【課題】金属層の下方に配置されたレジストが、種々の要因によって劣化する。
【解決手段】半導体装置形成方法は、基板上に、第１波長の光で感光する下層レジストおよび第１波長と異なる第２波長の光で感光する上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する段階と、第２波長の光によるフォトリソグラフィを用いて、上層レジストにパターンを形成する段階と、上層レジストのパターンを用いて金属層のパターンを形成する段階と、第１波長の光を金属層のパターンに照射して、近接場光を発生させることにより、金属層のパターンよりも微細なパターンを下層レジストに形成する段階と、下層レジストのパターンを基板上に転写する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト２の上に被パターニング膜３を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜３のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト２を露出させるようする。そして、レジスト２を除去することで、レジスト２の上の被パターニング膜３をリフトオフさせ、被パターニング膜３をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト２の側面において被パターニング膜３が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト２を露出させることができる。このため、レジスト２の側面での被パターニング膜３の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。 （もっと読む）

【課題】Ｔ−ゲート構造物の改良された形成法の提供。
【解決手段】ａ）基板を提供する工程、ｂ）基板上に平坦化層を配置する工程、ｃ）ＵＶ感受性第一フォトレジストの層を配置する工程、ｄ）マスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第一フォトレジストをパターン化して、Ｔ−ゲートの底部用の第一開口を規定する工程、ｅ）パターンを平坦化層に転写する工程、ｆ）このパターンをＵＶ放射線に対して非感受性にする工程、ｇ）ＵＶ感受性第二フォトレジストの層を配置する工程、ｈ）第二フォトレジストをマスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第二フォトレジストをパターン化して、第一開口の上のＴ−ゲートのキャップ用の第二開口を規定する工程、ｉ）第一開口および第二開口内に導電性材料を堆積してＴ−ゲートを形成する工程、を含む方法。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤、（Ｃ）アルカリ可溶性セルロース樹脂、（Ｄ）式量１８０〜８００である芳香族ヒドロキシ化合物を含有し、アルカリ可溶性セルロース樹脂（Ｃ）の含有量がアルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対して３〜３０質量部であることを特徴とするポジ型リフトオフレジスト組成物。
【効果】本発明のポジ型リフトオフレジスト組成物は、良好な保存安定性を有し、高感度で、現像後の残膜率（＝現像後膜厚／ソフトベーク後膜厚）が９５％以上で、切れ込みが大きいリフトオフ形状を得るために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを短縮し、所望の回路パターンを形成することが可能な半導体回路パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に被エッチング膜を形成し、この被エッチング膜上に現像液溶解性膜を形成する。次に、現像液溶解性膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。さらに、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像する。この工程では、フォトレジストパターンの下側の現像液溶解性膜を、アンダーカット状の残存部分を残すように溶解させる。次に、フォトレジスト膜を覆うように耐エッチング膜を形成したのち、フォトレジスト膜を除去することにより、被エッチング膜上に、フォトレジスト膜の開口部に対応する耐エッチング膜のパターンを形成するリフトオフ工程を行う。その後、現像液溶解性膜と耐エッチング膜とをマスクとして、被エッチング膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】蒸着温度が高い場合であってもリフトオフプロセスにおいて十分に剥離することのできるフォトレジストを用いた３Ｍａｓｋ方式の表示素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にアルカリ可溶性樹脂（Ａ）、感放射線性化合物（Ｂ）、酸化防止剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含むフォトレジストによりレジストパターンを形成する工程（ａ）と、前記工程（ａ）で得られたレジストパターンが形成された基板に対して金属を物理蒸着する工程（ｂ）と、前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に蒸着した金属を除去するリフトオフ工程（ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】レジストにも一様に蒸着材料が付着する成膜プロセスにおいても、容易にリフトオフを可能にする。
【解決手段】Ｄｅｅｐ−ＵＶ光に感光性を有するＰＭＧＩをレジスト１として用い、成膜後にＤｅｅｐ−ＵＶ光をレジスト１に全面露光を行う。これにより、レジスト１自体が変質するので、レジスト１の側壁に蒸着材料が吸着する場合でもリフトオフが容易となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法及びこの方法の使用の提供。
【解決手段】ベース層３上に、第１処理ステップにてフォトレジストを適用。第２処理ステップにて、予め定められたマスキング露光１３をフォトレジスト層９に施す。第３処理ステップにて、フォトレジスト層９の一部を現像除去し、犠牲層領域２５を有する初期表面パターンを得る。第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。第５処理ステップにて、犠牲層領域２５を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。第６処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット３３を作用させ、それにて犠牲層領域２５を覆うコーティング２９の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を不活性ガスによりエッチングする際に残渣なく加工する方法を提供する。
【解決手段】難エッチング性の金属薄膜２上に、断面形状がハンマーヘッド型となるようにレジスト４を形成した後に前記金属薄膜をドライエッチングし、その後前記レジストを除去する。前記ハンマーヘッド型の断面形状を有するレジストパターンは、現像液に対する溶解速度が異なる２種類のレジストを積層塗布して露光・現像することによって得る。 （もっと読む）

