電気光学装置および駆動回路
【課題】データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えるとともに、電源投入直後等におけるシ
ステムダウンを防止する。
【解決手段】画素は、画素容量と、一端が画素電極に接続され他端が容量線１３２に接続
された補助容量とを含む。容量線１３２は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ
、容量線駆動回路は、１〜３２０行の容量線１３２をそれぞれ両側に設けられる。
ここで、容量線駆動回路は、各容量線１３２に対応した単位制御回路１５２を有し、各
単位制御回路１５２は、インバータ５３、５４によるラッチ回路５０と、容量信号Ｓcom
を供給する信号線１５３と容量線１３２との間に介挿され、ラッチ回路の端子ＰがＨレベ
ルであるときにオンとなり、Ｌレベルであるときにオフするトランスミッション・ゲート
５５とを含む。
ステムダウンを防止する。
【解決手段】画素は、画素容量と、一端が画素電極に接続され他端が容量線１３２に接続
された補助容量とを含む。容量線１３２は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ
、容量線駆動回路は、１〜３２０行の容量線１３２をそれぞれ両側に設けられる。
ここで、容量線駆動回路は、各容量線１３２に対応した単位制御回路１５２を有し、各
単位制御回路１５２は、インバータ５３、５４によるラッチ回路５０と、容量信号Ｓcom
を供給する信号線１５３と容量線１３２との間に介挿され、ラッチ回路の端子ＰがＨレベ
ルであるときにオンとなり、Ｌレベルであるときにオフするトランスミッション・ゲート
５５とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を抑える技術に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振
幅が正負の両極性にわたるので、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路にお
いては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求されるだけでなく、消費電力の面で不
利になる。
そこで、画素容量に並列して補助容量を設けるとともに、各行において補助容量を共通
接続した容量線を、走査線の選択に同期させて二値電圧で駆動することにより、データ信
号の電圧振幅を抑える技術が提案されている（特許文献１参照）。
容量線に二値電圧のいずれかを印加する容量線駆動回路は、走査線の選択に同期するよ
うにラッチ回路が設けられるとともに、そのラッチ結果に応じて、二値電圧のいずれかを
容量線に印加する構成となっている。
【特許文献１】特開２００２−１９６３５８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、容量線は、抵抗成分や容量成分によってＣＲ時定数が大きいので、容量線駆
動回路を容量線の一方側に設けた構成では、容量線の他方側において遅延が発生して、目
的とする電圧に迅速に変化しない可能性がある。このため、同じ構成の容量線駆動回路を
容量線の両側に設ける構成も提案されている。
しかしながら、容量線の両側に容量線駆動回路を設けた構成では、電源投入直後等にお
いて、両側のラッチ回路における出力状態が確定しないので、出力状態が互いに異なって
しまう場合がある。出力状態が異なっていると、一方の側で二値電圧のうちの高位電圧が
、他方の側で二値電圧のうちの低位電圧が、それぞれ同じ容量線に印加されて、大電流が
流れる結果、電源投入直後にシステムダウンしてしまう、という不都合が懸念された。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、容量線駆動回
路を容量線の両側に設けた構成において、電源投入直後等におけるシステムダウンを防止
した技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と
、複数のデータ線と、前記複数の走査線の各々に対応して設けられた容量線と、前記複数
の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、各々は、一端が前
記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間
で導通状態になる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接
続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に
対応して設けられた容量線との間に介挿された補助容量と、を含む画素と、を有する電気
光学装置の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、選
択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、デ
ータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、一の走査線に対応して設けられた容量線に
対し、当該一の走査線が選択されたときに二値電圧の一方とし、当該一の走査線の選択が
終了したとき以降に前記二値電圧の他方にシフトさせる容量線駆動回路と、を具備し、前
記容量線駆動回路は、前記容量線の一端側および他端側のそれぞれに、前記容量線の各々
に対応して設けられた単位制御回路を備え、一の容量線に対応する単位制御回路は、少な
くとも当該一の容量線に対応する走査線が選択される期間において論理レベルの一方に保
持するラッチ回路と、前記二値電圧が所定周期で切り替わる容量信号を供給する信号線と
前記容量線との間において、前記論理レベルが一方のときに導通状態になり、前記論理レ
ベルが他方のときに非導通状態になるスイッチと、を有することを特徴とする。本発明に
よれば、電源投入直後等において一端側および他端側にそれぞれ設けられた単位制御回路
のラッチ回路の保持状態が異なっていても、一方のスイッチがオン、他方のスイッチがオ
フとなり、容量線を介して二値電圧間が短絡状態になることはないので、システムダウン
を防止することが可能となる。
【０００５】
本発明において、前記容量信号は、走査線が１本ずつ選択される周期であって、いずれ
の走査線も選択されないタイミングで電圧が切り替わる構成としても良い。この構成によ
れば、走査線毎に書込極性を反転することが可能となる。
また、本発明において、前記容量信号は、第１容量信号および第２容量信号があり、前
記第１容量信号は、走査線が２本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選択さ
れないタイミングで電圧が切り替わり、前記第２容量信号は、前記第１容量信号に対して
位相が９０度進んだ又は遅れた信号であり、奇数行の単位制御回路における前記スイッチ
は、前記第１容量信号を供給する信号線と前記容量線との間において介挿され、偶数行の
単位制御回路における前記スイッチは、前記第２容量信号を供給する信号線と前記容量線
との間において介挿された構成としても良い。この構成によれば、走査線の２本毎に書込
極性を反転することが可能となる。
本発明において、前記スイッチが非導通状態となる直前における前記容量線の電圧状態
を保持する保持回路を有する構成としても良い。この構成によれば、容量線がハイ・イン
ピーダンス状態にならないので、ノイズ等のより影響が排除されて、表示品位の低下を防
止することが可能となる。
また、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても概念する
ことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域
１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒ、データ線
駆動回路１９０が配置した周辺回路内蔵型のパネル構成となっている。また、表示制御回
路２０は、上記周辺回路内蔵型のパネルとは、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit
）基板によって接続される。
【０００８】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、０行目から３
２１行目までの計３２２行の走査線１１２が、図において横（行）方向に延在する一方、
２４０列のデータ線１１４が縦（列）方向に延在するように、それぞれ設けられている。
そして、図１において、最も上の０行目と最も下の３２１行目を除いた１〜３２０行目
の走査線１１２と、１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０が
それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００にお
いて縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列
に限定する趣旨ではない。
【０００９】
なお、０行目および３２１行目の走査線１１２は、画素１１０に対応していないので、
ダミー走査線として機能することになる。また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応し
て、それぞれ容量線１３２が行方向に延在して設けられている。このため、本実施形態に
おいて、容量線１３２については、ダミーとなる０行目および３２１行目を除いた１〜３
２０行目の走査線１１２に対応して設けられることになる。
【００１０】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行目及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行目と、ｊ列目及びこれに右方
向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている
。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３
２０以下の整数であるが、走査線１１２の行を一般的に説明する場合には、ダミーである
０行目および３２１行目を含める必要があるので０以上３２１以下の整数になる。また、
ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上
２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、補助容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続さ
れる一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画
素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
画素容量１２０の他端はコモン電極１０８に接続される。このコモン電極１０８は、図
１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、電圧ＬＣcomに、時間的に
一定になるように保たれる。
【００１２】
ｉ行ｊ列の画素１１０における補助容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦＴ１１
６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続されてい
る。ここで、画素容量１２０および補助容量１３０における容量値を、それぞれＣpixお
よびＣsとする。
なお、図２において、Ｙi、Ｙ(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に
供給される走査信号を示し、また、Ｓci、Ｓc(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の容
量線１３２の電圧を示している。
【００１３】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成さ
れた対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保
って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このた
め、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶
１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持する
構成となる。この構成において、画素容量１２０では、その透過光量が当該保持電圧の実
効値に応じて変化する。
なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値が
ゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくな
るにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリー
ホワイトモードであるとする。
【００１４】
説明を再び図１に戻すと、表示制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装
置１０における各部の制御等をするとともに、容量信号Ｓcomを容量線駆動回路１５０Ｌ
、１５０Ｒに信号線１５３を介して供給するほか、コモン電極１０８に電圧ＬＣcomを印
加する。
【００１５】
また、上述したように、表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１４０や、容量線
駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒ、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている
。このうち、走査線駆動回路１４０は、表示制御回路２０による制御にしたがって走査線
１１２を図１において上から数えて０、１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番
で選択し、選択した走査線への走査信号をＨレベルに相当する選択電圧ＶHとし、それ以
外の走査線への走査信号をＬレベルに相当する非選択電圧ＶLとする。
