電気光学装置及びこれを備えた電子機器
【課題】液晶装置等において、主配線を効率的に低抵抗化し、主配線間における信号の相互干渉を抑制することで、高品位な画像表示を行う。
【解決手段】基板（１０）上における画像表示領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子（１０２）と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線（１０８）と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路（１０１、１０４）とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。
【解決手段】基板（１０）上における画像表示領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子（１０２）と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線（１０８）と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路（１０１、１０４）とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば素子基板上に周辺駆動回路が作り込まれてなる駆動回路内蔵型の液晶装置等の電気光学装置及該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置等の電気光学装置では、その画像表示領域に、画像表示用に駆動される複数の画素部がマトリクス状に配列されている。各画素部には、例えば、画素電極と各画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、適宜「ＴＦＴ」という。）とが配置されており、縦横に相隣接する画素電極間の間隙に沿って走査線、データ線、容量線等の配線が設けられている。特に、駆動回路内蔵型の場合には、走査線やデータ線を駆動するための走査線駆動回路やデータ線駆動回路が、同一素子基板上における周辺領域に作り込まれている。このため、通常は、素子基板の一辺に沿って配列された複数の外部回路接続端子から周辺駆動回路に至る、電源信号線、クロック信号線、画像信号線、制御信号線等の各種配線が、周辺領域内に平面レイアウトされている。
【０００３】
ここで、電気光学装置或いは素子基板の小型化の要請に沿って、限られた周辺領域内に外部回路接続端子から周辺回路に至る多数本の各種配線が収まるように、或いは限られた周辺領域内で近接配置される各種配線間における相互ノイズが低減されるように、当該各種配線の平面レイアウトを工夫する技術も提案されている（特許文献１及び２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２０２３６７号公報
【特許文献２】特開平１１−２２３８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置では、装置或いは素子基板の小型化を図りつつも、駆動周波数向上や精細度向上による画像の高品位化の要請は、実践上極めて強い。
【０００６】
しかしながら、上述した従来の周辺領域に各種配線を設ける技術によれば、限られた周辺領域内には、複数の外部回路接続端子に一端が夫々接続された複数の配線（本願明細書では適宜「主配線」と称する）が存在している。しかも主配線の本数或いは外部回路接続端子の個数は、駆動方式の複雑高度化に伴い増大傾向にある。このため、少なくとも何本かの主配線については、その他端が周辺駆動回路や上下導通端子に至る途中で、他の主配線と交差せざるを得ない。この交差する個所では、素子基板上に構築された積層構造において当該少なくとも一つの主配線を構成する導電膜よりも下側又上側に積層された他の導電膜からなる中継配線部分を経由しなければならない。そして、通常例えばアルミニウム等の素子基板上に構築された積層構造中で最も低抵抗の導電膜から主配線は形成されることに鑑みれば、このように他の導電膜から、即ち最も低抵抗ではない導電膜から中継配線部分を形成することは、主配線における配線抵抗の増大を顕著に招くという技術的問題点がある。そして、係る主配線における配線抵抗の増大は、その主配線の用途に応じて各種の画質低下を招きかねない。
【０００７】
このように周辺領域を狭めることによる装置の小型化と画素ピッチ或いは配線ピッチの微細化による画質向上とを両立させることは、実践上極めて困難である。加えて、上述の如き中継配線部分を作ると、接触抵抗やコンタクトホール抵抗による抵抗増加、更に素子基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を招き、最終的に装置歩留まりの低下や信頼性の低下を招きかねないという技術的問題点もある。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、主配線を効率的に低抵抗化できると共に主配線間における信号の相互干渉を抑制でき、これらにより高品位な画像表示が可能である電気光学装置及びこのような電気光学装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上における画像表示領域に備えられた複数の画素部と、前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子に夫々一端が接続された複数の主配線と、該主配線の他端に接続されており前記外部回路接続端子から前記主配線を介して供給される電気信号に基づいて前記画素部を駆動するための周辺駆動回路とを備えており、前記複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされている。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して、例えば画像信号、クロック信号、その反転信号、電源信号、制御信号等の各種電気信号が夫々、主配線の他端に接続された周辺駆動回路に供給される。或いは、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して例えば、対向電極電位が、周辺領域に設けられた上下導通端子に供給され、更に該上下導通材を介して対向基板側に設けられた対向電極へと供給される。このような主配線は例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等である周辺駆動回路によって、上述の如く供給される各種電気信号に基づいて走査線及びデータ線が駆動されることで、所定方式による画像表示が行われる。例えば、複数の画素部がアクティブマトリクス駆動される。
【００１１】
ここで本発明の電気光学装置では特に、複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域に平面レイアウトされている。このため、導電性に優れた導電膜を、素子基板上に構築される積層構造中に含めておき、上述した同一導電膜として採用すれば、或いは、素子基板上に構築される積層構造中で最も導電性に優れた導電膜を上述の同一導電膜として採用すれば、複数の主配線を導電性に優れた配線として構築できる。更に、主配線の本数或いは外部回路接続端子の個数が、駆動方式の複雑高度化に伴い増大しても、複数の主配線は相互に交差しないように平面レイアウトされているので、交差する個所で中継配線部分を経由させる必要性はない。そして、通常例えばアルミニウム等の素子基板上に構築された積層構造中で最も低抵抗の導電膜から主配線を形成すれば、これよりも低抵抗ではない積層構造中の他の導電膜から形成された中継配線部分を利用する場合と比較して、主配線における配線抵抗を顕著に低減できる。従って、主配線の配線抵抗の増加に起因した各種の画質低下を効果的に未然防止できる。言い換えれば、周辺領域を狭めての装置の小型化と、画素ピッチ或いは配線ピッチの微細化による画質向上とを、両立させることが可能となる。
【００１２】
加えて、上述の如く主配線中に中継配線部分を作らないので済むので、主配線における接触抵抗やコンタクトホール抵抗による抵抗増加を回避でき、更に素子基板上における積層構造及び製造プロセスを単純化できる。従って、最終的に装置歩留まりの低下や信頼性の向上が可能となる。しかも、例えば二つの主配線が薄い層間絶縁膜を介して交差する場合に見られるような該二つの主配線間における二種類の電気信号の相互干渉を、複数の主配線を相互に交差しないように平面レイアウトすることで顕著に低減することも可能となる。
【００１３】
以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、主配線を効率的に低抵抗化できると共に主配線間における信号の相互干渉を抑制でき、これらにより高品位な画像表示が可能となる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記周辺駆動回路の内部配線、前記周辺駆動回路から前記画素部に向けて引き出された引出配線、及び前記主配線から分岐した分岐配線のうち少なくとも一つを含んでなる副配線は、その第１部分において前記同一導電膜とは異なる他の導電膜から形成されて前記主配線と層間絶縁膜を介して交差するように且つその第２部分において前記同一導電膜から形成されて前記主配線と交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされている。
【００１５】
この態様によれば、周辺領域には、内部配線、引出配線、分岐配線等の副配線が設けられている。これらのうち、周辺駆動回路の内部配線は、周辺駆動回路内の例えばシフトレジスタを構成する複数配列された回路間をつなぐ配線である。
【００１６】
引出配線は、走査線、データ線、容量線等を画像表示領域から周辺領域へ引き出すための配線である。分岐配線は、例えば電源信号やクロック信号など、周辺駆動回路の複数箇所で共通に使用する各種電気信号を供給するための配線である。
【００１７】
このような副配線は、その第１部において、例えば最も導電性に優れた導電膜に対して層間絶縁膜を介して積層された二番目、三番目等に導電性に優れた金属膜或いは導電性ポリシリコン膜等からなり、主配線と交するように平面レイアウトされている。更に、このような副配線は、その第２部において、例えば主配線と同様に最も導電性に優れた導電膜からなり、主配線と交しないように平面レイアウトされている。従って、副配線についても主配線と抵触しない限りにおいて、その導電性を向上させることが可能である。
【００１８】
この態様では、前記第１部分及び前記第２部分の間は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてもよい。
【００１９】
このように構成すれば、副配線は、主配線を避けるようにコンタクトホールを介して交差して延びる、第１部分及び第２部分を含んでなる１本の配線として機能し得る。尚、コンタクトホール以外の方式で、これら第１部分及び第２部分の間を接続してもよい。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記複数の主配線中で前記素子基板の縁寄りに位置し、前記周辺駆動回路は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに位置する。
【００２１】
この態様によれば、その動作時には、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して例えば、対向電極電位が、周辺領域に設けられた上下導通端子に供給され、更に該上下導通材を介して対向基板側に設けられた対向電極へと供給される。これにより、対向電極と、例えば画素部に設けられた画素電極との間で縦電界を発生させることで、例えば両基板間に挟持された液晶等の電気光学物質を駆動できる。ここで特に、周辺領域において、対向電極電位線は、複数の主配線中で素子基板の縁寄りに位置する。例えば、対向電極電位線は外部接続端子から素子基板の縁に沿って延びる。これに対して、周辺駆動回路は上下導通端子及び対向電極電位線よりも素子基板の中央寄りに位置するので、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２２】
尚、好ましくは、対向電極電位線は、周辺領域において、複数の主配線中で最も素子基板の縁寄りに位置する。これにより、対向電極電位線を除く全ての主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２３】
この態様では、前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、前記複数の外部回路接続端子のうち前記対向電極電位線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置するように構成してもよい。
【００２４】
このように構成すれば、周辺領域において、対向電極電位線は、縁寄りの外部回路接続端子から延びて、素子基板の縁寄りに位置する。従って、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが非常に簡単に得られる。
【００２５】
尚、好ましくは、対向電極電位線の一端が接続される外部回路接続端子は、周辺領域において、複数の外部回路接続端子の配列中で最も端に位置する。例えば、複数の外部回路接続端子が配列された辺から見て、右端の外部回路接続端子には、素子基板の右縁に沿って延びる対向電極電位線の先端が接続され、例えば、左端の外部回路接続端子には、素子基板の左縁に沿って延びる対向電極電位線の先端が接続される。これにより、外部回路接続端子の付近の周辺領域においても、対向電極電位線を除く全ての主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２６】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記対向電極電位線を除く一又は複数の主配線よりも前記素子基板の縁寄りに位置し、前記対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線よりも前記素子基板の中央寄りに位置し、前記周辺駆動回路の一部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに部分的に位置し、前記周辺駆動回路の他部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の縁寄りに部分的に位置する。
【００２７】
この態様によれば、その動作時には、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して例えば、対向電極電位が、周辺領域に設けられた上下導通端子に供給され、更に該上下導通材を介して対向基板側に設けられた対向電極へと供給される。ここで特に、周辺領域において、対向電極電位線は、対向電極電位線を除く一又は複数の主配線よりも素子基板の縁寄りに位置する。他方、周辺領域において、対向電極電位線は、対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線よりも素子基板の中央寄りに位置する。従って、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２８】
