【課題】効率的に、分析誤差の少ない分析試料を作製可能な分析試料作製方法を提供する。
【解決手段】研磨シート２０により、試料１０を研磨して研磨シート２０の凹部に研磨痕２０ａを付着させ、研磨痕２０ａ部分の研磨機能が喪失した時点における研磨痕２０ａの平均厚を求め、研磨シート２０により、試料１０と同材料である試料（図１では同一の試料１０としている）の分析対象層１０−３を研磨し、研磨シート２０の凹部に研磨痕２０ｂを付着させる。研磨痕２０ｂの面積は平均厚に基づいて求める。 （もっと読む）

【課題】液体試料を前処理して含有成分を蛍光Ｘ線分析するために用いられる蛍光Ｘ線分析用試料保持具ならびにそれを用いる蛍光Ｘ線分析方法および装置において、蛍光Ｘ線分析用試料保持具からの不純線をなくし、バックグラウンドを抑制して検出限界を向上させるとともに分析精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明の蛍光Ｘ線分析用試料保持具１は、液体試料Ｓを前処理して含有成分Ｓ１を蛍光Ｘ線分析するために用いられる蛍光Ｘ線分析用試料保持具１であって、輪状の台座２と、台座２に所定の張力で保持される周辺部３ａおよびＸ線を透過させるための透過部３ｂを有する厚さ１２μｍ以下の熱収縮性フィルム３とを備え、透過部３ｂに窪み３ｃが形成されており、透過部の窪み３ｃに液体試料Ｓが滴下されて乾燥されることにより、透過部３ｂが平坦になるとともに、含有成分Ｓ１を保持する。 （もっと読む）

【課題】少なくともＳｎとＧｅとを含有する合金の組成を、迅速かつ精度よく分析することができる、合金の組成分析方法及び組成分析装置を提供する。
【解決手段】この合金の組成分析装置１は、所定量の合金を無機酸で処理して、溶液部分と、Ｇｅ沈殿部分とに分離させる分離させる分離手段１２と、前記溶液部分及び前記Ｇｅ沈殿部分を、それぞれ組成分析する分析手段１５と、前記分離手段及び前記分析手段によって組成分析がなされた標準試料に基づいて、分析すべき分析試料の組成分析を、蛍光Ｘ線分析装置を用いて行う試料分析手段２０とを有している。 （もっと読む）

【課題】従来よりも少量の試料でも、正確に元素の種類及び濃度を測定することができる材料分析装置、材料分析方法を提供する。
【解決手段】外力により形状変化が可能な試料３を構成する元素の種類及び濃度を測定するＸＲＦ装置１００であって、試料３が収容される試料フォルダ４と、試料フォルダ４に収容された試料３を圧縮する押圧部材４１と、押圧部材４１によって圧縮された試料３に、試料フォルダ４を介して１次Ｘ線２０を照射するＸ線出射装置１と、１次Ｘ線２０の照射により、試料３から発生する元素特有の２次Ｘ線２１を検出するＸ線検出器５と、Ｘ線検出器５により検出された２次Ｘ線２１から、試料３を構成する元素の種類及び濃度を検出する元素検出部１０と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リアルタイムに材料を識別することを解決し、二重階調融合とカラー化などのアルゴリズムを利用して材料区分及び階調情報可視化することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る物質識別方法は、高エネルギー放射線と低エネルギー放射線とで被検体を透過させて、各画素の値が高エネルギー放射線の被検体の該当部分に対する高エネルギー透明度を示す被検体の高エネルギー透過画像と、各画素の値が低エネルギー放射線が被検体の該当部分に対する低エネルギー透明度を示す被検体の低エネルギー透過画像とを取得するステップと、各画素ごとに、高エネルギー透明度の第１の関数の値と高エネルギー透明度及び低エネルギー透明度の第２の関数の値を算出するステップと、第１の関数の値及び第2の関数の値によって特定される位置を、予め作成した分類曲線で分類し、各画素に対応する被検体の該当部分の物質のタイプを識別するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】対象とする部材の近傍又は下方に測定の邪魔となる物質（妨害物質）が存在していても、対象とする部材に含まれる元素を精度よく分析できる蛍光Ｘ線分析方法及びその蛍光Ｘ線分析方法を実現する蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】例えばチップ抵抗の電極部の錫めっき膜（はんだ）中のＰｂ含有量を測定する場合、直径が１０〜１００μｍのＸ線ビームを走査してチップ抵抗に含まれるＳｎ、Ａｇ及びＳｉの分布を検出する。Ｓｎの分布は錫めっき膜の存在エリアを示し、Ａｇの分布はＳｎめっき膜の下層に設けられた鉛ガラス含有Ａｇ膜からなる下地膜の存在エリアを示し、Ｓｉの分布は電極に隣接して抵抗体を覆う鉛ガラスからなる保護膜の存在エリアを示している。これらの分布状態を示す画像からＳｎのみが存在する最適測定点を抽出し、その最適測定点にＸ線ビームを照射してＳｎめっき膜中のＰｂ含有量を測定する。 （もっと読む）

