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Fターム[3C081AA17]の内容

マイクロマシン (28,028) | 目的、効果 (2,695) | 工程改良 (806)

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【課題】超音波溶着によって二部材を接合する凸条を、その全長に亘ってムラなく超音波溶着することができる接合方法、及び、流路の密閉性を向上させることのできるマイクロ流路デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板部材が積層接合されてなり、隣接する二つの基板部材の間に流路が形成されているマイクロ流路デバイスの製造方法であって、前記流路を形成する二つの基板部材のうち、一方の基板部材の接合面には、他方の基板部材を積層した状態で前記流路に露呈する二つの基板部材の境界を囲むように延びる凸条が形成されており、前記二つの基板部材を積層して加圧し、前記凸条をその全長に亘って前記他方の基板部材の接合面に接触させ、前記凸条がその全長に亘って前記他方の基板部材の接合面に接触した状態で、超音波の発振を開始し、前記凸条を前記他方の基板部材の接合面に超音波溶着する。 (もっと読む)


【課題】 良好な分光精度を維持できる波長可変干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】
第一基板51と、第一基板51に接合される第二基板52と、第一基板51に設けられる第一反射膜56と、第二基板52に設けられる第二反射膜57と、第一反射膜56と第二反射膜57とのギャップGを変更する可変部54と、を備え、第二基板52は、第二基板52を基板厚み方向から見る平面視において、第二反射膜57に重なる位置に設けられる可動部521を有する第一層520と、第一層520の第一基板51に対向する面に積層されるとともに、厚み寸法が一様な板状に形成され、可動部521を変位可能に支持する支持部531を有する第二層530と、を備え、第一層520には、少なくとも前記平面視で支持部531に重なる領域に第一層520が積層されていないことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 (もっと読む)


【課題】点光源のX線源を用いても、X線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第1のメッキ層を形成する工程と、前記第1のメッキ層の上に、応力を発生する第2のメッキ層を形成し、前記第2のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、露出されたSi表面からSi基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、凹部の底部に形成された第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、Siの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ダイシングやアセンブリ中の処理環境等から壊れやすいMEMSデバイスを保護することが可能な封止構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSデバイスを含むチャンバを覆う膜と、膜を支持し膜を基板に接続するアンカーからなる封止構造において、アンカーと膜を形成する構造材料を多結晶SiGeで形成し、犠牲層を用いたウエハレベルパッケージプロセスにより製造する。また、チャンバ内をSi酸化物で充填した構造とする。 (もっと読む)


【課題】駆動電子素子作製プロセスや使用される基板の型に依存しないマイクロマシンデバイスを低いプロセス温度で製造する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法が開示され、この方法はアモルファス半導体材料の構造層101を形成する工程と、構造層101中に、第1領域111と第2領域112を規定する工程と、第1領域111の上に、第2領域112が露出された状態になるようシールド層を形成する工程と、構造層101の第2領域112を、第1フルーエンスのパルスレーザーを用いてアニールする工程と、その後に、シールド層を除去する工程と、構造層101の第1領域111および第2領域112を、第1フルーエンスより実質的に小さい第2フルーエンスを用いてアニールする工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】絶縁溝と絶縁部材とで構成された絶縁部を有する半導体基板において、反りの発生を抑制する。
【解決手段】ミラーアレイデバイス1は、電極基板4を備えている。電極基板4は、その厚み方向に導通し且つ絶縁部5で囲まれることによって周辺の部分から絶縁された駆動電極41を有している。絶縁部5は、電極基板4の表面4aから形成された絶縁溝51と、電極基板の裏面4bから埋め込まれて絶縁溝51内に突出する絶縁部材52とで構成されている。電極基板4には、電極基板4の応力を緩和するための応力緩和溝6が絶縁部材52が埋め込まれた裏面4b側から形成されている。 (もっと読む)