この態様では、前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、前記複数の外部回路接続端子のうち、対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置するように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、周辺領域において、対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線は、縁寄りの外部回路接続端子から延びて、素子基板の縁寄りに位置する。他方、対向電極電位線を除く一又は複数の主配線は、中央寄りの外部回路接続端子から延びて、素子基板の中央寄りに位置する。従って、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが簡単に得られる。
【００３０】
上述した対向電極を備えた各種態様では、前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を夫々供給すると共に前記対向電極電位線と交差しない一対のクロック信号線を含むように構成してもよい。
【００３１】
このように構成すれば、仮に交差させると相互干渉が顕著であるクロック信号線と対向電極電位線とが、交差していないので、クロック信号の電位が対向電極電位の変動に応じて変動したり、対向電極電位がクロック信号の電位の変動に応じて変動することを効果的に回避できる。これらにより、高品位の画像表示画可能となる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を供給するための一対のクロック信号線と、前記電気信号として電源信号を供給するための電源配線とを含み、前記一対の信号線と前記電源配線とは交差しない。
【００３３】
この態様によれば、仮に交差させると相互干渉が顕著であるクロック信号線と電源配線とが、交差していないので、クロック信号の電位が電源信号の電位の変動に応じて変動したり、電源信号の電位がクロック信号の電位の変動に応じて変動することを効果的に回避できる。これらにより、高品位の画像表示画可能となる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の主配線は、相互に交差することを避けて蛇行するように平面レイアウトされている。
【００３５】
この態様によれば、主配線については蛇行することで、その配線長が長くなることを犠牲にしつつ、主配線が交差する事態を避ける。ここで主配線を構成する同一導電膜の抵抗を低くすることで、配線長に応じた配線抵抗は、低く抑えることが可能であり、他方、交差する際に必要な中継配線を利用しないことによる利益を享受できる。
【００３６】
尚、この態様では好ましくは、数学的或いは幾何学的に、交差個所が極力減るように平面レイアウトし、蛇行してでも交差個所を少なくする。他方で、上述の副配線については、交差してもよいとすることで、配線ピッチを高めつつ且つ主配線についての交差を避けつつ、主配線及び副配線を周辺領域に平面レイアウトできる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の主配線は少なくとも部分的に、前記同一導電膜と別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含む。
【００３８】
この態様によれば、主配線は、同一導電膜からなる配線部に加えてこれと別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含むという冗長構造の採用によって、主配線の配線抵抗を、より一層低めることが可能となる。加えて、冗長構造をなす二つの配線部分のうち一方が仮に断線しても、配線としての機能を果たし得る可能性が残るので、当該電気光学装置における信頼性を向上させることも可能である。
【００３９】
また、本発明の電気光学装置は、素子基板上における画像表示領域に備えた複数の画素部と、前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、走査線駆動回路と、データ線駆動回路と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記走査線駆動回路に接続される走査線駆動回路用配線と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記データ線駆動回路に接続されるデータ線駆動回路用配線と、前記外部回路接続端子に一端が接続され前記複数の画素部の画像信号を供給するための画像信号配線とを備え、前記走査線駆動回路用配線と、前記データ線駆動回路用配線と、前記画像信号配線は、相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされている。
【００４０】
また、本発明の電気光学装置の一態様では、前記画像信号配線は、前記走査線駆動回路用配線と前記データ線駆動回路用配線との間に配置されるとよい。
【００４１】
また、本発明の電気光学装置の他の態様では、更に、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記対向電極に対向電位を供給するための対向電極電位線とを備え、前記対向電極電位線は、前記走査線駆動回路用配線を囲むように配置されるとよい。
【００４２】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備してなる。
【００４３】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、主配線により各種電気信号が適切に供給されることで高品位の画像表示画可能である、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置を実現することも可能である。
【００４４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置をＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用したものである。
【００４６】
（電気光学装置の全体構成）
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４７】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。但し、このようにシール材５２中に散布するのに代えて又は加えて、特に大型の電気光学装置であれば、ギャップ材を液晶層５０中に散布してもよい。
【００４９】
シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５０】
本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺に、周辺領域が規定されている。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の中央から見て、額縁遮光膜５３より縁寄りが周辺領域として規定されている。
【００５１】
周辺領域のうち、シール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺（即ち、図１中で下辺）に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する二辺（即ち、図１中で左右両辺）に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺（即ち、図１中で上辺）に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。本実施形態では特に、周辺領域には、外部回路接続端子１０２に一端が夫々接続された複数の主配線１０８が配線されている。主配線１０８は、他端がデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に接続されている。尚、これらのＴＦＴアレイ基板１０上の回路構成及びその動作、並びに主配線１０８の平面レイアウトについては後で詳述する。
【００５２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５３】
図１において、ＴＦＴアレイ基板１０の４つのコーナー付近には、ＴＦＴアレイ基板１０上に平面レイアウトされた主配線１０８のうちの１本である対向電極電位線に接続された上下導通端子１０６ｔが設けられている。これらの上下導通端子１０６ｔ上に夫々、上下導通材１０６が配置されている。上下導通材１０６は、対向電極２１の四隅に面接触しており、外部回路接続端子１０２からの対向電極電位を、主配線１０８を介して対向電極２１に供給するように構成されている。
【００５４】
（画素部の構成）
次に、本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３を参照して説明する。ここに、図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５５】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａ（図１参照）内にマトリクス状に形成された複数の画素部には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、後で詳述する画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００５６】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５７】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図１及び図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むと共に所定電位とされた容量線３００を含んでいる。この蓄積容量７０によって、各画素電極における電荷保持特性は向上されている。尚、容量線３００の電位は、一つの電圧値に常時固定してもよいし、複数の電圧値に所定周期で振りつつ固定してもよい。
【００５９】
続いて、本実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上の回路構成及び主配線の平面レイアウトについて、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。図５は図４をさらに具体的に明示した各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。尚、以下の説明において、外部回路接続端子１０２を介してＴＦＴアレイ基板１０内に入力される信号名称と、その信号配線とは、同一のアルファベット記号を信号及び配線Ｌの後に夫々付与して称する。即ち、例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、その信号配線を「クロック信号線ＬＣＬＸ」と呼称することとする。
【００６０】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、電気光学装置の駆動回路として、データ線６ａに画像信号を供給する手段の一例を構成するデータ線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１と、走査線３ａに走査信号を供給する手段の一例を構成する走査線駆動回路１０４とが形成されている。また、これらの各駆動回路に供給される各種信号を、外部制御回路から入力するための複数の端子を含む外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されている（図１参照）。外部回路接続端子１０２からは主配線１０８が配設される。
【００６１】
データ線駆動回路１０１は、主な構成要素として、シフトレジスタ回路１０１ａ、波形選択回路１０１ｂ及びバッファー回路１０１ｃを備える。
【００６２】
シフトレジスタ回路１０１ａは、外部制御回路から外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうち配線ＬＶＳＳＸ及び配線ＬＶＤＤＸを介して供給される負電源ＶＳＳＸ及び正電源ＶＤＤＸを電源として用い、同じく外部制御回路から供給されるスタート信号ＳＰＸに応じて転送動作を開始する。続いて、外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうちクロック信号線ＬＣＬＸ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＸINVを介して供給される、シフトレジスタ回路１０１ａ用のクロック信号ＣＬＸ及び逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路１０１ｂへ出力する。
【００６３】
波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ａから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から外部回路接続端子１０２を介して入力されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路３０１における、各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、上述のシフトレジスタ回路１０１ａの各段に対応して設けられている、例えば、ＮＡＮＤ回路及びインバータ等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ａより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、且つ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線１１４が駆動されるように、時間軸上における波形の選択制御を行う。
【００６４】
バッファー回路１０１ｃは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路３０１に供給する。バッファー回路１０１ｃは、レベルシフト処理、インバーティング処理等の信号処理を行ってもよい。
【００６５】
サンプリング回路３０１は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング回路素子の一例であるＴＦＴ２０２を複数備えて構成されている。但し、このスイッチング用回路素子としては、図に示すように第１導電チャネル型のＴＦＴであり、ｎチャネル型のＴＦＴでもよいし、ｐチャネル型のＴＦＴでもよい。更に、相補型等のＴＦＴ等によって構成することも可能である。ＴＦＴ２０２のドレインには、上述のデータ線６ａの図３中下端が接続され、該ＴＦＴ２０２のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２０２のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６６】
外部回路接続端子１０２から主配線１０８を経て供給され且つ上述の如くサンプリング回路３０１によりデータ線６ａに書き込まれる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。