詳細には、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、表示制御回路２０から供
給されるスタートパルスＤyを、デューティ比が５０％であるクロック信号Ｃlyにしたが
って順次シフトさせるとともに、パルス幅をクロック信号Ｃlyの半周期よりも狭め、時間
的に前方に寄せて、走査信号Ｙ0、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、…、Ｙ320、Ｙ321として出力す
る。
ここで、フレーム期間とは、パネルを駆動することによって、画像の１コマ分を表示さ
せるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その逆数である１６．
７ミリ秒である。このようなフレーム期間は、本実施形態では図４に示されるように、走
査信号Ｙ1がＨレベルになってから走査信号Ｙ320がＬレベルになるまでの垂直有効走査期
間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。
なお、クロック信号Ｃlyの論理レベルが一定である半周期分の期間を、水平走査期間（
Ｈ）とする。この水平走査期間（Ｈ）のうち、時間的に前方において走査信号がＨレベル
となる期間を水平有効走査期間とすると、残りの期間が水平帰線期間になる。
【００１６】
次に、説明の便宜上、表示制御回路２０が出力する制御信号のうち、極性指定信号Ｐol
と容量信号Ｓcomについて説明する。
まず、極性指定信号Ｐolは、その論理レベルがＨレベルであれば、水平有効期間におけ
る書込極性を負極性に指定する信号であり、Ｌレベルであれば、当該水平有効期間におけ
る書込極性を正極性に指定する信号である。
極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、その論理レベルが水平走査期間と同じ期間毎に
、クロック信号Ｃlyの論理レベルが切り替わるタイミングよりも先行したタイミングにお
いて、すなわち、詳細には、隣接する２行の走査信号がいずれもＬレベルになる水平帰線
期間において切り替わる。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、フレー
ムの期間にわたって行毎に反転する走査線（ライン）反転となる。
なお、極性指定信号Ｐolは、隣接するフレーム期間同士の同一水平有効期間で比較した
ときに、論理反転されているが、このように論理反転する理由は、直流成分の印加による
液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた
電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも画素電極１１８の電位を
高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、
特に説明のない限り、図示省略した電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
次に、容量信号Ｓcomは、図４に示されるように、極性指定信号Ｐolに同期する信号で
あって、極性指定信号ＰolがＬレベルであれば、二値電圧のうち、低位側の電圧ＶSLにな
り、極性指定信号ＰolがＨレベルであれば高位側の電圧ＶSHになる信号である。
【００１７】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位
置する画素１１０に対し、当該画素の階調に応じた電圧であって、極性指定信号Ｐolで指
定された極性に応じた電圧のデータ信号を、データ線１１４を介して供給する。この供給
動作を、データ線駆動回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列の
それぞれについて実行する。
なお、データ線駆動回路１９０は、おおよそ次のような構成となっている。すなわち、
データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領
域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）
を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示データＤaは、表示
内容に変更が生じた場合に、表示制御回路２０によってアドレスとともに変更後の表示デ
ータＤaが供給されて書き換えられる。そして、データ線駆動回路１９０は、選択される
走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、
当該読み出した表示データを、指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、デー
タ線１１４に供給することとなる。
【００１８】
容量線駆動回路１５０Ｌは、表示領域１００に対し図１において左側に配置し、容量線
駆動回路１５０Ｒは、表示領域１００において右側に配置する。容量線駆動回路１５０Ｌ
、１５０Ｒは、それぞれ１〜３２０行目に対応して単位制御回路１５２を有し、各単位制
御回路１５２がそれぞれ容量線１３２を両側から駆動する構成となっている。
ここで、本実施形態において、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒは、表示領域１００
に対してそれぞれ左右側に配置しているが、電気的な構成は同一である。このため、電気
的な構成については、容量線駆動回路１５０Ｌで代表させて説明する。
【００１９】
図３は、容量線駆動回路１５０Ｌにおいてｉ行目および（ｉ＋１）行目に対応する単位
制御回路１５２の構成を示す図である。
この図に示されるように、各行の単位制御回路１５２は、ＴＦＴ５１、５２、インバー
タ５３、５４、トランスミッション・ゲート５５およびインバータ５６を有する。
このうち、ｉ行目の単位制御回路１５２について説明すると、インバータ５３の出力端
はインバータ５４の入力端に接続され、インバータ５４の出力端はインバータ５３の入力
端に接続されているので、一種の記憶性を有するラッチ回路５０が構成されている。
ここで、便宜的にラッチ回路５０の出力端となるインバータ５３の出力端（インバータ
５４の入力端）をＰと表記する。
ＴＦＴ５１のソース電極は、論理レベルのＬレベルに相当する電圧ＶLの給電線に接続
され、そのドレイン電極がインバータ５３の入力端に接続され、そのゲート電極がｉ行目
に対して１行上の（ｉ−１）行目の走査線１１２に接続されて、走査信号Ｙ(i-1)が供給
される。一方、ＴＦＴ５２のソース電極は、電圧ＶLの給電線に接続され、そのドレイン
電極がインバータ５４の入力端に接続され、そのゲート電極がｉ行目に対して１行下の（
ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続されて、走査信号Ｙ(i+1)が供給される。
【００２０】
トランスミッション・ゲート５５は、容量信号Ｓcomが供給される信号線１５３と容量
線１３２との間に介挿されたアナログスイッチであり、端子Ｐの論理レベルがＨレベルで
あるときにオン（導通）状態になり、端子ＰがＬレベルであるときにオフ（非導通）状態
になる。このため、端子ＰがＨレベルであるとき、トランスミッション・ゲート５５のオ
ンにより、容量信号Ｓcomが容量線１３２に供給されることになる。
なお、トランスミッション・ゲート５５は、本実施形態では、ｎチャネル型およびｐチ
ャネル型ＴＦＴを組み合わせた相補型としているので、端子Ｐの論理レベルを正転制御信
号とし、端子Ｐの論理レベルをインバータ５６により反転したものを、反転制御信号とし
ている。
【００２１】
このような構成において、ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、第１に、１
行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになると、ＴＦＴ５１がオンになり、Ｌレベルがイン
バータ５３により反転される結果、Ｈレベルになり、第２に、走査信号ＹiがＨレベルに
なるとき、走査信号Ｙ(i-１)がＬレベルになっているので、ＴＦＴ５１がオフするが、ラ
ッチ回路５０によってＨレベルに保持され、第３に、走査信号Ｙ(i+ 1)がＨレベルになる
と、ＴＦＴ５２がオンするので、Ｌレベルに書き換えられ、第４に、走査信号Ｙ(i+1)が
Ｌレベルになる以降の期間では、ＴＦＴ５２がオフするが、ラッチ回路５０によってＬレ
ベルに保持される。
すなわち、ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の（ｉ−１）行目お
よび自行のｉ行目が選択される水平走査有効期間を含む二水平走査期間のみＨレベルにな
り、他の期間ではＬレベルに保持される。このため、ｉ行目の単位制御回路１５２におけ
るトランスミッション・ゲート５５は、当該二水平走査期間のみにおいてオンになり、他
の期間ではオフになるので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｓciは、当該二水平走査期間に
限れば、容量信号Ｓcomと同一波形になる。
なお、各容量線１３２は、それぞれ容量成分が寄生するので、トランスミッション・ゲ
ート５５がオフになっても、直前の電圧状態が保持される。
【００２２】
したがって、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1から３２０行目の容量線１３２の電圧Ｓ
c320までは、図４に示される通りとなる。
なお、図４において、電圧Ｓc1〜Ｓc320の波形のうち、太線部分は、トランスミッショ
ン・ゲート５５がオンする期間に相当する波形であり、細線部分は、トランスミッション
・ゲート５５がオフする期間に相当する波形であって、寄生容量成分によって電圧が保た
れている部分である。
【００２３】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、走査信号Ｙ1がＨレベルになる。走査信号Ｙ1がＨレベルになると、１行１列〜１
行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、
データ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列
の画素容量１２０には、データ信号の電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとの差電圧
が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ1がＨレベルになる水平有効走査期間において極性指定信号ＰolがＬ
レベルであって正極性書込が指定されていれば、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1は、低
位側の電圧ＶSLになる。このため、１行１列〜１行２４０列の補助容量１３０には、それ
ぞれデータ信号の電圧と電圧ＶSLとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２４】
この後、走査信号Ｙ1がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ1がＬレベルになる水平帰線期間では、極性指
定信号Ｐolが反転するので、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1は、高位側の電圧ＶSHに切
り替わり、走査信号Ｙ1がＨレベルであったときと比較して（ＶSH−ＶSL）だけ上昇する
。この電圧上昇分をΔＶとすると、画素容量１２０と補助容量１３０との直列接続におい
て、画素容量１２０の他端（コモン電極）が電圧ＬＣcomで一定に保たれたまま、補助容
量１３０の他端が電圧ΔＶだけ上昇するので、電荷の移動によって、画素電極１１８がデ
ータ信号の電圧よりも上昇する。
ここで、走査信号Ｙ1がＨレベルのときに、ｊ列目のデータ信号Ｘjが電圧Ｖjであった
としたとき、１行ｊ列の画素１１０において、画素容量１２０と補助容量１３０との直列
接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖj＋｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、データ信号の電圧Ｖjよりも、１行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画
素容量１２０および補助容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ上
昇することになる。
【００２５】
換言すれば、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1がΔＶだけ上昇すると、画素電極１１８
の電圧は、走査信号Ｙ1がＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖjよりも、｛Ｃs／
（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ（＝ΔＶpixとする）だけ上昇することになる。
ここで、正極性書込が指定される水平有効走査期間におけるデータ信号Ｘjは、画素電
極１１８が電圧ΔＶpixだけ上昇することを見越した電圧Ｖjに設定される。すなわち、上
昇した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも高位であって
両者の差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた値となるように設定される。
なおここでは、１行ｊ列の画素容量１２０および補助容量１３０について説明したが、
同様な動作は、走査線１１２および容量線１３２を兼用する１行１列〜１行２４０列につ
いて同時並行的に同様に実行される。
これにより、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正
極性電圧が保持されて、当該階調に応じた透過率になる。
【００２６】
続いて、走査信号Ｙ2がＨレベルになる。走査信号Ｙ2がＨレベルになると、２行１列〜
２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には
、データ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240が印加され、２行１列〜２行２４０列の画素容量