【課題】両眼立体視・マルチエネルギー透過画像を用いて材料を識別する方法を提供する。
【解決手段】両眼立体視・マルチエネルギー透過画像を用いて、放射線方向に重なっている物体に対して、その中で放射線吸収の主要成分である障害物を剥離し、本来放射線吸収の副次成分であるため明らかでなかった物体を明らかになるようにし、その材料属性（例えば有機物、混合物、金属等）が識別できる。本発明の方法によれば、放射線方向における非主要成分に対して材料識別ができ、これはコンテナに遮られている爆発物、麻薬等その他の有害物を自動識別することの基礎となる。 （もっと読む）

【課題】廃棄物における特定の材質部分を迅速かつ分かり易く表示することにより、密閉装置内で行わなければならない有害廃棄物の弁別処理を迅速かつ正確に行うことができるようにする。
【解決手段】被検体に放射線を照射し、透視画像データを撮影する工程と、被検体容器の個体ナンバーと撮影方向とを特定する工程と、前記被検体から除去すべき材質部分を透視画像データより自動的に認識する工程と、前記被検体の撮影方向と測定結果とを同時に保存する工程と、前記被検体の個体ナンバーに対応する測定結果を適宜呼び出し、参照しながら前記被検体を分解処理する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】有害物質の含有量調査において目的とする有害物質の存在が確認できなかった場合でも、その含有量が規制値・管理値を超えている可能性があるか否かを分かり易く提示する。
【解決手段】目的元素が入力設定されると（Ｓ１）、各目的元素の特性Ｘ線位置におけるバックグラウンド強度から理論計算により検出下限が算出される（Ｓ１１〜Ｓ１４）。一方、蛍光Ｘ線スペクトルに対するピークサーチ処理から得られるピーク位置、ピーク強度に基づいて含有元素が同定され（Ｓ５）同定された元素が定量される（Ｓ６）。目的元素が同定されなかった場合（Ｓ７でＮ）、理論計算により求められた該当元素の検出下限が呼び出され（Ｓ８）、元素と定量値（又は検出下限）とが対応付けて表示される（Ｓ９）。これにより、存在が確認されなかった元素についての検出下限が規制値・管理値を超えているか否かを容易に確認することができる。 （もっと読む）

【課題】非破壊検査による高温用金属製品のコーティング劣化度判定方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎｉ基合金等の耐熱性合金基材の上にエムクラリー（ＭＣｒＡｌＹ）等の金属系コーティング（コーティング）を備えた高温用金属製品（実機）のコーティングの劣化度を非破壊検査の結果を利用して判定する方法。耐熱性合金基材から前記コーティングへ拡散したＭｏ等の特定元素の含有率を、蛍光エックス線分析計により測定し、当該結果を利用して、実機のコーティング劣化度を判定する。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ線分析装置による半導体封止樹脂中の有害元素管理方法において、誤差の少ない測定方法を用いて管理を行なう。
【解決手段】 本発明は、半導体封止樹脂中の有害元素管理方法であって、蛍光Ｘ線分析装置により定性分析を行ない含有判定する工程と、試料の上下面を一致させてＸ線照射面全体に試料を並べる試料準備工程と、試料の一方面およびその対向面を蛍光Ｘ線分析装置により測定し定量分析を行なう工程と、前記定量分析工程から得られた２つのデータのうち共存元素の影響が少ない方の定量結果を用いて閾値判定をする工程、を有することを特徴とする有害元素管理方法である。この方法によれば、半導体製品の封止樹脂中の有害元素を精度よく測定・管理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 大気中の浮遊粒子状物質を構成する元素種類を連続自動的に分析する装置を提供する。
【解決手段】 分級器２によって粒径２．５μｍを超える粗大粒子ＣＰの全量を含む空気と、ＰＭ２．５以下の微小粒子ＦＰを含む空気とに分級し、分級された空気中の浮遊粒子状物質をフィルタ３の第１および第２の位置３ａ，３ｂに捕集する。これらを各別に蛍光Ｘ線分析器１３によって元素分析する。 （もっと読む）

【課題】固液界面の注目対象である特定元素(イオン)の構造もしくはその周辺の局所構造を容易に解析することができる評価方法と評価装置を提供する。
【解決手段】注目対象が含有される液体試料Sに対して、注目対象（Ｘ線の吸収原子）とは異なる材料からなる電極4を接触させる。この電極界面の液体試料SにＸ線エネルギーを変えながらＸ線を照射し、電極4近傍の注目対象にＸ線を吸収させて注目対象から電子を放出させ、その電子の放出に伴って電極4に生じる電気量を測定する。このＸ線エネルギーと電気量との関係から電極界面における注目対象またはその周囲の構造情報を解析する。 （もっと読む）

