ＤＣ−ＤＣコンバータ及び表示装置
【課題】ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、出力電位に影響を与えることなく、静電破壊を防止する。
【解決手段】本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２とから構成されており、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１からＤＣ−ＤＣコンバータとして本来使用する出力である出力電位ＶＰＰ＝２ＶＤＤが得られる。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、ＶＰＰと同じ電位の出力電位ＳＵＢＶＰＰ（＝ＶＰＰ）を生成する。そして、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードには、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の出力電位ＳＵＢＶＰＰがクランプ電位として供給されている。即ち、このＤＣ−ＤＣコンバータは、静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードに印加するクランプ電位を出力電位ＶＰＰから分離して別個に作成したものである。
【解決手段】本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２とから構成されており、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１からＤＣ−ＤＣコンバータとして本来使用する出力である出力電位ＶＰＰ＝２ＶＤＤが得られる。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、ＶＰＰと同じ電位の出力電位ＳＵＢＶＰＰ（＝ＶＰＰ）を生成する。そして、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードには、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の出力電位ＳＵＢＶＰＰがクランプ電位として供給されている。即ち、このＤＣ−ＤＣコンバータは、静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードに印加するクランプ電位を出力電位ＶＰＰから分離して別個に作成したものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力電位を他の電位に変換するＤＣ−ＤＣコンバータ、及びＤＣ−ＤＣコンバータを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、低温ポリシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）プロセスにより製造されるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、駆動信号ＩＣのコストを下げるため、液晶パネルのＴＦＴ基板上に、画素ＴＦＴのオン・オフを制御するための電源電位を生成する電源回路としてＤＣ−ＤＣコンバータが形成されていた。
【０００３】
このＤＣ−ＤＣコンバータは、入力電位である正の電源電位ＶＤＤを２倍昇圧した２ＶＤＤ、または−１倍昇圧した−ＶＤＤを生成する。このようなＤＣ−ＤＣコンバータを内蔵したアクティブマトリクス型液晶表示装置は特許文献１に記載されている。
【０００４】
図６は、出力電位ＶＰＰ＝２ＶＤＤを生成するＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
ＶＤＤの振幅（Ｈレベル＝ＶＤＤ、Ｌレベル＝ＶＳＳ＝０Ｖ）を有するクロックＣＰＣＬＫは、第１のフライングコンデンサＣ１の一方の端子に入力され、クロックＣＰＣＬＫが反転された反転クロックＸＣＰＣＬＫが第２のフライングコンデンサＣ２の一方の端子に入力される。
【０００５】
また、Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ１とＰチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ１が直列に接続され、それらのゲートには第２のフライングコンデンサＣ２の他方の端子が接続されている。また、Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ２とＰチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ２が直列に接続され、それらのゲートには第１のフライングコンデンサＣ１の他方の端子が接続されている。第１のフライングコンデンサＣ１は、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２を介して取り付けられる外付けのコンデンサである。第２のフライングコンデンサＣ２は、外部接続端子Ｐ３，Ｐ４を介して取り付けられる外付けのコンデンサである。出力電位ＶＰＰと出力電流ＩＰＰの供給能力を高くするため、第１のフライングコンデンサＣ１、第２のフライングコンデンサＣ２を大容量にする必要がある。そのため、第１のフライングコンデンサＣ１、第２のフライングコンデンサＣ２はＴＦＴプロセスで形成しないで、外付けコンデンサとしている。
【０００６】
Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＮ２の共通ソースには、入力電位として電源電位ＶＤＤが印加されている。トランジスタによる電位ロスを無視すれば、定常動作状態において、Ｐチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ１，ＭＰ２の共通ドレイン（出力端子）から、出力電位ＶＰＰとして２ＶＤＤという正の電位及び出力電流ＩＰＰが出力される。出力端子には平滑コンデンサＣ３が接続されているが、これも外部接続端子Ｐ５を介して取り付けられる外付けのコンデンサである。
【特許文献１】特開２００４−１４６０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、第１のフライングコンデンサＣ１、第２のフライングコンデンサＣ２を外付けコンデンサとしているため、外部接続端子Ｐ１やＰ３から静電気によるサージなどのノイズ電圧が印加された場合に、電荷転送トランジスタＭＮ２，ＭＰ２，ＭＮ１，ＭＰ１に過大な電圧が印加されて、回路の劣化や破壊が生じるという問題があるため、保護回路が必要であることがわかった。さらには、保護回路の動作によりＤＣ−ＤＣコンバータの動作に影響が出ると、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータを備えた表示装置では、画像の乱れとして、現れるため、保護回路の動作によりＤＣ−ＤＣコンバータの動作に影響が出ないようにする必要があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、上述した課題に鑑みてなされたものであり、直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得るＤＣ−ＤＣコンバータと、前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記出力電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータによれば、ＤＣ−ＤＣコンバータから出力電位を得ており、保護クランプ回路のクランプ電位については、前記出力電位をクランプ電位としているため、サージ等のノイズ電圧が印加され場合、保護クランプ回路が作動してＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位の変動を防止することができる。