【課題】 高いアスペクト比の微細パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機レジスト膜２を形成する。無機レジスト膜の所定の領域にレーザ光を照射して非晶質状態から結晶状態に変化させる。結晶状態となった領域の無機レジスト膜を除去する。基板上に第１の金属膜を形成すると共に無機レジスト膜上に第１の金属膜とは分離した第２の金属膜を形成する。その後、無機レジスト膜を第２の金属膜と共に除去する。第１の金属膜をマスクとして基板１をエッチングすることによって基板１に高いアスペクト比の凹部９を形成する。 （もっと読む）

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないネガ型感光性組成物を提供する。また、本発明は、該ネガ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）と、光重合開始剤（Ｂ）とを含有するネガ型感光性組成物であって、前記非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）は、特定の構造単位を有する樹脂であり、（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、２．３〜６．０であるネガ型感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】両面マスクの作製方法において、予め作製した表面パターンに損傷を与えず、位置ずれが生じた場合には、容易にやり直しが可能な両面マスクの作製方法を提供する。
【解決手段】透明基板の表裏両面に異なるパターンを有するフォトマスクの作製方法であって、透明基板の一主面上に遮光膜よりなる表面パターンを形成し、透明基板の他方の主面上にレジスト膜よりなる裏面アライメントマークを形成し、表裏のアライメントマークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフし、裏面アライメントマークを形成し、前記透明基板の裏面全面に再びレジスト膜を形成し、前記計測したずれ量分を補正してパターン描画し、再度表裏のアライメント用マークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフして、前記遮光膜よりなる裏面パターンを形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜エッチング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 紫外光でフォトマスクを介して基板上の光学樹脂層について露光を行い、そして焙焼プロセスを通じてすでに露光された光学樹脂層を気化させ、また露光していない部分を残して薄膜として形成することで前記光学樹脂層の気化された箇所に補填し、再度紫外光で光学樹脂層に対して全面露光を行い、また再度高温焙焼を通じて基板上の光学樹脂層の全部を気化させ、必要な薄膜パターンを残すことで、設備と製造の低コストの状況において、薄膜エッチングの精度を向上させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置を改造することなく、金属膜形成工程における側壁付着部の形成を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に４層のレジスト層を形成するレジスト形成工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９が、第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１７に対してアルカリ難溶性の材料よりなり、露光後に複数のレジスト層を現像する現像工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９が、第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１７に対して庇形状に現像される。このような構成によれば、金属膜形成工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９の突出部１５ａ，１９ａが、蒸着金属粒子の進路を遮り、第１のレジスト層１３の側壁部１３ｓへの金属膜の付着を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、現像液と剥離液との溶質を同一材料とすることを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板上に水溶性の感光性樹脂を形成する工程と、感光性樹脂を露光する工程と、感光性樹脂を現像液を用いて現像する現像工程と、現像工程の後に基板上に残った感光性樹脂を剥離液を用いて剥離する剥離工程と、膜パターンの材料を堆積する堆積工程と、を有する膜パターンの形成方法であって、剥離液と現像液とが同一の溶質からなり、剥離液の溶質の濃度が、現像液の溶質の濃度よりも高いことを特徴とする膜パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶破壊やめっき剥離を起こし難い金属めっきを形成することができるめっき方法及びそのような金属めっきを備える電子装置を提供すること。
【解決手段】開口１６ａが形成されるとともに、前記開口１６ａの内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターン１６を形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっき１８を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）