【課題】例えば排気ガスの流れるボイラー煙道のような劣悪な環境に設置されても長期間に亘って安定した出力特性を得ることができるガスセンサチップ及びこれを備えたガスセンサを提供する。
【解決手段】被測定ガスに接触する触媒担体が伝熱体１１３の一方の側に配置され、伝熱体の他方の側であって被測定ガスに接触しない領域に温度検出部１２０が配置され、かつ伝熱体を介して触媒担体の温度に対応する温度を温度検出部が測定するようになったバックサイド構造を有することで、温度検出部が被測定ガスによる悪影響を受けずに長期に亘る流量の検出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】上部及び下部基板上に金属ナノワイヤを形成し、前記金属ナノワイヤを用いて上／下部基板を整列した後、これらを接着することで、３次元金属ナノワイヤ電極を含むバイオセンサを製作する方法、前記方法により製作されたバイオセンサ及び前記バイオセンサを用いてバイオ分子を検出するためのバイオディスクシステムを提供する。
【解決手段】本発明のバイオセンサは、下部面に複数の金属ナノワイヤが形成され、バイオ分子が含まれているサンプルが注入される注入口を備える上部基板と、上部面に複数の金属ナノワイヤが形成された下部基板と、前記上部及び下部基板が離間するように支持して一定間隔のナノチャネルを形成する支持部とを含み、前記上部及び下部基板に形成された金属ナノワイヤが３次元金属ナノワイヤ電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】燃料ガスと不完全燃焼ガスとを、メタンガスセンサと不完全燃焼ガスセンサとを用い、燃料ガスセンサと不完全燃焼ガスセンサとを有効に活用できるガス検知装置を提供する。
【解決手段】ＣＯガスセンサ２が故障の場合には、メタンガスセンサ１がメタンガス検知に適した状態に達するタイミングでメタンガス検知値を取得するとともにＣＯガス検知に適した状態に達するタイミングでガス検知値をＣＯガス検知値として燃料ガス検知値取得部４４ａに取得させる第１検知制御部４３ａと、メタンガスセンサが故障の場合には、ＣＯガスセンサがＣＯガス検知に適した状態に達するタイミングでＣＯガス検知値を取得するとともにメタンガス検知に適した状態に達するタイミングでガス検知値をメタンガス検知値として不完全燃焼ガス検知値取得部４２ｂに取得させる第２検知制御部４３ｂとからなるガス検知装置。 （もっと読む）

【課題】ガス検出素子のリード線と基台のステーとの接続部に絶縁皮膜を形成すること
【解決手段】リード線５を介してガス感応部４２に通電してジュール熱により昇温させてガスを検出するガス検出素子４と、リード線５を介してガス感応部４２に通電するとともにガス検出素子４を固定する導電性のステー３を備えた基台２とからなるガス検出器の製造方法において、ガス検出器１を高分子蒸気を含有する環境に収容して高分子の薄膜１０を形成する工程と、リード線５を介してガス感応部４２に通電してガス感応部４２を高分子の薄膜が気化、または分解する程度に加熱する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実際に試掘を行うことなく、土壌中に埋設される鋼材の劣化状況を診断することのできる鋼材の診断方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る鋼材の診断方法は、一部がコンクリートで覆われ且つ他部が土壌に接触する状態で土壌中に埋設される鋼材の診断方法であって、少なくとも前記鋼材の対地電位と土壌の比抵抗とを測定し、前記鋼材に発生し得る孔食の孔食深さと鋼材の対地電位と土壌の比抵抗と鋼材の埋設期間との間の相関関係を示す推定関数に基づいて、孔食深さの推定値を求め、該孔食深さの推定値を用いて、孔食発生箇所における鋼材の腐食断面積を求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】細胞中のイオンチャンネル活性測定用基板型バッチクランプ素子とその形成方法を提供する。
【解決手段】実質的平面ＳＯＩ基板に極細孔を貫通させ、その極細孔の入り口付近に細胞膜を配置し、細胞膜と極細孔および導電性液を介して電極を設け、その電極間の電流を取り出せる平面基板型パッチクランプ素子の提供により、細胞膜中のイオンチャンネルタンパク質の活性度を高い応答性をもって測定できる。 （もっと読む）