【００１０】
また、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得る第１のＤＣ−ＤＣコンバータと、前記第１のＤＣ−ＤＣコンバータとは別に、前記出力電位と同電位のクランプ電位を出力する第２のＤＣ−ＤＣコンバータと、前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記クランプ電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータによれば、第１のＤＣ−ＤＣコンバータから出力電位を得ており、保護ダイオードのクランプ電位については、第２のＤＣ−ＤＣコンバータで作成しているので、サージ等のノイズ電圧が印加され保護クランプ回路が作動した場合に、第１のＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位の変動を防止することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータによれば、出力電位に影響を与えることなく、静電気によるサージなどのノイズ電圧が印加された場合に、回路の劣化や破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータは、図１に示すように、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２とから構成されており、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１からＤＣ−ＤＣコンバータとして本来使用する出力である出力電位ＶＰＰ＝２ＶＤＤが得られる。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、ＶＰＰと同じ電位の出力電位ＳＵＢＶＰＰ（＝ＶＰＰ）を生成する。このメインＤＣ−ＤＣコンバータ１１とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、低温ポリシリコンＴＦＴプロセスにより液晶表示装置のガラス基板上に駆動に必要な回路機能を集積するシステム・オン・グラス（ＳＯＧ）技術により、アクティブマトリクス型液晶表示装置のガラス基板上に、画素ＴＦＴのオン・オフを制御するための電源電位を生成する電源回路として形成される。
【００１４】
そして、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１には静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２が設けられている。メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードには、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の出力電位ＳＵＢＶＰＰがクランプ電位として供給されている。即ち、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードに印加するクランプ電位を出力電位ＶＰＰから分離して別個に作成したものである。静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のアノードは、それぞれ、ＭＮ１とＭＰ１の接続点、ＭＮ２とＭＰ２の接続点に接続されている。
【００１５】
外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に正のサージ電圧（正の静電気）が印加された場合にＤＰ１，ＤＰ２がオンし、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１の接続点、電荷転送トランジスタＭＮ２，ＭＰ２の接続点の電位はＳＵＢＶＰＰにクランプされるので、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１，ＭＮ２，ＭＰ２の静電破壊が防止される。また、静電気はＳＵＢＶＰＰを発生しているサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２へ逃げるので、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の出力電位ＶＰＰが変動することは無い。
【００１６】
外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に負のサージ電圧（負の静電気）が印加された場合にはＤＮ１，ＤＮ２がオンし、ＭＮ１，ＭＰ１の接続点の電位、ＭＮ２，ＭＰ２の接続点の電位はそれぞれＶＳＳにクランプされる。
【００１７】
クランプ電位として、ＶＰＰ、ＶＳＳを用いる理由は、ＤＣ−ＤＣコンバータの定常動作状態において、前記接続点の電位がＶＰＰとＶＳＳの間で変化するからである。
【００１８】
メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１のその他の構成は、図６の回路と同じである。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１と同様に、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３を備えており、クロックＣＰＣＬＫ、反転クロックＸＣＰＣＬＫも同様に供給されている。
【００１９】
サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の電流供給能力は小さくても良いので、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３は小容量で足りる。このため、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１のように、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けて、これらのコンデンサを外付けする必要がない。すなわち、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２，平滑コンデンサＣ１３はＴＦＴプロセスによって、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２と同時に液晶パネル上に形成することができる。
【００２０】
