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Fターム[2H096JA02]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 処理工程 (1,945) | 工程の組合せ (1,865) | 画像露光するまでの (446)

Fターム[2H096JA02]に分類される特許

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【課題】ドライフィルムレジスト(DFR)をムラ無く、均一に薄膜化することが可能で、除去液の再生が可能で、廃液量を大きく削減でき、環境に優しい処理方法であり、除去液の再生の処理時間が大きく短縮可能なドライフィルムレジストの薄膜化処理方法を提供する。
【解決手段】DFRが貼り付けられた基板の該DFRを処理液で処理する工程、その後に、除去液を用いて表面の不用なDFRを除去液を用いて除去する工程とからなるDFRの薄膜化処理方法において、除去液中に含まれるDFR濃度が0.5質量%を超える前に、除去液中に溶解したDFRを、pHを一旦低下させることにより、凝集、沈殿させ、ろ過助剤としてセルロースパウダーを使用し、加圧型の脱水ろ過機を用いて固液分離し、分離後のろ過水のpHを中性に戻して、再度、除去液として再利用することを特徴とするDFRの薄膜化処理方法。 (もっと読む)


【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードに優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】(ア)酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を、樹脂中の全繰り返し単位に対して65モル%以上有し、かつ下記一般式(I)又は(II)で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】凸版印刷版構成体から凸版印刷版を製版する凸版印刷版の製造方法であって、簡便な手法で、印刷再現性及び版面再現性の高い印刷レリーフを有する凸版印刷版を製造する方法を提供すること。
【解決手段】(1)紫外線露光製版が可能な樹脂層3にネガ型マスク5を形成する工程、(2)前記ネガ型マスクを有する構成体に酸素遮断性層6を形成する工程、(3)前記樹脂層に前記酸素遮断性層側から紫外線露光する工程、及び、(4)前記樹脂層を現像して印刷レリーフを形成する工程を含む、凸版印刷版の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高感度で火膨れが生じにくい、すなわちラチチュードの広い直描型水なし平版印刷版原版を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくとも感熱層およびシリコーンゴム層をこの順に有する直描型水なし平版印刷版原版であって、シリコーンゴム層と向かい合う側の感熱層表面に傾斜領域を有し、かつ、前記傾斜領域の感熱層表面に対する面積率が1面積%以上であることを特徴とする直描型水なし平版印刷版原版。 (もっと読む)


【課題】解像性、ドットゲイン及び耐刷性の優れた印刷版を製造することのできる製版方法及び製版装置を提供すること。
【解決手段】製版装置100又は製版装置200を用いて溶液の液滴を原版材に吐出することで製版を行う。つまり、超微小径のノズル21の先端部を原版材102に対向させて、ノズル21内に供給された帯電可能な溶液に吐出電圧を印加する。これにより、溶液を液滴としてノズル21の先端部から原版材に向けて選択的に吐出し、原版材21に着弾した液滴によるパターンを形成することによって印刷版を製造する。 (もっと読む)


【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 (もっと読む)


【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第1の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第2の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】パターン形成後の他のレジスト組成物からの影響を低減できるポジ型レジスト組成物、並びにレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)、及び求核性を有する官能基を2つ以上有する化合物(G)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、アミド結合を有するアクリル酸エステル構成単位(a0-1)、及びα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を含有する。 (もっと読む)


【課題】イマージョンリソグラフィ工程において使用される溶媒に対して安定であり、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位、(a2)ラクトン単位を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位、並びに(a4)多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつ(a0)(a0−1)ジカルボン酸の無水物含有構成単位及び(a0−2)フェノール性水酸基含有構成単位を有さない、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、(A)成分及び(B)成分を溶解する有機溶剤(C)と、含窒素有機化合物(D)とを含むポジ型レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】表面極性をリソグラフィ的に変え、自己組織化層によるパターン形成方法の提供。
【解決手段】光酸発生剤を含む感光層の一部分を照射し、発生した酸を隣の下層120aの部分に拡散させる工程。前記下層120aは酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーを含む。感光層は下層の表面上に配置されており、拡散させる工程は下層120aおよび感光層を加熱することを含み、下層120a中の酸感受性コポリマーの酸感受性基は拡散した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成し、前記極性領域はパターンの形状を有する。感光層は除去され、下層の表面上に自己組織化層150bを形成する工程。前記自己組織化層150bは極性領域に対する親和性を有するブロックと、極性領域に対する親和性が低いブロックとを有するブロックコポリマーを含む。第1もしくは第2のドメインのいずれかを除去し下層の部分を露出させる工程。 (もっと読む)