【課題】流電陽極方式によってカソード防食されている構造物のカソード防食状況を把握する上で、交流誘導の影響下で流電陽極が所要防食電流を満足する機能を有しているか否か、及び流電陽極が十分な交流誘導低減効果を有するか否かを確認する。
【解決手段】流電陽極と金属構造物間に接続された電線に流れる電流を計測する電流計測手段１１と、電流計測手段１１で計測された計測値を演算処理する演算処理手段１２とを備え、演算処理手段１２が、計測値抽出手段１２Ａ、直流電流密度算出手段１２Ｂ、交流電流密度算出手段１２Ｃ、商用周波数同定手段１２Ｄ、カソード防食状況評価手段１２Ｅを備え、商用周波数同定手段１２Ｄで、単位計測時間を周期とする正弦波であることが確認された場合に、カソード防食状況評価手段１２Ｅで、交流電流密度の計測期間内最大値が、交流誘導によって流電陽極２に機能低下が生じることを基準に設定された基準値を超えているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】濃度０の場合に出力が０となる有機電界効果トランジスタを用いたガスセンサ。
【解決手段】１．Ａの有機電界効果トランジスタ１００は、導電性基板１０表面に絶縁膜２０を形成する。この絶縁膜２０の表面２０ｓを、疎水化処理をしたものと、しないものとで１組とする、或いは親水化処理をしたものと、しないものとで１組とする。その上にチャネル形成層である有機半導体層３０を形成する。導電性基板１０裏面にはゲート電極４０ｇを形成し、有機半導体表面には、チャネル長を空けてソース電極４０ｓとドレイン電極４０ｄが形成される。１組とした２つの有機電界効果トランジスタ１００の、ガス濃度０の時の出力を、等しくなるように増幅調整した上で、差分をとれば、ガス濃度０の場合に出力が０となる構成とできる。 （もっと読む）

【課題】課題は、微量な液体であっても、また液体流路からセンサ１２が離れた場所に設置しても、液体の侵入が検出できる腐食センサ２を提供することである。
【解決手段】腐食センサ２は、センサ１２と、このセンサ１２に液体を導く収集材１３とを備える。そして、収集材１３は、液体を吸水して、毛細管現象によりセンサに導く。これにより、腐食センサ２は、この腐食センサ２のセンサ１２を液体の流路から離れた場所に設置しても、微量な液体が検出できる。 （もっと読む）

【課題】異種の酸化物ナノ結晶粒子からなる環境ガスセンサー用複合酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る環境ガスセンサー用ナノ結晶複合酸化物薄膜は、互いに独立された結晶相を有する異種の酸化物ナノ結晶粒子からなる複合酸化物薄膜とこれを利用した環境有害ガス検知のための静電容量型ガスセンサを提供する。前記酸化物は、ＡＢＯ３型ペロブスカイト酸化物、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯ，ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＣｏＯ２、Ｉｎ２Ｏ３，ＷＯ３，ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｌａ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ２，ＰｂＯ，ＺｒＯ２，Ｆｅ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｖｏ２，Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｏ３Ｏ４及びＡｌ２Ｏ３よりなる群から少なくとも2種類以上が選択され、酸化物ナノ結晶粒子は、直径が１ｎｍ及至１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い感度を有する水素ガスセンサを提供すること。
【解決手段】本発明の水素ガスセンサ１００は、多孔形状熱電材料からなる熱電材料部２、熱電材料部２上に設けられた一対の電極４ａ、４ｂ、及び熱電材料部２上に一対の電極４ａ、４ｂのうちの一方の電極４ａ側に偏在して設けられ、水素による反応を触媒する触媒部６を有するセンサ部１０と、一対の電極４ａ、４ｂ間に発生した電圧を測定する電圧測定部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安定して高精度な測定を実現できる細胞の電気生理現象の測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】貫通孔５を有した薄板３とこれを保持する枠体４とからなるセンサチップ２を、開口部を有した基板１の開口部の内部に固着した細胞電気生理センサと、このセンサチップ２のキャビティ６の内部に測定液１２を充填する分注手段とからなる細胞の電気生理現象の測定装置であって、分注手段として液滴１２ａをキャビティ６の内部に飛滴させる非接触式ジェットディスペンサのヘッド部８を配置するとともに、可動機構を設けた構成とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体トランスデューサー、及び電子供与体又は電子受容体種を検出するためのセンサーにおけるその使用に関する。このトランスデューサーは、絶縁性基材の表面上に２つの電極及び半導体感応素子が設けられて成る。前記感応素子は、導電性がＣ_１である半導体分子材料Ｍ１の層及び導電性がＣ_２であり且つ禁止帯の幅Ｅ_ｇ２が１ｅＶ未満である半導体分子材料Ｍ２の層から成る。材料Ｍ１の層は、電極に接続される。材料Ｍ２の層は、材料Ｍ１の層上に積層され、電極に接続されない。前記の導電性は、Ｃ_２／Ｃ_１≧１となるものである。
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【課題】過剰なエネルギー消費を防止すると共に、装置構成の複雑化および大型化を防止しつつ、ガスセンサの破損、劣化、検出精度の低下を防止する。
【解決手段】制御器１０は、上流側状態センサ４１により検出されるガスセンサ１５よりも上流側での被検出ガスの湿度（湿度検出値）が所定のヒステリシスを有する閾湿度ＨＹ（Ｌ／Ｈ）以上であるか否かの判定結果に応じてヒータ３６への通電の開始および停止を制御し、ヒータ３６への通電の実行時には、状態センサ３７により検出されるガス検出室２６内の検出室内温度が上流側状態センサ４１により検出されるガスセンサ１５よりも上流側での被検出ガスの上流ガス温度よりも所定温度（例えば、０℃以上かつ５℃以下の所定温度）以上高くなるようにして、ヒータ３６の動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】導電性層の検知ユニットからの漏れを防止することができるとともに、導電性層が検知ユニットにおいて均一な厚みで形成されることにより、物質を優れた精度で検知することのできる、物質検知センサを提供すること。
【解決手段】ベース絶縁層２を形成し、ベース絶縁層２の上に、１対の配線６からなる導体パターン８を形成し、ベース絶縁層２の上に、導体パターン８の一部を露出する開口部１４を有するカバー絶縁層９を形成する。そして、開口部１４から露出する部分が検知ユニット３として形成される。検知ユニット３では、開口部１４の内側端縁から形成される堰部分４により区画され、導電性層７が充填されている。この検知ユニット３では、堰部分４によって導電性層７の漏れが防止され、導電性層７が均一な厚みで形成される。 （もっと読む）