また、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けないので、サージ電圧が直接印加されることがないことから、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２については、静電破壊保護ダイオードを設ける必要はない。
【００２１】
静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２はＴＦＴで構成してもよいが、ＰＩＮダイオードで形成することが好ましい。ＰＩＮダイオードは、図２に示すように、絶縁膜１上に形成されたポリシリコン層２中にＰ型領域３（アノード）、不純物がドープされていないイントリンシック領域４、Ｎ型領域５（カソード）を互いに隣接して形成してなり、ＴＦＴと比べると、ゲート配線の接続が不要のため、実装面積が小さく、かつゲート容量がないため高速で動作する利点がある。
【００２２】
このＤＣ−ＤＣコンバータの定常状態（ＶＰＰ＝２ＶＤＤ）の動作を図３の波形図を参照して説明する。以下は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の動作説明をするが、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の動作についても全く同様である。
【００２３】
クロックＣＰＣＬＫがＨレベル（ＶＤＤ）のとき、ＭＮ１、ＭＰ２はオフ、ＭＮ２、ＭＰ１はオンし、ＭＮ１とＭＰ１の接続点の電位Ｖ１は２ＶＤＤに昇圧され、そのレベルがＭＰ１を通して出力される。ＭＮ２とＭＰ２の接続点の電位Ｖ２はＶＤＤに充電される。
【００２４】
次に、クロックＣＰＣＬＫがＬレベル（ＶＳＳ）になると、ＭＮ１、ＭＰ２はオン、ＭＮ２、ＭＰ１はオフし、電位Ｖ２は２ＶＤＤに昇圧され、そのレベルがＭＰ２を通して出力される。電位Ｖ１はＶＤＤに充電される。つまり、ＤＣ−ＤＣコンバータの左右の直列トランジスタ回路から電荷転送により２ＶＤＤという電位が交互に出力される。但し、電荷転送トランジスタによる電位ロスは無視している。
【００２５】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータは、図４に示すように、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１４とから構成されており、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３からＤＣ−ＤＣコンバータとして本来使用する出力である出力電位ＶＢＢ＝−ＶＤＤが得られる。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４は、ＶＢＢと同じ電位の出力電位ＳＵＢＶＢＢ（＝ＶＢＢ）を生成する。このメインＤＣ−ＤＣコンバータ１３とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１４は、低温ポリシリコンＴＦＴプロセスにより液晶表示装置のガラス基板上に駆動に必要な回路機能を集積するシステム・オン・グラス（ＳＯＧ）技術により、アクティブマトリクス型液晶表示装置のガラス基板上に、画素ＴＦＴのオン・オフを制御するための電源電位を生成する電源回路として形成される。
【００２６】
そして、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３には静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２が設けられている。メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３の静電破壊保護ダイオードＤＮ１、ＤＮ２のアノードには、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４の出力電位ＳＵＢＶＢＢがクランプ電位として供給されている。即ち、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、静電破壊保護ダイオードＤＮ１、ＤＮ２のアノードに印加するクランプ電位を出力電位ＶＢＢから分離して別個に作成したものである。
【００２７】
外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に負のサージ電圧（負の静電気）が印加された場合にＤＮ１、ＤＮ２がオンし、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１の接続点、電荷転送トランジスタＭＮ２，ＭＰ２の接続点の電位はＳＵＢＶＢＢにクランプされるので、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１，ＭＮ２，ＭＰ２の静電破壊が防止される。また、静電気はＳＵＢＶＢＢを発生しているサブＤＣ−ＤＣコンバータ１４へ逃げるので、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３の出力電位ＶＢＢが変動することは無い。
【００２８】
メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３のその他の構成は、図１の回路の極性を反転したものである。即ち、電荷転送トランジスタＭＰ１，ＭＰ２の共通ソースにＶＳＳを印加し、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＮ２の共通ドレインから出力電位ＶＢＢが得られる。静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードにはＶＳＳが供給されている。
【００２９】
サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３と同様に、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３を備えており、クロックＣＰＣＬＫ、反転クロックＸＣＰＣＬＫも同様に供給されている。
【００３０】
サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４の電流供給能力は小さくても良いので、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３は小容量で足りる。このため、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３のように、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けて、これらのコンデンサを外付けする必要がない。すなわち、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３はＴＦＴプロセスによって、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２と同時に液晶パネル上に形成することができる。
【００３１】