【００６７】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路及びバッファー回路を備える。そして、外部制御回路から外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうち配線ＬＶＳＳＹ及び配線ＬＶＤＤＹを介して供給される負電源ＶＳＳＹ及び正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。続いて、外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうちクロック信号線ＬＣＬＹ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＹINVを介して供給される、内蔵シフトレジスタ回路用のクロック信号ＣＬＹ及び逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づき、所定タイミングで上述の走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００６８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上下導通端子１０６ｔに接続され、ＴＦＴアレイ基板１０上の４つのコーナー部を通過するように、主配線１０８のうちの１本である対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭが配線されている。そして、上下導通材１０６、上下導通端子１０６ｔ及び対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭを介して、対向電極２１に対して所定電位が供給される。これらの電位供給によって、上述のような、画素電極９ａ及び対向電極２１の両電極間に挟持された液晶の駆動が可能となっている。
【００６９】
本実施形態では特に、走査線駆動回路１０４は、図１に示したシール領域５２ａよりも内側に配置されている。即ち、図４及び図５において４つの上下導通端子１０６ｔを通過し、画像表示領域１０ａや各種駆動回路を囲むようにＴＦＴアレイ基板１０の縁に沿って配線された対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭよりも、ＴＦＴアレイ基板１０の中央寄りに配置されている。このように配置されることにより、走査線駆動回路１０４が、周辺領域のうちシール領域５２ａよりも外側に配置される場合と比較してＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域のスペースが削減され且つ装置全体の小型化を図ることとなっており、しかも対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ並びに走査線駆動回路１０４に至る各種信号配線を含む複数の主配線１０８ａの群及びデータ線駆動回路１０１に至る各種信号配線を含む複数の主配線１０８ｂの群が、相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。そして、走査線駆動回路１０４に至る主配線１０８ａに群の間でも相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。また、データ線駆動回路１０１に至る主配線１０８ｂの群の間でも、シフトレジスタ１０１ａや、波形整形回路１０１ｂ、バッファー回路１０１ｃに接続するために必要な交差部を除いて、相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。また、サンプリング回路３０１に至る主配線１０８ｃ、すなわち画像信号線１１５は、サンプリング回路３０１に接続するために必要な交差部を除いて、相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。
【００７０】
（外部回路接続端子及び信号配線の配置構成）
次に、引き続き図４及び図５を参照しながら、外部回路接続端子１０２及び外部回路接続端子１０２に接続された各種信号配線の詳細構成について以下に説明する。尚、以下の説明において、外部回路接続端子１０２を介してＴＦＴアレイ基板１０内に入力される信号名称と、その入力端子とは、同一のアルファベット記号を信号及び端子Ｔの後に夫々付与して称する。即ち、例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、その入力端子を「端子ＴＣＬＸ」と呼称することとする。
【００７１】
上述のようにＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられた外部回路接続端子１０２は、対向電極電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、及びデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群を備えて構成されている。より具体的には、外部回路接続端子１０２は、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ用として端子ＴＬＣＣＯＭ、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＸ及び端子ＴＣＬＸINV、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６、並びにデータ線駆動回路１０１用として端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、及び端子ＴＶＳＳＸを備えて構成されている。
【００７２】
ここで本実施形態では特に、図４及び図５に示すように、外部回路接続端子１０２のうち、対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための２つの端子ＴＬＣＣＯＭは、右端及び左端の両端に配置されている。そして、この２つの端子ＴＬＣＣＯＭに両端を接続された対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭは、上述のように４つの上下導通端子１０６ｔに接続されて、シール領域５２ａの外周を囲むように配線されている。なお、上下導通端子１０６ｔは１つでも良い。
【００７３】
次に、両端に配置された端子ＴＬＣＣＯＭに続いて右側から、走査線駆動回路１０４を駆動するための端子ＴＣＬＹ、端子ＴＣＬＹINV、端子ＴＶＤＤＹ、及び端子ＴＳＰＹが、この順に並んで配置されている。一方、左側から、同じく走査線駆動回路１０４を駆動するための端子ＴＳＰＹ及び端子ＴＶＳＳＹが、この順に並んで配置されている。
【００７４】
対向電極電位線用の端子ＴＬＣＣＯＭと走査線駆動回路１０４用の端子群とがこのような位置関係で配置構成されることにより、走査線駆動回路１０４用の端子群に接続された複数の主配線１０８ａ、即ち、走査線駆動回路１０４を駆動するための複数の信号配線は全て、端子ＴＬＣＣＯＭに接続された対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭよりも内側（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の中央寄り）を配線させることが可能となっている。そして、図５に示すように、クロック信号線ＬＣＬＹ、逆位相クロック信号線ＬＣＬＹINV、定電位線である配線ＬＶＤＤＹは、図上、右側より、左右の走査線駆動回路１０４に電気的に接続されるように、右側の走査線駆動回路１０４及び左側の走査線駆動回路１０４の外側で、かつ対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭの内側に沿って配置されている。即ち、本実施形態のように走査線駆動回路１０４が、シール領域５２ａよりも内側に配置されている場合において、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと、上述の走査線駆動回路１０４を駆動するための信号配線群とは、基板平面上で交差することが無い。従って、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと、走査線駆動回路１０４を駆動するための信号配線群１０８ａとは、これらの製造工程段階において同時に形成される同一配線層として形成することが可能となっている。
【００７５】
仮に、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと、走査線駆動回路１０４用の信号配線群とを、層間絶縁膜等を挟んで別々の配線層で形成することによって、平面的に見て交差させるよう構成する方法を採った場合には、特にその交差部分において夫々の信号配線から生じる信号のノイズによって互いに干渉し合う等の不具合を生じる可能性が考えられる。これに対して、上述のように本実施形態では、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと走査線駆動回路１０４用の信号配線群とが、平面的に見て交差することなく、同一配線層にて形成されているため、このような不具合は未然に防止されていることとなる。
【００７６】
加えて、仮に、対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給する外部回路接続端子１０２である端子ＴＬＣＣＯＭと走査線駆動回路１０４を駆動するための端子群とが図４または図５に示したものと逆の位置関係に配置されていると、即ち、端子ＴＬＣＣＯＭが中央寄りであるとすると、夫々の端子に接続された配線同士を基板平面上で互いに交差させることが必要となり、いずれかの主配線１０８を、途中で別の配線層につなぎ替える等の手段を採る必要が生じる。この場合には、別々の配線層を互いに、例えば層間絶縁膜に穿設されたコンタクトホール等を介して接続するので、製造工程の複雑化を招き、更には、このような接続箇所において特に配線抵抗が増大してしまう等の不具合が生じる可能性が高い。これに対して、本実施形態の如く図４及び図５に示したような外部回路接続端子１０２の配置構成を採ることにより、即ち、端子ＴＬＣＣＯＭを端寄りに配置することにより、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ及び走査線駆動回路１０４を駆動するための複数の主配線１０８ａに関して、製造工程において比較的容易に形成することが可能であり、且つ、配線抵抗に起因した信号遅延等の不具合は好適に防止されていることとなる。
【００７７】
尚、走査線駆動回路１０４がシール領域５２ａよりも外側の領域に形成される場合においては、対向電極電位を供給する端子ＴＬＣＣＯＭと、走査線駆動回路１０４用の端子群とを、上述の例に対して逆に配置し、基板平面上で両者が互いに交差しないよう構成すればよい。このように構成されることにより、上述の場合と同様に、基板平面上で主配線１０８が互いに交差することが無く、つなぎ替えによる配線抵抗の増大を防止することが可能であることは言うまでも無い。
【００７８】
ここで本実施形態では好ましくは、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ、及び走査線駆動回路１０４の駆動用の各主配線１０８ａは、アルミニウム等を含む低抵抗の金属膜或いは合金膜から構成されている。このように構成することにより、これらの信号配線の時定数を下げることができ、配線の引き廻しによる信号遅延を防止することが可能となる。加えて、主配線１０８ａを低抵抗の金属膜或いは合金膜から形成すれば、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭを含む複数或いは多数の主配線１０８を、相互に交差しないように蛇行させる構成を採ることも容易となる。即ち、蛇行により配線長が増大して、これに伴い配線抵抗は増大するが、低抵抗の金属膜或いは合金膜から形成することで、蛇行による不利益は殆ど又は全く顕在化しないで済む。逆に、蛇行させることで主配線１０８の交差を回避可能となるので、より多数の主配線１０８を限られた周辺領域内に平面レイアウトすることが可能となる。
【００７９】
更に、外部回路接続端子１０２において、走査線駆動回路１０４用の端子ＴＳＰＹ及び端子ＴＶＳＳＹに続いて左側から、画像信号用の端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６、データ線駆動回路１０１用の端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、及び端子ＴＶＳＳＸが、この順に並んで配置されている。
【００８０】
ここで、端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６に接続された主配線１０８ｃである６本の画像信号線１１５は、夫々が互いに基板平面上で交差することなく、且つ、外部回路接続端子１０２に接続された他のいずれの信号配線とも、互いに基板平面上で交差することなく、サンプリング回路３０１とデータ線駆動回路１０１との間の領域まで配線されている。具体的には、画像信号線１１５は、走査線駆動回路１０４の駆動用の主配線１０８ａの配線ＬＶＳＳＹとデータ線駆動回路１０１の駆動用の主配線１０８ｂの配線ＬＶＳＳＸとの間に配置されている。そして、各画像信号線１１５は各サンプリング回路３０１に電気的に接続するために、引き出し配線１１６と図示しないコンタクトホールを介して接続される。そして、引き出し配線１１６は他の画像信号線１１５と相互に交差して配置される。
【００８１】
また、データ線駆動回路用の各端子に接続された複数の主配線１０８ｂ、即ち、定電位線である配線ＬＶＳＳＸ及び定電位線である配線ＬＶＤＤＸ、スタート信号線ＬＳＰＸ、クロック信号線ＬＣＬＸ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＸINV，並びに、イネーブル信号線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４についても、夫々が互いに基板平面上で交差することなく、且つ、外部回路接続端子１０２に接続された他のいずれの主配線１０８とも、互いに基板平面上で交差することなく、データ線駆動回路１０１へ到達するよう配線されている。具体的には、配線ＬＶＳＳＸは、主配線１０８ａ及び主配線１０８ｃの内側で、かつデータ線駆動回路１０１を囲むように配置される。そして、他の主配線１０８ｂであるスタート信号線ＬＳＰＸ、クロック信号線ＬＣＬＸ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＸINV，並びに、イネーブル信号線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４は、配線ＬＶＳＳＸの内側に配置されている。そして、データ線駆動回路１０１のシフトレジスタ１０１ａ、波形整形回路１０１ｂ、バッファー回路１０１ｃに電気的な接続のためにコンタクトホールを介して引き出し配線と接続される。そして、引き出し配線は他の主配線１０８ｂと相互に交差して配置される。
【００８２】
以上のように外部回路接続端子１０２が配置されているため、本実施形態によれば、夫々の端子に接続された複数の主配線１０８が、基板平面上で交差されること無く配線されることにより、外部回路接続端子１０２に接続された全ての主配線１０８は、これらの製造工程段階において同時に形成される同一配線層として形成することが可能となっている。このため、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。しかも既に述べたように、交差する主配線１０８間の干渉等の不具合を未然防止することも可能であり、配線途中のコンタクトホール等で生じる接触抵抗や配線抵抗に起因した信号遅延等の不具合を未然防止することも可能である。
【００８３】