１２０には、データ信号の電圧と電圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ1がＨレベルになる水平走査期間において正極性書込が指定されてい
たので、走査信号Ｙ2がＨレベルになる水平有効走査期間では、極性指定信号ＰolがＨレ
ベルになり、負極性書込が指定される。このため、２行目の容量線１３２の電圧Ｓc2は、
高位側の電圧ＶSHになる。このため、２行１列〜２行２４０列の補助容量１３０には、そ
れぞれデータ信号の電圧と電圧ＶS Hとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２７】
この後、走査信号Ｙ2がＬレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ2がＬレベルになる水平帰線期間では、極性指
定信号Ｐolが反転するので、２行目の容量線１３２の電圧Ｓc2は、低位側の電圧ＶSLに切
り替わり、走査信号Ｙ2がＨレベルであったときと比較して（ＶSH−ＶSL）、すなわち電
圧ΔＶだけ低下する。このため、画素容量１２０の他端が電圧ＬＣcomで一定に保たれた
まま、補助容量１３０の他端が電圧ΔＶだけ低下するので、電荷の移動によって画素電極
１１８もデータ信号の電圧よりも低下する。
ここで、ｊ列目についてみると、２行ｊ列の画素１１０において、画素容量１２０と補
助容量１３０との直列接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖj−｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、データ信号の電圧Ｖjよりも、２行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画
素容量１２０および補助容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ低
下することになる。
【００２８】
ここで、負極性書込が指定される水平有効走査期間におけるデータ信号Ｘjは、画素電
極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下することを見越した電圧Ｖjに設定される。すなわち、低
下した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも低位であって
両者の差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた値となるように設定される。
同様な動作は、走査線１１２および容量線１３２を兼用する２行１列〜２行２４０列に
ついて同時並行的に同様に実行されるので、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０に
は、それぞれ階調に応じた負極性電圧が保持されて、当該階調に応じた透過率になる。
【００２９】
フレーム期間においては、走査信号Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、…、Ｙ320が順番にＨレベルになる
ので、３、５、７、…、３１９行目については１行目と同様な動作が、４、６、８、…、
３２０行目については２行目と同様な動作が、それぞれ実行される。これにより、奇数行
の画素においては、階調に応じた正極性電圧が保持され、偶数行の画素においては、階調
に応じた負極性電圧が保持されて、それぞれ当該階調に応じた透過率になる。
次のフレーム期間では、各行において書込極性が反転して、奇数行の画素に対し負極性
書込が指定され、偶数奇数行の画素に対し負極性書込が指定される以外は、同様な動作と
なる。
【００３０】
図５は、ｉ行目の走査信号Ｙiと、ｉ行目の容量線の電圧Ｓciとの波形に対して、ｉ行
ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)がどのように変化するのかを示す図である。
この図に示されるように、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)は、走査信号ＹiがＨレベル
になったときに、正極性書込が指定されていれば、データ信号の電圧Ｖp(+)になり、この
後、容量線１３２の電圧Ｓciが電圧ＶSLから電圧ＶSHに切り替えられることにより、電圧
ΔＶpi xだけ上昇することが示され、また、負極性書込が指定されていれば、データ信号
の電圧Ｖp(-)になり、この後、容量線１３２の電圧Ｓciが電圧ＶSHから電圧ＶSLに切り替
えられることにより、電圧ΔＶpixだけ低下することが示されている。
なお、ｉ行目では、１行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになることによって、容量線
１３２の電圧Ｓciが切り替えられるので、画素電極１１８の電圧も変化するが、この変化
期間はフレーム期間のうち、一水平走査期間に過ぎず、透過率に与える影響をほとんど無
視することができる。
また、本実施形態では、走査線の選択が終了したのち、容量線１３２の電圧Ｓciが電圧
ＶSLから電圧ＶSHに、もしくは、電圧ＶSHから電圧ＶSLに切り替えられるタイミングを次
の走査線が選択されたタイミングとしているが、これに限定されることなく、走査線の選
択が終了したとき以降、すなわち、終了と同時点から一垂直期間後の次のフレーム書き込
みまでの間であれば変更可能である。
【００３１】
本実施形態では、画素電極１１８の電圧範囲が、データ信号の電圧振幅よりも拡大され
るので、逆にいえば、データ信号の電圧振幅については、画素電極１１８の電圧範囲より
も狭くて済むので、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでな
く、データ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、データ線１１４の寄生容量により
無駄に電力が消費されることもなくなる。
【００３２】
ところで、本実施形態において、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが少なくとも一巡すれ
ば、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒにおける１〜３２０行目の単位制御回路１５２に
おける端子Ｐの保持状態がすべて確定する。
しかしながら、電源投入直後のように、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが一巡しない状
況では、端子Ｐの保持状態が確定しない。このため、同じ行の単位制御回路１５２におい
て、端子Ｐの保持状態が異なっている場合が当然にあり得る。例えば、同じ行の単位制御
回路１５２における端子Ｐの保持状態が、左側に位置する容量線駆動回路１５０ＬではＨ
レベルであるのに対し、右側に位置する容量線駆動回路１５０ＲではＬレベルになってし
まう場合、または、その逆となってしまう場合、があり得る。
【００３３】
ここで、従来の技術で述べたように、ラッチ回路の保持状態に応じて、容量線を高位側
の電圧ＶSHまたは低位側の電圧ＶSLを選択する構成において、同じ行の保持状態が食い違
っている場合、例えば図６（ｂ）に示されるように、左側でＨレベルであり、右側でＬレ
ベルであるような場合、容量線１３２の一方側では電圧ＶSHが選択され、他方側では電圧
ＶSLが選択されて、短絡状態になるので、容量線に大電流が流れてしまう。この短絡状態
は、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが少なくとも一巡すれば、解消するが、電圧ＶSH、Ｖ
SLを供給する電源回路の容量が十分でなければ、一巡する前にシステムダウンしてしまう
ことになる。
これに対して、本実施形態では、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが一巡しない状況にお
いて、端子Ｐの保持状態が両側で食い違っていても、例えば図６（ａ）に示されるように
、左側でＨレベルであり、右側でＬレベルであっても、Ｌレベルである方のトランスミッ
ション・ゲート５５がオフするだけであるので、容量線１３２に大電流が流れることが防
止される。
なお、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが一巡すれば、端子Ｐの保持状態が両側で一致す
ることになるので、以降の動作については特に問題としない。
【００３４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。図７は、この第２実施形態
に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１に示した第１実施形態では、書込極性を１行ずつ反転させる方式としたが、第２実
施形態では、書込極性を２行ずつ反転させる方式としたものである。このため、第２実施
形態では、第１実施形態とは、容量信号が第１容量信号Ｓcom1、第２容量信号Ｓcom2に分
かれている点（第１相違点）と、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒにおける単位制御回
路１５２の接続関係が奇数行および偶数行で異なっている点（第２相違点）とにおいて相
違している。
他の点については、第１実施形態と共通なので、ここでは、第１および第２相違点を中
心に説明することにする。
【００３５】
まず、上述したように、第２実施形態では、書込極性を２行ずつ反転させる方式とした
ので、極性指定信号Ｐolは、図９に示されるように、１、２・３、４・５、６・７、…、
３１８・３１９、３２０行目が選択される水平有効走査期間において同一論理レベルにな
り、かつ、二水平走査期間と同じ期間毎に論理レベルが反転する。なお、極性指定信号Ｐ
olの論理レベルが、クロック信号Ｃlyの論理レベルが切り替わるタイミングよりも先行し
たタイミングで切り替わる点は、第１実施形態と同様である。
【００３６】
次に、第１相違点について説明する。
第１容量信号Ｓcom1は、図９に示されるように、極性指定信号ＰolがＬレベルであれば
電圧ＶSLになり、極性指定信号ＰolがＨレベルであれば電圧ＶSHになる。また、第２容量
信号Ｓcom2は、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位相を９０度進ませた（２７０度遅らせ
た）信号である。
【００３７】
続いて、第２相違点について説明する。
図８は、容量線駆動回路１５０Ｌ（１５０Ｒ）において奇数ｉ行目と、この奇数ｉ行目
に対して１行下の偶数（ｉ＋１）行目とに対応する単位制御回路１５２の２行分の構成を
示す図である。
この図に示されるように、奇数ｉ行目の単位制御回路１５２におけるトランスミッショ
ン・ゲート５５は、第１容量信号Ｓcom1が供給される信号線１５５と容量線１３２との間
に介挿され、偶数（ｉ＋１）行目の単位制御回路１５２におけるトランスミッション・ゲ
ート５５は、第２容量信号Ｓcom2が供給される信号線１５６と容量線１３２との間に介挿
されている。
【００３８】
なお、図８に示すトランスミッション・ゲート５５が、端子Ｐの論理レベルがＨレベル
であるときにオンし、端子ＰがＬレベルであるときにオフする点は、単位制御回路１５２
の他の部分も含めて、第１実施形態と同様である。
このため、奇数ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の（ｉ−１）行
目および自行のｉ行目が選択される水平有効走査期間を含む二水平走査期間のみＨレベル
になり、他の期間ではＬレベルに保持されるので、奇数ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｓci
は、当該二水平走査期間に限れば、第１容量信号Ｓcom1と同一波形になる。
同様に、偶数（ｉ＋１）行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上のｉ行目
および自行の（ｉ＋１）行目が選択される水平有効走査期間を含む二水平走査期間のみＨ
レベルになり、他の期間ではＬレベルに保持されるので、偶数（ｉ＋１）行目の容量線１
３２の電圧Ｓc(i+1)は、当該二水平走査期間に限れば、第２容量信号Ｓcom2と同一波形に
なる。
したがって、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1から３２０行目の容量線１３２の電圧Ｓ
c320までは、図９に示される通りとなり、走査線が選択される水平有効走査期間において
正極性書込が指定されていれば、当該水平有効期間終了後の水平帰線期間において電圧Ｖ
SLから電圧ＶSHに切り替えられ、負極性書込が指定されていれば、当該水平有効期間終了
後の水平帰線期間において電圧ＶSHから電圧ＶSLに切り替えられる動作が、２行ずつ交互
に実行される。
【００３９】
なお、各行での書込動作については、次の点を除き、第１実施形態と同様である。
すなわち、ｉ行目でみたときに、容量線１３２の電圧Ｓciは、第１実施形態では、１行
上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになると切り替えられ、当該走査信号Ｙ(i-1)がＬレベル
になった後であって自行の走査信号ＹiがＨレベルになる前に再度切り替えられたのに対
し、第２実施形態では、１行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになっても切り替えられず
、当該走査信号Ｙ(i-1)がＬレベルになった後であって自行の走査信号ＹiがＨレベルとな
る前に初めて替えられる。
このため、第２実施形態では、ｉ行目の容量線１３２は、１行上の走査信号Ｙ(i-1)が
Ｈレベルになったときでも電圧が切り替えられないので、画素電極１１８の電圧が階調に
応じた値に保たれる結果、第１実施形態と比較して透過率に悪影響を与えないのである。
【００４０】
なお、第２実施形態では、第２容量信号Ｓcom2を、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位
相を９０度進ませた信号としたが、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位相を９０度遅らせ
た信号としても良い。第２容量信号Ｓcom2を、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位相を９
０度遅らせた信号とすると、同極性となる行の組み合わせが、１・２、３・４、５・６、