また、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けないので、サージ電圧が直接印加されることがないことから、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４については静電破壊保護ダイオードを設ける必要はない。静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２はＴＦＴで構成してもよいが、ＰＩＮダイオードで形成することが好ましい。ＰＩＮダイオードは、図２に示すように、絶縁膜１上に形成されたポリシリコン層２中にＰ型領域３（アノード）、不純物がドープされていないイントリンシック領域４、Ｎ型領域５（カソード）を互いに隣接して形成してなり、ＴＦＴと比べると、ゲート配線の接続が不要のため、実装面積が小さく、かつゲート容量がないため高速で動作する利点がある。
【００３２】
このＤＣ−ＤＣコンバータの定常状態（Ｖｏｕｔ＝−ＶＤＤ）の動作を図５の波形図を参照して説明する。以下は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３の動作説明をするが、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４の動作についても全く同様である。
【００３３】
クロックＣＰＣＬＫがＨレベル（ＶＤＤ）のとき、ＭＮ１、ＭＰ２はオフ、ＭＮ２、ＭＰ１はオン、ＭＮ１とＭＰ１の接続点の電位Ｖ３はＶＳＳに充電され、ＭＮ２とＭＰ２の接続点の電位Ｖ４は−ＶＤＤの電位に下がり、その電位がＭＮ２を通して出力される。
【００３４】
クロックＣＰＣＬＫがＬレベル（ＶＳＳ）になると、ＭＮ１、ＭＰ２はオン、ＭＮ２、ＭＰ１はオフし、電位Ｖ３は−ＶＤＤに下がり、そのレベルがＭＮ１を通して出力される。電位Ｖ４はＶｓｓに充電される。つまり、ＤＣ−ＤＣコンバータの左右の直列トランジスタ回路から電荷転送により−ＶＤＤという電位が交互に出力される。但し、電荷転送トランジスタによる電位ロスは無視している。
【００３５】
なお、第１、２の実施形態においては、それぞれ出力電位として、２ＶＤＤ、−ＶＤＤを発生するＤＣ−ＤＣコンバータを例として説明したが、ＤＣ−ＤＣコンバータの段数を変更することにより、出力電位として、更に高電位、例えば、３ＶＤＤや−２ＶＤＤを得ることができる。そして、そのようなＤＣ−ＤＣコンバータの電荷転送トランジスタの接続点に、静電破壊保護ダイオードを接続することにより、同様の効果を得ることができる。すなわち、本発明は、電荷転送トランジスタとフライングコンデンサを備えたチャージポンプ型のＤＣ−ＤＣコンバータに広く適用することができる。
【００３６】
また、第１、２の実施形態において、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１，１３の静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードに、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１，１３の出力電位ＶＰＰ，ＶＢＢをクランプ電位として供給してもよい。この場合、例えば、外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に正のサージ電圧（正の静電気）が印加された場合にＤＰ１、ＤＰ２がオンして、静電気を出力端子に逃がすが、これにより、出力電位ＶＰＰが変動してしまい、ＤＣ−ＤＣコンバータの動作に悪影響を与える場合があるが、ＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位をクランプ電位としているため、サージ等のノイズ電圧が印加された場合に、ＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位の変動を防止乃至小さく抑えることができる。この場合、サブＤＣ−ＤＣコンバータを省くことができる。
【００３７】
また、第１、２の実施形態においては、保護クランプ回路を静電破壊保護ダイオードにより構成したが、これに限らず、例えば、バリスタで構成することもできる。
【００３８】
また、第１、２の実施形態においては、静電気によるサージ電圧からの保護を説明したが、ノイズ電圧の原因はこれに限定されない。
【００３９】
また、第１、２の実施形態においては、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２，１４には、クロックＣＰＣＬＫ、反転クロックＸＣＰＣＬＫがメインＤＣ−ＤＣコンバータ１１，１３と同様に供給されているが、同じ周波数にする必要は無く、別にクロックを設けてもよい。
【００４０】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータは、ＴＮモード、垂直配向モード（ＶＡモード）、横電界を利用したＩＰＳモード、フリンジ電界を利用したＦＦＳモードなどの液晶表示装置に利用しても構わない。また、全透過型のみならず全反射型、反射透過兼用型の液晶表示装置に利用しても構わない。また、液晶表示装置ではなく、有機ＥＬディスプレイ、フィールドエミッション型ディスプレイに用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
【図２】ＰＩＮダイオードの構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの動作波形図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの動作波形図である。
【図６】従来例のＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
【符号の説明】
【００４２】
１ 絶縁膜 ２ ポリシリコン層 ３ Ｐ型領域
４ イントリンシック領域 ５ Ｎ型領域
１１，１３ メインＤＣ−ＤＣコンバータ
１２，１４ サブＤＣ−ＤＣコンバータ
Ｃ１ 第１のフライングコンデンサ
Ｃ２ 第２のフライングコンデンサ
Ｃ３ 出力コンデンサ
Ｃ１１，Ｃ１２ フライングコンデンサ
Ｃ１３ 平滑コンデンサ
ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＮ１，ＤＮ２ 静電破壊保護ダイオード
ＭＮ１，ＭＮ２ Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタ
ＭＰ１，ＭＰ２ Ｐチャネル型の電荷転送トランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力電位を他の電位に変換するＤＣ−ＤＣコンバータ、及びＤＣ−ＤＣコンバータを備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、低温ポリシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）プロセスにより製造されるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、駆動信号ＩＣのコストを下げるため、液晶パネルのＴＦＴ基板上に、画素ＴＦＴのオン・オフを制御するための電源電位を生成する電源回路としてＤＣ−ＤＣコンバータが形成されていた。
【０００３】
このＤＣ−ＤＣコンバータは、入力電位である正の電源電位ＶＤＤを２倍昇圧した２ＶＤＤ、または−１倍昇圧した−ＶＤＤを生成する。このようなＤＣ−ＤＣコンバータを内蔵したアクティブマトリクス型液晶表示装置は特許文献１に記載されている。