【課題】水ストレス下にある植物体が示す低蒸散状態での変化を精度よく連続的にモニタリングする蒸散量計測装置を提供する。
【解決手段】蒸散量計測装置は、水分の存在に対して電子特性を変化させる半導体材料が付着した多孔質材料の一表面に対向電極を形成し、電極間に電圧を印加した状態で電極面とは反対側から蒸散する水蒸気を透過させることで、蒸散する水蒸気量の時間的変化を電極間電流値の変化として示す蒸散水蒸気量センサ素子と、対向電極に電圧を印加し電流の計測を行なう測定信号変換回路と、信号処理回路から構成する。 （もっと読む）

【課題】静電容量式水分センサを構成する電極パターンの上面に液状の樹脂を塗布して絶縁被膜を形成する従来の方法では、絶縁被膜の膜厚を均一とするのは困難であり、感度にバラツキを生じてしまう等の課題がある。
【解決手段】そこで、本発明では、化学変化により形成された絶縁被膜３を有する２系統の検出用導体２ａ，２ｂが、化学変化により形成された絶縁被膜を有する夫々の系統の保持用導体１ａ，１ｂに電気的及び機械的に接合されると共に、他系統の保持用導体に絶縁被膜を介して機械的に接合されている静電容量式水分センサを提案する。 （もっと読む）

【課題】担体粒子のパールチェーン化によって生物学的特異的反応を促進することにより、生物学的特異的反応性物質の存在を検出または測定する装置、および測定方法において、パールチェーン化による熱発生を抑制して、試料溶液の蒸発を抑制することを目的とする。
【解決手段】前記担体粒子と生物学的特異的凝集反応しうる生物学的特異的反応物質の存在を、検出または測定する装置であって、電極対および前記電極対の間に配置された反応場を有する基体と、前記電極対に交流電圧を印加する電圧印加手段と、前記交流電圧によって前記反応場に印加される交流電界によりパールチェーン化する、前記反応場に配置された担体粒子とを有する。前記電圧印加手段が、少なくとも２つ以上の互いに異なる大きさの振幅の交流電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で狭いところでも装着できるセンサ、太陽電池等の電気素子と、該電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態のものを塗布することにより、半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６を巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡に蒸着によりアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】過剰なエネルギー消費を防止すると共に、装置構成の複雑化および大型化を防止しつつ、ガスセンサの破損、劣化、検出精度の低下を防止する。
【解決手段】制御器１０は、ガスセンサ１５への電力供給の開始時刻から、状態センサ３７により検出されるガス検出室２６内の温度（センサ周辺部温度Ｔｓ）が予め設定された目標温度に到達する時刻に亘る期間において、センサ周辺部温度Ｔｓに基づきヒータ３６の動作を制御する第１制御モードと、センサ周辺部温度Ｔｓが目標温度に到達した以後、センサ周辺部温度Ｔｓ、および、温度センサ４１により検出されるガスセンサ１５よりも上流側での被検出ガスの温度（上流ガス温度Ｔｇ）に基づき、センサ周辺部温度Ｔｓが上流ガス温度Ｔｇよりも所定温度（例えば、０℃以上かつ５℃以下の所定温度）以上高くなるようにして、ヒータ３６の動作を制御する第２制御モードとを、順次実行する。 （もっと読む）