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Fターム[2G001GA17]の内容

Fターム[2G001GA17]に分類される特許

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【課題】水素吸蔵材料の中性子回折に使用することができる中性子による散乱が無い、若しくは散乱が少ない耐水素性及び耐圧性の中性子回折測定用セル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水素吸蔵材料を中性子回折測定する際の試料として保持するセルであって、中性子散乱の無い金属若しくは中性子散乱の少ない金属の内面に、水素吸蔵性の無い材料又は水素吸蔵性の小さい材料からなる耐水素性の層を設けたことを特徴とする。この耐水素性の層の厚さは、0.1μ〜100μmがより好ましい。 (もっと読む)


【課題】 多量の反応ガスを流しながらX線回折で試料(亜鉛フェライト脱硫剤)の反応過程(炭素析出)をその場で観察する。
【解決手段】 試料を流通する前と流通した後の反応ガスの組成が変化しない状態に試料21を保持する微分反応評価試料保持部15を備え、検証条件を保持した状態でX線回折装置(X線発生手段25、二次元X線検出手段26)により試料21の組成の形態変化をその場で直接解析し、炭素の析出が生じる過程での形態変化を検証する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】層界面領域に達する前に、照射面の層界面領域への近接を検出することが可能な電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料に電子を励起させる励起線を照射し、試料から放出され、第1の層の構成元素に由来する第1の電子の信号強度を測定し、試料から第1の電子とともに放出され、第2の層の構成元素に由来する第2の電子の信号強度であって、前記第2の層が前記試料の表面を形成しているときに測定される運動エネルギーである第1の運動エネルギー(Ek(Si2s)、Ek(Si2p))よりも低い第2の運動エネルギー(Ek(1)、Ek(2)、Ek(3))を有する第2の電子の信号強度を測定し、第2の電子の信号強度の変化度合いが所定のレベルに達したときは、試料の分析条件を変更する。 (もっと読む)


【課題】超伝導X線検出器と、低温初段増幅器と、コリメータとからなる超伝導X線検出装置の先端部分において、該検出器と該コリメータとの位置の粗調整が容易な構造とし、かつ、ボンディング配線を保護できる超伝導X線検出装置およびそれを用いた超伝導X線分析装置を提供する。
【解決手段】超伝導X線検出器の検出部とコリメータの貫通穴との位置を、該検出器と該コリメータの少なくとも外周の一部を位置の基準として製作し、基準とした外周の一部が一致するように該検出器と該コリメータを装着固定する、あるいはセンサーホルダに設けた溝の壁に基準とした外周の一部が接するように装着固定する構造としたものである。 (もっと読む)


【課題】介在物を介して結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも容易に且つ正確に解析できるようにする。
【解決手段】有効範囲設定部122から取得した有効範囲801に基づく3次元の領域内において、インヒビターkに拘束されている固定点ikが属する粒界uの粒界エネルギーEiと、平衡位置wにあるときに解放された固定点ikが属する粒界の粒界エネルギーEi'と、インヒビターkから解放されたときの固定点ikが属する粒界uの粒界エネルギーEi''とを算出する。そして、粒界エネルギーEi'が粒界エネルギーEiよりも小さく、且つ粒界エネルギーEi''と粒界エネルギーEiとの差が障壁エネルギーE0よりも小さい場合に、固定点ikを解放する。 (もっと読む)


【課題】使用時に冷却空気が筐体内に供給されるX線異物検出装置において、筐体内の圧力が上昇せず、内部の熱を効率的に排出でき、清掃時に筐体内へ水分が浸入しないようにする。
【解決手段】X線異物検出装置1では、温度センサ14で検出した筐体3内の温度が所定温度以上である時、制御手段10が制御弁13を開として筐体3内にボルテックスチューブ11で冷却空気を供給し、X線発生手段7を冷却する。同時にアクチュエータ20が作動されて扉16が駆動され、筐体3の排気口15が開放される。筐体内の圧力上昇が抑えられ、排気によって冷却効率が向上する。不使用時にはアクチュエータは作動せず扉が排気口を閉止するので清掃時に内部に水が入ることはない。 (もっと読む)


【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程(ステップ99)と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程(ステップ106)とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し(ステップ90)、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 (もっと読む)


