ＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュール

【課題】ＬＥＤモジュールの小型化および長寿命化を図ることが可能なＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】リードと、上記リードの表面に搭載されたＬＥＤチップ２と、上記リードの一部を覆い、かつ上記リードの面内方向において上記ＬＥＤチップ２を離間して囲む反射面６１を有するケース６と、を備えるＬＥＤモジュールの製造方法であって、リード１Ａ’，１Ｂ’にＬＥＤチップ２を搭載する工程と、ＬＥＤチップ２を搭載する工程の後に、ケース６を形成する工程を有する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤチップを備えるＬＥＤモジュールは、様々な電子機器の光源として用いられている。特に、ＬＥＤチップからの光を反射することにより集光効果を発揮するリフレクタを備えたＬＥＤモジュールは、高輝度タイプとして使用される。
【０００３】
図２９および図３０は、従来のＬＥＤモジュールの製造方法の一例を示している。この製造方法においては、まず、図２９に示すように１対のリード９１Ａ，９１Ｂを用意する。そして、金型を用いたいわゆるインサート成形の手法によって、リード９１Ａ，９１Ｂの一部ずつを覆う樹脂製のケース９３を形成する。ケース９３は、リフレクタ９３ａを有している。次いで、図３０に示すように、ＬＥＤチップ９２を、リード９１Ａに接合する。そして、ＬＥＤチップ９２の上面に設けられた２つの電極（図示略）とリード９１Ａ，９１Ｂとをワイヤ９２ａによって接続する。こののちは、リード９１Ａ，９１Ｂを必要な長さを残して切断し、ケース９３から突出する部分を折り曲げるなどの工程を経て、ＬＥＤモジュールが完成する。
【０００４】
しかしながら、ＬＥＤチップ９２を搭載する工程においては、ＬＥＤチップ９２やワイヤ９２ａをワイヤボンディングするキャピラリがケース９３に干渉するおそれがある。このため、リフレクタ９３ａとＬＥＤチップ９２との間に十分な隙間を確保できるようにケース９３の形状およびサイズを決定する必要がある。これは、ＬＥＤモジュールの小型化を阻害する要因となる。また、ＬＥＤチップ９２を搭載する工程において、ケース９３が過度に加熱されると、ケース９３が変形したり変色したりするおそれがある。このため、ＬＥＤチップ９２を搭載する手法として、熱を発生しにくい手法を選ばざるを得ないという制限があった。これにより、ＬＥＤチップ９２の接合が不十分となり、上記ＬＥＤモジュールの長寿命化が困難となる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１０５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ＬＥＤモジュールの小型化および長寿命化を図ることが可能なＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュールを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供されるＬＥＤモジュールの製造方法は、リードと、上記リードの表面に搭載されたＬＥＤチップと、上記リードの一部を覆い、かつ上記リードの面内方向において上記ＬＥＤチップを離間して囲む反射面を有するケースと、を備えるＬＥＤモジュールの製造方法であって、上記リードに上記ＬＥＤチップを搭載する工程と、上記ＬＥＤチップを搭載する工程の後に、上記ケースを形成する工程を有することを特徴としている。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップを搭載する工程の後、上記ケースを形成する工程の前に、上記ＬＥＤチップを直接覆う保護樹脂を形成する工程をさらに有する。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記保護樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップを搭載する工程の後、上記保護樹脂を形成する工程の前に、上記ＬＥＤチップのうち上記リードからはみ出た部分と上記リードの端面とを覆う補助樹脂を形成する工程をさらに有する。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記保護樹脂を形成する工程においては、上記リードのうち上記ＬＥＤチップが搭載された表面とは反対側の裏面の一部を覆う裏面部を有するように上記保護樹脂を形成し、上記ケースを形成する工程においては、上記保護樹脂の上記裏面部を上記ケースによって覆う。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースを形成する工程の後に、上記反射面によって囲まれた空間を埋める封止樹脂を形成する工程をさらに有する。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップは、フリップチップタイプである。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップを搭載する工程においては、共晶ボンディングの手法によって上記ＬＥＤチップを搭載する。
【００１６】