…、３１９・３２０行目に変更される。
【００４１】
ところで、容量線駆動において重要なのは、ｉ行目において、走査信号ＹiがＨレベル
であったときと、その後、走査信号ＹiがＬレベルになったときとで容量線１３２を電圧
ΔＶだけシフトさせることである。第１および第２実施形態では、走査信号ＹiがＨから
Ｌレベルに変化してから、次の走査信号Ｙ(i+1)がＬからＨレベルとなるまでの水平帰線
期間で容量信号Ｓcom（Ｓcom1、Ｓcom2）の電圧を変化させているので、ｉ行目の単位制
御回路１５２における端子Ｐは、少なくとも自行のｉ行目が選択される水平走査期間でＨ
レベルであれば良いことになる。
このため、第１および第２実施形態において、上から下方向に走査線を順に選択する場
合に限ってみれば、ｉ行目の単位制御回路１５２におけるＴＦＴ５１のゲート電極を自行
のｉ行目の走査線１１２に接続して、走査信号Ｙiを供給しても良い。
ただし、後述するように、上から下方向に走査線を選択する場合と、下から上方向に走
査線を選択する場合とのいずれにも対応可能とする場合には、対称性を確保するために、
ＴＦＴ５１、５２のゲート電極を、１行上の走査線と１行下の走査線に接続する構成が好
ましい。
【００４２】
＜第３実施形態＞
上述した第１および第２実施形態において、例えばｉ行目でみたとき、単位制御回路１
５２における端子Ｐは、１行上の（ｉ−１）行目および自行のｉ行目が選択される水平有
効走査期間を含む二水平走査期間以外の期間では、Ｌレベルに保持される。このため、当
該二水平走査期間以外の期間では、トランスミッション・ゲート５５がオフになるので、
容量線１３２は、どの信号線１５３（１５５、１５６）にも接続されない状態（ハイ・イ
ンピーダンス状態）であり、寄生容量等によって電圧がかろうじて保持されているに過ぎ
ないことになる。もし、このハイ・インピーダンス状態のときに、ノイズ等が容量線１３
２に重畳されると、当該容量線が電圧ＶSH、ＶSLから変動する。容量線１３２の電圧変動
は、その容量線１３２を共通にする１行分の画素容量１２０の保持電圧に影響を与えるの
で、表示品位を低下させてしまうことになる。
そこで、このような表示品位の低下を防止することを目的とした第３実施形態について
説明する。
【００４３】
図１０は、第３実施形態に係る電気光学装置のうち、単位制御回路１５２の構成を示す
図である。この図に示される単位制御回路１５２では、容量線１３２に保持回路７０を設
けた構成となっている。
この保持回路７０は、トランスミッション・ゲート５５がオフする直前の電圧状態を保
持するものである。このような保持回路７０の例としては、例えば図１１に示されるよう
な回路が挙げられる。この図に示される保持回路７０は、入力を容量線１３２とし、出力
を容量線１３２に戻すとともに、電源電圧のうち、低位側を電圧ＶSLとし、高位側を電圧
ＶSHとするインバータの２段回路である。なお、このインバータのしきい値電圧は、電圧
ＶSL、ＶSHの間で設定すれば良い。
このような保持回路７０を設けると、容量線１３２は、トランスミッション・ゲート５
５がオンしたときの容量信号Ｓcomの電圧によって電圧ＶSL、ＶSHのいずれかに書き換え
られるとともに、トランスミッション・ゲート５５がオフしても、オフ直前の電圧が印加
され続けるので、ハイ・インピーダンス状態とはならない。したがって、上述した表示品
位の低下を抑えることが可能となる。
【００４４】
このような保持回路７０を設けた構成において、電源投入直後等において、単位制御回
路１５２における端子Ｐの論理レベルが左側と右側とで相違している場合、Ｌレベルであ
る方のトランスミッション・ゲート５５がオフするので、容量線１３２は、Ｈレベルであ
る方のトランスミッション・ゲート５５を介して供給された容量信号Ｓcomの電圧に確定
する。
また、電源投入直後等において、単位制御回路１５２における端子Ｐの論理レベルが左
側と右側とでいずれもＬレベルであったとき、容量線１３２の電位は一瞬不確定になるが
、左右の保持回路７０では、その容量線の電位がしきい値以下であれば電圧ＶSLに、しき
い値を越えていれば電圧ＶSHに、それぞれ直ちに確定する。
なお、この保持回路７０は、上記二水平走査期間以外の期間において容量線１３２の電
圧を単に保持する、という目的にとどまるので、左右両側ではなく、片側に一個だけ設け
た構成でも良い。
【００４５】
図１０は、図３に示した第１実施形態に保持回路７０を適用した場合の構成を示したが
、図８に示した第２実施形態に保持回路７０を適用して図１２に示されるように構成して
も良い。
【００４６】
＜応用・変形例＞
なお、上述した実施形態では、端子ＰがＨレベルであるときに、トランスミッション・
ゲート５５をオンさせたが、インバータ５４の出力端（インバータ５３の入力端）の論理
レベルをトランスミッション・ゲート５５の反転制御信号とし、当該出力端の論理レベル
をインバータにより反転したものを正転制御端信号として供給して、当該出力端がＬレベ
ルであるときに、トランスミッション・ゲート５５をオンさせても良い。
【００４７】
また、上述した実施形態では、走査線１１２を、（０）、１、２、３、…、３１８、３
１９、３２０、（３２１）行目という順番で上から下方向に選択する場合を示したが、逆
に、（３１２）、３２０、３１９、３１８、…、３、２、１、（０）行目という順番で下
から上方向に選択する構成としても良いし、どちらの方向にも対処可能な構成として良い
。
下から上方向に選択する構成とするには、具体的には、図３等に示した単位制御回路１
５２において、ＴＦＴ５１、５２のゲート電極に供給される走査信号を入れ替えて、１行
下の走査信号がＬからＨレベルになるタイミングから、１行上の走査信号がＬからＨレベ
ルになるタイミングまで、端子ＮをＨレベルに保持させれば良い。
また、どちらの方向にも対処可能な構成とするには、上から下方向に選択する場合には
、１行上の走査信号がＬからＨレベルになるタイミングから１行下の走査信号がＬからＨ
レベルになるタイミングまで端子ＮをＨレベルに保持させれば良いし、下から上方向に選
択する場合には、１行下の走査信号がＬからＨレベルになるタイミングから１行上の走査
信号がＬからＨレベルになるタイミングまで端子ＮをＨレベルに保持させれば良い。
【００４８】
具体的には、例えば図１３に示されるように構成すれば良い。
この図において、転送方向指定信号Ｄir、Ｄir-Bは、走査線の選択方向を指定する信号
であり、転送方向指定信号Ｄirは、上から下方向に選択する場合だけＨレベルになり、逆
に、転送方向指定信号Ｄir-Bは、下から上方向に選択する場合だけＨレベルになる。
図１３に示す構成において、上から下方向への選択が指定された場合、転送方向指定信
号Ｄir-BがＬレベルであるので、ＴＦＴ６１Ｂ、６２Ｂがオフして、ＴＦＴ５１Ｂ、５２
Ｂが無効化されるとともに、転送方向指定信号ＤirがＨレベルであるので、ＴＦＴ６１、
６２がオンする。このため、等価回路でみれば、図３と同一となる。
一方、下から上方向への選択が指定された場合、転送方向指定信号ＤirがＬレベルであ
るので、ＴＦＴ６１、６２がオフして、ＴＦＴ５１、５２が無効化されるとともに、転送
方向指定信号Ｄir-BがＨレベルであるので、ＴＦＴ６１Ｂ、６２Ｂがオンする。このため
、ｉ行目の単位制御回路１５２でみたときに、１行下の走査信号Ｙ(i+1)がＨレベルとな
ったときから、１行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになるまで端子ＮがＨレベルに保持
される。
【００４９】
なお、図１３は、図３に示した第１実施形態に適用した場合の構成を示したが、図８に
示した第２実施形態に適用しても良い。また、第３実施形態における保持回路７０を適用
しても良い。
【００５０】
また、各実施形態では、画素容量１２０として画素電極１１８とコモン電極１０８とで
液晶１０５を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画
素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向
とした構成としても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態におい
て暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別
の色を追加し、これらの４色以上の画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構
成としても良い。
【００５１】
容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒの構成素子を、表示領域１００における画素スイッ
チング素子と同じＴＦＴとするのではなく、別体のＩＣチップを左右両側に実装する構成
としても良い。また、本実施形態を透過型ではなく反射型としても良いし、透過型と反射
型とを組み合わせた半透過・半反射型としても良い。
【００５２】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１４は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については
外観としては現れない。
【００５３】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１４に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における単位制御回路の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の書込動作を説明するための図である。
【図６】同単位制御回路のラッチ結果が両側で相違した場合の動作を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図８】同電気光学装置における容量線駆動回路の単位制御回路の構成を示す図である。
【図９】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図１０】第３実施形態に係る電気光学装置の単位制御回路の構成を示す図である。
【図１１】同単位制御回路における保持回路の構成の一例を示す図である。
【図１２】同単位制御回路の構成の別例を示す図である。
【図１３】双方向転送に対応した単位制御回路の構成例を示す図である。
【図１４】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…電気光学装置、２０…表示制御回路、５０…ラッチ回路、５５…トランスミッショ
ン・ゲート、７０…保持回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、
１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…補助
容量、１３２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０Ｒ、１５０Ｌ…容量線駆動回路
、１５２…単位制御回路、１２００…携帯電話
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を抑える技術に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振
幅が正負の両極性にわたるので、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路にお
いては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求されるだけでなく、消費電力の面で不
利になる。
そこで、画素容量に並列して補助容量を設けるとともに、各行において補助容量を共通
接続した容量線を、走査線の選択に同期させて二値電圧で駆動することにより、データ信
号の電圧振幅を抑える技術が提案されている（特許文献１参照）。
容量線に二値電圧のいずれかを印加する容量線駆動回路は、走査線の選択に同期するよ
うにラッチ回路が設けられるとともに、そのラッチ結果に応じて、二値電圧のいずれかを
容量線に印加する構成となっている。
【特許文献１】特開２００２−１９６３５８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、容量線は、抵抗成分や容量成分によってＣＲ時定数が大きいので、容量線駆
動回路を容量線の一方側に設けた構成では、容量線の他方側において遅延が発生して、目
的とする電圧に迅速に変化しない可能性がある。このため、同じ構成の容量線駆動回路を
容量線の両側に設ける構成も提案されている。
しかしながら、容量線の両側に容量線駆動回路を設けた構成では、電源投入直後等にお
いて、両側のラッチ回路における出力状態が確定しないので、出力状態が互いに異なって
しまう場合がある。出力状態が異なっていると、一方の側で二値電圧のうちの高位電圧が
、他方の側で二値電圧のうちの低位電圧が、それぞれ同じ容量線に印加されて、大電流が
流れる結果、電源投入直後にシステムダウンしてしまう、という不都合が懸念された。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、容量線駆動回
路を容量線の両側に設けた構成において、電源投入直後等におけるシステムダウンを防止
した技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と
、複数のデータ線と、前記複数の走査線の各々に対応して設けられた容量線と、前記複数
の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、各々は、一端が前
記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間
で導通状態になる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接
続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に
対応して設けられた容量線との間に介挿された補助容量と、を含む画素と、を有する電気
光学装置の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、選
択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、デ
ータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、一の走査線に対応して設けられた容量線に
