電力変換装置
【課題】各半導体モジュールの制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止し、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール３を回路基板２に配列して、回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる。各半導体モジュール３は、その一方側に、電源又は回転電機に接続されるパワー端子３３を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子３４を配設してなる。複数の半導体モジュール３は、回路基板２の一方の表面側における平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で配列してある。複数の半導体モジュール３は、回路基板２において、パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けた状態で配列してある。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール３を回路基板２に配列して、回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる。各半導体モジュール３は、その一方側に、電源又は回転電機に接続されるパワー端子３３を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子３４を配設してなる。複数の半導体モジュール３は、回路基板２の一方の表面側における平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で配列してある。複数の半導体モジュール３は、回路基板２において、パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けた状態で配列してある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子によって回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド車等に用いるモータジェネレータ等は、インバータ回路等の電力変換回路によって制御され、電力変換回路は、スイッチング素子をモールド樹脂によって覆って形成した複数の半導体モジュールを用いて構成されている。
例えば、特許文献１のインバータ装置においては、昇圧用のリアクトル、各相用スイッチングユニット、昇圧用スイッチングユニット、昇圧前平滑用コンデンサ、及び昇圧後平滑用コンデンサを含む複数の回路構成部品の中の一部を、冷却プレートの一方の面に当接させ、残りを冷却プレートの他方の面に当接させて配置している。そして、インバータ装置の各回路構成部品を効率的に冷却し、各回路構成部品を１つにまとめて効率的に配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８９２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体モジュールにおいては、電源又は回転電機に接続されるパワー端子の他に、スイッチング素子の制御信号や、各種のセンサ信号等に用いる制御端子が設けられることが多い。この場合に、複数の半導体モジュールを回路基板に配列する際に何らの工夫を行わなければ、パワー端子と制御端子とが接近しているときには、パワー端子に流れる大電流によって、制御端子にノイズ電流が流れてしまうおそれが生じる。
【０００５】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、各半導体モジュールの制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止し、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、スイッチング素子をモールド樹脂によって覆って形成した複数の半導体モジュールを回路基板に配列してなり、上記スイッチング素子によって回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる電力変換装置において、
上記半導体モジュールは、その一方側に、電源又は上記回転電機に接続されるパワー端子を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子を配設してなり、
上記複数の半導体モジュールは、上記回路基板の一方の表面側における平面方向の一方側と他方側とに並列に並ぶ状態で配列してあり、かつ上記パワー端子を上記回路基板の上記平面方向における外側に向けると共に上記制御端子を上記回路基板の上記平面方向における内側に向けた状態で配列してあることを特徴とする電力変換装置にある（請求項１）。
【０００７】
本発明の電力変換装置は、パワー端子と制御端子とを互いに反対側に配設してなる半導体モジュールを用い、回路基板に対する複数の半導体モジュールの配列の仕方に工夫を行っている。すなわち、複数の半導体モジュールは、回路基板の一方の表面側における平面方向の一方側と他方側とに並列に並ぶ状態で配列してある。そして、一方側及び他方側の両側における各半導体モジュールについて、各パワー端子を回路基板の平面方向における外側に向けると共に、各制御端子を回路基板の平面方向における内側に向けている。これにより、各半導体モジュールにおける制御端子同士が、回路基板の平面方向における内側において向き合い、各半導体モジュールにおけるパワー端子は、いずれも制御端子から最も離れる方向に向けることができる。
なお、平面方向とは、回路基板の表面側において、この表面に平行な二次元の平面の方向のことをいう。
【０００８】
そのため、パワー端子に流れる大電流が、制御端子にノイズ電流として重畳してしまうことを抑制することができ、制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止することができる。また、制御端子に比べて断面積が大きいパワー端子を、互いに反対の方向として平面方向における外側に向けることができ、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる。
【０００９】
それ故、本発明の電力変換装置によれば、各半導体モジュールの制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止し、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例において、電力変換装置における各半導体モジュールの平面配置状態を示す説明図。
【図２】実施例において、電力変換装置を示す図で、図１におけるＡ−Ａ線矢視断面説明図。
【図３】実施例において、電力変換装置を示す図で、図１におけるＢ−Ｂ線矢視断面説明図。
【図４】実施例において、半導体モジュールの平面状態を示す説明図。