本発明の第２の側面によって提供されるＬＥＤモジュールは、リードと、上記リードの表面に搭載されたＬＥＤチップと、上記リードを直接覆う保護樹脂と、上記リードの一部を覆い、かつ上記リードの面内方向において上記ＬＥＤチップを離間して囲む反射面を有するケースと、を備えるＬＥＤモジュールであって、上記保護樹脂は、上記リードのうち上記ＬＥＤチップが搭載された表面とは反対側の裏面の一部を覆う裏面部を有し、上記ケースは、上記保護樹脂の上記裏面部を覆っていることを特徴としている。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記保護樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射面によって囲まれた空間を埋めるとともに、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている封止樹脂をさらに備える。
【００１９】
このような構成によれば、上記ＬＥＤチップを上記リードに搭載する際には、上記ケースは未だ形成されていない。このため、たとえば上記ＬＥＤチップをハンドリングするアームと上記ケースとが干渉するおそれがない。これにより、上記反射面と上記ＬＥＤチップとの間隔を縮小することが可能であり、上記ＬＥＤモジュールの小型化を図ることができる。
【００２０】
上記ＬＥＤチップをたとえば共晶ボンディングの手法によってダイボンディングする場合であっても、上記ケースはダイボンディング作業によって熱せられることはない。このため、上記ケースが不当に変形したり変色したりするおそれが少ない。これにより、上記ＬＥＤモジュールを所望の形状とするのに適している。また、上記ケースの変色を抑制することにより、上記ＬＥＤモジュールの輝度低下を回避することができる。
【００２１】
上記ＬＥＤチップをボンディングする手法を選定するにおいて、たとえばボンディング工程において生じる熱による上記ケースへの影響を考慮する必要がない。このため、ボンディング手法として、上記ＬＥＤチップを上記リードに対して適切かつ確実にボンディング可能なたとえば共晶ボンディングの手法を採用することが可能である。これは、上記ＬＥＤチップの不当な接合不足を防止するのに適しており、上記ＬＥＤモジュールの長寿命化を図るのに好適である。
【００２２】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるボンディング工程を示す要部断面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤチップを示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係るＬＥＤモジュールの一例を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における補助樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における封止樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図１５】本発明の第６実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における封止樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図１６】本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における補助樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図１７】本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂およびケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図１８】本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における封止樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図１９】本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図２０】本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースおよび封止樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図２１】本発明の第９実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図２２】本発明の第９実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における封止樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図２３】本発明の第１０実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図２４】本発明の第１０実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図２５】本発明に係るＬＥＤモジュールの他の例を示す断面図である。