対し、当該一の走査線が選択されたときに二値電圧の一方とし、当該一の走査線の選択が
終了したとき以降に前記二値電圧の他方にシフトさせる容量線駆動回路と、を具備し、前
記容量線駆動回路は、前記容量線の一端側および他端側のそれぞれに、前記容量線の各々
に対応して設けられた単位制御回路を備え、一の容量線に対応する単位制御回路は、少な
くとも当該一の容量線に対応する走査線が選択される期間において論理レベルの一方に保
持するラッチ回路と、前記二値電圧が所定周期で切り替わる容量信号を供給する信号線と
前記容量線との間において、前記論理レベルが一方のときに導通状態になり、前記論理レ
ベルが他方のときに非導通状態になるスイッチと、を有することを特徴とする。本発明に
よれば、電源投入直後等において一端側および他端側にそれぞれ設けられた単位制御回路
のラッチ回路の保持状態が異なっていても、一方のスイッチがオン、他方のスイッチがオ
フとなり、容量線を介して二値電圧間が短絡状態になることはないので、システムダウン
を防止することが可能となる。
【０００５】
本発明において、前記容量信号は、走査線が１本ずつ選択される周期であって、いずれ
の走査線も選択されないタイミングで電圧が切り替わる構成としても良い。この構成によ
れば、走査線毎に書込極性を反転することが可能となる。
また、本発明において、前記容量信号は、第１容量信号および第２容量信号があり、前
記第１容量信号は、走査線が２本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選択さ
れないタイミングで電圧が切り替わり、前記第２容量信号は、前記第１容量信号に対して
位相が９０度進んだ又は遅れた信号であり、奇数行の単位制御回路における前記スイッチ
は、前記第１容量信号を供給する信号線と前記容量線との間において介挿され、偶数行の
単位制御回路における前記スイッチは、前記第２容量信号を供給する信号線と前記容量線
との間において介挿された構成としても良い。この構成によれば、走査線の２本毎に書込
極性を反転することが可能となる。
本発明において、前記スイッチが非導通状態となる直前における前記容量線の電圧状態
を保持する保持回路を有する構成としても良い。この構成によれば、容量線がハイ・イン
ピーダンス状態にならないので、ノイズ等のより影響が排除されて、表示品位の低下を防
止することが可能となる。
また、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても概念する
ことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域
１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒ、データ線
駆動回路１９０が配置した周辺回路内蔵型のパネル構成となっている。また、表示制御回
路２０は、上記周辺回路内蔵型のパネルとは、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit
）基板によって接続される。
【０００８】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、０行目から３
２１行目までの計３２２行の走査線１１２が、図において横（行）方向に延在する一方、
２４０列のデータ線１１４が縦（列）方向に延在するように、それぞれ設けられている。
そして、図１において、最も上の０行目と最も下の３２１行目を除いた１〜３２０行目
の走査線１１２と、１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０が
それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００にお
いて縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列
に限定する趣旨ではない。
【０００９】
なお、０行目および３２１行目の走査線１１２は、画素１１０に対応していないので、
ダミー走査線として機能することになる。また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応し
て、それぞれ容量線１３２が行方向に延在して設けられている。このため、本実施形態に
おいて、容量線１３２については、ダミーとなる０行目および３２１行目を除いた１〜３
２０行目の走査線１１２に対応して設けられることになる。
【００１０】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行目及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行目と、ｊ列目及びこれに右方
向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている
。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３
２０以下の整数であるが、走査線１１２の行を一般的に説明する場合には、ダミーである
０行目および３２１行目を含める必要があるので０以上３２１以下の整数になる。また、
ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上
２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、補助容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続さ
れる一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画
素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
画素容量１２０の他端はコモン電極１０８に接続される。このコモン電極１０８は、図
１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、電圧ＬＣcomに、時間的に
一定になるように保たれる。
【００１２】
ｉ行ｊ列の画素１１０における補助容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦＴ１１
６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続されてい
る。ここで、画素容量１２０および補助容量１３０における容量値を、それぞれＣpixお
よびＣsとする。
なお、図２において、Ｙi、Ｙ(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に
供給される走査信号を示し、また、Ｓci、Ｓc(i+1)は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の容
量線１３２の電圧を示している。
【００１３】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成さ
れた対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保
って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このた
め、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶
１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持する
構成となる。この構成において、画素容量１２０では、その透過光量が当該保持電圧の実
効値に応じて変化する。
なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値が
ゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくな
るにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリー
ホワイトモードであるとする。
【００１４】
説明を再び図１に戻すと、表示制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装
置１０における各部の制御等をするとともに、容量信号Ｓcomを容量線駆動回路１５０Ｌ
、１５０Ｒに信号線１５３を介して供給するほか、コモン電極１０８に電圧ＬＣcomを印
加する。
【００１５】
また、上述したように、表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１４０や、容量線
駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒ、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている
。このうち、走査線駆動回路１４０は、表示制御回路２０による制御にしたがって走査線
１１２を図１において上から数えて０、１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番
で選択し、選択した走査線への走査信号をＨレベルに相当する選択電圧ＶHとし、それ以
外の走査線への走査信号をＬレベルに相当する非選択電圧ＶLとする。
詳細には、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、表示制御回路２０から供
給されるスタートパルスＤyを、デューティ比が５０％であるクロック信号Ｃlyにしたが
って順次シフトさせるとともに、パルス幅をクロック信号Ｃlyの半周期よりも狭め、時間
的に前方に寄せて、走査信号Ｙ0、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、…、Ｙ320、Ｙ321として出力す
る。
ここで、フレーム期間とは、パネルを駆動することによって、画像の１コマ分を表示さ
せるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その逆数である１６．
７ミリ秒である。このようなフレーム期間は、本実施形態では図４に示されるように、走
査信号Ｙ1がＨレベルになってから走査信号Ｙ320がＬレベルになるまでの垂直有効走査期
間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。
なお、クロック信号Ｃlyの論理レベルが一定である半周期分の期間を、水平走査期間（
Ｈ）とする。この水平走査期間（Ｈ）のうち、時間的に前方において走査信号がＨレベル
となる期間を水平有効走査期間とすると、残りの期間が水平帰線期間になる。
【００１６】
次に、説明の便宜上、表示制御回路２０が出力する制御信号のうち、極性指定信号Ｐol
と容量信号Ｓcomについて説明する。
まず、極性指定信号Ｐolは、その論理レベルがＨレベルであれば、水平有効期間におけ
る書込極性を負極性に指定する信号であり、Ｌレベルであれば、当該水平有効期間におけ
る書込極性を正極性に指定する信号である。
極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、その論理レベルが水平走査期間と同じ期間毎に
、クロック信号Ｃlyの論理レベルが切り替わるタイミングよりも先行したタイミングにお
いて、すなわち、詳細には、隣接する２行の走査信号がいずれもＬレベルになる水平帰線
期間において切り替わる。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、フレー
ムの期間にわたって行毎に反転する走査線（ライン）反転となる。
なお、極性指定信号Ｐolは、隣接するフレーム期間同士の同一水平有効期間で比較した
ときに、論理反転されているが、このように論理反転する理由は、直流成分の印加による
液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた
電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも画素電極１１８の電位を
高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、
特に説明のない限り、図示省略した電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
次に、容量信号Ｓcomは、図４に示されるように、極性指定信号Ｐolに同期する信号で
あって、極性指定信号ＰolがＬレベルであれば、二値電圧のうち、低位側の電圧ＶSLにな
り、極性指定信号ＰolがＨレベルであれば高位側の電圧ＶSHになる信号である。
【００１７】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位
置する画素１１０に対し、当該画素の階調に応じた電圧であって、極性指定信号Ｐolで指
定された極性に応じた電圧のデータ信号を、データ線１１４を介して供給する。この供給
動作を、データ線駆動回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列の
それぞれについて実行する。
なお、データ線駆動回路１９０は、おおよそ次のような構成となっている。すなわち、
データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領
域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）
を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示データＤaは、表示
内容に変更が生じた場合に、表示制御回路２０によってアドレスとともに変更後の表示デ
ータＤaが供給されて書き換えられる。そして、データ線駆動回路１９０は、選択される
走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、
当該読み出した表示データを、指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、デー
タ線１１４に供給することとなる。
【００１８】
容量線駆動回路１５０Ｌは、表示領域１００に対し図１において左側に配置し、容量線
駆動回路１５０Ｒは、表示領域１００において右側に配置する。容量線駆動回路１５０Ｌ
、１５０Ｒは、それぞれ１〜３２０行目に対応して単位制御回路１５２を有し、各単位制
御回路１５２がそれぞれ容量線１３２を両側から駆動する構成となっている。