【０００４】
図６は、出力電位ＶＰＰ＝２ＶＤＤを生成するＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
ＶＤＤの振幅（Ｈレベル＝ＶＤＤ、Ｌレベル＝ＶＳＳ＝０Ｖ）を有するクロックＣＰＣＬＫは、第１のフライングコンデンサＣ１の一方の端子に入力され、クロックＣＰＣＬＫが反転された反転クロックＸＣＰＣＬＫが第２のフライングコンデンサＣ２の一方の端子に入力される。
【０００５】
また、Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ１とＰチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ１が直列に接続され、それらのゲートには第２のフライングコンデンサＣ２の他方の端子が接続されている。また、Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ２とＰチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ２が直列に接続され、それらのゲートには第１のフライングコンデンサＣ１の他方の端子が接続されている。第１のフライングコンデンサＣ１は、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２を介して取り付けられる外付けのコンデンサである。第２のフライングコンデンサＣ２は、外部接続端子Ｐ３，Ｐ４を介して取り付けられる外付けのコンデンサである。出力電位ＶＰＰと出力電流ＩＰＰの供給能力を高くするため、第１のフライングコンデンサＣ１、第２のフライングコンデンサＣ２を大容量にする必要がある。そのため、第１のフライングコンデンサＣ１、第２のフライングコンデンサＣ２はＴＦＴプロセスで形成しないで、外付けコンデンサとしている。
【０００６】
Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＮ２の共通ソースには、入力電位として電源電位ＶＤＤが印加されている。トランジスタによる電位ロスを無視すれば、定常動作状態において、Ｐチャネル型の電荷転送トランジスタＭＰ１，ＭＰ２の共通ドレイン（出力端子）から、出力電位ＶＰＰとして２ＶＤＤという正の電位及び出力電流ＩＰＰが出力される。出力端子には平滑コンデンサＣ３が接続されているが、これも外部接続端子Ｐ５を介して取り付けられる外付けのコンデンサである。
【特許文献１】特開２００４−１４６０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、第１のフライングコンデンサＣ１、第２のフライングコンデンサＣ２を外付けコンデンサとしているため、外部接続端子Ｐ１やＰ３から静電気によるサージなどのノイズ電圧が印加された場合に、電荷転送トランジスタＭＮ２，ＭＰ２，ＭＮ１，ＭＰ１に過大な電圧が印加されて、回路の劣化や破壊が生じるという問題があるため、保護回路が必要であることがわかった。さらには、保護回路の動作によりＤＣ−ＤＣコンバータの動作に影響が出ると、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータを備えた表示装置では、画像の乱れとして、現れるため、保護回路の動作によりＤＣ−ＤＣコンバータの動作に影響が出ないようにする必要があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、上述した課題に鑑みてなされたものであり、直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得るＤＣ−ＤＣコンバータと、前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記出力電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータによれば、ＤＣ−ＤＣコンバータから出力電位を得ており、保護クランプ回路のクランプ電位については、前記出力電位をクランプ電位としているため、サージ等のノイズ電圧が印加され場合、保護クランプ回路が作動してＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位の変動を防止することができる。
【００１０】
また、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得る第１のＤＣ−ＤＣコンバータと、前記第１のＤＣ−ＤＣコンバータとは別に、前記出力電位と同電位のクランプ電位を出力する第２のＤＣ−ＤＣコンバータと、前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記クランプ電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータによれば、第１のＤＣ−ＤＣコンバータから出力電位を得ており、保護ダイオードのクランプ電位については、第２のＤＣ−ＤＣコンバータで作成しているので、サージ等のノイズ電圧が印加され保護クランプ回路が作動した場合に、第１のＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位の変動を防止することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のＤＣ−ＤＣコンバータによれば、出力電位に影響を与えることなく、静電気によるサージなどのノイズ電圧が印加された場合に、回路の劣化や破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータは、図１に示すように、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２とから構成されており、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１からＤＣ−ＤＣコンバータとして本来使用する出力である出力電位ＶＰＰ＝２ＶＤＤが得られる。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、ＶＰＰと同じ電位の出力電位ＳＵＢＶＰＰ（＝ＶＰＰ）を生成する。このメインＤＣ−ＤＣコンバータ１１とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、低温ポリシリコンＴＦＴプロセスにより液晶表示装置のガラス基板上に駆動に必要な回路機能を集積するシステム・オン・グラス（ＳＯＧ）技術により、アクティブマトリクス型液晶表示装置のガラス基板上に、画素ＴＦＴのオン・オフを制御するための電源電位を生成する電源回路として形成される。
【００１４】