本実施形態では好ましくは、画像信号用の端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６は、その両側を定電位線用、或いは、低周波制御信号に属する信号配線用の端子に挟まれるように配置され、且つ、高周波制御信号に属する信号配線用の端子から、可能な限り離れた位置に配置される。より具体的には、図４又は図５に示すように、画像信号用の端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６は、定電位線用の端子ＴＶＳＳＹ及び端子ＴＶＳＳＸに挟まれるように配置されており、且つ、データ線駆動回路１０１を駆動するための高周波制御信号に属する配線用の端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＣＬＸ、及び端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４から離れた位置に配置されている。一般に、距離及び障害物の介在に応じて電磁波は減少するので、本実施形態のように配置されることにより、画像信号線１１５に対する高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減することが可能となる。即ち、画像信号線１１５は、高周波制御信号用の配線群から距離を離して配置されることによりノイズの影響が低減され、且つ、定電位線の介在によって高周波制御信号用配線から電気的にシールドされる形となっている。従って、ノイズの影響により画質が劣化することなく高品位な画像表示を維持することが可能となっている。
【００８４】
（画素部の詳細構成）
以下では、データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の画素部に係る実際の構成について、図６及び図７を参照して説明する。ここに図６は、本実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図７は、そのＡ−Ａ’断面図である。
【００８５】
図６において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ’により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ’に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８６】
図７に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００８７】
ＴＦＴ３０は、図７に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００８８】
尚、ＴＦＴ３０は、好ましくは図７に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００８９】
一方、図７においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００９０】
容量線３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００９１】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００９２】
容量線３００は、中継層７１と対向配置された固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図６に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、例えば、上述のようにデータ線駆動回路１０１に供給される正電源ＶＤＤＸや負電源ＶＳＳＸ等の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される対向電極電位ＬＣＣＯＭでも構わない。
【００９３】
誘電体膜７５は、図７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００９４】
図６及び図７においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。下側遮光膜１１ａは、前述の容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成される。尚、開口領域の規定は、図６中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００９５】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００９６】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００９７】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００９８】
加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００９９】
（信号配線の断面構成）
次に、図７を参照して説明した画素部の断面構造に対応させて、特に本実施形態に係る、外部回路接続端子に接続された各種信号配線の断面構成について以下に説明する。ここに、図８は、図４または図５のＢ−Ｂ’断面図であり、図９は、図４または図５のＣ−Ｃ’断面図である。
【０１００】
図８に示すように、外部回路接続端子１０２の複数の端子のうち、図４または図５に示した右側半数分にあたる端子ＴＣＬＶINV〜端子ＴＬＣＣＯＭに接続された主配線１０８は全て、図７に示した第２層間絶縁膜４２上に、夫々が互いに製造工程段階で同時に形成される同一配線層として構成されている。一方、図９に示すように、外部回路接続端子１０２の複数の端子のうち、図４または図５に示した残りの左側半数分にあたる端子ＴＶＤＤＸ〜端子ＴＬＣＣＯＭに接続された主配線１０８についても、図７に示した第２層間絶縁膜４２上に、夫々が互いに製造工程段階で同時に形成される同一配線層として構成されている。即ち、外部回路接続端子１０２に接続された全ての主配線１０８は、図７を参照して上述した第２層間絶縁膜上に形成されるデータ線６ａの配線層と、同時に形成される同一配線層として構成されている。このことは、図４または図５に示したような順序で外部回路接続端子１０２の各端子が配列され、これらの端子に接続された主配線１０８が、基板平面上で互いに交差することなく配線されることによって実現されている。
【０１０１】
以上のように、外部回路接続端子１０２に接続された各種の主配線１０８が、互いに同一配線層として構成できることにより、これらの製造工程において比較的容易に形成することが可能であり、更には、データ線６ａと同一配線層として構成できることにより、製造工程を更に簡略化させることが可能となっている。加えて、データ線６ａは、上述のように例えばアルミニウム膜等の低抵抗の金属膜あるいは合金膜からなるため、これと同時に形成される外部回路接続端子１０２に接続された各種の主配線１０８についても、低抵抗の信号配線として構成することができ、信号遅延等の不具合を防止することが可能となっている。
【０１０２】
（変形形態）
次に図１０及び図１１を参照して、上述した実施形態の変形形態について説明する。ここに図１０及び図１１は夫々、変形形態に係る主配線及び冗長配線の断面図であり、図１０は、それらの伸延方向に垂直な断面で、即ち図９と同じく図４または図５のＣ−Ｃ’断面に対応する個所で切った断面図であり、図１１は、それらの伸延方向に沿った断面で切った断面図である。
【０１０３】
図１０及び図１１に示すように、変形形態では、図９と同じくアルミニウム膜等から夫々形成された複数の主配線１０８である配線ＬＶＤＤＸ、ＬＳＰＸ、ＬＶＳＳＸ等は、冗長配線６００を夫々有する。冗長配線６００は、主配線１０８と別層であり、例えば高融点金属膜等の容量線３００と同一の導電膜から形成されている。また、各冗長配線６００は、平面的に見て対応する主配線１０８と重なって延びており、冗長構造をなす領域においては、主配線１０８とほぼ同様の平面レイアウトを有するように形成されている。更に、冗長配線６００は夫々、複数のコンタクトホール６０１を介して、対応する主配線１０８と電気的に接続されており、該接続された主配線１０８の冗長配線として機能する。その他の構成については、図１から図９を参照して説明した上述の実施形態と同様である。
【０１０４】
従って、本変形形態によれば、冗長構造の採用によって、主配線１０８の配線抵抗を、より一層低めることが可能となる。加えて、冗長構造をなす主配線１０８と冗長配線とのうち一方が仮に断線しても、配線としての機能を果たし得る可能性が残るので、装置が欠陥品化する可能性を低減でき、製造歩留まりを向上させることも可能となる。
【０１０５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１２は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１０６】
図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１０７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本実施形態における電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】ＴＦＴアレイ基板上に形成された各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。
【図５】ＴＦＴアレイ基板上に形成された各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。
【図６】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’断面図である。
【図８】図４または図５のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】図４または図５のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１０】変形形態に係る主配線及び冗長配線の一の断面図である。
【図１１】変形形態に係る主配線及び冗長配線の他の断面図である。
【図１２】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、７０…蓄積容量、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通材、１０６ｔ…上下導通端子、１０８…主配線、３００…容量線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば素子基板上に周辺駆動回路が作り込まれてなる駆動回路内蔵型の液晶装置等の電気光学装置及該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置等の電気光学装置では、その画像表示領域に、画像表示用に駆動される複数の画素部がマトリクス状に配列されている。各画素部には、例えば、画素電極と各画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、適宜「ＴＦＴ」という。）とが配置されており、縦横に相隣接する画素電極間の間隙に沿って走査線、データ線、容量線等の配線が設けられている。特に、駆動回路内蔵型の場合には、走査線やデータ線を駆動するための走査線駆動回路やデータ線駆動回路が、同一素子基板上における周辺領域に作り込まれている。このため、通常は、素子基板の一辺に沿って配列された複数の外部回路接続端子から周辺駆動回路に至る、電源信号線、クロック信号線、画像信号線、制御信号線等の各種配線が、周辺領域内に平面レイアウトされている。
【０００３】
ここで、電気光学装置或いは素子基板の小型化の要請に沿って、限られた周辺領域内に外部回路接続端子から周辺回路に至る多数本の各種配線が収まるように、或いは限られた周辺領域内で近接配置される各種配線間における相互ノイズが低減されるように、当該各種配線の平面レイアウトを工夫する技術も提案されている（特許文献１及び２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２０２３６７号公報
【特許文献２】特開平１１−２２３８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置では、装置或いは素子基板の小型化を図りつつも、駆動周波数向上や精細度向上による画像の高品位化の要請は、実践上極めて強い。
【０００６】
しかしながら、上述した従来の周辺領域に各種配線を設ける技術によれば、限られた周辺領域内には、複数の外部回路接続端子に一端が夫々接続された複数の配線（本願明細書では適宜「主配線」と称する）が存在している。しかも主配線の本数或いは外部回路接続端子の個数は、駆動方式の複雑高度化に伴い増大傾向にある。このため、少なくとも何本かの主配線については、その他端が周辺駆動回路や上下導通端子に至る途中で、他の主配線と交差せざるを得ない。この交差する個所では、素子基板上に構築された積層構造において当該少なくとも一つの主配線を構成する導電膜よりも下側又上側に積層された他の導電膜からなる中継配線部分を経由しなければならない。そして、通常例えばアルミニウム等の素子基板上に構築された積層構造中で最も低抵抗の導電膜から主配線は形成されることに鑑みれば、このように他の導電膜から、即ち最も低抵抗ではない導電膜から中継配線部分を形成することは、主配線における配線抵抗の増大を顕著に招くという技術的問題点がある。そして、係る主配線における配線抵抗の増大は、その主配線の用途に応じて各種の画質低下を招きかねない。
【０００７】
このように周辺領域を狭めることによる装置の小型化と画素ピッチ或いは配線ピッチの微細化による画質向上とを両立させることは、実践上極めて困難である。加えて、上述の如き中継配線部分を作ると、接触抵抗やコンタクトホール抵抗による抵抗増加、更に素子基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を招き、最終的に装置歩留まりの低下や信頼性の低下を招きかねないという技術的問題点もある。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、主配線を効率的に低抵抗化できると共に主配線間における信号の相互干渉を抑制でき、これらにより高品位な画像表示が可能である電気光学装置及びこのような電気光学装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上における画像表示領域に備えられた複数の画素部と、前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子に夫々一端が接続された複数の主配線と、該主配線の他端に接続されており前記外部回路接続端子から前記主配線を介して供給される電気信号に基づいて前記画素部を駆動するための周辺駆動回路とを備えており、前記複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされている。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して、例えば画像信号、クロック信号、その反転信号、電源信号、制御信号等の各種電気信号が夫々、主配線の他端に接続された周辺駆動回路に供給される。或いは、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して例えば、対向電極電位が、周辺領域に設けられた上下導通端子に供給され、更に該上下導通材を介して対向基板側に設けられた対向電極へと供給される。このような主配線は例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等である周辺駆動回路によって、上述の如く供給される各種電気信号に基づいて走査線及びデータ線が駆動されることで、所定方式による画像表示が行われる。例えば、複数の画素部がアクティブマトリクス駆動される。
【００１１】