ここで、本実施形態において、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒは、表示領域１００
に対してそれぞれ左右側に配置しているが、電気的な構成は同一である。このため、電気
的な構成については、容量線駆動回路１５０Ｌで代表させて説明する。
【００１９】
図３は、容量線駆動回路１５０Ｌにおいてｉ行目および（ｉ＋１）行目に対応する単位
制御回路１５２の構成を示す図である。
この図に示されるように、各行の単位制御回路１５２は、ＴＦＴ５１、５２、インバー
タ５３、５４、トランスミッション・ゲート５５およびインバータ５６を有する。
このうち、ｉ行目の単位制御回路１５２について説明すると、インバータ５３の出力端
はインバータ５４の入力端に接続され、インバータ５４の出力端はインバータ５３の入力
端に接続されているので、一種の記憶性を有するラッチ回路５０が構成されている。
ここで、便宜的にラッチ回路５０の出力端となるインバータ５３の出力端（インバータ
５４の入力端）をＰと表記する。
ＴＦＴ５１のソース電極は、論理レベルのＬレベルに相当する電圧ＶLの給電線に接続
され、そのドレイン電極がインバータ５３の入力端に接続され、そのゲート電極がｉ行目
に対して１行上の（ｉ−１）行目の走査線１１２に接続されて、走査信号Ｙ(i-1)が供給
される。一方、ＴＦＴ５２のソース電極は、電圧ＶLの給電線に接続され、そのドレイン
電極がインバータ５４の入力端に接続され、そのゲート電極がｉ行目に対して１行下の（
ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続されて、走査信号Ｙ(i+1)が供給される。
【００２０】
トランスミッション・ゲート５５は、容量信号Ｓcomが供給される信号線１５３と容量
線１３２との間に介挿されたアナログスイッチであり、端子Ｐの論理レベルがＨレベルで
あるときにオン（導通）状態になり、端子ＰがＬレベルであるときにオフ（非導通）状態
になる。このため、端子ＰがＨレベルであるとき、トランスミッション・ゲート５５のオ
ンにより、容量信号Ｓcomが容量線１３２に供給されることになる。
なお、トランスミッション・ゲート５５は、本実施形態では、ｎチャネル型およびｐチ
ャネル型ＴＦＴを組み合わせた相補型としているので、端子Ｐの論理レベルを正転制御信
号とし、端子Ｐの論理レベルをインバータ５６により反転したものを、反転制御信号とし
ている。
【００２１】
このような構成において、ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、第１に、１
行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになると、ＴＦＴ５１がオンになり、Ｌレベルがイン
バータ５３により反転される結果、Ｈレベルになり、第２に、走査信号ＹiがＨレベルに
なるとき、走査信号Ｙ(i-１)がＬレベルになっているので、ＴＦＴ５１がオフするが、ラ
ッチ回路５０によってＨレベルに保持され、第３に、走査信号Ｙ(i+ 1)がＨレベルになる
と、ＴＦＴ５２がオンするので、Ｌレベルに書き換えられ、第４に、走査信号Ｙ(i+1)が
Ｌレベルになる以降の期間では、ＴＦＴ５２がオフするが、ラッチ回路５０によってＬレ
ベルに保持される。
すなわち、ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の（ｉ−１）行目お
よび自行のｉ行目が選択される水平走査有効期間を含む二水平走査期間のみＨレベルにな
り、他の期間ではＬレベルに保持される。このため、ｉ行目の単位制御回路１５２におけ
るトランスミッション・ゲート５５は、当該二水平走査期間のみにおいてオンになり、他
の期間ではオフになるので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｓciは、当該二水平走査期間に
限れば、容量信号Ｓcomと同一波形になる。
なお、各容量線１３２は、それぞれ容量成分が寄生するので、トランスミッション・ゲ
ート５５がオフになっても、直前の電圧状態が保持される。
【００２２】
したがって、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1から３２０行目の容量線１３２の電圧Ｓ
c320までは、図４に示される通りとなる。
なお、図４において、電圧Ｓc1〜Ｓc320の波形のうち、太線部分は、トランスミッショ
ン・ゲート５５がオンする期間に相当する波形であり、細線部分は、トランスミッション
・ゲート５５がオフする期間に相当する波形であって、寄生容量成分によって電圧が保た
れている部分である。
【００２３】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、走査信号Ｙ1がＨレベルになる。走査信号Ｙ1がＨレベルになると、１行１列〜１
行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、
データ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列
の画素容量１２０には、データ信号の電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとの差電圧
が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ1がＨレベルになる水平有効走査期間において極性指定信号ＰolがＬ
レベルであって正極性書込が指定されていれば、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1は、低
位側の電圧ＶSLになる。このため、１行１列〜１行２４０列の補助容量１３０には、それ
ぞれデータ信号の電圧と電圧ＶSLとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２４】
この後、走査信号Ｙ1がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ1がＬレベルになる水平帰線期間では、極性指
定信号Ｐolが反転するので、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1は、高位側の電圧ＶSHに切
り替わり、走査信号Ｙ1がＨレベルであったときと比較して（ＶSH−ＶSL）だけ上昇する
。この電圧上昇分をΔＶとすると、画素容量１２０と補助容量１３０との直列接続におい
て、画素容量１２０の他端（コモン電極）が電圧ＬＣcomで一定に保たれたまま、補助容
量１３０の他端が電圧ΔＶだけ上昇するので、電荷の移動によって、画素電極１１８がデ
ータ信号の電圧よりも上昇する。
ここで、走査信号Ｙ1がＨレベルのときに、ｊ列目のデータ信号Ｘjが電圧Ｖjであった
としたとき、１行ｊ列の画素１１０において、画素容量１２０と補助容量１３０との直列
接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖj＋｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、データ信号の電圧Ｖjよりも、１行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画
素容量１２０および補助容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ上
昇することになる。
【００２５】
換言すれば、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1がΔＶだけ上昇すると、画素電極１１８
の電圧は、走査信号Ｙ1がＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖjよりも、｛Ｃs／
（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ（＝ΔＶpixとする）だけ上昇することになる。
ここで、正極性書込が指定される水平有効走査期間におけるデータ信号Ｘjは、画素電
極１１８が電圧ΔＶpixだけ上昇することを見越した電圧Ｖjに設定される。すなわち、上
昇した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも高位であって
両者の差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた値となるように設定される。
なおここでは、１行ｊ列の画素容量１２０および補助容量１３０について説明したが、
同様な動作は、走査線１１２および容量線１３２を兼用する１行１列〜１行２４０列につ
いて同時並行的に同様に実行される。
これにより、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正
極性電圧が保持されて、当該階調に応じた透過率になる。
【００２６】
続いて、走査信号Ｙ2がＨレベルになる。走査信号Ｙ2がＨレベルになると、２行１列〜
２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には
、データ信号Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、…、Ｘ240が印加され、２行１列〜２行２４０列の画素容量
１２０には、データ信号の電圧と電圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ1がＨレベルになる水平走査期間において正極性書込が指定されてい
たので、走査信号Ｙ2がＨレベルになる水平有効走査期間では、極性指定信号ＰolがＨレ
ベルになり、負極性書込が指定される。このため、２行目の容量線１３２の電圧Ｓc2は、
高位側の電圧ＶSHになる。このため、２行１列〜２行２４０列の補助容量１３０には、そ
れぞれデータ信号の電圧と電圧ＶS Hとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２７】
この後、走査信号Ｙ2がＬレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ2がＬレベルになる水平帰線期間では、極性指
定信号Ｐolが反転するので、２行目の容量線１３２の電圧Ｓc2は、低位側の電圧ＶSLに切
り替わり、走査信号Ｙ2がＨレベルであったときと比較して（ＶSH−ＶSL）、すなわち電
圧ΔＶだけ低下する。このため、画素容量１２０の他端が電圧ＬＣcomで一定に保たれた
まま、補助容量１３０の他端が電圧ΔＶだけ低下するので、電荷の移動によって画素電極
１１８もデータ信号の電圧よりも低下する。
ここで、ｊ列目についてみると、２行ｊ列の画素１１０において、画素容量１２０と補
助容量１３０との直列接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖj−｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、データ信号の電圧Ｖjよりも、２行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画
素容量１２０および補助容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ低
下することになる。
【００２８】
ここで、負極性書込が指定される水平有効走査期間におけるデータ信号Ｘjは、画素電
極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下することを見越した電圧Ｖjに設定される。すなわち、低
下した後の画素電極１１８の電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも低位であって
両者の差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた値となるように設定される。
同様な動作は、走査線１１２および容量線１３２を兼用する２行１列〜２行２４０列に
ついて同時並行的に同様に実行されるので、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０に
は、それぞれ階調に応じた負極性電圧が保持されて、当該階調に応じた透過率になる。
【００２９】
フレーム期間においては、走査信号Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、…、Ｙ320が順番にＨレベルになる
ので、３、５、７、…、３１９行目については１行目と同様な動作が、４、６、８、…、
３２０行目については２行目と同様な動作が、それぞれ実行される。これにより、奇数行
の画素においては、階調に応じた正極性電圧が保持され、偶数行の画素においては、階調
に応じた負極性電圧が保持されて、それぞれ当該階調に応じた透過率になる。
次のフレーム期間では、各行において書込極性が反転して、奇数行の画素に対し負極性
書込が指定され、偶数奇数行の画素に対し負極性書込が指定される以外は、同様な動作と
なる。
【００３０】
図５は、ｉ行目の走査信号Ｙiと、ｉ行目の容量線の電圧Ｓciとの波形に対して、ｉ行
ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)がどのように変化するのかを示す図である。
この図に示されるように、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)は、走査信号ＹiがＨレベル
になったときに、正極性書込が指定されていれば、データ信号の電圧Ｖp(+)になり、この
後、容量線１３２の電圧Ｓciが電圧ＶSLから電圧ＶSHに切り替えられることにより、電圧
ΔＶpi xだけ上昇することが示され、また、負極性書込が指定されていれば、データ信号
の電圧Ｖp(-)になり、この後、容量線１３２の電圧Ｓciが電圧ＶSHから電圧ＶSLに切り替
えられることにより、電圧ΔＶpixだけ低下することが示されている。
なお、ｉ行目では、１行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになることによって、容量線
１３２の電圧Ｓciが切り替えられるので、画素電極１１８の電圧も変化するが、この変化
期間はフレーム期間のうち、一水平走査期間に過ぎず、透過率に与える影響をほとんど無
視することができる。
また、本実施形態では、走査線の選択が終了したのち、容量線１３２の電圧Ｓciが電圧
ＶSLから電圧ＶSHに、もしくは、電圧ＶSHから電圧ＶSLに切り替えられるタイミングを次