【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板B4であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Bsが上面の表層部の所定領域R1に形成されてなるベース基板B4と、シリコンからなるキャップ基板C4であって、ベース基板B4の所定領域R1において、下面がベース基板B4の上面に貼り合わされるキャップ基板C4とを有してなる半導体装置100において、下面が所定のベース半導体領域Bsに接続し、キャップ基板C4を貫通するようにして、上面がキャップ基板C4の上面まで伸びる、金属40で構成された引き出し電極De1が、当該引き出し電極De1の周りにおいて、キャップ基板C4との間に溝35を有するように形成されてなる半導体装置100とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、陽極接合時に可動部がガラス基板へ張り付くことを防止し、製造コストを抑制し、且つ接合不良を防止するMEMSデバイスの製造方法及びMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るMEMSデバイスの製造方法は、半導体基板に固定部と前記固定部の内側あるいは外側に位置する可動部を形成し、ガラス基板の一方の面上に前記半導体基板と対向させたときに前記可動部の周囲に位置する領域に導電部材を配置し、前記ガラス基板の他方の面を前記可動部と対向させた状態で前記半導体基板と前記導電部材の間に電圧を印加して前記半導体基板と前記ガラス基板の陽極接合を行う、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】封止領域の気密性を高めることができる貫通電極及びその製造方法、並びに微小構造体を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板10の所定領域11を周囲と絶縁して形成した貫通電極100であって、前記基板の第1の面側に、前記基板を貫通しない深さに形成された第1のトレンチ30と、該第1のトレンチより溝幅が狭く、該第1のトレンチの底面と前記基板の第2の面とを貫通する第2のトレンチ20と、該第2のトレンチを充填するとともに、前記第1のトレンチの溝表面を覆う絶縁層50と、前記第1のトレンチの溝表面を覆う前記絶縁層上に、前記第1のトレンチの両側の内壁に沿うとともに、前記第1のトレンチの底面を横断する横断部62を含むように形成された成長膜60と、を含む。 (もっと読む)


【課題】IIB技術で片持ち梁を曲げ加工するに際し、必要なイオン照射量を低減し、かつ、必要な照射イオンのエネルギに大きなマージンを与える。
【解決手段】薄膜部材30にあって支持層20により一部の面積領域は支持されているが、当該支持層20により支持されていない部分に、支持層20から離れ、浮いた状態で先端自由端41に向かうように形成された所定平面形状の片持ち梁40があり、この片持ち梁40を曲げ加工するに際し、少なくとも片持ち梁40の部分は二層以上の複数の薄膜層31,32が厚味方向に上下に積層された積層構造とし、かつ、上下に隣接する薄膜層31,32同士の材質は互いに異ならせる。 (もっと読む)


【課題】磁気駆動式マイクロピラー基板において、目標の鋳型孔のみに確実に磁性体を入れ、自由に磁気駆動できるようにする。
【解決手段】複数の鋳型孔が形成された鋳型3の表面にマスク1を付けて、磁性体を入れる予定の鋳型孔以外をマスキングし、磁性体としての鉄粉5を含む鉄粉含有PDMS6をマスキングした鋳型3に注入して遠心処理し、マスクを外した後、鉄粉を含まないPDMS8を鋳型3に注入する。この後、鋳型3の背面に永久磁石9をあてがいながら焼き固めて、磁気駆動式マイクロピラー基板10を生成する。最後に、磁気駆動式マイクロピラー基板10を鋳型3から剥離する。 (もっと読む)


【課題】 テラヘルツ発振器用MEMS素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ビア・エッチングホール・パターンと第1非ビア・エッチングホール・パターンとが形成された第1基板と、第1基板のビア・エッチングホール・パターンに対応する位置に同じ第2非ビア・エッチングホール・パターンが形成された第2基板とを接合して設けられたMEMS素子であり、また、第1基板と第2基板とが接合されたものを第1構造体とし、該第1構造体と、該第1構造体と同じ構造の第2構造体とを互いに接合するMEMS素子である。 (もっと読む)


【課題】製造および動作信頼性の改善と共に必要とされる性能特性をもたらす、シングルチップ上に製造された1つまたは複数のセンサを提供すること。
【解決手段】センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ(130)を、エッチング済みデバイスウェーハ(142)に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子(150)によって検知される。一実施形態では、センサは加速度を測定する。他の実施形態では、センサは圧力を測定する。 (もっと読む)


