【課題】構造材のひずみを測定できると共に、構造材に生じる疲労破壊の兆候を事前にかつ的確に予測可能な疲労度検出ひずみゲージを提供する。
【解決手段】構造物の疲労強度を検出するため、ストランド１５１と隣接するストランド１５１とを疲労度検出用折り返しタブ１５２で接続することにより構成される疲労度検出部を複数備えた疲労度検出用ひずみゲージ１００であって、複数の前記ストランド１５１の線幅に対する疲労度検出用折り返しタブ１５２の長さの比をＥＴＲとしたとき、ＥＴＲの等しい疲労度検出部１５０における疲労度検出用折り返しタブ１５２の折り返し数をストランド１５１の両端側においてそれぞれ複数形成して、ストランド１５１と隣接するストランド１５１とを疲労度検出用折り返しタブ１５２で接続することにより構成される疲労度検出部１５０を複数形成した。 （もっと読む）

【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第１、第２埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第１、第２配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第１、第２配線層と電気的に接続され、第１磁性層を含む。第１、第２埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第１、第２配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、より簡易で部品点数の少ない態様で、歪センサを歪計測対象部材に押圧することができる歪センサの取り付け構造の提供を目的とする。
【解決手段】 射出成形機の構成要素である歪計測対象部材に取り付けられる歪センサの取り付け構造において、歪計測対象部材に磁力により吸着されて設けられる磁石を備え、歪センサは、歪計測対象部材の表面と磁石との間に挟まるように設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁極位置の検出を非接触で行うことができ、しかも、コストを低減することができる電磁サスペンションを提供する。
【解決手段】可動子７の永久磁石９の磁極位置を検出する磁極位置検出装置１１を、固定子２に設ける。この磁極位置検出装置１１は、固定子２に取付けられる被検出板１２と、該被検出板１２の先端側に取付けられる磁極位置検出用磁石１３と、被検出板１２の基端側に取付けられる歪センサ１４とにより構成する。歪センサ１４は、磁極位置検出用磁石１３と可動子７の永久磁石９との吸引反発力により生じる被検出板１２の曲げ歪を検出する。これにより、磁極位置検出装置１１は、この曲げ歪に対応する永久磁石９の磁極位置を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】柔軟に屈曲あるいは変形可能でありつつ、曲げあるいは引っ張りによる断線が発生しにくく、断線が発生したとしても応力が解除されることにより導電性を復元させることが可能な配線構造体、センサ、及び前記当該配線構造体の製造方法の提供を目的とした。
【解決手段】センサ１０が備えている配線構造体２０は、ベース層２２、導電層２４、及びカバー層２６を積層させたものである。ベース層２２及びカバー層２６は、柔軟性を有する樹脂素材によって形成されている。また、ベース層２２の表面には、断面形状が波形の凹凸部２８が形成されており、この凹凸部２８の上に導電層２４が積層されている。 （もっと読む）