の走査線が選択されたタイミングとしているが、これに限定されることなく、走査線の選
択が終了したとき以降、すなわち、終了と同時点から一垂直期間後の次のフレーム書き込
みまでの間であれば変更可能である。
【００３１】
本実施形態では、画素電極１１８の電圧範囲が、データ信号の電圧振幅よりも拡大され
るので、逆にいえば、データ信号の電圧振幅については、画素電極１１８の電圧範囲より
も狭くて済むので、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでな
く、データ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、データ線１１４の寄生容量により
無駄に電力が消費されることもなくなる。
【００３２】
ところで、本実施形態において、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが少なくとも一巡すれ
ば、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒにおける１〜３２０行目の単位制御回路１５２に
おける端子Ｐの保持状態がすべて確定する。
しかしながら、電源投入直後のように、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが一巡しない状
況では、端子Ｐの保持状態が確定しない。このため、同じ行の単位制御回路１５２におい
て、端子Ｐの保持状態が異なっている場合が当然にあり得る。例えば、同じ行の単位制御
回路１５２における端子Ｐの保持状態が、左側に位置する容量線駆動回路１５０ＬではＨ
レベルであるのに対し、右側に位置する容量線駆動回路１５０ＲではＬレベルになってし
まう場合、または、その逆となってしまう場合、があり得る。
【００３３】
ここで、従来の技術で述べたように、ラッチ回路の保持状態に応じて、容量線を高位側
の電圧ＶSHまたは低位側の電圧ＶSLを選択する構成において、同じ行の保持状態が食い違
っている場合、例えば図６（ｂ）に示されるように、左側でＨレベルであり、右側でＬレ
ベルであるような場合、容量線１３２の一方側では電圧ＶSHが選択され、他方側では電圧
ＶSLが選択されて、短絡状態になるので、容量線に大電流が流れてしまう。この短絡状態
は、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが少なくとも一巡すれば、解消するが、電圧ＶSH、Ｖ
SLを供給する電源回路の容量が十分でなければ、一巡する前にシステムダウンしてしまう
ことになる。
これに対して、本実施形態では、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが一巡しない状況にお
いて、端子Ｐの保持状態が両側で食い違っていても、例えば図６（ａ）に示されるように
、左側でＨレベルであり、右側でＬレベルであっても、Ｌレベルである方のトランスミッ
ション・ゲート５５がオフするだけであるので、容量線１３２に大電流が流れることが防
止される。
なお、走査信号Ｙ1〜Ｙ320のＨレベルが一巡すれば、端子Ｐの保持状態が両側で一致す
ることになるので、以降の動作については特に問題としない。
【００３４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。図７は、この第２実施形態
に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図１に示した第１実施形態では、書込極性を１行ずつ反転させる方式としたが、第２実
施形態では、書込極性を２行ずつ反転させる方式としたものである。このため、第２実施
形態では、第１実施形態とは、容量信号が第１容量信号Ｓcom1、第２容量信号Ｓcom2に分
かれている点（第１相違点）と、容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒにおける単位制御回
路１５２の接続関係が奇数行および偶数行で異なっている点（第２相違点）とにおいて相
違している。
他の点については、第１実施形態と共通なので、ここでは、第１および第２相違点を中
心に説明することにする。
【００３５】
まず、上述したように、第２実施形態では、書込極性を２行ずつ反転させる方式とした
ので、極性指定信号Ｐolは、図９に示されるように、１、２・３、４・５、６・７、…、
３１８・３１９、３２０行目が選択される水平有効走査期間において同一論理レベルにな
り、かつ、二水平走査期間と同じ期間毎に論理レベルが反転する。なお、極性指定信号Ｐ
olの論理レベルが、クロック信号Ｃlyの論理レベルが切り替わるタイミングよりも先行し
たタイミングで切り替わる点は、第１実施形態と同様である。
【００３６】
次に、第１相違点について説明する。
第１容量信号Ｓcom1は、図９に示されるように、極性指定信号ＰolがＬレベルであれば
電圧ＶSLになり、極性指定信号ＰolがＨレベルであれば電圧ＶSHになる。また、第２容量
信号Ｓcom2は、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位相を９０度進ませた（２７０度遅らせ
た）信号である。
【００３７】
続いて、第２相違点について説明する。
図８は、容量線駆動回路１５０Ｌ（１５０Ｒ）において奇数ｉ行目と、この奇数ｉ行目
に対して１行下の偶数（ｉ＋１）行目とに対応する単位制御回路１５２の２行分の構成を
示す図である。
この図に示されるように、奇数ｉ行目の単位制御回路１５２におけるトランスミッショ
ン・ゲート５５は、第１容量信号Ｓcom1が供給される信号線１５５と容量線１３２との間
に介挿され、偶数（ｉ＋１）行目の単位制御回路１５２におけるトランスミッション・ゲ
ート５５は、第２容量信号Ｓcom2が供給される信号線１５６と容量線１３２との間に介挿
されている。
【００３８】
なお、図８に示すトランスミッション・ゲート５５が、端子Ｐの論理レベルがＨレベル
であるときにオンし、端子ＰがＬレベルであるときにオフする点は、単位制御回路１５２
の他の部分も含めて、第１実施形態と同様である。
このため、奇数ｉ行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上の（ｉ−１）行
目および自行のｉ行目が選択される水平有効走査期間を含む二水平走査期間のみＨレベル
になり、他の期間ではＬレベルに保持されるので、奇数ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｓci
は、当該二水平走査期間に限れば、第１容量信号Ｓcom1と同一波形になる。
同様に、偶数（ｉ＋１）行目の単位制御回路１５２における端子Ｐは、１行上のｉ行目
および自行の（ｉ＋１）行目が選択される水平有効走査期間を含む二水平走査期間のみＨ
レベルになり、他の期間ではＬレベルに保持されるので、偶数（ｉ＋１）行目の容量線１
３２の電圧Ｓc(i+1)は、当該二水平走査期間に限れば、第２容量信号Ｓcom2と同一波形に
なる。
したがって、１行目の容量線１３２の電圧Ｓc1から３２０行目の容量線１３２の電圧Ｓ
c320までは、図９に示される通りとなり、走査線が選択される水平有効走査期間において
正極性書込が指定されていれば、当該水平有効期間終了後の水平帰線期間において電圧Ｖ
SLから電圧ＶSHに切り替えられ、負極性書込が指定されていれば、当該水平有効期間終了
後の水平帰線期間において電圧ＶSHから電圧ＶSLに切り替えられる動作が、２行ずつ交互
に実行される。
【００３９】
なお、各行での書込動作については、次の点を除き、第１実施形態と同様である。
すなわち、ｉ行目でみたときに、容量線１３２の電圧Ｓciは、第１実施形態では、１行
上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになると切り替えられ、当該走査信号Ｙ(i-1)がＬレベル
になった後であって自行の走査信号ＹiがＨレベルになる前に再度切り替えられたのに対
し、第２実施形態では、１行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになっても切り替えられず
、当該走査信号Ｙ(i-1)がＬレベルになった後であって自行の走査信号ＹiがＨレベルとな
る前に初めて替えられる。
このため、第２実施形態では、ｉ行目の容量線１３２は、１行上の走査信号Ｙ(i-1)が
Ｈレベルになったときでも電圧が切り替えられないので、画素電極１１８の電圧が階調に
応じた値に保たれる結果、第１実施形態と比較して透過率に悪影響を与えないのである。
【００４０】
なお、第２実施形態では、第２容量信号Ｓcom2を、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位
相を９０度進ませた信号としたが、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位相を９０度遅らせ
た信号としても良い。第２容量信号Ｓcom2を、第１容量信号Ｓcom1の位相よりも位相を９
０度遅らせた信号とすると、同極性となる行の組み合わせが、１・２、３・４、５・６、
…、３１９・３２０行目に変更される。
【００４１】
ところで、容量線駆動において重要なのは、ｉ行目において、走査信号ＹiがＨレベル
であったときと、その後、走査信号ＹiがＬレベルになったときとで容量線１３２を電圧
ΔＶだけシフトさせることである。第１および第２実施形態では、走査信号ＹiがＨから
Ｌレベルに変化してから、次の走査信号Ｙ(i+1)がＬからＨレベルとなるまでの水平帰線
期間で容量信号Ｓcom（Ｓcom1、Ｓcom2）の電圧を変化させているので、ｉ行目の単位制
御回路１５２における端子Ｐは、少なくとも自行のｉ行目が選択される水平走査期間でＨ
レベルであれば良いことになる。
このため、第１および第２実施形態において、上から下方向に走査線を順に選択する場
合に限ってみれば、ｉ行目の単位制御回路１５２におけるＴＦＴ５１のゲート電極を自行
のｉ行目の走査線１１２に接続して、走査信号Ｙiを供給しても良い。
ただし、後述するように、上から下方向に走査線を選択する場合と、下から上方向に走
査線を選択する場合とのいずれにも対応可能とする場合には、対称性を確保するために、
ＴＦＴ５１、５２のゲート電極を、１行上の走査線と１行下の走査線に接続する構成が好
ましい。
【００４２】
＜第３実施形態＞
上述した第１および第２実施形態において、例えばｉ行目でみたとき、単位制御回路１
５２における端子Ｐは、１行上の（ｉ−１）行目および自行のｉ行目が選択される水平有
効走査期間を含む二水平走査期間以外の期間では、Ｌレベルに保持される。このため、当
該二水平走査期間以外の期間では、トランスミッション・ゲート５５がオフになるので、
容量線１３２は、どの信号線１５３（１５５、１５６）にも接続されない状態（ハイ・イ
ンピーダンス状態）であり、寄生容量等によって電圧がかろうじて保持されているに過ぎ
ないことになる。もし、このハイ・インピーダンス状態のときに、ノイズ等が容量線１３
２に重畳されると、当該容量線が電圧ＶSH、ＶSLから変動する。容量線１３２の電圧変動
は、その容量線１３２を共通にする１行分の画素容量１２０の保持電圧に影響を与えるの
で、表示品位を低下させてしまうことになる。
そこで、このような表示品位の低下を防止することを目的とした第３実施形態について
説明する。
【００４３】
図１０は、第３実施形態に係る電気光学装置のうち、単位制御回路１５２の構成を示す
図である。この図に示される単位制御回路１５２では、容量線１３２に保持回路７０を設
けた構成となっている。
この保持回路７０は、トランスミッション・ゲート５５がオフする直前の電圧状態を保
持するものである。このような保持回路７０の例としては、例えば図１１に示されるよう
な回路が挙げられる。この図に示される保持回路７０は、入力を容量線１３２とし、出力
を容量線１３２に戻すとともに、電源電圧のうち、低位側を電圧ＶSLとし、高位側を電圧
ＶSHとするインバータの２段回路である。なお、このインバータのしきい値電圧は、電圧
ＶSL、ＶSHの間で設定すれば良い。
このような保持回路７０を設けると、容量線１３２は、トランスミッション・ゲート５
５がオンしたときの容量信号Ｓcomの電圧によって電圧ＶSL、ＶSHのいずれかに書き換え
られるとともに、トランスミッション・ゲート５５がオフしても、オフ直前の電圧が印加
され続けるので、ハイ・インピーダンス状態とはならない。したがって、上述した表示品
位の低下を抑えることが可能となる。
【００４４】
このような保持回路７０を設けた構成において、電源投入直後等において、単位制御回
路１５２における端子Ｐの論理レベルが左側と右側とで相違している場合、Ｌレベルであ
る方のトランスミッション・ゲート５５がオフするので、容量線１３２は、Ｈレベルであ
る方のトランスミッション・ゲート５５を介して供給された容量信号Ｓcomの電圧に確定
する。
また、電源投入直後等において、単位制御回路１５２における端子Ｐの論理レベルが左
側と右側とでいずれもＬレベルであったとき、容量線１３２の電位は一瞬不確定になるが
、左右の保持回路７０では、その容量線の電位がしきい値以下であれば電圧ＶSLに、しき
い値を越えていれば電圧ＶSHに、それぞれ直ちに確定する。
なお、この保持回路７０は、上記二水平走査期間以外の期間において容量線１３２の電
圧を単に保持する、という目的にとどまるので、左右両側ではなく、片側に一個だけ設け
た構成でも良い。
【００４５】
図１０は、図３に示した第１実施形態に保持回路７０を適用した場合の構成を示したが
、図８に示した第２実施形態に保持回路７０を適用して図１２に示されるように構成して
も良い。
【００４６】
＜応用・変形例＞
なお、上述した実施形態では、端子ＰがＨレベルであるときに、トランスミッション・
ゲート５５をオンさせたが、インバータ５４の出力端（インバータ５３の入力端）の論理
レベルをトランスミッション・ゲート５５の反転制御信号とし、当該出力端の論理レベル
をインバータにより反転したものを正転制御端信号として供給して、当該出力端がＬレベ
ルであるときに、トランスミッション・ゲート５５をオンさせても良い。
【００４７】
また、上述した実施形態では、走査線１１２を、（０）、１、２、３、…、３１８、３
１９、３２０、（３２１）行目という順番で上から下方向に選択する場合を示したが、逆
に、（３１２）、３２０、３１９、３１８、…、３、２、１、（０）行目という順番で下
から上方向に選択する構成としても良いし、どちらの方向にも対処可能な構成として良い
。
下から上方向に選択する構成とするには、具体的には、図３等に示した単位制御回路１