【課題】表面特性をリソグラフィ的に変え、その上の自己組織化層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸分解可能基、アタッチメント基、および官能基を含む酸感受性コポリマーと光酸発生剤とを含む下層220aの部分を照射し、前記酸分解可能基は、下層の照射部分において光酸発生剤から生じた酸と反応して、下層220aの表面に極性領域を形成する。前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している。下層220aの表面上に自己組織化層250bを形成する。前記自己組織化層250bはブロックコポリマーを含み、前記ブロックコポリマーは、極性領域に対して親和性を有し、極性領域に対して整列する第1のドメインを形成する第1のブロックと、前記第1のドメインの隣に整列する第2のドメインを形成する第2のブロックとを有している。次に第1のドメインもしくは第2のドメインのいずれかを除去して、下にある下層220aの部分を露出させる。 (もっと読む)


【課題】種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、CDU及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)[A]ポリシロキサンを含有するレジスト下層膜形成用組成物を基板上に塗布し、レジスト下層膜を形成する工程、(2)[a1]酸の作用により極性が変化して有機溶媒に対する溶解度が減少する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物を上記レジスト下層膜上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、(3)上記レジスト膜を露光する工程、及び(4)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有する現像液を用いて現像する工程を有するレジストパターン形成方法である。上記レジスト下層膜形成用組成物は、[B]窒素含有化合物をさらに含有することができる。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、および該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記(A)として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を用いる。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】(ア)(A)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)第三級アルコールとを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】現像欠陥、並びにスカムの発生が改良され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成された感活性光線性または感放射線性膜、および該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(C)疎水性樹脂を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、疎水性樹脂(C)が、下記一般式(1)で表される単量体に由来する繰り返し単位を含むことを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。(式中の各記号は、特許請求の範囲に記載の意味を表す。)
【化1】
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【課題】リソグラフィー用共重合体の、リソグラフィー用組成物としたときのリソグラフィー特性を、実際にリソグラフィー用組成物を調製しなくても評価できる方法を提供する。
【解決手段】下記工程を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法:
(1)リソグラフィー用共重合体を溶媒に溶解させて試験溶液を調製する工程;
(2)前記試験溶液の濁度を測定する工程;
(3)前記試験溶液に貧溶媒を添加する工程;
(4)貧溶媒添加後の試験溶液の濁度を測定する工程;
(5)前記貧溶媒の添加によって、前記試験溶液の濁度が、所定の濁度に変化するまでの貧溶媒添加量を求める工程;
(6)前記工程(5)において求められる貧溶媒添加量により、前記リソグラフィー用共重合体を含む組成物のリソグラフィー特性を評価する工程。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には3層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 (もっと読む)


【課題】露光時の剥れが抑制される感光性レジストパターンの形成方法、及びそれを利用した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ドライエッチングが施されたシリコン基板の表面に対して、酸溶液又はアルカリ溶液によりウエットエッチング処理を施す工程と、ウエットエッチング処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基で終端させる表面処理を施す工程と、水酸基で終端させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理を施す工程と、水酸基の水素原子を有機珪素化合物基で置換させる表面処理が施されたシリコン基板の表面に対して、感光性レジストパターンを形成する工程と、を有する感光性レジストパターンの形成方法である。 (もっと読む)


【課題】少なくとも(a)基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)回路パターンの露光工程、(e)現像工程を含むレジストパターンの作製方法において、搬送工程や露光工程で光架橋性樹脂層表面に傷や異物の付着がなく、密着露光を行ってもフォトツールを汚染しないレジストパターンの作製方法を提供することである。また、光架橋性樹脂層に段差があっても、段差周囲で光の屈折による線太りや酸素による重合阻害を生じることのないレジストパターンの作製方法を提供することである。
【解決手段】(b)光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程の後に、(f)透明性フィルムと非感光性のアルカリ可溶性粘着層が積層したマスキングフィルムを光架橋性樹脂層上に貼り付ける工程を含み、(c)回路パターンの露光工程後に、(g)透明性フィルムを除去する工程を含むレジストパターンの作製方法。 (もっと読む)


【課題】異物付着欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及びこのパターン形成方法に用いられる現像液を提供する。
【解決手段】(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び、(ウ)露光した膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、前記現像液中のアルコール化合物(X)の含有率が、現像液の全質量に対し0以上500ppm未満であることを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


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