ここで本発明の電気光学装置では特に、複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域に平面レイアウトされている。このため、導電性に優れた導電膜を、素子基板上に構築される積層構造中に含めておき、上述した同一導電膜として採用すれば、或いは、素子基板上に構築される積層構造中で最も導電性に優れた導電膜を上述の同一導電膜として採用すれば、複数の主配線を導電性に優れた配線として構築できる。更に、主配線の本数或いは外部回路接続端子の個数が、駆動方式の複雑高度化に伴い増大しても、複数の主配線は相互に交差しないように平面レイアウトされているので、交差する個所で中継配線部分を経由させる必要性はない。そして、通常例えばアルミニウム等の素子基板上に構築された積層構造中で最も低抵抗の導電膜から主配線を形成すれば、これよりも低抵抗ではない積層構造中の他の導電膜から形成された中継配線部分を利用する場合と比較して、主配線における配線抵抗を顕著に低減できる。従って、主配線の配線抵抗の増加に起因した各種の画質低下を効果的に未然防止できる。言い換えれば、周辺領域を狭めての装置の小型化と、画素ピッチ或いは配線ピッチの微細化による画質向上とを、両立させることが可能となる。
【００１２】
加えて、上述の如く主配線中に中継配線部分を作らないので済むので、主配線における接触抵抗やコンタクトホール抵抗による抵抗増加を回避でき、更に素子基板上における積層構造及び製造プロセスを単純化できる。従って、最終的に装置歩留まりの低下や信頼性の向上が可能となる。しかも、例えば二つの主配線が薄い層間絶縁膜を介して交差する場合に見られるような該二つの主配線間における二種類の電気信号の相互干渉を、複数の主配線を相互に交差しないように平面レイアウトすることで顕著に低減することも可能となる。
【００１３】
以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、主配線を効率的に低抵抗化できると共に主配線間における信号の相互干渉を抑制でき、これらにより高品位な画像表示が可能となる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記周辺駆動回路の内部配線、前記周辺駆動回路から前記画素部に向けて引き出された引出配線、及び前記主配線から分岐した分岐配線のうち少なくとも一つを含んでなる副配線は、その第１部分において前記同一導電膜とは異なる他の導電膜から形成されて前記主配線と層間絶縁膜を介して交差するように且つその第２部分において前記同一導電膜から形成されて前記主配線と交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされている。
【００１５】
この態様によれば、周辺領域には、内部配線、引出配線、分岐配線等の副配線が設けられている。これらのうち、周辺駆動回路の内部配線は、周辺駆動回路内の例えばシフトレジスタを構成する複数配列された回路間をつなぐ配線である。
【００１６】
引出配線は、走査線、データ線、容量線等を画像表示領域から周辺領域へ引き出すための配線である。分岐配線は、例えば電源信号やクロック信号など、周辺駆動回路の複数箇所で共通に使用する各種電気信号を供給するための配線である。
【００１７】
このような副配線は、その第１部において、例えば最も導電性に優れた導電膜に対して層間絶縁膜を介して積層された二番目、三番目等に導電性に優れた金属膜或いは導電性ポリシリコン膜等からなり、主配線と交するように平面レイアウトされている。更に、このような副配線は、その第２部において、例えば主配線と同様に最も導電性に優れた導電膜からなり、主配線と交しないように平面レイアウトされている。従って、副配線についても主配線と抵触しない限りにおいて、その導電性を向上させることが可能である。
【００１８】
この態様では、前記第１部分及び前記第２部分の間は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてもよい。
【００１９】
このように構成すれば、副配線は、主配線を避けるようにコンタクトホールを介して交差して延びる、第１部分及び第２部分を含んでなる１本の配線として機能し得る。尚、コンタクトホール以外の方式で、これら第１部分及び第２部分の間を接続してもよい。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記複数の主配線中で前記素子基板の縁寄りに位置し、前記周辺駆動回路は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに位置する。
【００２１】
この態様によれば、その動作時には、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して例えば、対向電極電位が、周辺領域に設けられた上下導通端子に供給され、更に該上下導通材を介して対向基板側に設けられた対向電極へと供給される。これにより、対向電極と、例えば画素部に設けられた画素電極との間で縦電界を発生させることで、例えば両基板間に挟持された液晶等の電気光学物質を駆動できる。ここで特に、周辺領域において、対向電極電位線は、複数の主配線中で素子基板の縁寄りに位置する。例えば、対向電極電位線は外部接続端子から素子基板の縁に沿って延びる。これに対して、周辺駆動回路は上下導通端子及び対向電極電位線よりも素子基板の中央寄りに位置するので、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２２】
尚、好ましくは、対向電極電位線は、周辺領域において、複数の主配線中で最も素子基板の縁寄りに位置する。これにより、対向電極電位線を除く全ての主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２３】
この態様では、前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、前記複数の外部回路接続端子のうち前記対向電極電位線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置するように構成してもよい。
【００２４】
このように構成すれば、周辺領域において、対向電極電位線は、縁寄りの外部回路接続端子から延びて、素子基板の縁寄りに位置する。従って、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが非常に簡単に得られる。
【００２５】
尚、好ましくは、対向電極電位線の一端が接続される外部回路接続端子は、周辺領域において、複数の外部回路接続端子の配列中で最も端に位置する。例えば、複数の外部回路接続端子が配列された辺から見て、右端の外部回路接続端子には、素子基板の右縁に沿って延びる対向電極電位線の先端が接続され、例えば、左端の外部回路接続端子には、素子基板の左縁に沿って延びる対向電極電位線の先端が接続される。これにより、外部回路接続端子の付近の周辺領域においても、対向電極電位線を除く全ての主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２６】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記対向電極電位線を除く一又は複数の主配線よりも前記素子基板の縁寄りに位置し、前記対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線よりも前記素子基板の中央寄りに位置し、前記周辺駆動回路の一部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに部分的に位置し、前記周辺駆動回路の他部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の縁寄りに部分的に位置する。
【００２７】
この態様によれば、その動作時には、外部回路接続端子及びこれに一端が接続された主配線を介して例えば、対向電極電位が、周辺領域に設けられた上下導通端子に供給され、更に該上下導通材を介して対向基板側に設けられた対向電極へと供給される。ここで特に、周辺領域において、対向電極電位線は、対向電極電位線を除く一又は複数の主配線よりも素子基板の縁寄りに位置する。他方、周辺領域において、対向電極電位線は、対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線よりも素子基板の中央寄りに位置する。従って、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが比較的簡単に得られる。
【００２８】
この態様では、前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、前記複数の外部回路接続端子のうち、対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置するように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、周辺領域において、対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線は、縁寄りの外部回路接続端子から延びて、素子基板の縁寄りに位置する。他方、対向電極電位線を除く一又は複数の主配線は、中央寄りの外部回路接続端子から延びて、素子基板の中央寄りに位置する。従って、対向電極電位線を除く主配線と対向電極電位線とが交差しない平面レイアウトが簡単に得られる。
【００３０】
上述した対向電極を備えた各種態様では、前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を夫々供給すると共に前記対向電極電位線と交差しない一対のクロック信号線を含むように構成してもよい。
【００３１】
このように構成すれば、仮に交差させると相互干渉が顕著であるクロック信号線と対向電極電位線とが、交差していないので、クロック信号の電位が対向電極電位の変動に応じて変動したり、対向電極電位がクロック信号の電位の変動に応じて変動することを効果的に回避できる。これらにより、高品位の画像表示画可能となる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を供給するための一対のクロック信号線と、前記電気信号として電源信号を供給するための電源配線とを含み、前記一対の信号線と前記電源配線とは交差しない。
【００３３】
この態様によれば、仮に交差させると相互干渉が顕著であるクロック信号線と電源配線とが、交差していないので、クロック信号の電位が電源信号の電位の変動に応じて変動したり、電源信号の電位がクロック信号の電位の変動に応じて変動することを効果的に回避できる。これらにより、高品位の画像表示画可能となる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の主配線は、相互に交差することを避けて蛇行するように平面レイアウトされている。
【００３５】
この態様によれば、主配線については蛇行することで、その配線長が長くなることを犠牲にしつつ、主配線が交差する事態を避ける。ここで主配線を構成する同一導電膜の抵抗を低くすることで、配線長に応じた配線抵抗は、低く抑えることが可能であり、他方、交差する際に必要な中継配線を利用しないことによる利益を享受できる。
【００３６】
尚、この態様では好ましくは、数学的或いは幾何学的に、交差個所が極力減るように平面レイアウトし、蛇行してでも交差個所を少なくする。他方で、上述の副配線については、交差してもよいとすることで、配線ピッチを高めつつ且つ主配線についての交差を避けつつ、主配線及び副配線を周辺領域に平面レイアウトできる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の主配線は少なくとも部分的に、前記同一導電膜と別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含む。
【００３８】
この態様によれば、主配線は、同一導電膜からなる配線部に加えてこれと別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含むという冗長構造の採用によって、主配線の配線抵抗を、より一層低めることが可能となる。加えて、冗長構造をなす二つの配線部分のうち一方が仮に断線しても、配線としての機能を果たし得る可能性が残るので、当該電気光学装置における信頼性を向上させることも可能である。
【００３９】
また、本発明の電気光学装置は、素子基板上における画像表示領域に備えた複数の画素部と、前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、走査線駆動回路と、データ線駆動回路と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記走査線駆動回路に接続される走査線駆動回路用配線と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記データ線駆動回路に接続されるデータ線駆動回路用配線と、前記外部回路接続端子に一端が接続され前記複数の画素部の画像信号を供給するための画像信号配線とを備え、前記走査線駆動回路用配線と、前記データ線駆動回路用配線と、前記画像信号配線は、相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされている。
【００４０】
また、本発明の電気光学装置の一態様では、前記画像信号配線は、前記走査線駆動回路用配線と前記データ線駆動回路用配線との間に配置されるとよい。
【００４１】
また、本発明の電気光学装置の他の態様では、更に、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記対向電極に対向電位を供給するための対向電極電位線とを備え、前記対向電極電位線は、前記走査線駆動回路用配線を囲むように配置されるとよい。
【００４２】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備してなる。
【００４３】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、主配線により各種電気信号が適切に供給されることで高品位の画像表示画可能である、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置を実現することも可能である。
【００４４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置をＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用したものである。
【００４６】
（電気光学装置の全体構成）
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４７】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。但し、このようにシール材５２中に散布するのに代えて又は加えて、特に大型の電気光学装置であれば、ギャップ材を液晶層５０中に散布してもよい。
【００４９】
シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５０】
本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺に、周辺領域が規定されている。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の中央から見て、額縁遮光膜５３より縁寄りが周辺領域として規定されている。
【００５１】