【図５】実施例において、電力変換回路の概略的な構成を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
上述した本発明の電力変換装置における好ましい実施の形態につき説明する。
本発明において、上記半導体モジュールにおいて、電源に接続されるパワー端子とは、電源に直接接続されることのみを意味せず、平滑コンデンサ等を介して電源に接続されることも意味する。例えば、電源の電圧を昇圧する昇圧回路を用いる場合には、パワー端子は、昇圧後の平滑コンデンサを介して電源に接続することができる。
【００１２】
また、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部と、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部とは、上記回路基板の上記平面方向の一方側と他方側とに対称に配列してあることが好ましい（請求項２）。
この場合には、回路基板の一方の表面側に対して複数の半導体モジュールを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置をコンパクトに形成することができる。
なお、上記半導体モジュールの本体部とは、スイッチング素子をモールド樹脂によってモールド成形した部分のことをいい、上記パワー端子及び制御端子がモールド樹脂から引き出された部分を除く部分のことをいう。
【００１３】
また、上記半導体モジュールにおける上記スイッチング素子は、２つの上記回転電機を別々に制御するために２つのブリッジ回路を構成しており、一方の回転電機を制御する第１ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列してあり、他方の回転電機を制御する第２ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列してあることが好ましい（請求項３）。
この場合には、電力変換装置によって２つの回転電機を制御する際に、制御回路の誤動作を防止及びパワー端子の接続組付性の向上を図ると共に、２つのブリッジ回路を構成する半導体モジュールを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置をコンパクトに形成することができる。
【００１４】
また、上記電力変換回路は、上記回転電機を制御するインバータ回路と、該インバータ回路へ供給する電圧を昇圧する昇圧回路とからなり、上記インバータ回路を構成する上記半導体モジュールであるインバータ用モジュールは、上記第１ブリッジ回路と上記第２ブリッジ回路とを形成しており、上記昇圧回路を構成する上記半導体モジュールである昇圧用モジュールは、上記回路基板の上記平面方向の一方側において、上記第１ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第１昇圧用モジュールと、上記回路基板の上記平面方向の他方側において、上記第２ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第２昇圧用モジュールとからなることが好ましい（請求項４）。
この場合には、電力変換装置において電源電圧の昇圧を行って２つの回転電機を制御する際に、回路基板の一方の表面側に対して、インバータ用モジュールと昇圧用モジュールとを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置をコンパクトに形成することができる。
【００１５】
また、上記複数の半導体モジュールの両表面の少なくとも一方には、金属材料からなる筒形状のフレーム内に冷媒を通過させる冷媒通路を形成してなる冷却器が配置してあることが好ましい（請求項５）。
この場合には、冷却器によって、半導体モジュールから回路基板の側及びその反対側の少なくとも一方に向けて放出されるノイズを遮蔽することができ、電力変換装置における低ノイズ化をより効果的に図ることができる。
【実施例】
【００１６】
以下に、本発明の電力変換装置にかかる実施例につき、図面を参照して説明する。
本例の電力変換装置１は、図１〜図３に示すごとく、スイッチング素子３１をモールド樹脂３２によって覆って形成した複数の半導体モジュール３を回路基板２に配列してなり、図５に示すごとく、スイッチング素子３１によって回転電機５Ａ、５Ｂを制御する電力変換回路６を形成してなる。同図に示すごとく、各半導体モジュール３は、その一方側に、昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに接続されるパワー端子３３を配設すると共に、その他方側に、スイッチング素子を駆動するドライブ回路やＥＣＵ（電子制御ユニット）等の制御回路に接続される制御端子３４を配設してなる。
図１に示すごとく、複数の半導体モジュール３は、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で配列してある。また、複数の半導体モジュール３は、回路基板２において、パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けた状態で配列してある。ここで、平面方向Ｆとは、回路基板２の表面側Ｅにおいて、この表面に平行な二次元の平面の方向のことをいう。
【００１７】
以下に、本例の電力変換装置１につき、図１〜図５を参照して詳説する。
図５に示すごとく、本例の電力変換装置１は、ハイブリッド自動車又は電気自動車において車両駆動用（車両走行用）の回転電機（モータジェネレータ）５Ａ、５Ｂを制御するために用いる。本例の電力変換装置１は、自動車に配設した車両駆動用の２つの回転電機５Ａ、５Ｂを制御するよう構成してある。
本例の電力変換回路６は、回転電機５Ａ、５Ｂを制御するインバータ回路６Ａと、インバータ回路６Ａへ供給する電圧を昇圧する昇圧回路６Ｂとからなる。回路基板２の一方の表面側Ｅにおいては、インバータ回路６Ａを構成する半導体モジュール３であるインバータ用モジュール３Ａ、３Ｂと、昇圧回路６Ｂを構成する半導体モジュール３である昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄとが配列してある。回路基板２の一方の表面側Ｅにおいては、回路基板２の平面方向Ｆにおける一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａのスイッチング素子３１によって、一方の回転電機５Ａを制御する第１ブリッジ回路６Ａ（１）が形成してあり、回路基板２の平面方向Ｆにおける他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂのスイッチング素子３１によって、他方の回転電機５Ｂを制御する第２ブリッジ回路６Ａ（２）が形成してある。
【００１８】