【図２６】本発明の第１１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるボンディング工程を示す要部断面図である。
【図２７】本発明の第１１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法における保護樹脂を形成する工程を示す要部断面図である。
【図２８】本発明の第１１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図２９】従来のＬＥＤモジュールの製造方法の一例におけるケースを形成する工程を示す要部断面図である。
【図３０】従来のＬＥＤモジュールの製造方法の一例におけるボンディング工程を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】
図１〜図５は、本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法およびこれによって製造されるＬＥＤモジュールを示している。
【００２６】
本実施形態においては、まず、図１に示すように１対のリード１Ａ’，１Ｂ’を用意する。１対のリード１Ａ’，１Ｂ’は、たとえばＣｕ，Ｎｉなどの合金からなるプレート状部品である。あるいは、これらの合金にＡｇメッキが施されたものであってもよい。本実施形態においては、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’は、図示しないフレームに連結されており、いわゆるリードフレームの一部という形態で準備される。
【００２７】
次いで、１対のリードフレーム１Ａ’，１Ｂ’にＬＥＤチップ２をダイボンディングする。図２に示すように、ＬＥＤチップ２は、いわゆるフリップチップタイプのＬＥＤチップであり、基板２１、バッファ層２２、ｎ型半導体層２３、活性層２４、ｐ型半導体層２５、ｎ側電極２６、ｐ側電極２７、および絶縁層２８を有している。基板２１は、たとえばサファイアからなり、ＬＥＤチップ２の土台となっている。バッファ層２１は、基板２１とｎ型半導体層２３との格子歪みを緩和するために設けられており、たとえばＧａＮ系半導体からなる。ｎ型半導体層２３は、バッファ層２２を介して基板２１に接合されており、たとえばｎ−ＧａＮ系半導体からなる。活性層２４は、いわゆるＭＱＷ（量子井戸：multiple-quantum well）構造とされた層であり、ｎ側電極２６から供給される電子とｐ側電極２７から供給される正孔とが再結合することにより発せられる光を増幅させるための層である。活性層２４は、たとえば複数のＩｎＧａＮ層と複数のＧａＮ層とが交互に積層されている。ｐ型半導体層２５は、活性層２４を挟んでｎ型半導体層２３と反対側に形成されており、たとえばｐ−ＧａＮ系半導体からなる。ｎ側電極２６は、ｎ型半導体層２３と導通しており、ｐ側電極２７は、ｐ型半導体層２５と導通している。ｎ側電極２６およびｐ側電極２７は、たとえばＡｌ、Ｎｉが積層された構造、あるいはＷ、Ｚｒ、Ｐｔを含む金属層からなる。絶縁層２８は、ｎ側電極２６およびｐ側電極２７を露出させつつ、ｎ型半導体層２３およびｐ型半導体層２５を覆っており、たとえばＳｉＯ₂からなる。このようなＬＥＤチップ２は、活性層２４からたとえば青色光を発する。
【００２８】
このようなＬＥＤチップ２を１対のリード１Ａ’，１Ｂ’にダイボンディングする手法としては、たとえば共晶ボンディングを用いる。リード１Ａ’の表面１１’に対してｐ側電極２７を、リード１Ｂ’の表面１３’に対してｎ側電極２６を、それぞれ押し当てた状態で、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’とＬＥＤチップ２とをたとえば３００℃程度に加熱する。これによって生じる共晶反応によって、ＬＥＤチップ２が１対のリード１Ａ’，１Ｂ’に接合される。
【００２９】
次いで、図３に示すように、保護樹脂４を形成する。保護樹脂４の形成は、たとえば金型によってＬＥＤチップ２と１対のリード１Ａ’，１Ｂ’の一部ずつとを囲んだ状態で、上記金型のキャビティに樹脂材料を注入し、これを硬化させることによって行う。この樹脂材料は、たとえばＬＥＤチップ２からの光を透過させる透明なたとえばシリコーン樹脂材料に、ＬＥＤチップ２からの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光物質が混入されている。このような蛍光物質としては、青色光で励起されることにより黄色光を発するものや、青色光で励起されることにより赤色光を発するものと緑色光を発するものとが混合されたものを採用する。保護樹脂４は、リード１Ａ’，１Ｂ’の裏面１２’，１４’を覆う裏面部４１を有している。裏面部４１は、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’から下方に突出している。
【００３０】
次いで、図４に示すように、ケース６を形成する。ケース６の形成は、保護樹脂４を避けた位置において１対のリード１Ａ’，１Ｂ’を挟み込むように金型をセットし、そのキャビティに樹脂材料を注入した後に、これを硬化させることによって行う、いわゆるインサート成形の手法によって行う。この樹脂材料としては、白色のエポキシ樹脂、または硬質シリコーン樹脂などを用いる。ケース６は、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’の一部ずつを覆っており、反射面６１を有する形状とされている。反射面６１は、ＬＥＤチップ２および保護樹脂４を、これらの四方からこれらに対して離間した位置において囲む形状とされており、ＬＥＤチップ２からの光を上方に反射する。