周辺領域のうち、シール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺（即ち、図１中で下辺）に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する二辺（即ち、図１中で左右両辺）に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺（即ち、図１中で上辺）に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。本実施形態では特に、周辺領域には、外部回路接続端子１０２に一端が夫々接続された複数の主配線１０８が配線されている。主配線１０８は、他端がデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に接続されている。尚、これらのＴＦＴアレイ基板１０上の回路構成及びその動作、並びに主配線１０８の平面レイアウトについては後で詳述する。
【００５２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５３】
図１において、ＴＦＴアレイ基板１０の４つのコーナー付近には、ＴＦＴアレイ基板１０上に平面レイアウトされた主配線１０８のうちの１本である対向電極電位線に接続された上下導通端子１０６ｔが設けられている。これらの上下導通端子１０６ｔ上に夫々、上下導通材１０６が配置されている。上下導通材１０６は、対向電極２１の四隅に面接触しており、外部回路接続端子１０２からの対向電極電位を、主配線１０８を介して対向電極２１に供給するように構成されている。
【００５４】
（画素部の構成）
次に、本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３を参照して説明する。ここに、図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５５】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａ（図１参照）内にマトリクス状に形成された複数の画素部には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、後で詳述する画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００５６】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５７】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図１及び図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むと共に所定電位とされた容量線３００を含んでいる。この蓄積容量７０によって、各画素電極における電荷保持特性は向上されている。尚、容量線３００の電位は、一つの電圧値に常時固定してもよいし、複数の電圧値に所定周期で振りつつ固定してもよい。
【００５９】
続いて、本実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上の回路構成及び主配線の平面レイアウトについて、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。図５は図４をさらに具体的に明示した各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。尚、以下の説明において、外部回路接続端子１０２を介してＴＦＴアレイ基板１０内に入力される信号名称と、その信号配線とは、同一のアルファベット記号を信号及び配線Ｌの後に夫々付与して称する。即ち、例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、その信号配線を「クロック信号線ＬＣＬＸ」と呼称することとする。
【００６０】
図４及び図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、電気光学装置の駆動回路として、データ線６ａに画像信号を供給する手段の一例を構成するデータ線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１と、走査線３ａに走査信号を供給する手段の一例を構成する走査線駆動回路１０４とが形成されている。また、これらの各駆動回路に供給される各種信号を、外部制御回路から入力するための複数の端子を含む外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されている（図１参照）。外部回路接続端子１０２からは主配線１０８が配設される。
【００６１】
データ線駆動回路１０１は、主な構成要素として、シフトレジスタ回路１０１ａ、波形選択回路１０１ｂ及びバッファー回路１０１ｃを備える。
【００６２】
シフトレジスタ回路１０１ａは、外部制御回路から外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうち配線ＬＶＳＳＸ及び配線ＬＶＤＤＸを介して供給される負電源ＶＳＳＸ及び正電源ＶＤＤＸを電源として用い、同じく外部制御回路から供給されるスタート信号ＳＰＸに応じて転送動作を開始する。続いて、外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうちクロック信号線ＬＣＬＸ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＸINVを介して供給される、シフトレジスタ回路１０１ａ用のクロック信号ＣＬＸ及び逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路１０１ｂへ出力する。
【００６３】
波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ａから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から外部回路接続端子１０２を介して入力されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路３０１における、各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、上述のシフトレジスタ回路１０１ａの各段に対応して設けられている、例えば、ＮＡＮＤ回路及びインバータ等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ａより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、且つ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線１１４が駆動されるように、時間軸上における波形の選択制御を行う。
【００６４】
バッファー回路１０１ｃは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、サンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路３０１に供給する。バッファー回路１０１ｃは、レベルシフト処理、インバーティング処理等の信号処理を行ってもよい。
【００６５】
サンプリング回路３０１は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング回路素子の一例であるＴＦＴ２０２を複数備えて構成されている。但し、このスイッチング用回路素子としては、図に示すように第１導電チャネル型のＴＦＴであり、ｎチャネル型のＴＦＴでもよいし、ｐチャネル型のＴＦＴでもよい。更に、相補型等のＴＦＴ等によって構成することも可能である。ＴＦＴ２０２のドレインには、上述のデータ線６ａの図３中下端が接続され、該ＴＦＴ２０２のソースには、引き出し配線１１６を介して画像信号線１１５が接続されるとともに、該ＴＦＴ２０２のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４が接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を通じてサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じ、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６６】
外部回路接続端子１０２から主配線１０８を経て供給され且つ上述の如くサンプリング回路３０１によりデータ線６ａに書き込まれる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の夫々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。
【００６７】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路及びバッファー回路を備える。そして、外部制御回路から外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうち配線ＬＶＳＳＹ及び配線ＬＶＤＤＹを介して供給される負電源ＶＳＳＹ及び正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。続いて、外部回路接続端子１０２並びに、主配線１０８のうちクロック信号線ＬＣＬＹ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＹINVを介して供給される、内蔵シフトレジスタ回路用のクロック信号ＣＬＹ及び逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づき、所定タイミングで上述の走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００６８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上下導通端子１０６ｔに接続され、ＴＦＴアレイ基板１０上の４つのコーナー部を通過するように、主配線１０８のうちの１本である対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭが配線されている。そして、上下導通材１０６、上下導通端子１０６ｔ及び対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭを介して、対向電極２１に対して所定電位が供給される。これらの電位供給によって、上述のような、画素電極９ａ及び対向電極２１の両電極間に挟持された液晶の駆動が可能となっている。
【００６９】
本実施形態では特に、走査線駆動回路１０４は、図１に示したシール領域５２ａよりも内側に配置されている。即ち、図４及び図５において４つの上下導通端子１０６ｔを通過し、画像表示領域１０ａや各種駆動回路を囲むようにＴＦＴアレイ基板１０の縁に沿って配線された対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭよりも、ＴＦＴアレイ基板１０の中央寄りに配置されている。このように配置されることにより、走査線駆動回路１０４が、周辺領域のうちシール領域５２ａよりも外側に配置される場合と比較してＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域のスペースが削減され且つ装置全体の小型化を図ることとなっており、しかも対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ並びに走査線駆動回路１０４に至る各種信号配線を含む複数の主配線１０８ａの群及びデータ線駆動回路１０１に至る各種信号配線を含む複数の主配線１０８ｂの群が、相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。そして、走査線駆動回路１０４に至る主配線１０８ａに群の間でも相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。また、データ線駆動回路１０１に至る主配線１０８ｂの群の間でも、シフトレジスタ１０１ａや、波形整形回路１０１ｂ、バッファー回路１０１ｃに接続するために必要な交差部を除いて、相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。また、サンプリング回路３０１に至る主配線１０８ｃ、すなわち画像信号線１１５は、サンプリング回路３０１に接続するために必要な交差部を除いて、相互に交差することなく平面レイアウト可能とされている。
【００７０】
（外部回路接続端子及び信号配線の配置構成）
次に、引き続き図４及び図５を参照しながら、外部回路接続端子１０２及び外部回路接続端子１０２に接続された各種信号配線の詳細構成について以下に説明する。尚、以下の説明において、外部回路接続端子１０２を介してＴＦＴアレイ基板１０内に入力される信号名称と、その入力端子とは、同一のアルファベット記号を信号及び端子Ｔの後に夫々付与して称する。即ち、例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、その入力端子を「端子ＴＣＬＸ」と呼称することとする。
【００７１】
上述のようにＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられた外部回路接続端子１０２は、対向電極電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、及びデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群を備えて構成されている。より具体的には、外部回路接続端子１０２は、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ用として端子ＴＬＣＣＯＭ、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＸ及び端子ＴＣＬＸINV、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６、並びにデータ線駆動回路１０１用として端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、及び端子ＴＶＳＳＸを備えて構成されている。
【００７２】
ここで本実施形態では特に、図４及び図５に示すように、外部回路接続端子１０２のうち、対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための２つの端子ＴＬＣＣＯＭは、右端及び左端の両端に配置されている。そして、この２つの端子ＴＬＣＣＯＭに両端を接続された対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭは、上述のように４つの上下導通端子１０６ｔに接続されて、シール領域５２ａの外周を囲むように配線されている。なお、上下導通端子１０６ｔは１つでも良い。
【００７３】
次に、両端に配置された端子ＴＬＣＣＯＭに続いて右側から、走査線駆動回路１０４を駆動するための端子ＴＣＬＹ、端子ＴＣＬＹINV、端子ＴＶＤＤＹ、及び端子ＴＳＰＹが、この順に並んで配置されている。一方、左側から、同じく走査線駆動回路１０４を駆動するための端子ＴＳＰＹ及び端子ＴＶＳＳＹが、この順に並んで配置されている。
【００７４】