電源６１には、昇圧前平滑コンデンサ６２が設けてあり、昇圧後のプラス側とマイナス側の配線の間には、昇圧後平滑コンデンサ６４が設けてある。昇圧回路６Ｂは、リアクトル６３及び昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄにおけるスイッチング素子３１のスイッチング動作によって昇圧した電圧を、昇圧後平滑コンデンサ６４によって平滑して蓄えるよう構成してある。
【００１９】
図５に示すごとく、各半導体モジュール３（各インバータ用モジュール３Ａ、３Ｂ及び各昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄ）は、還流ダイオード６５を並列に接続し、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）から構成したスイッチング素子３１を、２つ直列に接続して構成してある。なお、スイッチング素子３１は、ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）等から構成することもできる。また、図４に示すごとく、各半導体モジュール３は、板形状に形成してあり、板形状の平面方向Ｆにおける一方側からパワー端子３３を引き出し、他方側から制御端子３４を引き出して形成してある。
【００２０】
図４、図５に示すごとく、各半導体モジュール３は、パワー端子３３として、一方のスイッチング素子３１のコレクタ端子（又はドレイン端子）が昇圧後平滑コンデンサ６４のプラス側に接続されるＰ端子と、他方のスイッチング素子３１のエミッタ端子（又はソース端子）が昇圧後平滑コンデンサ６４のマイナス側に接続されるＮ端子と、両方のスイッチング素子３１同士の間からＯ端子（出力端子）とを有している。また、各半導体モジュール３は、制御端子３４として、各スイッチング素子３１のゲート端子にスイッチング信号を送信するための端子、スイッチング素子３１に流れる電流を測定するための端子、スイッチング素子３１の温度を測定するための端子等を有している。本例の半導体モジュール３においては、各スイッチング素子３１について、５本ずつ制御端子３４が形成されている。図４、図５において、各半導体モジュール３のＯ端子（出力端子）を記号Ｏで示し、Ｐ端子を記号Ｐで示し、Ｎ端子を記号Ｎで示す。
【００２１】
図５に示すごとく、本例の昇圧回路６Ｂにおいては、２つの昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄを昇圧後平滑コンデンサ６４に対して並列に接続して構成してある。図１に示すごとく、第１昇圧用モジュール３Ｃは、回路基板２の平面方向Ｆにおける一方側Ｆ１において、３つの第１インバータ用モジュール３Ａと並んで配置してある。第２昇圧用モジュール３Ｄは、回路基板２の平面方向Ｆにおける他方側Ｆ２において、３つの第２インバータ用モジュール３Ｂと並んで配置してある。
そして、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいては、平面方向Ｆの一方側Ｆ１において、３つの第１インバータ用モジュール３Ａと１つの第１昇圧用モジュール３Ｃとが１列に整列して配設してあり、平面方向Ｆの他方側Ｆ２において、３つの第２インバータ用モジュール３Ｂと１つの第２昇圧用モジュール３Ｄとが１列に整列して配設してある。
【００２２】
また、図１に示すごとく、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａの本体部と、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂの本体部とは、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに対称に配列してある。また、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配置した１つの第１昇圧用モジュール３Ｃの本体部と、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配置した１つの第２昇圧用モジュール３Ｄの本体部とは、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに対称に配列してある。
なお、各モジュール３Ａ〜Ｄの本体部とは、スイッチング素子３１をモールド樹脂３２によってモールド成形した部分のことをいい、パワー端子３３及び制御端子３４がモールド樹脂３２から引き出された部分を除く部分のことをいう。
【００２３】
また、図２に示すごとく、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａ及び１つの第１昇圧用モジュール３Ｃにおける各パワー端子３３は、平面方向Ｆの一方側Ｆ１の外側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向とは反対側に屈曲している。一方、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａ及び１つの第１昇圧用モジュール３Ｃにおける各制御端子３４は、平面方向Ｆの内側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向に屈曲している。
【００２４】
また、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂ及び１つの第２昇圧用モジュール３Ｄにおける各パワー端子３３は、平面方向Ｆの他方側Ｆ２の外側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向とは反対側に屈曲している。一方、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂ及び１つの第２昇圧用モジュール３Ｄにおける各制御端子３４は、平面方向Ｆの内側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向に屈曲している。
そして、各パワー端子３３は、昇圧後平滑コンデンサ６４のプラス側もしくはマイナス側、又は回転電機５Ａ、５Ｂのコイル（本例では３相のステータにおけるコイル）に、バスバー等を介して接続される。また、各半導体モジュール３における制御端子３４は、回路基板２に配線される。
【００２５】
図１に示すごとく、すべての半導体モジュール３の両表面には、アルミニウム材料からなる筒形状のフレーム内に冷媒を通過させる冷媒通路４１１を形成してなる冷却器４１が配置してある。この冷却器４１は、ラジエータからポンプによって送られる冷媒を通過させるよう構成されている。本例の冷却器４１は、回路基板２の一方の表面側Ｅの平面方向Ｆにおける一方側Ｆ１に形成した部分と、回路基板２の一方の表面側Ｅの平面方向Ｆにおける他方側Ｆ２に形成した部分とを、一方側Ｆ１に配置した半導体モジュール３と他方側Ｆ２に配置した半導体モジュール３とが対向する対向方向に直交する方向の端部において接続して、Ｕ字形状に形成されている。
【００２６】