５２において、ＴＦＴ５１、５２のゲート電極に供給される走査信号を入れ替えて、１行
下の走査信号がＬからＨレベルになるタイミングから、１行上の走査信号がＬからＨレベ
ルになるタイミングまで、端子ＮをＨレベルに保持させれば良い。
また、どちらの方向にも対処可能な構成とするには、上から下方向に選択する場合には
、１行上の走査信号がＬからＨレベルになるタイミングから１行下の走査信号がＬからＨ
レベルになるタイミングまで端子ＮをＨレベルに保持させれば良いし、下から上方向に選
択する場合には、１行下の走査信号がＬからＨレベルになるタイミングから１行上の走査
信号がＬからＨレベルになるタイミングまで端子ＮをＨレベルに保持させれば良い。
【００４８】
具体的には、例えば図１３に示されるように構成すれば良い。
この図において、転送方向指定信号Ｄir、Ｄir-Bは、走査線の選択方向を指定する信号
であり、転送方向指定信号Ｄirは、上から下方向に選択する場合だけＨレベルになり、逆
に、転送方向指定信号Ｄir-Bは、下から上方向に選択する場合だけＨレベルになる。
図１３に示す構成において、上から下方向への選択が指定された場合、転送方向指定信
号Ｄir-BがＬレベルであるので、ＴＦＴ６１Ｂ、６２Ｂがオフして、ＴＦＴ５１Ｂ、５２
Ｂが無効化されるとともに、転送方向指定信号ＤirがＨレベルであるので、ＴＦＴ６１、
６２がオンする。このため、等価回路でみれば、図３と同一となる。
一方、下から上方向への選択が指定された場合、転送方向指定信号ＤirがＬレベルであ
るので、ＴＦＴ６１、６２がオフして、ＴＦＴ５１、５２が無効化されるとともに、転送
方向指定信号Ｄir-BがＨレベルであるので、ＴＦＴ６１Ｂ、６２Ｂがオンする。このため
、ｉ行目の単位制御回路１５２でみたときに、１行下の走査信号Ｙ(i+1)がＨレベルとな
ったときから、１行上の走査信号Ｙ(i-1)がＨレベルになるまで端子ＮがＨレベルに保持
される。
【００４９】
なお、図１３は、図３に示した第１実施形態に適用した場合の構成を示したが、図８に
示した第２実施形態に適用しても良い。また、第３実施形態における保持回路７０を適用
しても良い。
【００５０】
また、各実施形態では、画素容量１２０として画素電極１１８とコモン電極１０８とで
液晶１０５を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画
素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向
とした構成としても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態におい
て暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別
の色を追加し、これらの４色以上の画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構
成としても良い。
【００５１】
容量線駆動回路１５０Ｌ、１５０Ｒの構成素子を、表示領域１００における画素スイッ
チング素子と同じＴＦＴとするのではなく、別体のＩＣチップを左右両側に実装する構成
としても良い。また、本実施形態を透過型ではなく反射型としても良いし、透過型と反射
型とを組み合わせた半透過・半反射型としても良い。
【００５２】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１４は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については
外観としては現れない。
【００５３】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１４に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における単位制御回路の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の書込動作を説明するための図である。
【図６】同単位制御回路のラッチ結果が両側で相違した場合の動作を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図８】同電気光学装置における容量線駆動回路の単位制御回路の構成を示す図である。
【図９】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図１０】第３実施形態に係る電気光学装置の単位制御回路の構成を示す図である。
【図１１】同単位制御回路における保持回路の構成の一例を示す図である。
【図１２】同単位制御回路の構成の別例を示す図である。
【図１３】双方向転送に対応した単位制御回路の構成例を示す図である。
【図１４】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…電気光学装置、２０…表示制御回路、５０…ラッチ回路、５５…トランスミッショ
ン・ゲート、７０…保持回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、
１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…補助
容量、１３２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０Ｒ、１５０Ｌ…容量線駆動回路
、１５２…単位制御回路、１２００…携帯電話
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各々に対応して設けられた容量線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画
素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された補助
容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに二
値電圧の一方とし、当該一の走査線の選択が終了したとき以降に前記二値電圧の他方にシ
フトさせる容量線駆動回路と、
を具備し、
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の一端側および他端側のそれぞれに、前記容量線の各々に対応して設けられ
た単位制御回路を備え、
一の容量線に対応する単位制御回路は、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線が
選択される期間において論理レベルの一方に保持するラッチ回路と、
前記二値電圧が所定周期で切り替わる容量信号を供給する信号線と前記容量線との間に
おいて、前記論理レベルが一方のときに導通状態になり、前記論理レベルが他方のときに
非導通状態になるスイッチと、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記容量信号は、走査線が１本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選択さ
れないタイミングで電圧が切り替わる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記容量信号は、第１容量信号および第２容量信号があり、
前記第１容量信号は、走査線が２本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選
択されないタイミングで電圧が切り替わり、
前記第２容量信号は、前記第１容量信号に対して位相が９０度進んだ又は遅れた信号で
あり、
奇数行の単位制御回路における前記スイッチは、前記第１容量信号を供給する信号線と
前記容量線との間において介挿され、
偶数行の単位制御回路における前記スイッチは、前記第２容量信号を供給する信号線と
前記容量線との間において介挿された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記スイッチが非導通状態となる直前における前記容量線の電圧状態を保持する保持回
路を有する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各々に対応して設けられた容量線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画
素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された補助
容量と、
を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに二
値電圧の一方とし、当該一の走査線の選択が終了したとき以降に前記二値電圧の他方にシ
フトさせる容量線駆動回路と、
を具備し、
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の一端側および他端側のそれぞれに、前記容量線の各々に対応して設けられ
た単位制御回路を備え、
一の容量線に対応する単位制御回路は、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線が
選択される期間において論理レベルの一方に保持するラッチ回路と、
前記二値電圧が所定周期で切り替わる容量信号を供給する信号線と前記容量線との間に
おいて、前記論理レベルが一方のときに導通状態になり、前記論理レベルが他方のときに
非導通状態になるスイッチと、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各々に対応して設けられた容量線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画
素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された補助
容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに二
値電圧の一方とし、当該一の走査線の選択が終了したとき以降に前記二値電圧の他方にシ
フトさせる容量線駆動回路と、
を具備し、
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の一端側および他端側のそれぞれに、前記容量線の各々に対応して設けられ
た単位制御回路を備え、
一の容量線に対応する単位制御回路は、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線が
選択される期間において論理レベルの一方に保持するラッチ回路と、
前記二値電圧が所定周期で切り替わる容量信号を供給する信号線と前記容量線との間に
おいて、前記論理レベルが一方のときに導通状態になり、前記論理レベルが他方のときに
非導通状態になるスイッチと、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記容量信号は、走査線が１本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選択さ
れないタイミングで電圧が切り替わる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記容量信号は、第１容量信号および第２容量信号があり、
前記第１容量信号は、走査線が２本ずつ選択される周期であって、いずれの走査線も選
択されないタイミングで電圧が切り替わり、
前記第２容量信号は、前記第１容量信号に対して位相が９０度進んだ又は遅れた信号で
あり、
奇数行の単位制御回路における前記スイッチは、前記第１容量信号を供給する信号線と
前記容量線との間において介挿され、
偶数行の単位制御回路における前記スイッチは、前記第２容量信号を供給する信号線と
前記容量線との間において介挿された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記スイッチが非導通状態となる直前における前記容量線の電圧状態を保持する保持回
路を有する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線の各々に対応して設けられた容量線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応してそれぞれ設けられ、
各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
他端との間で導通状態になる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画
素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された補助
容量と、
を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに二
値電圧の一方とし、当該一の走査線の選択が終了したとき以降に前記二値電圧の他方にシ
フトさせる容量線駆動回路と、
を具備し、
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の一端側および他端側のそれぞれに、前記容量線の各々に対応して設けられ
た単位制御回路を備え、
一の容量線に対応する単位制御回路は、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線が
選択される期間において論理レベルの一方に保持するラッチ回路と、
前記二値電圧が所定周期で切り替わる容量信号を供給する信号線と前記容量線との間に
おいて、前記論理レベルが一方のときに導通状態になり、前記論理レベルが他方のときに
非導通状態になるスイッチと、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−９７０２３（Ｐ２０１０−９７０２３Ａ）
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２６８３００（Ｐ２００８−２６８３００）
【出願日】平成２０年１０月１７日（２００８．１０．１７）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月３０日（２０１０．４．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月１７日（２００８．１０．１７）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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