【００３１】
次いで、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’を切断し、適所に対して折り曲げ加工を施す。これによって、ケース６に沿った折り曲げ形状とされた１対のリード１Ａ，１Ｂが得られる。以上の工程を経ることにより、図５に示すＬＥＤモジュールＡ１が得られる。１対のリード１Ａ，１Ｂの表面１１，１３には、ＬＥＤチップ２がボンディングされている。１対のリード１Ａ，１Ｂの裏面１２，１４は、保護樹脂４およびケース６によって覆われている。１対のリード１Ａ，１Ｂのうちケース６の下方に露出した部分は、ＬＥＤモジュールＡ１を面実装するための実装端子１５，１６として用いられる。
【００３２】
次に、本実施形態のＬＥＤモジュール製造方法およびＬＥＤモジュールＡ１の作用について説明する。
【００３３】
本実施形態によれば、ＬＥＤチップ２をダイボンディングする際には、ケース６は未だ形成されていない。このため、たとえばＬＥＤチップ２をハンドリングするアームとケース６とが干渉するおそれがない。これにより、反射面６１とＬＥＤチップ２との間隔を縮小することが可能であり、ＬＥＤモジュールＡ１の小型化を図ることができる。
【００３４】
ＬＥＤチップ２をたとえば共晶ボンディングの手法によってダイボンディングする場合であっても、ケース６はダイボンディング作業によって熱せられることはない。このため、ケース６が不当に変形したり変色したりするおそれが少ない。これにより、ＬＥＤモジュールＡ１を所望の形状とするのに適している。また、ケース６の変色を抑制することにより、ＬＥＤモジュールＡ１の輝度低下を回避することができる。
【００３５】
ＬＥＤチップ２をボンディングする手法を選定するにおいて、たとえばボンディング工程において生じる熱によるケース６への影響を考慮する必要がない。このため、ボンディング手法として、ＬＥＤチップ２を１対のリード１Ａ’，１Ｂ’に対して適切かつ確実にボンディング可能なたとえば共晶ボンディングの手法を採用することが可能である。これは、ＬＥＤチップ２の不当な接合不足を防止するのに適しており、ＬＥＤモジュールＡ１の長寿命化を図るのに好適である。
【００３６】
保護樹脂４の裏面部４１は、ケース６に対してめり込んだ形態となっている。このため、保護樹脂４とケース６との接合強度を高めることが可能である。特に、保護樹脂４の主成分がシリコーン樹脂であり、ケース６の主成分が硬質シリコーン樹脂である場合、互いの接触部分がよく馴染むため、接合強度の向上に有利である。
【００３７】
図６〜図２８は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００３８】
図６および図７は、本発明の第２実施形態に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、まず、図６に示すように１対のリード１Ａ’，１Ｂ’にＬＥＤチップ２をダイボンディングした後に、補助樹脂３を形成する。補助樹脂３は、ＬＥＤチップ２の下面のうち１対のリード１Ａ’，１Ｂ’の間に位置する部分と、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’の端面とを覆っている。補助樹脂３の材質は、透明なたとえばシリコーン樹脂材料に、ＬＥＤチップ２からの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光物質が混入されているものであり、上述した実施形態の保護樹脂４の材質と同様のものを用いればよいが、これに限定されない。
【００３９】
次いで、図７に示すように保護樹脂４を形成する。保護樹脂４の形成は、図３を参照して説明した手法と同様であるが、ＬＥＤチップ２と、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’の一部ずつとに加え、補助樹脂３を図示しない金型のキャビティに収容した状態でモールド成形を行う。これにより、保護樹脂４は、ＬＥＤチップ２と、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’の一部ずつと、補助樹脂３とを覆うものとして形成される。この後は、上述した製造方法と同様にケース６を形成する工程、および１対のリード１Ａ，１Ｂを形成する工程を経ることにより、ＬＥＤモジュールが得られる。
【００４０】
このような実施形態によれば、ＬＥＤチップ２と１対のリード１Ａ’，１Ｂ’との接合を補助樹脂３が補助する格好となる。これにより、ＬＥＤチップ２が１対のリード１Ａ，１Ｂから剥がれてしまうといった不具合を抑制することができる。
【００４１】
図８および図９は、本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態のＬＥＤモジュールの製造方法は、保護樹脂４の製造手法が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、図８に示すように、ポッティングの手法によって保護樹脂４を形成する。より詳しくは、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’にボンディングされたＬＥＤチップ２を覆うように、液状の樹脂材料を上方から滴下する。滴下された樹脂材料は、表面張力によってドーム状となりつつ、ＬＥＤモジュール２を覆う。この状態で樹脂材料を硬化させることにより、保護樹脂４を得る。そして、図９に示すように、インサート成形によって、ケース６を形成する。