図２、図３に示すごとく、本例の電力変換装置１は、すべての半導体モジュール３の両表面に冷却器４１を配置してなるパワースタック３０に対する一方の表面側Ｅには、回路基板２との間に板バネ４２及びバックプレート４３を積層して配置し、パワースタック３０に対する他方の表面側には、支持部材４４を積層して配置している。バックプレート４３は、パワースタック３０における冷却器４１に対面配置し、板バネ４２による局所的な弾性荷重を受ける。そして、板バネ４２と支持部材４４とを、支持部材４４に形成した支柱４４２を介してビス等によって固定したときには、これらの間に配置するパワースタック３０に、板バネ４２による押圧荷重を作用させて、各半導体モジュール３に冷却器４１を密着させる。また、支持部材４４には、パワースタック３０を配設した側と反対側に、コンデンサ６２、６４及びリアクトル６３が配設してある。また、回路基板２と支持部材４４とは、支持部材４４に形成した支柱４４１を介してビス等によって固定される。
【００２７】
本例の電力変換装置１は、パワー端子３３と制御端子３４とを互いに反対側に配設してなる半導体モジュール３を用い、回路基板２に対する複数の半導体モジュール３の配列の仕方に工夫を行っている。
具体的には、本例の複数の半導体モジュール３としてのインバータ用モジュール３Ａ、３Ｂ及び昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄは、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに対称に配列してある。そして、一方側Ｆ１及び他方側Ｆ２の両側におけるインバータ用モジュール３Ａ、３Ｂ及び昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄについて、各パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に、各制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けている。
【００２８】
これにより、各半導体モジュール３における制御端子３４同士が、回路基板２の平面方向Ｆにおける内側において向き合い、各半導体モジュール３におけるパワー端子３３は、いずれも制御端子３４から最も離れる方向に向けることができる。
そのため、パワー端子３３に流れる大電流が、制御端子３４にノイズ電流として重畳してしまうことを抑制することができ、制御端子３４に接続した制御回路の誤動作を防止することができる。また、制御端子３４に比べて断面積が大きいパワー端子３３を、互いに反対の方向として平面方向Ｆにおける外側に向けることができ、昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに対するパワー端子３３の接続組付性を向上させることができる。なお、このパワー端子３３は、バスバー等を介して昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに接続することができる。
【００２９】
また、本例においては、電源６１の電圧の昇圧を行って２つの回転電機５Ａ、５Ｂを制御する際に、回路基板２の一方の表面側Ｅに対して、インバータ用モジュール３Ａ、３Ｂと昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄとを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置１をコンパクトに形成することができる。
さらに、本例においては、冷却器４１によって、半導体モジュール３から回路基板２の側及びその反対側に向けて放出されるノイズを遮蔽することができ、電力変換装置１における低ノイズ化をより効果的に図ることができる。
【００３０】
それ故、本例の電力変換装置１によれば、各半導体モジュール３の制御端子３４に接続した制御回路の誤動作を防止し、昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに対するパワー端子３３の接続組付性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００３１】
１ 電力変換装置
２ 回路基板
３ 半導体モジュール
３Ａ、３Ｂ インバータ用モジュール
３Ｃ、３Ｄ 昇圧用モジュール
３１ スイッチング素子
３３ パワー端子
３４ 制御端子
４１ 冷却器
５Ａ、５Ｂ 回転電機
６ 電力変換回路
６Ａ インバータ回路
６Ｂ 昇圧回路
６１ 電源
Ｅ 一方の表面側
Ｆ 平面方向
Ｆ１ 一方側
Ｆ２ 他方側
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子によって回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド車等に用いるモータジェネレータ等は、インバータ回路等の電力変換回路によって制御され、電力変換回路は、スイッチング素子をモールド樹脂によって覆って形成した複数の半導体モジュールを用いて構成されている。
例えば、特許文献１のインバータ装置においては、昇圧用のリアクトル、各相用スイッチングユニット、昇圧用スイッチングユニット、昇圧前平滑用コンデンサ、及び昇圧後平滑用コンデンサを含む複数の回路構成部品の中の一部を、冷却プレートの一方の面に当接させ、残りを冷却プレートの他方の面に当接させて配置している。そして、インバータ装置の各回路構成部品を効率的に冷却し、各回路構成部品を１つにまとめて効率的に配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８９２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体モジュールにおいては、電源又は回転電機に接続されるパワー端子の他に、スイッチング素子の制御信号や、各種のセンサ信号等に用いる制御端子が設けられることが多い。この場合に、複数の半導体モジュールを回路基板に配列する際に何らの工夫を行わなければ、パワー端子と制御端子とが接近しているときには、パワー端子に流れる大電流によって、制御端子にノイズ電流が流れてしまうおそれが生じる。
【０００５】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、各半導体モジュールの制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止し、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、スイッチング素子をモールド樹脂によって覆って形成した複数の半導体モジュールを回路基板に配列してなり、上記スイッチング素子によって回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる電力変換装置において、
上記半導体モジュールは、その一方側に、電源又は上記回転電機に接続されるパワー端子を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子を配設してなり、