【課題】 解析対象領域の境界線の部分において結晶粒が時間の経過と共にどのように変化するのかを、従来よりも正確に解析できるようにする。
【解決手段】 境界点i21〜i24と隣接する点i25〜i34と、解析対象領域に対して線対称となる仮想点81〜88を設定し、これら境界点i21〜i24と、点i25〜i34と、仮想点81〜88とにより定まる円弧91〜98の曲率(曲率半径Ri(t)の逆数)と、その境界点iが属する粒界uの単位長さ当たりの粒界エネルギーの大きさ(絶対値)γiとの積に基づいて、境界点iの駆動力Fi(t)の大きさを決定する。 (もっと読む)


【課題】被検査物の表面と裏面との温度差を無くしリフロー特性に応じた加熱が可能なX線検査装置を提供する。
【解決手段】X線源と観察エリアとの間の微小間隙部側方から観察エリア上の被検査物上部に熱風を噴出して被検査物を上面側から加熱する第1加熱手段と、観察エリアとX線検出器との間に加熱源が配設され、各加熱源から観察エリアに向けて熱を放射して被検査物を下面側から加熱する第2加熱手段と、被検査物の上面側の温度及び下面側の温度を検出する温度検出手段と、温度プロファイルのデータを記憶する記憶手段と、被検査物の上面側と下面側との検出温度差が無くなるように第1及び第2加熱手段による各加熱量を協調制御しながら温度プロファイルに従って被検査物を昇温させる温度制御手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 加熱炉内に収容されている電子部品などのワークに最も近接した位置でX線照射を行うことで、実際の加熱条件下におけるワークの挙動をリアルタイム且つ詳細に観察することのできる加熱型X線観察装置を提供することである。
【解決手段】 ハンダ付けの対象物であるワーク20を収容して加熱処理を施す加熱炉12と、前記ワーク20にX線を照射してハンダ付けの状態を検査するX線検査ユニット13とを備えた加熱型X線観察装置において、前記X線検査ユニット13は、加熱処理中の加熱炉12内に突出し、先端部のX線ターゲット部40が前記ワーク20の検査部位に近接した位置でX線を照射するX線照射管30を備えた。 (もっと読む)


【課題】磁気ヘッドのリード素子の素子形状を評価する素子評価方法及び装置に関し、同一の評価試料によってリード幅、コア幅及び素子高さを評価しうる素子評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】第1の材料よりなる第1の部分と第2の材料よりなる第2の部分とが積層された第1の領域に電子線を入射し、第1及び第2の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第1の電子線強度を測定し、第1の材料よりなる第2の領域に電子線を入射し、第1の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第2の電子線強度を測定し、第2の材料よりなる第3の領域に電子線を入射し、第2の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第3の電子線強度を測定し、第1の電子線強度と第1の部分の厚さとの関係を、第2の電子線強度と評価試料の厚さとの関係及び第3の電子線強度と評価試料の厚さとの関係から算出することにより、第1の領域の第1の部分の厚さを算出する。 (もっと読む)


【課題】高真空下(10−2Pa以下)にある分析装置内に、正圧(10Pa以上)からガスを精密にかつ安定的に供給し、同一条件を維持し、かつ再現すること共に、所望のガスに短時間で切替えること。
【解決手段】複数の種類のガスをミキシング室で合成し、合成されたガスを導入して減圧ポンプで0.1Paから0.1MPaまでの範囲内の圧力となるまで減圧し、該減圧されたガスをガス切替弁による切替動作によりガス分析装置に導くガス導入装置及び方法。 (もっと読む)


【課題】小角X線散乱と広角X線散乱とを同時に測定できると共に、広角X線散乱の測定精度を向上できる小角広角X線測定装置を提供する。
【解決手段】X線源Fから出たX線を試料Sに照射し試料Sから発生する散乱線を小角度領域内で検出器26によって検出する小角X線光学系と、試料Sと検出器26との間に設けられており試料Sから発生する散乱線を広角度領域内で検出する広角X線光学系7とを有する小角広角X線測定装置である。広角X線光学系7は、試料Sと検出器7との間のX線光路上に設けられており、X線像を可視光像に変換する蛍光体38と、蛍光板38上に形成された可視光像を反射する光反射体42と、光反射体42で反射した可視光像を検出する光検出器47とを有する。X線光路と交わる部分の蛍光体38及び光反射体42のそれぞれにX線用開口39,42が設けられ、その開口39,42は小角度領域の最大角度値を見込む開口径を有する。 (もっと読む)