【００４２】
本実施形態によっても、ＬＥＤチップ２のボンディング工程において生じる熱にケース６に曝されることがなく、ＬＥＤモジュールの高輝度化、長寿命化を図ることができる。
【００４３】
図１０および図１１は、本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態のＬＥＤモジュールの製造方法は、図６に示すように、補助樹脂３を形成した後に、図１０に示すようにポッティングの手法によって保護樹脂４を形成する。そして図１１に示すように、インサート成形によって、ケース６を形成する。
【００４４】
図１２〜図１４は、本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、まず、図１２に示すように、透明な保護樹脂４を形成する。保護樹脂４の材質としては、上記実施形態とは異なり、蛍光物質を含まない透明なたとえばシリコーン樹脂を用いる。次いで、図１３に示すように、インサート成形の手法によってケース６を形成する。そして、図１４に示すように、反射面６１によって囲まれた空間に液状の樹脂材料を注入し、これを硬化させることにより封止樹脂５を形成する。封止樹脂５を形成するための樹脂材料としては、たとえば透明なシリコーン樹脂に蛍光物質が混入されたものを用いる。このような実施形態によれば、保護樹脂４および封止樹脂５の双方によってＬＥＤチップ２を保護することが可能であり、ＬＥＤモジュールの長寿命化を図るのに有利である。
【００４５】
図１５は、本発明の第６実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、保護樹脂４の形成手法が、上述した第４実施形態と異なっており、ポッティングの手法を用いている。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュールの長寿命化を図ることができる。
【００４６】
図１６〜図１８は、本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、図１６に示すように、１対のリード１Ａ’，１Ｂ’にＬＥＤチップ２をダイボンディングした後に、たとえば透明なシリコーン樹脂を用いて補助樹脂３を形成する。次いで、図１７に示すようにたとえば透明なシリコーン樹脂を用いて保護樹脂４を金型成形した後に、インサート成形によってケース６を形成する。そして、図１８に示すように、たとえば透明なシリコーン樹脂に蛍光物質が混入された樹脂材料を用いて封止樹脂５を形成する。
【００４７】
図１９および図２０は、本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、図１６に示したように、補助樹脂３を形成した後に、図１９に示すように、ポッティングの手法によって保護樹脂４を形成する。補助樹脂３および保護樹脂４は、いずれもたとえば透明なシリコーン樹脂からなる。そして、図２０に示すように、たとえば透明なシリコーン樹脂に蛍光物質が混入された樹脂材料を用いて封止樹脂５を形成する。
【００４８】
図２１および図２２は、本発明の第９実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、上述した第２実施形態に基づく製造方法の図６に示す補助樹脂３の形成の後に、図２１に示すようにケース６の形成を行う。そして、この後に、図１５に示すように封止樹脂５の形成を行う。
【００４９】
図２３および図２４は、本発明の第１０実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、図２３に示すように、保護樹脂４をモールド成形によって製造する。このとき、図３を参照して説明した製造方法において形成される裏面部４１は形成しない。このため、リード１Ａ’，１Ｂ’の裏面１２’，１４’は、保護樹脂４から露出している。そして、図２４に示すように、ケース６をインサート成形によって形成する。ケース６についても、リード１Ａ’，１Ｂ’の裏面１２’，１４’を露出させる形状とされる。
【００５０】
１対のリードＡ’，１Ｂ’のうちケース６から突出する部分を取り除くように１対のリードＡ’，１Ｂ’を切断すると、図２５に示すＬＥＤモジュールＡ２が得られる。１対のリード１Ａ，１Ｂのうちケース６から露出する裏面１２，１４は、ＬＥＤモジュールＡ２を面実装するための実装端子として用いられる。
【００５１】
本実施形態によっても、ＬＥＤモジュールＡ２の高輝度化と長寿命化とを図ることができる。また、ＬＥＤモジュールＡ２の薄型化を図ることができる。
【００５２】
図２６〜図２８は、本発明の第１１実施形態に基づくＬＥＤモジュールの製造方法を示している。本実施形態においては、図２６に示すように、ワイヤ２９を用いてＬＥＤチップ２をリード１Ｂ’に接合している。より詳しくは、ＬＥＤチップ２は、その上面および下面に１つずつの電極を有するタイプのＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ２をリード１Ａ’の表面１１’に対して、たとえば導電性ペーストを用いた手法や、共晶ボンディングの手法によってボンディングする。一方、ＬＥＤチップ２の上面にある電極とリード１Ｂ’の表面１３’とをワイヤボンディングの手法によってボンディングする。