上記複数の半導体モジュールは、上記回路基板の一方の表面側における平面方向の一方側と他方側とに並列に並ぶ状態で配列してあり、かつ上記パワー端子を上記回路基板の上記平面方向における外側に向けると共に上記制御端子を上記回路基板の上記平面方向における内側に向けた状態で配列してあることを特徴とする電力変換装置にある（請求項１）。
【０００７】
本発明の電力変換装置は、パワー端子と制御端子とを互いに反対側に配設してなる半導体モジュールを用い、回路基板に対する複数の半導体モジュールの配列の仕方に工夫を行っている。すなわち、複数の半導体モジュールは、回路基板の一方の表面側における平面方向の一方側と他方側とに並列に並ぶ状態で配列してある。そして、一方側及び他方側の両側における各半導体モジュールについて、各パワー端子を回路基板の平面方向における外側に向けると共に、各制御端子を回路基板の平面方向における内側に向けている。これにより、各半導体モジュールにおける制御端子同士が、回路基板の平面方向における内側において向き合い、各半導体モジュールにおけるパワー端子は、いずれも制御端子から最も離れる方向に向けることができる。
なお、平面方向とは、回路基板の表面側において、この表面に平行な二次元の平面の方向のことをいう。
【０００８】
そのため、パワー端子に流れる大電流が、制御端子にノイズ電流として重畳してしまうことを抑制することができ、制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止することができる。また、制御端子に比べて断面積が大きいパワー端子を、互いに反対の方向として平面方向における外側に向けることができ、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる。
【０００９】
それ故、本発明の電力変換装置によれば、各半導体モジュールの制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止し、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例において、電力変換装置における各半導体モジュールの平面配置状態を示す説明図。
【図２】実施例において、電力変換装置を示す図で、図１におけるＡ−Ａ線矢視断面説明図。
【図３】実施例において、電力変換装置を示す図で、図１におけるＢ−Ｂ線矢視断面説明図。
【図４】実施例において、半導体モジュールの平面状態を示す説明図。
【図５】実施例において、電力変換回路の概略的な構成を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
上述した本発明の電力変換装置における好ましい実施の形態につき説明する。
本発明において、上記半導体モジュールにおいて、電源に接続されるパワー端子とは、電源に直接接続されることのみを意味せず、平滑コンデンサ等を介して電源に接続されることも意味する。例えば、電源の電圧を昇圧する昇圧回路を用いる場合には、パワー端子は、昇圧後の平滑コンデンサを介して電源に接続することができる。
【００１２】
また、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部と、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部とは、上記回路基板の上記平面方向の一方側と他方側とに対称に配列してあることが好ましい（請求項２）。
この場合には、回路基板の一方の表面側に対して複数の半導体モジュールを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置をコンパクトに形成することができる。
なお、上記半導体モジュールの本体部とは、スイッチング素子をモールド樹脂によってモールド成形した部分のことをいい、上記パワー端子及び制御端子がモールド樹脂から引き出された部分を除く部分のことをいう。
【００１３】
また、上記半導体モジュールにおける上記スイッチング素子は、２つの上記回転電機を別々に制御するために２つのブリッジ回路を構成しており、一方の回転電機を制御する第１ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列してあり、他方の回転電機を制御する第２ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列してあることが好ましい（請求項３）。
この場合には、電力変換装置によって２つの回転電機を制御する際に、制御回路の誤動作を防止及びパワー端子の接続組付性の向上を図ると共に、２つのブリッジ回路を構成する半導体モジュールを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置をコンパクトに形成することができる。
【００１４】
また、上記電力変換回路は、上記回転電機を制御するインバータ回路と、該インバータ回路へ供給する電圧を昇圧する昇圧回路とからなり、上記インバータ回路を構成する上記半導体モジュールであるインバータ用モジュールは、上記第１ブリッジ回路と上記第２ブリッジ回路とを形成しており、上記昇圧回路を構成する上記半導体モジュールである昇圧用モジュールは、上記回路基板の上記平面方向の一方側において、上記第１ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第１昇圧用モジュールと、上記回路基板の上記平面方向の他方側において、上記第２ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第２昇圧用モジュールとからなることが好ましい（請求項４）。
この場合には、電力変換装置において電源電圧の昇圧を行って２つの回転電機を制御する際に、回路基板の一方の表面側に対して、インバータ用モジュールと昇圧用モジュールとを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置をコンパクトに形成することができる。
【００１５】
また、上記複数の半導体モジュールの両表面の少なくとも一方には、金属材料からなる筒形状のフレーム内に冷媒を通過させる冷媒通路を形成してなる冷却器が配置してあることが好ましい（請求項５）。
この場合には、冷却器によって、半導体モジュールから回路基板の側及びその反対側の少なくとも一方に向けて放出されるノイズを遮蔽することができ、電力変換装置における低ノイズ化をより効果的に図ることができる。
【実施例】
【００１６】
以下に、本発明の電力変換装置にかかる実施例につき、図面を参照して説明する。
本例の電力変換装置１は、図１〜図３に示すごとく、スイッチング素子３１をモールド樹脂３２によって覆って形成した複数の半導体モジュール３を回路基板２に配列してなり、図５に示すごとく、スイッチング素子３１によって回転電機５Ａ、５Ｂを制御する電力変換回路６を形成してなる。同図に示すごとく、各半導体モジュール３は、その一方側に、昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに接続されるパワー端子３３を配設すると共に、その他方側に、スイッチング素子を駆動するドライブ回路やＥＣＵ（電子制御ユニット）等の制御回路に接続される制御端子３４を配設してなる。