そして、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１には静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２が設けられている。メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードには、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の出力電位ＳＵＢＶＰＰがクランプ電位として供給されている。即ち、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードに印加するクランプ電位を出力電位ＶＰＰから分離して別個に作成したものである。静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のアノードは、それぞれ、ＭＮ１とＭＰ１の接続点、ＭＮ２とＭＰ２の接続点に接続されている。
【００１５】
外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に正のサージ電圧（正の静電気）が印加された場合にＤＰ１，ＤＰ２がオンし、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１の接続点、電荷転送トランジスタＭＮ２，ＭＰ２の接続点の電位はＳＵＢＶＰＰにクランプされるので、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１，ＭＮ２，ＭＰ２の静電破壊が防止される。また、静電気はＳＵＢＶＰＰを発生しているサブＤＣ−ＤＣコンバータ１２へ逃げるので、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の出力電位ＶＰＰが変動することは無い。
【００１６】
外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に負のサージ電圧（負の静電気）が印加された場合にはＤＮ１，ＤＮ２がオンし、ＭＮ１，ＭＰ１の接続点の電位、ＭＮ２，ＭＰ２の接続点の電位はそれぞれＶＳＳにクランプされる。
【００１７】
クランプ電位として、ＶＰＰ、ＶＳＳを用いる理由は、ＤＣ−ＤＣコンバータの定常動作状態において、前記接続点の電位がＶＰＰとＶＳＳの間で変化するからである。
【００１８】
メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１のその他の構成は、図６の回路と同じである。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１と同様に、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３を備えており、クロックＣＰＣＬＫ、反転クロックＸＣＰＣＬＫも同様に供給されている。
【００１９】
サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の電流供給能力は小さくても良いので、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３は小容量で足りる。このため、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１のように、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けて、これらのコンデンサを外付けする必要がない。すなわち、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２，平滑コンデンサＣ１３はＴＦＴプロセスによって、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２と同時に液晶パネル上に形成することができる。
【００２０】
また、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けないので、サージ電圧が直接印加されることがないことから、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２については、静電破壊保護ダイオードを設ける必要はない。
【００２１】
静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２はＴＦＴで構成してもよいが、ＰＩＮダイオードで形成することが好ましい。ＰＩＮダイオードは、図２に示すように、絶縁膜１上に形成されたポリシリコン層２中にＰ型領域３（アノード）、不純物がドープされていないイントリンシック領域４、Ｎ型領域５（カソード）を互いに隣接して形成してなり、ＴＦＴと比べると、ゲート配線の接続が不要のため、実装面積が小さく、かつゲート容量がないため高速で動作する利点がある。
【００２２】
このＤＣ−ＤＣコンバータの定常状態（ＶＰＰ＝２ＶＤＤ）の動作を図３の波形図を参照して説明する。以下は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１の動作説明をするが、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２の動作についても全く同様である。
【００２３】
クロックＣＰＣＬＫがＨレベル（ＶＤＤ）のとき、ＭＮ１、ＭＰ２はオフ、ＭＮ２、ＭＰ１はオンし、ＭＮ１とＭＰ１の接続点の電位Ｖ１は２ＶＤＤに昇圧され、そのレベルがＭＰ１を通して出力される。ＭＮ２とＭＰ２の接続点の電位Ｖ２はＶＤＤに充電される。
【００２４】
次に、クロックＣＰＣＬＫがＬレベル（ＶＳＳ）になると、ＭＮ１、ＭＰ２はオン、ＭＮ２、ＭＰ１はオフし、電位Ｖ２は２ＶＤＤに昇圧され、そのレベルがＭＰ２を通して出力される。電位Ｖ１はＶＤＤに充電される。つまり、ＤＣ−ＤＣコンバータの左右の直列トランジスタ回路から電荷転送により２ＶＤＤという電位が交互に出力される。但し、電荷転送トランジスタによる電位ロスは無視している。
【００２５】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータは、図４に示すように、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１４とから構成されており、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３からＤＣ−ＤＣコンバータとして本来使用する出力である出力電位ＶＢＢ＝−ＶＤＤが得られる。サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４は、ＶＢＢと同じ電位の出力電位ＳＵＢＶＢＢ（＝ＶＢＢ）を生成する。このメインＤＣ−ＤＣコンバータ１３とサブＤＣ−ＤＣコンバータ１４は、低温ポリシリコンＴＦＴプロセスにより液晶表示装置のガラス基板上に駆動に必要な回路機能を集積するシステム・オン・グラス（ＳＯＧ）技術により、アクティブマトリクス型液晶表示装置のガラス基板上に、画素ＴＦＴのオン・オフを制御するための電源電位を生成する電源回路として形成される。
【００２６】
そして、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３には静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２が設けられている。メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３の静電破壊保護ダイオードＤＮ１、ＤＮ２のアノードには、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４の出力電位ＳＵＢＶＢＢがクランプ電位として供給されている。即ち、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータは、静電破壊保護ダイオードＤＮ１、ＤＮ２のアノードに印加するクランプ電位を出力電位ＶＢＢから分離して別個に作成したものである。