対向電極電位線用の端子ＴＬＣＣＯＭと走査線駆動回路１０４用の端子群とがこのような位置関係で配置構成されることにより、走査線駆動回路１０４用の端子群に接続された複数の主配線１０８ａ、即ち、走査線駆動回路１０４を駆動するための複数の信号配線は全て、端子ＴＬＣＣＯＭに接続された対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭよりも内側（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の中央寄り）を配線させることが可能となっている。そして、図５に示すように、クロック信号線ＬＣＬＹ、逆位相クロック信号線ＬＣＬＹINV、定電位線である配線ＬＶＤＤＹは、図上、右側より、左右の走査線駆動回路１０４に電気的に接続されるように、右側の走査線駆動回路１０４及び左側の走査線駆動回路１０４の外側で、かつ対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭの内側に沿って配置されている。即ち、本実施形態のように走査線駆動回路１０４が、シール領域５２ａよりも内側に配置されている場合において、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと、上述の走査線駆動回路１０４を駆動するための信号配線群とは、基板平面上で交差することが無い。従って、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと、走査線駆動回路１０４を駆動するための信号配線群１０８ａとは、これらの製造工程段階において同時に形成される同一配線層として形成することが可能となっている。
【００７５】
仮に、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと、走査線駆動回路１０４用の信号配線群とを、層間絶縁膜等を挟んで別々の配線層で形成することによって、平面的に見て交差させるよう構成する方法を採った場合には、特にその交差部分において夫々の信号配線から生じる信号のノイズによって互いに干渉し合う等の不具合を生じる可能性が考えられる。これに対して、上述のように本実施形態では、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭと走査線駆動回路１０４用の信号配線群とが、平面的に見て交差することなく、同一配線層にて形成されているため、このような不具合は未然に防止されていることとなる。
【００７６】
加えて、仮に、対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給する外部回路接続端子１０２である端子ＴＬＣＣＯＭと走査線駆動回路１０４を駆動するための端子群とが図４または図５に示したものと逆の位置関係に配置されていると、即ち、端子ＴＬＣＣＯＭが中央寄りであるとすると、夫々の端子に接続された配線同士を基板平面上で互いに交差させることが必要となり、いずれかの主配線１０８を、途中で別の配線層につなぎ替える等の手段を採る必要が生じる。この場合には、別々の配線層を互いに、例えば層間絶縁膜に穿設されたコンタクトホール等を介して接続するので、製造工程の複雑化を招き、更には、このような接続箇所において特に配線抵抗が増大してしまう等の不具合が生じる可能性が高い。これに対して、本実施形態の如く図４及び図５に示したような外部回路接続端子１０２の配置構成を採ることにより、即ち、端子ＴＬＣＣＯＭを端寄りに配置することにより、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ及び走査線駆動回路１０４を駆動するための複数の主配線１０８ａに関して、製造工程において比較的容易に形成することが可能であり、且つ、配線抵抗に起因した信号遅延等の不具合は好適に防止されていることとなる。
【００７７】
尚、走査線駆動回路１０４がシール領域５２ａよりも外側の領域に形成される場合においては、対向電極電位を供給する端子ＴＬＣＣＯＭと、走査線駆動回路１０４用の端子群とを、上述の例に対して逆に配置し、基板平面上で両者が互いに交差しないよう構成すればよい。このように構成されることにより、上述の場合と同様に、基板平面上で主配線１０８が互いに交差することが無く、つなぎ替えによる配線抵抗の増大を防止することが可能であることは言うまでも無い。
【００７８】
ここで本実施形態では好ましくは、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭ、及び走査線駆動回路１０４の駆動用の各主配線１０８ａは、アルミニウム等を含む低抵抗の金属膜或いは合金膜から構成されている。このように構成することにより、これらの信号配線の時定数を下げることができ、配線の引き廻しによる信号遅延を防止することが可能となる。加えて、主配線１０８ａを低抵抗の金属膜或いは合金膜から形成すれば、対向電極電位線ＬＬＣＣＯＭを含む複数或いは多数の主配線１０８を、相互に交差しないように蛇行させる構成を採ることも容易となる。即ち、蛇行により配線長が増大して、これに伴い配線抵抗は増大するが、低抵抗の金属膜或いは合金膜から形成することで、蛇行による不利益は殆ど又は全く顕在化しないで済む。逆に、蛇行させることで主配線１０８の交差を回避可能となるので、より多数の主配線１０８を限られた周辺領域内に平面レイアウトすることが可能となる。
【００７９】
更に、外部回路接続端子１０２において、走査線駆動回路１０４用の端子ＴＳＰＹ及び端子ＴＶＳＳＹに続いて左側から、画像信号用の端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６、データ線駆動回路１０１用の端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、及び端子ＴＶＳＳＸが、この順に並んで配置されている。
【００８０】
ここで、端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６に接続された主配線１０８ｃである６本の画像信号線１１５は、夫々が互いに基板平面上で交差することなく、且つ、外部回路接続端子１０２に接続された他のいずれの信号配線とも、互いに基板平面上で交差することなく、サンプリング回路３０１とデータ線駆動回路１０１との間の領域まで配線されている。具体的には、画像信号線１１５は、走査線駆動回路１０４の駆動用の主配線１０８ａの配線ＬＶＳＳＹとデータ線駆動回路１０１の駆動用の主配線１０８ｂの配線ＬＶＳＳＸとの間に配置されている。そして、各画像信号線１１５は各サンプリング回路３０１に電気的に接続するために、引き出し配線１１６と図示しないコンタクトホールを介して接続される。そして、引き出し配線１１６は他の画像信号線１１５と相互に交差して配置される。
【００８１】
また、データ線駆動回路用の各端子に接続された複数の主配線１０８ｂ、即ち、定電位線である配線ＬＶＳＳＸ及び定電位線である配線ＬＶＤＤＸ、スタート信号線ＬＳＰＸ、クロック信号線ＬＣＬＸ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＸINV，並びに、イネーブル信号線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４についても、夫々が互いに基板平面上で交差することなく、且つ、外部回路接続端子１０２に接続された他のいずれの主配線１０８とも、互いに基板平面上で交差することなく、データ線駆動回路１０１へ到達するよう配線されている。具体的には、配線ＬＶＳＳＸは、主配線１０８ａ及び主配線１０８ｃの内側で、かつデータ線駆動回路１０１を囲むように配置される。そして、他の主配線１０８ｂであるスタート信号線ＬＳＰＸ、クロック信号線ＬＣＬＸ及び逆位相クロック信号線ＬＣＬＸINV，並びに、イネーブル信号線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４は、配線ＬＶＳＳＸの内側に配置されている。そして、データ線駆動回路１０１のシフトレジスタ１０１ａ、波形整形回路１０１ｂ、バッファー回路１０１ｃに電気的な接続のためにコンタクトホールを介して引き出し配線と接続される。そして、引き出し配線は他の主配線１０８ｂと相互に交差して配置される。
【００８２】
以上のように外部回路接続端子１０２が配置されているため、本実施形態によれば、夫々の端子に接続された複数の主配線１０８が、基板平面上で交差されること無く配線されることにより、外部回路接続端子１０２に接続された全ての主配線１０８は、これらの製造工程段階において同時に形成される同一配線層として形成することが可能となっている。このため、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。しかも既に述べたように、交差する主配線１０８間の干渉等の不具合を未然防止することも可能であり、配線途中のコンタクトホール等で生じる接触抵抗や配線抵抗に起因した信号遅延等の不具合を未然防止することも可能である。
【００８３】
本実施形態では好ましくは、画像信号用の端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６は、その両側を定電位線用、或いは、低周波制御信号に属する信号配線用の端子に挟まれるように配置され、且つ、高周波制御信号に属する信号配線用の端子から、可能な限り離れた位置に配置される。より具体的には、図４又は図５に示すように、画像信号用の端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６は、定電位線用の端子ＴＶＳＳＹ及び端子ＴＶＳＳＸに挟まれるように配置されており、且つ、データ線駆動回路１０１を駆動するための高周波制御信号に属する配線用の端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＣＬＸ、及び端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４から離れた位置に配置されている。一般に、距離及び障害物の介在に応じて電磁波は減少するので、本実施形態のように配置されることにより、画像信号線１１５に対する高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減することが可能となる。即ち、画像信号線１１５は、高周波制御信号用の配線群から距離を離して配置されることによりノイズの影響が低減され、且つ、定電位線の介在によって高周波制御信号用配線から電気的にシールドされる形となっている。従って、ノイズの影響により画質が劣化することなく高品位な画像表示を維持することが可能となっている。
【００８４】
（画素部の詳細構成）
以下では、データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の画素部に係る実際の構成について、図６及び図７を参照して説明する。ここに図６は、本実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図７は、そのＡ−Ａ’断面図である。
【００８５】
図６において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ’により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ’に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８６】
図７に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００８７】
ＴＦＴ３０は、図７に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００８８】
尚、ＴＦＴ３０は、好ましくは図７に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００８９】
一方、図７においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００９０】
容量線３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００９１】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００９２】
容量線３００は、中継層７１と対向配置された固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図６に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、例えば、上述のようにデータ線駆動回路１０１に供給される正電源ＶＤＤＸや負電源ＶＳＳＸ等の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される対向電極電位ＬＣＣＯＭでも構わない。
【００９３】
誘電体膜７５は、図７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００９４】
図６及び図７においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。下側遮光膜１１ａは、前述の容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成される。尚、開口領域の規定は、図６中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００９５】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００９６】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００９７】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００９８】
加えて更に、第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００９９】
（信号配線の断面構成）
次に、図７を参照して説明した画素部の断面構造に対応させて、特に本実施形態に係る、外部回路接続端子に接続された各種信号配線の断面構成について以下に説明する。ここに、図８は、図４または図５のＢ−Ｂ’断面図であり、図９は、図４または図５のＣ−Ｃ’断面図である。
【０１００】
図８に示すように、外部回路接続端子１０２の複数の端子のうち、図４または図５に示した右側半数分にあたる端子ＴＣＬＶINV〜端子ＴＬＣＣＯＭに接続された主配線１０８は全て、図７に示した第２層間絶縁膜４２上に、夫々が互いに製造工程段階で同時に形成される同一配線層として構成されている。一方、図９に示すように、外部回路接続端子１０２の複数の端子のうち、図４または図５に示した残りの左側半数分にあたる端子ＴＶＤＤＸ〜端子ＴＬＣＣＯＭに接続された主配線１０８についても、図７に示した第２層間絶縁膜４２上に、夫々が互いに製造工程段階で同時に形成される同一配線層として構成されている。即ち、外部回路接続端子１０２に接続された全ての主配線１０８は、図７を参照して上述した第２層間絶縁膜上に形成されるデータ線６ａの配線層と、同時に形成される同一配線層として構成されている。このことは、図４または図５に示したような順序で外部回路接続端子１０２の各端子が配列され、これらの端子に接続された主配線１０８が、基板平面上で互いに交差することなく配線されることによって実現されている。
【０１０１】
以上のように、外部回路接続端子１０２に接続された各種の主配線１０８が、互いに同一配線層として構成できることにより、これらの製造工程において比較的容易に形成することが可能であり、更には、データ線６ａと同一配線層として構成できることにより、製造工程を更に簡略化させることが可能となっている。加えて、データ線６ａは、上述のように例えばアルミニウム膜等の低抵抗の金属膜あるいは合金膜からなるため、これと同時に形成される外部回路接続端子１０２に接続された各種の主配線１０８についても、低抵抗の信号配線として構成することができ、信号遅延等の不具合を防止することが可能となっている。
【０１０２】
（変形形態）