図１に示すごとく、複数の半導体モジュール３は、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で配列してある。また、複数の半導体モジュール３は、回路基板２において、パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けた状態で配列してある。ここで、平面方向Ｆとは、回路基板２の表面側Ｅにおいて、この表面に平行な二次元の平面の方向のことをいう。
【００１７】
以下に、本例の電力変換装置１につき、図１〜図５を参照して詳説する。
図５に示すごとく、本例の電力変換装置１は、ハイブリッド自動車又は電気自動車において車両駆動用（車両走行用）の回転電機（モータジェネレータ）５Ａ、５Ｂを制御するために用いる。本例の電力変換装置１は、自動車に配設した車両駆動用の２つの回転電機５Ａ、５Ｂを制御するよう構成してある。
本例の電力変換回路６は、回転電機５Ａ、５Ｂを制御するインバータ回路６Ａと、インバータ回路６Ａへ供給する電圧を昇圧する昇圧回路６Ｂとからなる。回路基板２の一方の表面側Ｅにおいては、インバータ回路６Ａを構成する半導体モジュール３であるインバータ用モジュール３Ａ、３Ｂと、昇圧回路６Ｂを構成する半導体モジュール３である昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄとが配列してある。回路基板２の一方の表面側Ｅにおいては、回路基板２の平面方向Ｆにおける一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａのスイッチング素子３１によって、一方の回転電機５Ａを制御する第１ブリッジ回路６Ａ（１）が形成してあり、回路基板２の平面方向Ｆにおける他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂのスイッチング素子３１によって、他方の回転電機５Ｂを制御する第２ブリッジ回路６Ａ（２）が形成してある。
【００１８】
電源６１には、昇圧前平滑コンデンサ６２が設けてあり、昇圧後のプラス側とマイナス側の配線の間には、昇圧後平滑コンデンサ６４が設けてある。昇圧回路６Ｂは、リアクトル６３及び昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄにおけるスイッチング素子３１のスイッチング動作によって昇圧した電圧を、昇圧後平滑コンデンサ６４によって平滑して蓄えるよう構成してある。
【００１９】
図５に示すごとく、各半導体モジュール３（各インバータ用モジュール３Ａ、３Ｂ及び各昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄ）は、還流ダイオード６５を並列に接続し、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）から構成したスイッチング素子３１を、２つ直列に接続して構成してある。なお、スイッチング素子３１は、ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）等から構成することもできる。また、図４に示すごとく、各半導体モジュール３は、板形状に形成してあり、板形状の平面方向Ｆにおける一方側からパワー端子３３を引き出し、他方側から制御端子３４を引き出して形成してある。
【００２０】
図４、図５に示すごとく、各半導体モジュール３は、パワー端子３３として、一方のスイッチング素子３１のコレクタ端子（又はドレイン端子）が昇圧後平滑コンデンサ６４のプラス側に接続されるＰ端子と、他方のスイッチング素子３１のエミッタ端子（又はソース端子）が昇圧後平滑コンデンサ６４のマイナス側に接続されるＮ端子と、両方のスイッチング素子３１同士の間からＯ端子（出力端子）とを有している。また、各半導体モジュール３は、制御端子３４として、各スイッチング素子３１のゲート端子にスイッチング信号を送信するための端子、スイッチング素子３１に流れる電流を測定するための端子、スイッチング素子３１の温度を測定するための端子等を有している。本例の半導体モジュール３においては、各スイッチング素子３１について、５本ずつ制御端子３４が形成されている。図４、図５において、各半導体モジュール３のＯ端子（出力端子）を記号Ｏで示し、Ｐ端子を記号Ｐで示し、Ｎ端子を記号Ｎで示す。
【００２１】
図５に示すごとく、本例の昇圧回路６Ｂにおいては、２つの昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄを昇圧後平滑コンデンサ６４に対して並列に接続して構成してある。図１に示すごとく、第１昇圧用モジュール３Ｃは、回路基板２の平面方向Ｆにおける一方側Ｆ１において、３つの第１インバータ用モジュール３Ａと並んで配置してある。第２昇圧用モジュール３Ｄは、回路基板２の平面方向Ｆにおける他方側Ｆ２において、３つの第２インバータ用モジュール３Ｂと並んで配置してある。
そして、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいては、平面方向Ｆの一方側Ｆ１において、３つの第１インバータ用モジュール３Ａと１つの第１昇圧用モジュール３Ｃとが１列に整列して配設してあり、平面方向Ｆの他方側Ｆ２において、３つの第２インバータ用モジュール３Ｂと１つの第２昇圧用モジュール３Ｄとが１列に整列して配設してある。
【００２２】
また、図１に示すごとく、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａの本体部と、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂの本体部とは、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに対称に配列してある。また、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配置した１つの第１昇圧用モジュール３Ｃの本体部と、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配置した１つの第２昇圧用モジュール３Ｄの本体部とは、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに対称に配列してある。
なお、各モジュール３Ａ〜Ｄの本体部とは、スイッチング素子３１をモールド樹脂３２によってモールド成形した部分のことをいい、パワー端子３３及び制御端子３４がモールド樹脂３２から引き出された部分を除く部分のことをいう。
【００２３】