【課題】歪抵抗薄膜全体としてのＴＣＲ値を低く抑えることが可能であると共に、温度サイクルに対して、比抵抗ρに代表される電気特性が安定で、かつ優れた高温安定性と高いゲージ率とを実現可能な歪抵抗薄膜および当該歪抵抗薄膜を用いたセンサの提供。
【解決手段】積層膜からなる歪抵抗薄膜１０、２０であって、上記積層膜が、クロム薄膜、酸化クロム薄膜または窒化クロム薄膜からなる第一の薄膜１１、２１と、第一の薄膜１１の両主面のうち第一面１１１または第一面２１１と第二面２１２に積層され、薄膜の膜厚を同一としたときのＴＣＲ値［ｐｐｍ・Ｋ^−１］が第一の薄膜より小さい第二の薄膜１２、２２、２３とを少なくとも一層以上有し、上記積層膜を構成する第二の薄膜１２、２２の一つが上記積層膜の表出面Ｓとして表出している歪抵抗薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】ひずみを受感する素子と温度補償素子との接合部の段差に対する応力集中による疲労破断が発生しにくいひずみゲージおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ひずみを受感する素子１１、１２、１３、１４と、温度補償素子１７、１８と、を一体に形成して成るひずみゲージ１０であって、前記温度補償素子１７、１８が、表面にメッキまたは蒸着を施して成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に高感度で抵抗温度係数の大きなひずみゲージ材料を採用した場合においても、温度勾配に起因する熱見かけひずみを低減可能なひずみゲージを提供することである。
【解決手段】主ひずみを受感する素子１１と、副ひずみを受感する素子１２および１３と、で形成されるひずみゲージ１０であって、前記主ひずみを受感する素子１１と一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３とが各々直交する２方向から成り、前記主ひずみを受感する素子１１の左右に一対の前記副ひずみを受感する素子１２および１３を対称に配置し、両側の前記副ひずみを受感する素子１２および１３方向からの熱による見かけひずみを相殺する構成にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】取り付けスペースを小さくでき、局部的な構造物の応力集中部近くでの測定を可能とした疲労度検出ひずみゲージを提供することである。
【解決手段】ゲージ受感部と隣接するゲージ受感部とを折り返しタブで接続して成る疲労度検出ひずみゲージにおいて、前記折り返しタブと前記ゲージ受感部とが繋がる折り返し部の内側形状を連続的に曲率が徐々に変わる曲線形状としたひずみ検出部と、前記ひずみ検出部と直列に接続した導通部と、前記導通部と並列に接続し、疲労度検出用ゲージ受感部と隣接する疲労度検出用ゲージ受感部とを疲労度検出用折り返しタブで接続して成り、前記疲労度検出用折り返しタブと前記疲労度検出用ゲージ受感部とが繋がる疲労度検出用折り返し部の内側形状を曲率が一定の円形状とした疲労度検出部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】繊維強化エラストマーにおける補強繊維の歪みを正確に計測する上で有利な歪み計測構造および歪み計測方法を提供する。
【解決手段】ベルトコード２０は、トレッドゴム１２Ａおよびトッピングゴム２２からなるエラストマーの内部で一定方向に延在している補強繊維である。ベルトコード２０の部分をエラストマーの外方に露出させる孔２４を、エラストマーに形成する。孔２４の底部においてベルトコード２０が露出している部分に、歪みゲージ取着用ベース２６を取着する。歪み取着用ベース２６のヤング率は、エラストマーのヤング率の１０倍以上、ベルトコード２０のヤング率の１／１０以下である。ベルトコード２０と反対側に位置する歪みゲージ取着用ベース２６の箇所に歪みゲージ２８を取着する。孔２４を埋設材料３２で埋設する。歪みゲージ２８によりベルトコードの歪みが計測される。 （もっと読む）

【課題】 ひずみゲージまたは物理量／電気量変換器（以下、「ひずみゲージ等」という）が取り付けられた被測定対象の所定のひずみ量の測定値及びその性質の変化を、該ひずみゲージ等に添着された蛍光剤の発光に変換して視認することができるひずみ量可視化システムを提供すること。
【解決手段】 測定装置２の判断回路２２は、ひずみ測定器２１の出力、即ち、ひずみゲージ１が検知し、ひずみ測定器２１で測定したひずみ量に対応した電気信号により、被測定箇所の物理状態を識別・分類し、該識別・分類結果を示す信号を出力する。測定装置２の光源制御信号発生回路２３は、前述の判断回路２２が識別・分類した測定箇所の物理状態を示す信号に基づいて、光源電源回路３を駆動するための光源制御信号（光源Ａ用及び光源Ｂ用の駆動信号）を出力する。光源電源回路３は、測定装置２からの光源制御信号に基づいて、光源４を制御するための光源用電力を出力する。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物を提供し、かつ、ひずみ特性の優れたひずみゲージを製造すること。
【解決手段】Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｒを主成分とし、Ｍｎ、Ｍｏ及びＳｉを副成分としたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなるアイソエラスティック組成物において、Ｍｎを１ｗｔ％から３ｗｔ％で添加することによって、アイソエラスティック組成物（合金）を作製する。さらに、その合金を、金属加工、熱処理し、優れたひずみ特性を持つひずみゲージを製造する。 （もっと読む）

【課題】 ひずみゲージ素子のみの取付けを様々な種類の起歪体に対して可能にし、汎用性及び取付容易性を高めるとともに、製造及びメンテナンスの容易化及びコストダウンを図る。
【解決手段】 予め、ベースシート３ｓの一面に微粘着性の着脱面３ｆを設けた微粘着シート３と、ひずみゲージ素子材料２ｏをフォトエッチング加工処理によりパターン形成することにより微粘着シート３の着脱面３ｆに設けたひずみゲージ素子２とを備えるひずみゲージ１を用意する。そして、起歪体Ｍへの取付時には、ひずみゲージ１におけるひずみゲージ素子２を接着剤Ｃにより起歪体Ｍに接着し、この後、微粘着シート３を、起歪体Ｍ及びひずみゲージ素子２から離脱する。 （もっと読む）