【００２７】
外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に負のサージ電圧（負の静電気）が印加された場合にＤＮ１、ＤＮ２がオンし、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１の接続点、電荷転送トランジスタＭＮ２，ＭＰ２の接続点の電位はＳＵＢＶＢＢにクランプされるので、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＰ１，ＭＮ２，ＭＰ２の静電破壊が防止される。また、静電気はＳＵＢＶＢＢを発生しているサブＤＣ−ＤＣコンバータ１４へ逃げるので、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３の出力電位ＶＢＢが変動することは無い。
【００２８】
メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３のその他の構成は、図１の回路の極性を反転したものである。即ち、電荷転送トランジスタＭＰ１，ＭＰ２の共通ソースにＶＳＳを印加し、電荷転送トランジスタＭＮ１，ＭＮ２の共通ドレインから出力電位ＶＢＢが得られる。静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードにはＶＳＳが供給されている。
【００２９】
サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３と同様に、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３を備えており、クロックＣＰＣＬＫ、反転クロックＸＣＰＣＬＫも同様に供給されている。
【００３０】
サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４の電流供給能力は小さくても良いので、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３は小容量で足りる。このため、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３のように、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けて、これらのコンデンサを外付けする必要がない。すなわち、フライングコンデンサＣ１１，Ｃ１２、平滑コンデンサＣ１３はＴＦＴプロセスによって、電荷転送トランジスタＭＮ１１，ＭＰ１１，ＭＮ１２，ＭＰ１２と同時に液晶パネル上に形成することができる。
【００３１】
また、外部接続端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４を設けないので、サージ電圧が直接印加されることがないことから、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４については静電破壊保護ダイオードを設ける必要はない。静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＮ１，ＤＰ２，ＤＮ２はＴＦＴで構成してもよいが、ＰＩＮダイオードで形成することが好ましい。ＰＩＮダイオードは、図２に示すように、絶縁膜１上に形成されたポリシリコン層２中にＰ型領域３（アノード）、不純物がドープされていないイントリンシック領域４、Ｎ型領域５（カソード）を互いに隣接して形成してなり、ＴＦＴと比べると、ゲート配線の接続が不要のため、実装面積が小さく、かつゲート容量がないため高速で動作する利点がある。
【００３２】
このＤＣ−ＤＣコンバータの定常状態（Ｖｏｕｔ＝−ＶＤＤ）の動作を図５の波形図を参照して説明する。以下は、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１３の動作説明をするが、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１４の動作についても全く同様である。
【００３３】
クロックＣＰＣＬＫがＨレベル（ＶＤＤ）のとき、ＭＮ１、ＭＰ２はオフ、ＭＮ２、ＭＰ１はオン、ＭＮ１とＭＰ１の接続点の電位Ｖ３はＶＳＳに充電され、ＭＮ２とＭＰ２の接続点の電位Ｖ４は−ＶＤＤの電位に下がり、その電位がＭＮ２を通して出力される。
【００３４】
クロックＣＰＣＬＫがＬレベル（ＶＳＳ）になると、ＭＮ１、ＭＰ２はオン、ＭＮ２、ＭＰ１はオフし、電位Ｖ３は−ＶＤＤに下がり、そのレベルがＭＮ１を通して出力される。電位Ｖ４はＶｓｓに充電される。つまり、ＤＣ−ＤＣコンバータの左右の直列トランジスタ回路から電荷転送により−ＶＤＤという電位が交互に出力される。但し、電荷転送トランジスタによる電位ロスは無視している。
【００３５】
なお、第１、２の実施形態においては、それぞれ出力電位として、２ＶＤＤ、−ＶＤＤを発生するＤＣ−ＤＣコンバータを例として説明したが、ＤＣ−ＤＣコンバータの段数を変更することにより、出力電位として、更に高電位、例えば、３ＶＤＤや−２ＶＤＤを得ることができる。そして、そのようなＤＣ−ＤＣコンバータの電荷転送トランジスタの接続点に、静電破壊保護ダイオードを接続することにより、同様の効果を得ることができる。すなわち、本発明は、電荷転送トランジスタとフライングコンデンサを備えたチャージポンプ型のＤＣ−ＤＣコンバータに広く適用することができる。
【００３６】
また、第１、２の実施形態において、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１，１３の静電破壊保護ダイオードＤＰ１，ＤＰ２のカソードに、メインＤＣ−ＤＣコンバータ１１，１３の出力電位ＶＰＰ，ＶＢＢをクランプ電位として供給してもよい。この場合、例えば、外部接続端子Ｐ１、Ｐ３に正のサージ電圧（正の静電気）が印加された場合にＤＰ１、ＤＰ２がオンして、静電気を出力端子に逃がすが、これにより、出力電位ＶＰＰが変動してしまい、ＤＣ−ＤＣコンバータの動作に悪影響を与える場合があるが、ＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位をクランプ電位としているため、サージ等のノイズ電圧が印加された場合に、ＤＣ−ＤＣコンバータの出力電位の変動を防止乃至小さく抑えることができる。この場合、サブＤＣ−ＤＣコンバータを省くことができる。
【００３７】
また、第１、２の実施形態においては、保護クランプ回路を静電破壊保護ダイオードにより構成したが、これに限らず、例えば、バリスタで構成することもできる。
【００３８】
また、第１、２の実施形態においては、静電気によるサージ電圧からの保護を説明したが、ノイズ電圧の原因はこれに限定されない。
【００３９】