また、図２に示すごとく、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａ及び１つの第１昇圧用モジュール３Ｃにおける各パワー端子３３は、平面方向Ｆの一方側Ｆ１の外側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向とは反対側に屈曲している。一方、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの一方側Ｆ１に配列した３つの第１インバータ用モジュール３Ａ及び１つの第１昇圧用モジュール３Ｃにおける各制御端子３４は、平面方向Ｆの内側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向に屈曲している。
【００２４】
また、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂ及び１つの第２昇圧用モジュール３Ｄにおける各パワー端子３３は、平面方向Ｆの他方側Ｆ２の外側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向とは反対側に屈曲している。一方、回路基板２の一方の表面側Ｅにおいて、平面方向Ｆの他方側Ｆ２に配列した３つの第２インバータ用モジュール３Ｂ及び１つの第２昇圧用モジュール３Ｄにおける各制御端子３４は、平面方向Ｆの内側に向けて引き出され、回路基板２の配設方向に屈曲している。
そして、各パワー端子３３は、昇圧後平滑コンデンサ６４のプラス側もしくはマイナス側、又は回転電機５Ａ、５Ｂのコイル（本例では３相のステータにおけるコイル）に、バスバー等を介して接続される。また、各半導体モジュール３における制御端子３４は、回路基板２に配線される。
【００２５】
図１に示すごとく、すべての半導体モジュール３の両表面には、アルミニウム材料からなる筒形状のフレーム内に冷媒を通過させる冷媒通路４１１を形成してなる冷却器４１が配置してある。この冷却器４１は、ラジエータからポンプによって送られる冷媒を通過させるよう構成されている。本例の冷却器４１は、回路基板２の一方の表面側Ｅの平面方向Ｆにおける一方側Ｆ１に形成した部分と、回路基板２の一方の表面側Ｅの平面方向Ｆにおける他方側Ｆ２に形成した部分とを、一方側Ｆ１に配置した半導体モジュール３と他方側Ｆ２に配置した半導体モジュール３とが対向する対向方向に直交する方向の端部において接続して、Ｕ字形状に形成されている。
【００２６】
図２、図３に示すごとく、本例の電力変換装置１は、すべての半導体モジュール３の両表面に冷却器４１を配置してなるパワースタック３０に対する一方の表面側Ｅには、回路基板２との間に板バネ４２及びバックプレート４３を積層して配置し、パワースタック３０に対する他方の表面側には、支持部材４４を積層して配置している。バックプレート４３は、パワースタック３０における冷却器４１に対面配置し、板バネ４２による局所的な弾性荷重を受ける。そして、板バネ４２と支持部材４４とを、支持部材４４に形成した支柱４４２を介してビス等によって固定したときには、これらの間に配置するパワースタック３０に、板バネ４２による押圧荷重を作用させて、各半導体モジュール３に冷却器４１を密着させる。また、支持部材４４には、パワースタック３０を配設した側と反対側に、コンデンサ６２、６４及びリアクトル６３が配設してある。また、回路基板２と支持部材４４とは、支持部材４４に形成した支柱４４１を介してビス等によって固定される。
【００２７】
本例の電力変換装置１は、パワー端子３３と制御端子３４とを互いに反対側に配設してなる半導体モジュール３を用い、回路基板２に対する複数の半導体モジュール３の配列の仕方に工夫を行っている。
具体的には、本例の複数の半導体モジュール３としてのインバータ用モジュール３Ａ、３Ｂ及び昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄは、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で、回路基板２の一方の表面側Ｅにおける平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに対称に配列してある。そして、一方側Ｆ１及び他方側Ｆ２の両側におけるインバータ用モジュール３Ａ、３Ｂ及び昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄについて、各パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に、各制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けている。
【００２８】
これにより、各半導体モジュール３における制御端子３４同士が、回路基板２の平面方向Ｆにおける内側において向き合い、各半導体モジュール３におけるパワー端子３３は、いずれも制御端子３４から最も離れる方向に向けることができる。
そのため、パワー端子３３に流れる大電流が、制御端子３４にノイズ電流として重畳してしまうことを抑制することができ、制御端子３４に接続した制御回路の誤動作を防止することができる。また、制御端子３４に比べて断面積が大きいパワー端子３３を、互いに反対の方向として平面方向Ｆにおける外側に向けることができ、昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに対するパワー端子３３の接続組付性を向上させることができる。なお、このパワー端子３３は、バスバー等を介して昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに接続することができる。
【００２９】
また、本例においては、電源６１の電圧の昇圧を行って２つの回転電機５Ａ、５Ｂを制御する際に、回路基板２の一方の表面側Ｅに対して、インバータ用モジュール３Ａ、３Ｂと昇圧用モジュール３Ｃ、３Ｄとを効率よく整列させて配置することができ、電力変換装置１をコンパクトに形成することができる。
さらに、本例においては、冷却器４１によって、半導体モジュール３から回路基板２の側及びその反対側に向けて放出されるノイズを遮蔽することができ、電力変換装置１における低ノイズ化をより効果的に図ることができる。
【００３０】
それ故、本例の電力変換装置１によれば、各半導体モジュール３の制御端子３４に接続した制御回路の誤動作を防止し、昇圧後平滑コンデンサ６４又は回転電機５Ａ、５Ｂに対するパワー端子３３の接続組付性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００３１】
１ 電力変換装置
２ 回路基板
３ 半導体モジュール
３Ａ、３Ｂ インバータ用モジュール
３Ｃ、３Ｄ 昇圧用モジュール
３１ スイッチング素子
３３ パワー端子
３４ 制御端子
４１ 冷却器
５Ａ、５Ｂ 回転電機
６ 電力変換回路
６Ａ インバータ回路
６Ｂ 昇圧回路
６１ 電源
Ｅ 一方の表面側
Ｆ 平面方向
Ｆ１ 一方側
Ｆ２ 他方側
