、耐薬品性層３１を含んでいることにより、薬品による導体層３２の劣化に関して低減されている。
【００１６】
導体層３２は、耐薬品性層３１の上に形成されており、耐薬品性層３１の形成領域において全面的に設けられている。例示的な導体層３２は、実質的に銅（Ｃｕ）からなる。
【００１７】
第１被覆層３３は、導体層３２の上面と側面とに接しており、導体層３２を覆っている。第１被覆層３３の端部は、耐薬品性層２１の上面に接している。例示的な第１被覆層３３は、実質的にニッケル（Ｎｉ）からなる。
【００１８】
第２被覆層３４は、第１被覆層３３の上面と側面とに接しており、第１被覆層３３を覆っている。第２被覆層３４の端部は、絶縁層１の上面に接している。例示的な第２被覆層３４は、実質的に金（Ａｕ）からなる。
【００１９】
本実施形態の配線基板は、介在層２を含んでいることにより、導体パターン２の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。さらに詳細には、絶縁層１の表面部分に埋設されている介在層２を含んでいることにより、耐薬品性層３１の絶縁層１に対する接合強度に関して改善されている。
【００２０】
本実施形態の配線基板は、介在層２が絶縁層１の表面部分に埋設されていることにより、導体パターン３の形成の精度に関して改善されている。
【００２１】
本実施形態の配線基板は、耐薬品性層３１を含んでいることにより、導体パターン３の耐薬品性に関して改善されている。
【００２２】
以下、プローブカード用基板の例示的な製造方法について説明する。プローブカード用基板の製造方法は、介在層２を形成する工程と、導体パターン３を形成する工程とを含んでいる。
【００２３】
介在層２は、絶縁層１の表面部分に設けられた凹部内に形成される。介在層２の例示的な形成方法は、スパッタリング、無電解メッキまたは印刷である。
【００２４】
導体パターン３を形成する工程は、図３に示されているように、工程３０２から工程３０８までを含んでいる。
【００２５】
工程３０２は、絶縁層１および介在層２の上に耐薬品性層３１を形成することである。耐薬品性層２１の例示的な形成方法は、電解メッキ、無電解メッキまたはスパッタリングである。
【００２６】
工程３０４は、介在層３１の上に導体層３２を形成することである。導体層３２の例示的な形成方法は、電解メッキまたはスパッタリングである。
【００２７】
工程３０６は、導体層３２の上に第１被覆層３３を形成することである。第１被覆層３の例示的な形成方法は、電解メッキである。第１被覆層３３の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２８】
工程３０８は、第１被覆層３３の上に第２被覆層３４を形成することである。第２被覆層３４の例示的な形成方法は、電解メッキである。第２被覆層３４の他の例示的な形成方法は、無電解メッキである。
【００２９】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図４に示されているように、本実施形態において図１に示された配線基板と異なる構成は、介在層２の構造である。その他の構成は、図１に示された配線基板の構成と同様である。
【００３０】
本実施形態における配線基板において、介在層２は、絶縁層１の表面部分に埋設された複数の介在パターン２１を含んでいる。図４の断面図において、複数の介在パターン２１は、互いに離間されている。図５に示されているように、複数の介在パターン２１は、導体パターン３の形成領域の内側に設けられている。複数の介在パターン２１は、導体パターン３の形成領域の内側において平面的に分散されて設けられている。本実施形態における配線基板は、導体パターン３の形成の自由度に関して改善されている。
【００３１】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図６に示されているように、本実施形態において図４に示された配線基板と異なる構成は、複数の介在パターン２１の配置である。その他の構成は、図４に示された配線基板の構成と同様である。
【００３２】
複数の介在パターン２１は、導体パターン３の形成領域の中央部分より縁部分の方がパターン密度に関して高い。従って、本実施形態の配線基板は、導体パターン３の剥離に関して低減されている。
【００３３】
以下、本発明の他の実施形態における配線基板について説明する。図７に示されているように、本実施形態において図４に示された配線基板と異なる構成は、複数の介在パターン２１の各々の形状である。その他の構成は、図４に示された配線基板の構成と同様である。
【００３４】
複数の介在パターン２１の各々の下面は曲面形状を有している。従って、本実施形態の配線基板は、例えば高周波信号を伝送させる場合に、高周波信号の損失に関して低減されている。
【符号の説明】
【００３５】
１ 絶縁層
２ 介在層
３ 導体パターン
３１ 耐薬品性層
３２ 導体層
３３ 第１被覆層
３４ 第２被覆層
４ 接触子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、
前記介在層の上に形成されており、耐薬品性層および導体層を含んでおり、前記耐薬品性層が前記介在層に接している、導体パターンと、
を備えている配線基板。
【請求項２】
前記介在層は、平面的に分散されて配置された複数の介在パターンを含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の介在パターンは、前記導体パターンの形成領域の中央部分より縁部分の方がパターン密度に関して大きいことを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記介在層の下面が曲面形状を有していることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、
前記介在層の上に形成されており、耐薬品性層および導体層を含んでおり、前記耐薬品性層が前記介在層に接している、導体パターンと、
を備えているプローブカード用基板。
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、
前記介在層の上に形成されており、耐薬品性層および導体層を含んでおり、前記耐薬品性層が前記介在層に接している、導体パターンと、
を備えている配線基板。
【請求項２】
前記介在層は、平面的に分散されて配置された複数の介在パターンを含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の介在パターンは、前記導体パターンの形成領域の中央部分より縁部分の方がパターン密度に関して大きいことを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記介在層の下面が曲面形状を有していることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層と、
前記絶縁層の表面部分に埋設された介在層と、
前記介在層の上に形成されており、耐薬品性層および導体層を含んでおり、前記耐薬品性層が前記介在層に接している、導体パターンと、
を備えているプローブカード用基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２３２４３８（Ｐ２０１０−２３２４３８Ａ）
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７８６８４（Ｐ２００９−７８６８４）
【出願日】平成２１年３月２７日（２００９．３．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月１４日（２０１０．１０．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２７日（２００９．３．２７）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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