【課題】簡易且つ実施が容易な高分解能パターンの作成方法を提供する。
【解決手段】第1熱伝導率を示す物質から作られる支持体1の上面上に少なくとも1つのパターンを作成する方法は、第2熱伝導率を示し、且つ、パターンの形状に対応する形状を有する少なくとも1つの孔部8を含む物質から作られるマスク7を配置する工程を含む。孔部8は、支持体1の底面に接触する。第2導電率に対する第1導電率の比率は、その方法の実施期間(duration)において、2以上又は1/2以下である。また、その方法は、パターンを形成するように作られた物質を含む溶液を上面上に堆積する工程と、溶液を蒸発させる工程と、を含む。 (もっと読む)


次の工程を含む、ホールに少なくとも部分的に閉塞部を挿入するための方法:a)1μm〜300μmの最大寸法を有する少なくとも1つのホールを備えた少なくとも1つの基材(2)を与える工程;b)前記少なくとも1つのホールよりも大きな寸法を有する材料片(1)を与える工程;c)前記材料片(1)を前記ホールに対して道具を用いて押圧して、閉塞部を形成する工程であって、前記材料片(1)の少なくとも一部を前記ホールに圧入する工程;及びd)前記道具を前記材料片(1)から取り除く工程。この方法によって作成された閉塞ホールを、さらに開示している。1つの実施態様の1つの利点は、産業上利用可能なワイヤーボンディング技術を、様々なキャビティを封止するために使用できることである。既存のワイヤーボンディング技術は、この閉塞化を早くかつ安価にする。 (もっと読む)


【課題】MEMS、NEMSなどの半導体素子を封入する方法、および空隙を形成する方法、および関連した素子を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第1キャップ層を主面の上に形成することとを含む。第1キャップ層の形成の際、第1キャップ層に局所欠陥が導入され、局所欠陥は、実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、局所欠陥は、所定の流体が通過できるのに適している。 (もっと読む)


【課題】キャップ−基板間への異物混入を防止するMEMSセンサ及びその製造方法を得る。
【解決手段】MEMSセンサ素子を形成した基板上に、該MEMSセンサ素子の上方を覆うキャップを接合してなるMEMSセンサにおいて、基板とキャップを接合する接合部をキャップ全周縁に沿って設け、この接合部の外囲面を、キャップ周縁の外囲面の延長面を基準として、該延長面と面一に位置させるかまたは該延長面より外側に位置させる。 (もっと読む)


【課題】加工後のパターン寸法及びパターン形状を所望の値にするパターン形成方法、パターン形成システム、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板20上に被加工膜28を形成する被加工膜形成工程(S10)と、テンプレート10を被加工膜上に塗布されたインプリント材30に接触させて、テンプレートに設けられた型パターン11をインプリント材30に転写する転写工程(S110)と、型パターンが転写されたインプリント材をマスクにして被加工膜のエッチングを含む加工を行う加工工程(S130)と、を備えるパターン形成方法を提供する。転写工程は、加工後の被加工膜のパターンの寸法及び形状の少なくともいずれかに関するデータに基づいて定められた条件を用いて実施される。 (もっと読む)


【課題】インプリント・リソグラフィによって基板上にパターンを形成するシステムを提供する。
【解決手段】インプリント・ヘッド3100はインプリント・ヘッド支持体3910に取り付けられている。インプリント・ヘッド3910はインプリント・ヘッドが常に固定位置に留まるように取り付けられている。使用中、X−Y面に沿ったすべての動きはモーション・ステージ3600によって基板に対して実行される。システム3900は硬化液を基板上に分配する液体分配システムも備える。液体分配システムは、インプリント・ヘッド3100に結合される。インプリント・リソグラフィは液体を基板上に分配するプロセスである。テンプレートが液体に接触され、液体が硬化される。硬化した液体はテンプレート内に形成されるパターンのインプリントを含む。一実施形態では、基板上に予め形成された層に対するテンプレートの整列は散乱計測を用いて行われる。 (もっと読む)


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