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子をモールド樹脂によって覆って形成した複数の半導体モジュールを回路基板に配列してなり、上記スイッチング素子によって回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる電力変換装置において、
上記半導体モジュールは、その一方側に、電源又は上記回転電機に接続されるパワー端子を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子を配設してなり、
上記複数の半導体モジュールは、上記回路基板の一方の表面側における平面方向の一方側と他方側とに並列に並ぶ状態で配列してあり、かつ上記パワー端子を上記回路基板の上記平面方向における外側に向けると共に上記制御端子を上記回路基板の上記平面方向における内側に向けた状態で配列してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１において、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部と、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部とは、上記回路基板の上記平面方向の一方側と他方側とに対称に配列してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、上記半導体モジュールにおける上記スイッチング素子は、２つの上記回転電機を別々に制御するために２つのブリッジ回路を構成しており、
一方の回転電機を制御する第１ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列してあり、
他方の回転電機を制御する第２ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項３において、上記電力変換回路は、上記回転電機を制御するインバータ回路と、該インバータ回路へ供給する電圧を昇圧する昇圧回路とからなり、
上記インバータ回路を構成する上記半導体モジュールであるインバータ用モジュールは、上記第１ブリッジ回路と上記第２ブリッジ回路とを形成しており、
上記昇圧回路を構成する上記半導体モジュールである昇圧用モジュールは、上記回路基板の上記平面方向の一方側において、上記第１ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第１昇圧用モジュールと、上記回路基板の上記平面方向の他方側において、上記第２ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第２昇圧用モジュールとからなることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、上記複数の半導体モジュールの両表面の少なくとも一方には、金属材料からなる筒形状のフレーム内に冷媒を通過させる冷媒通路を形成してなる冷却器が配置してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１】
スイッチング素子をモールド樹脂によって覆って形成した複数の半導体モジュールを回路基板に配列してなり、上記スイッチング素子によって回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる電力変換装置において、
上記半導体モジュールは、その一方側に、電源又は上記回転電機に接続されるパワー端子を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子を配設してなり、
上記複数の半導体モジュールは、上記回路基板の一方の表面側における平面方向の一方側と他方側とに並列に並ぶ状態で配列してあり、かつ上記パワー端子を上記回路基板の上記平面方向における外側に向けると共に上記制御端子を上記回路基板の上記平面方向における内側に向けた状態で配列してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１において、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部と、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列した複数の半導体モジュールの本体部とは、上記回路基板の上記平面方向の一方側と他方側とに対称に配列してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、上記半導体モジュールにおける上記スイッチング素子は、２つの上記回転電機を別々に制御するために２つのブリッジ回路を構成しており、
一方の回転電機を制御する第１ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の一方側に配列してあり、
他方の回転電機を制御する第２ブリッジ回路を構成する半導体モジュールが、上記回路基板の上記平面方向の他方側に配列してあることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項３において、上記電力変換回路は、上記回転電機を制御するインバータ回路と、該インバータ回路へ供給する電圧を昇圧する昇圧回路とからなり、
上記インバータ回路を構成する上記半導体モジュールであるインバータ用モジュールは、上記第１ブリッジ回路と上記第２ブリッジ回路とを形成しており、
上記昇圧回路を構成する上記半導体モジュールである昇圧用モジュールは、上記回路基板の上記平面方向の一方側において、上記第１ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第１昇圧用モジュールと、上記回路基板の上記平面方向の他方側において、上記第２ブリッジ回路を構成する上記インバータ用モジュールと並ぶ第２昇圧用モジュールとからなることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、上記複数の半導体モジュールの両表面の少なくとも一方には、金属材料からなる筒形状のフレーム内に冷媒を通過させる冷媒通路を形成してなる冷却器が配置してあることを特徴とする電力変換装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−１７２１４７（Ｐ２０１０−１７２１４７Ａ）
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３９２５（Ｐ２００９−１３９２５）
【出願日】平成２１年１月２６日（２００９．１．２６）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２６日（２００９．１．２６）
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
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