【課題】タンパク質結晶に損傷を与えることなく、かつ、簡便に、室温およびクライオ条件下でのX線回折実験に適用するためのタンパク質結晶試料の調製方法を提供する。
【解決手段】X線回折測定に適した大きさの結晶の流出を防止する絞り領域を有するキャピラリーを用いて、その内部で結晶化、クライオプロテクタント処理およびX線回折測定による回折データ収集までの一連の工程を行う。 (もっと読む)


【課題】SAXSおよび/またはSAXS−WAXSに適したX線散乱チャンバを提供する。
【解決手段】X線散乱チャンバ12は、X線回折機器内に設置されたハウジング14を有し、このハウジングは、X線源2とX線検出器4の間に配置され、例えばゴニオメータアーム6上に配置される。ハウジング14は、サンプルホルダ16と、ビーム調整光学素子22、24とを有する。このシステムでは、ハウジングの外側に、一次光学素子10が使用されても良い。本機器は、SAXSおよび/またはSAXS−WAXSに適している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、異なる検出器からの映像信号の画像データを遅滞なく表示部に転送することのできるデータ処理装置を提供することことを目的としている。
【解決手段】複数チャネルの信号を検出する検出器1と、これら検出器1のそれぞれの出力を信号処理する信号処理部3と、これら信号処理部3の出力を受けて有効データのみを抽出する有効データ抽出部10と、該有効データ抽出部10の出力を受けて多重化する多重部11と、該多重部11の出力を受けてメモリへの書き込み制御を行なうメモリ制御部16と、該メモリ制御部16の出力を受けて検出データを記憶するメモリ4と、該メモリ4に記憶されている検出データを読み出して出力するデータ出力部5と、該データ出力部5の出力を受けて所定のデータ処理を行なう処理装置17と、該処理装置17の出力を受けて検出データを出力するモニタ8とから構成される。 (もっと読む)


【課題】X線回折の測定結果に悪影響を及ぼすことなく、ヒータの小型化が図れながら試料を加熱する均熱領域を広くできるX線回折装置を提供し、複数の試料に対して同時にX線回折測定が良好に行えるようにする。
【解決手段】試料が配置されるケーシング1と、ケーシング1内に配置された試料にX線を照射するX線照射器2と、試料を透過した回折X線を検出するX線検出器3と、ケーシング1内に配置され、このケーシング1内に配置された試料を加熱するヒータ4とを備える。ヒータ4は、試料に入射するX線(入射X線)の光軸の周りに、試料を囲むように配置する。ヒータ4は、試料を囲む筒状に形成したときは、筒部の中心軸が入射X線の光軸と平行となるように配置する。 (もっと読む)


【課題】酸・アルカリや有機溶剤などの環境下で使用でき,さらに検出部と線源との間に介在する水分による検出精度の低下を生じない放射線応用測定装置及びコンパクトにして放射線源と検出器が簡単に同一光軸上に設置できるような構造を持つ放射線応用測定装置を提供すること。
【解決手段】放射線源部3と該放射線源部3に対向して配置された放射線検出部5との間に検出対象空洞1を挟んで配置し,放射線源部3から放出され検出対象空洞1を通過した放射線を放射線検出部5で検出することにより検出対象空洞内1の検出対象物の特性を計測する放射線応用計測方法において,放射線検出部5と検出対象空洞1との間に,非吸水性で且つ熱伝導度が0.1W/m・K以下,望ましくは0.1W/m・K以下の部材11を介在させて放射線を検出する。 (もっと読む)


【課題】被覆材で被覆された多様な被測定物の腐食を、被覆材を外すことなく非破壊で確実に検査することができる腐食検査方法を提供する。
【解決手段】被覆材により被覆された被検査物の腐食を検査する腐食検査方法である。高速中性子を放出する中性子線源により被覆材表面から高速中性子を注入し、熱中性子を検出する熱中性子検出器により被覆材表面から放出された熱中性子を計数して熱中性子計数値を測定する。その後、基準の熱中性子計数値に対する熱中性子計数値の計数値比を求める。その後、計数値比が所定のしきい値よりも高い場合には、被覆材に被覆された被検査物に腐食があると判断する。 (もっと読む)


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