また、第１、２の実施形態においては、サブＤＣ−ＤＣコンバータ１２，１４には、クロックＣＰＣＬＫ、反転クロックＸＣＰＣＬＫがメインＤＣ−ＤＣコンバータ１１，１３と同様に供給されているが、同じ周波数にする必要は無く、別にクロックを設けてもよい。
【００４０】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータは、ＴＮモード、垂直配向モード（ＶＡモード）、横電界を利用したＩＰＳモード、フリンジ電界を利用したＦＦＳモードなどの液晶表示装置に利用しても構わない。また、全透過型のみならず全反射型、反射透過兼用型の液晶表示装置に利用しても構わない。また、液晶表示装置ではなく、有機ＥＬディスプレイ、フィールドエミッション型ディスプレイに用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
【図２】ＰＩＮダイオードの構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの動作波形図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態によるＤＣ−ＤＣコンバータの動作波形図である。
【図６】従来例のＤＣ−ＤＣコンバータの回路図である。
【符号の説明】
【００４２】
１ 絶縁膜 ２ ポリシリコン層 ３ Ｐ型領域
４ イントリンシック領域 ５ Ｎ型領域
１１，１３ メインＤＣ−ＤＣコンバータ
１２，１４ サブＤＣ−ＤＣコンバータ
Ｃ１ 第１のフライングコンデンサ
Ｃ２ 第２のフライングコンデンサ
Ｃ３ 出力コンデンサ
Ｃ１１，Ｃ１２ フライングコンデンサ
Ｃ１３ 平滑コンデンサ
ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＮ１，ＤＮ２ 静電破壊保護ダイオード
ＭＮ１，ＭＮ２ Ｎチャネル型の電荷転送トランジスタ
ＭＰ１，ＭＰ２ Ｐチャネル型の電荷転送トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得るＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記出力電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得る第１のＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記第１のＤＣ−ＤＣコンバータとは別に、前記出力電位と同電位のクランプ電位を出力する第２のＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記クランプ電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記第２のＤＣ−ＤＣコンバータは、直列に接続された第３及び第４の電荷転送トランジスタと、第３及び第４の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第２のフライングコンデンサとを備え、前記第３の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第４の電荷転送トランジスタから前記クランプ電位を出力することを特徴とする請求項２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
前記第２のフライングコンデンサの容量値は第１のフライングコンデンサの容量値により小さいことを特徴とする請求項３に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
保護クランプ回路はＰＩＮダイオードであることを特徴とする請求項１、２、３、４のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータを備えた表示装置。
【請求項１】
直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得るＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記出力電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
直列に接続された第１及び第２の電荷転送トランジスタと、第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第１のフライングコンデンサとを備え、前記第１の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第２の電荷転送トランジスタから入力電位を変換した出力電位を得る第１のＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記第１のＤＣ−ＤＣコンバータとは別に、前記出力電位と同電位のクランプ電位を出力する第２のＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記第１及び第２の電荷転送トランジスタの接続点に接続され、前記接続点にサージなどのノイズ電圧が印加されたときに、前記接続点の電位を前記クランプ電位にクランプする保護クランプ回路と、を備えることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記第２のＤＣ−ＤＣコンバータは、直列に接続された第３及び第４の電荷転送トランジスタと、第３及び第４の電荷転送トランジスタの接続点に一方の端子が接続され、他方の端子にクロックが印加された第２のフライングコンデンサとを備え、前記第３の電荷転送トランジスタに入力電位が印加され、前記第４の電荷転送トランジスタから前記クランプ電位を出力することを特徴とする請求項２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
前記第２のフライングコンデンサの容量値は第１のフライングコンデンサの容量値により小さいことを特徴とする請求項３に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
保護クランプ回路はＰＩＮダイオードであることを特徴とする請求項１、２、３、４のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータを備えた表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−１３６２６２（Ｐ２００８−１３６２６２Ａ）
【公開日】平成２０年６月１２日（２００８．６．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３１８３１９（Ｐ２００６−３１８３１９）
【出願日】平成１８年１１月２７日（２００６．１１．２７）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１２日（２００８．６．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２７日（２００６．１１．２７）
【出願人】（３０４０５３８５４）エプソンイメージングデバイス株式会社 (2,386)
【Ｆターム（参考）】
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