【課題】 ホットスポット応力を測定するための位置決めおよび貼り付けが容易で、作業性が高く、簡易迅速に且つ適確なホットスポット応力の測定を実現する。
【解決手段】 やや細長い長方形に形成された可撓性を有する合成樹脂等のフィルム状の絶縁体からなるゲージベース１上に金属箔からなるゲージパターン２が形成される。ゲージベース１の長手方向の一端ＬＥから第１の所定距離ＤＡに配置される第１のグリッド部２１（ＧＡ）およびこの第１のグリッド部２１の両端に接続されるゲージタブ２３ａ、２３ｂを有する。さらに、ゲージベース１の長手方向の一端ＬＥから前記長手方向について前記第１の所定距離ＤＡよりも長い第２の所定距離ＤＢに配置される第２のゲージ部ＧＢとしての第２のグリッド部２２およびこの第２のグリッド部２２の両端に接続されるゲージタブ２４ａ、２４ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 試験体の表面に簡単に貼り付けることができ、容易には剥がれず、かつ試験体の正確なひずみを測定することができる方法を提供する。
【解決手段】 本発明の改良土のひずみ測定方法は、試験体１０の表面にパテ材１１を塗布し、その表面上に塗膜を形成する工程と、その塗膜を乾燥させる工程と、試験体１０のひずみを測定するためのひずみゲージ１２を、その塗膜上に貼り付ける工程とを含む。試験体１０に使用される改良土は、その含水比が８５％まで対応可能で、パテ材１１は、０．１ｍｍ程度の厚さに塗布される。 （もっと読む）

【課題】高熱部分に容易に取り付けられるひずみゲージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ひずみゲージ１ａは、ゲージベース２の一表面に薄膜状のひずみ受感部３を備え、同一表面上に、ひずみ検知用延長リード部４を備える。ひずみ検知用延長リード４は、ひずみ受感部３の設置部の外部でひずみ検知用ゲージリードに接続可能な長さを有する。ひずみ受感部３と同一表面上に、温度検知手段２１を備える。ゲージベース２は、ポリイミドフィルムからなる。ひずみゲージ１ａは、ポリイミドよりも熱伝導率の大きなベース材料を備える。製造方法は、支持体１１上にポリイミド樹脂溶液層１２を形成し、その上に金属箔１３を接着する。ポリイミド樹脂溶液層１２を硬化させてポリイミドフィルム１４を形成した後、金属箔１３をエッチングしてひずみ受感部３とひずみ検知用延長リード部４とを形成し、ポリイミドフィルム１４から支持体１１を剥離する。 （もっと読む）

【課題】導電型歪みセンサをデバイスの表面上で形成するための、より簡単な方法を提供する。
【解決手段】本発明は、デバイスの表面における歪みを計測するために、該デバイスの該表面で導電型歪みセンサを形成するための方法であって、ステップ：（ａ）デバイスを準備すること、（ｂ）任意的に該デバイスの表面に絶縁層を設けること、（ｃ）ステップ（ｂ）で得られた該絶縁層の上に第１の金属の粒子の分布を作ること、および（ｄ）ステップ（ｃ）で得られた該第１の金属の粒子の分布の少なくとも一部分の上に、無電解めっき法又は電着法を用いて第２の金属の層を堆積させること、を含む。 （もっと読む）

本発明は、テストサンプルの表面のあるエリアの電気的特性を決定するためのプローブに関するもので、プローブは、テストサンプルに対して所定の向きになるようにしている。プローブは、第１表面を規定する支持本体を備えてもよい。複数のカンチレバーアーム（１２）が、第１表面と同一平面の関係で支持本体から延びてもよい。複数のカンチレバーアーム（１２）は、互いにほぼ平行に延びてもよく、各カンチレバーアーム（１２）は、テストサンプルの表面に対して所定の向きのプローブ運動によって、テストサンプルの該エリアと接触するための導電性チップを含んでもよい。プローブは、運動を行う際、複数のカンチレバーアーム（１２）の何れか１つがテストサンプルの表面と接触する前に、テストサンプルの表面と接触するように配置された、支持本体から延びる接触検出器（１４）をさらに備えてもよい。
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【課題】ゼーベック効果による熱起電力の発生を抑制することができる歪ゲージを提供する。
【解決手段】歪ゲージ１には、２つの接続端１１Ａ，１１Ｂを有し第１の種類の金属で形成された歪ゲージ本体１１が備えられている。２つの接続端１１Ａ，１１Ｂそれぞれには第１の種類の金属と同一種類の金属で形成された２本の第１のリード線１２Ａ，１２Ｂの一方の接続端が接続されてそれぞれ延在している。その２本の第１のリード線１２Ａ，１２Ｂの２つの他方の端どうしを中継端子１００上で接続する。この中継端子１００には、２つの他方の端どうしでは１２Ａ１，１２Ｂ１を伝熱させつつ２つの他方の端１２Ａ１，１２Ｂ１を除く周囲からは熱的に隔離する機能を持たせてあるのでゼーベック効果による熱起電力の発生が抑制される。 （もっと読む）