次に図１０及び図１１を参照して、上述した実施形態の変形形態について説明する。ここに図１０及び図１１は夫々、変形形態に係る主配線及び冗長配線の断面図であり、図１０は、それらの伸延方向に垂直な断面で、即ち図９と同じく図４または図５のＣ−Ｃ’断面に対応する個所で切った断面図であり、図１１は、それらの伸延方向に沿った断面で切った断面図である。
【０１０３】
図１０及び図１１に示すように、変形形態では、図９と同じくアルミニウム膜等から夫々形成された複数の主配線１０８である配線ＬＶＤＤＸ、ＬＳＰＸ、ＬＶＳＳＸ等は、冗長配線６００を夫々有する。冗長配線６００は、主配線１０８と別層であり、例えば高融点金属膜等の容量線３００と同一の導電膜から形成されている。また、各冗長配線６００は、平面的に見て対応する主配線１０８と重なって延びており、冗長構造をなす領域においては、主配線１０８とほぼ同様の平面レイアウトを有するように形成されている。更に、冗長配線６００は夫々、複数のコンタクトホール６０１を介して、対応する主配線１０８と電気的に接続されており、該接続された主配線１０８の冗長配線として機能する。その他の構成については、図１から図９を参照して説明した上述の実施形態と同様である。
【０１０４】
従って、本変形形態によれば、冗長構造の採用によって、主配線１０８の配線抵抗を、より一層低めることが可能となる。加えて、冗長構造をなす主配線１０８と冗長配線とのうち一方が仮に断線しても、配線としての機能を果たし得る可能性が残るので、装置が欠陥品化する可能性を低減でき、製造歩留まりを向上させることも可能となる。
【０１０５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１２は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１０６】
図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１０７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本実施形態における電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】ＴＦＴアレイ基板上に形成された各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。
【図５】ＴＦＴアレイ基板上に形成された各種駆動回路、及び各種信号配線の構成を示す等価回路図である。
【図６】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’断面図である。
【図８】図４または図５のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】図４または図５のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１０】変形形態に係る主配線及び冗長配線の一の断面図である。
【図１１】変形形態に係る主配線及び冗長配線の他の断面図である。
【図１２】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、７０…蓄積容量、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通材、１０６ｔ…上下導通端子、１０８…主配線、３００…容量線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上における画像表示領域に備えられた複数の画素部と、
前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子に夫々一端が接続された複数の主配線と、該主配線の他端に接続されており前記外部回路接続端子から前記主配線を介して供給される電気信号に基づいて前記画素部を駆動するための周辺駆動回路とを備えており、
前記複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺駆動回路の内部配線、前記周辺駆動回路から前記画素部に向けて引き出された引出配線、及び前記主配線から分岐した分岐配線のうち少なくとも一つを含んでなる副配線は、その第１部分において前記同一導電膜とは異なる他の導電膜から形成されて前記主配線と層間絶縁膜を介して交差するように且つその第２部分において前記同一導電膜から形成されて前記主配線と交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１部分及び前記第２部分の間は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、
前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、
前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記複数の主配線中で前記素子基板の縁寄りに位置し、
前記周辺駆動回路は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに位置することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、
前記複数の外部回路接続端子のうち前記対向電極電位線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、
前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、
前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記対向電極電位線を除く一又は複数の主配線よりも前記素子基板の縁寄りに位置し、前記対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線よりも前記素子基板の中央寄りに位置し、
前記周辺駆動回路の一部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに部分的に位置し、前記周辺駆動回路の他部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の縁寄りに部分的に位置することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、
前記複数の外部回路接続端子のうち前記他の一又は複数の主配線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を夫々供給すると共に前記対向電極電位線と交差しない一対のクロック信号線を含むことを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を供給するための一対のクロック信号線と、前記電気信号として電源信号を供給するための電源配線とを含み、
前記一対の信号線と前記電源配線とは交差しないことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記複数の主配線は、相互に交差することを避けて蛇行するように平面レイアウトされていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記複数の主配線は少なくとも部分的に、前記同一導電膜と別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
素子基板上における画像表示領域に備えた複数の画素部と、
前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、
走査線駆動回路と、
データ線駆動回路と、
前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記走査線駆動回路に接続される走査線駆動回路用配線と、
前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記データ線駆動回路に接続されるデータ線駆動回路用配線と、
前記外部回路接続端子に一端が接続され前記複数の画素部の画像信号を供給するための画像信号配線とを備え、
前記走査線駆動回路用配線と、前記データ線駆動回路用配線と、前記画像信号配線は、相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
前記画像信号配線は、前記走査線駆動回路用配線と前記データ線駆動回路用配線との間に配置されることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
更に、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記対向電極に対向電位を供給するための対向電極電位線とを備え、
前記対向電極電位線は、前記走査線駆動回路用配線を囲むように配置されることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
素子基板上における画像表示領域に備えられた複数の画素部と、
前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、該複数の外部回路接続端子に夫々一端が接続された複数の主配線と、該主配線の他端に接続されており前記外部回路接続端子から前記主配線を介して供給される電気信号に基づいて前記画素部を駆動するための周辺駆動回路とを備えており、
前記複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺駆動回路の内部配線、前記周辺駆動回路から前記画素部に向けて引き出された引出配線、及び前記主配線から分岐した分岐配線のうち少なくとも一つを含んでなる副配線は、その第１部分において前記同一導電膜とは異なる他の導電膜から形成されて前記主配線と層間絶縁膜を介して交差するように且つその第２部分において前記同一導電膜から形成されて前記主配線と交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１部分及び前記第２部分の間は、前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、
前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、
前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記複数の主配線中で前記素子基板の縁寄りに位置し、
前記周辺駆動回路は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに位置することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、
前記複数の外部回路接続端子のうち前記対向電極電位線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極を更に備え、
前記素子基板上における前記周辺領域に、前記複数の主配線のうちの少なくとも一つである前記対向電極に対向電極電位を供給するための対向電極電位線と前記対向電極との間における上下導通をとるための上下導通端子を更に備えており、
前記対向電極電位線は、前記周辺領域において、前記対向電極電位線を除く一又は複数の主配線よりも前記素子基板の縁寄りに位置し、前記対向電極電位線を除く他の一又は複数の主配線よりも前記素子基板の中央寄りに位置し、
前記周辺駆動回路の一部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の中央寄りに部分的に位置し、前記周辺駆動回路の他部は、前記周辺領域において、前記上下導通端子及び前記対向電極電位線よりも前記素子基板の縁寄りに部分的に位置することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の外部回路接続端子は、前記素子基板の一辺に沿って配列されており、
前記複数の外部回路接続端子のうち前記他の一又は複数の主配線の一端が接続される外部回路接続端子は、前記複数の外部回路接続端子の配列中で、端寄りに位置することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を夫々供給すると共に前記対向電極電位線と交差しない一対のクロック信号線を含むことを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記複数の主配線は、前記電気信号としてクロック信号及びその反転信号を供給するための一対のクロック信号線と、前記電気信号として電源信号を供給するための電源配線とを含み、
前記一対の信号線と前記電源配線とは交差しないことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記複数の主配線は、相互に交差することを避けて蛇行するように平面レイアウトされていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記複数の主配線は少なくとも部分的に、前記同一導電膜と別層に形成された他の導電膜からなる冗長配線を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
素子基板上における画像表示領域に備えた複数の画素部と、
前記素子基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子と、
走査線駆動回路と、
データ線駆動回路と、
前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記走査線駆動回路に接続される走査線駆動回路用配線と、
前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記データ線駆動回路に接続されるデータ線駆動回路用配線と、
前記外部回路接続端子に一端が接続され前記複数の画素部の画像信号を供給するための画像信号配線とを備え、
前記走査線駆動回路用配線と、前記データ線駆動回路用配線と、前記画像信号配線は、相互に交差しないように前記周辺領域内に平面レイアウトされていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
前記画像信号配線は、前記走査線駆動回路用配線と前記データ線駆動回路用配線との間に配置されることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
更に、前記素子基板に対向配置された対向基板上における前記周辺領域に対向電極と、前記外部回路接続端子に一端が接続され他端が前記対向電極に対向電位を供給するための対向電極電位線とを備え、
前記対向電極電位線は、前記走査線駆動回路用配線を囲むように配置されることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−７０８９６（Ｐ２００８−７０８９６Ａ）
【公開日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２７７２９５（Ｐ２００７−２７７２９５）
【出願日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【分割の表示】特願２００４−８１５３２（Ｐ２００４−８１５３２）の分割
【原出願日】平成１６年３月１９日（２００４．３．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【分割の表示】特願２００４−８１５３２（Ｐ２００４−８１５３２）の分割
【原出願日】平成１６年３月１９日（２００４．３．１９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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