Ｘ線蛍光（ＸＲＦ）分光計は、結合現象を検出し、化学物質と受容体の間の結合選択性を測定するために使用されてきた。ＸＲＦは、化学物質の治療指数を推測するために、化学物質対化学物質類縁体の結合選択性を推測するために、タンパク質の翻訳後修飾を測定するために、及び薬物の製造のためにも使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、蛍光X線分析(XRF)装置に関する。
【解決手段】 XRF装置は、アナライザ結晶(6)とシリコンドリフト検出器(34)の両方を用いる。この組み合わせを利用することにより、バックグラウンド及びピークの重なりに関する問題を緩和することができる。 （もっと読む）

ミューオン等の粒子を検出する技術、装置及びシステムを提供する。一具体例では、監視システムは、複数のドリフトセルを有する宇宙線生成荷電粒子追跡器を備える。ドリフトセル、例えば、アルミニウムドリフトチューブは、走査される容積体の少なくとも上方及び下方に配置でき、これにより、宇宙線生成ミューオン等の入射及び出射荷電粒子を追跡すると共に、ガンマ線を検出する。システムは、容積体を通過する荷電粒子の多重散乱から、容積体に収容されている装置又は物質、例えば、鉄、鉛、金及び／又はタングステン等を選択的に検出でき、及び容積体に収容されている放射線源から放射されたガンマ線から、容積体に収容されている放射線源も検出できる。必要であれば、ドリフトチューブを密封し、ガスハンドリングシステムの必要性をなくしてもよい。このシステムは、国境検問所において、核脅威物体について、荷物を積んだ乗物を検査するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の元素分析を行うのに際し、金属母材上に形成されためっき膜のみを分離するのに適した方法を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき膜の分離方法においては、表面の一部にめっき膜が形成された金属母材を所定の溶解液に浸漬し、上記金属母材を溶解除去する工程（Ｓ４）を有する。
【効果】本分析方法によれば、めっき膜のみに由来する含有元素濃度の直接測定が可能になるので、鉛などの微量の含有物質濃度についても高い精度で測定することができる。 （もっと読む）

【課題】ハンドヘルドのＸ線蛍光測定装置からのＸ線の漏れを防止する。
【解決手段】本発明は、テスト材料の元素の組成を測定するための測定装置であって、テスト材料の被照射領域を照射するための透過放射線源と、テスト材料による蛍光放射線を検出し、検出信号を発生するための検出器と、検出信号を、テスト材料の組成の特徴を定めるスペクトルに変換するためのコントローラと、テスト材料の表面に実質的に平行な方向の、被照射領域からのラジアル距離と共に厚さが減少することを特徴とする減衰材料のプラテンと、を備える。テスト材料の被照射表面に隣接し、この照射表面から外側に延びると共に、この表面を囲むように、減衰材料のプラテンが延びている。所定の実施形態では、テスト材料の中心被照射領域からのラジアル距離が増加するにつれ、減衰プラテンの厚さが薄くなるように減衰プラテンにはテーパが付けられている。 （もっと読む）

手持ち型自蔵式蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析装置（２００）が、ミリメートルサイズの特性寸法の試料（６０４）領域の元素組成を問い合わせるために試料（６０４）上に小さなＸ線スポットを生じさせる。分析装置（２００）は、Ｘ線ビーム（３０４）を試料（６０４）上の所望の場所に向かって照準合わせするＸ線源を有する。分析装置（２００）は、分析装置（２００）を照準合わせしやすいようＸ線スポットによって問い合わせされる又は問い合わせされそうである試料（６０４）の部分の方へ差し向けられたディジタルカメラ（３１６）を有するのが良い。分析装置は、Ｘ線ビーム（３０４）によって照明される又は照明されそうである試料（６０４）の部分を指示するよう表示画像中にレチクル（９０８，９１０）を発生させるのが良い。分析装置（２００）は、スポットと検出器（３１４）との間の光路に沿って位置決めされた検出器用コリメータ（１２００）を有するのが良い。分析装置（２００）は、ビーム（３０４）及び応答信号（３１２）が通過するチャンバと、パージガスをチャンバに提供するためのパージガスタンク（２５０２）の端部を受け入れる継手とを有するのが良い。分析装置（２００）は、チャンバ内に存在している周囲ガスの量を検出するよう動作するセンサを有するのが良い。分析装置（２００）内におけるレチクルの存在場所を較正する較正用標的（２２００）及び方法（２３００〜２３０８）が提供される。 （もっと読む）

【課題】導体ウェハ収納容器内の付着物を十分に回収することができ、かつ気泡の影響を受けずに高精度に半導体ウェハ収納パーティクルの測定を行うことのできる半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法は、半導体ウェハ収納容器内に液体を注入して前記半導体ウェハ収納容器を撹拌し、容器内付着物を液体中に回収する手順Ｓ３と、付着物が回収された回収液体中に最終洗浄を行った半導体ウェハを浸漬する手順Ｓ４と、浸漬された半導体ウェハの表面を上向きにして一定時間静置し、前記回収液体中の付着物を前記半導体ウェハ表面に転写させる手順Ｓ５と、前記付着物が転写された半導体ウェハを乾燥させる手順Ｓ６と、乾燥した半導体ウェハ表面の前記付着物を、ウェハ用パーティクル測定装置にて測定する手順Ｓ７とを実施する。 （もっと読む）