【００５３】
この後は、図２７に示すように、ＬＥＤチップ２およびワイヤ２９を覆うように保護樹脂４を形成する。そして、図２８に示すようにケース６を形成する。本実施形態に示すように、ＬＥＤチップ２としては、いわゆるフリップチップのものに限定されず、１つのワイヤ２９を用いてボンディングされるもの、さらには上面に２つの電極を有し、２つのワイヤ２９を用いてボンディングされるものなど、様々なタイプのＬＥＤチップを用いることができる。
【００５４】
本発明に係るＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るＬＥＤモジュールの製造方法およびＬＥＤモジュールの具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【００５５】
Ａ１，Ａ２ＬＥＤモジュール
１Ａ，１Ｂ，１Ａ’，１Ｂ’ リード
１１，１１’，１３，１３’ 表面
１２，１２’，１４，１４’ 裏面
２ＬＥＤチップ
３補助樹脂
４保護樹脂
５封止樹脂
６ケース
２１基板
２２バッファ層
２３ｎ型半導体層
２４活性層
２５ｐ型半導体層
２６ｎ側電極
２７ｐ側電極
２８絶縁層
２９ワイヤ
４１裏面部
６１反射面

【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードと、
上記リードの表面に搭載されたＬＥＤチップと、
上記リードの一部を覆い、かつ上記リードの面内方向において上記ＬＥＤチップを離間して囲む反射面を有するケースと、
を備えるＬＥＤモジュールの製造方法であって、
上記リードに上記ＬＥＤチップを搭載する工程と、
上記ＬＥＤチップを搭載する工程の後に、上記ケースを形成する工程を有することを特徴とする、ＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項２】
上記ＬＥＤチップを搭載する工程の後、上記ケースを形成する工程の前に、上記ＬＥＤチップを直接覆う保護樹脂を形成する工程をさらに有する、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項３】
上記保護樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている、請求項２に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項４】
上記ＬＥＤチップを搭載する工程の後、上記保護樹脂を形成する工程の前に、上記ＬＥＤチップのうち上記リードからはみ出た部分と上記リードの端面とを覆う補助樹脂を形成する工程をさらに有する、請求項２または３に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項５】
上記保護樹脂を形成する工程においては、上記リードのうち上記ＬＥＤチップが搭載された表面とは反対側の裏面の一部を覆う裏面部を有するように上記保護樹脂を形成し、
上記ケースを形成する工程においては、上記保護樹脂の上記裏面部を上記ケースによって覆う、請求項２ないし４のいずれかに記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項６】
上記ケースを形成する工程の後に、上記反射面によって囲まれた空間を埋める封止樹脂を形成する工程をさらに有する、請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項７】
上記封止樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている、請求項６に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項８】
上記ＬＥＤチップは、フリップチップタイプである、請求項１ないし７のいずれかに記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項９】
上記ＬＥＤチップを搭載する工程においては、共晶ボンディングの手法によって上記ＬＥＤチップを搭載する、請求項８に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１０】
リードと、
上記リードの表面に搭載されたＬＥＤチップと、
上記リードを直接覆う保護樹脂と、
上記リードの一部を覆い、かつ上記リードの面内方向において上記ＬＥＤチップを離間して囲む反射面を有するケースと、
を備えるＬＥＤモジュールであって、
上記保護樹脂は、上記リードのうち上記ＬＥＤチップが搭載された表面とは反対側の裏面の一部を覆う裏面部を有し、
上記ケースは、上記保護樹脂の上記裏面部を覆っていることを特徴とする、ＬＥＤモジュール。
【請求項１１】
上記保護樹脂には、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている、請求項１０に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項１２】
上記反射面によって囲まれた空間を埋めるとともに、上記ＬＥＤチップからの光によって励起されることにより上記ＬＥＤチップからの光とは異なる波長の光を発する蛍光体が混入されている封止樹脂をさらに備える、請求項１０に記載のＬＥＤモジュール。

【図１】